特許第6972438号(P6972438)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】6972438
(24)【登録日】2021年11月5日
(45)【発行日】2021年11月24日
(54)【発明の名称】3次元実装集積回路
(51)【国際特許分類】
   H01L 23/12 20060101AFI20211111BHJP
   H01L 25/10 20060101ALI20211111BHJP
   H01L 25/11 20060101ALI20211111BHJP
   H01L 25/18 20060101ALI20211111BHJP
【FI】
   H01L23/12 501
   H01L25/14 Z
【請求項の数】5
【全頁数】9
(21)【出願番号】特願2021-531302(P2021-531302)
(86)(22)【出願日】2020年12月11日
(86)【国際出願番号】JP2020046357
【審査請求日】2021年6月1日
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006013
【氏名又は名称】三菱電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003166
【氏名又は名称】特許業務法人山王内外特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】横溝 真也
【審査官】 正山 旭
(56)【参考文献】
【文献】 特開2005−217225(JP,A)
【文献】 特開2002−344146(JP,A)
【文献】 特開2009−16786(JP,A)
【文献】 国際公開第2017/187559(WO,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01L 23/12
H01L 25/10
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
を2以上の自然数としたときに、N枚の疑似ウェハを備える3次元実装集積回路であって、
前記疑似ウェハは
天面に第1の端子群を有し、底面に第2の端子群を有し、
集積回路と、
前記第1の端子群及び前記第2の端子群のいずれかの端子と前記集積回路とを電気的に接続する接続配線群と、
前記第1の端子群と前記第2の端子群の端子間を天面から底面に貫通するように電気的に接続する貫通配線群と、を内部に有し、
2以上N以下の自然数としたときに、n枚目の前記疑似ウェハの前記第1の端子群とn−1枚目の前記疑似ウェハの前記第2の端子群とが電気的に接続され、
天面から底面へ透過的に見たときに異なる前記疑似ウェハが有する前記集積回路同士の一部が重なるように前記集積回路が配置され、
前記集積回路、前記接続配線群、前記貫通配線群、前記第1の端子群、及び前記第2の端子群による周期構造を備える3次元実装集積回路。
【請求項2】
n−1枚目の前記疑似ウェハ及びn枚目の前記疑似ウェハの前記周期構造が同じである請求項1に記載の3次元実装集積回路。
【請求項3】
1枚目の前記疑似ウェハの前記第2の端子群またはN枚目の前記疑似ウェハの前記第1の端子群のどちらか一方にアンテナ素子が電気的に接続され、他方に樹脂基板が電気的に接続されたことを特徴とする請求項1または2に記載の3次元実装集積回路。
【請求項4】
1枚目の前記疑似ウェハの前記第2の端子群またはN枚目の前記疑似ウェハの前記第1の端子群のどちらか一方にアンテナ素子を備えた樹脂基板が電気的に接続され、他方に樹脂基板が電気的に接続されたことを特徴とする請求項1または2に記載の3次元実装集積回路。
【請求項5】
1枚目の前記疑似ウェハの前記第2の端子群またはN枚目の前記疑似ウェハの前記第1の端子群のどちらか一方に第3の集積回路が電気的に接続され、他方に樹脂基板が電気的に接続されたことを特徴とする請求項1または2に記載の3次元実装集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示技術は、複数の集積回路を積層した3次元実装集積回路に関する。
【背景技術】
【0002】
電子部品の高密度集積に有効な技術として、ファンアウトウェハレベルパッケージ(FOWLP:Fan Out Wafer Level Package)が知られている。例えば、FOWLP技術により作製した再構築ウェハ(以下「疑似ウェハ」という)を用いて高密度集積した電子装置(例えば、特許文献1)が知られている。
【0003】
特許文献1では、底面に支持用の金属部材を有する集積回路と有しない集積回路を交互に配置し、FOWLPを施し、1枚の疑似ウェハで3次元構造とすることにより、高密度な集積回路実装を実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2019−102660号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献1に記載の装置は、高密度集積化を可能にするが、底面に支持用の金属部材を有しており、RF端子、制御端子、及び電源端子を片面にしか形成できないため、端子が高密度となり基板への実装が困難であった。
【0006】
本開示技術は、上記課題を解消するためのものであり、集積回路を高密度集積した上で、RF端子、制御端子、及び電源端子を両面に形成し、端子密度を軽減することができる3次元実装集積回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示技術に係る3次元実装集積回路は、N2以上の自然数としたときに、N枚の疑似ウェハを備える3次元実装集積回路であって、前記疑似ウェハは天面に第1の端子群を有し、底面に第2の端子群を有し、集積回路と、前記第1の端子群及び前記第2の端子群のいずれかの端子と前記集積回路とを電気的に接続する接続配線群と、前記第1の端子群と前記第2の端子群の端子間を天面から底面に貫通するように電気的に接続する貫通配線群とを内部に有し、n2以上N以下の自然数としたときに、n枚目の前記疑似ウェハの前記第1の端子群とn−1枚目の前記疑似ウェハの前記第2の端子群とが電気的に接続され、天面から底面へ透過的に見たときに異なる前記疑似ウェハが有する前記集積回路同士の一部が重なるように前記集積回路が配置され、前記集積回路、前記接続配線群、前記貫通配線群、前記第1の端子群、及び前記第2の端子群による周期構造を備える
【発明の効果】
【0008】
本開示技術に係る3次元実装集積回路は上記構成を備えるため、集積回路を高密度集積した上で、RF端子、制御端子、及び電源端子を両面に形成し、端子密度を軽減する効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1】本発明の実施の形態1に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。
図2】本発明の実施の形態2に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。
図3】本発明の実施の形態3に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。
図4】本発明の実施の形態4に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。
図5】本発明の実施の形態5に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。
図6】本発明の実施の形態6に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。
図7】本発明の実施の形態7に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。
図8】本発明の実施の形態1に係る3次元実装集積回路の詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示技術に係る3次元実装集積回路の内容は、以下の図にそった説明により明らかにされる。
【0011】
実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。図1が示すとおり実施の形態1に係る3次元実装集積回路は、第1の疑似ウェハ10と、第2の疑似ウェハ20とを備え、第1の疑似ウェハ10と第2の疑似ウェハ20を縦積みして、第1の疑似ウェハ10の第2の端子群5と第2の疑似ウェハ20の第1の端子群11とを電気的に接続されている。第2の端子群5と第1の端子群11との接続は、はんだバンプ、金バンプ等を用いてよい。
【0012】
第1の疑似ウェハ10は、第1の端子群1と、第1の貫通配線群2と、第1の接続配線群3と、両面に端子を備えた第1の集積回路4と、第2の端子群5と、第1の樹脂膜6とを備える。また、第1の端子群1は、第1の貫通配線群2または第1の接続配線群3と電気的に接続され、第1の集積回路4は、第1の接続配線群3と電気的に接続され、第2の端子群5は、第1の貫通配線群2または第1の集積回路4と電気的に接続される。
【0013】
第2の疑似ウェハ20は、第1の端子群11と、第2の貫通配線群12と、第2の接続配線群13と、両面に端子を備えた第2の集積回路14と、第2の端子群15と、第2の樹脂膜16とを備える。また、第1の端子群11は、第2の貫通配線群12または第2の接続配線群13と電気的に接続され、第2の集積回路14は、第2の接続配線群13と電気的に接続され、第2の端子群15は、第2の貫通配線群12または第2の集積回路14と電気的に接続される。
【0014】
以上のように、実施の形態1に係る3次元実装集積回路は上記の構成を備えるため、集積回路が高密度集積され、RF端子、制御端子、及び電源端子が両面に形成され、端子密度を軽減することができる。
【0015】
なお、ここでは、第1の疑似ウェハ10と第2の疑似ウェハ20の2枚を縦積みする例を示したが、3枚以上を縦積みすることも可能である。また、図1は、第2の端子群5と第1の端子群11とを接続しているものを示しているが、第1の端子群1または第2の端子群5と、第1の端子群11または第2の端子群15のいずれかが接続されていればよい。また、図8は実施の形態1に係る3次元実装集積回路の詳細図である。図8に示すように第1の集積回路4は同一の疑似ウェハ内でそれぞれ異なる構成の集積回路を用いてもよく、第2の集積回路14も同様に同一の疑似ウェハ内で異なる構成を用いてもよい。また、図8に示すように第1の貫通配線群2と、第1の接続配線群3と、第2の貫通配線群12と、第2の接続配線群13は、複数であってもよい。
【0016】
実施の形態2.
実施の形態2に係る3次元実装集積回路は、実施の形態1のものと同じ構成要素を有する。よって、ここでの記載は、実施の形態1で説明した重複する項目について適宜省略する。
【0017】
図2は、実施の形態2に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。図2が示すとおり、実施の形態2に係る3次元実装集積回路の構成要素は実施の形態1のものと同様である。実施の形態2に係る3次元実装集積回路は、天面から底面へ透過的に見たときに第1の集積回路4aと第2の集積回路14aの一部または全てが重なるように配置されている特徴を有する。
【0018】
第1の集積回路4aと第2の集積回路14aの一部または全てが重なるように配置されていると、集積回路同士の距離を短くできるため、さらに高密度集積を実現できる。
【0019】
以上のとおり実施の形態2に係る3次元実装集積回路は上記の構成を備えるため、実施の形態1と同様の効果を得た上で、さらに高密度集積化できる。
【0020】
実施の形態3.
実施の形態3に係る3次元実装集積回路は、実施の形態1のものと同じ構成要素を有する。よって、ここでの記載は、実施の形態1で説明した重複する項目について適宜省略する。
【0021】
図3は、実施の形態3に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。図3が示すとおり、実施の形態3に係る3次元実装集積回路の構成要素は実施の形態1のものと同様である。実施の形態3に係る3次元実装集積回路は、第1の貫通配線群2bと第1の接続配線群3bと第1の集積回路4bと第2の貫通配線群12bと第2の接続配線群13bと第2の集積回路14bから成る周期構造30が周期的に配列される。
【0022】
周期構造30が周期的に配列されると、周期構造30の配線設計を複製して疑似ウェハ全体の配線設計が可能となる。このため、実施の形態3に係る3次元実装集積回路は、疑似ウェハの配線設計を簡略化できる。
【0023】
以上のとおり実施の形態3に係る3次元実装集積回路は上記の構成を備えるため、実施の形態1、2と同様の効果が得られ、設計を簡略化できる。
【0024】
実施の形態4.
実施の形態4に係る3次元実装集積回路は、実施の形態1のものと同じ構成要素を有する。よって、ここでの記載は、実施の形態1で説明した重複する項目について適宜省略する。
【0025】
図4は、実施の形態4に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。図4が示すとおり、実施の形態4に係る3次元実装集積回路の構成要素は実施の形態1のものと同様である。実施の形態4に係る3次元実装集積回路は、第1の疑似ウェハ10cと第2の疑似ウェハ20cに同じ周期構造を有する疑似ウェハが用いられており、これらが縦積みされている。
【0026】
同じ周期構造を有する疑似ウェハを用いることは、1枚の疑似ウェハを製造し、分割することによって、第1の疑似ウェハ10cと第2の疑似ウェハ20cとを同時に製造することが可能となる。
【0027】
以上のとおり実施の形態4に係る3次元実装集積回路は上記の構成を備えるため、実施の形態1から3と同様の効果が得られ、疑似ウェハの製造工程を省略できる。
【0028】
実施の形態5.
実施の形態5に係る3次元実装集積回路は、実施の形態1のものと同じ構成要素を有する。よって、ここでの記載は、実施の形態1で説明した重複する項目について適宜省略する。
【0029】
図5は、実施の形態5に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。図5が示すとおり、実施の形態5に係る3次元実装集積回路は、実施の形態1の構成要素に加えて、第1のアンテナ素子群31と、第1の接続部材32と、第1の樹脂基板上端子群33と、第1の樹脂基板34とを備える。第1の接続部材32は、はんだバンプまたは金バンプ等を用いてよい。第1のアンテナ素子群31は第1の端子群1dと電気的に接続され、第1の樹脂基板上端子群33は第1の接続部材32と電気的に接続され、第1の接続部材32は第2の端子群15dと電気的に接続されている。
【0030】
すなわち、実施の形態5に係る3次元実装集積回路は、1枚目の疑似ウェハの第2の端子群またはN枚目の疑似ウェハの第1の端子群のどちらか一方にアンテナ素子が電気的に接続され、他方に樹脂基板が電気的に接続される。第1のアンテナ素子群31は第1の端子群1dと電気的に接続されているため、実施の形態5に係る3次元実装集積回路は波長の短い高周波信号に対応したアレーアンテナを実現することができる。
【0031】
実施の形態6.
実施の形態6に係る3次元実装集積回路は、実施の形態5のものと同じ構成要素を有する。よって、ここでの記載は、実施の形態1から5で説明した重複する項目について適宜省略する。
【0032】
図6は、実施の形態6に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。図6が示すとおり、実施の形態6に係る3次元実装集積回路は、実施の形態5の構成要素に加えて、第2の樹脂基板上端子群35と、第1の樹脂基板内配線群36と、第3の樹脂基板上端子群37と、第2の接続部材38と、第2の樹脂基板39とを備える。第2の接続部材38は、はんだバンプまたは金バンプ等を用いてよい。第1のアンテナ素子群31fは第2の樹脂基板上端子群35と電気的に接続され、第2の樹脂基板上端子群35は第1の樹脂基板内配線群36と電気的に接続され、第1の樹脂基板内配線群36は第3の樹脂基板上端子群37と電気的に接続され、第3の樹脂基板上端子群37は第2の接続部材38と電気的に接続され、第2の接続部材38は第1の端子群1eと電気的に接続される。
【0033】
すなわち、実施の形態6に係る3次元実装集積回路は、1枚目の疑似ウェハの第2の端子群またはN枚目の疑似ウェハの第1の端子群のどちらか一方にアンテナ素子を備えた樹脂基板が電気的に接続され、他方に樹脂基板が電気的に接続される。上記の構成を備えることにより実施の形態6に係る3次元実装集積回路は、実施の形態5と同様の効果を得た上で、第1の集積回路4eと第1のアンテナ素子群31fとの距離を離すことができ、干渉を抑制することができる。また、第1の樹脂基板内配線群36を備えたことにより、配線の自由度を高めることができる。
【0034】
実施の形態7.
実施の形態7に係る3次元実装集積回路は、実施の形態1のものと同じ構成要素を有する。よって、ここでの記載は、実施の形態1などで説明した重複する項目について適宜省略する。
【0035】
図7は、実施の形態7に係る3次元実装集積回路の一構成例を示す断面図である。図7が示すとおり実施の形態7に係る3次元実装集積回路は、実施の形態1の構成要素に加えて、第1の接続部材32fと、第1の樹脂基板上端子群33fと、第1の樹脂基板34fと、第2の接続部材38fと、第3の集積回路40とを備える。第1の接続部材32fと第2の接続部材38fは、はんだバンプまたは金バンプを用いてよい。第3の集積回路40は、第1の集積回路4及び第2の集積回路14とは異なり、第1の疑似ウェハ10の内部にも第2の疑似ウェハ20の内部にも存在しない。第3の集積回路40は第2の接続部材38fと電気的に接続され、第2の接続部材38fは第1の端子群1fと電気的に接続され、第1の樹脂基板上端子群33fは第1の接続部材32fと電気的に接続され、第1の接続部材32fは第2の端子群15fと電気的に接続される。
【0036】
上記の構成を備えることにより実施の形態7に係る3次元実装集積回路は、実施の形態1から4と同様の効果を得られ、第3の集積回路40の疑似ウェハを作製する工程を省略することができる。
【符号の説明】
【0037】
1(1d、1e、1f) 第1の端子群、 2(2b) 第1の貫通配線群、 3(3b) 第1の接続配線群、 4(4a、4b、4e) 第1の集積回路、 5 第2の端子群、 6 第1の樹脂膜、 10(10c) 第1の疑似ウェハ、 11 第1の端子群、 12(12b) 第2の貫通配線群、 13(13b) 第2の接続配線群、 14(14a、14b) 第2の集積回路、 15(15d、15f)第2の端子群、 16 第2の樹脂膜、 20(20c) 第2の疑似ウェハ、 30 周期構造、 31(31f) 第1のアンテナ素子群、 32(32f) 第1の接続部材、 33(33f) 第1の樹脂基板上端子群、 34(34f) 第1の樹脂基板、 35 第2の樹脂基板上端子群、 36 第1の樹脂基板内配線群、 37 第3の樹脂基板上端子群、 38(38f) 第2の接続部材、 39 第2の樹脂基板、 40 第3の集積回路。
【要約】
本開示技術に係る3次元実装集積回路は、N枚(N:2以上の自然数)の疑似ウェハを備える3次元実装集積回路であって、前記疑似ウェハは天面に第1の端子群を有し、底面に第2の端子群を有し、集積回路と、前記第1の端子群及び前記第2の端子群のいずれかの端子と前記集積回路とを電気的に接続する接続配線群と、前記第1の端子群と前記第2の端子群の端子間を天面から底面に貫通するように電気的に接続する貫通配線群とを内部に有し、n(n:2以上N以下の自然数)枚目の前記疑似ウェハの前記第1の端子群と、(n−1)枚目の前記疑似ウェハの前記第2の端子群とが電気的に接続されたことを特徴とする。
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8