発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、上述した図１５に示す従来の半導体装置において、ショットキー接合１４３面でのショットキー障壁の高さはトレンチ１４１の内壁の面方位によって異なる（図１２参照）。例えば、図１３に示すように、トレンチ１４１の底面コーナー部１４１ｂの曲率のばらつきや、トレンチ１４１の深さのばらつき等により、トレンチ１４１の底面コーナー部１４１ｂの湾曲している部分１４４が第１ｐ⁺型領域１２１で覆われない虞がある。この場合、トレンチ１４１の側壁１４１ｃと底面コーナー部１４１ｂとで面方位が異なるため、異なる面方位にわたってショットキー接合１４３が形成される。 図１２は、面方位ごとのショットキー障壁の高さを示す特性図である。図１２には、半導体材料として炭化珪素を用い、導電層１４２がチタン（Ｔｉ）層である場合の、Ｓｉ面、Ｃ面およびｍ面でのショットキー障壁の高さを示すが、導電層１４２を他の金属材料やポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）で形成した場合も図１２と同様の特性を示す。図１２の横軸は導電層１４２を形成した後に行うアニールの温度であり、縦軸はショットキー接合１４３面でのショットキー障壁の高さである。Ｓｉ面は（０００１）面である。Ｃ面は（０００−１）面である。ｍ面は、Ｃ面に垂直な｛１−１００｝面の総称であり、（１０−１０）面、（−１０１０）面、（１−１００）面、（−１１００）面、（０１−１０）面および（０−１１０）面である。図１３は、図１５の従来の半導体装置において製造ばらつきが生じた状態を示す説明図である。 異なる面方位にショットキー接合１４３が形成された場合、トレンチ型ＳＢＤ１３２の１つの単位セルに障壁高さの異なる複数のショットキー障壁が存在することとなり、次の２つの問題が生じる。１つ目は、Ｓｉ面やＣ面に形成されたショットキー接合１４３でショットキー障壁高さが低くなるため、トレンチ型ＳＢＤ１３２のオフ時にリーク（漏れ）電流が増加して耐圧が低下するという問題である。２つ目は、トレンチ型ＳＢＤ１３２のオンオフ特性が悪くなる等、ショットキー特性が安定しないという問題である。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、耐圧低下を防止することができ、かつ所定のショットキー特性を安定して得ることができる半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置によれば、第２トレンチの底面および底面コーナー部にショットキー接合が形成されないため、耐圧低下を防止することができ、かつ所定のショットキー特性を安定して得ることができるという効果を奏する。