特許6966701IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体レーザ及び導波路を備えた光モジュール

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献1に記載の光モジュールでは、基板の端面及び導波路端面が異なる角度で形成されているので、半導体レーザの出射光の光軸と導波路の光軸とが斜めに配置されることになる。よって、導波路から半導体レーザへの戻り光を低減することができる。 しかし、半導体レーザの出射面と基板の端面とが斜めになるように配置した場合、通常、半導体レーザの幅方向の略中央に発光点があるので、半導体レーザの発光点及び導波路の入射面の間の距離が長くなり、半導体レーザ及び導波路の光学的な結合効率が低下する問題が生じる。 問題に鑑みてなされたものであり、半導体レーザ及び導波路の間の高い光学的結合効率を有するとともに、導波路から半導体レーザへの戻り光を低減できる光モジュールを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するため、本発明の一態様に係る光モジュールでは、 半導体レーザ素子と、 シリコン基板上にSiО2からなる導波路が形成された平面光波回路(PLC:Plannar Lightwave Circuit)と、 を備え、 前記半導体レーザ素子の発光点の位置及び前記導波路のコアの位置が略一致するように配置され、 平面視において、 前記半導体レーザ素子の出射面を表す第1の・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
以上のように本開示では、半導体レーザ及び導波路の間の高い光学的結合効率を有するとともに、導波路から半導体レーザへの戻り光を低減できる光モジュールを提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明の1つの光モジュールを模式的に示す図である。

【図2】図1のII−II断面を示す側面断面図である。

【図3】半導体レーザ素子の出射面を表す第1の線分及びこれに対応する導波路の入射面を表す第2の線分が互いに傾斜して配置されたところを拡大して示す平面図である。

【図4】半導体レーザ素子から導波路のコアへ入射する光の光軸及びコアの光軸がなす角度θ1、半導体レーザ素子の出射光の広がり角(半値)θ2、及び平面光波回路の導波路の最大受光角(半値)θmaxの関係を示す平面図である。

【図5】第1の線分及び第2の線分のなす角度θに基づいて、角度θ1を算出する方法を説明するための平面図である。

【図6】フリップチップ実装の光モジュールの構造を模式的に示す側面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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