発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、特許文献１のIII 族窒化物半導体の結晶評価方法は、ｎ型のIII 族窒化物半導体の評価をするものであり、ｐ型のIII 族窒化物半導体については十分に評価することができなかった。 また、ＤＬＴＳ測定によるｐ型III 族窒化物半導体の結晶品質評価では、ｐｎ接合の空乏層内しか評価できず、ｐ層表面付近を評価することができない。また、ＤＬＴＳ測定では、電極を形成する必要があり、超低温で測定を行うため測定時間が長く、測定コストが高い。したがって、実際に素子作製を行うウェハに対してＤＬＴＳ測定を用いて評価することは困難であった。 そこで本発明の目的は、実際に素子作製を行うウェハに対してｐ−ＧａＮの結晶品質の評価が可能な半導体素子の製造方法を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、実際に素子作製を行うウェハに対して、ｐ−ＧａＮの結晶品質の評価をすることができ、ウェハを選別することでコンタクト抵抗やリーク電流の低減された半導体素子を作製することができる。