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特許6985160入力検知ユニット及びその製造方法並びに表示装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6985160
(24)【登録日】2021年11月29日
(45)【発行日】2021年12月22日
(54)【発明の名称】入力検知ユニット及びその製造方法並びに表示装置
(51)【国際特許分類】
   G06F 3/041 20060101AFI20211213BHJP
   G02B 5/30 20060101ALI20211213BHJP
   G02B 1/113 20150101ALI20211213BHJP
   G09F 9/00 20060101ALI20211213BHJP
【ＦＩ】
   G06F3/041 490
   G02B5/30
   G02B1/113
   G09F9/00 366A
   G09F9/00 313
   G09F9/00 302
   G09F9/00 338
   G06F3/041 412
   G06F3/041 495
【請求項の数】20
【全頁数】23
(21)【出願番号】特願2018-5606(P2018-5606)
(22)【出願日】2018年1月17日
(65)【公開番号】特開2019-12508(P2019-12508A)
(43)【公開日】2019年1月24日
【審査請求日】2020年12月14日
(31)【優先権主張番号】10-2017-0083728
(32)【優先日】2017年6月30日
(33)【優先権主張国】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】特許業務法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】白 ギョン ミン
(72)【発明者】
【氏名】申 鉉 億
(72)【発明者】
【氏名】李 周 ヒョン
(72)【発明者】
【氏名】朴 俊 龍
(72)【発明者】
【氏名】申 相 原
【審査官】 田川 泰宏
(56)【参考文献】
【文献】 特開２０１６−１２６７７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】 特表２０１３−５４０３３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】 国際公開第２０１２／００５３０６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】 特開２０１６−０８５５９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】 国際公開第２０１４／０３８４６６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】 韓国公開特許第１０−２０１５−００１９０５８（ＫＲ，Ａ）
【文献】 米国特許出願公開第２０１２／００４４１８７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】 中国特許出願公開第１０３１６８２８５（ＣＮ，Ａ）
【文献】 米国特許出願公開第２０１３／０２１５０６７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】 米国特許出願公開第２０１６／０１３３１９８（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｇ０６Ｆ ３／０４１
Ｇ０２Ｂ ５／３０
Ｇ０２Ｂ １／１１３
Ｇ０９Ｆ ９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１方向に延長された複数の第１導電ラインを含む第１金属パターン層と、
前記第１金属パターン層上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延長された複数の第２導電ラインを含む第２金属パターン層と、
前記第２金属パターン層上に配置された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置され、前記第２絶縁層に定義されたコンタクトホールを介して前記第２金属パターン層と電気的に接続された検知電極と、
前記第１及び第２金属パターン層上に、前記第１及び第２金属パターン層と重なり合うように配置された反射防止パターン層とを有してなり、
前記反射防止パターン層は、組成式ＭｏａＸｂＯｃで表される金属酸化物を含むことを特徴とする入力検知ユニット。
（但し、上記組成式において、ａ及びｃは０より大きい有理数であり、ｂは０以上の有理数であり、Ｘはタンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）及びレニウム（Ｒｅ）よりなる群から選択される一つ以上の元素である。）
【請求項2】
前記反射防止パターン層の厚さは、３００〜７００Åであることを特徴とする請求項１に記載の入力検知ユニット。
【請求項3】
前記金属酸化物の組成式におけるＸの原子数の比率が１〜７％であることを特徴とする請求項１に記載の入力検知ユニット。
【請求項4】
前記第１及び第２金属パターン層の少なくとも一つは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びチタン（Ｔｉ）の内の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載の入力検知ユニット。
【請求項5】
前記第１及び第２絶縁層の少なくとも一つは、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）よりなる群から選択される一つ以上を含むことを特徴とする請求項１に記載の入力検知ユニット。
【請求項6】
アクティブパターン層と、
前記アクティブパターン層上に配置されたアクティブ絶縁層とをさらに有し、
前記第１金属パターン層は、前記アクティブ絶縁層上に配置され、
前記第１及び第２金属パターン層の一部は、前記アクティブパターン層の少なくとも一部と重なり合うように配置されることを特徴とする請求項１に記載の入力検知ユニット。
【請求項7】
平面上に、複数の画素が定義された表示パネルと、前記表示パネル上に配置された反射防止層と、前記反射防止層上に配置された入力検知ユニットとを有する表示装置であって、
前記入力検知ユニットは、第１方向に延長された複数の第１導電ラインを含む第１金属パターン層と、
前記第１金属パターン層上に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延びた複数の第２導電ラインを含む第２金属パターン層と、
前記第１及び第２金属パターン層上に、前記第１及び第２金属パターン層と重なり合うように配置された反射防止パターン層とを含み、
前記反射防止パターン層は、組成式ＭｏａＸｂＯｃで表される金属酸化物を含むことを特徴とする表示装置。
（但し、上記組成式において、ａ及びｃは０より大きい有理数であり、ｂは０以上の有理数であり、Ｘはタンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、及びレニウム（Ｒｅ）よりなる群から選択される一つ以上の元素である。）
【請求項8】
前記第１及び第２金属パターン層は、前記複数の画素と重なり合わないように配置されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記入力検知ユニットは、平面上で、前記複数の第１導電ラインと前記複数の第２導電ラインによって囲まれた領域のうち、最小面積の領域である単位検知領域が複数個定義され、それぞれの単位検知領域は、１〜３０個の画素と重なり合っていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項10】
前記反射防止層は、偏光素子を含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項11】
前記入力検知ユニットは、アクティブパターン層をさらに含み、
前記第１金属パターン層は、前記アクティブパターン層上に配置され、前記第１及び第２金属パターン層の一部は、前記アクティブパターン層の少なくとも一部と重なり合うように配置されたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項12】
前記反射防止パターン層の厚さは、３００〜７００Åであることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項13】
前記金属酸化物の組成式における前記Ｘの原子数の比率が１〜７％であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項14】
前記反射防止パターン層は、前記第１金属パターン層上に直接配置された第１反射防止パターン層と、
前記第２金属パターン層上に直接配置された第２反射防止パターン層とを含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項15】
前記入力検知ユニット上に配置されたウィンドウ層と、
前記入力検知ユニットと前記ウィンドウ層との間に配置され、前記ウィンドウ層を前記入力検知ユニットに付着させる接着部材をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項16】
ベース層上に、アクティブパターン層及び前記アクティブパターン層を覆うアクティブ絶縁層を形成する段階と、
前記アクティブ絶縁層上に、第１金属層、及び前記第１金属層を覆う反射防止物質層を形成する段階と、
前記第１金属層及び前記反射防止物質層を同時にエッチングして、第１方向に延長された複数の第１導電ラインを含み、且つ一部が前記アクティブパターン層の少なくとも一部と重なり合う第１金属パターン層と、前記第１金属パターン層と同じパターンを有する第１反射防止パターン層とを形成する段階と、
前記アクティブ絶縁層上に、前記第１金属パターン層及び前記第１反射防止パターン層を覆う第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層上に、第２金属層、及び前記第２金属層を覆う反射防止物質層を形成する段階と、
前記第２金属層と前記反射防止物質層を同時にエッチングして、前記第１方向と交差する第２方向に延長された複数の第２導電ラインを含み、且つ一部が前記アクティブパターン層の少なくとも一部と重なり合う第２金属パターン層と、前記第２金属パターン層と同じパターンを有する第２反射防止パターン層とを形成する段階とを有してなり、
前記反射防止物質層は、組成式ＭｏａＸｂＯｃで表される金属酸化物を含むことを特徴とする入力検知ユニットの製造方法。
（但し、上記組成式において、ａ及びｃは０より大きい有理数であり、ｂは０以上の有理数であり、Ｘはタンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、及びレニウム（Ｒｅ）よりなる群から選択される一つ以上の元素である。）
【請求項17】
前記第１絶縁層上に、前記第２金属パターン層及び前記第２反射防止パターン層を覆う第２絶縁層を形成する段階と、
前記第２絶縁層に、前記第２金属パターン層又は前記第２反射防止パターン層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記第２絶縁層上に配置され、前記コンタクトホールを介して前記第２金属パターン層と電気的に接続される検知電極を形成する段階とをさらに有することを特徴とする請求項１６に記載の入力検知ユニットの製造方法。
【請求項18】
前記金属酸化物の組成式における前記Ｘの原子数の比率が１〜７％であることを特徴とする請求項１６に記載の入力検知ユニットの製造方法。
【請求項19】
前記第１及び第２金属パターン層の少なくとも一つは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びチタン（Ｔｉ）の内の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１６に記載の入力検知ユニットの製造方法。
【請求項20】
前記第１及び第２絶縁層の少なくとも一つは、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）よりなる群から選択される一つ以上を含むことを特徴とする請求項１６に記載の入力検知ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、入力検知ユニット及びその製造方法並びに表示装置に関し、特に、外光反射を低減させることができる入力検知ユニット及びその製造方法並びに表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
テレビ、携帯電話、タブレットコンピュータ、ナビゲーション、ゲーム機などのマルチメディア装置に使用される様々な表示装置が開発されている。
表示装置は、入力装置としてキーボード又はマウスなどを含む。
また、表示装置は入力装置としてタッチパネルを備える。
タッチパネルはユーザーのタッチ位置に対する座標情報を取得する素子である。最近では、ユーザーの指紋情報も取得することができる指紋認識センサーが研究されている。
【0003】
指紋パターンは、単純なタッチ情報よりも遥かに精密な検知を必要とするため、指紋認識センサーは、一般なタッチパネルよりも微細な電流変化を検知することができるように設計されるが、指紋認識センサーの前面に、伝導性が低いか厚さが厚い部材を配置すると、指紋パターン検知の正確性が低下するという問題がある。
特に、外光反射の低減のための偏光板は、厚さが厚いため、指紋認識センサーの前面に配置される場合には指紋認識が正しく行われないおそれがある。
したがって、偏光板を指紋認識センサーの前面に配置しないか、或いは背面方向に配置することができるが、この場合、指紋認識センサー内に実装された金属材質の素子による外光反射を低減する方法が必要となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は上記従来のタッチパネルにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、外光反射が低減することのできる入力検知ユニット及びその製造方法並びに表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記目的を達成するためになされた本発明による入力検知ユニットは、第１方向に延長された複数の第１導電ラインを含む第１金属パターン層と、前記第１金属パターン層上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延長された複数の第２導電ラインを含む第２金属パターン層と、前記第２金属パターン層上に配置された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に配置され、前記第２絶縁層に定義されたコンタクトホールを介して前記第２金属パターン層と電気的に接続された検知電極と、前記第１及び第２金属パターン層上に、前記第１及び第２金属パターン層と重なり合うように配置された反射防止パターン層とを有してなり、前記反射防止パターン層は、組成式ＭｏａＸｂＯｃで表される金属酸化物を含むことを特徴とする。（但し、上記組成式において、ａ及びｃは０より大きい有理数であり、ｂは０以上の有理数であり、Ｘはタンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）及びレニウム（Ｒｅ）よりなる群から選択される一つ以上の元素である。）
【0006】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、平面上に、複数の画素が定義された表示パネルと、前記表示パネル上に配置された反射防止層と、前記反射防止層上に配置された入力検知ユニットとを有する表示装置であって、前記入力検知ユニットは、第１方向に延長された複数の第１導電ラインを含む第１金属パターン層と、前記第１金属パターン層上に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延びた複数の第２導電ラインを含む第２金属パターン層と、前記第１及び第２金属パターン層上に、前記第１及び第２金属パターン層と重なり合うように配置された反射防止パターン層とを含み、前記反射防止パターン層は、組成式ＭｏａＸｂＯｃで表される金属酸化物を含むことを特徴とする。（但し、上記組成式において、ａ及びｃは０より大きい有理数であり、ｂは０以上の有理数であり、Ｘはタンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、及びレニウム（Ｒｅ）よりなる群から選択される一つ以上の元素である。）
【0007】
上記目的を達成するためになされた本発明による入力検知ユニットの製造方法は、ベース層上に、アクティブパターン層及び前記アクティブパターン層を覆うアクティブ絶縁層を形成する段階と、前記アクティブ絶縁層上に、第１金属層、及び前記第１金属層を覆う反射防止物質層を形成する段階と、前記第１金属層及び前記反射防止物質層を同時にエッチングして、第１方向に延長された複数の第１導電ラインを含み、且つ一部が前記アクティブパターン層の少なくとも一部と重なり合う第１金属パターン層と、前記第１金属パターン層と同じパターンを有する第１反射防止パターン層とを形成する段階と、前記アクティブ絶縁層上に、前記第１金属パターン層及び前記第１反射防止パターン層を覆う第１絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層上に、第２金属層、及び前記第２金属層を覆う反射防止物質層を形成する段階と、前記第２金属層と前記反射防止物質層を同時にエッチングして、前記第１方向と交差する第２方向に延長された複数の第２導電ラインを含み、且つ一部が前記アクティブパターン層の少なくとも一部と重なり合う第２金属パターン層と、前記第２金属パターン層と同じパターンを有する第２反射防止パターン層とを形成する段階とを有してなり、前記反射防止物質層は、組成式ＭｏａＸｂＯｃで表される金属酸化物を含むことを特徴とする。（但し、上記組成式において、ａ及びｃは０より大きい有理数であり、ｂは０以上の有理数であり、Ｘはタンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、及びレニウム（Ｒｅ）よりなる群から選択される一つ以上の元素である。）
【発明の効果】
【0008】
本発明に係る入力検知ユニット及びその製造方法並びに表示装置によれば、入力検知ユニットに含まれている金属パターン層の上部に反射防止パターン層を形成することにより、入力検知ユニット及びこれを含む表示装置の反射率を１０％未満のレベルに減少させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す概略断面図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る表示装置の入力検知ユニットの概略平面図である。
【図3】図２に示した入力検知ユニットのＡ部分に対する拡大図である。
【図4】図３に示した入力検知ユニットのＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面図である。
【図5】本発明の他の実施形態に係る表示装置の入力検知ユニットの概略断面図である。
【図6】本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
【図7】本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
【図8】本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
【図9】本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
【図10】本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
【図11】本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
【図12】本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
【図13】本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
【図14】本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
【図15】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す概略断面図である。
【図16】図１５の表示装置の入力検知ユニットの概略平面図である。
【図17】図１６に示す入力検知ユニットのＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿った断面図である。
【図18】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す概略断面図である。
【図19】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す概略断面図である。
【図20】金属酸化物を被覆したモリブデンの被覆厚さと反射率とのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図21】モリブデンの厚さ２５００Å時の金属酸化物の被覆厚さと反射率測定結果を示すグラフである。
【図22】各金属に金属酸化物を４５０Åの厚さで被覆したものの反射率の測定結果を示すグラフである。
【図23】各金属に金属酸化物を被覆したものの波長による反射率に基づいて各被覆構造の色座標を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0010】
次に、本発明に係る入力検知ユニット及びその製造方法並びに表示装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0011】
本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。
しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。
【0012】
ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことを意味する。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）又は層が他の素子又は層の「上（ｏｎ）」と指称された場合、他の素子の真上に又は中間に他の層又は他の素子を介在する場合のすべてを含む。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
第１、第２などが多様な構成要素を叙述するために使用されるが、これら構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得ることは勿論である。
【0013】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す概略断面図である。
図１を参照すると、表示装置は、表示パネルＤＰ、反射防止層ＲＬ、入力検知ユニットＩＳＵ１、及びウィンドウ層ＷＰを含む。
【0014】
表示パネルＤＰ、反射防止層ＲＬ、入力検知ユニットＩＳＵ１、及びウィンドウ層ＷＰのうちの少なくとも一部の構成は、ベース面を提供するベース層、例えば、合成樹脂フィルム、複合材料フィルム、ガラス基板などを別個に含むことができる。
但し、これに限定されず、他の構成が提供するベース面上に連続工程によって直接配置することもできる。
表示パネルＤＰ、反射防止層ＲＬ、入力検知ユニットＩＳＵ１、及びウィンドウ層ＷＰのうち、ベース層ＢＬを別個に含む構成等は、接着部材ＯＣＡを介して互いに付着するか、或いは他の構成に付着することができる。
接着部材ＯＣＡは、通常の接着剤又は粘着剤を含むことができる。
図１には接着部材ＯＣＡとして光学透明接着部材を例示的に示す。
【0015】
表示パネルＤＰは、イメージを生成する装置であって、光を図面における上部方向に透過又は放出する複数の画素を平面上に定義できる。
表示パネルＤＰは、別途のバックライトユニットから提供された光を透過させるか、或いはこれを励起光源として用いる受光型表示パネルＤＰ、又は有機発光素子などを介して直接光を放出する自発光型表示パネルＤＰであり得るが、特に限定されない。
表示パネルＤＰは、薄膜トランジスタ基板上に有機発光素子及びこれを密封する封止膜に配置されたものであり得る。
薄膜トランジスタは、低温多結晶シリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）を含むアクティブ層の上部にゲート電極が配置さされた構造を持つものであり得る。但し、これに限定されない。
【0016】
反射防止層ＲＬは、表示パネルＤＰ上に配置される。
反射防止層ＲＬがベース層ＢＬを含む別途のパネル形態で製造される場合、反射防止層ＲＬは接着部材ＯＣＡを介して表示パネルＤＰ上に付着することができる。
反射防止層ＲＬは、表示パネルＤＰに含まれている金属材質の素子による外光反射率を減少させる。
反射防止層ＲＬは、偏光素子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）及び／又は位相遅延素子（ｒｅｔａｒｄｅｒ）を含むことができる。
【0017】
偏光素子は、フィルムタイプ又は液晶コーティングタイプであり得る。
位相遅延素子も、フィルムタイプ又は液晶コーティングタイプであり、λ／２位相遅延子及び／又はλ／４位相遅延子を含むことができる。
フィルムタイプは延伸型合成樹脂フィルムを含み、液晶コーティングタイプは所定の方向に配列された液晶を含むことができる。
【0018】
偏光素子と位相遅延素子は、保護フィルムをさらに含むことができる。
保護フィルムは、反射防止層ＲＬのベース層として定義できるが、これに限定されるものではなく、偏光素子や位相遅延素子自体が反射防止層ＲＬのベース層としても定義できる。
反射防止層ＲＬは、カラーフィルタを含むこともできる。
カラーフィルタは、所定の配列を持つことができ、特に、表示パネルＤＰに含まれている画素の発光色に対応する配列を持つことができる。
【0019】
反射防止層ＲＬは、相殺干渉構造物を含むこともできる。
例えば、相殺干渉構造物は、互いに異なる層上に配置された第１反射層と第２反射層を含むことができる。
第１反射層及び第２反射層でそれぞれ反射された第１反射光と第２反射光は相殺干渉され、それにより外部光反射率が減少できる。
【0020】
入力検知ユニットＩＳＵ１は、反射防止層ＲＬ上に配置される。
入力検知ユニットＩＳＵ１がベース層を含む別途のパネル形態で製造される場合、入力検知ユニットＩＳＵ１は、接着部材ＯＣＡを介して反射防止層ＲＬ上に付着することができる。
入力検知ユニットＩＳＵ１は、外部入力の座標情報を取得する素子であって、具体的には、ユーザーのタッチを検知するタッチ検知ユニットであるか、或いはユーザーの手指の指紋情報を検知する指紋検知ユニットであり得る。
【0021】
本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットＩＳＵ１は、指紋情報を検知する指紋検知ユニットであり得る。
指紋検知ユニットは、タッチ検知ユニットが数ｍｍ〜数十ｍｍの幅を有する検知電極を含むものとは対照的に、数μｍ〜数百μｍの幅を有する検知電極を含み得る。
また、指紋検知ユニットは、精度の高い座標情報を取得するために、アクティブ層、ゲート電極、及びデータ電極などを含む別途の薄膜トランジスタをさらに含み得る。
これにより、指紋検知ユニットは、一般的なタッチ情報に加えて、遥かに微細なレベルの座標情報からなる指紋情報も検知することができる。
これについての具体的な説明は後述する。
【0022】
ウィンドウ層ＷＰは、入力検知ユニットＩＳＵ１上に配置される。
ウィンドウ層ＷＰがベース層を含む別途のパネル形態で製造される場合、ウィンドウ層ＷＰは、接着部材ＯＣＡを介して入力検知ユニットＩＳＵ１上に付着することができる。
ウィンドウ層ＷＰは、ガラス基板及び／又は合成樹脂フィルムなどを含むことができる。
ウィンドウ層ＷＰは単層に限定されない。ウィンドウ層ＷＰは、接着部材で結合された２以上のフィルムを含むことができる。
ウィンドウ層ＷＰは、上部に配置された機能性コーティング層をさらに含むことができる。
機能性コーティング層は、指紋防止層、反射防止層及びハードコート層などを含むことができる。
【0023】
本発明の一実施形態によって入力検知ユニットＩＳＵ１が指紋検知ユニットとして構成される場合、ウィンドウ層ＷＰは、入力検知ユニット（指紋検知ユニット）ＩＳＵ１との間に接着部材ＯＣＡのみを介在して入力検知ユニット（指紋検知ユニット）ＩＳＵ１上に直接配置され得る。
すなわち、入力検知ユニット（指紋検知ユニット）ＩＳＵ１とウィンドウ層ＷＰとの間には、入力検知ユニット（指紋検知ユニット）ＩＳＵ１に含まれている金属素子の外光反射率を減少させるための別途の反射防止部材が配置されないこともある。
【0024】
偏光素子のような反射防止部材は、その厚さが数十μｍレベルに厚いこともあるが、指紋情報の検知は、一般なタッチ情報の検知よりもはるかに微細で精密な座標情報の取得が必要であるため、入力検知ユニット（指紋検知ユニット）ＩＳＵ１の上部に反射防止部材が積層される場合、指紋情報の検知が正確に行われないおそれがある。
したがって、入力検知ユニット（指紋検知ユニット）ＩＳＵ１の上部に別途の反射防止部材を配置しないことにより、指紋情報取得の精度を高めることができ、入力検知ユニット（指紋検知ユニット）ＩＳＵ１に含まれている金属材質の素子による外光反射は後述される反射防止パターン層によって遮断することができる。
【0025】
表示装置においてイメージが視認される面は平面であり得るが、これに限定されず、イメージが視認される面は曲面又は立体面であってもよい。
また、表示装置はリジッド（ｒｉｇｉｄ）表示装置であり得るが、これに限定されるものではない。表示装置はフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示装置であってもよい。
【0026】
図２は、本発明の一実施形態に係る表示装置の入力検知ユニットＩＳＵ１の概略平面図である。
図２を参照すると、入力検知ユニットＩＳＵ１は、複数のゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬを含む検知領域ＩＡと、検知領域ＩＡの外側に検知領域ＩＡを取り囲むように配置された非検知領域ＮＩＡとを含む。
【0027】
各ゲートラインＧＬは、第１方向ＤＲ１に延長され、複数のゲートラインＧＬは互いに平行に配列される。
各データラインＤＬは、第１方向ＤＲ１と交差する第２方向ＤＲ２に延長され、複数のデータラインＤＬは互いに平行に配列される。
第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２とは互いに垂直な方向であり得る。
【0028】
平面上、複数のゲートラインＧＬと複数のデータラインＤＬとは、互いに交差してマトリックス状に配置される。
複数のゲートラインＧＬと複数のデータラインＤＬによって囲まれた領域のうち、最小面積の領域は単位検知領域ＵＩＡとして定義され得る。
すなわち、単位検知領域ＵＩＡは、隣接する二つのゲートラインＧＬと隣接する二つのデータラインＤＬによって囲まれた領域であり得る。
また、検知領域ＩＡには複数の単位検知領域ＵＩＡが定義され得る。
【0029】
入力検知ユニットＩＳＵ１は、複数の検知電極ＳＥを含み、各検知電極ＳＥは、各単位検知領域ＵＩＡに１：１で対応するように配置される。
また、各単位検知領域ＵＩＡは、下部に配置された表示パネルＤＰの画素１〜３０個と重なり合う面積を持つことができる。
すなわち、平面上、各単位検知領域ＵＩＡ内には１〜３０個の画素が含まれ得る。
これについてのより具体的な説明は後述する。
【0030】
複数のゲートラインＧＬと複数のデータラインＤＬは、非検知領域ＮＩＡまで延長され、非検知領域ＮＩＡに配置された信号パッド（図示せず）に接続される。
信号パッドは、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬに駆動信号、制御信号などを印加する素子であり得る。
検知領域ＩＡは、下部に配置された表示パネルＤＰにおいてメージが生成される領域と少なくとも一部が重なり合う領域であっても、完全に重なり合う領域であってもよいが、これらに限定されるものではない。
【0031】
本発明の入力検知ユニットＩＳＵ１は、指紋情報を認識する指紋検知ユニットであり、検知領域ＩＡは、指紋情報を検知して指紋パターンに対する座標を取得する領域であり得る。
以下、本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットＩＳＵ１について単位検知領域ＵＩＡを中心にさらに詳細に説明する。
【0032】
図３は、図２に示した入力検知ユニットＩＳＵ１のＡ部分に対する拡大図であり、図４は、図３に示した入力検知ユニットＩＳＵ１のＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面図である。
図３及び図４を参照すると、入力検知ユニットＩＳＵ１は、ベース層ＢＬ、アクティブパターン層ＡＰＬ、アクティブ絶縁層ＡＩＬ、第１金属パターン層ＭＰＬ１、第１絶縁層ＩＬ１、第２金属パターン層ＭＰＬ２、第２絶縁層ＩＬ２、及び複数の検知電極ＳＥを含む。
【0033】
第１金属パターン層ＭＰＬ１と第２金属パターン層ＭＰＬ２は、それぞれ、複数のゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬを含む。
複数のゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬによって定義される各単位検知領域ＵＩＡは、複数の画素ＰＸと重なり合うことができる。
図３は、一つの単位検知領域ＵＩＡ内に１８個の画素ＰＸが含まれている場合を示しているが、これに限定されず、１〜３０個の画素ＰＸが含まれることも可能である。
【0034】
ベース層ＢＬは、アクティブパターン層ＡＰＬ及びアクティブ絶縁層ＡＩＬが配置される空間を提供して、これらを含む入力検知ユニットＩＳＵ１の構成を支持する。
ベース層ＢＬは、ガラス基板又はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの合成樹脂フィルムであり、接着部材ＯＣＡを介して下部の反射防止層ＲＬに付着することができる。
ベース層ＢＬは省略されてもよく、入力検知ユニットＩＳＵ１の素子は連続工程によって反射防止層ＲＬ上に直接形成できる。
この場合、アクティブパターン層ＡＰＬ及びアクティブ絶縁層ＡＩＬなどを支持するベース面は反射防止層ＲＬの上面になされる。
【0035】
アクティブパターン層ＡＰＬは、ベース層ＢＬ上に配置される。
アクティブパターン層ＡＰＬは、半導体を含み、具体的には、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ）、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）、金属酸化物などを含むことができる。
特に、アクティブパターン層ＡＰＬは、低温多結晶シリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）を含むことができるが、これらに限定されるものではない。
アクティブパターン層ＡＰＬは、チャネル領域ＣＲと、チャネル領域ＣＲの両側に位置するソース領域ＳＲ及びドレイン領域ＤＲを含むことができる。
チャネル領域ＣＲは、不純物がドーピングされていない真性半導体（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であり、ソース領域ＳＲ及びドレイン領域ＤＲは、導電性不純物がドーピングされた不純物半導体（ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であり得る。
【0036】
アクティブ絶縁層ＡＩＬは、ベース層ＢＬ上にアクティブパターン層ＡＰＬを覆うように配置される。
アクティブ絶縁層ＡＩＬは、アクティブパターン層ＡＰＬとゲート電極ＧＥとを互いに絶縁させるために配置される。
アクティブ絶縁層ＡＩＬは、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ、）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）よりなる群から選択される一つ以上を含むことが好ましい。
アクティブ絶縁層ＡＩＬは、上記素材を含むことにより、絶縁特性を有するだけではなく、金属層や透明導電層による外光反射を低減する屈折率マッチング層の役割を果たすこともできる。
【0037】
第１金属パターン層ＭＰＬ１は、アクティブ絶縁層ＡＩＬ上に配置される。
第１金属パターン層ＭＰＬ１は、平面上、第１方向ＤＲ１に延長された複数のゲートラインＧＬと、ゲートラインＧＬから単位検知領域ＵＩＡの内側に分岐したゲート電極ＧＥとを含む。
第１金属パターン層ＭＰＬ１は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びチタン（Ｔｉ）のうちの一つ以上を含むことが好ましい。
特に、第１金属パターン層ＭＰＬ１はモリブデンを含むことが好ましい。
第１金属パターン層ＭＰＬ１は、上記金属のうちの一つ以上を含む単一層又は多重層に形成できる。
但し、これに限定されず、上記金属以外の物質から構成されるか、或いは上記金属以外の物質をさらに含むこともできる。
第１金属パターン層ＭＰＬ１は、複数の画素ＰＸと重なり合わないように配置できる。
第１金属パターン層ＭＰＬ１のうち、複数のゲートラインＧＬは、図３に示すように、複数の画素ＰＸを回避するためにジグザグ状に配置され得る。
但し、これに限定されるものではなく、複数のゲートラインＧＬの幅が十分に小さい場合、直線状に配置することも可能である。或いは、複数の画素の配置形態に応じても直線状に配置することも可能である。
【0038】
第１反射防止パターン層ＲＰ１は、第１金属パターン層ＭＰＬ１上に配置される。
第１反射防止パターン層ＲＰ１は、第１金属パターン層ＭＰＬ１上に直接配置され、第１金属パターン層ＭＰＬ１の表面を覆う。
第１反射防止パターン層ＲＰ１は、第１金属パターン層ＭＰＬ１と同じパターンで配置されることにより、第１金属パターン層ＭＰＬ１と重なり合う。
図では、第１反射防止パターン層ＲＰ１が第１金属パターン層ＭＰＬ１上に配置された構造を示すが、これに限定されるものではない。
第１反射防止パターン層ＲＰ１は、第１金属パターン層ＭＰＬ１の側面の少なくとも一部を覆うように配置することもでき、第１金属パターン層ＭＰＬ１の下部に配置されるか、或いは下面の少なくとも一部を覆うように配置することもできる。
【0039】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、上述したように、入力検知ユニットＩＳＵ１の上部に別途の反射防止部材が配置しなくてもよいので、入力検知ユニットＩＳＵ１に含まれている第１金属パターン層ＭＰＬ１と同じ金属材質の素子による外光反射を遮断することが可能な構成が必要である。
よって、第１反射防止パターン層ＲＰ１のように外光反射を防止することができる物質で構成された層を、第１金属パターン層ＭＰＬ１の表面を覆うように配置することにより、外光反射を効果的に低減することができる。
【0040】
第１反射防止パターン層ＲＰ１は、組成式ＭｏａＸｂＯｃを有する金属酸化物を含む。
前記組成式において、Ｘはタンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、及びレニウム（Ｒｅ）よりなる群から選択される一つ以上の元素であることが好ましい。
前記組成式は、金属酸化物の相対的な原子組成を表現したものであって、ａ、ｂ、ｃはモリブデン原子、Ｘ原子、及び酸素原子のパーセント比率を示すものである。
従って、ａ、ｂ、及びｃは、０以上の有理数であり、ａ、ｂ、及びｃの和は、１である。
特に、金属酸化物は、モリブデン酸化物をベースとした物質であることが好ましい。
この場合、ａ及びｃは、０よりも大きい有理数であり得る。
但し、これに限定されるものではなく、ａ、ｂ、及びｃは、モリブデン原子、Ｘ原子、及び酸素原子の相対的な比率を示すものであってもよい。
例示的な実施形態において、ａ：ｃ＝１：０．１〜１０であり、ａ＋ｂ＋ｃ：ｂ＝１：０．０１〜０．０７であり得るが、これらに限定されるものではない。
【0041】
前記組成式を有する金属酸化物は、モリブデン酸化物とＸ元素の酸化物とが混合された状態、モリブデン酸化物にＸ元素がドーピングされた状態、モリブデン、Ｘ元素及び酸素が互いに結合した状態、又はこれらの状態が混在した状態であり得る。
前記組成式を有する金属酸化物は、吸光係数αが３０００ｃｍ−１以上であるため、第１金属パターン層ＭＰＬ１による外光反射を効果的に遮断することができる。
また、水に対する溶解度が低いため、第１反射防止パターン層ＲＰ１自体のエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）の際に、又は水を使用するエッチング、洗浄などの後続工程の際に浸食が発生しないため、製造工程の効率性を高めることができる。
【0042】
また、第１金属パターン層ＭＰＬ１に含まれ得るモリブデン、アルミニウム、チタンなどとの電位差が小さいため、第１金属パターン層ＭＰＬ１と直接接しても、酸化／還元による腐食が発生する可能性が低い。
また、５００Åの厚さを基準に、約３０００Ω／□の抵抗値を有する導電性物質であるため、後述する検知電極ＳＥと第２金属パターン層ＭＰＬ２とを電気的に接続することができる。
【0043】
前記組成式を有する金属酸化物内におけるＸの原子数の比率は１〜７％であることが好ましい。
Ｘ原子数の比率が１％以上であれば、金属酸化物の水に対する溶解度が効果的に減少する可能性があり、Ｘ原子数の比率が７％以下であれば、金属酸化物の低反射特性が維持すると同時にエッチング特性も容易なレベルに維持され得る。
この場合には、「ａ＋ｂ＋ｃ」とｂ値の比率は、１：０．０１〜０．０７であり得る。但し、これに限定されるものではない。
金属酸化物を含む第１反射防止パターン層ＲＰ１の厚さは、３００〜７００Åであることが好ましい。
厚さが３００〜７００Åの範囲内である場合、入力検知ユニットＩＳＵ１を含む表示装置の平均反射率は１０％未満であり、波長５５０ｎｍに対する反射率は５％未満であり得る。
【0044】
金属酸化物を含む第１反射防止パターン層ＲＰ１は、ｎｄ＝λ／４の式を満足する屈折率及び／又は厚さを有することができる。
式中、ｎは第１反射防止パターン層ＲＰ１の屈折率であり、ｄは第１反射防止パターン層ＲＰ１の厚さであり、λは反射防止の対象となる波長である。
上記の式を満足する場合、第１反射防止パターン層ＲＰ１は、光学的な相殺干渉の厚さを持つので、光の反射を効果的に低減することができる。
λは人間の目に最も敏感な波長である５５０ｎｍに設定できるが、これらに限定されるものではない。
【0045】
第１絶縁層ＩＬ１は、アクティブ絶縁層ＡＩＬ上に第１金属パターン層ＭＰＬ１を覆うように配置される。
第１絶縁層ＩＬ１は、第１金属パターン層ＭＰＬ１と第２金属パターン層ＭＰＬ２とを互いに絶縁させるために配置される。
第１絶縁層ＩＬ１も、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）よりなる群から選択される１つ以上を含むことが好ましい。
これにより、第１絶縁層ＩＬ１も絶縁特性を持つだけでなく、金属層又は透明導電層による外光反射を低減する屈折率マッチング層の役割も果たすことができる。
第１絶縁層ＩＬ１上には平坦化膜ＰＬが配置され得る。
但し、平坦化膜ＰＬは省略されてもよい。
【0046】
第２金属パターン層ＭＰＬ２は、第１絶縁層ＩＬ１上に配置される。
平坦化膜ＰＬが配置された場合、第２金属層ＭＬ２は平坦化膜ＰＬ上に配置される。
第２金属パターン層ＭＰＬ２は、平面上、第１方向ＤＲ１と交差する第２方向ＤＲ２に延長された複数のデータラインＤＬ、データラインＤＬから単位検知領域ＵＩＡの内側に分岐したソース電極ＤＥ１、及びこれと離隔して配置されたドレイン電極ＤＥ２を含むことができる。
【0047】
ソース／ドレイン電極ＤＥは、アクティブ絶縁層ＡＩＬと第１絶縁層ＩＬ１に形成されたコンタクトホールＨ１、Ｈ２を介してアクティブパターン層ＡＰＬと電気的に接続する。
具体的には、ソース電極ＤＥ１は、アクティブパターン層ＡＰＬのソース領域ＳＲに接続され、ドレイン電極ＤＥ２はアクティブパターン層ＡＰＬのドレイン領域ＤＲに接続される。
平坦化膜ＰＬが配置された場合、コンタクトホールＨ１、Ｈ２は平坦化膜ＰＬにも形成される。
【0048】
第２金属パターン層ＭＰＬ２も、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びチタン（Ｔｉ）のうちの一つ以上を含むことが好ましい。
特に、第２金属パターン層ＭＰＬ２は、アルミニウムとチタンを含むことが好ましい。
第２金属パターン層ＭＰＬ２は、上記の金属のうちの一つ以上を含む単一層又は多重層に形成できる。
但し、これに限定されず、上記金属以外の物質から構成されるか、或いは上記金属以外の物質をさらに含むこともできる。
第２金属パターン層ＭＰＬ２も、複数の画素ＰＸと重なり合わないように配置される。
第２金属パターン層ＭＰＬ２のうち、複数のデータラインＤＬも、図３に示すように、複数の画素ＰＸを回避するためにジグザグ状に配置され得る。
但し、これに限定されるものではなく、複数のデータラインＤＬの幅が十分に小さい場合、直線状に配置することも可能である。
【0049】
第２反射防止パターン層ＲＰ２は、第２金属パターン層ＭＰＬ２上に配置される。
第２反射防止パターン層ＲＰ２は、第２金属パターン層ＭＰＬ２上に直接配置され、第２金属パターン層ＭＰＬ２の表面を覆う。
第２反射防止パターン層ＲＰ２は、第２金属パターン層ＭＰＬ２と同じパターンで配置されることにより、第２金属パターン層ＭＰＬ２と重なり合う。
第２反射防止パターン層ＲＰ２も、第２金属パターン層ＭＰＬ２の側面の少なくとも一部を覆うように配置することもでき、第２金属パターン層ＭＰＬ２の下部に配置するか、或いは下面の少なくとも一部を覆うように配置することもできるのは、上述したとおりである。
第２反射防止パターン層ＲＰ２も、第２金属パターン層ＭＰＬ２の外光反射を遮断するためのものであって、組成式ＭｏａＸｂＯｃを有する金属酸化物を含むことができる。
第２反射防止パターン層ＲＰ２についての説明は、前述した第１反射防止パターン層ＲＰ１と同様なので、詳細な説明は省略する。
第１反射防止パターン層ＲＰ１と第２反射防止パターン層ＲＰ２は、互いに同一の物質からなり得るが、これらに限定されるものではない。
【0050】
第２絶縁層ＩＬ２は、第１絶縁層ＩＬ１上に第２金属パターン層ＭＰＬ２を覆うように配置される。
平坦化膜ＰＬが配置された場合、第２絶縁層ＩＬ２は平坦化膜ＰＬ上に配置される。
第２絶縁層ＩＬ２は、第２金属パターン層ＭＰＬ２と複数の検知電極ＳＥとを互いに絶縁させるために配置される。
第２絶縁層ＩＬ２も、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）よりなる群から選択される１つ以上を含むことが好ましい。
これにより、第２絶縁層ＩＬ２も絶縁特性を持つだけでなく、金属層や透明導電層による外光反射を低減する屈折率マッチング層の役割を果たすこともできる。
【0051】
複数の検知電極ＳＥは、第２絶縁層ＩＬ２上に配置される。
各検知電極ＳＥは、一つの単位検知領域ＵＩＡに対応する位置に配置される。
検知電極ＳＥは、透明導電性物質を含むことができる。
具体的には、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ、ＴＣＯ）を含むことができる。
検知電極ＳＥは、前記物質の少なくとも一つを含む単一層又は多重層に構成され得る。
【0052】
検知電極ＳＥは、第２絶縁層ＩＬ２に形成されたコンタクトホールＨ３を介して第２金属パターン層ＭＰＬ２と電気的に接続される。
具体的には、それぞれの検知電極ＳＥは、第２金属パターン層ＭＰＬ２のうち、ドレイン電極ＤＥ２上に配置された第２反射防止パターン層ＲＰ２と接することができる。
前述したように、第２反射防止パターン層ＲＰ２は導電性物質であるため、検知電極ＳＥは第２反射防止パターン層ＲＰ２を介して第２金属パターン層ＭＰＬ２と電気的に接続される。
但し、これに限定されず、第２絶縁層ＩＬ２にコンタクトホールＨ３を形成するとき、第２反射防止パターン層ＲＰ２も一部エッチングして第２金属パターン層ＭＰＬ２の表面を露出させることにより、検知電極ＳＥと第２金属パターン層ＭＰＬ２とが直接接するようにすることもできる。
【0053】
各検知電極ＳＥは、平面上、各単位検知領域ＵＩＡを実質的にカバーする面積で配置され得る。
すなわち、１つの検知電極ＳＥは、表示パネルＤＰに定義された画素ＰＸ１〜３０個と重なり合うことができる。
但し、これに限定されるものではなく、各検知電極ＳＥは各単位検知領域ＵＩＡの一部分にのみ配置することも可能である。
【0054】
第２絶縁層ＩＬ２上には、検知電極ＳＥを覆う封止層ＴＦＥが配置される。
封止層ＴＦＥは有機物又は絶縁物などを含むことにより、入力検知ユニットＩＳＵ１の素子を外気、湿気、衝撃などから保護することができる。
封止層ＴＦＥは、封止膜又は封止基板であり得る。
【0055】
図に示していないが、入力検知ユニットＩＳＵ１は、検知電極ＳＥの下部に配置される基準電極をさらに含むこともできる。
基準電極は、検知電極ＳＥと少なくとも一つの絶縁層を挟んで離隔され、基準電極の少なくとも一部と重なり合うように配置され得る。
基準電極は、第１金属パターン層ＭＰＬ１の一部であり得る。
すなわち、第１金属パターン層ＭＰＬ１は、複数のゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥと離隔するように配置された基準電極を含むことができる。
但し、これに限定されるものではない。
【0056】
前述したアクティブパターン層ＡＰＬ、複数のゲートラインＧＬとゲート電極ＧＥとを含む第１金属パターン層ＭＰＬ１、及び複数のデータラインＤＬとソース／ドレイン電極ＤＥとを含む第２金属パターン層ＭＰＬ２は、薄膜トランジスタを構成することができる。
図では、各単位検知領域ＵＩＡあたり１つのトランジスタのみが示しているが、これに限定されるものではなく、複数のスイッチングトランジスタ、検知トランジスタなどが一つの単位検知領域ＵＩＡに対応するように配置することもできる。
【0057】
図３及び図４には、アクティブパターン層ＡＰＬ、ゲートラインＧＬを含む第１金属パターン層ＭＰＬ１、及びデータラインＤＬを含む第２金属パターン層ＭＰＬ２が順次積層された構造を例示しているが、これに限定されるものではなく、ゲートラインＧＬの上部にアクティブパターン層ＡＰＬが配置されるか、或いはゲートラインＧＬとデータラインＤＬの積層順序が変わることができるなど、その積層順序は限定されない。
【0058】
図５は、本発明の他の実施形態に係る表示装置の入力検知ユニットの概略断面図である。
図５は、図４に示した反射防止パターン層ＲＰ３が第１金属パターン層ＭＰＬ１及び第２金属パターン層ＭＰＬ２と離隔して配置されるという点を除いては、図２〜図４の説明で上述したものと同様である。以下、重複する内容は省略する。
【0059】
図５を参照すると、反射防止パターン層ＲＰ３が第１金属パターン層ＭＰＬ１及び第２金属パターン層ＭＰＬ２の上部に第１金属パターン層ＭＰＬ１及び第２金属パターン層ＭＰＬ２と離隔して配置される。
反射防止パターン層ＲＰ３は、下部に配置された第１金属パターン層ＭＰＬ１及び第２金属パターン層ＭＰＬ２と重なり合うパターンで配置される。
図５には、反射防止パターン層ＲＰ３が封止層ＴＦＥ上に配置されるものと例示しているが、これに限定されず、第１金属パターン層ＭＰＬ１及び第２金属パターン層ＭＰＬ２の上部に離隔した層であれば制限なく配置できる。
図５のように、反射防止パターン層ＲＰ３が第１金属パターン層ＭＰＬ１と第２金属パターン層ＭＰＬ２の表面に別々に形成されず、一つの同じ層に形成されることにより、工程効率が向上できる。
【0060】
図６〜図１４は、本発明の一実施形態に係る入力検知ユニットの製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
図６を参照すると、まず、アクティブパターン層ＡＰＬが形成されたベース層ＢＬ上に、アクティブパターン層ＡＰＬを覆うようにアクティブ絶縁層ＡＩＬを形成する。
これについての具体的な製造方法は公知になっている通りなので、詳細な説明は省略する。
【0061】
図７を参照すると、次いで、アクティブ絶縁層ＡＩＬ上に第１金属層ＭＬ１を形成する。
第１金属層ＭＬ１は、前述した第１金属パターン層ＭＰＬ１と実質的に同一の物質を含むことが好ましい。
図８を参照すると、次いで、第１金属層ＭＬ１上に、第１金属層ＭＬ１を覆うように反射防止物質層ＲＭＬを形成する。
反射防止物質層ＲＭＬは、組成式ＭｏａＸｂＯｃを有する金属酸化物を含むことが好ましい。
これについての具体的な説明は、反射防止パターン層ＲＰ１、ＲＰ２についての説明で前述したとおりなので、省略する。
【0062】
図９を参照すると、次いで、第１金属層ＭＬ１と反射防止物質層ＲＭＬを同時にエッチングして第１金属パターン層ＭＰＬ１及び第１反射防止パターン層ＲＰ１を形成する。
エッチング方法としてウェットエッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）、ドライエッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）などを使用することができる。
特に、ウェットエッチングを使用する場合、上記組成式を有する金属酸化物は、水に対する溶解度が低いため、不要な侵食が発生することを防止することができる。
第１金属パターン層ＭＰＬ１は、複数のゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥを含み、第１反射防止パターン層ＲＰ１は、第１金属パターン層ＭＰＬ１と同じパターンを有する。
【0063】
図１０を参照すると、次いで、アクティブ絶縁層ＡＩＬ上に、第１金属パターン層ＭＰＬ１及び第１反射防止パターン層ＲＰ１を覆う第１絶縁層ＩＬ１を形成する。
図１０には、第１絶縁層ＩＬ１上に平坦化膜ＰＬも形成した場合を例示しているが、平坦化膜ＰＬは場合によって省略することもできる。
図１１を参照すると、次いで、アクティブ絶縁層ＡＩＬ及び第１絶縁層ＩＬ１に複数のコンタクトホールＨ１、Ｈ２を形成する。
複数のコンタクトホールＨ１、Ｈ２は、アクティブ絶縁層ＡＩＬと第１絶縁層ＩＬ１を貫通するように形成し、アクティブパターン層ＡＰＬのソース領域ＳＲとドレイン領域ＤＲをそれぞれ露出させる。
図１１には、平坦化膜ＰＬにもコンタクトホールＨ１、Ｈ２を形成した場合を例示している。
【0064】
図１２を参照すると、次いで、第１絶縁層ＩＬ１上に第２金属層ＭＬ２を形成する。
第２金属層ＭＬ２は、前述した第２金属パターン層ＭＰＬ２と実質的に同一の物質を含むことが好ましい。
第２金属層ＭＬ２の一部は、コンタクトホールＨ１、Ｈ２に充填されることにより、第２金属層ＭＬ２とアクティブパターン層ＡＰＬとを電気的に接続する。
図１３を参照すると、次いで、第２金属層ＭＬ２上に、第２金属層ＭＬ２を覆うように反射防止物質層ＲＭＬを形成する。
反射防止物質層ＲＭＬは、上述した第１金属層ＭＬ１上に形成した反射防止物質層ＲＭＬと同一の物質から構成され得る。
【0065】
図１４を参照すると、次いで、第２金属層ＭＬ２と反射防止物質層ＲＭＬとを同時にエッチングして第２金属パターン層ＭＰＬ２及び第２反射防止パターン層ＲＰ２を形成する。
第２金属パターン層ＭＰＬ２は、複数のデータラインＤＬ及びソース／ドレイン電極ＤＥを含む。
エッチング方法としてウェットエッチング、ドライエッチングなどを使用することができ、第２反射防止パターン層ＲＰ２が第２金属パターン層ＭＰＬ２と同じパターンを持つことができるのは、前述したとおりである。
続いて、第２絶縁層ＩＬ２、検知電極ＳＥ、封止層ＴＦＥなどを形成することにより、図４に示すような入力検知ユニットＩＳＵ１を製造することができる。
【0066】
図１５は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す概略断面図であり、図１６は、図１５の表示装置の入力検知ユニットＩＳＵ２の概略平面図であり、図１７は、図１６に示す入力検知ユニットＩＳＵ２のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿った断面図である。
図１５〜図１７は、入力検知ユニットＩＳＵ２がタッチ検知ユニット（ＩＳＵ２−１）と指紋検知ユニット（ＩＳＵ２−２）に区分されることを除いては、図１〜図４の説明で上述したのと同様である。
以下では、重複する内容は省略する。
【0067】
図１５〜図１７を参照すると、入力検知ユニットＩＳＵ２は、指紋検知ユニット（ＩＳＵ２−２）とタッチ検知ユニット（ＩＳＵ２−１）を含む。
指紋検知ユニット（ＩＳＵ２−２）とタッチ検知ユニット（ＩＳＵ２−１）は、同じ層に配置される。
平面上、指紋検知ユニット（ＩＳＵ２−２）は、入力検知ユニットＩＳＵ２の一部分に配置されて指紋検知領域ＦＳＡを定義することができ、タッチ検知ユニット（ＩＳＵ２−１）は、残りの部分に配置されてタッチ検知領域ＴＳＡを定義することができる。
【0068】
図１６には、指紋検知領域ＦＳＡが検知領域ＩＡの中央下端に配置され、タッチ検知領域ＴＳＡが検知領域ＩＡの残りの空間で指紋検知領域ＦＳＡを囲むように配置されたものと例示しているが、これらに限定されるものではない。
指紋検知ユニット（ＩＳＵ２−２）は、複数のゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬによって区分される複数の単位検知領域ＵＩＡを含む。
指紋検知ユニット（ＩＳＵ２−２）についての具体的な説明は、前述したのと同様なので省略する。
タッチ検知ユニット（ＩＳＵ２−１）は、複数の第１検知電極ＩＥ１と複数の第２検知電極ＩＥ２を含む。
例えば、図１６では、複数の第１検知電極ＩＥ１は複数の菱形が横に一列に接続された形態をなし、複数の第２検知電極ＩＥ２は複数の菱形が縦に一列に接続された形態をなし得る。
各第１検知電極ＩＥ１は第１連結部ＣＰ１を含み、各第２検知電極ＩＥ２は第２連結部ＣＰ２を含み、
第１検知電極ＩＥ１の列と第２検知電極ＩＥ２の列とは第１連結部ＣＰ１及び第２連結部ＣＰ２で互いに交差することができる。
【0069】
図１７に示すように、タッチ検知ユニット（ＩＳＵ２−１）は、ベース層ＢＬ、第１連結部ＣＰ１、絶縁層ＩＬ、第１検知電極ＩＥ１、第２検知電極ＩＥ２、及び封止層ＴＦＥが順次積層された構造であり得る。
第１検知電極ＩＥ１と第２検知電極ＩＥ２は同じ層に配置される。
第１連結部ＣＰ１は、第１検知電極ＩＥ１と絶縁層ＩＬを介して離隔した層に配置され、複数の第１検知電極ＩＥ１を互いに連結し、第２連結部ＣＰ２は、第２検知電極ＩＥ２と同じ層に配置され、複数の第２検知電極ＩＥ２を互いに連結する。
第１検知電極ＩＥ１と第２検知電極ＩＥ２は、前述した検知電極ＳＥと同様に、透明導電性物質を含むことができ、単一層又は多重層から構成できる。
【0070】
複数の第１及び第２検知電極ＩＥ１、ＩＥ２におけるそれぞれの菱形形状に該当する部分は、指紋検知ユニット（ＩＳＵ２−２）の各検知電極ＳＥ又は指紋検知領域ＦＳＡの単位検知領域ＵＩＡより広くてもよい。
図１５〜図１７に示すように、指紋検知が必要な領域にのみ指紋検知ユニット（ＩＳＵ２−２）を配置し、残りの部分には一般なタッチ検知ユニット（ＩＳＵ２−１）を配置することにより、薄膜トランジスタを製造するための材料を節減することができる。
【0071】
図１８は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す概略断面図である。
図１８は、指紋検知ユニット（ＩＳＵ３−２）がタッチ検知ユニット（ＩＳＵ３−１）上に別途の層として配置されるという点を除いては、図１５〜図１７の説明で上述したのと同様である。以下では、重複する内容は省略する。
【0072】
図１８を参照すると、表示装置は、タッチ検知ユニット（ＩＳＵ３−１）、及びタッチ検知ユニット（ＩＳＵ３−１）上に接着部材ＯＣＡを介して付着した指紋検知ユニット（ＩＳＵ３−２）を含む。
指紋検知ユニット（ＩＳＵ３−２）は、平面上、一部分にのみ検知領域ＩＡが配置されたものであり得る。
図１８のように、指紋検知ユニット（ＩＳＵ３−２）をタッチ検知ユニット（ＩＳＵ３−１）と別途の層に配置することにより、工程難易度を下げることができる。
タッチ検知ユニット（ＩＳＵ３−１）は、別途のベース層を含むことができるが、別途のベース層を省略し、反射防止層ＲＬの上面をタッチ検知ユニット（ＩＳＵ３−１）のベース面として定義することもできる。
【0073】
図１９は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す概略断面図である。
図１９は、タッチ検知ユニット（ＩＳＵ４−１）が反射防止層ＲＬの下部に配置されるという点を除いては、図１８の説明で上述したのと同様である。以下では、重複する内容は省略する。
【0074】
図１９を参照すると、タッチ検知ユニット（ＩＳＵ４−１）と指紋検知ユニット（ＩＳＵ４−２）は別途の層に配置され、タッチ検知ユニット（ＩＳＵ４−１）は反射防止層ＲＬの下部に、指紋検知ユニット（ＩＳＵ４−２）は反射防止層ＲＬの上部にそれぞれ配置される。
タッチ検知ユニット（ＩＳＵ４−１）は、指紋検知ユニット（ＩＳＵ４−２）より相対的に精度が低い座標情報の取得を要求するため、上部に反射防止層ＲＬが配置されても十分なタッチ情報の取得が可能である。
したがって、図１９に示すように、タッチ検知ユニット（ＩＳＵ４−１）を反射防止層ＲＬの下部に配置することにより、タッチ検知ユニット（ＩＳＵ４−１）に含まれている金属材質の素子による外光反射を別途の部材なしで効果的に遮断することができる。
タッチ検知ユニット（ＩＳＵ４−１）は、別途のベース層を含むことができるが、別途のベース層を省略し、表示パネルＤＰの上面をタッチ検知ユニット（ＩＳＵ４−１）のベース面として定義することもできる。
【0075】
以下、本発明の反射防止物質が被覆された金属の反射率を測定した実験について説明する。
≪実験例１≫
モリブデンに、ＭｏａＴａｂＯｃの組成式を有する金属酸化物を、４００〜６５０Åの範囲で厚さを異にして被覆した構造に対して、平均反射率と光の波長５５０ｎｍに対する反射率をソフトウェアツール（Ｓｏｆｔｗａｒｅ ｔｏｏｌ）を用いてシミュレーションした。
ａ、ｂ及びｃは、モリブデン、タンタル、及び酸素の原子間の組成比であって、量論的に適切な値を設定した。
特に、タンタル原子の比率は、１〜７％の範囲内の値となるように設定した。
【0076】
図２０は、上記金属酸化物を被覆したモリブデンの被覆厚さと反射率とのシミュレーション結果を示すグラフである。
図２０に示すように、金属酸化物の厚さが約３００〜７００Åの範囲内であるとき、最適の反射率低減効果を示すということを確認することができる。
上記の構造を表示装置に適用する場合、ＳｉＯ２のような屈折率マッチング層などによる反射率低減効果も付加されて、結果として約１０％未満の反射率を期待することができる。
【0077】
≪実験例２≫
厚さ２５００Åのモリブデン層に、実験例１の金属酸化物を、３５０〜７５０Åの範囲で厚さを異にして被覆し、平均反射率と光の波長５５０ｎｍに対する反射率を測定した。
上記組成式を有する金属酸化物における各元素の組成は、ＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、ＡＥＳ（Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）などを用いて分析することができる。
【0078】
図２１は、モリブデンの厚さ２５００Å時の金属酸化物の被覆厚さと反射率との測定結果を示すグラフである。
図２１に示すように、前記金属酸化物の厚さが約３００〜７００Åの範囲内であるとき、最適の反射率低減効果を示し、厚さに応じた反射率の変化様相がシミュレーション結果と近似していることを確認することができる。
【0079】
≪実験例３≫
モリブデン層、アルミニウム層、及びチタン／アルミニウム／チタンの多重層、それぞれに実験例１の金属酸化物を４５０Åの厚さで被覆し、波長による反射率を測定した。
図２２は、上記各金属に金属酸化物を４５０Åの厚さで被覆したものの反射率の測定結果を示すグラフであり、図２３は、上記各金属に金属酸化物を被覆したものの波長による反射率に基づいて各被覆構造の色座標を示すグラフである。
【0080】
図２２に示すように、金属酸化物を被覆する場合、人間の目に最も敏感な波長である５５０ｎｍに近いほど反射率低減効果が大きく、モリブデンに金属酸化物を被覆した構造が色座標の中央に最も近接して最も色味を帯びないことを確認することができる。
【0081】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0082】
ＡＩＬ アクティブ絶縁層
ＡＰＬ アクティブパターン層
ＢＬ ベース層
ＤＰ 表示パネル
ＩＡ 検知領域
ＩＬ１、２ （第１、第２）絶縁層
ＩＳＵ１ 入力検知ユニット
ＭＰＬ１ 第１金属パターン層
ＭＰＬ２ 第２金属パターン層
ＮＩＡ 非検知領域
ＯＣＡ 接着部材
ＲＬ 反射防止層
ＲＰ１ 第１反射防止パターン層
ＲＰ２ 第２反射防止パターン層
ＳＥ 検知電極
ＵＩＡ 単位検知領域
ＷＰ ウィンドウ層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
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