【図1】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＡ−Ａ’部分の断面図である。

【図2】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＢ−Ｂ’部分の断面図である。

【図3】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＣ−Ｃ’部分の断面図である。

【図4】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＤ−Ｄ’部分の断面図である。

【図5】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＥ−Ｅ’部分の断面図である。

【図6】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図１〜４のａ−ａ’部分の上面図である。

【図7】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図１〜４のｂ−ｂ’部分の上面図である。

【図8】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の上側第２ｐ⁺型領域の配置の他の例を示す上面図である。

【図9】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その１）。

【図10】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その２）。

【図11】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その３）。

【図12】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その４）。

【図13】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その５）。

【図14】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その６）。

【図15】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＡ−Ａ’部分の断面図である。

【図16】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＢ−Ｂ’部分の断面図である。

【図17】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＣ−Ｃ’部分の断面図である。

【図18】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＤ−Ｄ’部分の断面図である。

【図19】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図20】実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＡ−Ａ’部分の断面図である。

【図21】実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＢ−Ｂ’部分の断面図である。

【図22】実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＣ−Ｃ’部分の断面図である。

【図23】実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＤ−Ｄ’部分の断面図である。

【図24】実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図25】実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＡ−Ａ’部分の断面図である。

【図26】実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＢ−Ｂ’部分の断面図である。

【図27】実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図６、７のＥ−Ｅ’部分の断面図である。

【図28】実施の形態１〜４にかかる炭化珪素半導体装置のセルピッチとオン抵抗の関係を示すグラフである。

【図29】従来の炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である（その１）。

【図30】従来の炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である（その２）。