(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6985507
(24)【登録日】2021年11月29日
(45)【発行日】2021年12月22日
(54)【発明の名称】アレイ基板、アレイ基板の製造方法及び液晶表示パネル
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1368 20060101AFI20211213BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20211213BHJP
【FI】
G02F1/1368
G09F9/30 330
G09F9/30 320
【請求項の数】10
【全頁数】11
(21)【出願番号】特願2020-517792(P2020-517792)
(86)(22)【出願日】2018年1月5日
(65)【公表番号】特表2020-535480(P2020-535480A)
(43)【公表日】2020年12月3日
(86)【国際出願番号】CN2018071559
(87)【国際公開番号】WO2019061937
(87)【国際公開日】20190404
【審査請求日】2020年3月27日
(31)【優先権主張番号】201710934432.3
(32)【優先日】2017年9月28日
(33)【優先権主張国】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】517264292
【氏名又は名称】武漢華星光電技術有限公司
【氏名又は名称原語表記】WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】李 任鵬
(72)【発明者】
【氏名】米田 公太郎
【審査官】
磯崎 忠昭
(56)【参考文献】
【文献】
国際公開第2014/103915(WO,A1)
【文献】
米国特許出願公開第2017/0010507(US,A1)
【文献】
中国実用新案第203630483(CN,U)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G02F 1/1368
G09F 9/30
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板、前記基板に積層されたソース・ドレイン層、前記ソース・ドレイン層に平面視で重畳する画素電極層、及び前記ソース・ドレイン層と前記画素電極層との間に積層されたスペーサ層を含み、
前記スペーサ層は、ビアホール及び前記ビアホールのエッジに間隔をおいて設けられた複数の導液溝を含むビアホール構造を含み、
前記導液溝が前記ビアホールの内壁から前記ビアホールの内部から離れる方向に凹み、
前記ビアホールが、前記スペーサ層の上端に位置する第1開口及び前記第1開口に対向し、前記スペーサ層の下端に位置する、前記第1開口よりも狭い第2開口を有し、
前記第1開口の形状が、平面に視て、前記ビアホールの内壁形状及び複数の前記導液溝の内壁形状によって構成され、
前記導液溝が前記第1開口から前記第2開口の方向に延びており、
前記画素電極層が前記ビアホール構造を介して前記ソース・ドレイン層と電気的に接続され、
前記導液溝の延在方向と前記ビアホールの軸線方向とのなす角が、前記ビアホールの内壁と前記軸線方向とのなす角と異なる、
アレイ基板。
【請求項2】
前記画素電極層の前記ビアホールに対応する位置に凹溝が形成され、前記画素電極層の前記導液溝のそれぞれに対応する位置にサブ導液溝が形成されている、
請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項3】
前記アレイ基板は、前記画素電極層を覆う配向層をさらに含む、
請求項1又は2に記載のアレイ基板。
【請求項4】
基板にパターニングプロセスによってソース・ドレイン層を形成するステップと、
前記ソース・ドレイン層にスペーサ層を形成するとともに、パターニングプロセスによって前記スペーサ層に、ビアホール及び前記ビアホールのエッジに間隔をおいて設けられる複数の導液溝を含むビアホール構造を形成し、前記導液溝が前記ビアホールの内壁から前記ビアホールの内部から離れる方向に凹んで形成され、前記ビアホールが前記スペーサ層の上端に位置する第1開口及び前記第1開口に対向し、前記スペーサ層の下端に位置する、前記第1開口よりも狭い第2開口を有し、前記第1開口の形状が、平面に視て、前記ビアホールの内壁形状及び複数の前記導液溝の内壁形状によって構成され、前記導液溝が前記第1開口から前記第2開口の方向に延び、前記導液溝の延在方向と前記ビアホールの軸線方向とのなす角が、前記ビアホールの内壁と前記軸線方向とのなす角と異なるステップと、
前記スペーサ層に画素電極層を形成し、前記画素電極層が前記ビアホール構造を介して前記ソース・ドレイン層と電気的に接続されて、前記画素電極層の前記ビアホールに対応する位置には前記ビアホールの形状構造と同じ凹溝を形成し、前記導液溝のそれぞれに対応する位置には前記導液溝の形状構造と同じサブ導液溝を形成するステップと、
前記画素電極層に前記画素電極層を覆う配向層を形成し、前記配向層が前記画素電極層及び前記画素電極層の前記凹溝の内壁、前記サブ導液溝の内壁を覆うステップと、
を含む、
アレイ基板の製造方法。
【請求項5】
前記「パターニングプロセスによって前記スペーサ層にビアホール構造を形成するステップ」は、
前記ソース・ドレイン層にスペーサ材料層及びフォトレジスト材料層を順次形成することと、
前記ビアホール構造の形状及び大きさと同じであるマスク上のビアホールパターンを、前記フォトレジスト材料層に転写するように、マスクを介して前記フォトレジスト材料層を露光して現像することと、
前記スペーサ材料層をエッチングし、前記フォトレジスト材料層に形成される前記ビアホールパターンを前記スペーサ材料層に転写して、前記ビアホール構造を有するスペーサ層を得ることと、
前記フォトレジスト材料層を剥離することと、
を含む、
請求項4に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項6】
前記導液溝の延在方向と前記ビアホールの軸線方向とのなす角が前記ビアホールの内壁と前記軸線方向とのなす角と異なる場合、前記マスクが遮光領域、透光領域及び複数の半透光領域を含み、
前記複数の半透光領域が前記透光領域を取り囲んで間隔をおいて配列され、
前記半透光領域が前記透光領域に接続され、
前記半透光領域の光透過率が前記透光領域から離れる方向から前記透光領域の方向へ徐々に増加し、
前記スペーサ層において前記透光領域に対応する位置には前記ビアホールを形成し、
前記スペーサ層において前記半透光領域に対応する位置には前記導液溝を形成する、
請求項5に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項7】
前記「前記画素電極層に前記画素電極層を覆う配向層を形成し、前記配向層が前記画素電極層、前記凹溝及び前記サブ導液溝の内壁を覆うステップ」は、
配向液を前記画素電極層に印刷して前記画素電極層を覆い、前記配向液が前記サブ導液溝に沿って前記凹溝内に流れるとともに、前記凹溝及び前記サブ導液溝の内壁に付着することと、
前記画素電極層、前記凹溝及び前記サブ導液溝の内壁の前記配向液をプリベークして、前記画素電極層、前記凹溝及び前記サブ導液溝の内壁を覆う配向層を得ることと、
を含む、
請求項4〜6のいずれか1項に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項8】
アレイ基板、前記アレイ基板に対向するカラーフィルタ基板、及び前記アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に設けられる液晶層を含み、
前記アレイ基板が基板、前記基板に積層されたソース・ドレイン層、前記ソース・ドレイン層に平面視で重畳する画素電極層、及び前記ソース・ドレイン層と前記画素電極層との間に積層されたスペーサ層を含み、
前記画素電極層が前記液晶層に向け、前記スペーサ層が、ビアホール及び前記ビアホールのエッジに間隔をおいて設けられる複数の導液溝を含むビアホール構造を含み、
前記導液溝が前記ビアホールの内壁から前記ビアホールの内部から離れる方向に凹み、前記ビアホールが前記スペーサ層の上端に位置する第1開口及び前記第1開口に対向し、前記スペーサ層の下端に位置する、前記第1開口よりも狭い第2開口を有し、
前記第1開口の形状が、平面に視て、前記ビアホールの内壁形状及び複数の前記導液溝の内壁形状によって構成され、
前記導液溝が前記第1開口から前記第2開口の方向に延びており、前記画素電極層が前記ビアホール構造を介して前記ソース・ドレイン層と電気的に接続され、
前記導液溝の延在方向と前記ビアホールの軸線方向とのなす角が、前記ビアホールの内壁と前記軸線方向とのなす角と異なる、
液晶表示パネル。
【請求項9】
前記画素電極層の前記ビアホールに対応する位置に凹溝が形成され、前記画素電極層の前記導液溝のそれぞれに対応する位置にサブ導液溝が形成されている、
請求項8に記載の液晶表示パネル。
【請求項10】
前記アレイ基板は、前記画素電極層を覆う配向層をさらに含む、
請求項8又は9に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示パネル製造の技術分野に関し、特にアレイ基板、アレイ基板の製造方法及び液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示パネル(LCD)は、小型、低消費電力、無輻射などの特徴を有するため注目されており、フラットパネルディスプレイの分野で主導的地位を占め、様々な業種で幅広く適用されている。液晶表示パネルは一般的に、カラーフィルタ基板とアレイ基板とをセルにしたものである。前記アレイ基板は一般的にソース・ドレイン層、前記ソース・ドレイン層に設けられるスペーサ層及び前記スペーサ層に位置する画素電極層を含む。前記液晶表示パネルの駆動及び表示を実現するために、前記画素電極層が前記ビアホールを介して前記ソース・ドレイン層と電気的に接続されるように、前記スペーサ層にビアホールを設ける必要がある。前記画素電極層が前記ビアホールを介して前記ソース・ドレインと電気的に接続されると、前記画素電極層の前記ビアホールに対する位置に凹溝が形成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
前記ビアホールの面積は小さいため、前記画素電極層の上に配向膜を設けると、前記凹溝内に気泡が発生しやすくなり、前記配向膜を形成する配向液は前記画素電極層の前記凹溝に入りこみにくく、前記凹溝内に均一に分散されることが困難となる。この領域に配向膜が欠けていることで前記液晶表示パネルに表示異常が発生してしまう。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明は、前記アレイ基板の画素電極層の位置毎にいずれも配向膜が覆われており、前記アレイ基板で形成された液晶表示パネルが正常に表示可能になることを確保するアレイ基板、アレイ基板の製造方法及び液晶表示パネルを提供している。
【0005】
前記アレイ基板は基板、前記基板に積層されたソース・ドレイン層、前記ソース・ドレイン層に位置する画素電極層、及び前記ソース・ドレイン層と前記画素電極層との間に積層されたスペーサ層を含み、前記スペーサ層は、ビアホール及び前記ビアホールのエッジに間隔をおいて設けられる複数の導液溝を含むビアホール構造を含み、前記導液溝が前記ビアホールの内壁から前記ビアホールの内部から離れる方向に凹み、前記ビアホールが第1開口及び前記第1開口に対向する第2開口を有し、前記導液溝が前記第1開口から前記第2開口の方向に延びており、前記画素電極層が前記ビアホール構造を介して前記ソース・ドレイン層と電気的に接続される。
【0006】
前記導液溝の延在方向と前記ビアホールの軸線方向とのなす角が、前記ビアホールの内壁と前記軸線方向とのなす角と同じである。
【0007】
前記画素電極層の前記ビアホールに対応する位置に凹溝が形成され、前記画素電極層の前記導液溝のそれぞれに対応する位置にサブ導液溝が形成されている。
前記アレイ基板は、前記画素電極層を覆う配向層をさらに含む。
【0008】
前記アレイ基板の製造方法は、
基板にパターニングプロセスによってソース・ドレイン層を形成するステップと、
前記ソース・ドレイン層にスペーサ層を形成するとともに、パターニングプロセスによって前記スペーサ層に、ビアホール及び前記ビアホールのエッジにおいて間隔をおいて設けられる複数の導液溝を含むビアホール構造を形成し、前記導液溝が前記ビアホールの内壁から前記ビアホールの内部から離れる方向に凹んで形成され、前記ビアホールが第1開口及び前記第1開口に対向する第2開口を有し、前記導液溝が前記第1開口から前記第2開口の方向に延び、且つ前記導液溝の延在方向と前記ビアホールの軸線方向とのなす角が、前記ビアホールの内壁と前記軸線方向とのなす角と同じか又は異なるステップと、
前記スペーサ層に画素電極層を形成し、前記画素電極層が前記ビアホール構造を介して前記ソース・ドレイン層と電気的に接続されて、前記画素電極層の前記ビアホールに対応する位置には前記ビアホールの形状構造と同じ凹溝を形成し、前記導液溝のそれぞれに対応する位置には前記導液溝の形状構造と同じサブ導液溝を形成するステップと、
前記画素電極層に前記画素電極層を覆う配向層を形成し、前記配向層が前記画素電極層及び前記画素電極層の前記凹溝の内壁、前記サブ導液溝の内壁を覆うステップとを含む。
【0009】
前記「パターニングプロセスによって前記スペーサ層にビアホール構造を形成するステップ」は、
前記ソース・ドレイン層にスペーサ材料層及びフォトレジスト材料層を順次形成することと、
前記ビアホール構造の形状及び大きさと同じであるマスク上のビアホールパターンを、前記フォトレジスト材料層に転写するように、マスクを介して前記フォトレジスト材料層を露光して現像することと、
前記スペーサ材料層をエッチングし、前記フォトレジスト材料層に形成される前記ビアホールパターンを前記スペーサ材料層に転写して、前記ビアホール構造を有するスペーサ層を得ることと、
前記フォトレジスト材料層を剥離することとを含む。
【0010】
前記導液溝の延在方向と前記ビアホールの軸線方向とのなす角が前記ビアホールの内壁と前記軸線方向とのなす角と
異なる場合に、前記マスクが遮光領域、透光領域及び複数の半透光領域を含み、前記複数の半透光領域が前記透光領域を取り囲んで間隔をおいて配列され、前記半透光領域が前記透光領域に接続され、前記半透光領域の光透過率が前記透光領域から離れる方向から前記透光領域の方向へ徐々に増加し、前記透光領域が前記スペーサ層において前記ビアホールが形成される位置に対応し、前記半透光領域が前記スペーサ層において前記導液溝が形成される位置に対応する。
【0011】
前記導液溝の延在方向と前記ビアホールの軸線方向とのなす角が前記ビアホールの内壁と前記軸線方向とのなす角と
同じである場合に、前記マスクが遮光領域、第1透光領域及び複数の第
2透光領域を含み、前記複数の第
2透光領域が前記第1透光領域を取り囲んで間隔をおいて配列され、前記第2透光領域が前記第1透光領域に接続され、前記第1透光領域が前記スペーサ層において前記ビアホールが形成される位置に対応し、前記第2透光領域が前記スペーサ層において前記導液溝が形成される位置に対応する。
【0012】
前記「前記画素電極層に前記画素電極層を覆う配向層を形成し、前記配向層が前記画素電極層、前記凹溝及び前記サブ導液溝の内壁を覆うステップ」は、
配向液を前記画素電極層に印刷して前記画素電極層を覆い、前記配向液が前記サブ導液溝に沿って前記凹溝内に流れるとともに、前記凹溝及び前記サブ導液溝の内壁に付着することと、
前記画素電極層、前記凹溝及び前記サブ導液溝の内壁の前記配向液をプリベークして、前記画素電極層、前記凹溝及び前記サブ導液溝の内壁を覆う配向層を得ることとを含む。
【0013】
前記液晶表示パネルは、前記アレイ基板、前記アレイ基板に対向するカラーフィルタ基板、及び前記アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に設けられる液晶層を含み、前記アレイ基板の前記画素電極層が前記液晶層に向ける。
【0014】
本発明に係る前記アレイ基板、アレイ基板の製造方法及び液晶表示パネルは、前記ビアホールのエッジに間隔をおいて設けられる複数の導液溝を設けることにより、前記画素電極層が前記スペーサ層に積層された場合に、前記画素電極層の前記ビアホールに対応する位置に前記ビアホールの形状構造と同じ凹溝が形成され、前記導液溝のそれぞれに対応する位置に前記導液溝の形状構造と同じサブ導液溝が形成される。さらに前記画素電極層に配向層が設けられる場合に、前記配向層を形成する配向液は前記サブ導液溝を介して前記画素電極層上の凹溝内に流れることで、前記画素電極層上の凹溝の位置に前記配向膜が覆われることも可能であり、さらに前記アレイ基板で形成された液晶表示パネルの正常表示を確保する。
【図面の簡単な説明】
【0015】
以下、本発明の実施例又は従来技術の技術的手段をより明確に説明するために、実施例又は従来技術の説明に使用する添付図面を簡単に説明する。以下に説明する図面は、本発明の幾つかの実施例に過ぎず、当業者にとっては創造的努力なしにこれらの図面から他の図面を導き出すこともできることは明らかである。
【0016】
【
図1】
図1は、本発明の一実施例に係るアレイ基板の断面模式図である。
【
図2】
図2は、
図1に記載のアレイ基板のビアホールの構造概略図である。
【
図3】
図3は、
図2に記載のアレイ基板のビアホールの断面模式図である。
【
図4】
図4は、本発明の他の実施例に係るアレイ基板のビアホールの断面模式図である。
【
図5】
図5は、本発明の実施例のアレイ基板の製造フローを示す図である。
【
図6】
図6は、図
5に記載の製造フローにおけるステップ120の具体的なフローを示す図である。
【
図7】
図7は、図
5に記載の製造フローにおけるステップ140の具体的なフローを示す図である。
【
図8】
図8は、
図3に記載のアレイ基板上のビアホール構造を形成する遮光マスクの構造概略図である。
【
図9】
図9は、
図4に記載のアレイ基板上のビアホール構造を形成する遮光マスクの構造概略図である。
【
図10】
図10は、本発明の一実施例に係る液晶表示パネルの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の実施例における添付図面を参照しながら、本発明の実施例における技術的手段を明確かつ完全に説明する。説明される実施例は本発明の実施例のすべてではなく、その一部にすぎないことは明らかである。本発明の実施例に基づき、当業者が創造的な労働を行うことなく得られるすべての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属する。
【0018】
図1を参照すると、本発明は、アレイ基板100を提供している。前記アレイ基板100は、基板10と、前記基板10に積層されたソース・ドレイン層20と、前記ソース・ドレイン層20に積層された画素電極層40と、前記ソース・ドレイン層20と前記画素電極層40との間に積層されたスペーサ層30とを含む。前記スペーサ層30にビアホール構造50が設けられ、前記画素電極層40が前記ビアホール構造50を介して前記ソース・ドレイン層20と電気的に接続される。本実施例において、前記スペーサ層30は絶縁層及び平坦化層を含む。前記アレイ基板100の設計要求に応じて、前記スペーサ層30は他の層構造を含んでいてもよいことが理解されよう。
【0019】
図2及び
図3を参照すると、前記ビアホール構造50はビアホール51及び前記ビアホール51のエッジに間隔をおいて設けられる複数の導液溝52を含み、複数の前記導液溝52を介して液体を前記ビアホール51内にスムーズに流れることができる。前記液体の流れ方向は前記導液溝52の延在方向である。前記導液溝52は前記ビアホール51の内壁511から前記ビアホール51の内部から離れる方向に凹んで形成されている。前記ビアホール51は第1開口512と、前記第1開口512に対向する第2開口513とを有する。前記導液溝52は前記第1開口512から前記第2開口513の方向に延び、即ち前記導液溝52を介して前記第1開口512の一端から前記第2開口513の一端に液体が流れることができることで、液体が前記開口内にスムーズに流れることができる。本実施例において、前記導液溝52の延在方向と前記ビアホールの軸線方向とのなす角が、前記ビアホールの内壁511と前記軸線方向とのなす角と同じであり、前記導液溝52が前記第1開口512の一端から前記第2開口513の一端まで延びる。
図4を参照して、本発明の他の実施例において、前記導液溝52と軸線方向とのなす角が前記ビアホールの内壁511と前記軸線方向とのなす角と異なってもよい。前記導液溝52は、前記第2開口513の一端まで延びていなくてもよく、この場合にも、前記ビアホール51内に液体を導入する効果を奏することができることが理解される。前記導液溝52は任意の形状であってもよく、例えば、前記導液溝52の断面がV型、半円型、放物線型などであってもよい。
【0020】
前記画素電極層40が前記スペーサ層30に積層されて、前記ビアホール51に対応する位置に凹溝41が形成され、前記凹溝41の内壁形状が前記ビアホール51の内壁形状と同じである。前記導液溝52のそれぞれに対応する位置にサブ導液溝42が形成され、前記サブ導液溝42の内壁形状が前記導液溝52の内壁の形状構造と同じである。
【0021】
さらに、前記アレイ基板100は配向層60をさらに含み、前記配向層60が前記画素電極層40を覆い、即ち前記配向層60が前記凹溝41及び前記サブ導液溝42の内壁を覆うことができる。具体的には、前記配向層60を形成する配向液が前記サブ導液溝42を介して前記凹溝41内に流れることができ、前記配向液の表面エネルギーなどにより前記凹溝41内に気泡が発生しにくく、さらに前記配向層60を、前記凹溝41内を覆うように均一に分散させ、前記配向層60を前記画素電極層40の任意の位置を覆うことができる。
【0022】
図5を参照し、本発明は、アレイ基板100の製造方法をさらに提供しており、ステップ110〜ステップ140を含む。
【0023】
ステップ110:前記基板10にパターニングプロセスによって前記ソース・ドレイン層20を形成する。具体的には、前記パターニングプロセスはフォトレジスト塗布、露光、現像、エッチングなどの工程を含み、前記パターニングプロセスによって形成された前記ソース・ドレイン層20は間隔をおいて設けられるソース及びドレインを含む。
【0024】
ステップ120:前記ソース・ドレイン層20に前記スペーサ層30を形成するとともに、パターニングプロセスによって前記スペーサ層30に前記ビアホール構造50を形成する。前記ビアホール構造50の構造は説明したが、ここでは説明しない。
【0025】
図6を参照して、前記ステップ120は工程121〜工程124をさらに含む。
【0026】
工程121:前記ソース・ドレイン層20にスペーサ材料層を形成する。気相成膜及び塗布などの方式によりソース・ドレイン層20にスペーサ材料層を形成する。本実施例において、前記スペーサ層30は前記絶縁層及び前記絶縁層に積層された平坦化層を含む。気相成膜の方式により前記ソース・ドレイン層20に前記絶縁層を積層被覆するとともに、塗布の方式により前記絶縁層に平坦化層を形成する。その後、前記スペーサ材料層にフォトレジスト材料層を塗布プロセスにより形成する。
【0027】
工程122:前記マスク70上のビアホールパターンを前記フォトレジスト材料層に転写するように、マスク70を介して前記フォトレジスト材料層を露光して現像する。前記マスク70上のビアホールパターンが前記ビアホール構造の形状及び大きさと同じである。具体的には、前記ビアホール構造に応じて、前記マスク上のパターンが異なる。
【0028】
図3及び
図8を参照すると、本実施例において、前記導液溝52は前記ビアホールの軸線方向と平行である。前記マスクは遮光領域74、第1透光領域7
5及び複数の第2透光領域7
6を含み、前記第2透光領域7
6が前記第1透光領域7
5を取り囲んで間隔をおいて配置され、前記第2透光領域7
6が前記第1透光領域7
5に接続される。前記マスク70の前記第1透光領域7
5及び前記第2透光領域7
6以外の部分は前記遮光領域74である。前記スペーサ層30において前記第1透光領域7
5に対応する位置に前記ビアホール51が形成され、前記第2透光領域7
6に対応する位置に前記導液溝52が形成される。
【0029】
又は、
図4及び
図9を参照すると、本発明の他の実施例において、前記ビアホール構造
50の前記導液溝52が前記ビアホールの内壁
511と角度をなす場合に、前記マスク70は遮光領域71、透光領域7
2及び複数の半透光領域7
3を含む。前記半透光領域7
3が前記透光領域7
2を取り囲んで間隔をおいて配置され、前記半透光領域7
3が前記透光領域7
2に接続され、前記半透光領域7
3の光透過率が前記透光領域7
2から離れる方向から前記透光領域7
2に近づく方向に徐々に増加する。前記マスク70の前記透光領域7
2及び前記半透光領域7
3以外の部分は前記遮光領域71である。前記スペーサ層30において前記透光領域7
2に対応する位置に前記ビアホール11が形成され、前記半透光領域7
3に対応する位置に前記導液溝
52が形成される。前記半透光領域7
3の光透過率が前記透光領域7
2から離れる方向から前記透光領域7
2に近づく方向に徐々に増加するため、前記半透光領域7
3に対応するエッチング深さを徐々に変化させ、さらに前記導液溝52と前記ビアホール51の内壁とが角度をなす。前記マスク70上のビアホールパターンを前記フォトレジスト材料層に転写することは具体的に、前記マスク70を前記フォトレジスト材料層の上に設けて、前記マスク70を透過して前記フォトレジスト材料層に対して露光、現像操作を行うことにより、前記マスク70上のビアホールパターンを前記フォトレジスト材料層に転写する。
【0030】
工程123:前記スペーサ材料層をエッチングし、前記フォトレジスト材料層に形成される前記ビアホールパターンを前記スペーサ材料層に転写して、前記ビアホール構造50を有するスペーサ層30を得る。
【0031】
工程124:前記フォトレジスト材料層を剥離する。前記スペーサ材料層のエッチングを終了するとともに、前記ビアホール構造50を有するスペーサ層30を形成した後に、前記フォトレジスト材料層を剥離することができる。
【0032】
ステップ130:前記スペーサ層30に画素電極層40を形成し、前記画素電極層40が前記ビアホール構造50を介して前記ソース・ドレイン層20と電気的に接続されて、前記画素電極層40の前記ビアホール51に対応する位置には前記ビアホールの形状構造と同じ凹溝41を形成し、前記導液溝52のそれぞれに対応する位置には前記導液溝52の形状構造と同じサブ導液溝42を形成する。本実施例において、前記スペーサ層30に画素電極層40を気相成膜の方式により形成する。
【0033】
ステップ140:前記画素電極層40に前記画素電極層40を覆う配向層60を形成し、前記配向層60が前記画素電極層40及び前記画素電極層40の前記凹溝41及び前記サブ導液溝42の内壁を覆う。
【0034】
具体的には、
図7を参照して、前記ステップ140は工程141及び工程142をさらに含む。
【0035】
工程141:配向液を前記画素電極層40に印刷して前記画素電極層40を覆い、前記配向液が前記サブ導液溝42に沿って前記凹溝41内に流れるとともに、前記凹溝41及び前記サブ導液溝42の内壁に付着する。前記サブ導液溝42によって前記配向液を前記凹溝41内に容易に導入することができることで、前記凹溝41の気泡の発生を防止し、前記配向液が前記画素電極層の前記凹溝41に入って前記凹溝41内に均一に分散させることができ、前記画素電極層40の各位置に前記配向液を均一に分布させることができる。
【0036】
工程142:前記画素電極層40、前記画素電極層40の前記凹溝41及び前記サブ導液溝42の内壁の前記配向液をプリベークして、前記画素電極層4
0、前記画素電極層40の前記凹溝41の内壁、前記サブ導液溝42の内壁を覆う配向層60を得る。
【0037】
図10を参照して、本発明は、前記アレイ基板100、前記アレイ基板100に対向するカラーフィルタ基板110、及び前記アレイ基板100と前記カラーフィルタ基板110との間に設けられる液晶層120を含む液晶表示パネル200をさらに提供している。前記アレイ基板100の前記配向層60は前記液晶層120と接触し、前記配向層60によって前記液晶層120中の液晶分子を予め配向する。
【0038】
本発明に係る前記アレイ基板100及びその製造方法は、前記スペーサ層30において前記ビアホール51のエッジに間隔をおいて設けられる複数の導液溝52を設けることにより、前記画素電極層40が前記スペーサ層30に積層された場合に、前記画素電極層40の前記ビアホール51に対応する位置に前記ビアホール51の形状構造と同じ凹溝41が形成され、前記導液溝52のそれぞれに対応する位置に前記導液溝52の形状構造と同じサブ導液溝42が形成される。さらに前記画素電極層40に配向層60が設けられる場合、前記配向層60を形成する配向液は前記サブ導液溝42を介して前記画素電極層40上の凹溝41内に流れることで、前記画素電極層40上の凹溝41の位置が前記配向
層60で覆われることも可能であり、さらに前記アレイ基板100に形成された液晶表示パネル200の正常表示を確保する。
【0039】
以上で開示されたものは、本発明の好ましい実施例にすぎず、本発明の保護の範囲がこれによって限定されないことが無論である。当業者は、上記の実施例を実施する全部又は一部のフローを理解でき、本発明の特許請求の範囲によってなされる同等の変化は、依然として本発明が含まれる範囲に属する。