技術分野
加熱冷却装置に係り、より詳細には、半導体素子を絶縁基板にハンダ付けする半導体モジュールの製造方法に好適な加熱冷却装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特許文献1,2の被処理部材の製造方法では、溶融したハンダ材料中のボイドを除去するため、容器内を真空排気する。しかしながら、この真空排気工程において、排気を高速で行うと、急激な圧力変化によりボイドが膨張して破裂することがあり、ハンダが飛散して、絶縁基板や周辺の部材に付着するという問題があった。一方、排気を低速で行うと、設定した圧力に到達するまでの到達時間が長くなり、工程時間が長くなるという問題があった。
このような問題に鑑み、本発明の目的は、真空排気速度を制御して、被処理部材のハンダ付けの品質向上を図ることができる加熱冷却装置を提供することにある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
目的を達成するため、本発明の加熱冷却装置は、被処理部材の出し入れが可能な開閉機構を有する気密性の容器と、前記被処理部材の加熱又は冷却を行う加熱冷却手段と、前記被処理部材が載置されるトレイを上下させる昇降装置と、前記被処理部材の温度を計測するための温度センサと、前記容器内の圧力を検出する圧力センサと、前記容器内に還元ガスを供給する還元ガス供給手段と、前記容器内に不活性ガスを供給する不活性ガ・・・ 続きを
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この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 本発明の加熱冷却装置の一実施形態に係り、被処理部材の加熱状態の概略構成図である。
【図2】 本発明の加熱冷却装置の一実施形態に係り、被処理部材の冷却状態の概略構成図である。
【図3】 被処理部材を製造する際の温度と圧力の状態変化を示す説明図である。
【図4A】 対策前後のプロセスを比較した図である。
【図4B】 ボイド発生率を示した図である。
【図4C】 対策前後のハンダ飛散率を比較した図である。
【図5】 従来の加熱冷却装置において、被処理部材を製造する際の温度と圧力の状態変化を示す説明図である。
1 被処理部材
1a ベース板
1b 絶縁基板
1c 半導体素子
2 トレイ
3 誘導加熱装置(加熱冷却手段)
3a 誘導加熱コイル
3b 冷却板
3c 支持板
3d 絶縁カバー
3e スペーサ
4 冷媒循環装置
4a 熱交換機
4b 循環ポンプ
4c,4d 冷媒配管
5 容器
5a 蓋部
5b 底板
5c シール材
5d 遮熱カバー
6 制御装置(制御手段)
7 入力装置
9 還元ガス供給装置(還元ガス供給手段)
9a 供給配管
9b 供給弁
9c 還元ガスボンベ
10 不活性ガス供給装置(不活性ガス供給手段)
10a 供給配管
10b 供給弁
10c 不活性ガスボンベ
11 真空排気装置(真空排気手段)
11a 主排気配管
11b 主排気弁
11c 粗引配管
11d 粗引弁
11e スロー排気配管
11f 流量調整弁(流量調整手段)
11g スロー弁
11h 真空ポンプ
13 温度センサ
14 圧力センサ
16 昇降装置
16a 昇降アクチュエータ
16b 昇降ベース
16c 昇降軸
16d 昇降シャフト
16e 台座
16f 支持板
17 開閉アクチュエータ
18 シャフト
19 圧力計
21 放出弁
22 放出配管
100 加熱冷却装置
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