【図1】本発明の半導体装置１００の上面の一例を部分的に示す図である。

【図2】図１における領域Ａの拡大図である。

【図3】図２におけるａ−ａ'断面の一例を示す図である。

【図4】図２におけるｂ−ｂ'断面の一例を示す図である。

【図5】比較例の半導体装置１５０の上面を示す図である。

【図6】図５におけるｉ−ｉ'断面を示す図である。

【図7】図５におけるｊ−ｊ'断面を示す図である。

【図8】図３におけるｃ−ｃ'断面に沿ったドーピング濃度分布の一例を示す図である。

【図9】本例の半導体装置１００および比較例の半導体装置１５０のＲＢＳＯＡ破壊直前電流値を示す図である。

【図10】本発明の半導体装置１００の上面の他の一例を部分的に示す図である。

【図11】図１０における領域Ｃの拡大図である。

【図12】図１１におけるｅ−ｅ'断面の一例を示す図である。

【図13】本発明の半導体装置１００の上面の他の一例を部分的に示す図である。

【図14】図１３における領域Ｄの拡大図である。

【図15】図１４におけるｆ−ｆ'断面の一例を示す図である。

【図16】図１４におけるｇ−ｇ'断面の一例を示す図である。

【図17】本発明の半導体装置２００の上面の一例を部分的に示す図である。

【図18】図１７における領域Ｅの拡大図である。

【図19】図１８におけるｍ−ｍ'断面の一例を示す図である。

【図20】本発明の一つの半導体装置３００の上面の構造を示す図である。

【図21】図２０におけるセンス半導体素子部１１９近傍の拡大図である。

【図22】本発明の半導体装置の製造方法の概要の一例を示す図である。

【図23】本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す図である。

【図24】図２２におけるステップＳ１０２２において、ドーパント注入時に用いるマスクの一例を示す概念図である。