発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

例えば、基板上にフィールドプレートを備える電界効果トランジスタと、特許文献１に記載されるＭＩＭキャパシタとを形成する際、フィールドプレートは、電界効果トランジスタを覆う絶縁膜上に設けられる。この絶縁膜は、酸化ケイ素下地膜から露出するものであり、その膜質は、酸化ケイ素下地膜をフッ酸系溶液にて除去する際に劣化してしまう。このため、ゲートとフィールドプレートとの耐圧が想定よりも低くなり、電界効果トランジスタの寿命が劣化してしまう。 本発明の一側面の目的は、ＭＩＭキャパシタを形成したとしてもトランジスタの寿命劣化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一側面によれば、ＭＩＭキャパシタを形成したとしてもトランジスタの寿命劣化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供できる。