発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

窒化物半導体を主な構成材料とする電界効果トランジスタ等の半導体装置においては、ゲート端等に加わる電界を緩和するため、ゲート電極を覆う絶縁膜上にフィールドプレートが設けられることがある。フィールドプレートを設けることにより、電流コラプス現象によるドレイン電流の減少等が抑制される。また、フィールドプレートは、ドレイン電極とゲート電極との間のカップリングを遮蔽する効果も有する。 フィールドプレートは、リフトオフ法により形成される。すなわち、絶縁膜上に開口を有するマスクを形成し、フィールドプレートのための金属を蒸着したのち、マスク上に堆積した金属をマスクと共に除去する。こうして形成されるフィールドプレートは、その形成直後においては絶縁膜上に単独で存在し、いずれの導電性部分にも接続されない。したがって、摩擦等により生じる静電気によってフィールドプレートが帯電し易い状態となる。例えば、のマスクを除去してリフトオフを行う際にマスク除去のための洗浄液を吹き掛けると、その洗浄液との摩擦によってフィールドプレートが帯電する。そして、フィールドプレートが過度に帯電した場合、フィールドプレートとゲート電極との間の放電（アーキング）による絶縁膜の静電破壊が生じ、フィールドプレートとゲート電極とが短絡することがある。これにより、フィールドプレートによる上述した効果が失われてしまう。また、フィールドプレートがソース電極に接続される場合、フィールドプレートとゲート電極とが短絡すると、ソース電極とゲート電極とが短絡し、半導体装置が動作できなくなる。 本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、静電破壊によるフィールドプレートとゲート電極との短絡を低減することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明による半導体装置の製造方法および半導体装置によれば、静電破壊によるフィールドプレートとゲート電極との短絡を低減することができる。