(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記複数の圧力センサが、前記弾性体層について互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なるものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のセンサ装置。
【発明を実施するための形態】
【0010】
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態によるセンサ装置について
図1乃至
図6を用いて説明する。
図1は、本実施形態によるセンサ装置の全体構造を示す概略図である。
図2は、本実施形態によるセンサ装置におけるセンサセルの構造を示す概略図である。
図3は、本実施形態によるセンサ装置における圧力センサを示す平面図である。
図4は、本実施形態によるセンサ装置における圧力センサのセンサ層の立体形状を示す斜視図である。
図5は、圧力センサの圧力に応じた電気抵抗値の電極形状に対する依存性の例を示すグラフである。
図6は、本実施形態によるセンサ装置における圧力センサの配置の例を示す平面図である。
【0011】
本実施形態によるセンサ装置100は、
図1に示すように、センサアレイ10と、垂直走査回路20と、検出回路30と、制御部40とを有する2次元センサである。
【0012】
センサアレイ10は、複数行(例えばm行)及び複数列(例えばn列)に渡って2次元状に配された複数のセンサセル12を含む。なお、m、nは、それぞれ2以上の整数である。センサアレイ10において、複数のセンサセル12は、例えば正方格子状等の矩形格子状に配置されている。
【0013】
それぞれのセンサセル12は、選択トランジスタMと、圧力を測定対象とする圧力センサSとを含む。選択トランジスタMは、例えば、薄膜トランジスタからなる。本実施形態によるセンサ装置100は、選択トランジスタMをアクティブ素子とするアクティブマトリクス駆動方式の2次元センサである。
【0014】
圧力センサSとしては、例えば、圧力変化に伴う電気抵抗値の変化を利用した抵抗変化型の圧力センサを用いることができる。より具体的には、圧力センサSとして、絶縁性樹脂と、絶縁性樹脂に分散された導電性フィラーとを含む感圧導電性材料を有する圧力センサを用いることができ、感圧導電性材料としては感圧導電性ゴムが例示される。このような感圧導電性材料では、加わる圧力の大きさに応じて導電性フィラーの接点数が変化することで、加わる圧力の大きさに応じて電気抵抗値が変化する。また、圧力センサSとして、微細な凹凸が形成された電極に対して、その電極との接触面に微細な凹凸が形成された感圧導電性材料を有する圧力センサを用いることもできる。このような感圧導電性材料では、加わる圧力の大きさに応じて微細な凹凸により電極との接触面積が変化することで、加わる圧力の大きさに応じて電気抵抗値が変化する。そのほかの例としては、フッ化ビニリデン樹脂などの圧電性を有する材料を用いた圧力センサ、ポリ3,4−エチレンジオキチオフェンとポリスチレンスルホン酸からなる導電性高分子に代表される導電性高分子材料を有する感圧導電性材料を用いた圧力センサ、などが挙げられる。圧力センサSの測定可能な圧力の範囲である感圧範囲については後述する。
【0015】
センサアレイ10の各行には、行方向に延在して、駆動信号線Xが配されている。
図1には、第1行、第2行、第3行、第4行、第5行、…、第m行に配された駆動信号線Xを、それぞれ、駆動信号線X
1、X
2、X
3、X
4、X
5、…、X
mと表記している。駆動信号線X
1、X
2、X
3、X
4、X
5、…、X
mは、垂直走査回路20に接続されている。
【0016】
センサアレイ10の各列には、列方向に延在して、出力信号線Yがそれぞれ配されている。
図1には、第1列、第2列、第3列、…、第n列に配された出力信号線Yを、出力信号線Y
1、Y
2、Y
3、…、Y
nと表記している。出力信号線Y
1、Y
2、Y
3、…、Y
nは、検出回路30に接続されている。
【0017】
センサセル12の圧力センサSは、一方の端子が電源電圧線に接続されており、他方の端子が選択トランジスタMのドレイン電極に接続されている。選択トランジスタMのソース電極は、対応する列の出力信号線Yに接続されている。選択トランジスタMのゲート電極は、対応する行の駆動信号線Xに接続されている。
【0018】
垂直走査回路20は、デコーダやシフトレジスタで構成される。垂直走査回路20は、駆動信号線X
1、X
2、X
3、X
4、X
5、…、X
mに、駆動信号PTX
1、PTX
2、PTX
3、PTX
4、PTX
5、…、PTX
mを、それぞれ供給する。これら駆動信号PTXは、駆動信号線Xに接続された選択トランジスタMの駆動信号である。この意味で、垂直走査回路20は、選択トランジスタMの駆動回路でもある。例えば、選択トランジスタMがN型トランジスタの場合、駆動信号PTXがハイレベルのとき、対応する行の選択トランジスタMはオン状態になる。また、駆動信号PTXがローレベルのとき、対応する行の選択トランジスタMがオフ状態になる。
【0019】
検出回路30は、出力信号線Y
1、Y
2、Y
3、…、Y
nの電圧を検出して、圧力センサSの電気抵抗値の出力を検出するための回路である。検出回路30により検出された圧力センサSの電気抵抗値の出力に基づき、圧力センサSによる測定値である圧力の値を算出することが可能となる。
【0020】
制御部40は、垂直走査回路20及び検出回路30に接続されている。制御部40は、種々の演算、制御、判別等の処理を実行するCPUを有している。また、制御部40は、CPUによって実行される様々なプログラム、CPUが参照するデータベース等を格納するROMを有している。また、制御部40は、CPUが処理中のデータや入力データ等を一時的に格納するRAMを有している。
【0021】
制御部40は、CPUがプログラムを実行することにより、垂直走査回路20及び検出回路30の動作やそのタイミングを制御する。また、制御部40は、CPUがプログラムを実行することにより、検出回路30により検出された圧力センサSの電気抵抗値の出力に基づき、圧力センサSによる測定値である圧力の値を算出する処理部として機能する。
【0022】
ここで、センサセル12の構造の一例について
図3を用いて説明する。
図2(a)は、駆動信号線X及び出力信号線Yに接続されたセンサセル12の構造の一例を示す平面図である。
図2(b)は、
図2(a)のA−B線に沿った拡大断面図である。
【0023】
図2(a)及び
図2(b)に示すように、基板60上には、選択トランジスタMのゲート電極62が形成されている。また、基板60上には、駆動信号線Xが形成されている。ゲート電極62は、駆動信号線Xと一体的に形成されて駆動信号線Xに電気的に接続されている。なお、基板60は、基板状部材のほか、シート状部材、フィルム状部材をも含むものであり、その材料としてはあらゆる材料を採用することができる。また、基板60は、柔軟性を有するフレキシブルなものであってもよいし、柔軟性を有しない硬質なものであってもよい。
【0024】
ゲート電極62上には、ゲート絶縁層64が形成されている。ゲート絶縁層64は、駆動信号線X上及び基板60上にも形成されており、層間絶縁層としても機能している。なお、
図2(a)では、ゲート絶縁層64を省略している。
【0025】
ゲート絶縁層64上には、選択トランジスタMのソース電極66S及びドレイン電極66Dが間隔を空けて並列に形成されている。また、ゲート絶縁層64上には、出力信号線Yが形成されている。また、ゲート絶縁層64上には、圧力センサSの一対の電極68、70が間隔を空けて並列に形成されている。さらに、ゲート絶縁層64上には、電源電圧線72が形成されている。ソース電極66Sは、出力信号線Yと一体的に形成されて出力信号線Yに電気的に接続されている。ドレイン電極66Dは、電極68と一体的に形成されて電極68と電気的に接続されている。電極70は、電源電圧線72と一体的に形成されて電源電圧線72に電気的に接続されている。
【0026】
ゲート絶縁層64のソース電極66S及びドレイン電極66Dを含む領域上には、ソース電極66S及びドレイン電極66Dを覆ってソース電極66S及びドレイン電極66Dに接触するように半導体層80が形成されている。
【0027】
また、ゲート絶縁層64の一対の電極68、70を含む領域上には、一対の電極68、70を覆って一対の電極68、70に接触するようにセンサ層82が形成されている。センサ層82の構成材料は、上述した圧力印加に伴って電気抵抗値が変化する感圧導電性材料である。複数の圧力センサSにおけるセンサ層82を構成する感圧導電性材料は、互いに同一材料になっている。
【0028】
こうして、基板60上には、ゲート電極62、ソース電極66S及びドレイン電極66Dを有する選択トランジスタMが形成されている。また、基板60上には、一対の電極68、70及びセンサ層82を有する圧力センサSが形成されている。電極68、70は、それぞれセンサ層82に接触してセンサ層82に電気的に接続されている。なお、選択トランジスタM及び圧力センサSが形成された基板60上には、保護膜等が形成されている。
【0029】
本実施形態によるセンサ装置100は、センサアレイ10に含まれる複数の圧力センサSが、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なるものになっている。すなわち、複数の圧力センサSが、電極68、70及びセンサ層82のうちの少なくとも一方について、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なるものになっている。なお、ここにいう形状には、平面形状、断面形状、立体形状その他のあらゆる形状が含まれる。また、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なる複数の圧力センサSの種類は、特に限定されるものではなく、2種類以上の複数種類であればよい。以下、本実施形態によるセンサ装置100における圧力センサSの形状及び寸法について詳述する。
【0030】
図3(a)乃至
図3(f)は、圧力センサSの例として、圧力センサSa、Sb、Sc、Sd、Se、Sfの平面形状をそれぞれ示している。なお、
図3(a)乃至
図3(f)では、電極68とドレイン電極66Dとの接続、及び電極70と電源電圧線72との接続をそれぞれ省略している。
【0031】
本実施形態によるセンサ装置100における圧力センサSは、例えば、
図3(a)に示す圧力センサSaと、
図3(b)に示す圧力センサSbとを含むことができる。圧力センサSbは、圧力センサSaとは電極68、70の平面形状及びその寸法が異なるものである。圧力センサSaと圧力センサSbとでは、センサ層82の平面形状及びその寸法は互いに同じであるが、電極68、70の平面形状及びその寸法が互いに異なっている。
【0032】
また、本実施形態によるセンサ装置100における圧力センサSは、例えば、
図3(a)に示す圧力センサSaと、
図3(c)に示す圧力センサScとを含むことができる。圧力センサScは、圧力センサSaとはセンサ層82の平面形状及び電極68、70の平面形状が異なるものである。
図3(c)に示すように、圧力センサScのセンサ層82の平面形状は、矩形状とは異なる五角形状その他の多角形状とすることができる。
【0033】
また、本実施形態によるセンサ装置100における圧力センサSは、例えば、
図3(a)に示す圧力センサSaと、
図3(d)に示す圧力センサSdとを含むことができる。圧力センサSdは、電極68、70それぞれ1本有する圧力センサSaとは異なり、電極68、70それぞれ複数本有する櫛歯電極になっている。なお、
図3(d)では、複数本の電極68を接続する電極部分、及び複数の電極70を接続する電極部分を省略している。
【0034】
また、本実施形態によるセンサ装置100における圧力センサSは、例えば、例えば、
図3(a)に示す圧力センサSaと、
図3(e)に示す圧力センサSeとを含むことができる。圧力センサSeは、圧力センサSaとはセンサ層82の平面形状及び電極68、70の平面形状がそれぞれ相似形で寸法が異なるものである。
【0035】
なお、本実施形態によるセンサ装置100では、ある圧力センサSが、他の圧力センサSを内包するように形成されていてもよい。例えば、
図3(f)に示すように、互いに入れ子状に形成された矩形枠状の電極68、70を有する圧力センサSfの内側に、
図3(a)に示す圧力センサSaが形成されていてもよい。圧力センサSaのセンサ層82と圧力センサSfのセンサ層82とは、互いに分離されて形成されていてもよいし、互いに一体的に連続する層として形成されていてもよい。
【0036】
なお、本実施形態によるセンサ装置100における圧力センサSは、上記の圧力センサSa、Sb、Sc、Sd、Se、Sfの組み合わせのみならず、圧力センサSa、Sb、Sc、Sd、Se、Sfから選択される任意の組み合わせを適宜含むことができる。また、センサ層82及び電極68、70の厚さは、圧力センサSa、Sb、Sc、Sd、Se、Sfの間で互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【0037】
また、本実施形態によるセンサ装置100における圧力センサSは、感圧導電性材料からなるセンサ層82の立体形状が異なる圧力センサSを含むことができる。
図4(a)乃至
図4(c)は、それぞれ本実施形態によるセンサ装置100における圧力センサSのセンサ層82の立体形状を示している。センサ層82の立体形状は、例えば、
図4(a)に示すように円柱状であってもよいし、
図4(b)に示すように四角柱状であってもよい。また、
図4(b)及び
図4(c)に示すように、四角柱状のセンサ層82であっても、厚さが互いに異なっていてもよい。これら
図4(a)乃至
図4(c)に示すように、本実施形態によるセンサ装置100における複数の圧力センサSは、互いに異なる立体形状のセンサ層82を有する圧力センサSを含むことができる。なお、センサ層82の立体形状は、
図4(a)乃至
図4(c)に示すものに限定されるものではなく、種々の立体形状を採用することができる。
【0038】
このように、本実施形態によるセンサ装置100は、センサアレイ10に含まれる複数の圧力センサSが、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なるものになっている。互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なる圧力センサSは、センサ層82が互いに同一の感圧導電性材料から構成されていても、電極68と電極70との間の電気抵抗値が互いに異なるため、互いに感圧範囲が異なっている。したがって、本実施形態によれば、感圧範囲を拡大するために異なる感圧導電性材料を用いる必要がなく、よって、より広い感圧範囲を安価に実現することができる。異なる感圧導電性材料を用いる必要がないため、センサ装置100を製造するための工程が複雑化することもない。
【0039】
図5は、圧力センサの圧力に応じた電気抵抗値の電極形状に対する依存性の例を示している。
図5には、電極の平面形状が互いに異なる2つの圧力センサS1、S2について、加わる圧力に対する電気抵抗値の変化を示している。グラフ中、電気抵抗値の変化を実線で示す圧力センサS1と破線で示す圧力センサS2とは、センサ層の材料、形状及び寸法は同じであるが、電極形状が互いに異なっている。
図5に示すように、電極形状が異なると、感圧範囲も異なることがわかる。
【0040】
互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なる圧力センサSは、隣接するセンサセル12等の特定の位置関係にあるセンサセル12に設けることができる。これにより、感圧範囲の異なる複数の圧力センサSの組を測定単位として用いることができる。
【0041】
図6は、本実施形態によるセンサ装置100における圧力センサの配置の例を示している。なお、
図6では、選択トランジスタM等が形成された領域を省略している。
図6に示すように、
図3(a)、
図3(b)及び
図3(d)にそれぞれ示す互いに電極68、70の形状又は寸法が異なる圧力センサSa、Sb、Sdを、互いに隣接する格子状に配置することができる。こうして格子状に配置された圧力センサSa、Sb、Sdは、1つの測定単位Uを構成する。この場合において、制御部40は、測定単位Uにおける圧力センサSa、Sb、Sdの有効な感圧範囲を用いて、測定単位Uごとに圧力値を算出することができる。
【0042】
なお、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なる圧力センサSについて、センサ層82は、互いに同一の感圧導電性材料から構成してもよいし、互いに異なる感圧導電性材料から構成することもできる。上述のように、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なる圧力センサSを用いることで、センサ層82を互いに同一の感圧導電性材料から構成した場合であっても、より広い感圧範囲を実現することができる。さらに、センサ層82を互いに異なる感圧導電性材料から構成することにより、互いに同一の感圧材料から構成した場合と比較して、さらにより広い感圧範囲を実現することができる。
【0043】
このように、本実施形態によれば、センサアレイ10に含まれる複数の圧力センサSが、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なるものになっているので、より広い感圧範囲を安価に実現することができる。
【0044】
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態によるセンサ装置について
図7を用いて説明する。
図7は、本実施形態によるセンサ装置における圧力センサを示す断面図である。なお、上記第1実施形態によるセンサ装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し又は簡略にする。
【0045】
本実施形態によるセンサ装置の基本的構成は、第1実施形態によるセンサ装置100の構成と同様である。本実施形態によるセンサ装置は、圧力センサSが、センサ層82上に形成された弾性体層を有する点で、第1実施形態によるセンサ装置100とは異なっている。さらに、本実施形態によるセンサ装置では、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なる複数の圧力センサSが、弾性体層について互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なっている。
【0046】
本実施形態によるセンサ装置においては、
図7(a)乃至
図7(c)に示すように、第1実施形態と同様、基板60上に複数の圧力センサSが形成されている。なお、
図7(a)乃至
図7(c)では、選択トランジスタMの全体、ゲート絶縁層64、及び圧力センサSの電極68、70を省略している。
【0047】
各圧力センサSは、センサ層82上に形成された弾性体層84をさらに有している。弾性体層84を構成する弾性体材料は、特に限定されるものではなく、ゴム等の種々の弾性体材料を用いることができる。
【0048】
弾性体層84は、
図7(a)に示すように、圧力センサSごと分離されて圧力センサSのセンサ層82上に形成されていてもよい。また、弾性体層84は、
図7(b)に示すように、複数の圧力センサSのセンサ層82上に跨がって形成されていてもよい。これにより、本実施形態によるセンサ装置では、複数の圧力センサSが、弾性体層84について、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なるものになっている。なお、ここにいう形状には、平面形状、断面形状、立体形状その他のあらゆる形状が含まれる。これら互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なる複数の弾性体層84を構成する弾性体材料は、互いに同一材料であってもよいし、互いに異なる材料であってもよい。
【0049】
複数の圧力センサSのセンサ層82は、
図7(a)に示すように互いに分離されて形成されていてもよいし、
図7(c)に示すように互いに一体的に連続する層として形成されていてもよい。
【0050】
本実施形態によるセンサ装置においても、上記のように弾性体層84について互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なる複数の圧力センサSは、第1実施形態と同様の電極68、70及びセンサ層82を有することができる。すなわち、それら複数の圧力センサSは、電極68、70及びセンサ層82のうちの少なくとも一方について、互いに形状及び寸法のうちの少なくとも一方が異なるものになっていてもよい。また、それら複数の圧力センサSは、電極68、70及びセンサ層82について、互いに形状及び寸法が同一のものになっていてもよい。
【0051】
このように、複数の圧力センサSについて、弾性体層84の形状及び寸法の少なくとも一方が異なる場合も、それら複数の圧力センサSは、互いに感圧範囲が異なるものになっている。したがって、本実施形態によれば、感圧範囲を拡大するために異なる感圧導電性材料を用いる必要がなく、よって、より広い感圧範囲を安価に実現することができる。
【0052】
[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず、種々の変形が可能である。
【0053】
例えば、上記実施形態では、薄膜トランジスタ等の選択トランジスタMをアクティブ素子とする場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。選択トランジスタMに代えて、例えばMIM(Metal Insulator Metal)ダイオード等の他のアクティブ素子を用いることができる。各センサセルが、メモリ性を有する素子を備えていてもよい。検出回路30は、例えば電流などの電圧以外の方法で、出力信号線Y
1、Y
2、Y
3、…、Y
nの出力を得てもよい。
【0054】
また、上記実施形態では、センサアレイ10において複数のセンサセル12が矩形格子状に配置されている場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。複数のセンサセル12は、規則的又は不規則的に2次元に配置することができる。
【0055】
また、上記実施形態では、センサアレイ10において圧力センサSを含むセンサセル12が配置されている場合を例に説明したが、圧力センサSを含むセンサセル12のほか、圧力センサSとは異なる種類のセンサを含むセンサセルが配置されていてもよい。圧力センサSとは異なる種類のセンサとしては、温度を測定対象とする温度センサ、湿度を測定対象とする湿度センサ、変位量を測定対象とする変位量センサ、加速度を測定対象とする加速度センサ、対象物の接触や近接を感知するセンサ等が例示される。