特許 6982958 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6982958

(24)【登録日】2021年11月25日

(45)【発行日】2021年12月17日

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1345 20060101AFI20211206BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20211206BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20211206BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20211206BHJP

   G09G 3/36 20060101ALI20211206BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/1345

   G02F1/1368

   G09F9/30 330

   G09G3/20 680G

   G09G3/20 621M

   G09G3/20 623R

   G09G3/36

   G09G3/20 670J

【請求項の数】11

【全頁数】20

(21)【出願番号】特願2017-4029(P2017-4029)

(22)【出願日】2017年1月13日

(65)【公開番号】特開2018-112692(P2018-112692A)

(43)【公開日】2018年7月19日

【審査請求日】2019年12月11日

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002066

【氏名又は名称】特許業務法人筒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】阿部 裕行

(72)【発明者】

【氏名】縣 健太郎

【審査官】 井亀 諭

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１６−０３８４３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１６−２００６５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１４／１１２５６０（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｆ １／１３４５

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板を有し、
前記第１基板上に、平面視において、表示領域と、前記表示領域の周囲に形成された額縁領域と、を有する表示装置であって、
前記表示領域内には、複数の画素と、複数の走査信号線と、複数の映像信号線と、が配置され、
前記額縁領域内には、前記複数の映像信号線に電気的に接続される複数の映像信号配線と、
前記複数の映像信号配線に映像信号を供給するための複数の端子部と、
前記複数の端子部に実装される半導体チップと、が配置され、
前記額縁領域内に配置された前記映像信号配線は、前記端子部と前記映像信号線との間の領域において、
第１配線層に形成され、駆動回路が接続される端子に一端が接続された第１配線と、
前記第１配線層とは異なる第２配線層に形成され、前記第１配線の他端に一端が接続された第２配線と、
前記第１配線層に形成され、前記第２配線の他端に一端が接続された第３配線と、
を含み、
前記第３配線の他端は、前記第２配線層に形成された第４配線を通じて前記映像信号線に接続され、
前記第１配線層は、前記第２配線層よりも前記第１基板側に形成され、
前記第１基板は、前記第２基板と重畳する第１領域と、前記第２基板から露出する第２領域と、を含み、
前記第１配線と、前記第２配線の前記一端は、前記第２領域に位置し、
前記第３配線と、前記第２配線の前記他端は、前記第１領域に位置し、
前記半導体チップから前記第１領域と前記第２領域との境界に至る領域において、前記複数の映像信号配線のそれぞれは、前記第２配線によって形成されている、表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載の表示装置において、
前記第１配線層は、前記複数の走査信号線が配置された層であり、
前記第２配線層は、前記複数の映像信号線が配置された層であり、
前記第１配線は、前記半導体チップに重なり、前記第２配線は、前記半導体チップから露出する、表示装置。

【請求項3】

請求項２に記載の表示装置において、
前記第２配線および前記第４配線は、前記第１基板と反対側の面において、有機絶縁膜で覆われている、表示装置。

【請求項4】

請求項３に記載の表示装置において、
前記第２配線の形成領域と前記第４配線の形成領域との間には、前記有機絶縁膜の非形成領域が配置され、
前記第３配線は、前記有機絶縁膜の前記非形成領域に重なり、
前記第２配線の前記形成領域に重なる前記有機絶縁膜は第１厚さを有し、前記第４配線の前記形成領域に重なる前記有機絶縁膜は前記第１厚さよりも厚い第２厚さを有する、表示装置。

【請求項5】

請求項４に記載の表示装置において、
前記第１配線および前記第３配線は、前記第１基板と反対側の面において、無機絶縁膜で覆われており、
前記第１配線と前記第２配線との間、前記第２配線と前記第３配線との間、および、前記第３配線と前記第４配線との間は、前記無機絶縁膜に形成された開口のコンタクト部を通じて接続され、
前記第１配線と前記第２配線の前記コンタクト部は、前記第２領域に位置し、前記半導体チップに重なり、
前記第２配線と前記第３配線の前記コンタクト部は、前記第１領域に位置し、前記第２基板に重なっている、表示装置。

【請求項6】

請求項１に記載の表示装置において、
前記額縁領域内において、平面視で前記駆動回路と前記表示領域との間の領域には、映像信号を供給すべき前記映像信号線を選択する選択回路が配置され、
前記選択回路は、前記映像信号線と前記第４配線との間に配置される、表示装置。

【請求項7】

請求項１に記載の表示装置において、
前記第１配線層に形成された前記第１配線および前記第３配線の材料と前記第２配線層に形成された前記第２配線および前記第４配線の材料とは、互いに異なっており、
前記第２配線および前記第４配線の材料の比抵抗は、前記第１配線および前記第３配線の材料の比抵抗よりも低い、表示装置。

【請求項8】

請求項７に記載の表示装置において、
前記第２配線および前記第４配線の厚みは、前記第１配線および前記第３配線の厚みよりも厚い、表示装置。

【請求項9】

請求項３に記載の表示装置において、
前記第２配線を覆う前記有機絶縁膜は、前記第２基板と重複していない前記第２領域で、その端面が絶縁膜または透明導電膜に覆われている、表示装置。

【請求項10】

請求項４に記載の表示装置において、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシールと、
前記第１基板と前記第２基板との間に封止された液晶層と、を含む、表示装置。

【請求項11】

請求項１０に記載の表示装置において、
前記非形成領域には前記シールが配置される、表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関し、例えば、表示領域の外側に設けられた額縁領域を有する表示装置に適用して有効な技術に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、液晶表示装置などの表示装置は、アレイ基板と、アレイ基板と対向配置された対向基板と、を有する。アレイ基板は、表示領域と、表示領域の外側に配置された額縁領域と、を有する。表示領域内には、複数の画素と、複数の走査信号線と、複数の映像信号線と、が配置されている。額縁領域のうち、各映像信号線に映像信号を供給する駆動回路が実装される額縁領域を下額縁領域と称する。

【0003】

例えば、特開２０１６−２００６５９号公報（特許文献１）には、アレイ基板の下額縁領域において、駆動回路である半導体チップ配置位置から、各映像信号線に映像信号を供給する駆動回路に到達する映像信号配線を有する表示パネルが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１６−２００６５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上述のような表示装置では、アレイ基板の表示領域内において、複数の走査信号線と複数の映像信号線とは互いに異なる金属層に配置されている。例えば、アレイ基板の下額縁領域において、表示領域内の映像信号線に電気的に接続される映像信号配線は、駆動回路から対向基板の端部周辺において、映像信号線と走査信号線が配置された２層の金属層の配線を用いて引き回している。駆動回路の端子部付近まで２層化すると、プロセスが複雑化する上に、走査信号線で用いられる金属層（一般的には、Ｍｏ（モリブデン））の配線は微細化に適さず、配線の引き回し領域が大きくなる影響があった。

【0006】

また、下額縁領域の映像信号配線は、駆動回路から対向基板の端部周辺において、より表層に近い映像信号線と同層の配線を水分の侵入による配線腐食に対する配線保護の目的で、表示領域に存在する有機絶縁膜を端子部近辺まで形成していた。しかし、有機絶縁膜は水分を含みやすい特性もあるため、有機絶縁膜を介して表示領域内まで水分が侵入するという課題があった。

【0007】

これを避けるため、駆動回路から対向基板の端部周辺においては、映像信号配線は走査信号線が配置された金属層の配線のみを用いる場合もある。しかしこの場合は、上記のように、配線の微細化が難しく、引き回し領域の縮小が難しかった。

【0008】

そこで、本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、下額縁領域の寸法を縮小し、従来技術と同等の配線腐食マージンを確保することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

【0010】

本発明の一態様に係わる表示装置は、第１基板上に、平面視において、表示領域と、表示領域の周囲に形成された額縁領域と、を有する表示装置である。表示領域内には、複数の画素と、複数の走査信号線と、複数の映像信号線と、が配置されている。額縁領域内には、複数の映像信号線に電気的に接続される複数の映像信号配線と、複数の映像信号配線に映像信号を供給するための複数の端子部と、が配置されている。額縁領域内に配置された映像信号配線は、端子部と映像信号線との間の領域において、第１配線層に形成され、駆動回路が接続される端子に一端が接続された第１配線と、第１配線層とは異なる第２配線層に形成され、第１配線の他端に一端が接続された第２配線と、第１配線層に形成され、第２配線の他端に一端が接続された第３配線と、を含む。そして、第３配線の他端は、第２配線層に形成された第４配線を通じて映像信号線に接続され、第１配線層は、第２配線層よりも第１基板側に形成される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】実施の形態に係わる表示装置の一例を示す平面図である。

【図2】実施の形態に係わる表示装置の一例を示す断面図である。

【図3】実施の形態に係わる表示装置の一例を示す断面図である。

【図4】実施の形態に係わる表示装置の等価回路の一例を示す図である。

【図5】実施の形態に係わる表示装置において、映像信号配線のつなぎ替え構造の一例を示す説明図である。

【図6】実施の形態に係わる表示装置において、映像信号配線のつなぎ替え構造の一例を示す平面図である。

【図7】図６のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。

【図8】実施の形態に係わる表示装置において、半導体チップが実装される端子の構造の一例を示す平面図である。

【図9】図８のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。

【図10】実施の形態に係わる表示装置の比較例において、従来の映像信号配線のつなぎ替え構造を示す説明図である。

【図11】実施の形態に係わる表示装置の比較例において、従来の映像信号配線のつなぎ替え構造を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。

【0013】

なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

【0014】

また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0015】

さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。

【0016】

以下の実施の形態で説明する技術は、表示機能層が設けられた表示領域に設けられた複数の素子に、表示領域の周囲から信号を供給する機構を備える表示装置に広く適用可能である。上記のような表示装置には、例えば、液晶表示装置、あるいは有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置など、種々の表示装置が例示できる。以下の実施の形態では、表示装置の代表例として、液晶表示装置を取り上げて説明する。

【0017】

また、以下で説明する実施の形態では、一例として、横電界モードの表示装置を取り上げて説明するが、それに制限されるものではない。

【0018】

（実施の形態）
＜表示装置の構成＞
まず、図１〜図３を参照し、表示装置の構成について説明する。図１は、実施の形態に係わる表示装置の一例を示す平面図である。図２および図３は、実施の形態に係わる表示装置の一例を示す断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。また、図３は、図２のＢ部の拡大断面図である。

【0019】

なお、図１では見易さのため、表示領域ＤＰＡでは、走査信号線ＧＬ（後述する図４参照）および映像信号線ＳＬ（後述する図４参照）の図示を省略している。また、図２は、断面であるが、見易さのためにハッチングは省略している。

【0020】

図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＬＣＤは、画像を表示する表示部ＤＰを有する。表示装置ＬＣＤは、アレイ基板ＢＳと、対向基板ＦＳと、を有するが、例えばそのアレイ基板ＢＳのうち、表示部ＤＰが設けられた領域が、表示領域ＤＰＡである。また、表示装置ＬＣＤは、平面視において、表示部ＤＰの周囲の部分であって、画像を表示しない額縁部（周辺部）ＦＬを有する。額縁部ＦＬが設けられた領域が、額縁領域ＦＬＡである。すなわち、額縁領域ＦＬＡは、表示領域ＤＰＡの外側の領域（周辺領域）である。

【0021】

なお、本願明細書において、平面視において、とは、図１に示すように、アレイ基板ＢＳの主面としての対向面ＢＳｆ（図２参照）に垂直な方向から視た場合を意味する。また、アレイ基板ＢＳの主面としての対向面ＢＳｆ内で互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とし、アレイ基板ＢＳの主面としての対向面ＢＳｆに垂直な方向を、Ｚ軸方向（図２参照）とする。

【0022】

また、表示装置ＬＣＤは、対向配置される一対の基板の間に、表示機能層である液晶層が形成された構造を備える。すなわち、図２に示すように、表示装置ＬＣＤは、表示面側の対向基板ＦＳ、対向基板ＦＳの反対側に位置するアレイ基板ＢＳ、および、対向基板ＦＳとアレイ基板ＢＳとの間に配置される液晶層ＬＣＬ（図３参照）を有する。

【0023】

また、図１に示すアレイ基板ＢＳは、平面視において、Ｘ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ１に平行してＸ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ２、Ｘ軸方向に対して交差、好適には直交するＹ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ３、および、辺ＢＳｓ３に平行してＹ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ４を有する。図１に示すアレイ基板ＢＳが有する辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３、および辺ＢＳｓ４のそれぞれから表示部ＤＰまでの距離は、同程度であって、辺ＢＳｓ１から表示部ＤＰまでの距離よりも短い。

【0024】

以下、本願明細書において、アレイ基板ＢＳの周縁部と記載した場合には、アレイ基板ＢＳの外縁を構成する辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３、および、辺ＢＳｓ４のうちのいずれかを意味する。また、単に周縁部と記載した場合には、アレイ基板ＢＳの周縁部を意味する。

【0025】

表示部ＤＰは、複数の表示素子としての画素Ｐｉｘ（後述する図４参照）を有する。すなわち、複数の画素Ｐｉｘは、アレイ基板ＢＳの表示領域ＤＰＡ上に設けられている。複数の画素Ｐｉｘは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。本実施の形態では、複数の画素Ｐｉｘの各々は、アレイ基板ＢＳの対向面ＢＳｆ側の表示領域ＤＰＡに形成された薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor：ＴＦＴ）を有する。

【0026】

表示装置ＬＣＤは、後述する図４を用いて説明するように、複数の走査信号線ＧＬと、複数の映像信号線ＳＬと、を有する。後述する図４を用いて説明するように、複数の走査信号線ＧＬの各々は、Ｘ軸方向に配列された複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続され、複数の映像信号線ＳＬの各々は、Ｙ軸方向に配列された複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続されている。

【0027】

また、表示装置ＬＣＤは、駆動回路ＣＣを有する。駆動回路ＣＣは、走査信号線駆動回路ＣＧと、映像信号線駆動回路ＣＳと、を含む。後述する図４を用いて説明するように、走査信号線駆動回路ＣＧは、複数の走査信号線ＧＬを介して、複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続され、映像信号線駆動回路ＣＳは、複数の映像信号線ＳＬを介して、複数の画素Ｐｉｘと電気的に接続されている。

【0028】

図１に示す例では、額縁領域ＦＬＡは、額縁領域ＦＬＡ１、ＦＬＡ２、ＦＬＡ３およびＦＬＡ４を含む。額縁領域ＦＬＡ１は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対して、Ｙ軸方向における一方の側（図１中下側）に配置された領域であり、半導体チップＣＨＰが実装される領域である。額縁領域ＦＬＡ２は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ１と反対側（図１中上側）に配置された領域である。額縁領域ＦＬＡ３は、平面視において、表示領域ＤＰＡに対して、Ｘ軸方向における一方の側（図１中左側）に配置された領域であり、額縁領域ＦＬＡ４は、表示領域ＤＰＡを挟んで額縁領域ＦＬＡ３と反対側に配置された領域である。

【0029】

図１に示す例では、アレイ基板ＢＳには、半導体チップＣＨＰが設けられている。半導体チップＣＨＰは、平面視において、額縁領域ＦＬＡ１内に実装されている。半導体チップＣＨＰ内には、映像信号線駆動回路ＣＳが設けられている。したがって、映像信号線駆動回路ＣＳは、アレイ基板ＢＳの対向面ＢＳｆ側の領域であって、Ｙ軸方向において、表示領域ＤＰＡに対して一方の側に配置された領域である額縁領域ＦＬＡ１に設けられている。

【0030】

なお、半導体チップＣＨＰが実装された額縁領域ＦＬＡ１を下額縁領域と称し、表示領域ＤＰＡを挟んで、額縁領域ＦＬＡ１と反対側に配置された額縁領域ＦＬＡ２を、上額縁領域と称することがある。このとき、表示領域ＤＰＡに対して額縁領域ＦＬＡ１が配置された方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ軸方向）における両側に配置された額縁領域ＦＬＡ３およびＦＬＡ４を、それぞれ左額縁領域および右額縁領域と称することがある。

【0031】

また、半導体チップＣＨＰは、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて額縁領域ＦＬＡ１に設けられてもよく、あるいは、アレイ基板ＢＳの外部に設けられ、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）を介してアレイ基板ＢＳと接続されてもよい。額縁領域ＦＬＡ１には、アレイ基板ＢＳと外部とを接続する端子部が設けられる。

【0032】

なお、後述する図５〜図７を用いて説明するように、表示装置ＬＣＤは、平面視において、額縁領域ＦＬＡ内に配置されたシールＳＥＬを有する。シールＳＥＬは、表示部ＤＰの周囲を連続的に囲むように形成され、図２に示す対向基板ＦＳとアレイ基板ＢＳとは、シールＳＥＬに設けられるシール材により接着固定される。このように、表示部ＤＰの周囲にシールＳＥＬを設けることで、表示機能層である液晶層ＬＣＬ（図３参照）を封止することができる。

【0033】

また、図２に示すように、表示装置ＬＣＤのアレイ基板ＢＳの背面ＢＳｂ側には、光源や拡散板等の光学素子からなるバックライトＬＳと、バックライトＬＳから発生した光を偏光する偏光板ＰＬ２が設けられている。偏光板ＰＬ２は、アレイ基板ＢＳに固定されている。一方、対向基板ＦＳの背面ＦＳｆ側には、偏光板ＰＬ１が設けられている。偏光板ＰＬ１は、対向基板ＦＳに固定されている。

【0034】

なお、図２では、表示装置ＬＣＤの基本的な構成部品を例示的に示しているが、変形例としては図２に示す構成部品に加えて、タッチパネルや保護層等の他の部品を追加することができる。

【0035】

また、図３に示すように、表示装置ＬＣＤは、対向基板ＦＳとアレイ基板ＢＳとの間に配置される複数の画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥを有する。本実施の形態の表示装置ＬＣＤは、上記したように横電界モードの表示装置なので、複数の画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、それぞれアレイ基板ＢＳに形成されている。

【0036】

アレイ基板ＢＳは、ガラス基板などからなり、主として画像表示用の回路が形成されている。アレイ基板ＢＳは、対向基板ＦＳ側に位置する対向面ＢＳｆ（図２参照）、および、その反対側に位置する背面ＢＳｂ（図２参照）を有する。アレイ基板ＢＳの対向面ＢＳｆ側には、ＴＦＴなどの駆動素子と、複数の画素電極ＰＥがマトリクス状に形成されている。また、アレイ基板ＢＳは、表示領域ＤＰＡと、表示領域ＤＰＡの外側に設けられた額縁領域ＦＬＡと、を含む。アレイ基板ＢＳはガラス基板以外、ポリイミド等の樹脂で形成されたものであってもよい。

【0037】

図３に示す例は、横電界モード（詳しくはＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード）の表示装置ＬＣＤを示しているので、共通電極ＣＥは、アレイ基板ＢＳの対向面ＢＳｆ（図２参照）側に形成され、無機絶縁膜ＩＦに覆われる。また、複数の画素電極ＰＥは、無機絶縁膜ＩＦを介して共通電極ＣＥと対向するように無機絶縁膜ＩＦの対向基板ＦＳ側に形成される。尚、図３では省略されているが、共通電極ＣＥとアレイ基板ＢＳとの間には、映像信号線ＳＬ、走査信号線ＧＬ、ＴＦＴの半導体層、および各種絶縁膜層が形成される。

【0038】

また、図３に示す対向基板ＦＳは、ガラス基板などからなり、カラー表示の画像を形成するカラーフィルタＣＦが形成されている。対向基板ＦＳは、表示面側である背面ＦＳｆ（図２参照）、および、背面ＦＳｆの反対側に位置する対向面ＦＳｂ（図２参照）を有する。対向基板ＦＳは、アレイ基板ＢＳの対向面ＢＳｆと、対向基板ＦＳの対向面ＦＳｂとが対向した状態で、アレイ基板ＢＳと対向配置されている。なお、アレイ基板ＢＳをＴＦＴ基板と呼び、カラーフィルタＣＦが形成された対向基板ＦＳをカラーフィルタ基板と呼ぶこともできる。また、図３に対する変形例としては、カラーフィルタＣＦをＴＦＴ基板としてのアレイ基板ＢＳに設ける構成を採用してもよい。

【0039】

対向基板ＦＳのカラーフィルタＣＦは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇおよびＣＦｂが周期的に配列されたものである。

【0040】

また、各色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇおよびＣＦｂのそれぞれの境界には、遮光膜ＢＭが形成されている。遮光膜ＢＭはブラックマトリクスと呼ばれ、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属など、遮光性を有する膜からなる。遮光膜ＢＭは、平面視において、格子状に形成される。

【0041】

遮光膜ＢＭは表示領域ＤＰＡおよび額縁領域ＦＬＡのいずれにも形成される。一般的に、遮光膜ＢＭに形成され、カラーフィルタＣＦが埋め込まれた開口部のうち、周縁部側に形成された開口部の端部が、表示領域ＤＰＡと額縁領域ＦＬＡの境界として規定される。なお、表示領域ＤＰＡの周縁部側にダミーのカラーフィルタを設けてもよい。尚、額縁領域ＦＬＡに形成される遮光膜は、表示領域ＤＰＡから対向基板ＦＳの端部に亘って設けられている。

【0042】

また、対向基板ＦＳは、カラーフィルタＣＦを覆う樹脂層ＯＣを有する。各色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇおよびＣＦｂの境界には、遮光膜ＢＭが形成されているので、カラーフィルタＣＦの液晶層側は、凹凸面になっている。樹脂層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの液晶層側の凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。あるいは、樹脂層ＯＣは、カラーフィルタＣＦから液晶層に対して不純物が拡散することを防止する保護膜として機能する。樹脂層ＯＣは、熱硬化性樹脂、または、光硬化性樹脂など、エネルギーを付与することで硬化する成分を含有させることにより、樹脂材料を硬化させることができる。樹脂層ＯＣは、額縁領域ＦＬＡにも設けられている。

【0043】

また、対向基板ＦＳとアレイ基板ＢＳとの間には、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に表示用電圧が印加されることにより形成される電界により表示画像を形成する液晶層ＬＣＬが設けられる。

【0044】

また、対向基板ＦＳは、液晶層ＬＣＬと接する界面である対向面ＦＳｂに、樹脂層ＯＣを覆う配向膜ＡＦ１を有する。また、アレイ基板ＢＳは、液晶層ＬＣＬと接する界面である対向面ＢＳｆに、無機絶縁膜ＩＦおよび複数の画素電極ＰＥを覆う配向膜ＡＦ２を有する。この配向膜ＡＦ１およびＡＦ２は、液晶層ＬＣＬに含まれる液晶の初期配向を揃えるために形成された樹脂膜であって、例えばポリイミド樹脂からなる。この配向膜ＡＦ１およびＡＦ２は額縁領域ＦＬＡにも設けられており、対向基板ＦＳの端部にまで設けられていてもよい。

【0045】

図３に示す表示装置ＬＣＤでは、バックライトＬＳ（図２参照）から出射された光は、偏光板ＰＬ２（図２参照）によってフィルタリングされ、液晶層ＬＣＬに入射する。液晶層ＬＣＬに入射した光は、液晶によって偏光状態を変化させて対向基板ＦＳから出射される。

【0046】

このとき、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥに電圧を印加して形成される電界により、液晶の配向が制御され、液晶層ＬＣＬは光学的なシャッターとして機能する。

【0047】

＜表示装置の等価回路＞
次に、図４を参照し、表示装置の等価回路について説明する。図４は、実施の形態に係わる表示装置の等価回路の一例を示す図である。

【0048】

図４に示すように、表示装置ＬＣＤの表示部ＤＰは、複数の画素Ｐｉｘを有する。複数の画素Ｐｉｘは、平面視において、表示領域ＤＰＡ内で、アレイ基板ＢＳに設けられ、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。

【0049】

また、表示装置ＬＣＤは、複数の走査信号線ＧＬと、複数の映像信号線ＳＬと、を有する。複数の走査信号線ＧＬは、表示領域ＤＰＡで、アレイ基板ＢＳ（例えば図２参照）に設けられ、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の映像信号線ＳＬは、表示領域ＤＰＡで、アレイ基板ＢＳに設けられ、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。複数の映像信号線ＳＬと、複数の走査信号線ＧＬとは、互いに交差する。

【0050】

複数の画素Ｐｉｘの各々は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の各々の色を表示する副画素ＳＰｉｘを含む。副画素ＳＰｉｘの各々は、隣り合う２本の走査信号線ＧＬと、隣り合う２本の映像信号線ＳＬとに囲まれた領域に設けられているが、他の構成であってもよい。

【0051】

各副画素ＳＰｉｘは、薄膜トランジスタからなるトランジスタＴｒｄと、トランジスタＴｒｄのドレイン電極に接続される画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥと液晶層を挟んで対向する共通電極ＣＥと、を有する。なお、図４では、液晶層を等価的に示す液晶容量と、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される保持容量とを、容量Ｃｌｃとして示す。なお、薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極とは電位の極性によって適宜入れ替わる。

【0052】

表示装置ＬＣＤの駆動回路ＣＣ（図１参照）は、映像信号線駆動回路ＣＳと、映像信号線選択回路ＳＳと、走査信号線駆動回路ＣＧと、制御回路ＣＴＬと、共通電極駆動回路ＣＭと、を有する。映像信号線駆動回路ＣＳ、制御回路ＣＴＬおよび共通電極駆動回路ＣＭは、下額縁領域ＦＬＡ１に実装される半導体チップＣＨＰ内に設けられている。映像信号線選択回路ＳＳは、下額縁領域ＦＬＡ１において、表示領域ＤＰＡと半導体チップＣＨＰとの間に設けられている。走査信号線駆動回路ＣＧは、左額縁領域ＦＬＡ３および右額縁領域ＦＬＡ４に設けられている。

【0053】

なお、制御回路ＣＴＬおよび共通電極駆動回路ＣＭは、半導体チップＣＨＰ内ではなく、アレイ基板ＢＳ上に直接形成されていてもよい。その場合は、制御回路ＣＴＬおよび共通電極駆動回路ＣＭは、左額縁領域ＦＬＡ３と右額縁領域ＦＬＡ４、および下額縁領域ＦＬＡ１のシールＳＥＬから表示領域ＤＰＡの間に配置される。

【0054】

Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘのトランジスタＴｒｄの各々のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。また、複数の映像信号線ＳＬの各々は、映像信号線選択回路ＳＳを介し、映像信号配線ＳＷＬを通じて映像信号線駆動回路ＣＳに接続される。映像信号線選択回路ＳＳと映像信号線駆動回路ＣＳとの間は、映像信号配線ＳＷＬで接続されている。映像信号線駆動回路ＣＳは、各映像信号線ＳＬに映像信号を供給する。映像信号線選択回路ＳＳは、各映像信号線ＳＬを選択して、映像信号線駆動回路ＣＳからの映像信号を各映像信号線ＳＬに供給する。

【0055】

また、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘのトランジスタＴｒｄの各々のゲート電極は、走査信号線ＧＬに接続されている。また、各走査信号線ＧＬは、走査信号線駆動回路ＣＧに接続されている。走査信号線駆動回路ＣＧは、各走査信号線ＧＬに走査信号を供給して、各走査信号線ＧＬを走査する。

【0056】

制御回路ＣＴＬは、表示装置の外部から送信されてくる表示データ、クロック信号およびディスプレイタイミング信号等の表示制御信号に基づいて、映像信号線駆動回路ＣＳ、走査信号線駆動回路ＣＧおよび共通電極駆動回路ＣＭを、制御する。

【0057】

制御回路ＣＴＬは、表示装置の副画素の配列や、表示方法、ＲＧＢスイッチ（図示は省略）の有無、あるいはタッチパネル（図示は省略）の有無等によって、外部から供給される表示データや表示制御信号を適宜変換して映像信号線駆動回路ＣＳ、走査信号線駆動回路ＣＧおよび共通電極駆動回路ＣＭに出力する。

【0058】

＜映像信号配線のつなぎ替え構造＞
次に、図５〜図７、図１０〜図１１を参照し、映像信号配線のつなぎ替え構造について説明する。ここでは、本実施の形態の特徴を分かり易くするために、比較例と比較しながら説明する。

【0059】

まず、本実施の形態に係わる表示装置の比較例において、従来の映像信号配線のつなぎ替え構造を図１０〜図１１を用いて説明する。図１０〜図１１は、実施の形態に係わる表示装置の比較例を説明するための図であり、図１０は、従来の映像信号配線のつなぎ替え構造を示す説明図であり、図１１は、従来の映像信号配線のつなぎ替え構造を示す断面図である。図１０は、本実施の形態を示す図５に対応する図であり、図１１は、本実施の形態を示す図７に対応する図である。

【0060】

図１０〜図１１に示すように、比較例における表示装置において、表示領域ＤＰＡの下側の下額縁領域ＦＬＡ１内には、複数の映像信号線ＳＬに電気的に接続される複数の映像信号配線ＳＷＬが配置され、複数の映像信号配線ＳＷＬを通じて複数の映像信号線ＳＬに映像信号を供給する映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰが実装される。半導体チップＣＨＰは、下額縁領域ＦＬＡ１において、アレイ基板ＢＳの対向基板ＦＳと重複しない領域に実装される。

【0061】

アレイ基板ＢＳは、例えば、ガラス基板ＢＳＧ上に、下地膜ＢＦ、第１配線層Ｗ１、無機絶縁膜ＩＯＩ、第２配線層Ｗ２、有機絶縁膜ＯＩ、および無機絶縁膜ＩＦを有する。例えば、第１配線層Ｗ１は、走査信号線ＧＬが配置された金属層であり、第２配線層Ｗ２は、映像信号線ＳＬが配置された金属層である。

【0062】

映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰから映像信号線ＳＬに接続される映像信号配線ＳＷＬは、例えば、映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰとシールＳＥＬとの間の領域において、第１配線ＷＬ１１を含む。第１配線ＷＬ１１は、第１配線層Ｗ１に形成され、映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰが実装される端子Ｔに一端が接続された配線である。そして、第１配線ＷＬ１１の他端は、第２配線層Ｗ２に形成された第２配線ＷＬ１２を通じて映像信号線ＳＬに接続される。これらの第１配線ＷＬ１１および第２配線ＷＬ１２において、第１配線ＷＬ１１と第２配線ＷＬ１２との間は、無機絶縁膜ＩＯＩに形成された開口のコンタクト部ＣＮ１１を通じて接続される。

【0063】

このように、映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰからの映像信号配線ＳＷＬは、アレイ基板ＢＳにおいて、対向基板ＦＳが重複しない領域で、第１配線層Ｗ１に配置している。そして、アレイ基板ＢＳと対向基板ＦＳとが重複する領域で、かつ有機絶縁膜ＯＩを配置している部分の映像信号配線ＳＷＬは、第２配線層Ｗ２に配置している構造である。

【0064】

すなわち、図１０〜図１１に示す比較例における下額縁領域ＦＬＡ１の映像信号配線ＳＷＬは、映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰが接続される端子Ｔから、アレイ基板ＢＳと対向基板ＦＳの重複領域に至るまで、走査信号線ＧＬが配置された第１配線層Ｗ１の配線で引き回している。この走査信号線ＧＬが配置された第１配線層Ｗ１の配線は、用いられる金属材料のため（具体例は後述）、配線幅の微細化に適していない。このため表示領域の画素数が増え、映像信号線の数が増加した場合には、配線の引き回しのためにより大きな領域が必要となるため、下額縁領域ＦＬＡ１の狭額縁化が困難であった。

【0065】

なお、配線数が増加したときの対策として、第１配線層ＷＬ１１と第２配線層ＷＬ１２を平面視で交互に使用し、映像信号配線ＳＷＬを２層化する例もある。しかしながら、この場合は、上層にある第２配線層ＷＬ１２をカバーするため、有機絶縁膜ＯＩが端子Ｔ近傍まで延設されることになる。しかしながら、有機絶縁膜ＯＩは水分を含みやすいため、シールＳＥＬ外の領域では、有機絶縁膜ＯＩに接する第２配線層ＷＬ１２が腐食しやすく、さらには有機絶縁膜ＯＩを伝わってシールＳＥＬ内の第２配線層ＷＬ１２にも腐食が伝播していくという問題があった。また、走査信号線ＧＬと同じ第１配線層ＷＬ１１を用いることには変わりないため、配線の引き回しのための大きな領域は依然として必要であり、下額縁領域ＦＬＡ１の狭額縁化が困難であった。

【0066】

上述のような比較例に対して、本発明者は、下額縁領域ＦＬＡ１の寸法を縮小するために、映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰから、アレイ基板ＢＳと対向基板ＦＳの重複領域に至るまで、映像信号配線ＳＷＬにアレイプロセスの微細化に適した映像信号線ＳＬが配置された第２配線層Ｗ２の配線のみを適用することを検討した。また、比較例と同等の配線腐食マージンを確保するために、対向基板ＦＳの端部周辺で有機絶縁膜ＯＩを抜き、この抜いた部分の映像信号配線ＳＷＬは走査信号線ＧＬが配置された第１配線層Ｗ１に配置することを検討した。

【0067】

そこで、本実施の形態は、上述のような比較例の問題点を解決すべくなされたものであって、下額縁領域ＦＬＡ１の寸法を縮小し、比較例と同等の配線腐食マージンを確保することを目的とするものである。

【0068】

以下、本実施の形態に係わる表示装置ＬＣＤにおいて、映像信号配線ＳＷＬのつなぎ替え構造を図５〜図７を用いて説明する。図５〜図７は、実施の形態に係わる表示装置を説明するための図であり、図５は、映像信号配線のつなぎ替え構造の一例を示す説明図であり、図６は、映像信号配線のつなぎ替え構造の一例を示す平面図であり、図７は、図６のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。

【0069】

図５では、表示領域ＤＰＡの下側の下額縁領域ＦＬＡ１を示している。下額縁領域ＦＬＡ１は、アレイ基板ＢＳにおいて、対向基板ＦＳと重複する領域と、対向基板ＦＳと重複しない領域とを有する。対向基板ＦＳと重複する領域と対向基板ＦＳと重複しない領域との境界が、対向基板ＦＳの端部となる。アレイ基板ＢＳにおいて、対向基板ＦＳと重複する領域には、映像信号線選択回路ＳＳが設けられている。アレイ基板ＢＳにおいて、対向基板ＦＳと重複しない領域には、映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰが実装される。映像信号線選択回路ＳＳと映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰとの間は、映像信号配線ＳＷＬで接続される。図６および図７では、映像信号線選択回路ＳＳと映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰとの間を接続する映像信号配線ＳＷＬを示している。

【0070】

図５〜図７（上述した図１〜図４も参照）に示すように、本実施の形態の表示装置ＬＣＤは、アレイ基板（第１基板）ＢＳと、アレイ基板ＢＳと対向配置された対向基板（第２基板）ＦＳと、アレイ基板ＢＳと対向基板ＦＳとの間に設けられ、アレイ基板ＢＳと対向基板ＦＳとを接着するシールＳＥＬと、を有する。

【0071】

アレイ基板ＢＳは、表示領域ＤＰＡと、平面視において、表示領域ＤＰＡに対してＹ軸方向における下側に配置された下額縁領域ＦＬＡ１と、を含む。また、図１に示したように、アレイ基板ＢＳは、平面視において、表示領域ＤＰＡに対して、Ｙ軸方向における上側に配置された上額縁領域ＦＬＡ２と、Ｘ軸方向における左側および右側に配置された左額縁領域ＦＬＡ３および右額縁領域ＦＬＡ４とを含む。

【0072】

これらの下額縁領域ＦＬＡ１、上額縁領域ＦＬＡ２、左額縁領域ＦＬＡ３および右額縁領域ＦＬＡ４を含む額縁領域ＦＬＡ内には、表示領域ＤＰＡの周囲を連続的に囲むようにシールＳＥＬが配置されている。このシールＳＥＬは、シール材によりアレイ基板ＢＳと対向基板ＦＳとを接着固定する。

【0073】

表示領域ＤＰＡ内には、複数の画素Ｐｉｘと、複数の走査信号線ＧＬと、複数の映像信号線ＳＬと、が配置されている。下額縁領域ＦＬＡ１内には、複数の映像信号線ＳＬに電気的に接続される複数の映像信号配線ＳＷＬと、複数の映像信号配線ＳＷＬに映像信号を供給するための複数の端子部（端子Ｔ）とが配置されている。複数の端子部には、複数の映像信号配線ＳＷＬを通じて複数の映像信号線ＳＬに映像信号を供給する映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰが実装される。半導体チップＣＨＰは、下額縁領域ＦＬＡ１において、アレイ基板ＢＳの対向基板ＦＳと重複しない領域に実装される。

【0074】

アレイ基板ＢＳは、例えば、ガラス基板ＢＳＧ上に、下地膜ＢＦ、第１配線層Ｗ１、無機絶縁膜ＩＯＩ、第２配線層Ｗ２、有機絶縁膜ＯＩ、および無機絶縁膜ＩＦを有する。アレイ基板ＢＳにおいて、ガラス基板ＢＳＧ上には、下地膜ＢＦが設けられている。下地膜ＢＦ上には、第１配線層Ｗ１が設けられている。第１配線層Ｗ１の各配線は、無機絶縁膜ＩＯＩで覆われている。第１配線層Ｗ１上には、第２配線層Ｗ２が設けられている。第２配線層Ｗ２の各配線は、有機絶縁膜ＯＩで覆われている。有機絶縁膜ＯＩ上には、無機絶縁膜ＩＦが設けられている。無機絶縁膜ＩＦは、透明絶縁膜（ＩＴＯ、ＩＺＯなど）で形成されていてもよい。有機絶縁膜ＯＩは、アレイ基板ＢＳ上において、対向基板ＦＳと重複していない領域において、端面Ｅを有する。無機絶縁膜ＩＦは、有機絶縁膜ＯＩの端面Ｅも覆って形成される。

【0075】

例えば、第１配線層Ｗ１は、走査信号線ＧＬが配置された金属層であり、第２配線層Ｗ２は、映像信号線ＳＬが配置された金属層である。すなわち、表示領域ＤＰＡにおいて、複数の画素Ｐｉｘに電気的に接続される複数の走査信号線ＧＬはアレイ基板ＢＳの第１配線層Ｗ１に配置され、複数の画素Ｐｉｘに電気的に接続される複数の映像信号線ＳＬはアレイ基板ＢＳの第２配線層Ｗ２に配置されている。

【0076】

映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰから映像信号線ＳＬに電気的に接続される映像信号配線ＳＷＬは、例えば、映像信号線駆動回路ＣＳとシールＳＥＬとの間、すなわち映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰとシールＳＥＬとの間の領域において、第１配線ＷＬ１と、第２配線ＷＬ２と、第３配線ＷＬ３と、を含む。第１配線ＷＬ１は、第１配線層Ｗ１に形成され、映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰが実装される端子Ｔに一端が接続された配線である。第２配線ＷＬ２は、第１配線層Ｗ１とは異なる第２配線層Ｗ２に形成され、第１配線ＷＬ１の他端に一端が接続された配線である。第３配線ＷＬ３は、第１配線層Ｗ１に形成され、第２配線ＷＬ２の他端に一端が接続された配線である。そして、第３配線ＷＬ３の他端は、第２配線層Ｗ２に形成された第４配線ＷＬ４を通じて映像信号線ＳＬに接続される。

【0077】

これらの第１配線ＷＬ１、第２配線ＷＬ２、第３配線ＷＬ３および第４配線ＷＬ４において、第１配線ＷＬ１と第２配線ＷＬ２との間は、無機絶縁膜ＩＯＩに形成された開口のコンタクト部ＣＮ１を通じて接続される。第２配線ＷＬ２と第３配線ＷＬ３との間は、無機絶縁膜ＩＯＩに形成された開口のコンタクト部ＣＮ２を通じて接続される。第３配線ＷＬ３と第４配線ＷＬ４との間は、無機絶縁膜ＩＯＩに形成された開口のコンタクト部ＣＮ３を通じて接続される。

【0078】

すなわち、映像信号配線ＳＷＬは、映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰが実装される端子Ｔから、第１配線ＷＬ１、コンタクト部ＣＮ１、第２配線ＷＬ２、コンタクト部ＣＮ２、第３配線ＷＬ３、コンタクト部ＣＮ３および第４配線ＷＬ４を通じて、映像信号線ＳＬに電気的に接続される構造になっている。

【0079】

このように、映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰからの映像信号配線ＳＷＬは、アレイ基板ＢＳにおいて、対向基板ＦＳが重複しない領域で、第１配線層Ｗ１から第２配線層Ｗ２へ接続する。さらに、対向基板ＦＳの端部周辺で、有機絶縁膜ＯＩを抜いて、無機絶縁膜ＩＯＩ上にシールＳＥＬを配置する。さらに、アレイ基板ＢＳと対向基板ＦＳとが重複する領域で、かつ有機絶縁膜ＯＩを抜いた部分Ｆの映像信号配線ＳＷＬは、第１配線層Ｗ１に配置する。そして、シールＳＥＬの内側の有機絶縁膜ＯＩを配置している部分で、映像信号配線ＳＷＬは、第２配線層Ｗ２に配置する。

【0080】

すなわち、図５〜図７に示す本実施の形態における下額縁領域ＦＬＡ１の映像信号配線ＳＷＬは、第１配線層Ｗ１に形成された第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３と、第２配線層Ｗ２に形成された第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４とをつなぎ替えることで、腐食対策を行いながら、微細加工により狭ピッチ化が可能な第２配線層Ｗ２の配線をより広い範囲で適用することができる。具体的には、第２配線ＷＬ２で配線の細線化を行うことで、半導体チップＣＨＰが実装される端子Ｔから対向基板ＦＳの端部までの間ＷＤ１で、第２配線ＷＬ２の傾斜を強く形成することができる。これにより、コンタクト部ＣＮ２、ＣＮ３の位置をアレイ基板ＢＳの端部側（図５において、額縁領域ＦＬＡ３、ＦＬＡ４に近い位置）に配置することができる。この結果、第４配線ＷＬ４の傾斜をゆるく配置することができ、第４配線ＷＬ４の縦方向（映像信号線ＳＬの延在方向に沿った方向）の寸法を短くすることができる。このため、トータルで下額縁領域ＦＬＡ１の寸法を縮小することができる。例えば、表示領域が５．４５インチ、画素数がＷＱＨＤの表示装置ＬＣＤであれば、下額縁領域ＦＬＡ１を、図１０に示した比較例に対して、約５％縮小することができる。

【0081】

また、他のサイズの表示装置ＬＣＤにおいても、下額縁領域ＦＬＡ１を概ね３〜１０％縮小することが可能となる。

【0082】

また、本実施の形態の表示装置ＬＣＤにおいては、図７に示すように、第２配線層Ｗ２に形成された第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４は、有機材料からなる有機絶縁膜ＯＩで覆われている。さらに、有機絶縁膜ＯＩで覆われている第２配線ＷＬ２と、有機絶縁膜ＯＩで覆われている第４配線ＷＬ４との間の領域には、有機絶縁膜ＯＩが配置されず、シールＳＥＬが配置されている。一方、第１配線層Ｗ１に形成された第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３は、無機材料からなる無機絶縁膜ＩＯＩで覆われている。これにより、水分を含みやすい有機絶縁膜ＯＩが配置されない領域、すなわち有機絶縁膜ＯＩを抜いた領域（有機絶縁膜ＯＩの非形成領域）をシールＳＥＬと重複する領域に形成しているため、有機絶縁膜ＯＩを伝わって水分が内部に浸透していくことを防ぐことができ、比較例と同等の配線腐食マージンを確保することができる。なお、図７では、アレイ基板ＢＳにおいて、対向基板ＦＳが重複しない領域で、有機絶縁膜ＯＩの膜厚を薄くする例を示しているが、必ずしも薄くする必要はない。

【0083】

また、本実施の形態の表示装置ＬＣＤにおいては、図５に示すように、下額縁領域ＦＬＡ１内において、平面視で映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰが接続される端子Ｔと表示領域ＤＰＡとの間の領域には、映像信号配線ＳＷＬからの映像信号を印加する映像信号線ＳＬを選択する映像信号線選択回路ＳＳが配置されている。たとえば、一本の映像信号配線ＳＷＬからは、三本分の映像信号線ＳＬへ印加する映像信号が時系列的に流れており、映像信号線選択回路ＳＳによって、映像信号配線ＳＷＬからどの映像信号線ＳＬへ信号を印加するのかの切り替えが適宜行われる。この映像信号線選択回路ＳＳにより、下額縁領域ＦＬＡ１内における映像信号配線ＳＷＬの数を映像信号線ＳＬよりも減少させることができる。そして、下額縁領域ＦＬＡ１内に配置された映像信号配線ＳＷＬは、平面視で映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰと映像信号線選択回路ＳＳとの間の領域において、第１配線ＷＬ１と、第２配線ＷＬ２と、第３配線ＷＬ３と、第４配線ＷＬ４と、を含む。これにより、下額縁領域ＦＬＡ１、特に映像信号線駆動回路ＣＳを含む半導体チップＣＨＰと表示領域ＤＰＡとの間の領域を縮小することが可能となる。

【0084】

また、これらの第１配線ＷＬ１、第２配線ＷＬ２、第３配線ＷＬ３および第４配線ＷＬ４において、第１配線層Ｗ１に形成された第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３の材料と、第２配線層Ｗ２に形成された第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４の材料とは、互いに異なっている。例えば、第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３の材料は、Ｍｏ（モリブデン）の金属を用いており、第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４の材料は、Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）／Ｔｉの積層膜の金属を用いている。

【0085】

第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３の材料であるＭｏの比抵抗は、５．６×１０^−８Ωｍ（温度２０℃）である。一方、第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４の材料であるＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜において、この主材料のＡｌの比抵抗は、２．７５×１０^−８Ωｍ（温度２０℃）である。このように、第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４の材料の比抵抗は、第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３の材料の比抵抗よりも低いものとなっている。なお、配線の材料の比抵抗は、配線が複数の材料の積層膜である場合は、主材料の比抵抗である。

【0086】

また、第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３と、第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４とは、厚み、線幅、配線密度なども互いに異なっていてもよい。すなわち、第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４は、映像信号線ＳＬが配置された第２配線層Ｗ２に形成されるため、微細化に適したアレイプロセスにより狭ピッチ化を図ることができる。例えば、図７に示すように、第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４の厚みは、第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３の厚みよりも厚い構造になっている。また、第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４の線幅は、第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３の線幅よりも狭い構造にしてもよい。また、第２配線ＷＬ２および第４配線ＷＬ４の配線密度は、第１配線ＷＬ１および第３配線ＷＬ３の配線密度よりも高い構造にしてもよい。

【0087】

以上説明した本実施の形態の表示装置ＬＣＤによれば、下額縁領域ＦＬＡ１の半導体チップＣＨＰから対向基板ＦＳの端部の映像信号配線ＳＷＬに微細加工により狭ピッチ化が可能な第２配線層Ｗ２の配線を使用でき、有機絶縁膜ＯＩを配置しない領域で映像信号配線ＳＷＬをつなぎ替えることで、下額縁領域ＦＬＡ１の寸法を縮小し、比較例と同等の配線腐食マージンを確保することができる。

【0088】

＜半導体チップが実装される端子の構造＞
次に、図８〜図９を参照し、半導体チップが実装される端子の構造について説明する。図８は、実施の形態に係わる表示装置において、半導体チップが実装される端子の構造の一例を示す平面図である。図８では、半導体チップが実装される複数の端子のうちの１個を示している。図９は、図８のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。

【0089】

本実施の形態の表示装置ＬＣＤにおいて、半導体チップＣＨＰが実装される端子Ｔは、アレイ基板ＢＳにおいて、対向基板ＦＳが重複しない領域に配置している。半導体チップＣＨＰが実装される端子Ｔの構造は、図８〜図９に示すように、アレイ基板ＢＳにおいて、例えば、ガラス基板ＢＳＧ上に、下地膜ＢＦ、第１配線層Ｗ１、無機絶縁膜ＩＯＩ、第２配線層Ｗ２、第１導電膜ＩＴＯ１、無機絶縁膜ＩＦ、および第２導電膜ＩＴＯ２を有する。端子Ｔは、第１配線層Ｗ１、第２配線層Ｗ２、第１導電膜ＩＴＯ１および第２導電膜ＩＴＯ２の積層構造である。この端子Ｔの積層構造の第２導電膜ＩＴＯ２上には、半田などを介して半導体チップＣＨＰが実装される。なお、アレイプロセスにより、端子Ｔの構造には、第１導電膜ＩＴＯ１は必ずしも積層されなくてもよい。

【0090】

図８〜図９では、アレイ基板ＢＳにおいて、Ｄ−Ｄ’線のＤ’側が対向基板ＦＳと重複する領域であり、図８〜図９のＤ−Ｄ’線のＤ’側が図６〜図７のＣ−Ｃ’線のＣ側と繋がる。すなわち、半導体チップＣＨＰが実装される端子Ｔは、上述した映像信号配線ＳＷＬに接続される。この場合、端子Ｔの積層構造において、第１配線層Ｗ１から引き出された配線が上述した映像信号配線ＳＷＬとなる。

【0091】

以上説明した本実施の形態の表示装置ＬＣＤによれば、半導体チップＣＨＰが実装される端子Ｔの積層構造において、第１配線層Ｗ１から引き出した配線が映像信号配線ＳＷＬとなり、図５〜図７に示した第１配線ＷＬ１、コンタクト部ＣＮ１、第２配線ＷＬ２、コンタクト部ＣＮ２、第３配線ＷＬ３、コンタクト部ＣＮ３および第４配線ＷＬ４を通じて、映像信号線ＳＬに接続される構造となっている。

【0092】

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【0093】

例えば、前記実施の形態では、開示例として液晶表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。

【0094】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

【0095】

例えば、前記実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0096】

ＡＦ１、ＡＦ２ 配向膜
ＢＦ 下地膜
ＢＭ 遮光膜
ＢＳ アレイ基板
ＢＳｂ、ＦＳｆ 背面
ＢＳｆ、ＦＳｂ 対向面
ＢＳＧ ガラス基板
ＢＳｓ１〜ＢＳｓ４ 辺
ＣＣ 駆動回路
ＣＥ 共通電極
ＣＦ カラーフィルタ
ＣＦｂ、ＣＦｇ、ＣＦｒ カラーフィルタ画素
ＣＧ 走査信号線駆動回路
ＣＨＰ 半導体チップ
Ｃｌｃ 容量
ＣＭ 共通電極駆動回路
ＣＮ１、ＣＮ２、ＣＮ３、ＣＮ１１ コンタクト部
ＣＳ 映像信号線駆動回路
ＣＴＬ 制御回路
ＤＰ 表示部
ＤＰＡ 表示領域
ＦＬ 額縁部
ＦＬＡ 額縁領域
ＦＬＡ１ 下額縁領域
ＦＬＡ２ 上額縁領域
ＦＬＡ３ 左額縁領域
ＦＬＡ４ 右額縁領域
ＦＳ 対向基板
ＧＬ 走査信号線
ＩＦ 無機絶縁膜
ＩＯＩ 無機絶縁膜
ＩＴＯ１、ＩＴＯ２ 導電膜
ＬＣＤ 表示装置
ＬＣＬ 液晶層
ＬＳ バックライト
ＯＣ 樹脂層
ＯＩ 有機絶縁膜
ＰＥ 画素電極
Ｐｉｘ 画素
ＰＬ１、ＰＬ２ 偏光板
ＳＥＬ シール
ＳＬ 映像信号線
ＳＰｉｘ 副画素
ＳＳ 映像信号線選択回路
ＳＷＬ 映像信号配線
Ｔ 端子
Ｔｒｄ トランジスタ
Ｗ１ 第１配線層
Ｗ２ 第２配線層
ＷＬ１、ＷＬ１１ 第１配線
ＷＬ２、ＷＬ１２ 第２配線
ＷＬ３ 第３配線
ＷＬ４ 第４配線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】