特許 6985588 電子装置及び電磁波吸収体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6985588

(24)【登録日】2021年11月30日

(45)【発行日】2021年12月22日

(54)【発明の名称】電子装置及び電磁波吸収体

(51)【国際特許分類】

   H05K 9/00 20060101AFI20211213BHJP

【ＦＩ】

   H05K9/00 P

【請求項の数】10

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2017-76606(P2017-76606)

(22)【出願日】2017年4月7日

(65)【公開番号】特開2018-181974(P2018-181974A)

(43)【公開日】2018年11月15日

【審査請求日】2020年1月15日

(73)【特許権者】

【識別番号】000005223

【氏名又は名称】富士通株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002918

【氏名又は名称】特許業務法人扶桑国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】廣瀬 達哉

【審査官】 鹿野 博司

(56)【参考文献】

【文献】 特開平１１−２６１２８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−０４９４８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−１２９１７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０２７０６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０９−１７２２８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０４−３４０２９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−１３３７８４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電磁波を放射する電磁波放射体と、
前記電磁波放射体を包囲する箱型の第１包囲層と、前記第１包囲層の表面に設けられ箱型の前記第１包囲層の辺部にスリットが設けられた第１金属膜とを有する第１層と、
前記第１金属膜に、前記スリットを跨いで、前記スリットを挟む前記第１金属膜の部位同士をブリッジするように接続され、前記第１金属膜よりも高い抵抗率を有する抵抗素子と
を含むことを特徴とする電子装置。

【請求項2】

前記第１金属膜は、開口部を有することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。

【請求項3】

前記第１金属膜上に実装された電子素子を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。

【請求項4】

前記第１金属膜は、前記電磁波放射体と電気的に接続されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子装置。

【請求項5】

前記第１金属膜は、前記電磁波放射体の周りに巻回されたコイル状パターンを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子装置。

【請求項6】

前記第１包囲層は、樹脂を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子装置。

【請求項7】

前記第１包囲層は、カーボン材料を含むことを特徴とする請求項６に記載の電子装置。

【請求項8】

前記第１包囲層の厚みが、前記第１包囲層の内部を伝播する前記電磁波の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電子装置。

【請求項9】

前記第１層を包囲する第２包囲層と、前記第２包囲層の表面に設けられた第２金属膜とを有する第２層を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電子装置。

【請求項10】

電磁波を放射する電磁波放射体を包囲するための電磁波吸収体であって、
前記電磁波放射体を包囲する箱型の第１包囲層と、前記第１包囲層の表面に設けられ箱型の前記第１包囲層の辺部にスリットが設けられた第１金属膜とを有する第１層と、
前記第１金属膜に、前記スリットを跨いで、前記スリットを挟む前記第１金属膜の部位同士をブリッジするように接続され、前記第１金属膜よりも高い抵抗率を有する抵抗素子と
を含むことを特徴とする電磁波吸収体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子装置及び電磁波吸収体に関する。

【背景技術】

【0002】

ＦＥＴ（Field Effect Transistor）等の発熱素子が実装された回路基板を、外部と接続できるように筺体内に収納した、ＡＣ（Alternating Current）アダプター（電源装置）等の電子機器が知られている。また、このような電子機器の筺体として、樹脂成形品により形成したものを用いる技術が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４−２２９７２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、電子装置からはその動作時に電磁波が放射される場合がある。このような電磁波を放射する電子装置を包囲する部材として、上記のような樹脂成形品を採用すると、外部への電磁波の放射を抑えることができず、それがノイズとなって周辺の電子機器の動作に影響を及ぼす等の不具合が生じる恐れがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一観点によれば、電磁波を放射する電磁波放射体と、前記電磁波放射体を包囲する箱型の第１包囲層と、前記第１包囲層の表面に設けられ箱型の前記第１包囲層の辺部にスリットが設けられた第１金属膜とを有する第１層と、前記第１金属膜に、前記スリットを跨いで、前記スリットを挟む前記第１金属膜の部位同士をブリッジするように接続され、前記第１金属膜よりも高い抵抗率を有する抵抗素子とを含む電子装置が提供される。

【0006】

また、一観点によれば、電磁波を放射する電磁波放射体を包囲するための電磁波吸収体であって、前記電磁波放射体を包囲する箱型の第１包囲層と、前記第１包囲層の表面に設けられ箱型の前記第１包囲層の辺部にスリットが設けられた第１金属膜とを有する第１層と、前記第１金属膜に、前記スリットを跨いで、前記スリットを挟む前記第１金属膜の部位同士をブリッジするように接続され、前記第１金属膜よりも高い抵抗率を有する抵抗素子とを含む電磁波吸収体が提供される。

【発明の効果】

【0007】

外部への電磁波の放射を抑えることのできる電子装置が実現される。また、外部への電磁波の放射を抑えることのできる電磁波吸収体が実現される。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１の実施の形態に係る電子装置の説明図である。

【図2】第１の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。

【図3】第１の実施の形態に係る電子装置の第１の例を示す図である。

【図4】第１の実施の形態に係る電子装置の第２の例を示す図である。

【図5】第１の実施の形態に係る電子装置の第３の例を示す図である。

【図6】第１の実施の形態に係る電子装置の第４の例を示す図である。

【図7】第１の実施の形態に係る電子装置の第５の例を示す図である。

【図8】第１の実施の形態に係る電子装置の第６の例を示す図である。

【図9】第２の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。

【図10】第３の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。

【図11】第４の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。

【図12】第５の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。

【図13】第６の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。

【図14】第７の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。

【図15】第８の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。

【図16】第９の実施の形態に係る電子機器の説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る電子装置の説明図である。
図１に示す電子装置１は、電磁波１１を放射する電磁波放射体１０、及び電磁波放射体１０を包囲するように設けられた層２０を含む。

【0010】

電磁波放射体１０は、例えば、回路基板、及び回路基板上に実装された半導体素子等の電子部品を含み、このような電子部品の動作に伴い、電磁波１１を放射する。ここで、電磁波放射体１０から放射される電磁波１１は、そのまま電子装置１の外部に放射されてしまうとノイズとなり、周辺に設けられる他の電子部品、電子装置又は電子機器の誤動作を引き起こす恐れがある。電子装置１では、電磁波放射体１０から放射される電磁波１１の、電子装置１の外部への放射を抑えるため、電磁波放射体１０を包囲するように層２０が電磁波吸収体として設けられている。

【0011】

電子装置１の層２０について図２を参照して説明する。
図２は第１の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図２（Ａ）〜図２（Ｃ）にはそれぞれ、電子装置の要部断面図を模式的に示している。

【0012】

層２０は、例えば、図２（Ａ）に示すように、電磁波放射体１０を包囲する包囲層２１、及びその包囲層２１の外表面（電磁波放射体１０側とは反対側の面上）に設けられた金属膜２２を有する。

【0013】

包囲層２１には、各種絶縁材料が用いられる。例えば、包囲層２１には、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、ポリ乳酸（ＰＬＡ樹脂）、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリエチレンテレフタレート等の各種樹脂材料が用いられる。金属膜２２には、各種金属材料が用いられる。例えば、金属膜２２には、アルミニウムが用いられる。金属膜２２には、鉄、ニッケル、クロム等の金属、又はニッケルとクロムを含む合金等が用いられてもよい。金属膜２２には、フェライトよりも抵抗率の低い材料を用いることが好ましい。

【0014】

層２０は、例えば、図２（Ｂ）に示すように、電磁波放射体１０を包囲する包囲層２１上に設けられた包囲層２３を更に含んでもよい。包囲層２３には、各種絶縁材料が用いられる。例えば、包囲層２３には、内側の包囲層２１と同様の樹脂材料のほか、各種塗料やコーティング材料が用いられる。

【0015】

また、層２０は、例えば、図２（Ｃ）に示すように、電磁波放射体１０を包囲する包囲層２１、及びその包囲層２１の内表面（電磁波放射体１０側の面上）に設けられた金属膜２２を有する構造とされてもよい。

【0016】

図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すような層２０は、電子装置１の、電磁波放射体１０を収容する筺体として利用されてもよい。
電磁波放射体１０を包囲するように層２０が設けられた電子装置１では、電磁波放射体１０から放射された電磁波が、包囲層２１に入射し、更に金属膜２２に入射する。金属膜２２に入射した電磁波は、電流となって金属膜２２を流れる。金属膜２２を流れる電流は、その金属膜２２の抵抗によって熱エネルギー（ジュール熱）に変換される。このようにして、金属膜２２に入射した電磁波に損失が生じる。即ち、金属膜２２によって電磁波が吸収される。このような金属膜２２による電磁波の吸収により、電磁波放射体１０からの電磁波が電子装置１の外部へ放射されることが抑えられ、また、電磁波が金属膜２２で反射して電磁波放射体１０の動作に影響を及ぼすことが抑えられる。

【0017】

電子装置１の層２０では、金属膜２２が抵抗を有することで、電磁波が入射した時に電流が流れ、それが抵抗によって熱エネルギーに変換され、電磁波が吸収される。但し、金属膜２２の抵抗が高くなるほど、電磁波が入射しても電流が流れ難くなるため、電磁波の熱エネルギーへの変換効率が低下し、その吸収効率が低下する。そのため、電子装置１では、層２０に要求される電磁波の吸収特性に基づき、金属膜２２に用いる材料の種類及び抵抗が選択され、或いは調整される。

【0018】

例えば、金属膜２２に用いる材料の種類によって抵抗が選択、調整される。このほか、同種の材料であっても、その厚みを薄くすると、厚い場合に比べ、抵抗が増大し、また、後述のように、金属膜２２に開口部を設ける等、所定のパターンを形成すると、形成しないものに比べ、抵抗が増大する。このような金属膜２２の厚みやパターンによって抵抗が選択、調整されてもよい。

【0019】

電子装置１では、電磁波放射体１０が包囲層２１で包囲され、その包囲層２１の表面に金属膜２２が設けられる。電磁波放射体１０からの電磁波は、金属膜２２によって吸収され、電子装置１の外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び層２０で包囲された電磁波放射体１０の誤動作が抑えられる。電子装置１では、電磁波放射体１０を金属ケース等の金属製部材で包囲する場合に比べ、重量の増大、或いは更にコストの増大が抑えられる。

【0020】

図３は第１の実施の形態に係る電子装置の第１の例を示す図である。図３には、電子装置の要部断面図を模式的に示している。
上記のような電子装置１において、電磁波放射体１０を包囲する層２０は、必ずしも密閉構造であることを要しない。

【0021】

例えば、電子装置１がＡＣアダプターのような電源装置である場合、電磁波放射体１０を包囲する層２０には、図３に示すように、開口部２０ａ及び開口部２０ｂが設けられてもよい。この場合、一方の開口部２０ａを通じて、内部の電磁波放射体１０に含まれる回路に交流（Alternating Current；ＡＣ）電力が入力され、他方の開口部２０ｂを通じて、電磁波放射体１０に含まれる回路から外部に直流（Direct Current；ＤＣ）電力が出力される。

【0022】

尚、層２０には、この図３の例に限らず、各種形態（形状、数等）の開口部を設けることができる。
また、ここでは上記図２（Ａ）に示したような構成を有する層２０に開口部を設ける例を示したが、上記図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示したような構成を有する層２０についても同様に、それらに開口部を設けることができる。

【0023】

図４は第１の実施の形態に係る電子装置の第２の例を示す図である。図４には、電子装置の要部断面図を模式的に示している。
電子装置１の、電磁波放射体１０を包囲する層２０に含まれる金属膜２２は、接地されてもよい。

【0024】

例えば、図４に示すように、金属膜２２は、電磁波放射体１０に含まれる回路のグランド（ＧＮＤ）ライン１２に接続される（図４に点線で図示）。金属膜２２のＧＮＤライン１２への接続は、ビア、ワイヤ、リード等、各種電気的接続方法を用いて行うことができる。

【0025】

このように金属膜２２をＧＮＤライン１２に接続すると、電磁波が入射して金属膜２２に電流が流れる際、その電流が、熱エネルギーに変換されるほか、ＧＮＤライン１２へと流れるため、金属膜２２による電磁波の吸収効率が高まる。これにより、電子装置１の外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び層２０で包囲された電磁波放射体１０の誤動作が効果的に抑えられる。

【0026】

尚、ここでは電磁波放射体１０のＧＮＤライン１２に金属膜２２を接続する例を示したが、金属膜２２は、このようなＧＮＤライン１２に限らず、その他の部位にも接地することができる。

【0027】

また、ここでは上記図２（Ａ）に示したような構成を有する層２０の金属膜２２を接地する例を示したが、上記図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示したような構成を有する層２０についても同様に、それらの金属膜２２を接地することができる。

【0028】

図５は第１の実施の形態に係る電子装置の第３の例を示す図である。図５（Ａ）には、電子装置の要部断面図を模式的に示している。図５（Ｂ）には、図５（Ａ）のＸ部の構成例を模式的に示している。

【0029】

電子装置１の、電磁波放射体１０を包囲する層２０に含まれる包囲層２１には、例えば、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すような、フィラー２１ａａを含有する樹脂材料２１ａが用いられてもよい。

【0030】

フィラー２１ａａには、絶縁性又は導電性の各種フィラーが用いられる。例えば、包囲層２１に要求される機械的特性、電気的特性、磁気的特性等に基づき、フィラー２１ａａの種類、含有量等が調整される。

【0031】

例えば、フィラー２１ａａには、カーボン材料が用いられる。フィラー２１ａａのカーボン材料としては、カーボンブラック等のカーボン粒子、直線状やコイル状のカーボン繊維等が用いられる。フィラー２１ａａにカーボン材料を用いると、電磁波放射体１０から放射されてカーボン材料に照射された電磁波が熱エネルギーに変換されるため、包囲層２１に電磁波を吸収する機能を持たせることができる。カーボン材料の含有量、及び、カーボン材料であるカーボン粒子の粒子径、カーボン繊維の形状や繊維径等を選択することで、包囲層２１での電磁波の吸収効率を調整することができる。

【0032】

尚、ここでは上記図２（Ａ）に示したような構成を有する層２０の包囲層２１にフィラー２１ａａを含有する樹脂材料２１ａを用いる例を示した。このほか、上記図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示したような構成を有する層２０についても同様に、それらの包囲層２１にフィラー２１ａａを含有する樹脂材料２１ａを用いることができる。

【0033】

図６は第１の実施の形態に係る電子装置の第４の例を示す図である。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置に用いられる金属膜の要部平面図を模式的に示している。

【0034】

電子装置１の、電磁波放射体１０を包囲する層２０に含まれる金属膜２２は、各種パターンを有してもよい。
例えば、図６（Ａ）に示すように、金属膜２２は、縦横に並んだ開口部２２ａａ群を有するメッシュパターン２２ａとされる。このように金属膜２２をメッシュパターン２２ａとすると、包囲層２１の表面に金属膜２２を平面状（いわゆるベタ膜状）に設けた場合に比べ、金属膜２２の抵抗が増大する。金属膜２２の抵抗を増大させることで、電磁波が入射することによって金属膜２２に流れる電流の熱エネルギーへの変換効率が高められる。これにより、金属膜２２による電磁波の吸収効率が高められ、電子装置１の外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び層２０で包囲された電磁波放射体１０の誤動作が効果的に抑えられる。

【0035】

また、図６（Ｂ）に示すように、金属膜２２は、面アンテナに用いられるような開口部２２ｂａを設けたアンテナパターン２２ｂとされてもよい。例えば、電磁波放射体１０から放射される電磁波の、複数の周波数成分に対応できるように開口部２２ｂａを設けたアンテナパターン２２ｂとされる。このようなアンテナパターン２２ｂでも、包囲層２１の表面に金属膜２２を平面状に設けた場合に比べ、金属膜２２の抵抗が増大するため、入射した電磁波の熱エネルギーへの変換効率が高められる。これにより、電子装置１の外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び電磁波放射体１０の誤動作が効果的に抑えられる。また、アンテナパターン２２ｂでは、開口部２２ｂａによって複数の電流経路を準備しておくことで、電磁波の、複数の周波数成分が金属膜２２で吸収可能になる。

【0036】

尚、上記図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示したような構成を有する層２０について、上記メッシュパターン２２ａ等の各種パターンを有する金属膜２２を用いることができる。
図７は第１の実施の形態に係る電子装置の第５の例を示す図である。図７（Ａ）〜図７（Ｃ）にはそれぞれ、電子装置に用いられる層の要部断面図を模式的に示している。

【0037】

図７（Ａ）〜図７（Ｃ）にはそれぞれ、電子装置１に用いられる層２０の、包囲層２１及びその表面に設けられる金属膜２２の一例を示している。
図７（Ａ）に示すように、包囲層２１の表面の金属膜２２が表面粗さを有していると、平坦な場合（図７（Ａ）に点線で図示）に比べ、金属膜２２の抵抗が増大する。金属膜２２の表面粗さが調整され、その抵抗が増大されることで、入射した電磁波の熱エネルギーへの変換効率が高められる。これにより、金属膜２２による電磁波の吸収効率が高められ、電子装置１の外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び層２０で包囲された電磁波放射体１０の誤動作が効果的に抑えられる。

【0038】

また、図７（Ｂ）に示すように、包囲層２１上の金属膜２２を、凹部２２ｄ及び凸部２２ｅを有する凹凸形状としてもよい。凸部２２ｅは、島状、柱状、板状等、各種形態をとり得る。金属膜２２を、このような凹凸形状とすることで、その抵抗を増大させる。それにより、入射した電磁波の熱エネルギーへの変換効率が高められ、電磁波の吸収効率が高められて、電子装置１の外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び層２０で包囲された電磁波放射体１０の誤動作が抑えられる。更に、金属膜２２を、このような凹凸形状とすることで、その表面積を増大させる。それにより、入射した電磁波から変換された熱エネルギーの外部への放出（放熱）性が高められ、電磁波の吸収効率が高められる。

【0039】

また、図７（Ｃ）に示すように、包囲層２１上の金属膜２２を、なだらかな形状としてもよい。金属膜２２は、なだらかな形状とすると、角だった形状とした場合（図７（Ｃ）に点線で図示）に比べ、抵抗が増大する。角だった形状の金属膜２２では、流れる電流が、比較的その角部に集中する。そのため、金属膜２２をなだらかな形状とすると、角部がなくなることで、結果的に電流が流れ難くなり、金属膜２２の抵抗が増大する。金属膜２２がなだらかな形状とされ、その抵抗が増大されることで、入射した電磁波の熱エネルギーへの変換効率が高められる。これにより、金属膜２２による電磁波の吸収効率が高められ、電子装置１の外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び層２０で包囲された電磁波放射体１０の誤動作が効果的に抑えられる。

【0040】

尚、上記図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示したような構成を有する層２０について、上記のような表面粗さ若しくは凹凸形状を有する金属膜２２、或いはなだらかな形状を有する金属膜２２を用いることができる。

【0041】

図８は第１の実施の形態に係る電子装置の第６の例を示す図である。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の要部斜視図を模式的に示している。
図８（Ａ）に示すように、電子装置１の、電磁波放射体１０を包囲する層２０の、その包囲層２１の表面に設けられる金属膜２２には、開口部としてスリット２２ｃを設けてもよい。図８（Ａ）には一例として、箱型の層２０の、その辺部にスリット２２ｃを設けたものを示している。金属膜２２にこのようなスリット２２ｃを設けることによっても、その金属膜２２の抵抗が増大し、入射した電磁波の熱エネルギーへの変換効率が高められる。これにより、電子装置１の外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び電磁波放射体１０の誤動作が効果的に抑えられる。

【0042】

更に、図８（Ｂ）に示すように、金属膜２２に設けたスリット２２ｃを跨いで、スリット２２ｃを挟む金属膜２２の部位同士をブリッジするように抵抗素子３０（電子素子）を設けてもよい。抵抗素子３０は、金属膜２２の材料よりも抵抗率の高い材料を用いた金属膜、金属線、金属ブロック等とすることができる。例えば、金属膜２２にアルミニウムを用い、抵抗素子３０にニッケルクロム合金を用いることができる。また、抵抗素子３０は、金属膜２２と同じ材料で、金属膜２２よりも膜厚の厚い金属膜、金属線、金属ブロック等とすることもできる。

【0043】

金属膜２２に用いる材料によっては、元々その抵抗が低く、たとえ開口部を設ける等の処理を施しても、入射した電磁波を十分に熱エネルギーに変換して吸収できるだけの抵抗が得られないことが起こり得る。そのような場合でも、図８（Ｂ）に示すように、金属膜２２に、それよりも高抵抗の抵抗素子３０を接続（実装）することで、金属膜２２に電磁波が入射して流れる電流を、金属膜２２のほか、抵抗素子３０で熱エネルギーに変換し、電磁波の吸収を行うことができる。

【0044】

尚、ここでは上記図２（Ａ）に示したような構成を有する層２０にスリット２２ｃや抵抗素子３０を設ける例を示した。このほか、上記図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示したような構成を有する層２０についても同様に、それらにスリット２２ｃや抵抗素子３０を設けることができる。

【0045】

次に、第２の実施の形態について説明する。
図９は第２の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の要部断面図を模式的に示している。

【0046】

図９（Ａ）に示す電子装置１Ａは、電磁波放射体１０、及びそれを包囲するように設けられた層２０Ａを有する。層２０Ａは、電磁波放射体１０から放射される電磁波を吸収する電磁波吸収体の一例であって、電磁波放射体１０を包囲する包囲層２１Ａ、及びその包囲層２１Ａの表面に設けられた金属膜２２Ａを含む。

【0047】

包囲層２１Ａには、各種絶縁材料、例えば、ＡＢＳ樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。金属膜２２Ａには、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料やニッケルクロム等の合金材料が用いられる。金属膜２２Ａは、開口部を設ける等、各種パターン形状とされてもよい。

【0048】

電子装置１Ａでは、層２０Ａの包囲層２１Ａの厚みｄ１が、電磁波放射体１０から放射されて包囲層２１Ａの内部を伝播する電磁波の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定される。

【0049】

今、電磁波放射体１０から放射される電磁波の波長をλｏとし、包囲層２１Ａの比誘電率をεｒとすると、包囲層２１Ａの内部を伝播する電磁波の波長λｓは、次式（１）で表される。

【0050】

λｓ＝λｏ／√εｒ・・・（１）
従って、設定される包囲層２１Ａの厚みｄ１は、次式（２）で表される。
ｄ１＝（２ｍ−１）λｓ／４＝（２ｍ−１）λｏ／４√εｒ・・・（２）
包囲層２１Ａの厚みｄ１を、この式（２）のような値に設定すると、層２０Ａを、いわゆるλ／４型電磁波吸収体として機能させることができる。

【0051】

即ち、層２０Ａの包囲層２１Ａの表面に入射して反射する電磁波と、厚みｄ１の包囲層２１Ａの内部を伝播して金属膜２２に達しそこで反射される電磁波とを干渉させることで、層２０Ａからの反射波を打ち消して消滅させ、或いは層２０Ａからの反射波の振幅を減衰させる。これにより、電子装置１Ａの外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び電磁波放射体１０の誤動作が抑えられる。

【0052】

また、図９（Ｂ）に示す電子装置１Ｂは、電磁波放射体１０を包囲するように設けられた層２０Ｂを有する。層２０Ｂは、電磁波吸収体の一例であって、電磁波放射体１０を包囲する包囲層２１Ａ、その包囲層２１Ａの表面に設けられた金属膜２２Ａ、及びその包囲層２１Ａの金属膜２２Ａ側とは反対側の面（電磁波放射体１０側の面）に設けられた金属膜２２Ｂを含む。

【0053】

即ち、電子装置１Ｂは、上記電子装置１Ａの層２０Ａの、その包囲層２１Ａの内側に更に金属膜２２Ｂが設けられた構造を有する。金属膜２２Ｂには、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料やニッケルクロム等の合金材料が用いられる。金属膜２２Ｂは、開口部を設ける等、各種パターン形状とされてもよい。

【0054】

電子装置１Ｂでは、金属膜２２Ｂによる電磁波の吸収効果が得られるほか、金属膜２２Ｂを通過する周波数の電磁波の成分がある場合でも、それを金属膜２２Ａで吸収することができる。その際、金属膜２２Ｂを通過する電磁波の成分の波長に基づいて包囲層２１Ａの厚み（上記の厚みｄ１）を適切に設定すれば、その成分の高い吸収効果を得ることができる。これにより、電子装置１Ｂの外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び電磁波放射体１０の誤動作が抑えられる。

【0055】

電子装置１Ａ及び電子装置１Ｂの包囲層２１Ａには、上記第１の実施の形態（図５）で述べたような各種フィラーを含有させてもよい。包囲層２１Ａにフィラーを含有させることで、電磁波の伝播が変化する箇所を増やしたり、またカーボン材料のフィラーを含有させることで、電磁波の吸収効率を高めたりすることができる。

【0056】

尚、電子装置１Ａ及び電子装置１Ｂにおいて、それらの層２０Ａ及び層２０Ｂは、電磁波放射体１０を収容する筺体として利用されてもよい。
次に、第３の実施の形態について説明する。

【0057】

図１０は第３の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図１０には、電子装置の要部断面図を模式的に示している。
図１０に示す電子装置１Ｃは、電磁波放射体１０、及びそれを包囲するように設けられた層２０Ｃを有する。層２０Ｃは、電磁波吸収体の一例であって、電磁波放射体１０を包囲する包囲層２１Ａ、及びその包囲層２１Ａの表面に設けられた金属膜２２Ａ、並びに、包囲層２１Ｃ、及びその包囲層２１Ｃの表面に設けられた金属膜２２Ｃを含む。

【0058】

包囲層２１Ｃには、包囲層２１Ａと同様に、各種絶縁材料、例えば、ＡＢＳ樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。包囲層２１Ａ及び包囲層２１Ｃには、カーボン材料等の各種フィラーが含有されてもよい。金属膜２２Ｃには、金属膜２２Ａと同様に、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料やニッケルクロム等の合金材料が用いられる。金属膜２２Ａ及び金属膜２２Ｃは、開口部を設ける等、各種パターン形状とされてもよい。包囲層２１Ｃは、包囲層２１Ａ上に、その表面の金属膜２２Ａを覆うようにして設けられる。

【0059】

層２０Ｃでは、包囲層２１Ａの厚みｄ１が、電磁波放射体１０から放射されて包囲層２１Ａの内部を伝播する電磁波の、比較的高い周波数成分の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定される。更に、層２０Ｃでは、包囲層２１Ａと包囲層２１Ｃとの合計の厚みｄ２が、電磁波放射体１０から放射されて包囲層２１Ａ及び包囲層２１Ｃの内部を伝播する電磁波の、比較的低い周波数成分の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定される。包囲層２１Ａ及び包囲層２１Ｃが、このような厚みとなる位置に、金属膜２２Ａ及び金属膜２２Ｃが設けられる。

【0060】

即ち、層２０Ｃでは、包囲層２１Ａ、包囲層２１Ｃ及び金属膜２２Ｃによって第１のλ／４型電磁波吸収体が形成され、包囲層２１Ａ及び金属膜２２Ａによって第２のλ／４型電磁波吸収体が形成される。

【0061】

電子装置１Ｃでは、包囲層２１Ａ及び包囲層２１Ｃの内部を伝播する、比較的低い周波数成分の電磁波が、包囲層２１Ａ、包囲層２１Ｃ及び金属膜２２Ｃで形成されるλ／４型電磁波吸収体によって吸収される。更に、電子装置１Ｃでは、包囲層２１Ａの内部を伝播する、比較的高い周波数成分の電磁波、即ち高調波が、包囲層２１Ａ及び金属膜２２Ａで形成されるλ／４型電磁波吸収体によって吸収される。

【0062】

このように電子装置１Ｃでは、電磁波放射体１０から放射される電磁波に含まれる複数の周波数成分を層２０Ｃによって吸収することができる。これにより、電子装置１Ｃの外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び電磁波放射体１０の誤動作が効果的に抑えられる。

【0063】

尚、電子装置１Ｃにおいて、その層２０Ｃは、電磁波放射体１０を収容する筺体として利用されてもよい。
次に、第４の実施の形態について説明する。

【0064】

図１１は第４の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図１１には、電子装置の要部断面図を模式的に示している。
図１１に示す電子装置１Ｄは、電磁波放射体１０、及びそれを包囲するように設けられた層２０Ａ、並びに、その層２０Ａから離間して設けられその層２０Ａを更に包囲するように設けられた層２０Ｄを有する。層２０Ａ及び層２０Ｄは、電磁波吸収体の一例である。内側の層２０Ａは、電磁波放射体１０を包囲する包囲層２１Ａ、及びその包囲層２１Ａの表面に設けられた金属膜２２Ａを含む。外側の層２０Ｄは、電磁波放射体１０及び内側の層２０Ａを包囲する包囲層２１Ｄ、及びその包囲層２１Ｄの表面に設けられた金属膜２２Ｄを含む。

【0065】

包囲層２１Ｄには、包囲層２１Ａと同様に、各種絶縁材料、例えば、ＡＢＳ樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。包囲層２１Ａ及び包囲層２１Ｄには、カーボン材料等の各種フィラーが含有されてもよい。金属膜２２Ｄには、金属膜２２Ａと同様に、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料やニッケルクロム等の合金材料が用いられる。金属膜２２Ａ及び金属膜２２Ｄは、開口部を設ける等、各種パターン形状とされてもよい。

【0066】

電子装置１Ｄでは、包囲層２１Ａの内部を伝播する、比較的高い周波数成分の電磁波、即ち高調波が、包囲層２１Ａ及び金属膜２２Ａを含む内側の層２０Ａによって吸収される。更に、電子装置１Ｄでは、包囲層２１Ａ及び金属膜２２Ａを通過し、包囲層２１Ｄの内部を伝播する、比較的低い周波数成分の電磁波が、包囲層２１Ｄ及び金属膜２２Ｄを含む外側の層２０Ｄによって吸収される。

【0067】

このように電子装置１Ｄでは、電磁波放射体１０から放射される電磁波に含まれる複数の周波数成分を、内側の層２０Ａ及び外側の層２０Ｄによって吸収することができる。これにより、電子装置１Ｄの外部への電磁波の放射とそれによる周辺の電子機器等の誤動作、及び電磁波放射体１０の誤動作が効果的に抑えられる。

【0068】

電子装置１Ｄにおいて、内側の層２０Ａに設ける包囲層２１Ａの厚みは、電磁波放射体１０から放射されて包囲層２１Ａの内部を伝播する電磁波の、比較的高い周波数成分の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定することができる。更に、外側の層２０Ｄに設ける包囲層２１Ｄの厚みは、電磁波放射体１０から放射されて包囲層２１Ｄの内部を伝播する電磁波の、比較的低い周波数成分の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定することができる。包囲層２１Ａ及び包囲層２１Ｄの厚みを、それぞれこのような値に設定することで、層２０Ａ及び層２０Ｄを、それぞれλ／４型電磁波吸収体として機能させることができる。

【0069】

尚、電子装置１Ｄにおいて、その層２０Ａ若しくは層２０Ｄ、又は、層２０Ａ及び層２０Ｄは、電磁波放射体１０を収容する筺体として利用されてもよい。
次に、第５の実施の形態について説明する。

【0070】

図１２は第５の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の要部断面図を模式的に示している。
図１２（Ａ）に示す電子装置１Ｅは、電磁波放射体１０、及びそれを包囲するように設けられた層２０Ｅ、並びに、電磁波放射体１０と層２０Ｅとの間に充填された充填層４０を有する。層２０Ｅは、電磁波吸収体の一例であって、包囲層２１Ｅ、及びその包囲層２１Ｅの表面に設けられた金属膜２２Ｅを含む。

【0071】

包囲層２１Ｅには、各種絶縁材料、例えば、ＡＢＳ樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。金属膜２２Ｅには、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料やニッケルクロム等の合金材料が用いられる。金属膜２２Ｅは、開口部を設ける等、各種パターン形状とされてもよい。包囲層２１Ｅは、その厚みが、電磁波放射体１０から放射されて包囲層２１Ｅの内部を伝播する電磁波の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定されてもよい。これにより、層２０Ｅをλ／４型電磁波吸収体として機能させることができる。

【0072】

充填層４０には、各種絶縁材料、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。充填層４０には、カーボン材料等の各種フィラーが含有されてもよい。例えば、充填層４０にフィラーとしてカーボン材料を含有すると、電磁波放射体１０から放射される電磁波の吸収効率を高めることができる。

【0073】

また、図１２（Ｂ）に示す電子装置１Ｆは、電磁波放射体１０を包囲するように設けられる層２０Ｆ、及び電磁波放射体１０と層２０Ｆとの間に充填された充填層４０を有する。層２０Ｆは、電磁波吸収体の一例であって、包囲層２１Ｆ、及びその包囲層２１Ｆの表面に設けられた金属膜２２Ｆを含む。金属膜２２Ｆには、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料やニッケルクロム等の合金材料が用いられる。金属膜２２Ｆは、開口部を設ける等、各種パターン形状とされてもよい。

【0074】

電子装置１Ｆでは、その層２０Ｆの包囲層２１Ｆに、充填層４０と同じ絶縁材料が用いられる。充填層４０及び包囲層２１Ｆには、カーボン材料等の各種フィラーが含有されてもよく、例えば、カーボン材料を含有すると、電磁波放射体１０から放射される電磁波の吸収効率を高めることができる。尚、電子装置１Ｆの充填層４０及び包囲層２１Ｆは、一体とした単層構造であってもよい。

【0075】

電子装置１Ｆでは、例えば、充填層４０と包囲層２１Ｆとの合計の厚みｄ３が、電磁波放射体１０から放射されて充填層４０及び包囲層２１Ｆの内部を伝播する電磁波の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定されてもよい。これにより、充填層４０、包囲層２１Ｆ及び金属膜２２Ｆをλ／４型電磁波吸収体として機能させることができる。

【0076】

上記の電子装置１Ｅ及び電子装置１Ｆのように、電磁波放射体１０と層２０Ｅとの間、及び電磁波放射体１０と層２０Ｆとの間は、充填層４０で充填されてもよい。
ここで、電子装置１Ｅでは、層２０Ｅ、又は充填層４０及び層２０Ｅ（その包囲層２１Ｅ及び金属膜２２Ｅ）が、電磁波放射体１０を包囲する包囲層となる。尚、電子装置１Ｅにおいて、その層２０Ｅ、又は充填層４０及び層２０Ｅは、電磁波放射体１０を収容する筺体として利用されてもよい。

【0077】

また、電子装置１Ｆでは、層２０Ｆ、又は充填層４０及び層２０Ｆ（その包囲層２１Ｆ及び金属膜２２Ｆ）が、電磁波放射体１０を包囲する包囲層となる。尚、電子装置１Ｆにおいて、その層２０Ｆ、又は充填層４０及び層２０Ｆは、電磁波放射体１０を収容する筺体として利用されてもよい。

【0078】

尚、上記第２の実施の形態（図９）で述べた電磁波放射体１０と層２０Ａとの間、電磁波放射体１０と層２０Ｂとの間にも同様に、充填層４０を設けることができる。また、上記第３の実施の形態（図１０）で述べた電磁波放射体１０と層２０Ｃとの間や、上記第４の実施の形態（図１１）で述べた電磁波放射体１０と内側の層２０Ａとの間、及び内側の層２０Ａと外側の層２０Ｄとの間にも同様に、充填層４０を設けることができる。これらの場合において、充填層４０を含めた電磁波放射体１０から金属膜２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄまでの距離を適宜調整することで、λ／４型電磁波吸収体を形成することができる。

【0079】

次に、第６の実施の形態について説明する。
図１３は第６の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図１３には、電子装置の要部斜視図を模式的に示している。

【0080】

図１３に示す電子装置１Ｇは、電磁波放射体１０、及びそれを包囲するように設けられた層２０Ｇを有する。層２０Ｇは、電磁波吸収体の一例であって、電磁波放射体１０を包囲する包囲層２１Ｇ、及びその包囲層２１Ｇの表面に設けられたコイル状パターンの金属膜２２Ｇを含む。

【0081】

包囲層２１Ｇには、各種絶縁材料、例えば、ＡＢＳ樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。包囲層２１Ｇには、カーボン材料等の各種フィラーが含有されてもよい。包囲層２１Ｇは、その厚みが、電磁波放射体１０から放射されて包囲層２１Ｇの内部を伝播する電磁波の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定されてもよい。これにより、層２０Ｇをλ／４型電磁波吸収体として機能させることができる。金属膜２２Ｇには、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料が用いられる。コイル状パターンの金属膜２２Ｇは、電磁波放射体１０の周りに巻回されるように、包囲層２１Ｇの表面に設けられる。

【0082】

電子装置１Ｇでは、層２０Ｇにより、電磁波放射体１０から放射される電磁波が吸収される。また、電子装置１Ｇでは、電磁波放射体１０から電磁波が放射され、層２０Ｇの内側の磁場が変化すると、電磁誘導により、コイル状パターンの金属膜２２Ｇに電流が流れる。電子装置１Ｇでは、このような電磁波の吸収及び電磁誘導によって金属膜２２Ｇに流れる電流が、金属膜２２Ｇに接続された端子５０ａ及び端子５０ｂによって外部に取り出せるようになっている。

【0083】

電子装置１Ｇの層２０Ｇには、コイル状パターンの金属膜２２Ｇの、包囲層２１Ｇを介した内側（電磁波放射体１０側）に、図示しない別の金属膜が更に設けられてもよい。このような内側に設ける別の金属膜により、電磁波放射体１０から放射される電磁波を吸収することができる。内側に設ける別の金属膜として、比較的透磁率の高い金属材料を用い、これをコアに利用すると、電磁誘導の効果を高め、取り出す電流の量を増大させることができる。例えば、金属膜２２Ｇにアルミニウムを用い、その内側に設ける別の金属膜としてニッケルを用いると、電磁誘導の効果を高めることができる。

【0084】

また、電子装置１Ｇの層２０Ｇには、コイル状パターンの金属膜２２Ｇの外側に、層２０Ｇを包囲する、包囲層及びその表面に設けられた金属膜を含む、図示しない別の層が更に設けられてもよい。このように、外側に更に別の層（包囲層及び金属膜）を設けることで、当該別の層による電磁波放射体１０からの電磁波の吸収を行うこともできる。

【0085】

次に、第７の実施の形態について説明する。
図１４は第７の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図１４（Ａ）には、電子装置の要部斜視図を模式的に示している。図１４（Ｂ）〜図１４（Ｄ）にはそれぞれ、図１４（Ａ）のＹ部の構成例を模式的に示している。

【0086】

図１４（Ａ）に示す電子装置１Ｈは、電磁波放射体１０及びそれを包囲するように設けられた層２０Ｈを有する。層２０Ｈは、電磁波吸収体の一例であって、箱型で、その各面（６面）がプリント板６０で形成された構造を有する。

【0087】

プリント板６０は、図１４（Ｂ）〜図１４（Ｄ）に示すように、絶縁層６１及び金属膜６２を含む。例えば、プリント板６０は、図１４（Ｂ）に示すように、絶縁層６１、及びその一方の面（電磁波放射体１０側と反対側の面）に設けられた金属膜６２を含む。また、プリント板６０は、図１４（Ｃ）に示すように、絶縁層６１、及びその両面に設けられた金属膜６２を含んでもよい。また、プリント板６０は、図１４（Ｄ）に示すように、絶縁層６１の一方の面に金属膜６２を設けたものを複数（ここでは一例として２層）積層した構造を有してもよい。

【0088】

絶縁層６１には、各種絶縁材料、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。絶縁層６１には、カーボン材料やガラス材料等の各種フィラーが含有されてもよい。絶縁層６１は、その厚みが、電磁波放射体１０から放射されて絶縁層６１の内部を伝播する電磁波の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定されてもよい。金属膜６２には、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料やニッケルクロム等の合金材料が用いられる。金属膜６２は、開口部を設ける等、各種パターン形状とされてもよい。

【0089】

層２０Ｈに用いるプリント板６０群は、ビルドアップ法やラミネート法等を用いて準備される。準備されたプリント板６０群が箱型に組み立てられ、層２０Ｈが形成される。異なるプリント板６０同士は、接着剤を用いた接着、熱を用いた融着、嵌合、ネジ止め等、各種方法で固定される。

【0090】

電子装置１Ｈでは、電磁波放射体１０を包囲するように設けられる層２０Ｈの各面がプリント板６０で形成される。層２０Ｈでは、プリント板６０群の絶縁層６１が電磁波放射体１０を包囲する包囲層となり、その包囲層の表面に金属膜６２が形成された構造となる。このような層２０Ｈでは、プリント板６０の金属膜６２により、電磁波放射体１０から放射される電磁波が吸収される。絶縁層６１の厚みを調整すれば、プリント板６０をλ／４型電磁波吸収体として機能させることができる。絶縁層６１にカーボン材料を含有させると、電磁波放射体１０から放射される電磁波の吸収効率を高めることができる。

【0091】

尚、電子装置１Ｈにおいて、その層２０Ｈは、電磁波放射体１０を収容する筺体として利用されてもよい。
また、電磁波放射体１０から放射される電磁波の、複数の周波数成分の吸収に対応するため、層２０Ｈを更に、各面がプリント板で形成された別の層、或いは包囲層及びその表面に設けられた金属膜を含む別の層で包囲してもよい。更にまた、電磁波放射体１０が包囲層及びその表面に設けられた金属膜を含む別の層で包囲された構造体を、層２０Ｈで包囲してもよい。

【0092】

次に、第８の実施の形態について説明する。
図１５は第８の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の要部断面図を模式的に示している。

【0093】

図１５（Ａ）に示す電子装置１Ｉは、電磁波放射体１０、及びそれを包囲するように設けられた層２０Ｉ、並びに、層２０Ｉ上に実装された電子部品７０（電子素子）を有する。電子部品７０には、半導体素子、回路基板、半導体素子が回路基板上に実装された半導体装置、抵抗素子、容量素子等、各種電子部品が用いられ得る。

【0094】

層２０Ｉは、電磁波吸収体の一例であって、電磁波放射体１０を包囲する包囲層２１Ｉ、及びその包囲層２１Ｉの表面に設けられた金属膜２２Ｉを含む。包囲層２１Ｉには、各種絶縁材料、例えば、ＡＢＳ樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。包囲層２１Ｉには、カーボン材料等の各種フィラーが含有されてもよい。包囲層２１Ｉは、その厚みが、電磁波放射体１０から放射されて包囲層２１Ｉの内部を伝播する電磁波の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定されてもよい。金属膜２２Ｉには、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料やニッケルクロム等の合金材料が用いられる。金属膜２２Ｉは、開口部を設ける等、各種パターン形状とされてもよい。

【0095】

金属膜２２Ｉには、電子部品７０が実装される端子２４ａが設けられる。例えば、端子２４ａ、又は端子２４ａとそれに電気接続されるパターンは、他の部位からは分離される。これにより、当該他の部位に電磁波が入射することによって流れる電流が電子部品７０に及ぼす影響を抑えることができる。

【0096】

包囲層２１Ｉには、端子２４ａと接続される電極２４ｂが設けられる。例えば、電極２４ｂとして、包囲層２１Ｉを貫通するビアが設けられる。電極２４ｂは、回路基板及びその上に実装された半導体素子等の電子部品を含む電磁波放射体１０の、その所定の端子に接続される（図１５（Ａ）に点線で図示）。電極２４ｂの、電磁波放射体１０の所定の端子への接続は、ワイヤ、リード等、各種電気接続方法を用いて行うことができる。

【0097】

尚、電子装置１Ｉにおいて、電磁波放射体１０と層２０Ｉとの間に、上記第５の実施の形態（図１２）で述べたような充填層４０を設けることもできる。そのような場合は、その充填層４０を貫通するビアを設け、そのビアによって電極２４ｂと電磁波放射体１０の所定の端子との接続を行うことができる。

【0098】

このように、電子部品７０が実装される端子２４ａに接続された電極２４ｂと、電磁波放射体１０の所定の端子とが接続されることで、電磁波放射体１０から電子部品７０への電源供給、電子部品７０と電磁波放射体１０（その電子部品）との間の信号伝送等が行われる。

【0099】

電子装置１Ｉのように、電磁波放射体１０からの電磁波を吸収する層２０Ｉ上に、電子部品７０を実装することもできる。
また、図１５（Ｂ）に示す電子装置１Ｊは、金属膜２２Ｉが設けられた包囲層２１Ｉの内側に、更に金属膜２２Ｊ及び包囲層２１Ｊが設けられた層２０Ｊを有している点で、上記電子装置１Ｉと相違する。層２０Ｊは、電磁波吸収体の一例である。

【0100】

包囲層２１Ｊには、各種絶縁材料、例えば、ＡＢＳ樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。包囲層２１Ｊには、カーボン材料等の各種フィラーが含有されてもよい。包囲層２１Ｊは、その厚みが、電磁波放射体１０から放射されて包囲層２１Ｊの内部を伝播する電磁波の波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは自然数）に設定されてもよい。金属膜２２Ｊには、各種金属材料、例えば、アルミニウム等の金属材料やニッケルクロム等の合金材料が用いられる。金属膜２２Ｊは、開口部を設ける等、各種パターン形状とされてもよい。

【0101】

金属膜２２Ｊには、端子２５ａが設けられる。例えば、端子２５ａ、又は端子２５ａとそれに電気接続されるパターンは、他の部位からは分離される。これにより、当該他の部位に電磁波が入射することによって流れる電流が電子部品７０に及ぼす影響を抑えることができる。

【0102】

包囲層２１Ｊには、端子２５ａと接続される電極２５ｂが設けられる。金属膜２２Ｉに設けられた端子２４ａ及び包囲層２１Ｉに設けられた電極２４ｂは、金属膜２２Ｊに設けられた端子２５ａ及び包囲層２１Ｊに設けられた電極２５ｂと接続され、電極２５ｂは、電磁波放射体１０の所定の端子に接続される（図１５（Ｂ）に点線で図示）。電極２５ｂの、電磁波放射体１０の所定の端子への接続は、ワイヤ、リード等、各種電気接続方法を用いて行うことができる。

【0103】

尚、電子装置１Ｊにおいて、電磁波放射体１０と層２０Ｊとの間に、上記第５の実施の形態（図１２）で述べたような充填層４０を設けることもできる。そのような場合は、その充填層４０を貫通するビアを設け、そのビアによって電極２５ｂと電磁波放射体１０の所定の端子との接続を行うことができる。

【0104】

このように、端子２４ａ、電極２４ｂ及び端子２５ａを介して電子部品７０と接続された電極２５ｂと、電磁波放射体１０の所定の端子とが接続されることで、電磁波放射体１０から電子部品７０への電源供給、電子部品７０と電磁波放射体１０との間の信号伝送等が行われる。

【0105】

電子装置１Ｊのように、金属膜２２Ｉ及び包囲層２１Ｉを含む層２０Ｉの内側に、更に金属膜２２Ｊ及び包囲層２１Ｊを含む層２０Ｊを設け、その内側の層で電磁波の吸収を行うようにしてもよい。

【0106】

尚、電子装置１Ｉ及び電子装置１Ｊにおいて、それらの層２０Ｉ及び層２０Ｊは、電磁波放射体１０を収容する筺体として利用されてもよい。
次に、第９の実施の形態について説明する。

【0107】

上記第１〜第８の実施の形態で述べたような電子装置１，１Ａ〜１Ｊ等は、各種電子機器（電子装置とも称される）に接続又は搭載することができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に搭載することができる。

【0108】

図１６は第９の実施の形態に係る電子機器の説明図である。図１６には、電子機器の一例を模式的に図示している。
例えば、上記第１の実施の形態で述べたような電子装置１（図３）が、ＡＣアダプターのような電源装置として、各種電子機器８０に接続される。電子装置１は、外部から入力される交流（ＡＣ）電力を、内部の電磁波放射体１０に含まれる回路によって変換し、直流（ＤＣ）電力を電子機器８０に出力する。

【0109】

電子装置１では、交流電力から直流電力への変換の際、電磁波放射体１０から電磁波が放射されても、それを包囲するように設けられた層２０（その包囲層２１及び金属膜２２）によって、その電磁波が吸収される。これにより、電子装置１の外部への電磁波の放射が抑えられ、電子装置１の電磁波による電子機器８０の誤動作、及び電子装置１自体の誤動作が抑えられる。性能及び信頼性に優れる電子装置１、及びそれを用いた電子機器８０が実現される。

【0110】

尚、上記第１〜第８の実施の形態で述べた他の電子装置１，１Ａ〜１Ｊ等も同様に、各種電子機器に接続又は搭載することが可能である。

【符号の説明】

【0111】

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ，１Ｉ，１Ｊ 電子装置
１０ 電磁波放射体
１１ 電磁波
１２ ＧＮＤライン
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ，２０Ｈ，２０Ｉ，２０Ｊ 層
２０ａ，２０ｂ，２２ａａ，２２ｂａ 開口部
２１，２１Ａ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅ，２１Ｆ，２１Ｇ，２１Ｉ，２１Ｊ，２３ 包囲層
２１ａ 樹脂材料
２１ａａ フィラー
２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅ，２２Ｆ，２２Ｇ，２２Ｉ，２２Ｊ，６２ 金属膜
２２ａ メッシュパターン
２２ｂ アンテナパターン
２２ｃ スリット
２２ｄ 凹部
２２ｅ 凸部
２４ａ，２５ａ，５０ａ，５０ｂ 端子
２４ｂ，２５ｂ 電極
３０ 抵抗素子
４０ 充填層
６０ プリント板
６１ 絶縁層
７０ 電子部品
８０ 電子機器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】