特許 6983041 半導体受光装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6983041

(24)【登録日】2021年11月25日

(45)【発行日】2021年12月17日

(54)【発明の名称】半導体受光装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/02 20060101AFI20211206BHJP

【ＦＩ】

   H01L31/02 B

【請求項の数】12

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2017-220847(P2017-220847)

(22)【出願日】2017年11月16日

(65)【公開番号】特開2019-91844(P2019-91844A)

(43)【公開日】2019年6月13日

【審査請求日】2020年10月7日

(73)【特許権者】

【識別番号】000002303

【氏名又は名称】スタンレー電気株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100100011

【弁理士】

【氏名又は名称】五十嵐 省三

(72)【発明者】

【氏名】村田 知之

(72)【発明者】

【氏名】大久保 努

【審査官】 山本 元彦

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−２６１３８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−１７３９４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１３−５３６５６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−０１２１９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１６／０２１８２３９（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ３１／００−３１／０３９２、３１／０８−３１／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に設けられた光半導体素子と、
前記光半導体素子上に設けられた凸状又は球状の透明樹脂層と、
前記基板上に設けられ、透明樹脂よりなる樹脂層と
を具備し、
前記樹脂層は、
前記光半導体素子の側壁を完全に覆い遮光性フィラを含むフィラ含有下層樹脂部と、
前記凸状又は球状の透明樹脂層の側壁を完全に覆い前記遮光性フィラを含まないフィラ非含有上層樹脂部と
を具備する半導体受光装置。

【請求項2】

さらに、前記基板の周囲部上に設けられ、前記樹脂層を囲む枠体を具備する請求項１に記載の半導体受光装置。

【請求項3】

前記枠体の高さは前記光半導体素子と前記凸状又は球状の透明樹脂層との合計高さと同一である請求項２に記載の半導体受光装置。

【請求項4】

前記枠体の高さは前記光半導体素子と前記凸状又は球状の透明樹脂層との合計高さより大きい請求項２に記載の半導体受光装置。

【請求項5】

前記球状の透明樹脂層の一部は上面視で前記光半導体素子から外側へ突出している請求項１に記載の半導体受光装置。

【請求項6】

前記光半導体素子の上面より高い位置では、前記凸状又は球状の透明樹脂層及び前記フィラ非含有上層樹脂部のみが存在する請求項１〜５のいずれかに記載の半導体受光装置。

【請求項7】

前記フィラ含有下層樹脂部の高さは前記光半導体素子の高さと同一である請求項１〜６のいずれかに記載の半導体受光装置。

【請求項8】

前記光半導体素子の上面と前記凸状又は球状の透明樹脂層の下面とは同一面積で接触している請求項１〜７のいずれかに記載の半導体受光装置。

【請求項9】

前記凸状又は球状の透明樹脂層の屈折率は前記樹脂層の屈折率より大きい請求項１〜８のいずれかに記載の半導体受光装置。

【請求項10】

基板上に光半導体素子を実装するための光半導体素子実装工程と、
前記光半導体素子上に第１の透明樹脂をポッティングするための第１のポッティング工程と、
前記第１の透明樹脂を熱硬化させて凸状又は球状の透明樹脂層を形成するための第１の熱硬化工程と、
前記凸状又は球状の透明樹脂層上から遮光性フィラを含有する第２の透明樹脂をポッティングし、該第２の透明樹脂で前記光半導体素子の側壁及び前記凸状又は球状の透明樹脂層の側壁の少なくとも一部を覆うようにする第２のポッティング工程と、
前記第２の透明樹脂の前記遮光性フィラを沈降させるための遮光性フィラ沈降工程と、
前記フィラ沈降工程の後に前記第２の透明樹脂を熱硬化させて前記光半導体素子の側壁を覆うフィラ含有下層樹脂部及び前記凸状又は球状の透明樹脂層の側壁の少なくとも一部を覆うフィラ非含有上層樹脂部よりなる樹脂層を形成するための第２の熱硬化工程と
を具備する半導体受光装置の製造方法。

【請求項11】

さらに、前記第１のポッティング工程の前に前記基板の周囲部に枠体を接着するための枠体接着工程を具備する請求項１０に記載の半導体受光装置の製造方法。

【請求項12】

前記球状の透明樹脂層の一部は上面視で前記光半導体素子から外側へ突出している請求項１０又は１１に記載の半導体受光装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は光センサ、照度センサ等として作用する半導体受光装置（パッケージ）及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

図６は第１の従来の半導体受光装置を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である（参照：特許文献１の図１Ｂ、図２）。尚、（Ａ）は（Ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。

【0003】

図６に示す半導体受光装置１００−１においては、プリント配線基板１０１上にフォトダイオード素子、フォトトランジスタ等の光半導体素子１０２を搭載し、光半導体素子１０２上に凸レンズとして作用する凸状シリコーン樹脂層１０３を形成する。また、光半導体素子１０２及び凸状シリコーン樹脂層１０３の側壁を囲むようにトランスファモールド法によって遮光性樹脂層１０４−１を形成して封止する。これにより、光半導体素子１０２の側壁は遮光性樹脂層１０４−１によって完全に覆われるので、光半導体素子１０２の側壁から入射する外乱光の影響を低減できる。この場合、遮光性樹脂層１０４−１の開口をできるだけ小さくしてトランスファモールド法の金型の製造コストを低減する。

【0004】

図７は第２の従来の半導体受光装置を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である（参照：特許文献１の図５、図６）。尚、（Ａ）は（Ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。

【0005】

図７に示す半導体受光装置１００−２においては、遮光性樹脂層１０４−２の高さを図６の遮光性樹脂層１０４−１の高さより低くして遮光性樹脂層１０４−２の開口を図６の遮光性樹脂層１０４−１の開口より大きくする。この場合、外部から光を取り込める面積Ｓ２は遮光性樹脂層１０４−２の開口によって決定されるので、図６における遮光性樹脂層１０４−１の開口によって決定される外部から光を取り込める面積Ｓ１より大きくなり、信号／雑音（Ｓ／Ｎ）比を向上させることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００７−３６０１９号公報（特許第４９５５９５３号公報）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

図６の第１の従来の半導体受光装置１００−１においては、凸状シリコーン樹脂層１０３の突出部分を避けて遮光性樹脂層１０４−１をトランスファモールド法によって成型する必要がある。このために、凸状シリコーン樹脂層１０３の突出部分を避けるように、対応する部分に開口部を有する金型を配置して成型工程を行わなければならない。しかしながら、量産過程において、金型開口部の位置を正確に凸状シリコーン樹脂層１０３の突出部分に合わせるにはかなり高度な技術が必要となり、製造コストが高くなるという課題がある。

【0008】

また、図７の第２の従来の半導体受光装置１００−２においては、外部から光を取り込める部分の面積Ｓ２が大きいので、Ｓ／Ｎ比は向上する。しかしながら、図７の第２の従来の半導体受光装置１００−２においても、凸状シリコーン樹脂層１０３の突出部分を避けて遮光性樹脂層１０４−１をトランスファモールド法によって成型する必要がある点は、図６の第１の従来の半導体受光装置１００−１と同様である。特に、遮光性樹脂層１０４−２から突出した凸状シリコーン樹脂層１０３の位置に対応する部分に開口部を有する金型を配置するときに、金型の位置がずれてしまうと、凸状シリコーン樹脂層１０３を潰してしまう。従って、やはり図７の第２の従来の半導体受光装置１００−２の量産過程においても、高度な位置合わせの技術を必要とし、製造コストが高くなるという課題がある。

【0009】

このように、図６、図７の第１、第２の従来の半導体受光装置１００−１、１００−２においては、Ｓ／Ｎ比の向上及び製造コストの低減の両立が図れない。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上述の課題を解決するために、本発明に係る半導体受光装置は、基板と、基板上に設けられた光半導体素子と、光半導体素子上に設けられた凸状又は球状の透明樹脂層と、基板上に設けられ、透明樹脂よりなる樹脂層とを具備し、樹脂層は、光半導体素子の側壁を完全に覆い遮光性フィラを含むフィラ含有下層樹脂部と、凸状又は球状の透明樹脂層の側壁を完全に覆い遮光性フィラを含まないフィラ非含有上層樹脂部とを具備するものである。これにより、光半導体素子の上面より高い位置に存在する凸状又は球状の透明樹脂層及びフィラ非含有樹脂部は共に透明となるので、これらの形状に関係なく、この半導体受光装置が外部から光を取り込める部分の面積は光半導体素子の受光面積又はそれより大きい面積によって決定される。

【0011】

また、本発明に係る半導体受光装置の製造方法は、基板上に光半導体素子を実装するための光半導体素子実装工程と、光半導体素子上に第１の透明樹脂をポッティングするための第１のポッティング工程と、第１の透明樹脂を熱硬化させて凸状又は球状の透明樹脂層を形成するための第１の熱硬化工程と、凸状又は球状の透明樹脂層上から遮光性フィラを含有する第２の透明樹脂をポッティングし、第２の透明樹脂で光半導体素子の側壁及び凸状又は球状の透明樹脂層の側壁の少なくとも一部を覆うようにする第２のポッティング工程と、第２の透明樹脂の遮光性フィラを沈降させるための遮光性フィラ沈降工程と、遮光性フィラ沈降工程の後に第２の透明樹脂を熱硬化させて光半導体素子の側壁を覆うフィラ含有下層樹脂部及び凸状又は球状の透明樹脂層の側壁の少なくとも一部を覆うフィラ非含有上層樹脂部よりなる樹脂層を形成するための第２の熱硬化工程とを具備するものである。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、半導体受光装置が外部から光を取り込める部分の面積は、光半導体素子の受光面積又はそれより大きい面積によって決定されるので、大きくなり、従って、Ｓ／Ｎ比を向上できると共に、製造には金型を用いないので、製造コストも低減できる。すなわち、Ｓ／Ｎ比の向上と製造コストの低減との両立を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明に係る半導体受光装置の第１の実施の形態を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である。

【図2】図１の半導体受光装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図3】図１の半導体受光装置の変更例を示す断面図である。

【図4】本発明に係る半導体受光装置の第２の実施の形態を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である。

【図5】図４の半導体受光装置の変更例を示す断面図である。

【図6】第１の従来の半導体受光装置を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である。

【図7】第２の従来の半導体受光装置を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

図１は本発明に係る半導体受光装置の第１の実施の形態を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である。尚、（Ａ）は（Ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。

【0015】

図１に示す半導体受光装置１０−１においては、プリント配線基板１上にフォトダイオード素子、フォトトランジスタ等の厚さ約１００〜２００μｍの光半導体素子２が設けられている。また、プリント配線基板１の周囲部にはたとえばセラミックよりなる矩形状の枠体３を設けてある。さらに、光半導体素子２上にはシリコーン樹脂等の熱硬化性透明樹脂よりなる凸状透明樹脂層４−１を設けてある。この場合、枠体３の高さは光半導体素子２の高さより大きく、光半導体素子２及び凸状透明樹脂層４−１の合計高さより小さい。さらにまた、プリント配線基板１上の光半導体素子２、凸状透明樹脂層４−１と枠体３との間には、樹脂層５が設けられている。

【0016】

樹脂層５は枠体３の高さと同程度の高さを有し、シリコーン樹脂等の熱硬化性透明樹脂を含み、フィラ含有下部樹脂部５１及びフィラ非含有上層樹脂部５２よりなる。フィラ含有下部樹脂部５１はたとえば直径約１０μｍ〜５０μｍのＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の反射性フィラ５ａを含むが、フィラ非含有上層樹脂部５２は反射性フィラ５ａを含んでいない。従って、フィラ含有下部樹脂部５１は反射性つまり遮光性となるが、フィラ非含有上層樹脂部５２は透明性を維持する。

【0017】

反射性のフィラ含有下部樹脂部５１は光半導体素子２の側壁を覆う。従って、光半導体素子２の側壁から入射する外乱光の影響を低減できる。

【0018】

他方、透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２は凸状透明樹脂層４−１の側壁の一部を覆う。従って、光半導体素子２の上面より高い位置では、透明性の凸状透明樹脂層４−１及び透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２のみが存在する。従って、この半導体受光装置１０−１が外部から光を取り込める部分の面積Ｓ−１は光半導体素子２の受光面積によって決定され、図６の遮光性樹脂層１０４−１の開口によって決定された面積Ｓ１及び図７の遮光性樹脂層１０４−２の開口によって決定された面積Ｓ２のいずれよりも大きくなる。この結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。

【0019】

図１の半導体受光装置１０−１の製造方法を図２を参照して説明する。

【0020】

始めに、図２の（Ａ）を参照すると、プリント配線基板１の配線パターン上に光半導体素子２を実装する。

【0021】

次に、図２の（Ｂ）を参照すると、矩形の枠体３をプリント配線基板１の周囲部に接着剤によって接着する。尚、この枠体接着工程は図２の（Ａ）の光半導体素子搭載工程の前に行ってもよい。

【0022】

次に、図２の（Ｃ）を参照すると、ディスペンサＤのノズルを光半導体素子２の中心の真上に設定し、シリコーン樹脂Ｒ１を光半導体素子２上にポッティングする。このとき、シリコーン樹脂Ｒ１は光半導体素子２上で表面張力により凸状となる。その後、高温たとえば１５０℃を１時間程度維持することによりシリコーン樹脂Ｒ１を熱硬化させて凸状透明樹脂層４−１を形成する。

【0023】

次に、図２の（Ｄ）を参照すると、ディスペンサＤのノズルを凸状透明樹脂層４−１の中心の真上に設定し、反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２を凸状透明樹脂層４−１上にポッティングする。これにより、反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２は凸状透明樹脂層４を流れ落ち、反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２よりなる樹脂層５が光半導体素子２、凸状透明樹脂層４−１と枠体３との間に満たされることになる。尚、反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２における反射性フィラ５ａの量は後述のフィラ含有下部樹脂部５１の高さが光半導体素子２の高さと同一となるように予め調整されている。また、反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２の凸状透明樹脂層４を流れ落ち易くするためには、凸状透明樹脂層４の先の凸状部がより尖っている方がよい。

【0024】

次に、図２の（Ｅ）を参照すると、低温たとえば６０〜１００℃を数時間維持することにより反射性フィラ５ａを反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２内を滑るように沈降させて樹脂層５を反射性フィラ５ａを含むフィラ含有下部樹脂部５１及び反射性フィラ５ａを含まないフィラ非含有上層樹脂部５２に分離する。その後、高温たとえば１５０℃を１時間程度維持することにより反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２を熱硬化させる。これにより、図１の半導体受光装置１０−１が完成する。

【0025】

図２に示す図１の半導体受光装置１０−１の製造方法によれば、金型を必要としないので、製造コストを低減できる。

【0026】

このように、第１の実施の形態においては、Ｓ／Ｎ比の向上及び製造コストの低減の両立を図ることができる。

【0027】

図１の半導体受光装置１０−１の変更例を図３を参照して説明する。

【0028】

図３の（Ａ）に示す第１の変更例においては、枠体３の高さを光半導体素子２及び凸状透明樹脂層４−１の合計高さと同程度とする。この場合の製造方法は図２に示す製造方法とほぼ同一だが、図２の（Ｄ）に示す反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２の量を少し増加すればよい。この場合、反射性フィラ５ａの量は光半導体素子２の高さと同程度となるように調整する。

【0029】

図３の（Ａ）においても、反射性のフィラ含有下部樹脂部５１は光半導体素子２の側壁を覆う。従って、光半導体素子２の側壁から入射する外乱光の影響を低減できる。また、透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２は凸状透明樹脂層４−１の側壁を完全に覆う。従って、光半導体素子２の上面より高い位置では、透明性の凸状透明樹脂層４−１及び透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２のみが存在する。この結果、半導体受光装置１０−１が外部から光を取り込める部分の面積Ｓ−１は光半導体素子２の受光面積によって決定され、図１の（Ｂ）の場合と同一となる。従って、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。

【0030】

図３の（Ｂ）に示す第２の変更例においては、枠体３の高さを光半導体素子２及び凸状透明樹脂層４−１の合計高さより大きくする。この場合の製造方法は図２に示す製造方法とほぼ同一だが、図２の（Ｄ）に示す反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２の量をさらに少し増加すればよい。この場合も、反射性フィラ５ａの量は光半導体素子２の高さと同程度となるように調整する。

【0031】

図３の（Ｂ）においても、反射性のフィラ含有下部樹脂部５１は光半導体素子２の側壁を覆う。従って、光半導体素子２の側壁から入射する外乱光の影響を低減できる。また、透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２は凸状透明樹脂層４−１の側壁を完全に覆う。従って、光半導体素子２の上面より高い位置では、透明性の凸状透明樹脂層４−１及び透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２のみが存在する。この結果、半導体受光装置１０−１が外部から光を取り込める部分の面積Ｓ−１は光半導体素子２の受光面積によって決定され、図１の（Ｂ）の場合と同一となる。従って、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。

【0032】

このように、図１、図３の半導体受光装置１０−１においては、樹脂層５のフィラ非含有上層樹脂部５２の大小に関係なく、半導体受光装置１０−１が外部から光を取り込める部分の面積Ｓ−１は光半導体素子２の大きな受光面積によって決定されるので、Ｓ／Ｎ比を向上できる。

【0033】

尚、図１，３において、凸状透明樹脂層４−１を凸レンズとして作用させたい場合には、凸状透明樹脂層４−１のシリコーン樹脂の組成と樹脂層５のシリコーン樹脂の組成とを相違ならせることにより凸状透明樹脂層４−１の屈折率を樹脂層５の屈折率より大きくすればよい。

【0034】

図４は本発明に係る半導体受光装置の第２の実施の形態を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である。尚、（Ａ）は（Ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。

【0035】

図４に示す半導体受光装置１０−２においては、図１の凸状透明樹脂層４−１の代りに球状透明樹脂層４−２を設けてある。球状透明樹脂層４−２の一部は上面視で光半導体素子２より外側へ突出している。従って、球状透明樹脂層４−２が凸レンズ作用を有すると、図１の凸状透明樹脂層４−１に比較して光の取り込みがよくなる。従って、光半導体素子２の受光面積に加えて球状透明樹脂層４−２の受光面積が寄与するので、半導体受光装置１０−２が外部から光を取り込める部分の面積Ｓ−２は図１のそれに比較してやや大きくなる。

【0036】

図４においても、反射性のフィラ含有下部樹脂部５１は光半導体素子２の側壁を覆う。従って、光半導体素子２の側壁から入射する外乱光の影響を低減できる。

【0037】

他方、透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２は球状透明樹脂層４−２の側壁の一部を覆う。従って、光半導体素子２の上面より高い位置では、透明性の球状透明樹脂層４−２及び透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２のみが存在する。従って、半導体受光装置１０−２が外部から光を取り込める部分の面積Ｓ−２は球状透明樹脂層４−２の受光面積の寄与による光半導体素子２の受光面積より大きい面積によって決定される。この結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。

【0038】

図４の半導体受光装置１０−２の製造方法は図２に示す製造方法と同様であるが、図２の（Ｃ）のシリコーン樹脂ポッティング工程のみ異なる。すなわち、図２の（Ｃ）では、シリコーン樹脂Ｒ１を図１の場合より多めにポッティングする。このとき、シリコーン樹脂Ｒ１は光半導体素子２上で表面張力により球状となる。また、この球状樹脂の一部は上面視で光半導体素子２から外側へ突出する。その後、高温たとえば１５０℃を１時間程度維持することによりシリコーン樹脂Ｒ１を熱硬化させて球状透明樹脂層４−２を形成する。

【0039】

図４の半導体受光装置１０−２の製造方法においても、金型を必要としないので、製造コストを低減できる。

【0040】

このように、第２の実施の形態においても、Ｓ／Ｎ比の向上及び製造コストの低減の両立を図ることができる。

【0041】

図４の半導体受光装置１０−２の変更例を図５を参照して説明する。

【0042】

図５の（Ａ）に示す第１の変更例においては、枠体３の高さを光半導体素子２及び球状透明樹脂層４−２の合計高さと同程度とする。この場合の製造方法は図４の場合とほぼ同一だが、図２の（Ｄ）に示す反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２の量を少し増加すればよい。この場合、反射性フィラ５ａの量は光半導体素子２の高さと同程度となるように調整する。

【0043】

図５の（Ａ）においても、反射性のフィラ含有下部樹脂部５１は光半導体素子２の側壁を覆う。従って、光半導体素子２の側壁から入射する外乱光の影響を低減できる。また、透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２は球状透明樹脂層４−２の側壁を完全に覆う。従って、光半導体素子２の上面より高い位置では、透明性の球状透明樹脂層４−２及び透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２のみが存在する。この結果、球状透明樹脂層４−２が凸レンズ作用を有すれば、半導体受光装置１０−２が外部から光を取り込める部分の面積Ｓ−１は球状透明樹脂層４−２の受光面積の寄与による光半導体素子２の受光面積より大きい面積によって決定され、図４の（Ｂ）の場合と同一となる。従って、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。

【0044】

図５の（Ｂ）に示す第２の変更例においては、枠体３の高さを光半導体素子２及び球状透明樹脂層４−２の合計高さより大きくする。この場合の製造方法は図４の場合とほぼ同一だが、図２の（Ｄ）に示す反射性フィラ入りシリコーン樹脂Ｒ２の量をさらに少し増加すればよい。この場合も、反射性フィラ５ａの量は光半導体素子２の高さと同程度となるように調整する。

【0045】

図５の（Ｂ）においても、反射性のフィラ含有下部樹脂部５１は光半導体素子２の側壁を覆う。従って、光半導体素子２の側壁から入射する外乱光の影響を低減できる。また、透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２は球状透明樹脂層４−２の側壁を完全に覆う。従って、光半導体素子２の上面より高い位置では、透明性の球状透明樹脂層４−２及び透明性のフィラ非含有上層樹脂部５２のみが存在する。この結果、球状透明樹脂層４−２が凸レンズ作用を有すれば、半導体受光装置１０−２が外部から光を取り込める部分の面積Ｓ−２は球状透明樹脂層４−２の受光面積の寄与による光半導体素子２の受光面積より大きい面積によって決定され、図４の（Ｂ）の場合と同一となる。従って、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。

【0046】

このように、図４、図５の半導体受光装置１０−２においては、樹脂層５のフィラ非含有上層樹脂部５２の大小に関係なく、半導体受光装置１０−２が外部から光を取り込める部分の面積Ｓ−２は光半導体素子２の受光面積より大きい面積によって決定されるので、さらにＳ／Ｎ比を向上できる。

【0047】

尚、上述の実施の形態においては、各半導体受光装置１０−１、１０−２に枠体３を設けている。しかし、集合基板に複数の光半導体素子を実装し、集合基板の外側に枠体を設置して反射性フィラ入り樹脂を枠体の内側に流し込み、熱硬化後にブレード等を用いて切断することで個別の半導体受光装置としてもよい。

【0048】

また、上述の実施の形態においては、反射性フィラ５ａを用いているが、光吸収性フィラたとえばカーボンブラックをコア材の周囲に固めたものを用いてもよい。いずれのフィラも遮光性を有する。

【0049】

さらに、上述の実施の形態におけるプリント配線基板はこれに限定されるものではなく、他の基板でもよい。

【0050】

さらにまた、本発明は上述の実施の形態の自明の範囲内のいかなる変更にも適用し得る。

【符号の説明】

【0051】

１０−１、１０−２：半導体受光装置
１：プリント配線基板
２：光半導体素子
３：枠体
４−１：凸状透明樹脂層
４−２：球状透明樹脂層
５：樹脂層
５ａ：反射性フィラ
５１：フィラ含有下部樹脂部
５２：フィラ非含有上層樹脂部
Ｓ−１、Ｓ−２、Ｓ１、Ｓ２：半導体受光装置が外部から光を取り込める部分の面積
Ｒ１：シリコーン樹脂
Ｒ２：反射性フィラ入りシリコーン樹脂
１００−１、１００−２：半導体受光装置
１０１：プリント配線基板
１０２：光半導体素子
１０３：凸状シリコーン樹脂層
１０４−１、１０４−２：遮光性樹脂層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】