【0052】
以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1)
入力信号の小数分周を行い、互いにデューティ比が異なる第1の分周信号及び第2の分周信号を出力する第1の分周器と、
前記第1の分周信号及び前記第2の分周信号を基に、前記第1の分周信号のデューティ比及び前記第2の分周信号のデューティ比の中間のデューティ比を有する第1の出力信号を生成する補正器と
を有することを特徴とする分周補正回路。
(付記2)
前記補正器は、第1の論理レベルから第2の論理レベルに向けて、前記第1の分周信号及び前記第2の分周信号のレベル変化時間より長いレベル変化時間で、レベルが変化するように、前記第1の出力信号を生成することを特徴とする付記1記載の分周補正回路。
(付記3)
前記第1の分周器は、前記第1の分周信号の論理反転信号である第3の分周信号と、前記第2の分周信号の論理反転信号である第4の分周信号を出力し、
前記補正器は、前記第3の分周信号及び前記第4の分周信号を基に、前記第3の分周信号のデューティ比及び前記第4の分周信号のデューティ比の中間のデューティ比を有する第2の出力信号を生成することを特徴とする付記1又は2記載の分周補正回路。
(付記4)
前記補正器は、
前記第1の分周信号の遅延信号を生成する遅延回路と、
前記第1の分周信号、前記第2の分周信号及び前記第1の分周信号の遅延信号を基に、前記第1の出力信号を出力する出力回路とを有することを特徴とする付記1〜3のいずれか1項に記載の分周補正回路。
(付記5)
前記補正器は、
前記第1の分周信号の遅延信号及び前記第3の分周信号の遅延信号を生成する遅延回路と、
前記第1の分周信号、前記第2の分周信号、及び前記第1の分周信号の遅延信号を基に、前記第1の出力信号を出力する第1の出力回路と、
前記第3の分周信号、前記第4の分周信号、及び前記第3の分周信号の遅延信号を基に、前記第2の出力信号を出力する第2の出力回路とを有することを特徴とする付記3記載の分周補正回路。
(付記6)
前記出力回路は、
ゲートが前記第1の分周信号のノードに接続され、ドレインが前記第1の出力信号のノードに接続される第1のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第2の分周信号のノードに接続され、ドレインが前記第1の出力信号のノードに接続される第1のnチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが第1の電位のノードに接続され、ソースが第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第2のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第1の分周信号の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第3のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第2の電位のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続
され、ドレインが前記第1のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第2のnチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第1の分周信号の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第3のnチャネル電界効果トランジスタとを有することを特徴とする付記4記載の分周補正回路。
(付記7)
前記遅延回路は、前記第1の分周信号に対して互いに遅延時間が異なる第1の遅延信号、第2の遅延信号及び第3の遅延信号を生成し、
前記第3のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第1の遅延信号のノードに接続され、
前記第3のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第1の遅延信号のノードに接続され、
前記出力回路は、
ゲートが前記第2の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第4のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第3の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第5のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第2の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第4のnチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第3の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第5のnチャネル電界効果トランジスタとを有することを特徴とする付記6記載の分周補正回路。
(付記8)
前記第1の出力回路は、
ゲートが前記第1の分周信号のノードに接続され、ドレインが前記第1の出力信号のノードに接続される第1のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第2の分周信号のノードに接続され、ドレインが前記第1の出力信号のノードに接続される第1のnチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが第1の電位のノードに接続され、ソースが第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第2のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第1の分周信号の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第3のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第2の電位のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第2のnチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第1の分周信号の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第3のnチャネル電界効果トランジスタとを有し、
前記第2の出力回路は、
ゲートが前記第4の分周信号のノードに接続され、ドレインが前記第2の出力信号のノードに接続される第6のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第3の分周信号のノードに接続され、ドレインが前記第2の出力信号のノードに接続される第6のnチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第1の電位のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第6のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第7のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第3の分周信号の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第6のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第8のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第2の電位のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第6のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第7のnチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第3の分周信号の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第6のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第8のnチャネル電界効果トランジスタとを有することを特徴とする付記5記載の分周補正回路。
(付記9)
前記遅延回路は、
前記第1の分周信号を論理反転する第1のインバータと、
前記第3の分周信号を論理反転する第2のインバータとを有し、
前記第3のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第2のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第3のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第2のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第8のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第1のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第8のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第1のインバータの出力信号のノードに接続されることを特徴とする付記8記載の分周補正回路。
(付記10)
前記遅延
回路は、前記第1の分周信号に対して互いに遅延時間が異なる第1の遅延信号、第2の遅延信号及び第3の遅延信号を生成し、前記第3の分周信号に対して互いに遅延時間が異なる第4の遅延信号、第5の遅延信号及び第6の遅延信号を生成し、
前記第3のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第1の遅延信号のノードに接続され、
前記第3のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第1の遅延信号のノードに接続され、
前記第8のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第4の遅延信号のノードに接続され、
前記第8のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第4の遅延信号のノードに接続され、
前記第1の出力
回路は、
ゲートが前記第2の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第4のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第3の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第5のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第2の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第4のnチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第3の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第1のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第5のnチャネル電界効果トランジスタとを有し、
前記第2の出力
回路は、
ゲートが前記第5の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第6のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第9のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第6の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第2の電位のノードに接続され、ドレインが前記第6のpチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第10のpチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第5の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第6のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第9のnチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記第6の遅延信号のノードに接続され、ソースが前記第1の電位のノードに接続され、ドレインが前記第6のnチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第10のnチャネル電界効果トランジスタとを有することを特徴とする付記8記載の分周補正回路。
(付記11)
前記遅延
回路は、
前記第1の分周信号を論理反転する第1のインバータと、
前記第1のインバータの出力信号を論理反転する第3のインバータと、
前記第3のインバータの出力信号を論理反転する第5のインバータと、
前記第3の分周信号を論理反転する第2のインバータと、
前記第2のインバータの出力信号を論理反転する第4のインバータと、
前記第4のインバータの出力信号を論理反転する第6のインバータとを有し、
前記第3のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第2のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第3のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第2のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第4のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第3のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第4のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第3のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第5のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第6のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第5のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第6のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第8のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第1のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第8のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第1のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第9のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第4のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第9のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第4のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第10のpチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第5のインバータの出力信号のノードに接続され、
前記第10のnチャネル電界効果トランジスタのゲートは、前記第5のインバータの出力信号のノードに接続されることを特徴とする付記10記載の分周補正回路。
(付記12)
さらに、前記第1の出力信号を整数分周する第2の分周器を有することを特徴とする付記1〜11のいずれか1項に記載の分周補正回路。
(付記13)
第1の出力信号を生成する、付記1〜12のいずれか1項に記載の分周補正回路と、
前記第1の出力信号を基に、データを受信する受信器と
を有することを特徴とする受信回路。
(付記14)
第1の出力信号を生成する、付記1〜12のいずれか1項に記載の分周補正回路と、
前記第1の出力信号を基に、データを受信する受信器と、
前記受信器により受信されたデータを処理する処理部と
を有することを特徴とする集積回路。