特許 6973979 エミッション防護装置および負荷を作動させる方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6973979

(24)【登録日】2021年11月8日

(45)【発行日】2021年12月1日

(54)【発明の名称】エミッション防護装置および負荷を作動させる方法

(51)【国際特許分類】

   H04B 15/02 20060101AFI20211118BHJP

【ＦＩ】

   H04B15/02

【請求項の数】8

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2019-562649(P2019-562649)

(86)(22)【出願日】2018年3月22日

(65)【公表番号】特表2020-520191(P2020-520191A)

(43)【公表日】2020年7月2日

(86)【国際出願番号】EP2018057315

(87)【国際公開番号】WO2018215119

(87)【国際公開日】20181129

【審査請求日】2019年11月12日

(31)【優先権主張番号】102017208682.3

(32)【優先日】2017年5月23日

(33)【優先権主張国】DE

(73)【特許権者】

【識別番号】591245473

【氏名又は名称】ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

【氏名又は名称原語表記】ＲＯＢＥＲＴ ＢＯＳＣＨ ＧＭＢＨ

(74)【代理人】

【識別番号】100177839

【弁理士】

【氏名又は名称】大場 玲児

(74)【代理人】

【識別番号】100172340

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 始

(74)【代理人】

【識別番号】100182626

【弁理士】

【氏名又は名称】八島 剛

(72)【発明者】

【氏名】ヒューブル・ヨヘン

(72)【発明者】

【氏名】クラリチェク・ペーター

(72)【発明者】

【氏名】クーバッハ・ミヒャエル

【審査官】 鴨川 学

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０８−１８６５４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０１−２３１５１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／００９８５９１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特表２０１６−５１４４４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−１４４６９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１６／０２９４２１６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００３−３３８７２２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０４Ｂ １５／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

エミッション防護装置（２０ａ，２０ｂ）において、
少なくとも１つの導線（３０）を通って負荷（２２）へと転送される、前記負荷（２２）を切換可能および／または通電可能である少なくとも１つの電気信号について、少なくとも１つの前記電気信号と比較して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を生成するように設計された信号生起装置（２０ａ）と、
少なくとも１つの前記電気的な出力信号によって電磁場を発するように送信構造（２０ｂ）を励起可能であるように前記信号生起装置（２０ａ）と接続された前記送信構造（２０ｂ）とを有しており、
前記信号生起装置（２０ａ）が少なくとも１つの導線（３０）についてそれぞれ１つのハイサイドＭＯＳＦＥＴ（３４）とそれぞれ１つのローサイドＭＯＳＦＥＴ（３６）とを有し、これらがそれぞれ付属の前記導線（３０）に接続されて、少なくとも１つの前記導線（３０）を通って前記負荷（２２）へと転送される少なくとも１つの電気信号が、これに対して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を生起するようになっており、
前記信号生起装置（２０ａ）は、それぞれ１つの前記ローサイドＭＯＳＦＥＴ（３６）のローサイド制御信号が、それぞれの前記電気信号に対して１８０°だけ自動的に位相ずれするように設計されている、
エミッション防護装置。

【請求項2】

前記負荷（２２）の、および／または前記負荷（２２）と接続された、もしくは前記負荷（２２）に隣接するエレクトロニクスコンポーネント（２６，２８，３０）の少なくとも１つの金属面から、少なくとも１つの前記電気信号による少なくとも１つの前記金属面の励起に基づいて発せられる電磁干渉場を、前記送信構造（２０ｂ）から発せられる電磁場によって少なくとも部分的に低減可能または消去可能である、請求項１に記載のエミッション防護装置（２０ａ，２０ｂ）。

【請求項3】

請求項１または２に記載のエミッション防護装置（２０ａ，２０ｂ）を有する、負荷（２２）のためのブリッジドライバ（２８）。

【請求項4】

請求項１または２に記載のエミッション防護装置（２０ａ，２０ｂ）を有する、負荷（２２）のための制御部（２８）。

【請求項5】

請求項１または２に記載のエミッション防護装置（２０ａ，２０ｂ）を有する負荷（２２）。

【請求項6】

前記負荷（２２）がモータ（２２）、バルブ、発光装置、および／またはエレクトロニクス器具である、請求項５に記載の負荷（２２）。

【請求項7】

前記負荷（２２）が車両に搭載可能であり、または搭載されている、請求項５に記載の負荷（２２）。

【請求項8】

前記負荷（２２）が電気式のブレーキブースタモータ、ポンプモータ、またはブレーキシステムバルブである、請求項５に記載の負荷（２２）。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はエミッション防護装置に関する。同様に本発明は、負荷のためのブリッジドライバ、負荷のための制御部、および負荷に関する。さらに本発明は、負荷を作動させる方法に関する。

【背景技術】

【0002】

図１ａから１ｃは、従来式の負荷の模式図と、従来技術に基づいて負荷を作動させる標準的な方式を説明するための座標系とを示している。

【0003】

図１ａに模式的に掲げる従来式の負荷１０は、配線板１２に配置された制御部１４によって作動する。そのために負荷１０は、３つの相線Ｕ，ＶおよびＷを介して制御部１４と接続されている。相線Ｕ，ＶおよびＷを通って負荷１０へと転送されて、負荷１０が切り換えられる、および／または通電される電気信号Ｓ_Ｕ，Ｓ_ＶおよびＳ_Ｗが、図１ｂの座標系に表されており、ここで横軸は時間軸ｔであり、縦軸は電圧Ｕ（単位ボルト）を表す（電気信号Ｓ_Ｕ，Ｓ_ＶおよびＳ_Ｗの信号振幅はたとえば１２Ｖであり得る）。

【0004】

しかし、電気信号Ｓ_Ｕ，Ｓ_ＶおよびＳ_Ｗによる負荷１０の制御、切換、および／または通電は、望ましくない電磁干渉場を生成する。たとえばコンポーネント１０から１４および／または相線Ｕ，ＶおよびＷの少なくとも１つの金属面が励起されて、電磁干渉場を発することがある（こうした事実関係は、出願人には内部的な技術水準として知られている）。図１ａに模式的に示すように、望ましくない形の負荷１０の作動によって誘発される電磁干渉場によって、受信アンテナ１６が励起されることがある。図１ａでは、相線Ｕ，ＶおよびＷと受信アンテナ１６との間の「結合キャパシタンス」Ｃ_Ｕ，Ｃ_ＶおよびＣ_Ｗがその励起を表す。受信アンテナ１６により受信される干渉信号Ｓ_{ｍｉｓｔａｋｅ}が図１ｃの座標系に描かれており、その横軸は時間軸ｔを表し、その縦軸は電圧Ｕ（単位ボルト）を表す。

【発明の概要】

【0005】

本発明は、請求項１の構成要件を有するエミッション防護装置、請求項６の構成要件を有する負荷のためのブリッジドライバ、請求項７の構成要件を有する負荷のための制御部、請求項８の構成要件を有する負荷、および請求項１２の構成要件を有する負荷を作動させる方法を提供する。

【0006】

本発明は、望ましくない形の負荷を作動する際に生成される電磁干渉場に対する逆電磁場として、電磁干渉場を少なくとも部分的に低減／消去することができる電磁場を生成するための手段を提供する。このことは、本発明に基づいて生じさせる逆電磁場としての電磁場による、望ましくない形で発せられる電磁干渉場の少なくとも部分的な補償と言い換えることもできる。このように本発明が適用されれば、負荷の作動によって生成される電磁干渉場の望ましくない帰結、たとえば受信アンテナによる干渉信号の受信などを甘受しなくてよくなる。このように本発明は、電磁干渉場に対する改善された防護／エミッション防護に寄与する。

【0007】

明文をもって指摘しておくと、本発明はその好ましい防護作用／エミッション防護作用を金属のシールド／防護シールドなしにもたらす。したがって本発明が適用されれば、金属のシールド／防護シールドを利用する従来の欠点が生じることがない。さらに本発明は、比較的大きい／広面積の金属面が、負荷の制御、切換、および／または通電のために利用される少なくとも１つの電気信号によって、電磁干渉場を発するように励起される場合であっても、好ましいエミッション防護を具体化することができる。したがって、少なくとも１つの干渉場を発する金属面を縮小する必要性がない。比較的多くの電気信号および／または少なくとも１つの電気信号が、比較的高い信号振幅で負荷の制御、切換、および／または通電のために利用される場合であっても、本発明はその利点を具体化することができるので、本発明の適用にあたってはモータ制御の縮小も必要ない。

【0008】

エミッション防護装置の好ましい実施形態では、負荷の、および／または負荷と接続された、もしくは負荷に隣接するエレクトロニクスコンポーネントの少なくとも１つの金属面から、少なくとも１つの電気信号による少なくとも１つの金属面の励起によって発せられる電磁干渉場を、送信構造から発せられる電磁場によって少なくとも部分的に低減可能または消去可能である。（逆電磁場としての）電磁場による、望ましくない形で発せられる電磁干渉場の少なくとも部分的な低減とは、電磁干渉場の少なくとも部分的な消去または電磁干渉場の少なくとも部分的な「負の干渉」として理解することもできる。このように、望ましくない形で発せられる電磁干渉場の帰結を甘受しなくてよく／ほとんど甘受しなくてよい。

【0009】

エミッション防護装置の別の好ましい実施形態では、信号生起装置は少なくとも１つの導線についてそれぞれ１つのハイサイドＭＯＳＦＥＴとそれぞれ１つのローサイドＭＯＳＦＥＴを有し、これらがそれぞれ付属の導線に接続されて、少なくとも１つの導線を通って負荷へと転送される少なくとも１つの電気信号が、これに対して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を生起するようになっている。このように受動的な信号生起も、少なくとも１つの出力信号を生じさせるために利用することができる。さらに受動的な信号生起をするために、比較的低コストなコンポーネントを使用することができる。信号生起装置の別の構成手段は、フリーホイーリングダイオードを有する、または有さない、かつ能動的もしくは受動的なフリーホイーリングを有する、１つのＭＯＳＦＥＴ（ハイサイドＭＯＳＦＥＴ／ローサイドＭＯＳＦＥＴ）だけを有する構成である。

【0010】

たとえば信号生起装置はＢ６ブリッジを有することもでき、これに３つの相線が少なくとも１つの導線としてそれぞれ接続されて、３つの相線を通って負荷へと転送される少なくとも１つの電気信号が、これに対して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を生起するようになっている。少なくとも１つの低コストなコンポーネントによる受動的な信号生起の利点に追加して、ここに説明しているエミッション防護装置の実施形態では、比較的少ない所要設計スペースを有するように信号生起装置を構成することもできる。

【0011】

別案として、信号生起装置は少なくとも１つの導線についてそれぞれ１つのハイサイドＭＯＳＦＥＴとそれぞれ１つのダイオードとを有することができ、これらがそれぞれ付属の導線に接続されて、少なくとも１つの導線を通って負荷へと転送される少なくとも１つの電気信号が、これに対して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を生起するようになっている。エミッション防護装置のこの別案の実施形態も受動的な信号生起のために適しており、比較的低コストに構成することができる。

【0012】

上に説明した各利点は、このような種類のエミッション防護装置を有する負荷のためのブリッジドライバまたは負荷のための制御部でももたらされる。

【0013】

同様に、相応のエミッション防護装置を有する負荷も上に説明した利点を具体化する。負荷はたとえばモータ、バルブ、発光装置、および／またはエレクトロニクス器具であってよい。負荷が車両に搭載可能であるか、または搭載されていても好ましい。たとえば負荷は電気式のブレーキブースタモータ、ポンプモータ、またはブレーキシステムバルブであってよい。しかしながら断っておくと、ここに列挙した負荷の実施例は例示としてのみ解釈されるべきものである。

【0014】

さらに、負荷を作動させる対応する方法の実施も、すでに上に説明した利点をもたらす。明文をもって指摘しておくと、上に説明したエミッション防護装置、負荷のためのブリッジドライバ、負荷のための制御部、および／または負荷に基づいてこの方法を発展形にすることが可能である。

【0015】

次に、本発明のさらなる構成要件や利点について図面を参照しながら説明する。図面は次のものを示す：

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1a】従来式の負荷の模式図と、従来技術に基づいて負荷を作動させる標準的な方式を説明するための座標系である。

【図1b】従来式の負荷の模式図と、従来技術に基づいて負荷を作動させる標準的な方式を説明するための座標系である。

【図1c】従来式の負荷の模式図と、従来技術に基づいて負荷を作動させる標準的な方式を説明するための座標系である。

【図2】エミッション防護装置の第１の実施形態を示す模式図である。

【図3】エミッション防護装置の第２の実施形態を示す模式的な部分図である。

【図4a】エミッション防護装置の第３の実施形態を示す模式的な部分図である。

【図4b】エミッション防護装置の第３の実施形態を示す模式的な部分図である。

【図5】負荷を作動させる方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

図２は、エミッション防護装置の第１の実施形態の模式図を示している。

【0018】

図２に模式的に掲げるエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂは、負荷２２としてのモータ２２と協同作用するために構成されている。一例として、モータ２２はブラシレス直流モータ２２（ＢＬＤＣ、Ｂｒｕｓｈｌｅｓｓ Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｏｔｏｒ）であり、特に、クロック方式でのモータ制御のために設計されたブラシレス三相モータ２２である。しかしながら指摘しておくと、以下に説明するエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂの適用可能性は、モータ２２としての負荷２２の構成だけに限定されるものではない。たとえばエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂは、バルブ、発光装置（たとえば少なくとも１つの発光ダイオードを有する装置）、および／またはエレクトロニクス器具、特に家電器具、材料加工器具（たとえば電動のこぎり）、および／または高性能器具である負荷２２のために利用することもできる。このように、エミッション防護装置２０ａおよび２０ｂは多様に適用可能である。さらに指摘しておくと、ここに列挙した負荷２２の構成に関する例は、例示としてのみ解釈されるべきものである。

【0019】

特に、車両／自動車に搭載される負荷２２のためのエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂの利用が好ましい。他ならぬ車両／自動車の表面／内部で負荷２２が使用される場合、電磁干渉場に対して敏感に反応する少なくとも１つの車両コンポーネント２４を、たとえば図２に示すような受信アンテナ２４を、電磁干渉場を少なくとも部分的に消去するためのエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂの好ましい利用に基づき、負荷２２の比較的近傍で不都合なく利用できると好ましいことが多い。したがって、負荷２２がたとえば電気式のブレーキブースタモータ、ポンプモータ、またはブレーキシステムバルブであると好ましい。ただし指摘しておくと、エミッション防護装置２０ａおよび２０ｂの適用可能性は、車両／自動車の内部／表面に搭載可能な／搭載された負荷２２だけに限定されるものではない。

【0020】

図２の例では、負荷２２は配線板２６に配置された制御部２８によって作動する。制御部２８は、たとえばブリッジドライバ２８であってよい。そのために負荷２２は少なくとも１つの導線３０を介して、たとえば少なくとも１つの金属導線３０を介して、制御部２８と接続される。あくまで一例として、図２の負荷２２は少なくとも１つの導線３０としての３つの相線Ｕ，ＶおよびＷを介して、制御部２８と接続されている。少なくとも１つの導線３０を通って、負荷２２を切換可能である／切り換えられる、および／または通電可能である／通電される少なくとも１つの電気信号が、負荷２２へと転送される。

【0021】

ただし、配線板２６の使用は例示としてのみ解釈されるべきものである。配線板２６の別案として、たとえば打抜き格子やこれに類似する構成部品を使用することもできる。同様に、そのような種類の構成部品における制御部２８の配置を省略することもできる。

【0022】

エミッション防護装置２０ａおよび２０ｂは信号生起装置２０ａを有しており、この信号生起装置は、負荷２２が切り換えられる、および／または通電される、少なくとも１つの導線３０を通って負荷２２へと転送される少なくとも１つの電気信号について、この少なくとも１つの電気信号と比較して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を生成するようにセットアップされる。少なくとも１つの出力信号は、少なくとも１つの導線３０を通って負荷２２へと転送される少なくとも１つの電気信号のための少なくとも１つの補償信号と言い換えることもできる。信号生起装置２０ａは、負荷２２の制御、切換、および／または通電のために利用される少なくとも１つの電気信号と、（これに対して１８０°だけ位相ずれした）少なくとも１つの出力信号／補償信号との「合算」が、少なくとも１つの電気信号の少なくとも低減／部分抑圧をもたらすことになるように、少なくとも１つの出力信号／補償信号を生起するように設計される。少なくとも１つの出力信号／補償信号は、負荷２２の制御、切換、および／または通電のために利用される少なくとも１つの電気信号と、（これに対して１８０°だけ位相ずれした）少なくとも１つの出力信号／補償信号との「合算」が（ほぼゼロの最大の信号振幅を有する）「ゼロ信号」をもたらすことになるように、信号生起装置２０ａによって生成可能であり／生起されるのが好ましい。このように少なくとも１つの出力信号／補償信号は、（１８０°だけ位相ずれした）少なくとも１つの対応する電気信号の信号振幅に等しい出力信号振幅を有することができる。負荷２２の制御、切換、および／または通電のために利用される少なくとも１つの電気信号と、（これに対して１８０°だけ位相ずれした）少なくとも１つの出力信号／補償信号との「合算」は、このケースでは、少なくとも１つの電気信号の「消去」または「完全な補償」をもたらすことになる。

【0023】

さらにエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂは送信構造２０ｂを有しており、この送信構造は、少なくとも１つの電気的な出力信号により電磁場を発するように送信構造２０ｂを励起可能であるように、信号生起装置２０ａと接続されている。信号生起装置２０ａは、少なくとも１つの電気信号と比較して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を送信構造２０ｂに提供可能／出力可能であるように、送信構造２０ｂと接続されるのが好ましい。

【0024】

図２には、少なくとも１つの電気信号による少なくとも１つの面の励起に基づいて少なくとも１つの金属面から発せられる電磁干渉場も、「結合キャパシタンス」Ｃ_Ｕ，Ｃ_ＶおよびＣ_Ｗによって模式的に図示されている。電磁干渉場を発する少なくとも１つの金属面は、負荷２２の、および／または負荷２２と接続された、もしくは負荷２２に隣接するエレクトロニクスコンポーネント２６から３０（たとえば配線板２６、制御部２８、および／または少なくとも１つの金属導線３０）に位置することがあり得る。同様に、送信構造２０ｂから発せられる電磁場も、「補償・結合キャパシタンス」Ｃ_ｃｏｍｐによって模式的に示されている。電磁干渉場は、送信構造２０ｂから発せられる電磁場によって少なくとも部分的に低減可能である。このようにエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂによって、干渉エミッションを低コストな仕方で確実に低減することができる。送信構造２０ｂから発せられる電磁場によって、電磁干渉場を（ほぼ）消去可能であるのが好ましい。送信構造２０ｂから発せられる電磁場は、通常、電磁干渉場に対して１８０°だけ位相ずれしており、そのようにして電磁干渉場に対する逆電磁場として作用する。特に、送信構造２０ｂから発せられる電磁場の補償強度は、電磁干渉場の強度に（ほぼ）等しくなっていてよい。このことは、電磁干渉場の従来の干渉効果の確実な防止をもたらす。

【0025】

図２の例では、信号生起装置２０ａは制御部２８に統合されているのに対して、送信構造２０ｂは例示的に配線板２６に直接形成されており、信号生起装置２０ａは出力信号導線３２を介して送信構造２０ｂと接続されている。しかしながら、図２に掲げる信号生起装置２０ａと送信構造２０ｂとの別々の構成は、一例としてのみ解釈されるべきものである。

【0026】

少なくとも１つの出力信号／補償信号は、信号生起装置２０ａの少なくとも１つの受動的な構成部品によって、および／または信号生起装置２０ａの少なくとも１つの能動的な構成部品によって、少なくとも１つの電気信号との比較で１８０°だけ位相ずれして生成され得る。信号生起装置２０ａを構成するための好ましい選択肢については、あとでさらに詳しく述べる。

【0027】

送信構造２０ｂとして、たとえば単純な金属面を利用することができる。少なくとも１つの導電性材料からなるこれ以外の構成の構造も、送信構造２０ｂとして利用することができる。たとえば（既存の）冷却装置を送信構造２０ｂとして利用することができる。このように送信アンテナとしての送信構造２０ｂの構成が可能であるが、不可欠なわけではない。

【0028】

図３は、エミッション防護装置の第２の実施形態の模式的な部分図を示している。

【0029】

図３に部分的に模式的に示すエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂでは、信号生起装置２０ａは少なくとも１つの導線３０について、それぞれ１つのハイサイドＭＯＳＦＥＴ３４とそれぞれ１つのローサイドＭＯＳＦＥＴ３６とを有している。信号生成装置２０ａのＭＯＳＦＥＴ３４および３６は、少なくとも１つの導線３０を通って（図示しない）負荷２２へと転送される少なくとも１つの電気信号が、これに対して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を（自動的に）（一緒に）生起するように、それぞれ付属の導線３０に接続されている。導線３８を介してハイサイド制御信号が、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ３４のゲートＧに出力される。それに応じて導線４０を介してローサイド制御信号が、ローサイドＭＯＳＦＥＴ３６のゲートＧに出力される。ハイサイドＭＯＳＦＥＴ３４のドレインＤと、これに隣接するローサイドＭＯＳＦＥＴ３６のソースＳとの間で、電気信号をピックアップすることができる。

【0030】

図３の信号生起装置２０ａは「受動的な信号生起」のために設計されている。そのために、それぞれのローサイドＭＯＳＦＥＴ３６のローサイド制御信号が、それぞれの電気信号に対して１８０°だけ自動的に位相ずれすることが活用される。抵抗Ｒ１からＲ３と別の抵抗Ｒ４との間の結節点を介して、電気的な出力信号が全体・出力信号をなすように「合算」されて「スケーリング」されて、送信構造２０へと転送される。

【0031】

ハイサイドＭＯＳＦＥＴ３４とローサイドＭＯＳＦＥＴ３６は、たとえばＢ６ブリッジとして構成されていてよい。このケースでは、Ｂ６ブリッジに（少なくとも１つの導線３０としての）３つの相線Ｕ，ＶおよびＷがそれぞれ接続されて、３つの相線Ｕ，ＶおよびＷを通って負荷２２へと転送される少なくとも１つの電気信号が、これに対して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を生起するようにされる。

【0032】

図４ａおよび４ｂは、エミッション防護装置の第３の実施形態の模式的な部分図を示している。

【0033】

図４ａに示す信号生起装置２０ａは、ブリッジドライバ２８として構成された制御部２８に統合されたエレクトロニクスユニット４２を（図示しないハイサイドドライバおよび図示しないローサイドドライバに追加して）有している。図４ｂに示すブロック図は、集積されたエレクトロニクスユニット４２を示している。ローサイドＵ相、ローサイドＶ相、およびローサイドＷ相のロジック信号が、ディレイ調整のためのコンポーネント４４、ライズ・フォールタイム調整のためのコンポーネント４６、加算器４８、および増幅／減衰のための信号強度変換器５０に（たとえば１２Ｖ、２４Ｖ、または４８Ｖの供給電圧で）提供され、それによって全体・出力信号が得られる。Ｂ６ブリッジまたは集積されているエレクトロニクスユニット４２のパラメータは、それが現在の適用ケースに合わせて適合化されるとともに、電磁干渉場の少なくとも部分的な低減（場合により電磁干渉場の完全な消滅／解消）が引き起こされるように、通信バスを介して調整され得る。

【0034】

エミッション防護装置２０ａおよび２０ｂの別案の実施形態では、信号生起装置２０ａは少なくとも１つの導線３０について、それぞれ１つのハイサイドＭＯＳＦＥＴ３４とそれぞれ１つのダイオードとを有しており、これらがそれぞれ付属の導線３０に接続されて、少なくとも１つの導線３０を通って負荷２２へと転送される少なくとも１つの電気信号が、これに対して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号を生起するようになっている。このように、少なくとも１つのローサイドＭＯＳＦＥＴ３６に代えて、少なくとも１つのダイオードを利用することもできる。信号生起装置のさらに別の構成手段は、フリーホイーリングダイオードを有し、または有さず、かつ能動的もしくは受動的なフリーホイーリングを有する、ただ１つのＭＯＳＦＥＴ（ハイサイドＭＯＳＦＥＴ／ローサイドＭＯＳＦＥＴ）を有する構成である。

【0035】

上に説明したエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂは、それぞれエミッション低減装置として理解することもできる。上に説明したエミッション防護装置２０ａおよび２０ｂの利点は、これを有するように構成された制御部２８（たとえばブリッジドライバ２８）においても、および、これを装備する負荷２２においても保証される。負荷２２の好ましい例はすでに上に列挙している。

【0036】

図５は、負荷を作動させる方法の実施形態を説明するためのフローチャートを示している。

【0037】

方法ステップＳ１で、少なくとも１つの導線を通って負荷へと転送される少なくとも１つの電気信号によって負荷が切り換えられ、および／または通電される。方法ステップＳ１は、負荷の作動中に任意の頻度で反復され得る。

【0038】

方法ステップＳ１とともに、方法ステップＳ２およびＳ３も常に実行される。方法ステップＳ２で、少なくとも１つの電気信号と比較して１８０°だけ位相ずれした少なくとも１つの電気的な出力信号が生成される。少なくとも１つの電気的な出力信号は、少なくとも１つの対応する電気信号の信号振幅に等しい出力信号振幅で（および相応の「スケーリング」で）生成されるのが好ましい。

【0039】

方法ステップＳ３で、少なくとも１つの電気的な出力信号によって、電磁場を発するように送信構造が励起される。方法ステップＳ１でモータ位相が少なくとも１つの電気信号によって転送される場合、送信構造はモータ位相に対して反転して励起／制御される。

【0040】

方法ステップＳ２およびＳ３が実行されることで、方法ステップＳ１の実行によって負荷の、および／または負荷と接続された、もしくは負荷に隣接するエレクトロニクスコンポーネントの少なくとも１つの金属面から（少なくとも１つの電気信号による少なくとも１つの金属面の励起に基づいて）通常は電磁干渉場が発せられることが考慮される。しかし方法ステップＳ２およびＳ３が実行されることで、送信構造から発せられる電磁場によって電磁干渉場が少なくとも部分的に低減または消去される。

【0041】

以上に説明した方法は、（特に低い周波数領域での）エミッション問題を解消するために良好に適用することができる。本方法を実施するのに適した負荷の好ましい例は、すでに上に列挙したとおりである。

【0042】

方法ステップＳ３で、電磁干渉場の強度に等しい補償強度を有する電磁場を発するように送信構造が励起されるのが好ましい。このことは電磁干渉場の完全な消去をもたらす。

【符号の説明】

【0043】

２０ａ エミッション防護装置、信号生起装置
２０ｂ エミッション防護装置、送信構造
２２ 負荷、モータ
２６ エレクトロニクスコンポーネント、配線板
２８ エレクトロニクスコンポーネント、ブリッジドライバ、制御部
３０ エレクトロニクスコンポーネント、導線
３４ ハイサイドＭＯＳＦＥＴ
３６ ローサイドＭＯＳＦＥＴ

【図1a】

【図1b】

【図1c】

【図2】

【図3】

【図4a】

【図4b】

【図5】