特許 6968994 ＯＬＥＤパッケージ方法およびＯＬＥＤパッケージ構造

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6968994

(24)【登録日】2021年10月29日

(45)【発行日】2021年11月24日

(54)【発明の名称】ＯＬＥＤパッケージ方法およびＯＬＥＤパッケージ構造

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/10 20060101AFI20211111BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20211111BHJP

   H05B 33/04 20060101ALI20211111BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/10

   H05B33/14 A

   H05B33/04

【請求項の数】9

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2020-522386(P2020-522386)

(86)(22)【出願日】2017年11月30日

(65)【公表番号】特表2020-537814(P2020-537814A)

(43)【公表日】2020年12月24日

(86)【国際出願番号】CN2017113695

(87)【国際公開番号】WO2019085115

(87)【国際公開日】20190509

【審査請求日】2020年4月20日

(31)【優先権主張番号】201711060227.5

(32)【優先日】2017年11月1日

(33)【優先権主張国】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】519182202

【氏名又は名称】深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100103894

【弁理士】

【氏名又は名称】家入 健

(72)【発明者】

【氏名】李 文杰

【審査官】 辻本 寛司

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１０／１４３３３７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１１−１１３７３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００７／０１８２３１４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１２−０８６３９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０１６３９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１１−５２０２１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１６０９０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２４４６９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１１／００１５７３（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＴＦＴ基板を提供し、前記ＴＦＴ基板上にＯＬＥＤデバイスを作製し、前記ＯＬＥＤデバイスの外表面上に前記ＯＬＥＤデバイスを被覆する第１パッシベーション層を形成する、ステップＳ１と、
前記第１パッシベーション層の外表面上に、前記第１パッシベーション層を被覆する紫外線吸収層を形成し、前記紫外線吸収層は、有機樹脂と、有機樹脂中に分散されかつ紫外線吸収性能を有する無機粒子とを含み、前記紫外線吸収層は、透明であり、前記有機樹脂が、ポリメチルメタクリレートを含み、前記無機粒子が、アルミニウムドープ酸化亜鉛粒子を含む、ステップＳ２と、
パッケージカバーを提供し、前記パッケージカバーのＯＬＥＤデバイスに対応する周辺領域にフレームシールを塗布して、前記パッケージカバーのフレームシールで囲まれた領域内に封止材を設ける、ステップＳ３と、
パッケージカバーとＴＦＴ基板とを位置合わせして組み合わせ、フレームシールをＴＦＴ基板及びパッケージカバーにそれぞれ接着して、ＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に密閉空間を形成し、前記封止材を前記密閉空間内に充填する、ステップＳ４と、
を含むＯＬＥＤパッケージ方法。

【請求項2】

前記紫外線吸収層の紫外線透過率が５％未満であり、可視光透過率が８０％を超え、前記紫外線吸収層の厚さが１μｍ〜１０μｍであり、前記紫外線吸収層中の前記無機粒子の含有量が０．１ｖｏｌ％〜１．０ｖｏｌ％であり、前記無機粒子の粒径が１ｎｍ〜１５０ｎｍである、請求項１に記載のＯＬＥＤパッケージ方法。

【請求項3】

前記紫外線吸収層の製造方法が、有機樹脂前駆体溶液に無機粒子を分散させて紫外線吸収液を調製し、前記紫外線吸収液を、スピンコート、滴下、インクジェットプリンタ、流延成膜、及びノズルプリティングのうちの１種又は複数種を含む溶液成膜法を用いて、前記第１パッシベーション層の外表面上に成膜し、硬化して紫外線吸収層を得ることである、請求項１に記載のＯＬＥＤパッケージ方法。

【請求項4】

前記ステップＳ２が、さらに、前記紫外線吸収層の外表面上に、前記紫外線吸収層を被覆する第２パッシベーション層を形成するステップを含む、請求項１に記載のＯＬＥＤパッケージ方法。

【請求項5】

対向配置されるＴＦＴ基板およびパッケージカバーと、ＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に設けられかつＴＦＴ基板上に配置されるＯＬＥＤデバイスと、前記ＯＬＥＤデバイスの外表面上に設けられかつ前記ＯＬＥＤデバイスを被覆する第１パッシベーション層と、前記第１パッシベーション層の外表面上に設けられかつ前記第１パッシベーション層を被覆する紫外線吸収層と、ＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に設けられかつＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に密閉空間を形成するフレームシールと、前記密閉空間内に充填される封止材と、を含み、
前記フレームシールは、前記ＯＬＥＤデバイスの周辺に設けられ、前記紫外線吸収層は、有機樹脂と、有機樹脂中に分散されかつ紫外線吸収性能を有する無機粒子とを含み、前記紫外線吸収層は、透明であり、前記有機樹脂が、ポリメチルメタクリレートを含み、前記無機粒子が、アルミニウムドープ酸化亜鉛粒子を含む、ＯＬＥＤパッケージ構造。

【請求項6】

前記紫外線吸収層の紫外線透過率が５％未満であり、可視光透過率が８０％を超え、前記紫外線吸収層の厚さが１μｍ〜１０μｍであり、前記紫外線吸収層中の前記無機粒子の含有量が０．１ｖｏｌ％〜１．０ｖｏｌ％であり、前記無機粒子の粒径が１ｎｍ〜１５０ｎｍである、請求項５に記載のＯＬＥＤパッケージ構造。

【請求項7】

さらに、前記紫外線吸収層の外表面上に設けられかつ前記紫外線吸収層を被覆する第２パッシベーション層を含む、請求項５に記載のＯＬＥＤパッケージ構造。

【請求項8】

前記第１パッシベーション層及び第２パッシベーション層の材料が、いずれも窒化シリコンを含み、前記第１パッシベーション層及び第２パッシベーション層の厚さが、いずれも５００ｎｍ〜８００ｎｍであり、前記封止材が、ポリウレタン、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂のうちの１種又は複数種を含む、請求項７に記載のＯＬＥＤパッケージ構造。

【請求項9】

ＴＦＴ基板を提供し、前記ＴＦＴ基板上にＯＬＥＤデバイスを作製し、前記ＯＬＥＤデバイスの外表面上に前記ＯＬＥＤデバイスを被覆する第１パッシベーション層を形成する、ステップＳ１と、
前記第１パッシベーション層の外表面上に前記第１パッシベーション層を被覆する紫外線吸収層を形成し、前記紫外線吸収層は、有機樹脂と、有機樹脂中に分散されかつ紫外線吸収性能を有する無機粒子とを含み、前記紫外線吸収層は透明である、ステップＳ２と、
パッケージカバーを提供し、前記パッケージカバーのＯＬＥＤデバイスに対応する周辺領域にフレームシールを塗布して、前記パッケージカバーのフレームシールで囲まれた領域内に封止材を設ける、ステップＳ３と、
パッケージカバーとＴＦＴ基板とを位置合わせして組み合わせ、フレームシールをＴＦＴ基板及びパッケージカバーにそれぞれ接着して、ＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に密閉空間を形成し、前記封止材を前記密閉空間内に充填する、ステップＳ４とを含み、
前記紫外線吸収層の紫外線透過率は５％未満であり、可視光透過率は８０％を超え、前記紫外線吸収層の厚さは１μｍ〜１０μｍであり、前記紫外線吸収層中の前記無機粒子の含有量は０．１ｖｏｌ％〜１．０ｖｏｌ％であり、前記無機粒子の粒径は１ｎｍ〜１５０ｎｍであり、
前記有機樹脂は、ポリメチルメタクリレートを含み、前記無機粒子は、アルミニウムドープ酸化亜鉛粒子を含み、
前記紫外線吸収層の製造方法は、有機樹脂前駆体溶液に無機粒子を分散させて紫外線吸収液を調製し、前記紫外線吸収液を、スピンコート、滴下、インクジェットプリンタ、流延成膜、及びノズルプリティングのうちの１種又は複数種を含む溶液成膜法を用いて、前記第１パッシベーション層の外表面上に成膜し、硬化して紫外線吸収層を得ることであり、
前記ステップＳ２は、さらに、前記紫外線吸収層の外表面上に、前記紫外線吸収層を被覆する第２パッシベーション層を形成するステップを含む、ＯＬＥＤパッケージ方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示技術分野に関し、特にＯＬＥＤパッケージ方法およびＯＬＥＤパッケージ構造に関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光素子ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、自発光特性が良好で、コントラストが高く、応答速度が速く、フレキシブルディスプレイなどの長所を有するので、ディスプレイ分野、照明分野、スマートウェアラブルなどの分野で広く適用されている。

【0003】

ＯＬＥＤ技術は、科学技術の発展に伴い、第３世代のディスプレイ技術の重要な候補となり、携帯電話、パソコン、テレビなどの民生機器に用いられている。ＯＬＥＤの基本的な表示原理は、電界の駆動下で、キャリアの注入及び再結合により、有機材料を発光させることである。ＯＬＥＤは、ＲＧＢ画素を独立して発光させ、白色光ＯＬＥＤをカラーフィルタと組み合わせ、又は青色光ＯＬＥＤを光色変換と組み合わせることによって、フルカラー表示を実現することができる。ＯＬＥＤ表示技術は、スクリーンをより薄くすることができ、その自発光特性は夕方の野外でも高いコントラストを実現でき、様々な材質の基板上に製造することができ、フレキシブルディスプレイとすることができる。

【0004】

環境に優しく、高効率で省エネルギーなライフスタイルが、人々の生活のトレンドとなっているため、ＯＬＥＤは、将来の新たな照明技術として注目されている。ＯＬＥＤの発光材料は、有機半導体であり、その発光層の材料特性を制御して、異なる波長の光を発生させることができる。ＯＬＥＤは、柔らかい光の平面光源であり、その照明は薄型化を可能にし、フレキシブル基板上に作製されるＯＬＥＤであれば、大面積で曲げることが可能な光源を実現でき、ホームファーニッシングなどの面で応用できる可能性がある。

【0005】

スマートウェアラブル市場は、ＯＬＥＤ技術の開発にとって重要な方向性となる。フレキシブルＡＭＯＬＥＤ（アクティブマトリックス有機発光ダイオード又はアクティブマトリックス有機発光ダイオード）は、軽量で薄型化、折り曲げ可能であり、携帯に便利であるという特性により、ウェアラブルデバイスに広いアプリケーションスペースが確保されることになる。ＯＬＥＤディスプレイは、バンド又は腕時計に装着でき、手首に完全にフィットすると同時に、電話、インターネット接続などの機能を実現することもできる。

【0006】

また、ＯＬＥＤは、車載音響表示、スマートハウス、宇宙技術などの分野で応用できる可能性がある。

【0007】

ＯＬＥＤは、従来のＬＣＤと異なり、バックライトを用いることなく、電子と正孔の両方のキャリアを介して有機薄膜材料に注入され、有機材料で再結合して発光する。しかしながら、有機材料は水蒸気及び酸素に非常に敏感であり、水／酸素の透過がデバイスの寿命を大幅に短くさせるので、商品化によるＯＬＥＤデバイスの耐用年数及び安定性に対する要求を満たすために、ＯＬＥＤデバイスは、パッケージ効果に対して非常に高い要件が求められている：耐用年数は少なくとも１０^４時間以上であり、水蒸気透過率は１０^―６ｇ／ｍ^２／ｄａｙ未満であり、酸素透過率は１０^―５ｃｃ／ｍ^２／ｄａｙ（１ａｔｍ）未満である。したがって、パッケージは、ＯＬＥＤデバイスの製造において重要な位置にあり、製品の歩留まりに影響を与える重要な要因の１つである。

【0008】

既存のＯＬＥＤデバイスのパッケージ方式は主に、封止ガラスに、紫外線（ＵＶ）硬化可能なフレームシール、レーザ封止可能なガラス接着剤（Ｌａｓｅｒ ｓｅａｌｉｎｇ）、又はフレームシール及び充填乾燥剤（Ｄａｍ＆Ｆｉｌｌ）を塗布して硬化した後に、比較的密閉された環境を発光デバイスに提供する、ガラスパッケージであり、一定時間内に良好な水／酸素バリア能力を達成することができる。

【0009】

フレキシブルＯＬＥＤパネルは、有機発光デバイスの重要な研究方向である。過去２年間で、フレキシブルＯＬＥＤデバイスパッケージの研究は随分盛んになっており、プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）又は原子層堆積法（ＡＬＤ）を用いる薄膜パッケージが研究のホットスポットとなっている。しかし、フレキシブルＯＬＥＤデバイスのパッケージコストは、従来のカバーパッケージデバイスのコストの１〜５倍であり、フレキシブルＯＬＥＤは、将来のディスプレイトレンドではあるが、従来のガラス平板によるＯＬＥＤデバイスパッケージは消えない。

【0010】

ＴＦＴは、アクティブマトリクス駆動表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）において重要な役割を果たしており、一般的に表示装置において、スイッチング装置及び駆動装置として用いられている。紫外線エネルギーが高く、ＴＦＴは、光照射によりキャリア、電子又は正孔を発生し、自由キャリア濃度が増加すると、閾値電圧（Ｖ_ｔｈ）が低下し、Ｖ_ｔｈシフトが直接画素の発光輝度変化を引き起こし、全体の表示品質に影響を与える。このため、ＴＦＴの長期安定性は、表示装置にとって非常に重要である。

【0011】

大型デバイスパッケージの場合、デバイスの機械的特性を向上させるために、封止材（フィラー）を添加する必要があり、また、ニュートンリングを除去することもできる（特にトップエミッション素子の場合、ニュートンリングを除去する必要がある）。現在、フィラーには、硬化方式により、紫外線硬化（ＵＶ ｃｕｒｉｎｇ）と熱硬化（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｕｒｉｎｇ）との２種類がある。その中でも、ＵＶ硬化プロセスは、簡単で、硬化時間は短く、通常５〜１５ｍｉｎであり、量産において、生産時間（タクトタイム（Ｔａｃｔ ｔｉｍｅ））を短縮できる。その欠点は、ＵＶ光がカバープレート側からデバイスに照射し、フィラーの硬化を開始するとともに、ＴＦＴの電気的ドリフトを引き起こし、画面全体の表示品位を低下させることである。現在、熱硬化として市販されているフィラーの熱硬化温度は１００℃前後であり、硬化時間は６０〜９０ｍｉｎである。また、用いられるオーブン（Ｏｖｅｎ）の温度均一性も、フィラーの硬化程度に大きく影響を及ぼし、フィラーの硬化ムラが、パッケージムラ（ｍｕｒａ）（ディスプレイの輝度が不均一である現象）の原因となる。

【0012】

図１は、従来のＯＬＥＤパッケージ工程の模式図であり、図１に示すように、従来のＯＬＥＤパッケージ構造は、対向配置されるＴＦＴ基板１００及びパッケージカバー２００と、ＴＦＴ基板１００とパッケージカバー２００との間に設けられかつＴＦＴ基板１００上に配置されるＯＬＥＤデバイス３００と、ＴＦＴ基板１００とパッケージカバー２００との間に設けられかつＴＦＴ基板１００とパッケージカバー２００との間に密閉空間６１０を形成するフレームシール６００と、密閉空間６１０内に充填される封止材７００と、を含む。

【0013】

図１に示すように、封止材７００をパッケージカバー２００側からＵＶ硬化する場合に、ＵＶ光が封止材７００の硬化を開始するとともに、ＴＦＴ基板１００におけるＴＦＴ素子の性能に影響を与え、ＴＦＴ基板１００におけるＴＦＴ素子の電気的ドリフトを引き起こし、画面全体の表示品位を低下させる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0014】

本発明の目的は、封止材とフレームシールとを紫外線硬化する過程において、ＴＦＴへの紫外線の影響を低減又は除去することができるＯＬＥＤパッケージ方法を提供することにある。

【0015】

本発明の目的はまた、上記方法により製造され、そのＴＦＴが優れた電気特性を有するＯＬＥＤパッケージ構造を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0016】

上記の目的を達成するために、本発明は、以下のステップを含むＯＬＥＤパッケージ方法を提供する。

【0017】

ステップＳ１：ＴＦＴ基板を提供し、前記ＴＦＴ基板上にＯＬＥＤデバイスを作製し、前記ＯＬＥＤデバイスの外表面上に、前記ＯＬＥＤデバイスを被覆する第１パッシベーション層を形成する。

【0018】

ステップＳ２：前記第１パッシベーション層の外表面上に、前記第１パッシベーション層を被覆する紫外線吸収層を形成し、前記紫外線吸収層は、有機樹脂と、有機樹脂中に分散されかつ紫外線吸収性能を有する無機粒子とを含み、前記紫外線吸収層は、透明である。

【0019】

ステップＳ３：パッケージカバーを提供し、前記パッケージカバーのＯＬＥＤデバイスに対応する周辺領域にフレームシールを塗布して、前記パッケージカバーのフレームシールで囲まれた領域内に封止材を設ける。

【0020】

ステップＳ４：パッケージカバーとＴＦＴ基板とを位置合わせして組み合わせ、フレームシールをＴＦＴ基板及びパッケージカバーにそれぞれ接着して、ＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に密閉空間を形成し、前記封止材を前記密閉空間内に充填する。

【0021】

前記紫外線吸収層の紫外線透過率は５％未満であり、可視光透過率は８０％を超え、前記紫外線吸収層の厚さは１μｍ〜１０μｍであり、前記紫外線吸収層中の無機粒子の含有量は０．１ｖｏｌ％〜１．０ｖｏｌ％であり、前記無機粒子の粒径は１ｎｍ〜１５０ｎｍである。

【0022】

前記有機樹脂は、ポリウレタン、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂のうちの１種又は複数種を含み、前記無機粒子は、金属酸化物粒子及び金属酸化物改質粒子のうちの１種又は複数種を含む。前記金属酸化物粒子は、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子及び酸化セリウム粒子のうちの１種又は複数種を含み、前記金属酸化物改質粒子は、酸化チタン改質粒子、酸化亜鉛改質粒子及び酸化セリウム改質粒子のうちの１種又は複数種を含む。

【0023】

前記紫外線吸収層の製造方法は、有機樹脂前駆体溶液に無機粒子を分散させて紫外線吸収液を調製し、前記紫外線吸収液を、スピンコート、滴下、インクジェットプリンタ、流延成膜（キャストフィルム）、及びノズルプリティングのうちの１種又は複数種を含む溶液成膜法を用いて、前記第１パッシベーション層の外表面に成膜し、硬化して紫外線吸収層を得る方法である。

【0024】

前記ステップＳ２は、さらに、前記紫外線吸収層の外表面に、前記紫外線吸収層を被覆する第２パッシベーション層を形成するステップを含む。

【0025】

本発明は、また、対向配置されるＴＦＴ基板及びパッケージカバーと、ＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に設けられてＴＦＴ基板上に配置されるＯＬＥＤデバイスと、前記ＯＬＥＤデバイスの外表面上に設けられて前記ＯＬＥＤデバイスを被覆する第１パッシベーション層と、前記第１パッシベーション層の外表面上に設けられて前記第１パッシベーション層を被覆する紫外線吸収層と、ＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に設けられてＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に密閉空間を形成するフレームシールと、前記密閉空間内に充填される封止材と、を含むＯＬＥＤパッケージ構造を提供する。

【0026】

ここで、前記フレームシールは、前記ＯＬＥＤデバイスの周辺に設けられ、前記紫外線吸収層は、有機樹脂と、有機樹脂中に分散されかつ紫外線吸収性能を有する無機粒子とを含み、前記紫外線吸収層は、透明である。

【0027】

前記紫外線吸収層の紫外線透過率は５％未満であり、可視光透過率は８０％を超え、前記紫外線吸収層の厚さは１μｍ〜１０μｍであり、前記紫外線吸収層中の無機粒子の含有量は０．１ｖｏｌ％〜１．０ｖｏｌ％であり、前記無機粒子の粒径は１ｎｍ〜１５０ｎｍである。

【0028】

前記有機樹脂は、ポリウレタン、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂のうちの１種又は複数種を含み、前記無機粒子は、金属酸化物粒子及び金属酸化物改質粒子のうちの１種又は複数種を含む。前記金属酸化物粒子は、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子及び酸化セリウム粒子のうちの１種又は複数種を含み、前記金属酸化物改質粒子は、酸化チタン改質粒子、酸化亜鉛改質粒子及び酸化セリウム改質粒子のうちの１種又は複数種を含む。

【0029】

前記ＯＬＥＤパッケージ構造は、さらに、前記紫外線吸収層の外表面上に設けられかつ前記紫外線吸収層を被覆する第２パッシベーション層を含む。

【0030】

前記第１パッシベーション層及び第２パッシベーション層の材料は、いずれも窒化シリコン（窒化ケイ素）を含み、前記第１パッシベーション層及び第２パッシベーション層の厚さは、いずれも５００ｎｍ〜８００ｎｍであり、前記封止材は、ポリウレタン、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂のうちの１種又は複数種を含む。

【0031】

本発明はまた、以下のステップを含むＯＬＥＤパッケージ方法を提供する。

【0032】

ステップＳ１：ＴＦＴ基板を提供し、前記ＴＦＴ基板上にＯＬＥＤデバイスを作製し、前記ＯＬＥＤデバイスの外表面上に、前記ＯＬＥＤデバイスを被覆する第１パッシベーション層を形成する。

【0033】

ステップＳ２：前記第１パッシベーション層の外表面上に、前記第１パッシベーション層を被覆する紫外線吸収層を形成し、前記紫外線吸収層は、有機樹脂と、有機樹脂中に分散されかつ紫外線吸収性能を有する無機粒子とを含み、前記紫外線吸収層は、透明である。

【0034】

ステップＳ３：パッケージカバーを提供し、前記パッケージカバーのＯＬＥＤデバイスに対応する周辺領域にフレームシールを塗布して、前記パッケージカバーのフレームシールで囲まれた領域内に封止材を設ける。

【0035】

ステップＳ４：パッケージカバーとＴＦＴ基板とを位置合わせして組み合わせ、フレームシールをＴＦＴ基板及びパッケージカバーにそれぞれ接着して、ＴＦＴ基板とパッケージカバーとの間に密閉空間を形成し、前記封止材を前記密閉空間内に充填する。

【0036】

前記紫外線吸収層の紫外線透過率は５％未満であり、可視光透過率は８０％を超え、前記紫外線吸収層の厚さは１μｍ〜１０μｍであり、前記紫外線吸収層中の無機粒子の含有量は０．１ｖｏｌ％〜１．０ｖｏｌ％であり、前記無機粒子の粒径は１ｎｍ〜１５０ｎｍである。

【0037】

前記有機樹脂は、ポリウレタン、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂のうちの１種又は複数種を含み、前記無機粒子は、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子及び酸化セリウム粒子のうちの１種又は複数種を含む金属酸化物粒子と、酸化チタン改質粒子、酸化亜鉛改質粒子及び酸化セリウム改質粒子のうちの１種又は複数種を含む金属酸化物改質粒子のうちの１種又は複数種を含む。

【0038】

前記紫外線吸収層の製造方法は、有機樹脂前駆体溶液に無機粒子を分散させて紫外線吸収液を調製し、前記紫外線吸収液を、スピンコート、滴下、インクジェット印刷、流延成膜及びノズル印刷のうちの１種又は複数種を含む溶液成膜法を用いて、前記第１パッシベーション層の外表面上に成膜し、硬化して紫外線吸収層を得る方法である。

【0039】

前記ステップＳ２は、さらに、前記紫外線吸収層の外表面上に、前記紫外線吸収層を被覆する第２パッシベーション層を形成するステップを含む。

【発明の効果】

【0040】

本発明の有益な効果は以下の通りであり、本発明のＯＬＥＤパッケージ方法は、ＯＬＥＤデバイスの表面に紫外線吸収層を設けることにより、前記紫外線吸収層が低い紫外線透過率を有し、封止材とフレームシールとを紫外線硬化する過程において、紫外線のＴＦＴへの照射を遮蔽でき、紫外線のＴＦＴへの影響を低下させるか又は除去することができる。一方、前記紫外線吸収層は、高い可視光透過率を有するため、ＯＬＥＤデバイスの光強度を低下させることがない。本発明のＯＬＥＤパッケージ構造は、上記方法により製造され、ＴＦＴは優れた電気特性を有し、ＯＬＥＤデバイスは強い光強度を有する。

【0041】

本発明の特徴及び技術的内容をより一層明らかにするために、以下の本発明に関する詳細な説明及び添付図面を参照するが、添付図面は、参照及び説明のためのものに過ぎず、本発明を限定するものではない。

【図面の簡単な説明】

【0042】

以下、図面を参照して、本発明の具体的な実施形態について詳細に説明することにより、本発明の技術的解決手段及び他の有益な効果を明らかにする。図面において、

【図1】図１は、従来のＯＬＥＤパッケージプロセスの模式図である。

【図2】図２は、本発明のＯＬＥＤパッケージ方法のフローチャートである。

【図3】図３は、本発明のＯＬＥＤパッケージ方法のステップＳ１の模式図である。

【図4】図４は、図３におけるＯＬＥＤデバイスの具体的な構造概略図である。

【図5】図５は、本発明のＯＬＥＤパッケージ方法のステップＳ２の第１の実施形態の模式図である。

【図6】図６は、本発明のＯＬＥＤパッケージ方法のステップＳ２の第２の実施形態の模式図である。

【図7】図７は、本発明のＯＬＥＤパッケージ方法のステップＳ３の模式図である。

【図8】図８は、本発明のＯＬＥＤパッケージ方法のステップＳ４の第１の実施形態の模式図である。

【図9】図９は、本発明のＯＬＥＤパッケージ方法のステップＳ４の第２の実施形態の模式図である。

【図10】図１０は、本発明のＯＬＥＤパッケージ構造の第１の実施形態の断面模式図である。

【図11】図１１は、本発明のＯＬＥＤパッケージ構造の第１の実施形態の断面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0043】

以下、本発明に用いられた技術的手段及びその効果をより明らかにするために、本発明の好ましい実施形態及び添付図面を参照して詳細に説明する。

【0044】

図２を参照すると、本発明は、次のステップを含むＯＬＥＤパッケージ方法を提供する。

【0045】

ステップＳ１：図３に示すように、ＴＦＴ基板１０を提供し、前記ＴＦＴ基板１０上にＯＬＥＤデバイス３０を作製し、前記ＯＬＥＤデバイス３０の外表面上に、前記ＯＬＥＤデバイス３０を被覆する第１パッシベーション層４１を形成する。

【0046】

具体的には、図４に示すように、前記ＯＬＥＤデバイス３０は、前記ＴＦＴ基板１０上に下から上へ順に設けられた、陽極３１、正孔注入層３２、正孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５、電子注入層３６及び陰極３７を含む。

【0047】

具体的には、前記陽極３１、正孔注入層３２、正孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５、電子注入層３６及び陰極３７は、いずれも蒸着法を用いて製造される。

【0048】

具体的には、前記第１パッシベーション層４１の材料は、窒化シリコンを含み、前記第１パッシベーション層４１の厚さは、５００ｎｍ〜８００ｎｍであり、前記第１パッシベーション層４１は、プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて製造される。

【0049】

好ましくは、プラズマ強化化学気相成長法を用いて前記第１パッシベーション層４１を製造するプロセス条件は以下のとおりであり、反応ガスは、純度が９９．９９％を超えるモノシラン（ＳｉＨ_４）と、純度が９９．９９％を超えるアンモニアガス（ＮＨ_３）であり、補助プラズマガスは、純度が９９．９９％を超えるアルゴンガス（Ａｒ）であり、高周波電源電力は１０Ｗ〜５００Ｗであり、成膜室の圧力は１０Ｐａ〜２０Ｐａであり、堆積レートは３ｎｍ／ｓ〜２０ｎｍ／ｓである。

【0050】

ステップＳ２：図５に示すように、前記第１パッシベーション層４１の外表面上に、前記第１パッシベーション層４１を被覆する紫外線吸収層５０を形成する。前記紫外線吸収層５０は、有機樹脂と、有機樹脂中に分散されかつ紫外線吸収性能を有する無機粒子とを含み、前記紫外線吸収層５０は、透明を呈する。

【0051】

具体的には、前記紫外線吸収層５０の紫外線透過率は５％未満であり、可視光透過率は８０％を超える。

【0052】

具体的には、前記紫外線吸収層５０の厚さは、１μｍ〜１０μｍである。

【0053】

具体的には、前記紫外線吸収層５０中の無機粒子の含有量は、０．１ｖｏｌ％〜１．０ｖｏｌ％である。

【0054】

具体的には、前記紫外線吸収層５０の主な材料は、有機樹脂であり、有機樹脂には、ポリウレタン、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂等の高い可視光透過率及び優れた透明性を有する有機樹脂のうちの１種又は複数種を含む。好ましくは、前記アクリル樹脂は、アクリル樹脂（即ち、ポリメチルメタクリレート）である。

【0055】

具体的には、前記無機粒子は、金属酸化物粒子及び金属酸化物改質粒子等の低い紫外線透過率及び高い可視光透過率を有する無機粒子のうちの１種又は複数種を含む。前記金属酸化物粒子は、酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子及び酸化セリウム（ＣｅＯ_２）粒子のうちの１種又は複数種を含み、前記金属酸化物改質粒子は、酸化チタン改質粒子、酸化亜鉛改質粒子及び酸化セリウム改質粒子のうちの１種又は複数種を含む。

【0056】

具体的には、前記金属酸化物改質粒子とは、金属酸化物材料に他の化学物質をドープして得られる金属酸化物改質材料の粒子を指し、他の化学元素をドープすることにより、金属酸化物改質材料の紫外線吸収性能を向上させ、元の金属酸化物材料よりも紫外線吸収性能を優れさせる。

【0057】

好ましくは、前記酸化亜鉛改質粒子は、アルミニウムドープ酸化亜鉛（Ａｌ−ＺｎＯ）粒子である。

【0058】

具体的には、前記無機粒子の粒径は、１ｎｍ〜１５０ｎｍである。好ましくは、前記無機粒子の粒径は、２０ｎｍ〜５０ｎｍである。

【0059】

具体的には、前記紫外線吸収層５０の製造方法は、有機樹脂前駆体溶液に無機粒子を分散させて紫外線吸収液を調製し、前記紫外線吸収液を溶液成膜法を用いて、前記第１パッシベーション層４１の外表面に成膜し、硬化して紫外線吸収層５０を得ることである。

【0060】

具体的には、前記溶液成膜法は、スピンコート、滴下（ＯＤＦ）、インクジェットプリンタ（ＩＪＰ）、流延成膜、及びノズルプリンティング（Ｎｏｚｚｌｅ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）などの方法のうちの１種又は複数種を含む。

【0061】

好ましくは、前記紫外線吸収層５０の製造方法において、前記無機粒子は酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子であり、前記酸化亜鉛粒子の粒径は２０ｎｍ〜５０ｎｍであり、前記紫外線吸収液中の酸化亜鉛粒子の含有量は０．１ｖｏｌ％〜１．０ｖｏｌ％であり、前記有機樹脂前駆体溶液はメチルメタクリレートモノマー溶液であり、前記紫外線吸収液はさらに均一に分散される開始剤を含み、前記溶液成膜法はインクジェットプリンタ（ＩＪＰ）であり、前記紫外線吸収液により前記第１パッシベーション層４１の外表面に形成される未硬化膜の厚さは１．０μｍ〜５．０μｍである。

【0062】

具体的には、図６に示すように、前記ステップＳ２は、さらに、前記紫外線吸収層５０の外表面上に、前記紫外線吸収層５０を被覆する第２パッシベーション層４２を形成するステップを含むことができる。

【0063】

具体的には、前記第２パッシベーション層４２の材料は、窒化シリコンを含み、前記第２パッシベーション層４２の厚さは、５００ｎｍ〜８００ｎｍであり、前記第２パッシベーション層４２は、プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて製造される。

【0064】

好ましくは、プラズマ強化化学気相成長法を用いて前記第２パッシベーション層４２を製造するプロセス条件は以下のとおりであり、反応ガスは純度が９９．９９％を超えるモノシラン（ＳｉＨ_４）と純度が９９．９９％を超えるアンモニアガス（ＮＨ_３）であり、補助プラズマガスは純度が９９．９９％を超えるアルゴンガス（Ａｒ）であり、高周波電源電力は１０Ｗ〜５００Ｗであり、成膜室の圧力は１０Ｐａ〜２０Ｐａであり、堆積レートは３ｎｍ／ｓ〜２０ｎｍ／ｓである。

【0065】

ステップＳ３：図７に示すように、パッケージカバー２０を提供し、前記パッケージカバー２０のＯＬＥＤデバイス３０に対応する周辺領域にフレームシール６０を塗布して、前記パッケージカバー２０のフレームシール６０で囲まれた領域内に封止材７０を設置する。

【0066】

具体的には、前記封止材７０は、未硬化の液状材料（ＵＶ ｃｕｒｉｎｇ Ｄａｍ＆Ｆｉｌｌパッケージプロセスに対応する）又は硬化した薄膜（ＵＶ ｃｕｒｉｎｇ Ｆａｃｅ ｓｅａｌａｎｔ＆Ｆｉｌｍパッケージプロセスに対応する）である。

【0067】

前記ステップＳ３において、前記封止材７０が、未硬化の液状材料である場合に、封止材７０を前記パッケージカバー２０に塗布又は印刷し、前記封止材７０が硬化した薄膜である場合に、封止材７０を前記パッケージカバー２０に貼り付ける。

【0068】

具体的には、前記封止材７０は、ポリウレタン、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂等の高い可視光透過率及び優れた透明性を有する有機樹脂のうちの１種又は複数種を含む。好ましくは、前記アクリル樹脂は、アクリル樹脂（即ち、ポリメチルメタクリレート）である。

【0069】

好ましくは、前記封止材７０は、前記紫外線吸収層５０における有機樹脂と同じ（同種の）材料である。

【0070】

具体的には、前記封止材７０は、後に製造されるＯＬＥＤパッケージ構造の機械的特性を向上させ、ニュートンリングを除去して、表示効果を向上させることができる。

【0071】

ステップＳ４：図８及び図９に示すように、パッケージカバー２０とＴＦＴ基板１０とを位置合わせして組み合わせ、フレームシール６０を、ＴＦＴ基板１０及びパッケージカバー２０にそれぞれ接着し、ＴＦＴ基板１０とパッケージカバー２０との間に密閉空間６１を形成し、前記封止材７０を前記密閉空間６１内に充填する。

【0072】

具体的には、前記ステップＳ３における封止材７０が、硬化した薄膜である場合に、前記ステップＳ４は、さらに、フレームシール６０をＵＶ硬化するステップを含む。

【0073】

具体的には、図８及び図９に示すように、前記ステップＳ３における封止材７０が未硬化の液状材料である場合に、前記ステップＳ４は、さらに、封止材７０及びフレームシール６０を同時にＵＶ硬化するステップを含む。好ましくは、封止材７０及びフレームシール６０を同時にＵＶ硬化する方式は、パッケージカバー２０側から封止材７０及びフレームシール６０を紫外線で照射して硬化させる。前記紫外線の波長は３６５ｎｍであり、前記紫外線の照射強度は５０００Ｍｊ／ｃｍ^２〜９０００Ｍｊ／ｃｍ^２である。

【0074】

本発明のＯＬＥＤパッケージ方法は、ＯＬＥＤデバイス３０の表面上に紫外線吸収層５０を設けることにより、前記紫外線吸収層５０が低い紫外線透過率を有するので、封止材７０とフレームシール６０とを紫外線硬化する過程において、紫外線のＴＦＴへの照射を遮蔽でき、紫外線のＴＦＴへの影響を低下させるか又は除去することができる。一方、前記紫外線吸収層５０は、高い可視光透過率を有するため、ＯＬＥＤデバイス３０の光強度を低下させることがない。

【0075】

図１０及び図１１と、同時に図４を参照すると、前記ＯＬＥＤパッケージ方法に基づき、本発明は、対向配置されるＴＦＴ基板１０とパッケージカバー２０と、ＴＦＴ基板１０とパッケージカバー２０との間に設けられかつＴＦＴ基板１０上に配置されるＯＬＥＤデバイス３０と、前記ＯＬＥＤデバイス３０の外表面に設けられかつ前記ＯＬＥＤデバイス３０を被覆する第１パッシベーション層４１と、前記第１パッシベーション層４１の外表面に設けられかつ前記第１パッシベーション層４１を被覆する紫外線吸収層５０と、ＴＦＴ基板１０とパッケージカバー２０との間に設けられかつＴＦＴ基板１０とパッケージカバー２０との間に密閉空間６１を形成するフレームシール６０と、前記密閉空間６１内に充填される封止材７０と、を含むＯＬＥＤパッケージ構造を提供する。

【0076】

前記フレームシール６０は、前記ＯＬＥＤデバイス３０の周辺に設けられ、前記紫外線吸収層５０は、有機樹脂と、有機樹脂中に分散されかつ紫外線吸収性能を有する無機粒子とを含み、前記紫外線吸収層５０は、透明である。

【0077】

具体的には、図４に示すように、前記ＯＬＥＤデバイス３０は、前記ＴＦＴ基板１０上に下から上へ順に設けられた、陽極３１、正孔注入層３２、正孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５、電子注入層３６及び陰極３７を含む。

【0078】

具体的には、前記第１パッシベーション層４１の材料は窒化シリコンを含み、前記第１パッシベーション層４１の厚さは５００ｎｍ〜８００ｎｍである。

【0079】

具体的には、前記紫外線吸収層５０の紫外線透過率は５％未満であり、可視光透過率は８０％を超える。

【0080】

具体的には、前記紫外線吸収層５０の厚さは１μｍ〜１０μｍである。

【0081】

具体的には、前記紫外線吸収層５０中の無機粒子の含有量は０．１ｖｏｌ％〜１．０ｖｏｌ％である。

【0082】

具体的には、前記紫外線吸収層５０の主な材料は、有機樹脂であり、有機樹脂としては、ポリウレタン、アクリル樹脂、及びエポキシ樹脂等の高い可視光透過率及び優れた透明性を有する有機樹脂のうちの１種又は複数種が挙げられる。好ましくは、前記アクリル樹脂は、アクリル樹脂（即ち、ポリメチルメタクリレート）である。

【0083】

具体的には、前記無機粒子は、金属酸化物粒子及び金属酸化物改質粒子等の低い紫外線透過率及び高い可視光透過率を有する無機粒子の１種又は複数種を含む。前記金属酸化物粒子は、酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子及び酸化セリウム（ＣｅＯ_２）粒子のうちの１種又は複数種を含み、前記金属酸化物改質粒子は、酸化チタン改質粒子、酸化亜鉛改質粒子及び酸化セリウム改質粒子のうちの１種又は複数種を含む。

【0084】

具体的には、前記金属酸化物改質粒子とは、金属酸化物材料に他の化学物質をドープして得られる金属酸化物改質材料の粒子を指し、他の化学元素をドープすることにより、金属酸化物改質材料の紫外線吸収性能を向上させ、元の金属酸化物材料よりも紫外線吸収性能が優れたものとなる。

【0085】

好ましくは、前記酸化亜鉛改質粒子は、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛（Ａｌ−ＺｎＯ）粒子である。

【0086】

具体的には、前記無機粒子の粒径は、１ｎｍ〜１５０ｎｍである。好ましくは、前記無機粒子の粒径は、２０ｎｍ〜５０ｎｍである。

【0087】

具体的には、図１１に示すように、前記ＯＬＥＤパッケージ構造は、さらに、前記紫外線吸収層５０の外表面に設けられて前記紫外線吸収層５０を被覆する第２パッシベーション層４２を含むことができる。

【0088】

具体的には、前記第２パッシベーション層４２の材料は窒化シリコンを含み、前記第２パッシベーション層４２の厚さは５００ｎｍ〜８００ｎｍである。

【0089】

具体的には、前記封止材７０は、ポリウレタン、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂等の高い可視光透過率及び優れた透明性を有する有機樹脂の１種又は複数種を含む。好ましくは、前記アクリル樹脂は、アクリル樹脂（即ち、ポリメチルメタクリレート）である。

【0090】

好ましくは、前記封止材７０は、前記紫外線吸収層５０における有機樹脂と同じ材料である。

【0091】

本発明のＯＬＥＤパッケージ構造は、ＯＬＥＤデバイス３０の表面上に紫外線吸収層５０を設けることにより、前記紫外線吸収層５０が低い紫外線透過率を有するので、封止材７０とフレームシール６０とを紫外線硬化する過程において、紫外線のＴＦＴへの照射を遮蔽でき、紫外線のＴＦＴへの影響を低下させるか又は除去することができる。一方、前記紫外線吸収層５０は、高い可視光透過率を有するため、ＯＬＥＤデバイス３０の光強度を低下させることがない。

【0092】

要するに、本発明は、ＯＬＥＤパッケージ方法及びＯＬＥＤパッケージ構造を提供する。本発明のＯＬＥＤパッケージ方法は、ＯＬＥＤデバイスの表面上に紫外線吸収層を設けることにより、前記紫外線吸収層が低い紫外線透過率を有し、封止材とフレームシールとを紫外線硬化する過程において紫外線のＴＦＴへの照射を遮蔽でき、紫外線のＴＦＴへの影響を低下させるか又は除去することができる。一方、前記紫外線吸収層は、高い可視光透過率を有するため、ＯＬＥＤデバイスの光強度を低下させることがない。本発明のＯＬＥＤパッケージ構造は、上記方法により製造され、そのＴＦＴは優れた電気特性を有し、そのＯＬＥＤデバイスは強い光強度を有する。

【0093】

以上説明したように、当業者は、本発明の技術的解決手段及び技術的構想に基づいて、他の様々な対応する変更や変形を行うことができ、これらの変更や変形はすべて本発明の特許請求の範囲の保護範囲に属すべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】