(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
それぞれの第1タッチライン及びそれぞれの第2タッチラインは、前記第1方向に延びる対応する前記タッチ電極の側面と接触する、請求項5に記載のディスプレイ装置。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとする課題は、使用者及び/又は道具のタッチに対する信頼性を向上させることができるディスプレイ装置を提供することである。
【0007】
本発明が解決しようとする他の課題は、タッチ電極の位置による寄生キャパシタンスの偏差を防止することができるディスプレイ装置を提供することである。
【0008】
本発明が解決しようとする課題は前述した課題に限定されない。ここで言及しなかった課題は下記の記載から通常の技術者に明らかに理解可能であろう。
【課題を解決するための手段】
【0009】
前記解決しようとする課題を達成するための本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は、素子基板上に位置する少なくとも一つの発光素子と、前記素子基板上に位置し、前記発光素子を覆う封止部材と、前記封止部材上に位置するタッチ電極と、前記素子基板上に位置し、前記封止部材から離隔する第1タッチパッドと、第1方向に延び、各タッチ電極を前記第1タッチパッドのいずれか一つと連結する第1タッチラインと、前記第1方向に延び、前記タッチ電極と個別に連結される第2タッチラインとを含み、それぞれの第2タッチラインは、対応する前記タッチ電極を基準に、対応する前記第1タッチラインの反対方向に延びる。
【0010】
各タッチ電極と連結される第1タッチラインの長さと第2タッチラインの長さの和は同じ値である。
【0011】
第2タッチラインは、第1タッチラインと同じ物質を含む。
【0012】
第1タッチラインは、タッチ電極と同じ物質を含む。
【0013】
第1タッチライン及び第2タッチラインは、タッチ電極と同じ層上に位置する。
【0014】
それぞれの第1タッチライン及びそれぞれの第2タッチラインは、第1方向に延びる該当タッチ電極の側面と接触する。
【0015】
前記素子基板上に位置し、前記発光素子と連結される少なくとも一つの表示パッドをさらに含み、前記表示パッドは、前記第1方向に垂直な第2方向に前記第1タッチラインに平行に位置する。
【0016】
表示パッドは、第1タッチラインと違う物質を含み得る。
【0017】
第2タッチラインは、各タッチ電極を第2タッチパッドのいずれか一つと連結する。第2タッチパッドは、封止部材上に位置する。
【0018】
第2タッチパッドは、第2タッチラインと同じ物質を含む。
【0019】
第2タッチライン及び第2タッチパッドは、タッチ保護膜によって覆われる。
【0020】
タッチ保護膜は、それぞれの第2タッチパッドの一部領域を露出するタッチパッドオープンホールを含み得る。
【0021】
前記解決しようとする他の課題を達成するための本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は素子基板を含む。素子基板は、第1パッド領域と補助領域との間に位置する表示領域を含む。素子基板の表示領域上には少なくとも一つの発光素子が位置する。発光素子封止部材によって覆われる。封止部材は表示領域の外側に延びる。封止部材上にはタッチ電極が位置する。タッチ電極は表示領域と重畳する。各タッチ電極は第1タッチライン及び第2タッチラインと連結される。第1タッチラインは、該当タッチ電極を第1パッド領域内に位置するタッチパッドのいずれか一つと連結する。第2タッチラインは、補助領域内に位置する端部を含む。第1パッド領域は封止部材の外側に位置する。補助領域は封止部材と重畳する。
【0022】
素子基板は、発光素子と連結される少なくとも一つの表示パッドが位置する第2パッド領域をさらに含む。第2パッド領域は封止部材の外側に位置する。
【0023】
補助領域は、表示領域と第2パッド領域との間に位置する。
【0024】
第1タッチラインは、タッチ電極と違う物質を含む。
【0025】
第2タッチラインは、第1タッチラインと同じ物質を含む。
【0026】
タッチ電極は、第1タッチライン及び第2タッチラインを覆うタッチ絶縁膜上に位置する。
【0027】
タッチ絶縁膜は、各タッチ電極と重畳するタッチ貫通ホールを含む。
【0028】
それぞれの第2タッチラインは、該当第1タッチラインと接触する。
【発明の効果】
【0029】
本発明の技術的思想によるディスプレイ装置は、発光素子を覆う封止部材上にタッチ電極が位置し、各タッチ電極が第1タッチライン及び前記第1タッチラインの反対方向に延びる第2タッチラインと連結され得る。前記第1タッチラインは、対応するタッチ電極を第1タッチパッドのいずれか一つと連結することができる。前記第2タッチラインは、封止部材上に位置する端部を含み得る。これにより、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では、前記第1タッチラインの長さ差による寄生キャパシタンスの偏差を減少することができる。すなわち、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では、前記タッチ電極の位置によるタッチ感度の偏差を防止することができる。よって、本発明の技術的思想によるディスプレイ装置では、使用者及び/又は道具のタッチに対する信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための形態】
【0031】
本発明の目的と技術的構成及びこれによる作用効果についての詳細な事項は本発明の実施例を示している図面を参照する以下の詳細な説明によってより明らかに理解可能であろう。ここで、本発明の実施例は当業者に本発明の技術的思想を充分に伝達するために提供するものなので、本発明は以下で説明する実施例に限定されずに他の形態に具体化することができる。
【0032】
また、明細書全般にわたって同じ参照符号で表示した部分は同じ構成要素を意味し、図面において層又は領域の長さと厚さは便宜のために誇張して表現することができる。さらに、第1構成要素が第2構成要素“上”にあると記載する場合、第1構成要素が第2構成要素と直接接触する上側に位置する場合だけではなく、第1構成要素と第2構成要素との間に第3構成要素が位置する場合も含む。
【0033】
ここで、第1、第2などの用語は多様な構成要素を説明するためのものであり、一構成要素を他の構成要素と区別する目的で使う。ただ、本発明の技術的思想を逸脱しない範疇内で第1構成要素と第2構成要素は当業者の便宜によって任意に名付けることができる。
【0034】
本発明の明細書で使う用語はただ特定の実施例を説明するために使うものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。例えば、単数で表現した構成要素は文脈上明白に単数のみ意味しない限り、複数の構成要素を含む。また、本発明の明細書で、“含む”又は“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せが存在することを指定しようとするものであり、一つ又はそれ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せなどの存在又は付加の可能性を予め排除しないものに理解しなければならない。
【0035】
さらに、他に定義しない限り、技術的又は科学的な用語を含めてここで使う全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同じ意味がある。一般的に使われる辞書に定義されているもののような用語は関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味があるものに解釈されなければならなく、本発明の明細書で明白に定義しない限り、理想的又は過度に形式的な意味に解釈されない。
【0036】
(実施例)
図1は本発明の実施例によるディスプレイ装置を概略的に示す図である。
図2aは
図1のI−I’線に沿って切断した断面を示す図であり、
図2bは
図1のII−II’線に沿って切断した断面を示す図であり、
図2cは
図1のIII−III’線に沿って切断した断面を示す図である。
【0037】
図1及び
図2a〜
図2cを参照すると、本発明の実施例によるディスプレイ装置は、素子基板100を含み得る。素子基板100は、絶縁性物質を含み得る。例えば、素子基板100は、ガラス又はプラスチックを含んでもよい。
【0038】
素子基板100は、表示領域AA及びベゼル領域NAを含み得る。ベゼル領域NAは、表示領域AAの外側に位置できる。例えば、表示領域AAはベゼル領域NAによって取り囲まれ得る。
【0039】
素子基板100の表示領域AA上には少なくとも一つの発光素子300を位置付けられる。発光素子300は、特定の色を示す光を放出できる。例えば、発光素子300は、順に積層された第1電極310、発光層320及び第2電極330を含み得る。
【0040】
第1電極310は導電性物質を含み得る。第1電極310は相対的に高い反射率を有し得る。第1電極310は多重層構造を有し得る。例えば、第1電極310は、ITO及びIZOのような透明な導電性物質から形成された透明電極の間にアルミニウム(Al)及び銀(Ag)のような金属から形成された反射電極が位置する構造を有し得る。
【0041】
発光層320は、第1電極310と第2電極330との間の電圧差に対応する輝度の光を生成できる。例えば、発光層320は、発光物質を含む発光物質層(Emission Material Layer;EML)を含み得る。発光物質は有機物質を含むことができる。例えば、本発明の実施例によるディスプレイ装置は、有機物質から形成された発光層320を含む有機発光表示装置であり得る。
【0042】
発光層320は多重層構造を有し得る。例えば、発光層320は、正孔注入層(Hole Injection Layer;HIL)、正孔輸送層(Hole Transporting Layer;HTL)、電子輸送層(Electron Transporting Layer;ETL)及び電子注入層(Electron Injection Layer;EIL)の少なくとも一つをさらに含んでもよい。
【0043】
第2電極330は導電性物質を含み得る。第2電極330は第1電極310と違う物質を含み得る。例えば、第2電極330はITO及びIZOのような透明な導電性物質から形成された透明電極であり得る。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、発光層320で生成された光を第2電極330を介して外部に放出できる。
【0044】
素子基板100と発光素子300との間には駆動回路が位置することができる。駆動回路は、ゲート信号及びデータ信号による駆動電流を発光素子300に提供できる。例えば、駆動回路は、少なくとも一つの薄膜トランジスタ210及びストレージキャパシタ230を含み得る。
【0045】
薄膜トランジスタ210は、ゲート信号及びデータ信号に応じて駆動電流を生成できる。例えば、薄膜トランジスタ210は、半導体パターン211、ゲート絶縁膜212、ゲート電極213、ソース電極214、ドレイン電極215、第1層間絶縁膜216及び第2層間絶縁膜217を含み得る。
【0046】
半導体パターン211は素子基板100の近くに位置できる。半導体パターン211は半導体物質を含み得る。例えば、半導体パターン211は、非晶質シリコン(amorphous Si)又は多結晶シリコン(poly Si)を含み得る。半導体パターン211は酸化物半導体であり得る。例えば、半導体パターン211はIGZOを含んでもよい。
【0047】
半導体パターン211は、ソース領域とドレイン領域との間に位置するチャネル領域を含み得る。ソース領域及びドレイン領域は、チャネル領域より低い抵抗を有し得る。例えば、チャネル領域は、ソース領域及びドレイン領域より低い不純物濃度を有し得る。
【0048】
ゲート絶縁膜212は半導体パターン211上に位置できる。ゲート絶縁膜212は半導体パターン211の外側に延びることができる。例えば、半導体パターン211の側面はゲート絶縁膜212によって覆われ得る。ゲート絶縁膜212は絶縁性物質を含み得る。例えば、ゲート絶縁膜212は、シリコン酸化物(SiO)及び/又はシリコン窒化物(SiN)を含み得る。ゲート絶縁膜212はHigh−K物質を含み得る。例えば、ゲート絶縁膜212はチタン酸化物(TiO)を含み得る。ゲート絶縁膜212は多重層構造を有することができる。
【0049】
ゲート電極213はゲート絶縁膜212上に位置できる。ゲート電極213は半導体パターン211のチャネル領域と重畳できる。ゲート電極213は、ゲート絶縁膜212によって、半導体パターン211と絶縁され得る。ゲート電極213は導電性物質を含み得る。例えば、ゲート電極213は、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)及びタングステン(W)のような金属を含み得る。
【0050】
ソース電極214を、半導体パターン211のソース領域と電気的に連結できる。ドレイン電極215を、半導体パターン211のドレイン領域と連結できる。ソース電極214及びドレイン電極215は、第1層間絶縁膜216及び第2層間絶縁膜217によって、ゲート電極213と絶縁され得る。例えば、ゲート電極213上に第1層間絶縁膜216及び第2層間絶縁膜217を順に積層し、第2層間絶縁膜217上にソース電極214及びドレイン電極215を位置付けられる。第1層間絶縁膜216及び第2層間絶縁膜217は、半導体パターン211のソース領域を露出するソースコンタクトホール、及び半導体パターン211のドレイン領域を露出するドレインコンタクトホールを含み得る。
【0051】
第1層間絶縁膜216及び第2層間絶縁膜217は絶縁性物質を含み得る。例えば、第1層間絶縁膜216及び第2層間絶縁膜217は、シリコン酸化物(SiO)又はシリコン窒化物(SiN)を含み得る。第2層間絶縁膜217は、第1層間絶縁膜216と違う物質を含み得る。例えば、第1層間絶縁膜216はシリコン酸化物(SiO)を含み、第2層間絶縁膜217はシリコン窒化物(SiN)を含み得る。
【0052】
ソース電極214は、ソースコンタクトホールを介して半導体パターン211と電気的に連結できる。例えば、ソース電極214は、半導体パターン211のソース領域と重畳する領域を含み得る。ドレイン電極215は、ドレインコンタクトホールを介して半導体パターン211と電気的に連結できる。例えば、ドレイン電極215は、半導体パターン211のドレイン領域と重畳する領域を含み得る。ドレイン電極215は、ソース電極214から離隔できる。
【0053】
ソース電極214及びドレイン電極215は導電性物質を含み得る。例えば、ソース電極214及びドレイン電極215は、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)及びタングステン(W)のような金属を含み得る。ドレイン電極215は、ソース電極214と同じ物質を含み得る。ソース電極214及びドレイン電極215は、ゲート電極213と違う物質を含み得る。
【0054】
ストレージキャパシタ230は、薄膜トランジスタ210の動作を1フレームの間に維持できる。ストレージキャパシタ230は、少なくとも二つの導電層231、232、233、234を含み得る。例えば、ストレージキャパシタ230は、順に積層された第1ストレージ電極231、第2ストレージ電極232、第3ストレージ電極233及び第4ストレージ電極234を含み得る。
【0055】
ストレージキャパシタンス230を薄膜トランジスタ210と同時に形成できる。例えば、第1ストレージ電極231は半導体パターン211と同じ層上に位置できる。第2ストレージ電極232はゲート電極213と同じ層上に位置できる。例えば、第2ストレージ電極232はゲート絶縁膜212上に位置できる。第3ストレージ電極233は第1層間絶縁膜216と第2層間絶縁膜217との間に位置できる。第4ストレージ電極234は第2層間絶縁膜217上に位置できる。例えば、第4ストレージ電極234は、ソース電極214及びドレイン電極215と同じ層上に位置できる。
【0056】
第1ストレージ電極231は半導体パターン211と同じ物質を含み得る。第2ストレージ電極232、第3ストレージ電極233及び第4ストレージ電極234は導電性物質を含み得る。例えば、第2ストレージ電極232、第3ストレージ電極233及び第4ストレージ電極234は、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)及びタングステン(W)のような金属を含み得る。第2ストレージ電極232はゲート電極213と同じ物質を含み得る。第4ストレージ電極234はソース電極214及びドレイン電極215と同じ物質を含み得る。第3ストレージ電極233は第4ストレージ電極234と違う物質を含み得る。
【0057】
素子基板100と駆動回路との間にはバッファー絶縁膜110が位置できる。バッファー絶縁膜110は、駆動回路の形成工程で素子基板100による汚染を防止できる。バッファー絶縁膜110を駆動回路の外側方向に延ばし得る。例えば、バッファー絶縁膜110はベゼル領域NA上に延ばせる。ゲート絶縁膜212、第1層間絶縁膜216及び第2層間絶縁膜217を、バッファー絶縁膜110に沿って延ばせる。例えば、素子基板100のベゼル領域NA上には、バッファー絶縁膜110、ゲート絶縁膜212、第1層間絶縁膜216及び第2層間絶縁膜217を順に積層できる。
【0058】
バッファー絶縁膜110は絶縁性物質を含み得る。例えば、バッファー絶縁膜110は、シリコン酸化物(SiO)及び/又はシリコン窒化物(SiN)を含み得る。バッファー絶縁膜110は多重層構造を有し得る。例えば、バッファー絶縁膜110は、シリコン酸化物(SiO)から形成された層とシリコン窒化物(SiN)から形成された層が積層された構造を有し得る。
【0059】
駆動回路と発光素子300との間にはオーバーコート層120が位置することができる。オーバーコート層120は、駆動回路による段差を除去できる。例えば、発光素子300に向かうオーバーコート層120の表面は平面(flat surface)であり得る。オーバーコート層120は絶縁性物質を含み得る。例えば、オーバーコート層120は有機絶縁物質を含み得る。オーバーコート層120は、薄膜トランジスタ210の一部領域を露出する電極コンタクトホールを含み得る。例えば、オーバーコート層120はドレイン電極215の一部領域を露出できる。発光素子300を電極コンタクトホールを介して薄膜トランジスタ210と電気的に連結できる。例えば、第1電極310は、電極コンタクトホール内でドレイン電極215と直接接触できる。
【0060】
オーバーコート層120上にはバンク絶縁膜130が位置することができる。バンク絶縁膜130は、発光素子300の動作を独立的に制御するようにできる。例えば、バンク絶縁膜130は第1電極310の縁部を覆うことができる。バンク絶縁膜130は絶縁性物質を含み得る。例えば、バンク絶縁膜130は有機絶縁物質を含み得る。バンク絶縁膜130はオーバーコート層120と違う物質を含み得る。発光層320及び第2電極330を、バンク絶縁膜130によって露出された第1電極310の一部領域上に順に積層できる。
【0061】
発光層320は、バンク絶縁膜130上に位置する端部を含み得る。例えば、発光層320を微細金属マスク(Fine Metal Mask;FMM)で形成できる。バンク絶縁膜130上にはスペーサー140を位置付けられる。スペーサー140は、発光層320の形成工程で微細金属マスク(FMM)による損傷を防止できる。第2電極330はバンク絶縁膜130及びスペーサー140上に延びることができる。第2電極330はベゼル領域NA上に延びることができる。ベゼル領域NA上で、オーバーコート層120の側面、バンク絶縁膜130の側面及びスペーサー140の側面は第2電極330によって覆われ得る。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、オーバーコート層120、バンク絶縁膜130及び/又はスペーサー140を通じての外部水分の浸透を防止できる。
【0062】
素子基板100のベゼル領域NA上には共通電圧供給ライン350が位置することができる。共通電圧供給ライン350は第2電極330と連結されることができる。例えば、第2電極330は、オーバーコート層120の外側で共通電圧供給ライン350と直接接触できる。共通電圧供給ライン350は導電性物質を含み得る。共通電圧供給ライン350は、第2電極330より高い伝導率(conductivity)を有し得る。例えば、共通電圧供給ライン350は、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)及びタングステン(W)のような金属を含み得る。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、共通電圧供給ライン350によって第2電極330の抵抗による輝度偏差を防止できる。
【0063】
共通電圧供給ライン350は第2層間絶縁膜217上に位置できる。オーバーコート層120は共通電圧供給ライン350の一側端部を覆うことができる。例えば、共通電圧供給ライン350は、ソース電極214及びドレイン電極215と同じ物質を含み得る。
【0064】
発光素子300、バンク絶縁膜130及びスペーサー140上には封止部材400が位置できる。封止部材400は、外部衝撃及び水分による発光素子300の損傷を防止できる。封止部材400は多重層構造を有し得る。例えば、封止部材400は、順に積層された第1封止層410、第2封止層420及び第3封止層430を含み得る。第1封止層410、第2封止層420及び第3封止層430は絶縁性物質を含み得る。第2封止層420は、第1封止層410及び第3封止層430と違う物質を含み得る。例えば、第1封止層410及び第3封止層430は無機絶縁物質を含み、第2封止層420は有機絶縁物質を含み得る。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、発光素子300、バンク絶縁膜130及びスペーサー140による段差を封止部材400によって除去できる。
【0065】
封止部材400を表示領域AAの外側に延ばし得る。例えば、封止部材400は、素子基板100のベゼル領域NAと重畳する領域を含み得る。共通電圧供給ライン350上には少なくとも一つのダム800が位置できる。例えば、素子基板100に対向する共通電圧供給ライン350の表面上には第1ダム810及び第2ダム820を平行に位置付けられる。第2電極330はオーバーコート層120と第1ダム810との間で共通電圧供給ライン350と連結できる。ダム800は封止部材400の流れを制御できる。例えば、有機物質から形成された第2封止層420は、オーバーコート層120と第1ダム810との間に位置する側面を含み得る。第1ダム810及び第2ダム820は、無機物質から形成された第3封止層430によって覆われ得る。
【0066】
第1ダム810及び第2ダム820は絶縁性物質を含み得る。第1ダム810及び第2ダム820は多重層構造を有し得る。例えば、第2ダム820は、順に積層された第1ダムパターン821、第2ダムパターン822及び第3ダムパターン823を含み得る。第1ダムパターン821、第2ダムパターン822及び第3ダムパターン823をそれぞれ素子基板100と封止部材400との間に位置する絶縁膜の一つと同時に形成できる。例えば、第1ダムパターン821はオーバーコート層120と同じ物質を含み、第2ダムパターン822はバンク絶縁膜130と同じ物質を含み、第3ダムパターン823はスペーサー140と同じ物質を含み得る。第1ダム810は第2ダム820と同じ構造を有し得る。
【0067】
封止部材400上にはタッチ電極510が位置できる。タッチ電極510は使用者及び/又は道具のタッチを感知できる。タッチ電極510は表示領域AA内に位置ができる。例えば、タッチ電極510を表示領域AA内にマトリックス状に配列できる。タッチ電極510は導電性物質を含み得る。例えば、タッチ電極510は、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)及びタングステン(W)のような金属を含み得る。タッチ電極510は発光素子300と重畳しなくてもよい。例えば、タッチ電極510をバンク絶縁膜130と重畳できる。
【0068】
各タッチ電極510は第1タッチライン520及び第2タッチライン530と連結できる。それぞれの第1タッチライン520は、対応するタッチ電極510を第1パッド領域TP内に位置する第1タッチパッド103の一つと連結できる。第1パッド領域TPはベゼル領域NA内に位置できる。例えば、第1パッド領域TPは封止部材400の外側に位置できる。第1タッチライン520を封止部材400の表面に沿って延ばせる。第1パッド領域TPを第1方向Yに表示領域AAに平行に位置できる。例えば、第1タッチライン520を第1方向Yに延ばせる。第1タッチパッド103を、第1方向Yに垂直な第2方向Xに平行に位置できる。例えば、第1パッド領域TPを第2方向Xに延ばせる。それぞれの第1タッチパッド103と表示領域AAとの間の距離は一定であり得る。
【0069】
第1タッチライン520は導電性物質を含み得る。例えば、第1タッチライン520は、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)及びタングステン(W)のような金属を含み得る。第1タッチライン520はタッチ電極510と同じ物質を含み得る。例えば、それぞれの第1タッチライン520は該当タッチ電極510と直接接触できる。第1タッチライン520を隣接したタッチ電極510の間に延ばせる。例えば、それぞれの第1タッチライン520は、第1方向Yに延びる該当タッチ電極510の側面と接触できる。すなわち、本発明の実施例によるディスプレイ装置は自己容量方式のタッチ構造を含み得る。第1タッチライン520はタッチ電極510と同じ層上に位置できる。例えば、タッチ電極510及び第1タッチライン520は封止部材400と直接接触することができる。
【0070】
ベゼル領域NA上には第2パッド領域DPを位置付けられる。第2パッド領域DPは第2方向Xに第1パッド領域TPに平行に位置できる。例えば、ベゼル領域NA上には二つの第1パッド領域TPが第2方向Xに平行に位置し、第2パッド領域DPが二つの第1パッド領域TPの間に位置できる。第2パッド領域DP内には少なくとも一つの表示パッド101が位置できる。表示パッド101は発光素子300と電気的に連結されることができる。例えば、表示パッド101を薄膜トランジスタ210にデータ信号を印加するデータラインと電気的に連結できる。
【0071】
表示パッド101は多重層構造を有し得る。例えば、表示パッド101は、順に積層された第1パッド層101a及び第2パッド層101bを含み得る。第1パッド層101aは第1層間絶縁膜216と第2層間絶縁膜217との間に位置できる。例えば、第1パッド層101aは第3ストレージ電極233と同じ物質を含み得る。第2パッド層101bは第2層間絶縁膜217上に位置できる。例えば、第2パッド層101bはソース電極214及びドレイン電極215と同じ物質を含み得る。第2層間絶縁膜217は、第1パッド層101aの一部領域を露出するパッド連結ホールを含み得る。第2パッド層101bは、パッド連結ホールを介して第1パッド層101aと連結できる。第1パッド層101a及び/又は第2パッド層101bを表示領域AAの内側方向に延ばせる。
【0072】
第1タッチパッド103は表示パッド101と違う層上に位置できる。例えば、第1タッチパッド103はオーバーコート層120上に位置できる。オーバーコート層120は、表示パッド101の一部領域を露出する少なくとも一つの表示パッドコンタクトホール123hを含み得る。第1タッチパッド103は第1タッチライン520と同じ物質を含み得る。例えば、それぞれの第1タッチパッド103は該当第1タッチライン520と直接接触できる。第1タッチパッド103は、第1パッド層101a及び第2パッド層101bと違う物質を含み得る。
【0073】
それぞれの第2タッチライン530は、該当タッチ電極510を補助領域AP内に位置する第2タッチパッド503の一つと連結できる。補助領域APはベゼル領域NA内に位置できる。補助領域APは封止部材400と重畳することができる。例えば、第2タッチパッド503は封止部材400上に位置できる。第2タッチライン530は封止部材400上のみに位置できる。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、第2タッチライン530及び第2タッチパッド503によって増加するベゼル領域NAの面積が最小化できる。
【0074】
補助領域APは第1方向Yに表示領域AAに平行に位置できる。例えば、表示領域AAは、第1方向Yに第1パッド領域TPと補助領域APとの間に位置することができる。第2タッチライン530を第1方向Yに延ばせる。例えば、それぞれの第2タッチライン530を、該当タッチ電極510を基準に、該当第1タッチライン520の反対方向に延ばせる。第2タッチパッド503は第2方向Xに平行に位置できる。例えば、補助領域APを第2方向Xに延ばせる。それぞれの第2タッチパッド503と表示領域AAとの間の距離は一定であり得る。
【0075】
各タッチ電極510は、対応する第1タッチライン520による寄生キャパシタンス及び対応する第2タッチライン530による寄生キャパシタンスを有し得る。第1方向Yに第1パッド領域TPと補助領域APとの間は一定の距離を有し得る。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、第1方向Yに第1パッド領域TPから相対的に遠く離隔したタッチ電極510が第1方向Yに補助領域APに相対的に近く位置できる。すなわち、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、それぞれの第2タッチ電極530の長さが対応するタッチ電極510と連結された該当第1タッチ電極520の長さと反比例してもよい。例えば、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各タッチ電極510と連結される第1タッチライン520の長さと第2タッチライン530の長さの和が同じ値を有し得る。よって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、各タッチ電極510が対応する第1タッチライン520及び対応する第2タッチライン530によって有する寄生キャパシタンスが同じ値を有し得る。
【0076】
第2タッチライン530は導電性物質を含み得る。例えば、第2タッチライン530は、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)及びタングステン(W)のような金属を含み得る。第2タッチライン530は第1タッチライン520と同じ物質を含み得る。例えば、それぞれの第2タッチライン530は対応するタッチ電極510と直接接触できる。第2タッチライン530は隣接したタッチ電極510の間に延ばせる。例えば、それぞれの第2タッチライン530は、第1方向Yに延びる対応するタッチ電極510の側面と接触できる。それぞれの第2タッチライン530が接触する対応するタッチ電極510の側面は、対応する第1タッチライン520が接触する対応するタッチ電極510の側面に対向できる。例えば、各タッチ電極510は対応する第1タッチライン520と対応する第2タッチライン530との間に位置できる。第2タッチライン530は第1タッチライン520と同じ層上に位置できる。例えば、第2タッチライン530は封止部材400と直接接触できる。
【0077】
第2タッチパッド503は第2タッチライン530と同じ物質を含み得る。例えば、それぞれの第2タッチパッド503は該当第2タッチライン530と直接接触できる。第2タッチパッド503は封止部材400と直接接触できる。
タッチ電極510、第1タッチライン520及び第2タッチライン530上にはタッチ保護膜150を位置付けられる。タッチ保護膜150は、外部衝撃及び水分によるタッチ電極510、第1タッチライン520及び第2タッチライン530の損傷を防止できる。タッチ保護膜150は絶縁性物質を含み得る。
【0078】
タッチ保護膜150は、それぞれの第1タッチパッド103の一部領域を露出する第1パッドオープンホール151h、及び表示パッドコンタクトホール123hと重畳する第2パッドオープンホール152hを含み得る。第2タッチパッド503はタッチ保護膜150によって完全に覆われ得る。例えば、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、第2タッチパッド503が接触しないとき、テスト工程で使われ得る。すなわち、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、タッチ電極510の不良検査のための信号を両方向に印加できる。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、タッチ電極510に対する検査工程を早く行うことができる。また、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、第1タッチライン520の不良検査をタッチ電極510の不良検査と同時に行うことができる。よって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、検査工程の効率を向上できる。
【0079】
結果として、本発明の実施例によるディスプレイ装置は、封止部材400上に位置するタッチ電極510を含み、タッチ電極510が第1タッチパッド103と第2タッチパッド503との間に位置し、各タッチ電極510が該当第1タッチライン520を介して第1タッチパッド103の一つと連結され、該当第2タッチライン530を介して第2タッチパッド503の一つと連結できる。これにより、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、タッチ電極510の位置による寄生キャパシタンスの偏差を防止できる。よって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、使用者及び/又は道具のタッチに対する信頼性を向上できる。
【0080】
本発明の実施例によるディスプレイ装置は、第2タッチパッド503がタッチ保護膜150によって完全に覆われるものとして説明する。しかし、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、タッチ保護膜150が第2タッチパッド503の一部領域を露出できる。例えば、
図3に示したように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、タッチ保護膜150がそれぞれの第2タッチパッド503の一部領域を露出する第3パッドオープンホール153hを含み得る。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、タッチ電極510及び第1タッチライン520の不良検査に使われる装備の自由度を向上できる。また、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、第2タッチパッド503を介して使用者及び/又は道具のタッチを感知できる。よって、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、使用者及び/又は道具のタッチに対する信頼性を効果的に向上できる。
【0081】
本発明の実施例によるディスプレイ装置は、補助領域AP内に第2タッチパッド503が第2方向Xに平行に位置するものとして説明する。しかし、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、第2タッチパッド503が形成されなくてもよい。例えば、
図4に示したように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、それぞれの第2タッチライン530が補助領域AP内に位置する端部を含み得る。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、タッチ電極510及び第1タッチライン520の検査工程に対する変化なしに、タッチ電極510の位置による寄生キャパシタンスの偏差を防止することができる。すなわち、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、テスト工程に対する自由度を向上できる。
【0082】
本発明の実施例によるディスプレイ装置は、表示パッド101が位置する第2パッド領域DPが第2方向Xに第1パッド領域TPに平行に位置するものとして説明する。しかし、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置は、第1タッチパッド103と第1方向Yに平行に位置する表示パッド101を含み得る。例えば、
図5に示したように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、補助領域APが少なくとも一つの表示パッド101が位置する第2パッド領域DPと少なくとも一つの発光素子が位置する表示領域AAとの間に位置できる。表示パッド101は、補助領域AP内に位置する第2タッチパッド503の外側に位置できる。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、表示パッド101、第1タッチパッド103及び第2タッチパッド503の配置に対する自由度を向上できる。
【0083】
本発明の実施例によるディスプレイ装置は、各タッチ電極510が対応する第1タッチライン520及び対応する第2タッチライン530と同じ層上に位置するものとして説明する。しかし、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、タッチ電極510が第1タッチライン520及び第2タッチライン530と違う層上に位置できる。例えば、
図5及び
図6に示したように、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、タッチ電極510がタッチライン540を覆うタッチ絶縁膜550上に位置できる。各タッチライン540を第1方向Yに延ばせる。例えば、各タッチライン540は、第1方向Yに平行に位置するタッチ電極510を横切ることができる。タッチ絶縁膜550は絶縁性物質を含み得る。タッチ絶縁膜550は、各タッチ電極510と重畳するタッチ貫通ホール540hを含み得る。各タッチ電極510は、該当タッチ貫通ホール540hを介して対応するタッチライン540と連結できる。タッチライン540はタッチ電極510と違う物質を含み得る。
【0084】
各タッチライン540は第1パッド領域TPと補助領域APとを連結できる。例えば、それぞれの第1タッチパッド103は、対応するタッチライン540を介して第2タッチパッド503の一つと連結できる。各タッチライン540は、対応するタッチ電極510を第1タッチパッド103の一つと連結する第1タッチライン540b、及び対応するタッチ電極510を第2タッチパッド503の一つと連結する第2タッチライン540aから構成され得る。それぞれの第2タッチライン504aは対応する第1タッチライン504bと直接連結され得る。例えば、それぞれの第2タッチライン504aは対応する第1タッチライン504bと同じ物質を含み得る。これにより、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、各タッチライン540によって対応するタッチ電極510が有する寄生キャパシタンスを同じ値にできる。よって、本発明の他の実施例によるディスプレイ装置では、タッチライン540の形成工程に対する自由度及びタッチ電極510のタッチ感度を向上できる。