ホーム > 特許ランキング > 三星ディスプレイ株式會社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6969914
(24)【登録日】2021年11月1日
(45)【発行日】2021年11月24日
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H01L 51/50 20060101AFI20211111BHJP
H05B 33/04 20060101ALI20211111BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20211111BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20211111BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20211111BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20211111BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20211111BHJP
G06F 3/041 20060101ALI20211111BHJP
【ＦＩ】
H05B33/14 A
H05B33/04
H05B33/02
H01L27/32
G09F9/00 302
G09F9/00 366A
G09F9/30 339
G09F9/30 365
G06F3/044 129
G06F3/041 410
【請求項の数】12
【全頁数】28
(21)【出願番号】特願2017-125877(P2017-125877)
(22)【出願日】2017年6月28日
(65)【公開番号】特開2018-6749(P2018-6749A)
(43)【公開日】2018年1月11日
【審査請求日】2020年5月13日
(31)【優先権主張番号】10-2016-0081054
(32)【優先日】2016年6月28日
(33)【優先権主張国】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】特許業務法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】金 昌 玉
(72)【発明者】
【氏名】方 キ 皓
(72)【発明者】
【氏名】禹 榮 杰
(72)【発明者】
【氏名】李 相 旭
(72)【発明者】
【氏名】趙 現 記
【審査官】
中山 佳美
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１５−０５０２４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００７−２２０６４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１６−０５１２２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１６−１１０６４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特表２００２−５３２８５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】
米国特許出願公開第２０１５／０２６３３０９（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ５１／５０−５１／５６
Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８
Ｈ０１Ｌ ２７／３２
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０６Ｆ ３／０４４
Ｇ０６Ｆ ３／０４１
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ベース層、前記ベース層上に配置された回路層、前記回路層上に配置された発光素子層、及び前記発光素子層上に配置された薄膜封止層を含む有機発光表示パネルと、
前記薄膜封止層上に直接配置された第１導電層と、
前記薄膜封止層上に配置されて前記第１導電層とは異なる層上に配置された第２導電層と、
前記薄膜封止層上に配置されて、前記第１導電層及び前記第２導電層のうちの少なくとも一つに接触し、２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有するシリコンナイトライド層からなる少なくとも一つの無機層と、
前記少なくとも一つの無機層上に配置された有機層と、
前記第１導電層、前記少なくとも一つの無機層、及び前記有機層を間に置いて前記有機発光表示パネルに向き合うウィンドーと、を備え、
前記薄膜封止層は、
複数個の無機薄膜と、
前記複数個の無機薄膜の間に配置された少なくとも一つの有機薄膜と、を含み、
前記少なくとも一つの無機層は、前記薄膜封止層の前記少なくとも一つの有機薄膜から厚さ方向に離隔していることを特徴とする表示装置。
前記薄膜封止層上に直接配置された第１導電層と、
前記薄膜封止層上に配置されて前記第１導電層とは異なる層上に配置された第２導電層と、
前記薄膜封止層上に配置されて、前記第１導電層及び前記第２導電層のうちの少なくとも一つに接触し、２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有するシリコンナイトライド層からなる少なくとも一つの無機層と、
前記少なくとも一つの無機層上に配置された有機層と、
前記第１導電層、前記少なくとも一つの無機層、及び前記有機層を間に置いて前記有機発光表示パネルに向き合うウィンドーと、を備え、
前記薄膜封止層は、
複数個の無機薄膜と、
前記複数個の無機薄膜の間に配置された少なくとも一つの有機薄膜と、を含み、
前記少なくとも一つの無機層は、前記薄膜封止層の前記少なくとも一つの有機薄膜から厚さ方向に離隔していることを特徴とする表示装置。
【請求項2】
前記少なくとも一つの無機層は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置され、
前記有機層は、前記第２導電層上に直接配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記有機層は、前記第２導電層上に直接配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記ウィンドーを前記有機発光表示パネルに結合する有機接着層を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記少なくとも一つの無機層は、前記第２導電層上に直接配置され、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置されたタッチ絶縁層を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記有機層は、前記ウィンドーを前記有機発光表示パネルに結合する有機接着層であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
前記少なくとも一つの無機層と前記ウィンドーとの間に配置された偏光フィルムを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第１導電層は、ブリッジパターンを含み、
前記第２導電層は、前記ブリッジパターンと交差する連結部、前記連結部によって連結された第１タッチセンサ部、及び前記ブリッジパターンによって連結された第２タッチセンサ部を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第２導電層は、前記ブリッジパターンと交差する連結部、前記連結部によって連結された第１タッチセンサ部、及び前記ブリッジパターンによって連結された第２タッチセンサ部を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項8】
前記発光素子層は、発光領域及び前記発光領域に隣接する非発光領域を含み、
前記第１タッチセンサ部及び前記第２タッチセンサ部の各々は、前記非発光領域に重畳するメッシュ形状であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
前記第１タッチセンサ部及び前記第２タッチセンサ部の各々は、前記非発光領域に重畳するメッシュ形状であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記第１導電層は、連結部、前記連結部によって連結された第１タッチセンサ部、及び前記第１タッチセンサ部と離隔された第２タッチセンサ部を含み、
前記第２導電層は、前記第２タッチセンサ部を連結して前記連結部と交差するブリッジパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第２導電層は、前記第２タッチセンサ部を連結して前記連結部と交差するブリッジパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第１導電層で反射された第１光と前記第２導電層で反射された第２光とは、１８０°の位相差を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項11】
前記少なくとも一つの無機層は、
前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置された第１無機層と、
前記第１導電層及び前記第２導電層上に配置された第２無機層と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置された第１無機層と、
前記第１導電層及び前記第２導電層上に配置された第２無機層と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項12】
前記ウィンドーは、プラスチックフィルムを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置に関し、より詳細には、高密度の無機膜を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
テレビ、携帯電話、タブレットコンピュータ、ナビゲーション、ゲーム機などのようなマルチメディア装置に使用される多様な表示装置が開発されている。表示装置の入力装置としてキーボード又はマウスなどが含まれる。また、最近、表示装置は入力装置としてタッチパネルを備える。
【0003】
表示装置を市場にリリースする前に表示装置に対して厳しい条件の信頼性評価が実施される。信頼性評価を通過した製品が消費者に販売される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、信頼性を向上させた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置は、ベース層、前記ベース層上に配置された回路層、前記回廊層上に配置された発光素子層、及び前記発光素子層上に配置された薄膜封止層を含む有機発光表示パネルと、前記薄膜封止層上に直接配置された第１導電層と、前記薄膜封止層上に配置されて前記第１導電層と異なる層上に配置された第２導電層と、前記薄膜封止層上に直接配置されて２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有する少なくとも一つの無機層（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｌａｙｅｒ）と、前記少なくとも一つの無機層上に配置された有機層（Ｏｒｇａｎｉｃ ｌａｙｅｒ）と、前記第１導電層、前記少なくとも一つの無機層、及び前記有機層を間に置いて前記有機発光表示パネルに向き合うウィンドーと、を備える。
【0006】
前記少なくとも一つの無機層は、２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有するシリコンナイトライド層を含み得る。前記薄膜封止層は、複数個の無機薄膜と、前記複数個の無機薄膜の間に配置された少なくとも一つの有機薄膜と、を含み得る。
前記少なくとも一つの無機層は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置された第１無機層と、前記第１導電層及び前記第２導電層上に配置された第２無機層と、を含み得る。
前記少なくとも一つの無機層は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置され、前記有機層は、前記第２導電層上に直接配置され得る。
前記表示装置は、前記ウィンドーを前記有機発光表示パネルに結合する有機接着層を更に含み得る。
前記少なくとも一つの無機層は、前記第２導電層上に直接配置され、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置された中間絶縁層を更に含み得る。
前記有機層は、前記ウィンドーを前記有機発光表示パネルに結合する有機接着層であり得る。
前記表示装置は、前記少なくとも一つの無機層と前記ウィンドーとの間に配置された偏光フィルムを更に含み得る。
前記第１導電層は、ブリッジパターンを含み、前記第２導電層は、前記ブリッジパターンと交差する連結部、前記連結部によって連結された第１タッチセンサ部、及び前記ブリッジパターンによって連結された第２タッチセンサ部を含み得る。
前記発光素子層は、発光領域及び前記発光領域に隣接する非発光領域を含み、前記第１タッチセンサ部及び前記第２タッチセンサ部の各々は、前記非発光領域に重畳するメッシュ形状であり得る。
前記第１導電層は、連結部、前記連結部によって連結された第１タッチセンサ部、及び前記第１タッチセンサ部と離隔された第２タッチセンサ部を含み、前記第２導電層は、前記第２タッチセンサ部を連結して前記連結部と交差するブリッジパターンを含み得る。
【0007】
前記第１導電層は、第１連結部及び前記第１連結部によって連結された第１タッチセンサ部を含み得る。前記第２導電層は、前記第１連結部と交差する第２連結部と、前記第２連結部によって連結された第２タッチセンサ部と、を含み得る。
【0008】
前記第１導電層で反射された第１光と前記第２導電層で反射された第２光とは、１８０°の位相差を有し得る。前記少なくとも一つの無機層は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置された第１無機層と、前記第１導電層及び前記第２導電層上に配置された第２無機層と、を含み得る。
前記ウィンドーは、プラスチックフィルムを含み得る。
【0009】
前記有機層は、前記ウィンドーに接触する有機接着層であり得る。
【0010】
一実施形態による表示装置は、ベース層、前記ベース層上に配置された回路層、前記回廊層に配置された発光素子層、及び前記発光素子層上に配置された薄膜封止層を含む有機発光表示パネルと、前記薄膜封止層上に直接配置されたタッチ感知ユニットと、前記タッチ感知ユニット上に配置された有機接着層と、前記タッチ感知ユニット及び前記有機接着層を間に置いて前記有機発光表示パネルに向き合うウィンドーと、を備える。
【0011】
前記タッチ感知ユニットは、前記薄膜封止層上に直接配置された導電パターンと、前記薄膜封止層上に直接配置されて前記導電パターンをカバーする絶縁層を含み得る。前記絶縁層は、２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有する無機層（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｌａｙｅｒ）であり得る。
【0012】
一実施形態による表示装置は、第１無機層を含む有機発光表示パネルと、前記第１無機層上に直接配置された第１導電パターンと、前記第１無機層上に直接配置されて前記第１導電パターンをカバーする第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に直接配置された第２導電パターンと、前記第１絶縁層上に直接配置されて前記第２導電パターンをカバーする第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に配置された有機接着層と、前記有機接着層を間に置いて前記有機発光表示パネルに向き合うウィンドーと、を備える。
【0013】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のうちの少なくとも一つは、２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有する第２無機層（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｌａｙｅｒ）であり得る。
【発明の効果】
【0014】
本発明の表示装置によれば、２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有する無機層は、薄膜封止層に隣接して配置され、気泡発生の原因になるシード（Ｓｅｅｄ）を密封することができる。また、無機層は、シードが有機層に接近することを遮断し、シードと有機層との反応を防止して気泡の発生を抑えることができる。それによって有機接着部材とウィンドーとの間のデラミネーション（層間剥離）が減少する。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1A】本発明の一実施形態による表示装置の第１動作による斜視図である。
【図1B】本発明の一実施形態による表示装置の第２動作による斜視図である。
【図1C】本発明の一実施形態による表示装置の第３動作による斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態による表示装置の一例の断面図である。
【図3A】本発明の一実施形態による表示装置の他の例の斜視図である。
【図3B】本発明の一実施形態による表示装置の他の例の斜視図である。
【図4A】本発明の一実施形態による表示モジュールの断面図である。
【図4B】本発明の一実施形態による有機発光表示パネルの平面図である。
【図4C】本発明の一実施形態による画素の等価回路図である。
【図4D】本発明の一実施形態による有機発光表示パネルの部分断面図である。
【図4E】本発明の一実施形態による有機発光表示パネルの部分断面図である。
【図5A】本発明の一実施形態による薄膜封止層の一例の断面図である。
【図5B】本発明の一実施形態による薄膜封止層の他の例の断面図である。
【図5C】本発明の一実施形態による薄膜封止層の更に他の例の断面図である。
【図6A】本発明の一実施形態によるタッチ感知ユニットの断面図である。
【図6B】本発明の一実施形態によるタッチ感知ユニットの平面図である。
【図6C】本発明の一実施形態によるタッチ感知ユニットの平面図である。
【図6D】本発明の一実施形態によるタッチ感知ユニットの平面図である。
【図6E】本発明の一実施形態によるタッチ感知ユニットの平面図である。
【図8A】表示装置に発生した気泡不良を示した断面図である。
【図8B】表示装置に発生した気泡不良を示した写真である。
【図9】膜密度による気泡不良を示したグラフである。
【図10A】本発明の一実施形態による表示装置の他の例の断面図である。
【図10B】本発明の一実施形態による表示装置の他の例の断面の拡大図である。
【図11】本発明の一実施形態による表示装置の更に他の例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。本明細書において、ある構成要素（又は領域、層、部分など）が異なる構成要素「上にある」、「連結される」、又は「結合される」と言及する場合に、それは異なる構成要素上に直接連結／結合されるか又はそれらの間に第３の構成要素が配置されることを意味する。
【0017】
同じ図面符号は同じ構成要素を指称する。また、図面において、構成要素の厚さ、比率、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張したものである。「及び／又は」は関係する構成が定義される一つ以上の組合せを含む。
【0018】
第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明する際に使用されるが、構成要素は用語によって限定されない。用語は一つの構成要素を異なる構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を外れずに、第１構成要素は第２構成要素と命名され、同様に第２構成要素も第１構成要素と命名される。単数の表現は、文脈上明確に異なるものとして意味しない限り、複数の表現を含む。
【0019】
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は図面に示した構成の関連を説明するために使用される。用語は、相対的な概念であって、図面に表示した方向を基準として説明する。
【0020】
「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載した特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、物品、又はこれらを組合せたものが存在することを指定するものであって、一つ又はそれ以上の異なる特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組合せたものの存在又は付加可能性を予め排除しない。
【0021】
図１Ａは、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤの第１動作による斜視図である。図１Ｂは、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤの第２動作による斜視図である。図１Ｃは、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤの第３動作による斜視図である。
【0022】
図１Ａに示すように、第１動作モードにおいて、イメージＩＭが表示される表示面ＩＳは第１方向軸ＤＲ１と第２方向軸ＤＲ２で定義される面に平行する。表示面ＩＳの法線方向、即ち表示装置ＤＤの厚さ方向は、第３方向軸ＤＲ３で指示される。各部材の全面（又は上面）と背面（又は下面）は第３方向軸ＤＲ３に区分される。しかし、第１〜第３方向軸（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）で指示される方向は相対的な概念として異なる方向に変換される。以下、第１〜第３方向は第１〜第３方向軸（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）でそれぞれ指示される方向に対して同じ図面符号を参照する。
【0023】
図１Ａ〜図１Ｃはフレキシブル表示装置ＤＤの一例として折り畳み式のフォルダブル表示装置を示す。しかし、本発明の表示装置は、巻かれる形状のローラブル表示装置又は帯状のバンディド表示装置であってもよく、特に制限されるものではない。また、本実施形態でフレキシブル表示装置を示したが、本発明はこれに制限されるものではない。本発明による表示装置ＤＤはフラットのリジッド表示装置であってもよい。本発明によるフレキシブル表示装置ＤＤは、テレビ、モニターなどのような大型電子装置をはじめ、携帯電話、タブレット、自動車ナビゲーション、ゲーム機、スマートウォッチなどのような中小型電子装置などに使用される。
【0024】
図１Ａに示すように、フレキシブル表示装置ＤＤの表示面ＩＳは複数個の領域を含む。フレキシブル表示装置ＤＤは、イメージＩＭが表示される表示領域ＤＤ−ＤＡ、及び表示領域ＤＤ−ＤＡに隣接する非表示領域ＤＤ−ＮＤＡを含む。非表示領域ＤＤ−ＮＤＡはイメージが表示されない領域である。図１ＡはイメージＩＭの一例として花瓶を示す。一例として、表示領域ＤＤ−ＤＡは四角形状である。非表示領域ＤＤ−ＮＤＡは表示領域ＤＤ−ＤＡを囲む。但し、これに制限されるものではなく、表示領域ＤＤ−ＤＡの形状と非表示領域ＤＤ−ＮＤＡの形状は相対的にデザインされる。
【0025】
図１Ａ〜図１Ｃに示すように、表示装置ＤＤは動作形態によって定義される複数個の領域を含む。表示装置ＤＤは、ベンディング軸ＢＸを基準に（Ｏｎ ｔｈｅ ｂａｓｉｓ ｏｆ）ベンディングされるベンディング領域ＢＡ、非ベンディングされる第１非ベンディング領域ＮＢＡ１、及び第２非ベンディング領域ＮＢＡ２を含む。図１Ｂに示すように、表示装置ＤＤは第１非ベンディング領域ＮＢＡ１の表示面ＩＳと第２非ベンディング領域ＮＢＡ２の表示面ＩＳとが向き合うように内側ベンディング（Ｉｎｎｅｒ−ｂｅｎｄｉｎｇ）される。また、図１Ｃに示すように、表示装置ＤＤは表示面ＩＳが外部に露出するように外側ベンディング（Ｏｕｔｅｒ−ｂｅｎｄｉｎｇ）される。
【0026】
一実施形態において、表示装置ＤＤは複数個のベンディング領域ＢＡを含む。また、使用者が表示装置ＤＤを操作する形態に応じてベンディング領域ＢＡが定義される。例えば、ベンディング領域ＢＡは、図１Ｂ及び図１Ｃと異なって第１方向軸ＤＲ１に平行に定義されるか、或いは対角線方向に定義される。ベンディング領域ＢＡの面積は、固定されるものではなく、曲率半径に応じて決定される。一実施形態において、表示装置ＤＤは図１Ａ及び図１Ｂに示した動作モードのみを繰り返すように構成される。
【0028】
図２に示すように、表示装置ＤＤは、保護フィルムＰＭ、表示モジュールＤＭ、光学部材ＬＭ、ウィンドーＷＭ、第１接着部材ＡＭ１、第２接着部材ＡＭ２、及び第３接着部材ＡＭ３を含む。表示モジュールＤＭは保護フィルムＰＭと光学部材ＬＭとの間に配置される。光学部材ＬＭは表示モジュールＤＭとウィンドーＷＭとの間に配置される。第１接着部材ＡＭ１は表示モジュールＤＭと保護フィルムＰＭとを結合し、第２接着部材ＡＭ２は表示モジュールＤＭと光学部材ＬＭとを結合し、第３接着部材ＡＭ３は光学部材ＬＭとウィンドーＷＭとを結合する。
【0029】
保護フィルムＰＭは表示モジュールＤＭを保護する。保護フィルムＰＭは、外部に露出した第１外面ＯＳ−Ｌを提供し、第１接着部材ＡＭ１に接着される接着面を提供する。保護フィルムＰＭは、外部の湿気が表示モジュールＤＭに浸透することを防止し、外部衝撃を吸収する。
【0030】
保護フィルムＰＭはプラスチックフィルムをベース層として含む。保護フィルムＰＭは、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ：Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ：Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ：Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅｎ ｎａｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ：Ｐｏｌｙｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリアリレート（Ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）ポリイミド（ＰＩ：Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ：Ｐｏｌｙｃａｂｏｎａｔｅ）、ポリアリレンエーテルスルフォン（Ｐｏｌｙ（ａｒｙｌｅｎｅｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｏｎｅ））、及びこれらの組合せからなるグループから選択されるいずれか一つを含むプラスチックフィルムを含む。
【0031】
保護フィルムＰＭを構成する物質は、プラスチック樹脂に制限されず、有機／無機複合材料を含む。保護フィルムＰＭは多孔性有機層及び有機層の気孔に充填された無機物を含む。保護フィルムＰＭはプラスチックフィルムで形成される機能層を更に含む。機能層は樹脂層を含む。機能層はコーティング法により形成される。一実施形態において、保護フィルムＰＭは省略される。
【0032】
ウィンドーＷＭは、外部衝撃から表示モジュールＤＭを保護し、使用者に入力面を提供する。ウィンドーＷＭは、外部に露出した第２外面ＯＳ−Ｕを提供し、第３接着部材ＡＭ３に接着される接着面を提供する。図１Ａ〜図１Ｃに示した表示面ＩＳが第２外面ＯＳ−Ｕである。
【0033】
ウィンドーＷＭはプラスチックフィルムを含む。ウィンドーＷＭは多層構造を有する。ウィンドーＷＭは、ガラス基板、プラスチックフィルム、及びプラスチック基板から選択される多層構造を有する。ウィンドーＷＭはベゼルパターンを更に含む。多層構造は連続工程又は接着層を利用した接着工程を介して形成される。
【0034】
光学部材ＬＭは外部光反射率を減少させる。光学部材ＬＭは少なくとも偏光フィルムを含む。光学部材ＬＭは位相差フィルムを更に含む。一実施形態において、光学部材ＬＭは省略される。
【0035】
表示モジュールＤＭは有機発光表示パネルＤＰ及びタッチ感知ユニットＴＳを含む。タッチ感知ユニットＴＳは有機発光表示パネルＤＰ上に直接配置される。本明細書において「直接配置される」ということは、別途の接着層を利用して付着することを除く連続工程により形成されることを意味する。
【0036】
有機発光表示パネルＤＰは入力された映像データに対応するイメージＩＭ（図１Ａ参照）を生成する。有機発光表示パネルＤＰは厚さ方向ＤＲ３に向き合う第１表示パネル面ＢＳ１−Ｌ及び第２表示パネル面ＢＳ１−Ｕを提供する。本実施形態において、有機発光表示パネルＤＰを例示的に説明したが、表示パネルはこれに制限されない。
【0037】
タッチ感知ユニットＴＳは外部入力の座標情報を獲得する。タッチ感知ユニットＴＳは静電容量方式で外部入力を感知する。
【0038】
図示していないが、一実施形態による表示モジュールＤＭは反射防止層を更に含む。反射防止層はカラーフィルター又は導電層／絶縁層／導電層の積層構造物を含む。反射防止層は外部から入射した光を吸収又は相殺干渉又は偏光させて外部光の反射率を減少させる。反射防止層は光学部材ＬＭの機能を代替する。
【0039】
第１接着部材ＡＭ１、第２接着部材ＡＭ２、及び第３接着部材ＡＭ３の各々は、光学透明接着フィルムＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ ｆｉｌｍ）、光学透明接着樹脂ＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｌｅａｒ Ｒｅｓｉｎ）、又は感圧接着フィルムＰＳＡ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅ ｆｉｌｍ）のような有機接着層である。有機接着層は、ポリウレタン系、ポリアクリル系、ポリエステル系、ポリエポキシ系、ポリアセテートビニル系などの接着物質を含む。結果的に有機接着層は有機層の一つに該当する。後述するように有機接着層は気泡発生の原因になり得る。
【0042】
表示装置ＤＤ−１は一つのベンディング領域ＢＡと一つの非ベンディング領域ＮＢＡを含む。表示装置ＤＤ−１の非表示領域ＤＤ−ＮＤＡがベンディングされる。但し、一実施形態において、表示装置ＤＤ−１のベンディング領域は変更される。
【0043】
本実施形態による表示装置ＤＤ−１は、図１Ａ〜図１Ｃに示した表示装置ＤＤと異なり、一つの形態に固定されて作動する。表示装置ＤＤ−１は図３Ｂに示すようにベンディングされた状態で作動する。表示装置ＤＤ−１はベンディングされた状態でフレームなどに固定され、フレームが電子装置のハウジングに結合される。
【0044】
本実施形態による表示装置ＤＤ−１は図２に示したものと同じ断面構造を有する。但し、非ベンディング領域ＮＢＡとベンディング領域ＢＡとが異なる積層構造を有する。非ベンディング領域ＮＢＡは図２に示したものと同じ断面構造を有し、ベンディング領域ＢＡは図２に示したものと異なる断面構造を有する。ベンディング領域ＢＡには光学部材ＬＭ及びウィンドーＷＭが配置されない。即ち、光学部材ＬＭ及びウィンドーは非ベンディング領域ＮＢＡにのみ配置される。第２接着部材ＡＭ２及び第３接着部材ＡＭ３もベンディング領域ＢＡに配置されない。
【0045】
図４Ａは、本発明の一実施形態による表示モジュールＤＭの断面図である。図４Ｂは、本発明の一実施形態による有機発光表示パネルＤＰの平面図である。図４Ｃは、本発明の一実施形態による画素ＰＸの等価回路図である。図４Ｄ及び図４Ｅは、本発明の一実施形態による有機発光表示パネルＤＰの部分断面図である。
【0046】
図４Ａに示すように、有機発光表示パネルＤＰは、ベース層ＳＵＢ、ベース層ＳＵＢ上に配置された回路層ＤＰ−ＣＬ、発光素子層ＤＰ−ＯＬＥＤ、及び薄膜封止層ＴＦＥを含む。ベース層ＳＵＢは少なくとも一つのプラスチックフィルムを含む。ベース層ＳＵＢは、フレキシブル基板としてプラスチック基板、ガラス基板、メタル基板、又は有機／無機複合材料基板などを含む。
【0047】
回路層ＤＰ−ＣＬは、複数個の絶縁層、複数個の導電層、及び半導体層を含む。回路層ＤＰ−ＣＬの複数個の導電層は信号ライン又は画素の制御回路を構成する。発光素子層ＤＰ−ＯＬＥＤは有機発光ダイオードを含む。薄膜封止層ＴＦＥは発光素子層ＤＰ−ＯＬＥＤを密封する。薄膜封止層ＴＦＥは少なくとも２個の無機薄膜とその間に配置された少なくとも一つの有機薄膜を含む。無機薄膜は水分／酸素から発光素子層ＤＰ−ＯＬＥＤを保護し、有機薄膜はほこり粒子のような異物質から発光素子層ＤＰ−ＯＬＥＤを保護する。
【0048】
タッチ感知ユニットＴＳは薄膜封止層ＴＦＥ上に直接配置される。タッチ感知ユニットＴＳはタッチセンサ及びタッチ信号ラインを含む。タッチセンサ及びタッチ信号ラインは単層又は多層構造を有する。
【0049】
タッチセンサ及びタッチ信号ラインは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＰＥＤＯＴ、金属ナノワイヤ、グラフィンを含む。タッチセンサ及びタッチ信号ラインは、金属層、例えばモリブデン、銀、チタニウム、銅、アルミニウム、又はこれらの合金を含む。タッチセンサ及びタッチ信号ラインは同じ層構造を有するか又は異なる層構造を有する。タッチ感知ユニットＴＳに対する具体的な内容は後述する。
【0050】
図４Ｂに示すように、有機発光表示パネルＤＰは平面上に表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む。有機発光表示パネルＤＰの表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡは表示装置ＤＤの表示領域ＤＤ−ＤＡ及び非表示領域ＤＤ−ＮＤＡに各々対応する。有機発光表示パネルＤＰの表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの表示領域ＤＤ−ＤＡ及び非表示領域ＤＤ−ＮＤＡと必ずしも同じである必要はなく、有機発光有機発光表示パネルＤＰの構造／デザインに応じて変形される。
【0051】
有機発光表示パネルＤＰは複数個の信号ラインＳＧＬ及び複数個の画素ＰＸを含む。複数個の画素ＰＸが配置された領域が表示領域ＤＡとして定義される。本実施形態において、非表示領域ＤＮＡは表示領域ＤＡの縁に沿って定義される。
【0052】
複数個の信号ラインＳＧＬは、ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、及び制御信号ラインＣＳＬを含む。ゲートラインＧＬは複数個の画素ＰＸのうちの対応する画素ＰＸに各々連結され、データラインＤＬは複数個の画素ＰＸのうちの対応する画素ＰＸに各々連結される。電源ラインＰＬは複数個の画素ＰＸに連結される。非表示領域ＮＤＡの一側にはゲートラインＧＬが連結されたゲート駆動回路ＤＣＶが配置される。制御信号ラインＣＳＬはゲート駆動回路ＤＣＶに制御信号を提供する。
【0053】
ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、及び制御信号ラインＣＳＬの中の一部は同じ層に配置され、他の一部は異なる層に配置される。ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、及び制御信号ラインＣＳＬの各々は、信号配線部及び信号配線部の末端に連結された信号パッド部を含む。信号パッド部の例として、制御パッド部ＣＳＬ−Ｐ、データパッド部ＤＬ−Ｐ、及び電源パッド部ＰＬ−Ｐを図示する。ゲートパッド部は、図示していないが、ゲート駆動回路ＤＣＶに重畳してゲート駆動回路ＤＣＶに連結される。
【0054】
図４Ｃは、いずれか一つのゲートラインＧＬ、いずれか一つのデータラインＤＬ、及び電源ラインＰＬに連結された画素ＰＸを例示的に示す。画素ＰＸの構成は、これに制限されず、変形されて実施される。
【0055】
画素ＰＸは表示素子として有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。有機発光ダイオードＯＬＥＤは全面発光型ダイオードであるか又は背面発光型ダイオードである。画素ＰＸは、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動するための回路部として第１トランジスタＴＦＴ１（又はスイッチングトランジスタ）、第２トランジスタＴＦＴ２（又は駆動トランジスタ）、及びキャパシターＣＡＰを含む。
【0056】
第１トランジスタＴＦＴ１はゲートラインＧＬに加えられた走査信号に応答してデータラインＤＬに加えられたデータ信号を出力する。キャパシターＣＡＰは第１トランジスタＴＦＴ１から受信したデータ信号に対応する電圧を充電する。
【0057】
第２トランジスタＴＦＴ２は有機発光ダイオードＯＬＥＤに連結される。第２トランジスタＴＦＴ２はキャパシターＣＡＰに蓄積された電荷量に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる駆動電流（ＥＬＶＤＤからＥＬＶＳＳに流れる電流）を制御する。有機発光ダイオードＯＬＥＤは第２トランジスタＴＦＴ２のターンオン区間の間に発光する。
【0058】
図４Ｄは図４Ｃに示した等価回路の第１トランジスタＴＦＴ１及びキャパシターＣＡＰに対応する部分の断面を示す。図４Ｅは図４Ｃに示した等価回路の第２トランジスタＴＦＴ２及び有機発光ダイオードＯＬＥＤに対応する部分の断面を示す。
【0059】
図４Ｄ及び図４Ｅに示すように、ベース層ＳＵＢ上に回路層ＤＰ−ＣＬが配置される。ベース層ＳＵＢ上に配置された第１トランジスタＴＦＴ１の半導体パターンＡＬ１（以下、第１半導体パターン）及び第２トランジスタＴＦＴ２の半導体パターンＡＬ２（以下、第２半導体パターン）は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、金属酸化物半導体の中から互いに同一又は互いに異なるように選択される。
【0060】
図示していないが、ベース層ＳＵＢの一面上に機能層が更に配置される。機能層はバリア層又はバッファ層のうちの少なくとも何れか一つを含む。第１半導体パターンＡＬ１及び第２半導体パターンＡＬ２はバリア層又はバッファ層上に配置される。
【0061】
ベース層ＳＵＢ上に第１半導体パターンＡＬ１及び第２半導体パターンＡＬ２をカバーする第１絶縁層１２が配置される。第１絶縁層１２は有機層及び／又は無機層を含む。特に、第１絶縁層１２は複数個の無機薄膜を含む。複数個の無機薄膜はシリコンナイトライド層及びシリコンオキサイド層を含む。
【0062】
第１絶縁層１２上に第１トランジスタＴＦＴ１の制御電極ＧＥ１（以下、第１制御電極）及び第２トランジスタＴＦＴ２の制御電極ＧＥ２（以下、第２制御電極）が配置される。第１絶縁層１２上にキャパシターＣＡＰの第１電極Ｅ１が配置される。第１制御電極ＧＥ１、第２制御電極ＧＥ２、及び第１電極Ｅ１はゲートラインＧＬ（図４Ｃ参照）と同じフォトリソグラフィ工程によって製造される。即ち、第１電極Ｅ１は、ゲートラインＧＬと同じ物質で構成され、同じ積層構造を有し、同じ層上に配置される。
【0063】
第１絶縁層１２上に、第１制御電極ＧＥ１、第２制御電極ＧＥ２、及び第１電極Ｅ１をカバーする第２絶縁層１４が配置される。第２絶縁層１４は有機層及び／又は無機層を含む。特に、第２絶縁層１４は複数個の無機薄膜を含む。複数個の無機薄膜はシリコンナイトライド層及びシリコンオキサイド層を含む。
【0064】
第２絶縁層１４上にデータラインＤＬ（図４Ｃ参照）が配置される。第２絶縁層１４上に第１トランジスタＴＦＴ１の入力電極ＳＥ１（以下、第１入力電極）及び出力電極ＤＥ１（以下、第１出力電極）が配置される。第２絶縁層１４上に第２トランジスタＴＦＴ２の入力電極ＳＥ２（以下、第２入力電極）及び出力電極ＤＥ２（以下、第２出力電極）が配置される。第１入力電極ＳＥ１はデータラインＤＬの中の対応するデータラインから分岐される。電源ラインＰＬ（図４Ｃ参照）はデータラインＤＬと同じ層上に配置される。第２入力電極ＳＥ２は電源ラインＰＬから分岐される。
【0065】
第２絶縁層１４上にキャパシターＣＡＰの第２電極Ｅ２が配置される。第２電極Ｅ２は、データラインＤＬ及び電源ラインＰＬと同じフォトリソグラフィ工程によって製造され、同じ物質から構成され、同じ積層構造を有し、同じ層上に配置される。
【0066】
第１入力電極ＳＥ１及び第１出力電極ＤＥ１は、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４を貫通する第１貫通孔ＣＨ１及び第２貫通孔ＣＨ２を介して第１半導体パターンＡＬ１にそれぞれ連結される。第１出力電極ＤＥ１は第１電極Ｅ１に電気的に連結される。例えば、第１出力電極ＤＥ１は第２絶縁層１４を貫通する貫通孔（図示せず）を介して第１電極Ｅ１に連結される。第２入力電極ＳＥ２及び第２出力電極ＤＥ２は、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４を貫通する第３貫通孔ＣＨ３及び第４貫通孔ＣＨ４を介して第２半導体パターンＡＬ２にそれぞれ連結される。一方、他の実施形態において、第１トランジスタＴＦＴ１及び第２トランジスタＴＦＴ２はボトムゲート構造に変形されて実施される。
【0067】
第２絶縁層１４上に、第１入力電極ＳＥ１、第１出力電極ＤＥ１、第２入力電極ＳＥ２、及び第２出力電極ＤＥ２をカバーする第３絶縁層１６が配置される。第３絶縁層１６は有機層及び／又は無機層を含む。特に、第３絶縁層１６は平坦面を提供するために有機物質を含む。
【0068】
第１絶縁層１２、第２絶縁層１４、及び第３絶縁層１６のうちの何れか一つは画素の回路構造によって省略される。第２絶縁層１４及び第３絶縁層１６の各々は層間絶縁層（Ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）として定義される。層間絶縁層は、層間絶縁層を基準にした部分に配置された導電パターンと上部に配置された導電パターンとの間に配置されて導電パターンを絶縁させる。
【0069】
第３絶縁層１６上に発光素子層ＤＰ−ＯＬＥＤが配置される。第３絶縁層１６上に画素定義膜ＰＸＬ及び有機発光ダイオードＯＬＥＤが配置される。第３絶縁層１６上にアノード（陽極）ＡＥが配置される。アノードＡＥは第３絶縁層１６を貫通する第５貫通孔ＣＨ５を介して第２出力電極ＤＥ２に連結される。画素定義膜ＰＸＬには開口部ＯＰが定義される。画素定義膜ＰＸＬの開口部ＯＰはアノードＡＥの少なくとも一部分を露出させる。
【0070】
発光素子層ＤＰ−ＯＬＥＤは発光領域ＰＸＡ及び発光領域ＰＸＡに隣接する非発光領域ＮＰＸＡを含む。非発光領域ＮＰＸＡは発光領域ＰＸＡを囲む。本実施形態において、発光領域ＰＸＡはアノードＡＥに対応して定義される。しかし、発光領域ＰＸＡはこれに制限されず、発光領域ＰＸＡは光が発生する領域に定義されることで十分である。発光領域ＰＸＡは開口部ＯＰにより露出されたアノードＡＥの一部領域に対応して定義される。
【0071】
正孔制御層ＨＣＬは発光領域ＰＸＡ及び非発光領域ＮＰＸＡに共通に配置される。図示していないが、正孔制御層ＨＣＬのような共通層は複数個の画素ＰＸ（図４Ｂ参照）に共通に形成される。
【0072】
正孔制御層ＨＣＬ上に有機発光層ＥＭＬが配置される。有機発光層ＥＭＬは開口部ＯＰに対応する領域にのみ配置される。即ち、有機発光層ＥＭＬは複数個の画素ＰＸの各々に分離されて形成される。
【0073】
有機発光層ＥＭＬ上に電子制御層ＥＣＬが配置される。電子制御層ＥＣＬ上にカソード（陰極）ＣＥが配置される。カソードＣＥは複数個の画素ＰＸに共通的に配置される。
【0074】
本実施形態において、パターニングされた有機発光層ＥＭＬを例示的に示しているが、有機発光層ＥＭＬは複数個の画素ＰＸに共通的に配置される。この際、有機発光層ＥＭＬは白色光を生成する。また、有機発光層ＥＭＬは多層構造を有する。
【0075】
本実施形態において、薄膜封止層ＴＦＥはカソードＣＥを直接カバーする。一実施形態において、カソードＣＥをカバーするキャッピング層が更に配置される。この場合、薄膜封止層ＴＦＥはキャッピング層を直接カバーする。
【0076】
図５Ａ〜図５Ｃは、本発明の一実施形態による薄膜封止層（ＴＦＥ１、ＴＦＥ２、ＴＦＥ３）の多様な例の断面図である。以下、図５Ａ〜図５Ｃを参照して本発明の一実施形態による薄膜封止層（ＴＦＥ１、ＴＦＥ２、ＴＦＥ３）を説明する。
【0077】
図５Ａに示すように、薄膜封止層ＴＦＥ１はカソードＣＥ（図４Ｅ参照）に接触する第１無機薄膜ＩＯＬ１を含むｎ個の無機薄膜ＩＯＬ１〜ＩＯＬｎを含む。第１無機薄膜ＩＯＬ１は下部無機薄膜として定義され、ｎ個の無機薄膜ＩＯＬ１〜ＩＯＬｎのうちの第１無機薄膜ＩＯＬ１以外の無機薄膜は上部無機薄膜として定義される。
【0078】
薄膜封止層ＴＦＥ１はｎ−１個の有機薄膜（ＯＬ１〜ＯＬｎ−１）を含み、ｎ−１個の有機薄膜（ＯＬ１〜ＯＬｎ−１）はｎ個の無機薄膜（ＩＯＬ１〜ＩＯＬｎ）と交互に配置される。ｎ−１個の有機薄膜（ＯＬ１〜ＯＬｎ−１）は平均的にｎ個の無機薄膜（ＩＯＬ１〜ＩＯＬｎ）よりも厚い厚さを有する。
【0079】
ｎ個の無機薄膜（ＩＯＬ１〜ＩＯＬｎ）の各々は１個の物質を含む単層であるが、各々が異なる物質を含む複数を有してもよい。ｎ−１個の有機薄膜（ＯＬ１〜ＯＬｎ−１）の各々は有機モノマーが蒸着されて形成される。有機モノマーはアクリル系モノマーを含む。一実施形態において、薄膜封止層ＴＦＥ１はｎ番目の有機薄膜を更に含む。
【0080】
図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、薄膜封止層（ＴＦＥ２、ＴＦＥ３）の各々に含まれる無機薄膜は、互いに同じであるか又は異なる無機物質を有し、互いに同じであるか又は異なる厚さを有する。薄膜封止層（ＴＦＥ２、ＴＦＥ３）の各々に含まれる有機薄膜は、互いに同じであるか又は異なる有機物質を有し、互いに異なる厚さを有する。
【0081】
図５Ｂに示すように、薄膜封止相ＴＦＥ２は、順に積層された第１無機薄膜ＩＯＬ１、第１有機薄膜ＯＬ１、第２無機薄膜ＩＯＬ２、第２有機薄膜ＯＬ２、及び第３無機薄膜ＩＯＬ３を含む。
【0082】
第１無機薄膜ＩＯＬ１は２層構造を有する。第１サブ層Ｓ１はフッ化リチウム層であり、第２サブ層Ｓ２はアルミニウムオキサイド層である。第１有機薄膜ＯＬ１は第１有機モノマー層であり、第２無機薄膜ＩＯＬ２は第１シリコンナイトライド層であり、第１有機薄膜ＯＬ２は第２有機モノマー層であり、第３無機薄膜ＩＯＬ３は第２シリコンナイトライド層である。
【0083】
図５Ｃに示すように、薄膜封止層ＴＦＥ３は、順に積層された第１無機薄膜ＩＯＬ１０、第１有機薄膜ＯＬ１、及び第２無機薄膜ＩＯＬ２０を含む。第１無機薄膜ＩＯＬ１０は２層構造を有する。第１サブ層Ｓ１０はフッ化リチウム層であり、第２サブ層Ｓ２０はシリコンオキサイド層である。第１有機薄膜ＯＬ１は第１有機モノマー層であり、第２無機薄膜ＩＯＬ２０は２層構造を有する。第２無機薄膜ＩＯＬ２０は互い異なる蒸着環境で蒸着された第１サブ層Ｓ１００及び第２サブ層Ｓ２００を含む。第１サブ層Ｓ１００は低電源条件で蒸着され、第２サブ層Ｓ２００は高電源条件で蒸着される。第１サブ層Ｓ１００及び第２サブ層Ｓ２００の各々はシリコンナイトライド層である。
【0085】
図６Ａに示すように、タッチ感知ユニットＴＳは、第１導電層ＴＳ−ＣＬ１、第１絶縁層ＴＳ−ＩＬ１（以下、第１タッチ絶縁層）、第２導電層ＴＳ−ＣＬ２、及び第２絶縁層ＴＳ−ＩＬ２（以下、第２タッチ絶縁層）を含む。第１導電層ＴＳ−ＣＬ１は薄膜封止層ＴＦＥ上に直接配置される。第１導電層ＴＳ−ＣＬ１と薄膜封止層ＴＦＥとの間にプラスチックフィルム、ガラス基板、プラスチック基板は配置されない。
【0086】
第１導電層ＴＳ−ＣＬ１及び第２導電層ＴＳ−ＣＬ２の各々は単層構造を有し、第３方向軸ＤＲ３に沿って積層された多層構造を有する。多層構造の導電層は透明導電層及び金属層のうちの少なくとも２以上を含む。多層構造の導電層は互いに異なる金属を含む金属層を含む。透明導電層は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＰＥＤＯＴ、金属ナノワイヤ、グラフィンを含む。金属層は、モリブデン、銀、チタニウム、銅、アルミニウム、及びこれらの合金を含む。
【0087】
第１導電層ＴＳ−ＣＬ１及び第２導電層ＴＳ−ＣＬ２の各々は複数個のパターンを含む。以下、第１導電層ＴＳ−ＣＬ１は第１導電パターンを含み、第２導電層ＴＳ−ＣＬ２は第２導電パターンを含む。第１導電パターン及び第２導電パターンの各々はタッチ電極及びタッチ信号ラインを含む。
【0088】
第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１及び第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２の各々は無機物又は有機物を含む。無機物は、アルミニウムオキサイド、チタニウムオキサイド、シリコンオキサイド、シリコンオキシナイトライドジルコニウムオキサイド、及びハフニウムオキサイドのうちの少なくとも一つを含む。有機物は、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリイソプレン、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びぺリレン系樹脂のうちの少なくとも何れか一つを含む。
【0089】
第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１及び第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２の各々は単層又は多層構造を有する。第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１及び第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２の各々は無機層及び有機層のうちの少なくとも何れか一つを有する。無機層及び有機層は化学気相蒸着法によって形成される。
【0090】
本実施形態において、第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１及び第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２のうちの少なくとも何れか一つは２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有する少なくとも一つの無機層を含む。これに対する詳しい説明は後述する。
【0091】
第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１は第１導電層ＴＳ−ＣＬ１と第２導電層ＴＳ−ＣＬ２とを絶縁させるのみであり、その形状は制限されるものではない。第１導電パターン及び第２導電パターンの形状に応じて第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１の形状は変形される。第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１は、薄膜封止層ＴＦＥを全体的にカバーするか、或いは複数個の絶縁パターンを含む。複数個の絶縁パターンは、後述する第１連結部ＣＰ１又は第２連結部ＣＰ２に重畳するのみで十分である。
【0092】
本実施形態において、２層型タッチ感知ユニットを例示的に示しているが、これに制限されるものではない。単層型タッチ感知ユニットは導電層及び導電層をカバーする絶縁層を含む。導電層はタッチセンサ及びタッチセンサに連結されたタッチ信号ラインを含む。単層型タッチ感知ユニットはセルフキパシタンス（自己容量）方式で座標情報を獲得する。
【0093】
図６Ｂに示すように、タッチ感知ユニットＴＳは第１タッチ電極（ＴＥ１−１〜ＴＥ１−３）、第１タッチ電極に連結された第１タッチ信号ライン（ＳＬ１−１〜ＳＬ１−３）、第２タッチ電極（ＴＥ２−１〜ＴＥ２−３）、及び第２タッチ電極（ＴＥ２−１〜ＴＥ２−３）に連結された第２タッチ信号ライン（ＳＬ２−１〜ＳＬ２−３）を含む。図６Ｂは３個の第１タッチ電極（ＴＥ１−１〜ＴＥ１−３）及び３個の第２タッチ電極（ＴＥ２−１〜ＴＥ２−３）を含むタッチ感知ユニットＴＳを例示的に示す。
【0094】
第１タッチ電極（ＴＥ１−１〜ＴＥ１−３）の各々は複数個のタッチ開口部が定義されたメッシュ形状を有する。第１タッチ電極（ＴＥ１−１〜ＴＥ１−３）の各々は複数個の第１タッチセンサ部ＳＰ１及び複数個の第１連結部ＣＰ１を含む。第１タッチセンサ部ＳＰ１は第１方向ＤＲ１に配列される。第１連結部ＣＰ１の各々は第１タッチセンサ部ＳＰ１のうちの連接する２個の第１タッチセンサ部ＳＰ１を連結する。具体的に示していないが、第１タッチ信号ライン（ＳＬ１−１〜ＳＬ１−３）もメッシュ形状を有する。
【0095】
第２タッチ電極（ＴＥ２−１〜ＴＥ２−３）は第１タッチ電極（ＴＥ１−１〜ＴＥ１−３）と絶縁交差する。第２タッチ電極（ＴＥ２−１〜ＴＥＴＥ２−３）の各々は複数個のタッチ開口部が定義されたメッシュ形状を有する。第２タッチ電極（ＴＥ２−１〜ＴＥ２−３）の各々は複数個の第２タッチセンサ部ＳＰ２及び複数個の第２連結部ＣＰ２を含む。第２タッチセンサ部ＳＰ２は第２方向ＤＲ２に配列される。第２連結部ＣＰ２の各々は第２タッチセンサ部ＳＰ２のうちの連接する２個の第２タッチセンサ部ＳＰ２を連結する。第２タッチ信号ライン（ＳＬ２−１〜ＳＬ２−３）もメッシュ形状を有する。
【0096】
第１タッチ電極（ＴＥ１−１〜ＴＥ１−３）と第２タッチ電極（ＴＥ２−１〜ＴＥ２−３）とは静電結合される。第１タッチ電極（ＴＥ１０１〜ＴＥ１−３）にタッチ感知信号が加わることによって第１タッチセンサ部ＳＰ１と第２タッチセンサ部ＳＰ２との間にキャパシターが形成される。
【0097】
複数個の第１タッチセンサ部ＳＰ１、複数個の第１連結部ＣＰ１、及び第１タッチ信号ライン（ＳＬ１−１〜ＳＬ１−３）、並びに複数個の第２タッチセンサ部ＳＰ２、複数個の第２連結部ＣＰ２、及び第２タッチ信号ライン（ＳＬ２−１〜ＳＬ２−３）のうちの一部は図６Ａに示した第１導電層ＴＳ−ＣＬ１がパターニングされて形成され、他の一部は図６Ａに示した第２導電層ＴＳ−ＣＬ２がパターニングされて形成される。
【0098】
他の層上に配置された導電パターンを電気的に連結するために、図６Ａに示した第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１を貫通する貫通孔（コンタクトホール）が形成される。以下、図６Ｃ〜図６Ｅを参照して一実施形態によるタッチ感知ユニットＴＳを説明する。
【0099】
図６Ｃに示すように、薄膜封止層ＴＦＥ上に第１導電パターンが配置される。第１導電パターンはブリッジパターンＣＰ２を含む。ブリッジパターンＣＰ２は薄膜封止層ＴＦＥ上に直接配置される。図６Ｃは表示領域ＤＡをカバーする薄膜封止層ＴＦＥを例示的に示す。ブリッジパターンＣＰ２は図６Ｂに示した第２連結部ＣＰ２に対応する。
【0100】
図６Ｄに示すように、薄膜封止層ＴＦＥ上にブリッジパターンＣＰ２をカバーする第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１が配置される。第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１にはブリッジパターンＣＰ２を部分的に露出させる貫通孔（コンタクトホール）ＣＨが定義される。フォトリソグラフィ工程によって貫通孔（コンタクトホール）ＣＨが形成される。
【0101】
図６Ｅに示すように、第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１上に第２導電パターンが配置される。第２導電パターンは、複数個の第１タッチセンサ部ＳＰ１、複数個の第１連結部ＣＰ１、及び第１タッチ信号ライン（ＳＬ１−１〜ＳＬ１−３）、並びに複数個の第２タッチセンサ部ＳＰ２及び第２タッチ信号ライン（ＳＬ２−１〜ＳＬ２−３）を含む。別途に図示していないが、第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１上に第２導電パターンをカバーする第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２が配置される。
【0102】
一実施形態において、第１導電パターンは第１タッチ電極（ＴＥ１−１〜ＴＥ１−３）及び第１タッチ信号ライン（ＳＬ１−１〜ＳＬ１−３）を含む。第１導電パターンは第２タッチ電極（ＴＥ２−１〜ＴＥ２−３）及び第２タッチ信号ライン（ＳＬ２−１〜ＳＬ２−３）を含む。この場合、第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１には貫通孔（コンタクトホール）ＣＨが定義されない。
【0103】
また、一実施形態において、第１導電パターンと第２導電パターンとは互いに代替される。即ち、第２導電パターンはブリッジパターンＣＰ２を含む。
【0104】
図７Ａは、図６ＥのＡＡ領域の部分拡大図である。図７Ｂは、図７ＡのＩＩ−ＩＩ′線による部分断面図である。図７Ｃは、図６ＢのＩ−Ｉ′線による部分断面図である。以下、図７Ａ〜図７Ｃを参照して表示モジュールＤＭについてより詳しく説明する。
【0105】
図７Ａに示すように、第１タッチセンサ部ＳＰ１は非発光領域ＮＰＸＡに重畳する。第１タッチセンサ部ＳＰ１は第１方向ＤＲ１に延長された複数個の第１縦部ＳＰ１−Ｃ及び第２方向ＤＲ２に延長された複数個の第１横部ＳＰ１−Ｌを含む。複数個の第１縦部ＳＰ１−Ｃ及び複数個の第１横部ＳＰ１−Ｌはメッシュ線として定義される。メッシュ線の線幅は数μｍである。
【0106】
複数個の第１縦部ＳＰ１−Ｃ及び複数個の第１横部ＳＰ１−Ｌは互いに連結されて複数個のタッチ開口部ＴＳ−ＯＰを形成する。即ち、第１タッチセンサ部ＳＰ１は複数個のタッチ開口部ＴＳ−ＯＰを具備するメッシュ形状を有する。図７Ａは、タッチ開口部ＴＳ−ＯＰが発光領域ＰＸＡに一対一対応することを示しているが、これに制限されるものではない。一つのタッチ開口部ＴＳ−ＯＰは２以上の発光領域ＰＸＡに対応し得る。
【0107】
図示していないが、第１連結部ＣＰ１、第１タッチ信号ライン（ＳＬ１−１〜ＳＬ１−３）、第２タッチセンサ部ＳＰ２、第２連結部ＣＰ２，及び第２タッチ信号ライン（ＳＬ２−１〜ＳＬ２−３）も横部と縦部を含む。
【0108】
図７Ｂ及び図７Ｃに示すように、薄膜封止層ＴＦＥ上に第２連結部ＣＰ２が直接配置される。薄膜封止層ＴＦＥ上に第２連結部ＣＰ２をカバーする第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１が直接配置される。第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１は少なくとも表示領域ＤＡに重畳する。第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１上に、第１タッチセンサ部ＳＰ１、第２タッチセンサ部ＳＰ２、及び第１連結部ＣＰ１が直接配置される。
【0109】
第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２は、第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１上に直接配置されて、第１タッチセンサ部ＳＰ１、第２タッチセンサ部ＳＰ２、及び第１連結部ＣＰ１をカバーする。第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２は少なくとも表示領域ＤＡに重畳する。
【0110】
図７Ｂ及び図７Ｃは、各々が３層構造を有する第１タッチセンサ部ＳＰ１、第１連結部ＣＰ１、第２タッチセンサ部ＳＰ２、及び第２連結部ＣＰ２を例示的に示す。第１タッチセンサ部ＳＰ１、第１連結部ＣＰ１、第２タッチセンサ部ＳＰ２、及び第２連結部ＣＰ２の各々はチタニウム／アルミニウム／チタニウムの３層構造を有する。
【0112】
図２に示した表示装置ＤＤと同じ表示装置に対して厳しい条件の信頼性評価を行った。８０℃〜９０℃の温度及び８０％〜９０％の湿度条件で信頼性評価を行った。
【0113】
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、ウィンドーＷＭと第３接着部材ＡＭ３の界面に気泡が捕集された。気泡の大部分は窒素及び水素であることが確認された。窒素及び水素が気泡の約８０％〜約９０％を占めた。気泡は、二酸化炭素、一酸化炭素、メタノールを微量含むことが確認された。
【0114】
実験１〜８によるサンプルを作成して厳しい条件の信頼性を評価した。実験結果は下記の表１の通りである。
【0115】
【表1】
【0116】
実験１〜６は、図２に示した表示装置を基準に行った。但し、タッチ感知ユニットＴＳ（図６Ａ参照）の構造のみがそれぞれ相違する。実験１はタッチ感知ユニットＴＳを省略し、実験２〜６は、第１導電層、第１タッチ絶縁層（無機層）、第２導電層、第２タッチ絶縁層（有機層）のうちの一部を省略した。
【0117】
実験７は単層の無機層が形成されたガラス基板を表示モジュールＤＭ（図２参照）の代わりに適用し、実験８は単層の有機層が形成されたガラス基板を表示モジュールＤＭの代わりに適用した。
【0118】
実験１〜８の第１タッチ絶縁層（無機層）には化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）を介して形成された１．９０ｇ／ｃｍ３シリコンナイトライド層を適用し、有機層にはスリットコーティング法を介して形成されたアクリル系有機層を適用した。
【0119】
実験２〜４、６で気泡が発生したことから、気泡発生は無機層に関連することがわかる。実験６と７とを比較すると、気泡は無機膜が単一条件で発生するものではなく、薄膜封止層に関連することがわかる。
【0120】
実験２〜４、６で発生した気泡の量から、気泡は外部から侵入したものではなく、無機層及び形成過程から生成されたシード（Ｓｅｅｄ）が有機物と反応して生成されたものと推定される。
【0121】
実験２及び３によるサンプルに対して追加実験を実施した。実験２及び３によるサンプルに対して気泡発生時間を測定した。
【0122】
【表2】
【0123】
各々４個のサンプルに対して信頼性を評価した。実験２のサンプルは２４時間以後に気泡が発生していなかったが、実験３の４個のサンプルのうちの３個のサンプルに気泡が発生した。
【0124】
表２の実験結果によると、有機層は気泡の発生を促進させることがわかる。シードが有機層と反応するものと推定される。
【0125】
以下の表３と同様に、実験９及び１０によるサンプルに対して追加実験を実施した。実験９及び１０によるサンプルに対して気泡発生時間を測定した。
【0126】
【表3】
【0127】
実験９及び１０の各々のサンプルは表１の実験２のサンプルと同じ構造を有する。即ち、実験９及び１０の各々のサンプルは図２に示した表示装置と同じ構造を有する。実験９のサンプルは第２接着部材ＡＭ２及び第３接着部材ＡＭ３に３Ｍ社製のＯＣＡ（光学透明接着部材）を適用し、実験１０のサンプルは第２接着部材ＡＭ２及び第３接着部材ＡＭ３にＴＭＳ社製のＯＣＡを適用した。なお、製造会社毎にＯＣＡの組成が異なる。
【0128】
上記表３の実験結果によると、接着部材の組成によって発生する気泡の時間が異なることがわかる。実験結果を添付していないが、同じ時間の間に発生した気泡の量も接着部材の組成によって異なる。
【0129】
無機層の密度を変えてサンプルを制作して信頼性評価を行った。実験２と同じ構造のサンプルを制作し、サンプル毎に無機層の密度のみを別々に適用した。
【0130】
一般的にシリコンナイトライド層は、シランＳｉＨ４、窒素Ｎ２、水素Ｈ２、及びアンモニアＮＨ３の混合ガスを利用して化学気相蒸着法を介して形成される。シランＳｉＨ４及び水素Ｈ２の流量はシリコンナイトライド層の密度に影響を与える。その他、パワーやチャンバー内の気圧がシリコンナイトライド層の密度に影響を与える。他の因子が同じになるように調節し、シランＳｉＨ４の流量を調節してサンプルによって密度が異なる無機層を形成した。
【0131】
図９のグラフは膜密度による気泡不良を示す。シリコンナイトライド層の膜密度が２．０５ｇ／ｃｍ３以上である表示装置サンプルでは気泡が発生しなかった。
【0132】
シリコンナイトライド層を形成する過程で発生したシードが高密度のシリコンナイトライド層によって密封されるため、膜密度が２．０５ｇ／ｃｍ３以上である表示装置サンプルではシードと有機物とが反応しないため、気泡が発生しないものと推定される。
【0133】
膜密度が２．０５ｇ／ｃｍ３未満の無機膜を含む表示装置では、シードが低密度の無機膜を透過して第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２及び有機接着層（ＡＭ２、ＡＭ３）（図２参照）に到達する。シードが第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２及び有機接着層（ＡＭ２、ＡＭ３）と反応することによって気泡が生成されたものと推定される。
【0134】
第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２で生成された気泡は、第２接着部材ＡＭ２、光学部材ＬＭ、及び第３接着部材ＡＭ３を通過してウィンドーＷＭと第３接着部材ＡＭ３との界面に捕集される。第２接着部材ＡＭ２及び第３接着部材ＡＭ３で生成された気泡もウィンドーＷＭと第３接着部材ＡＭ３との界面から捕集される。
【0135】
一方、無機層の密度が増加するほどフレキシブル性が減少するため、無機層の密度は２．４ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。外部から与えられたストレスによる無機層のクラックを防止するためである。
【0136】
一実施形態において、図６Ａを参照して説明した第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１及び第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２のうちの少なくとも何れか一つは２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有する無機層を含むことが好ましい。上述した気泡発生を抑制すると共に第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１及び第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２のクラックを防止することができる。
【0137】
一実施形態において、第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１及び第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２の各々が上述した密度のシリコンナイトライド層を含む。
【0138】
一実施形態において、第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１が上述した密度のシリコンナイトライド層を含む。この場合、第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２は有機層であることが好ましい。第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２に上述した密度未満の無機層を形成すると第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２を形成する過程で気泡が発生する。気泡の発生を防止し且つフレキシブル性を向上させるために、第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２は有機層であることが好ましい。
【0139】
一実施形態において、第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２が上述した密度のシリコンナイトライド層を含む。第２タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ２が多層構造を有する場合、最上層に上述した密度のシリコンナイトライド層が配置されることが好ましい。この場合、第１タッチ絶縁層ＴＳ−ＩＬ１は有機層及び／又は無機層を含む。
【0140】
図１０Ａは、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤ−２の他の例の断面図である。図１０Ｂは、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤ−２の他の例の断面の拡大図である。図１１は、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤ−３の更に他の例の断面図である。図１〜図９を参照して説明した構成と同じ構成に対する詳しい説明は省略する。
【0141】
図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、表示装置ＤＤ−２は、保護フィルムＰＭ、表示モジュールＤＭ−１、タッチパネルＴＳＰ、ウィンドーＷＭ、第１接着部材ＡＭ１、第２接着部材ＡＭ２、及び第３接着部材ＡＭ３を含む。表示モジュールＤＭ−１は有機発光表示パネルＤＰ及び反射防止層ＲＰＬを含む。反射防止層ＲＰＬは有機発光表示パネルＤＰ上に直接配置される。
【0142】
反射防止層ＲＰＬはそれぞれが表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに重畳する導電層（ＲＰＬ−ＭＬ１、ＲＰＬ−ＭＬ２）及びそれぞれが表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに重畳する絶縁層（ＲＰＬ−ＩＬ１、ＲＰＬ−ＩＬ２）を含む。図１０Ｂは２個の導電層（ＲＰＬ−ＭＬ１、ＲＰＬ−ＭＬ２）及び２個の絶縁層（ＲＰＬ−ＩＬ１、ＲＰＬ−ＩＬ２）を含む反射防止層ＲＰＬを例示的に示す。
【0143】
導電層（ＲＰＬ−ＭＬ１、ＲＰＬ−ＭＬ２）及び絶縁層（ＲＰＬ−ＩＬ１、ＲＰＬ−ＩＬ２）は交互に積層される。積層順は特に制限されない。第１導電層ＲＰＬ−ＭＬ１は吸収率が約３０％以上である金属を含む。第１導電層ＲＰＬ−ＭＬ１は屈折率ｎが約３０％以上である金属を含む。第１導電層ＲＰＬ−ＭＬ１は、屈折率ｎが約１．５〜７の間であり、吸収係数ｋが約１．５〜７の間の物質である。第１導電層ＲＰＬ−ＭＬ１は、クロムＣｒ、モリブデンＭｏ、タングステンＷ、チタニウムＴｉ、ニッケルＮｉ、コバルトＣｏ、酸化銅ＣｕＯ、窒化チタニウムＴｉＮｘ、及び硫化ニッケルＮｉＳのうちの何れか一つ以上を含む。第１導電層ＲＰＬ−ＭＬ１は上述した物質のうちの何れか一つを含む金属層である。第２導電層ＲＰＬ−ＭＬ２も上述した金属を含む。
【0144】
第１絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ１及び第２絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ２は、シリコンオキサイドＳｉＯ２、酸化チタニウムＴｉＯ２、フッ素化リチウムＬｉＦ、フッ化カルシウムＣａＦ２、フッ化マグネシウムＭａＦ２、シリコンナイトライドＳｉＮｘ、酸化タンタルＴａ２Ｏ５、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、シリコンカーボンナイトライド（ＳｉＣＮ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化鉄（ＦｅＯｘ）、及び酸化クロム（ＣｒＯｘ）のうちから選択されるいずれか一つで形成される。外部から入射した光ＯＬは、第１導電層ＲＰＬ−ＭＬ１で一部反射され（以下、第１反射光ＲＬ１）、第２導電層ＲＰＬ−ＭＬ２から一部反射される（第２反射光ＲＬ２）。
【0145】
第１絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ１は、第１反射光ＲＬ１と第２反射光ＲＬ２との位相差が約１８０°になるように第１絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ１を通過する光の位相を調節する。それによって第１反射光ＲＬ１と第２反射光ＲＬ２とは相殺される。
【0146】
第１導電層ＲＰＬ−ＭＬ１、第２導電層ＲＰＬ−ＭＬ２、第１絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ１、及び第２絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ２の厚さ、材料などは、第１反射光ＲＬ２が相殺干渉される条件を満足するように選択されるが、特に制限されるものではない。図示していないが、反射防止層ＲＰＬはブラックマットリックスＢＭを更に含み得る。
【0147】
反射防止層ＲＰＬを形成する過程で気泡が発生することを防止するために、第１絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ１及び第２絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ２のうちの少なくとも一つは２．０５ｇ／ｃｍ３〜２．４ｇ／ｃｍ３の密度を有する無機層を含む。第１絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ１及び第２絶縁層ＲＰＬ−ＩＬ２は上述した密度のシリコンナイトライド層を含む。
【0148】
図１１に示すように、表示装置ＤＤ−３は、保護フィルムＰＭ、表示モジュールＤＭ−２、ウィンドーＷＭ、第１接着部材ＡＭ１、及び第２接着部材ＡＭ２を含む。表示モジュールＤＭ−２は、有機発光表示パネルＤＰ、タッチ感知ユニットＴＳ、及び反射防止層ＲＰＬを含む。反射防止層ＲＰＬはタッチ感知ユニットＴＳ上に直接配置される。
【0150】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0151】
１２、１４、１６ 第１〜第３絶縁層ＡＥ アノード（陽極）
ＡＬ１、ＡＬ２ 第１、第２半導体パターン
ＡＭ１〜ＡＭ３ 第１〜第３接着部材
ＢＡ ベンディング領域
ＢＳ１−Ｌ、ＢＳ１−Ｕ 第１、第２表示パネル面
ＢＸ ベンディング軸
ＣＡＰ キャパシター
ＣＥ カソード（陰極）
ＣＨ 貫通孔（コンタクトホール）
ＣＨ１〜ＣＨ５ 第１〜第５貫通孔
ＣＰ１ 第１連結部
ＣＰ２ 第２連結部（ブリッジパターン）
ＣＳＬ 制御信号ライン
ＣＳＬ−Ｐ 制御パッド部
ＤＡ、ＤＤ−ＤＡ 表示領域
ＤＣＶ ゲート駆動回路
ＤＤ、ＤＤ−１、ＤＤ−２、ＤＤ−３ （フレキシブル）表示装置
ＤＤ−ＮＤＡ 非表示領域
ＤＥ１、ＤＥ２ 第１、第２出力電極
ＤＬ データライン
ＤＬ−Ｐ データパッド部
ＤＭ、ＤＭ−１、ＤＭ−２ 表示モジュール
ＤＰ 有機発光表示パネル
ＤＰ−ＣＬ 回路層
ＤＰ−ＯＬＥＤ 発光素子層
Ｅ１、Ｅ２ 第１、第２電極
ＥＣＬ 電子制御層
ＥＭＬ 有機発光層
ＧＥ１、ＧＥ２ 第１、第２制御電極
ＧＬ ゲートライン
ＨＣＬ 正孔制御層
ＩＭ イメージ
ＩＯＬ１〜ＩＯＬｎ （第１〜第ｎ）無機薄膜
ＩＯＬ１０、ＩＯＬ２０ 第１、第２無機薄膜
ＩＳ 表示面
ＬＭ 光学部材
ＮＢＡ 非ベンディング領域
ＮＢＡ１、ＮＢＡ２ 第１、第２非ベンディング領域
ＮＤＡ 非表示領域
ＮＰＸＡ 非発光領域
ＯＬ 外部から入射した光
ＯＬ１〜ＯＬｎ−１ （第１〜第ｎ−１）有機薄膜
ＯＬＥＤ 有機発光ダイオード
ＯＰ 開口部
ＯＳ−Ｌ、ＯＳ−Ｕ 第１、第２外面
ＰＬ 電源ライン
ＰＬ−Ｐ 電源パッド部
ＰＭ 保護フィルム
ＰＸ 画素
ＰＸＡ 発光領域
ＰＸＬ 画素定義膜
ＲＬ１ 第１反射光
ＲＬ２ 第２反射光
ＲＰＬ 反射防止層
ＲＰＬ−ＩＬ１、ＲＰＬ−ＩＬ２ 第１、第２絶縁層
ＲＰＬ−ＭＬ１、ＲＰＬ−ＭＬ２ 第１、第２導電層
Ｓ１、Ｓ１０、Ｓ１００ 第１サブ層
Ｓ２、Ｓ２０、Ｓ２００ 第２サブ層
ＳＥ１、ＳＥ２ 第１、第２入力電極
ＳＧＬ 信号ライン
ＳＬ１−１〜ＳＬ１−３ 第１タッチ信号ライン
ＳＬ２−１〜ＳＬ２−３ 第２タッチ信号ライン
ＳＰ１、ＳＰ２ 第１、第２タッチセンサ部
ＳＰ１−Ｃ 第１縦部
ＳＰ１−Ｌ 第１横部
ＳＵＢ ベース層
ＴＥ１−１〜ＴＥ１−３ 第１タッチ電極
ＴＥ２−１〜ＴＥ２−３ 第２タッチ電極
ＴＦＥ、ＴＦＥ１〜ＴＦＥ３ 薄膜封止層
ＴＦＴ１ 第１トランジスタ（スイッチングトランジスタ）
ＴＦＴ２ 第２トランジスタ（駆動トランジスタ）
ＴＳ タッチ感知ユニット
ＴＳ−ＣＬ１、ＴＳ−ＣＬ２ 第１、第２導電層
ＴＳ−ＩＬ１ 第１、第２タッチ絶縁層
ＴＳ−ＯＰ タッチ開口部
ＷＭ ウィンドー