１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、２９・・・直線部、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・先端部、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・直線部、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・先端部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、４８・・・第３のゲートランナー、４９・・・コンタクトホール、５０・・・第１のゲートランナー、５１・・・第２のゲートランナー、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、６０・・・メサ部、７０・・・トランジスタ部、８０・・・ダイオード部、８２・・・カソード領域、９０・・・エッジ終端構造部、９２・・・ガードリング、１００・・・半導体装置、１１０・・・温度センス部、１１２・・・温度センス配線、１１４・・・センスパッド、１１５・・・エミッタパッド、１１６・・・ゲートパッド、１１７・・・カソードパッド、１１８・・・アノードパッド、１１９・・・電流センス素子、１２０・・・主活性部、１３０・・・パッド間領域、１３２・・・第１の辺、１３４・・・第２の辺、１４０・・・外周端、１４２・・・第１の端辺