特許 6986933 基板処理方法および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6986933

(24)【登録日】2021年12月2日

(45)【発行日】2021年12月22日

(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20211213BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20211213BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 648K

   H01L21/304 643A

   H01L21/304 648G

   H01L21/30 564C

   H01L21/30 569C

【請求項の数】15

【全頁数】28

(21)【出願番号】特願2017-215295(P2017-215295)

(22)【出願日】2017年11月8日

(65)【公開番号】特開2019-87652(P2019-87652A)

(43)【公開日】2019年6月6日

【審査請求日】2020年6月22日

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】特許業務法人あい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田中 孝佳

【審査官】 山口 祐一郎

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１７−０３４１８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１６−０６３０３５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板を処理する処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口の方に処理液を通過させる開状態と、前記吐出口の方に流れる処理液をせき止める閉状態と、の間で開閉する吐出バルブと、前記吐出バルブに接続された上流端と前記吐出口に接続された下流端とを含み、前記吐出バルブから前記吐出口に延びる先端流路と、を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液を前記先端流路に流入させる処理液流入工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記処理液流入工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する処理液保持工程と、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液だけを前記基板保持手段に水平に保持されている前記基板に向けて前記吐出口に吐出させる供給実行工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液の全てを前記先端流路内に保持する供給停止工程と、を含む、基板処理方法。

【請求項2】

前記供給実行工程において前記吐出口から吐出された前記処理液が付着している前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに含む、請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項3】

前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液のうち前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する排出工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。

【請求項4】

前記排出工程の後に、同じ前記処理液が前記先端流路内に保持されている時間を表す滞在時間が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程と、
前記滞在時間判定工程で前記滞在時間が前記所定時間を超えたと判定された場合に、前記先端流路内に前記処理液が保持されている状態で前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液で、前記先端流路内に保持されている前記処理液の全てを置換する処理液置換工程とをさらに含む、請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項5】

前記排出工程は、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の全てを前記吐出口に吐出させる吐出実行工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記吐出実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する吐出停止工程と、を含む、請求項３または４に記載の基板処理方法。

【請求項6】

前記吐出実行工程は、前記吐出バルブが開いた状態で前記吐出バルブの開度を変更することにより、前記吐出バルブを通過する前記処理液の流量を変化させる流量変更工程を含む、請求項５に記載の基板処理方法。

【請求項7】

前記基板処理装置は、前記吐出バルブの下流でかつ前記吐出口の上流の分岐位置で前記先端流路に接続された分岐流路と、前記先端流路内の処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引する吸引力が前記先端流路に加わる開状態と、前記先端流路への前記吸引力の伝達が遮断される閉状態と、の間で開閉する吸引バルブと、をさらに備えており、
前記排出工程は、
前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口までの部分に保持されている前記処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出する吸引実行工程と、
前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを閉じることにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路から前記分岐流路への前記処理液の吸引を停止させる吸引停止工程と、を含む、請求項３または４に記載の基板処理方法。

【請求項8】

基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板を処理する処理液を吐出する吐出口と、
前記吐出口の方に処理液を通過させる開状態と、前記吐出口の方に流れる処理液をせき止める閉状態と、の間で開閉する吐出バルブと、
前記吐出バルブに接続された上流端と前記吐出口に接続された下流端とを含み、前記吐出バルブから前記吐出口に延びており、前記吐出口から前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて吐出される前記処理液の量よりも大きい容積を有する先端流路と、
前記吐出バルブを制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液を前記先端流路に流入させる処理液流入工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記処理液流入工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する処理液保持工程と、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液だけを前記基板保持手段に水平に保持されている前記基板に向けて前記吐出口に吐出させる供給実行工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液の全てを前記先端流路内に保持する供給停止工程と、を実行する、基板処理装置。

【請求項9】

前記基板処理装置は、前記基板保持手段に保持されている前記基板を乾燥させる乾燥手段をさらに備え、
前記制御装置は、前記乾燥手段を制御することにより、前記供給実行工程において前記吐出口から吐出された前記処理液が付着している前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに実行する、請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記制御装置は、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液のうち前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する排出工程をさらに実行する、請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記制御装置は、
前記排出工程の後に、同じ前記処理液が前記先端流路内に保持されている時間を表す滞在時間が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程と、
前記滞在時間判定工程で前記滞在時間が前記所定時間を超えたと判定された場合に、前記先端流路内に前記処理液が保持されている状態で前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液で、前記先端流路内に保持されている前記処理液の全てを置換する処理液置換工程とをさらに実行する、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記排出工程は、
前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の全てを前記吐出口に吐出させる吐出実行工程と、
前記吐出バルブを閉じることにより、前記吐出実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する吐出停止工程と、を含む、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記吐出バルブは、前記処理液が流れる内部流路と前記内部流路を取り囲む環状の弁座とが設けられたバルブボディと、前記弁座に対して移動可能な弁体と、前記弁体を任意の位置で静止させる電動アクチュエータとを含み、
前記吐出実行工程は、前記吐出バルブが開いた状態で前記吐出バルブの開度を変更することにより、前記吐出バルブを通過する前記処理液の流量を変化させる流量変更工程を含む、請求項１２に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記基板処理装置は、前記吐出バルブの下流でかつ前記吐出口の上流の分岐位置で前記先端流路に接続された分岐流路と、前記先端流路内の処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引する吸引力が前記先端流路に加わる開状態と、前記先端流路への前記吸引力の伝達が遮断される閉状態と、の間で開閉する吸引バルブと、をさらに備えており、
前記制御装置は、前記吸引バルブをさらに制御し、
前記排出工程は、
前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口までの部分に保持されている前記処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出する吸引実行工程と、
前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを閉じることにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路から前記分岐流路への前記処理液の吸引を停止させる吸引停止工程と、を含む、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分の容積は、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口まで部分の容積よりも大きい、請求項１４に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板などが含まれる。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、処理液ノズルに処理液を供給する処理液配管と、処理液配管に介装された処理液バルブとを含む。処理液バルブが開かれると、処理液配管内の処理液が処理液ノズルに供給され、処理液ノズルが閉じられると、処理液ノズルへの処理液の供給が停止される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２−０２６４７６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

処理液バルブが開かれるとき、弁体が弁座から離れる。このとき、弁体が弁座に擦れるので、パーティクルが処理液バルブの内部に発生する。このパーティクルは、処理液と共に処理液ノズルに供給され、処理液ノズルから吐出される。そのため、処理液バルブ内に発生したパーティクルが基板に付着する場合がある。
処理液バルブが閉じられるときも同様に、パーティクルが処理液バルブの内部に発生する。処理液バルブが完全に閉じる前に発生したパーティクルは、処理液と共に処理液ノズルに供給される場合がある。また、パーティクルが、処理液バルブ内に残留し、処理液バルブが再び開かれたときに処理液と共に処理液ノズルに供給される場合がある。

【0005】

そこで、本発明の目的の一つは、処理液ノズルへの処理液の供給および供給停止を切り替えるバルブ内で発生したパーティクルが基板に供給されることを抑制または防止できる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板を処理する処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口の方に処理液を通過させる開状態と、前記吐出口の方に流れる処理液をせき止める閉状態と、の間で開閉する吐出バルブと、前記吐出バルブに接続された上流端と前記吐出口に接続された下流端とを含み、前記吐出バルブから前記吐出口に延びる先端流路と、を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液を前記先端流路に流入させる処理液流入工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記処理液流入工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する処理液保持工程と、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液だけを前記基板保持手段に水平に保持されている前記基板に向けて前記吐出口に吐出させる供給実行工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液の全てを前記先端流路内に保持する供給停止工程と、を含む、基板処理方法である。

【0007】

吐出バルブに供給される処理液は、基板処理装置に備えられたタンクから供給されるものであってもよいし、基板処理装置が据え付けられる製造工場（たとえば、半導体製造工程）から供給されるものであってもよい。
この方法によれば、処理液を基板に供給する前に吐出バルブが開かれる。これにより、吐出バルブ内で発生したパーティクルで汚染された処理液が、吐出バルブから先端流路に流入する。これに続いて、含有パーティクルが少ない清浄な処理液が、吐出バルブから先端流路に流入する。つまり、汚染された処理液が吐出バルブを最初に通過し、これに続いて、清浄な処理液が吐出バルブを通過する。

【0008】

汚染された処理液は、清浄な処理液によって下流に押し流される。先端流路内を流れる処理液が先端流路の下流端に達すると、先端流路内の処理液が吐出口から吐出される。これにより、吐出バルブを開いたときに先端流路に流入した汚染された処理液が、先端流路から排出される。汚染された処理液が吐出口から吐出された後は、吐出バルブが閉じられる。これにより、清浄な処理液が先端流路内に保持され、先端流路内で静止する。

【0009】

その後、吐出バルブが再び開かれる。先端流路内に保持されている清浄な処理液は、新たに流入した処理液によって下流に押し流され、吐出口から基板に向けて吐出される。これにより、清浄な処理液が基板に供給される。その後、吐出バルブが閉じられ、吐出口からの処理液の吐出が停止される。それと同時に、新たに流入した処理液の全てが先端流路内に保持される。

【0010】

このように、綺麗な処理液が先端流路内に保持された状態で吐出バルブを開き、この処理液を基板に向けて吐出する。その後、吐出バルブを通過した全ての処理液を先端流路内に保持する。吐出バルブを通過した処理液には、汚染された処理液も含まれている。したがって、汚染された処理液が吐出口から吐出されることを回避しながら、清浄な処理液だけを吐出口から吐出させることができる。これにより、基板に供給される処理液に含まれるパーティクルが減少するので、乾燥後の基板の清浄度を高めることができる。

【0011】

請求項２に記載の発明は、前記供給実行工程において前記吐出口から吐出された前記処理液が付着している前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに含む、請求項１に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、吐出口から吐出された処理液が付着している基板を乾燥させる。吐出口から吐出された処理液は、含有パーティクルが少ない清浄な処理液である。したがって、基板に保持されているパーティクルが少ない状態で基板を乾燥させることができる。これにより、乾燥後の基板に残留するパーティクルを減らすことができ、乾燥後の基板の清浄度を高めることができる。

【0012】

請求項３に記載の発明は、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液のうち前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する排出工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法である。

【0013】

前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液は、前記吐出バルブを介して前記先端流路に新たに流入した前記処理液であってもよいし、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の一部であってもよい。
この方法によれば、基板に向けて処理液を吐出するときに吐出バルブを最初に通過し、処理液の吐出を停止したときに先端流路内に保持された処理液が、先端流路から排出される。つまり、汚染された処理液が先端流路から排出される。したがって、先端流路内に保持されている処理液を次の基板に供給するときに、汚染された処理液が基板に向けて吐出されることを防止できる。これにより、複数枚の基板を処理するときに、各基板の清浄度を高めることができる。

【0014】

請求項４に記載の発明は、前記排出工程の後に、同じ前記処理液が前記先端流路内に保持されている時間を表す滞在時間が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程と、前記滞在時間判定工程で前記滞在時間が前記所定時間を超えたと判定された場合に、前記先端流路内に前記処理液が保持されている状態で前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液で、前記先端流路内に保持されている前記処理液の全てを置換する処理液置換工程とをさらに含む、請求項３に記載の基板処理方法である。

【0015】

先端流路内に保持されている処理液（古い処理液）は、吐出口を通じて先端流路の外に排出されてもよいし、後述する分岐流路に排出されてもよい。もしくは、古い処理液の一部が吐出口を通じて先端流路の外に排出され、古い処理液の残りが分岐流路に排出されてもよい。
この方法によれば、同じ処理液が先端流路内に長時間保持された場合、吐出バルブが開かれ、新たな処理液が先端流路内に供給される。これにより、古い処理液が新しい処理液によって下流に押され、先端流路から排出される。その後、吐出バルブを最初に通過した処理液以外の処理液、つまり、綺麗な処理液が先端流路内に保持される。

【0016】

処理液の性質は、時間の経過に伴って変化する場合がある。先端流路内に滞在している時間が短ければ無視できる程度の変化しか発生しないが、先端流路内に滞在している時間が長いと、処理の結果に影響を及ぼし得る性質の変化が発生するかもしれない。したがって、古い処理液を新しい綺麗な処理液で置換することにより、複数枚の基板における品質のばらつきを抑えることができる。

【0017】

請求項５に記載の発明は、前記排出工程は、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の全てを前記吐出口に吐出させる吐出実行工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記吐出実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する吐出停止工程と、を含む、請求項３または４に記載の基板処理方法である。

【0018】

この方法によれば、先端流路内に保持されている処理液を排出するために、基板への処理液の供給が停止された後に、吐出バルブが開かれ、新たな処理液が先端流路に供給される。基板への処理液の供給を停止したときに先端流路内に保持された全ての処理液は、新たな処理液によって下流に押し流され、吐出口から吐出される。これにより、基板への処理液の供給を停止したときに先端流路内に保持された汚染された処理液を先端流路から排出することができる。

【0019】

さらに、吐出バルブを開いたときに先端流路に流入した汚染された処理液も、吐出口から吐出される。その後、吐出バルブが閉じられ、綺麗な処理液が先端流路内に保持される。したがって、次の基板に綺麗な処理液を供給することができる。さらに、先端流路の各部に処理液が保持されるので、先端流路の一部だけに処理液を保持する場合と比較して、次の基板に供給できる処理液の量を増やすことができる。

【0020】

請求項６に記載の発明は、前記吐出実行工程は、前記吐出バルブが開いた状態で前記吐出バルブの開度を変更することにより、前記吐出バルブを通過する前記処理液の流量を変化させる流量変更工程を含む、請求項５に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、先端流路内に保持されている処理液を排出するために、吐出バルブが開かれ、新たな処理液が先端流路に供給される。加えて、吐出バルブが開いた状態で吐出バルブの開度が変更される。それに伴って、吐出バルブを通過する処理液の流量が変化し、吐出バルブに付着しているパーティクルに加わる液圧が変化する。これにより、吐出バルブからパーティクルを効果的に剥がすことができ、吐出バルブを通過する処理液の清浄度を高めることができる。

【0021】

請求項７に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記吐出バルブの下流でかつ前記吐出口の上流の分岐位置で前記先端流路に接続された分岐流路と、前記先端流路内の処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引する吸引力が前記先端流路に加わる開状態と、前記先端流路への前記吸引力の伝達が遮断される閉状態と、の間で開閉する吸引バルブと、をさらに備える、請求項３または４に記載の基板処理方法である。

【0022】

前記排出工程は、前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口までの部分に保持されている前記処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出する吸引実行工程と、前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを閉じることにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路から前記分岐流路への前記処理液の吸引を停止させる吸引停止工程と、を含む。

【0023】

この方法によれば、先端流路内に保持されている処理液を排出するために、基板への処理液の供給が停止された後に、吐出バルブが閉じた状態で吸引バルブが開かれる。これにより、吸引力が分岐流路を介して先端流路に伝達され、先端流路の下流部分から分岐流路に処理液が吸引される。その一方で、吐出バルブが閉じられているので、先端流路の上流部分に保持されている処理液はその場（上流部分）に残る。

【0024】

基板に向けて処理液を吐出するときに先端流路に流入した汚染された処理液は、先端流路の下流部分に保持されている。したがって、先端流路の下流部分から分岐流路に処理液を吸引することにより、綺麗な処理液を先端流路を残しながら、汚染された処理液を先端流路から排出できる。これにより、次の基板に綺麗な処理液を供給できる。さらに、先端流路の下流部分から分岐流路に処理液を逆流させると、吐出口の上流の位置から吐出口までの範囲が空になるので、処理液が意図せず吐出口から落下する現象（いわゆる、ボタ落ち）を防止できる。

【0025】

請求項８に記載の発明は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板を処理する処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口の方に処理液を通過させる開状態と、前記吐出口の方に流れる処理液をせき止める閉状態と、の間で開閉する吐出バルブと、前記吐出バルブに接続された上流端と前記吐出口に接続された下流端とを含み、前記吐出バルブから前記吐出口に延びており、前記吐出口から前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて吐出される前記処理液の量よりも大きい容積を有する先端流路と、前記吐出バルブを制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液を前記先端流路に流入させる処理液流入工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記処理液流入工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する処理液保持工程と、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記処理液保持工程において前記先端流路内に保持された前記処理液だけを前記基板保持手段に水平に保持されている前記基板に向けて前記吐出口に吐出させる供給実行工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液の全てを前記先端流路内に保持する供給停止工程と、を実行する、基板処理装置である。この構成によれば、乾燥後の基板の清浄度を高めることができる。

【0027】

請求項９に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記基板保持手段に保持されている前記基板を乾燥させる乾燥手段をさらに備え、前記制御装置は、前記乾燥手段を制御することにより、前記供給実行工程において前記吐出口から吐出された前記処理液が付着している前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに実行する、請求項８に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。

【0028】

請求項１０に記載の発明は、前記制御装置は、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液のうち前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する排出工程をさらに実行する、請求項８に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。

【0029】

請求項１１に記載の発明は、前記制御装置は、前記排出工程の後に、同じ前記処理液が前記先端流路内に保持されている時間を表す滞在時間が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程と、前記滞在時間判定工程で前記滞在時間が前記所定時間を超えたと判定された場合に、前記先端流路内に前記処理液が保持されている状態で前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液で、前記先端流路内に保持されている前記処理液の全てを置換する処理液置換工程とをさらに実行する、請求項１０に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。

【0030】

請求項１２に記載の発明は、前記排出工程は、前記吐出バルブを開くことにより、前記処理液に前記吐出バルブを通過させ、前記吐出バルブを通過した前記処理液で、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液を下流に押し流すことにより、前記供給停止工程において前記先端流路内に保持された前記処理液の全てを前記吐出口に吐出させる吐出実行工程と、前記吐出バルブを閉じることにより、前記吐出実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液以外の前記処理液を前記先端流路内に保持する吐出停止工程と、を含む、請求項１０または１１に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。

【0031】

請求項１３に記載の発明は、前記吐出バルブは、前記処理液が流れる内部流路と前記内部流路を取り囲む環状の弁座とが設けられたバルブボディと、前記弁座に対して移動可能な弁体と、前記弁体を任意の位置で静止させる電動アクチュエータとを含み、前記吐出実行工程は、前記吐出バルブが開いた状態で前記吐出バルブの開度を変更することにより、前記吐出バルブを通過する前記処理液の流量を変化させる流量変更工程を含む、請求項１２に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。

【0032】

請求項１４に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記吐出バルブの下流でかつ前記吐出口の上流の分岐位置で前記先端流路に接続された分岐流路と、前記先端流路内の処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引する吸引力が前記先端流路に加わる開状態と、前記先端流路への前記吸引力の伝達が遮断される閉状態と、の間で開閉する吸引バルブと、をさらに備える、請求項１０または１１に記載の基板処理装置である。

【0033】

前記制御装置は、前記吸引バルブをさらに制御する。前記排出工程は、前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口までの部分に保持されている前記処理液を前記分岐位置を介して前記分岐流路に吸引し、前記供給実行工程において前記吐出バルブを通過した前記処理液のうち前記吐出バルブを最初に通過した前記処理液を前記先端流路から排出する吸引実行工程と、前記吐出バルブが閉じた状態で前記吸引バルブを閉じることにより、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分に前記処理液を残しながら、前記先端流路から前記分岐流路への前記処理液の吸引を停止させる吸引停止工程と、を含む。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。

【0034】

請求項１５に記載の発明は、前記先端流路における前記吐出バルブと前記分岐位置との間の部分の容積は、前記先端流路における前記分岐位置から前記吐出口まで部分の容積よりも大きい、請求項１４に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、先端流路における吐出バルブと分岐位置との間の部分、つまり、先端流路の上流部分の容積が、先端流路における分岐位置から吐出口まで部分の容積、つまり、先端流路の下流部分の容積よりも大きい。したがって、より多くの処理液を先端流路の上流部分に保持できる。前述のように、基板に処理液が供給された後は、先端流路の下流部分から分岐流路に処理液が吸引される。そして、先端流路の上流部分に残った処理液が次の基板に供給される。先端流路の上流部分の容積が先端流路の下流部分の容積よりも大きいので、次の基板に供給できる処理液の量を増やすことができる。

【図面の簡単な説明】

【0035】

【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。

【図2】スピンチャックおよび処理カップを上から見た模式図である。

【図3】溶剤バルブの鉛直断面を示す模式的な断面図である。

【図4】溶剤ノズルに至るＩＰＡの流路と吸引装置に至るＩＰＡの流路とについて説明するための模式図である。

【図5】基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。

【図6】図５に示す基板の処理の一例において、基板にＩＰＡを供給する前から、基板にＩＰＡを供給した後までの流れの一例（第１処理例）について説明するためのフロチャートである。

【図7A】図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図7B】図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図7C】図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図7D】図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図7E】図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図7F】図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図7G】図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図7H】図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図7I】図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図8】図５に示す基板の処理の一例において、基板にＩＰＡを供給する前から、基板にＩＰＡを供給した後までの流れの一例（第２処理例）について説明するためのフロチャートである。

【図9A】図８に示す第２処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【図9B】図８に示す第２処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0036】

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の内部を水平に見た模式図である。図２は、スピンチャック８および処理カップ２１を上から見た模式図である。
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを収容する箱型のキャリアが置かれるロードポート（図示せず）と、ロードポート上のキャリアから搬送された基板Ｗを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する処理ユニット２と、ロードポートと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。

【0037】

処理ユニット２は、内部空間を有する箱型のチャンバー４と、チャンバー４内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック８と、基板Ｗおよびスピンチャック８から外方に排出された処理液を受け止める筒状の処理カップ２１とを含む。
チャンバー４は、基板Ｗが通過する搬入搬出口５ｂが設けられた箱型の隔壁５と、搬入搬出口５ｂを開閉するシャッター６とを含む。フィルターによってろ過された空気であるクリーンエアーは、隔壁５の上部に設けられた送風口５ａからチャンバー４内に常時供給される。チャンバー４内の気体は、処理カップ２１の底部に接続された排気ダクト７を通じてチャンバー４から排出される。これにより、クリーンエアーのダウンフローがチャンバー４内に常時形成される。

【0038】

スピンチャック８は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１０と、スピンベース１０の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン９と、スピンベース１０の中央部から下方に延びるスピン軸１１と、スピン軸１１を回転させることによりスピンベース１０および複数のチャックピン９を回転させるスピンモータ１２とを含む。スピンチャック８は、複数のチャックピン９を基板Ｗの外周面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１０の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。

【0039】

処理カップ２１は、基板Ｗから外方に排出された液体を受け止める複数のガード２３と、複数のガード２３によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ２６と、複数のガード２３と複数のカップ２６とを取り囲む円筒状の外壁部材２２とを含む。図１は、４つのガード２３と３つのカップ２６とが設けられている例を示している。
ガード２３は、スピンチャック８を取り囲む円筒状の筒状部２５と、筒状部２５の上端部から回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる円環状の天井部２４とを含む。複数の天井部２４は、上下に重なっており、複数の筒状部２５は、同心円状に配置されている。複数のカップ２６は、それぞれ、複数の筒状部２５の下方に配置されている。カップ２６は、上向きに開いた環状の受液溝を形成している。

【0040】

処理ユニット２は、複数のガード２３を個別に昇降させるガード昇降ユニット２７を含む。ガード昇降ユニット２７は、上位置と下位置との間でガード２３を鉛直に昇降させる。上位置は、ガード２３の上端２３ａがスピンチャック８に保持されている基板Ｗが配置される保持位置よりも上方に配置される位置である。下位置は、ガード２３の上端２３ａが保持位置よりも下方に配置される位置である。天井部２４の円環状の上端は、ガード２３の上端２３ａに相当する。図２に示すように、ガード２３の上端２３ａは、平面視で基板Ｗおよびスピンベース１０を取り囲んでいる。

【0041】

スピンチャック８が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、少なくとも一つのガード２３の上端２３ａが、基板Ｗよりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液やリンス液などの処理液は、いずれかのガード２３に受け止められ、このガード２３に対応するカップ２６に案内される。

【0042】

図１に示すように、処理ユニット２は、基板Ｗの上面に向けて薬液を下方に吐出する薬液ノズル３１を含む。薬液ノズル３１は、薬液ノズル３１に薬液を案内する薬液配管３２に接続されている。薬液配管３２に介装された薬液バルブ３３が開かれると、薬液が、薬液ノズル３１の吐出口から下方に連続的に吐出される。薬液ノズル３１から吐出される薬液は、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸、酢酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよいし、これ以外の液体であってもよい。

【0043】

図示はしないが、薬液バルブ３３は、薬液が流れる内部流路と内部流路を取り囲む環状の弁座とが設けられたバルブボディと、弁座に対して移動可能な弁体と、弁体が弁座に接触する閉位置と弁体が弁座から離れた開位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様である。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。制御装置３は、アクチュエータを制御することにより、薬液バルブ３３を開閉させる。アクチュエータが電動アクチュエータである場合、制御装置３は、電動アクチュエータを制御することにより、閉位置から開位置（全開位置）までの任意の位置に弁体を位置させる。

【0044】

図２に示すように、処理ユニット２は、薬液ノズル３１を保持するノズルアーム３４と、ノズルアーム３４を移動させることにより、鉛直方向および水平方向の少なくとも一方に薬液ノズル３１を移動させるノズル移動ユニット３５とを含む。ノズル移動ユニット３５は、薬液ノズル３１から吐出された処理液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル３１が平面視で処理カップ２１のまわりに位置する待機位置（図２に示す位置）と、の間で薬液ノズル３１を水平に移動させる。ノズル移動ユニット３５は、たとえば、処理カップ２１のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりに薬液ノズル３１を水平に移動させることにより、平面視で基板Ｗを通る円弧状の経路に沿って薬液ノズル３１を移動させる旋回ユニットである。

【0045】

図１に示すように、処理ユニット２は、基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル３６を含む。リンス液ノズル３６は、チャンバー４の底部に対して固定されている。リンス液ノズル３６から吐出されたリンス液は、基板Ｗの上面中央部に着液する。リンス液ノズル３６は、リンス液ノズル３６にリンス液を案内するリンス液配管３７に接続されている。リンス液配管３７に介装されたリンス液バルブ３８が開かれると、リンス液が、リンス液ノズル３６の吐出口から下方に連続的に吐出される。リンス液ノズル３６から吐出されるリンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionized Ｗater）である。リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

【0046】

処理ユニット２は、基板Ｗの上面に向けて溶剤を下方に吐出する溶剤ノズル４１を含む。溶剤ノズル４１は、溶剤ノズル４１に溶剤を案内する溶剤配管４２に接続されている。溶剤配管４２に介装された溶剤バルブ４３が開かれると、溶剤が、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから下方に連続的に吐出される。溶剤ノズル４１から吐出される溶剤は、たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。特に断りがない限り、溶剤およびＩＰＡは、液体を意味している。ＩＰＡは、水よりも沸点が低く、水よりも表面張力が低い。溶剤ノズル４１から吐出される溶剤は、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）などのフッ素系有機溶剤であってもよい。

【0047】

基板処理装置１は、溶剤バルブ４３よりも下流の位置で溶剤配管４２に接続された吸引配管４４と、吸引配管４４に介装された吸引バルブ４５と、溶剤バルブ４３を通過した溶剤を吸引配管４４を介して吸引する吸引力を発生する吸引装置４６とを含む。吸引配管４４の上流端は、溶剤配管４２に接続されており、吸引配管４４の下流端は、吸引装置４６に接続されている。吸引バルブ４５は、吸引装置４６の上流に配置されている。

【0048】

吸引装置４６は、たとえば、吸引力を発生するエジェクターと、エジェクターへの気体の供給および供給停止を切り替える気体バルブとを含む。吸引装置４６は、吸引ポンプであってもよい。吸引装置４６は、必要なときにだけ駆動されてもよいし、常時駆動されていてもよい。吸引バルブ４５が開いており、吸引装置４６が駆動されているときは、吸引装置４６の吸引力が、吸引配管４４を介して溶剤配管４２の内部に伝達される。

【0049】

図２に示すように、処理ユニット２は、溶剤ノズル４１を保持するノズルアーム４７と、ノズルアーム４７を移動させることにより、鉛直方向および水平方向の少なくとも一方に溶剤ノズル４１を移動させるノズル移動ユニット４８とを含む。ノズル移動ユニット４８は、溶剤ノズル４１から吐出された溶剤が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、溶剤ノズル４１が平面視で処理カップ２１のまわりに位置する待機位置（図２に示す位置）と、の間で溶剤ノズル４１を水平に移動させる。ノズル移動ユニット４８は、たとえば、処理カップ２１のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ３まわりに溶剤ノズル４１を水平に移動させることにより、平面視で基板Ｗを通る円弧状の経路に沿って溶剤ノズル４１を移動させる旋回ユニットである。

【0050】

処理ユニット２は、待機位置に位置する溶剤ノズル４１から吐出された溶剤を受け止める筒状の待機ポット４９を含む。待機ポット４９は、溶剤ノズル４１の待機位置の下方に配置されている。待機ポット４９は、平面視で処理カップ２１のまわりに配置されている。待機ポット４９は、上下方向に延びる筒状の周壁を含む。待機ポット４９の周壁の上端は、上向きに開いた開口を形成している。待機位置に位置する溶剤ノズル４１から吐出された溶剤は、待機ポット４９に受け止められ、回収装置または排液装置に案内される。

【0051】

次に、溶剤バルブ４３の構造について具体的に説明する。
図３は、溶剤バルブ４３の鉛直断面を示す模式的な断面図である。
溶剤バルブ４３は、たとえば、ダイヤフラムバルブである。溶剤バルブ４３は、ニードルバルブなどのダイヤフラムバルブ以外のバルブであってもよい。溶剤バルブ４３は、液体が流れる内部流路５２と内部流路５２を取り囲む環状の弁座５３とが設けられたバルブボディ５１と、弁座５３に対して移動可能な弁体５４とを含む。弁体５４は、ゴムや樹脂などの弾性材料で形成されたダイヤフラムである。弁座５３は、樹脂製である。溶剤配管４２は、溶剤を内部流路５２に案内する上流配管４２ｕと、内部流路５２から排出された溶剤を案内する下流配管４２ｄとを含む。

【0052】

溶剤バルブ４３は、弁体５４が弁座５３から離れた開位置と弁体５４と弁座５３との接触により内部流路５２が塞がれる閉位置との間で弁体５４を動作させるバルブアクチュエータ５５を含む。バルブアクチュエータ５５は、たとえば、電動アクチュエータである。したがって、溶剤バルブ４３は、電動バルブである。バルブアクチュエータ５５は、弁体５４と一体的に移動するロッド５８と、ロッド５８を軸方向に移動させる動力を発生する電動モータ５６と、電動モータ５６の回転をロッド５８の直線運動に変換する運動変換機構５７とを含む。

【0053】

バルブアクチュエータ５５のロッド５８は、弁体５４が弁座５３から離れる開位置（図３に示す位置）と、弁体５４が弁座５３に押し付けられる閉位置と、の間でロッド５８の軸方向に移動可能である。バルブアクチュエータ５５の電動モータ５６が回転すると、電動モータ５６の回転角度に応じた移動量でロッド５８がロッド５８の軸方向に移動する。制御装置３は、電動モータ５６の回転角度を制御することにより、開位置から閉位置までの任意の位置に弁体５４を位置させる。

【0054】

弁体５４が弁座５３から離れている状態でロッド５８が閉位置側に移動すると、弁体５４の一部が弁座５３に近づく。ロッド５８が閉位置に達すると、弁体５４が弁座５３に接触し、内部流路５２が閉じられる。これにより、溶剤が弁体５４でせき止められる。その一方で、弁体５４が弁座５３に押し付けられている状態で、ロッド５８が開位置側に移動すると、弁体５４が弁座５３から離れ、内部流路５２が開かれる。これにより、溶剤が弁座５３を通過し、内部流路５２から排出される。

【0055】

次に、ＩＰＡの流路について説明する。
図４は、溶剤ノズル４１に至るＩＰＡの流路と吸引装置４６に至るＩＰＡの流路とについて説明するための模式図である。
基板処理装置１は、溶剤バルブ４３から上流に延びる供給流路６１と、溶剤バルブ４３から溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐに延びる先端流路６２とを備えている。基板処理装置１は、さらに、先端流路６２から吸引バルブ４５に延びる分岐流路６３と、吸引バルブ４５から吸引装置４６に延びる吸引流路６４とを備えている。

【0056】

先端流路６２は、溶剤バルブ４３から溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐに延びる流路である。つまり、溶剤ノズル４１内の流路も先端流路６２に含まれる。先端流路６２は、溶剤配管４２と溶剤ノズル４１とによって形成されている。先端流路６２の上流端６２ｕは、溶剤バルブ４３に接続されており、先端流路６２の下流端６２ｄは、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐに接続されている。

【0057】

分岐流路６３は、吸引配管４４の一部によって形成されている。分岐流路６３は、溶剤バルブ４３の下流でかつ溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐの上流の分岐位置Ｐ１で先端流路６２に接続されている。分岐流路６３の上流端６３ｕは、先端流路６２に接続されており、分岐流路６３の下流端６３ｄは、吸引バルブ４５に接続されている。分岐流路６３の下流端６３ｄは、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐと等しい高さに配置されていてもよいし、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐよりも高いまたは低い位置に配置されていてもよい。

【0058】

図４では、先端流路６２の上流部６２ａにハッチングを施しており、先端流路６２の下流部６２ｂにクロスハッチングを施している。先端流路６２の上流部６２ａは、先端流路６２における溶剤バルブ４３と分岐位置Ｐ１との間の部分であり、先端流路６２の下流部６２ｂは、先端流路６２における分岐位置Ｐ１から溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐまでの部分（分岐位置Ｐ１を含む）である。上流部６２ａの容積は、下流部６２ｂの容積と等しくてもよいし、下流部６２ｂの容積よりも大きいまたは小さくてもよい。

【0059】

次に、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明する。
図５は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。
以下では、図１および図２を参照する。図５については適宜参照する。以下の動作は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の動作を実行するようにプログラムされている。制御装置３は、プログラムを実行するコンピュータである。図１に示すように、制御装置３は、プログラム等の情報を記憶するメモリー３ｍと、メモリー３ｍに記憶された情報にしたがって基板処理装置１を制御するプロセッサー３ｐと、時間を測るタイマー３ｔとを含む。

【0060】

基板処理装置１によって基板Ｗが処理されるときは、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程が行われる（図５のステップＳ１）。
具体的には、薬液ノズル３１および溶剤ノズル４１を含む全てのスキャンノズルを待機位置に位置させ、全てのガード２３を下位置に位置させる。この状態で、搬送ロボットが、基板Ｗをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー４内に進入させる。その後、搬送ロボットは、基板Ｗの表面が上に向けられた状態でハンド上の基板Ｗをスピンチャック８の上に置く。搬送ロボットは、基板Ｗをスピンチャック８の上に置いた後、ハンドをチャンバー４の内部から退避させる。

【0061】

次に、薬液を基板Ｗに供給する薬液供給工程（図５のステップＳ２）が行われる。
具体的には、ガード昇降ユニット２７は、複数のガード２３の少なくとも一つを上昇させて、いずれかのガード２３の内面を基板Ｗの外周面に水平に対向させる。ノズル移動ユニット３５は、ノズルアーム３４を移動させることにより、薬液ノズル３１の吐出口を基板Ｗの上方に位置させる。スピンモータ１２は、基板Ｗがチャックピン９によって把持されている状態で基板Ｗの回転を開始する。この状態で、薬液バルブ３３が開かれ、薬液ノズル３１が薬液の吐出を開始する。

【0062】

薬液ノズル３１から吐出された薬液は、基板Ｗの上面中央部に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う薬液の液膜が基板Ｗ上に形成される。薬液バルブ３３が開かれてから所定時間が経過すると、薬液バルブ３３が閉じられ、薬液ノズル３１からの薬液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット３５が薬液ノズル３１を基板Ｗの上方から退避させる。

【0063】

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給するリンス液供給工程（図５のステップＳ３）が行われる。
具体的には、リンス液バルブ３８が開かれ、リンス液ノズル３６が純水の吐出を開始する。ガード昇降ユニット２７は、純水の吐出が開始される前または後に、複数のガード２３の少なくとも一つを上下に移動させることにより、基板Ｗの外周面に対向するガード２３を切り替えてもよい。リンス液ノズル３６から吐出された純水は、基板Ｗの上面中央部に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗ上の薬液が純水に置換され、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。その後、リンス液バルブ３８が閉じられ、リンス液ノズル３６からの純水の吐出が停止される。

【0064】

次に、水よりも表面張力が低い溶剤の一例であるＩＰＡを基板Ｗに供給するＩＰＡ供給工程（図５のステップＳ４）が行われる。
具体的には、ノズル移動ユニット４８は、ノズルアーム４７を移動させることにより、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐを基板Ｗの上方に位置させる。その後、溶剤バルブ４３が開かれ、溶剤ノズル４１がＩＰＡの吐出を開始する。ガード昇降ユニット２７は、ＩＰＡの吐出が開始される前または後に、複数のガード２３の少なくとも一つを上下に移動させることにより、基板Ｗの外周面に対向するガード２３を切り替えてもよい。

【0065】

溶剤ノズル４１から吐出されたＩＰＡは、基板Ｗの上面中央部に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗ上の純水がＩＰＡに置換され、基板Ｗの上面全域を覆うＩＰＡの液膜が形成される。溶剤バルブ４３が開かれてから所定時間が経過すると、溶剤バルブ４３が閉じられ、溶剤ノズル４１からのＩＰＡの吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット４８が溶剤ノズル４１を基板Ｗの上方から退避させる。

【0066】

次に、基板Ｗの高速回転によって基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる（図５のステップＳ５）。
具体的には、溶剤ノズル４１からのＩＰＡの吐出が停止された後、スピンモータ１２が基板Ｗを回転方向に加速させ、これまでの基板Ｗの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。基板Ｗに付着しているＩＰＡは、基板Ｗの高速回転により基板Ｗのまわりに飛散する。これにより、ＩＰＡが基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ１２が回転を停止する。これにより、基板Ｗの回転が停止される。

【0067】

次に、基板Ｗをチャンバー４から搬出する搬出工程が行われる（図５のステップＳ６）。
具体的には、ガード昇降ユニット２７が、全てのガード２３を下位置まで下降させる。搬送ロボットは、複数のチャックピン９が基板Ｗの把持を解除した後、スピンチャック８上の基板Ｗをハンドで支持する。その後、搬送ロボットは、基板Ｗをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー４の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー４から搬出される。

【0068】

第１処理例
次に、基板ＷにＩＰＡを供給する前から、基板ＷにＩＰＡを供給した後までの流れの一例（第１処理例）について説明する。
図６は、第１処理例について説明するためのフロチャートである。図７Ａ〜図７Ｉは、図６に示す第１処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。

【0069】

図７Ａ〜図７Ｉでは、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。図７Ａにおいて液体の模様が描かれた領域は、綺麗なＩＰＡが存在する領域を示しており、図７Ａにおいてクロスハッチングされた領域は、汚染されたＩＰＡが存在する領域を示している。これは他の図でも同様である。
以下では、図１および図２を参照する。図６および図７Ａ〜図７Ｉについては適宜参照する。以下の動作は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。

【0070】

溶剤バルブ４３が開かれるときは、弁体５４が弁座５３に擦れ（図３参照）、溶剤バルブ４３内にパーティクルが発生する。溶剤バルブ４３が閉じられるときも、弁体５４が弁座５３に擦れ、溶剤バルブ４３内にパーティクルが発生する。溶剤バルブ４３が閉じられるときに発生したパーティクルは、溶剤バルブ４３の内部に留まる。このパーティクルは、溶剤バルブ４３が開かれたときに、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡと共に溶剤バルブ４３から排出される。溶剤バルブ４３が開かれるときに発生したパーティクルも、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡと共に溶剤バルブ４３から排出される。

【0071】

図７Ａに示すように、溶剤バルブ４３が開かれた直後は、溶剤バルブ４３内のパーティクルがＩＰＡと共に溶剤バルブ４３から排出される。そのため、汚染されたＩＰＡ、つまり、単位体積あたりの含有パーティクル数が多いＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流れる。それ以降は、清浄なＩＰＡ、つまり、単位体積あたりの含有パーティクル数が少ないＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流れる。したがって、溶剤バルブ４３が開かれると、汚染されたＩＰＡが、先端流路６２内に流入し、これに続いて、清浄なＩＰＡが、先端流路６２内に流入する。汚染されたＩＰＡは、後続のＩＰＡ（清浄なＩＰＡ）によって下流に押し流される。

【0072】

基板ＷにＩＰＡを供給するときは、綺麗なＩＰＡを先端流路６２内に保持する初回準備工程（図６のステップＳ１１）が行われる。
具体的には、図７Ａに示すように、溶剤ノズル４１が待機位置に位置しており、吸引バルブ４５が閉じられた状態で、溶剤バルブ４３が開かれる。これにより、供給流路６１内のＩＰＡが溶剤バルブ４３を通過し、先端流路６２に流入する。溶剤バルブ４３が開いている間は、溶剤バルブ４３を介して供給流路６１から先端流路６２にＩＰＡが流れ続ける。

【0073】

図７Ａに示すように、溶剤バルブ４３が開かれると、単位体積あたりの含有パーティクル数が多い汚染されたＩＰＡが、溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。これに続いて、単位体積あたりの含有パーティクル数が少ない清浄なＩＰＡが、溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。汚染されたＩＰＡは、清浄なＩＰＡによって下流に押し流される。そのため、先端流路６２においてＩＰＡで満たされた領域が、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐの方に広がる。このとき、吸引バルブ４５が閉じられているので、先端流路６２内のＩＰＡは、分岐流路６３に流入しない、もしくは、極僅かな量のＩＰＡしか分岐流路６３に流入しない。

【0074】

図７Ｂに示すように、先端流路６２内を流れるＩＰＡが先端流路６２の下流端６２ｄに達すると、先端流路６２内のＩＰＡが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出され、待機ポット４９に受け止められる。これにより、溶剤バルブ４３を開いたときに先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡが、先端流路６２から排出される。
図７Ｃに示すように、汚染されたＩＰＡの全てが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されると、溶剤バルブ４３が閉じられる。これにより、清浄なＩＰＡだけが先端流路６２内に保持され、先端流路６２内で静止する。汚染されたＩＰＡの全てが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されたか否かは、溶剤バルブ４３を開いている時間に基づいて制御装置３が判断してもよいし、溶剤バルブ４３を通過したＩＰＡの流量を検出する流量計の検出値に基づいて制御装置３が判断してもよい。

【0075】

清浄なＩＰＡが先端流路６２内に保持された後は、このＩＰＡを基板Ｗに供給するＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）が行われる。図６に示すＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）は、図５に示すＩＰＡ供給工程（図５のステップＳ４）に対応するものである。
具体的には、前の工程（ここでは、初回準備工程）で先端流路６２に流入した清浄なＩＰＡが先端流路６２内に保持さている状態で、ノズル移動ユニット４８が溶剤ノズル４１を処理位置に移動させる。図７Ｄに示すように、その後、溶剤バルブ４３が開かれる。これにより、汚染されたＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入し、これに続いて、清浄なＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。予め先端流路６２内に保持されている清浄なＩＰＡは、新たに流入したＩＰＡによって下流に押し流される。これにより、予め先端流路６２内に保持されている清浄なＩＰＡの一部が、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから基板Ｗに向けて吐出される。

【0076】

ＩＰＡ供給工程において溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されるＩＰＡの量、つまり、１枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量は、予め先端流路６２内に保持されている清浄なＩＰＡの量よりも少ない。したがって、図７Ｅに示すように、溶剤バルブ４３は、先端流路６２内に保持された清浄なＩＰＡの一部が溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出され、その残りが先端流路６２に残留している状態で閉じられる。このような状態であるか否かは、溶剤バルブ４３を開いている時間に基づいて制御装置３が判断してもよいし、溶剤バルブ４３を通過したＩＰＡの流量を検出する流量計の検出値に基づいて制御装置３が判断してもよい。

【0077】

図７Ｅに示すように、溶剤バルブ４３が閉じられると、前の工程で先端流路６２に流入してＩＰＡ供給工程で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されなかったＩＰＡが先端流路６２内に保持される。加えて、ＩＰＡ供給工程で先端流路６２に流入した全てのＩＰＡが先端流路６２内に保持される。ＩＰＡ供給工程で先端流路６２に流入したＩＰＡには、汚染されたＩＰＡが含まれている。したがって、清浄なＩＰＡだけが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出され、汚染されたＩＰＡは、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されずに先端流路６２内に保持される。溶剤バルブ４３が閉じられた後は、先端流路６２の各部にＩＰＡが保持されている状態で、ノズル移動ユニット４８が溶剤ノズル４１を待機位置に移動させる。

【0078】

ＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐからのＩＰＡの吐出が停止された後に、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給する場合（図６のステップＳ１３でＹｅｓ）は、汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出し、綺麗なＩＰＡを先端流路６２内に保持する排出工程（図６のステップＳ１４）が行われる。

【0079】

具体的には、溶剤バルブ４３が閉じられた後、先端流路６２の各部にＩＰＡが保持されている状態で、溶剤バルブ４３が開かれる。これにより、図７Ｆに示すように、汚染されたＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入し、これに続いて、清浄なＩＰＡが溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。予め先端流路６２内に保持されているＩＰＡ、すなわち、前の工程（ここでは、初回準備工程）で先端流路６２に流入してＩＰＡ供給工程で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されずに先端流路６２に残ったＩＰＡと、ＩＰＡ供給工程で先端流路６２に流入した全てのＩＰＡとが、新たに流入したＩＰＡによって溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐの方に押し流される。

【0080】

予め先端流路６２内に保持されている全てのＩＰＡは、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから待機ポット４９に向けて吐出される。さらに、排出工程で先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡも、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから待機ポット４９に向けて吐出される。したがって、先端流路６２は清浄なＩＰＡだけで満たされる。その後、この状態で溶剤バルブ４３が閉じられる。これにより、図７Ｇに示すように、清浄なＩＰＡだけが先端流路６２内に保持され、先端流路６２内で静止する。

【0081】

汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出した後に、次の基板ＷにＩＰＡを供給するとき、つまり、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程を行うときは、排出工程が終了してから次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が開始されるまでの時間（滞在時間）が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程が行われる（図６のステップＳ１５）。
滞在時間が所定時間を超えていない場合（図６のステップＳ１５でＮｏ）は、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が実行される（図６のステップＳ１２に戻る）。その後、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給する場合（図６のステップＳ１３でＹｅｓ）は、再び、排出工程（図６のステップＳ１４）およびＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）が実行される。つまり、初回準備工程を行った後は、ＩＰＡ供給工程から排出工程までの１つのサイクルを基板Ｗの枚数分だけ繰り返す。これにより、清浄なＩＰＡが複数枚の基板Ｗに供給され、これらの基板Ｗが処理される。

【0082】

その一方で、滞在時間が所定時間を超えている場合、つまり、排出工程が終了してから次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が開始されるまでの時間が長い場合（図６のステップＳ１５でＹｅｓ）は、初回準備工程と同様の処理液置換工程が行われる（図６のステップＳ１６）。これにより、先端流路６２内に保持されている全てのＩＰＡが、清浄な新しいＩＰＡで置換される。その後、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が実行される（図６のステップＳ１２に戻る）。これにより、安定した品質のＩＰＡを次の基板Ｗに供給することができる。

【0083】

また、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給しない場合、つまり、同じ処理ユニット２での基板Ｗの処理を終了する場合（図６のステップＳ１３でＮｏ）は、先端流路６２内に保持されているＩＰＡを分岐流路６３に吸引することにより、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐおよびその近傍を空にするサックバック工程（図６のステップＳ１７）が行われる。

【0084】

具体的には、図７Ｈに示すように、溶剤バルブ４３が閉じられた状態で吸引バルブ４５が開かれる。吸引バルブ４５が開かれると、吸引装置４６の吸引力が分岐流路６３および分岐位置Ｐ１を通じて先端流路６２に伝達される。これにより、空気が溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐを通じて下流部６２ｂに吸引されながら、ＩＰＡが分岐位置Ｐ１を通じて下流部６２ｂから分岐流路６３に吸引される。その一方で、溶剤バルブ４３が閉じられているので、上流部６２ａに保持されている全てまたは殆ど全てのＩＰＡは、分岐流路６３に吸引されずその場（上流部６２ａ）に残る。

【0085】

図７Ｉに示すように、下流部６２ｂ内のＩＰＡが分岐流路６３に吸引され、下流部６２ｂが空になると、吸引バルブ４５が閉じられる。下流部６２ｂが空になったか否かは、吸引バルブ４５を開いている時間に基づいて制御装置３が判断してもよいし、吸引バルブ４５を通過したＩＰＡの流量を検出する流量計の検出値に基づいて制御装置３が判断してもよい。吸引バルブ４５が閉じられた後は、次の基板Ｗに対する初回準備工程を開始するまでこの状態が維持される。

【0086】

第２処理例
次に、基板ＷにＩＰＡを供給する前から、基板ＷにＩＰＡを供給した後までの流れの一例（第２処理例）について説明する。
図８は、第２処理例について説明するためのフロチャートである。図９Ａ〜図９Ｂは、図８に示す第２処理例が行われているときの流路内の状態を示す模式的な断面図である。図９Ａ〜図９Ｂでは、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。

【0087】

以下では、図１および図２を参照する。図８および図９Ａ〜図９Ｂについては適宜参照する。以下の動作は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。
第２処理例における初回準備工程（図８のステップＳ２１）からＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）までの流れは、第１処理例と同様であるので、以下では、初回準備工程およびＩＰＡ供給工程が行われた後の流れについて説明する。

【0088】

ＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐからのＩＰＡの吐出が停止された後に、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給する場合（図８のステップＳ２３でＹｅｓ）は、汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出し、綺麗なＩＰＡを先端流路６２内に保持する排出工程（図８のステップＳ２４）が行われる。

【0089】

具体的には、溶剤バルブ４３が閉じられており、先端流路６２の各部にＩＰＡが保持されている状態で、吸引バルブ４５が開かれる。吸引バルブ４５は、溶剤ノズル４１が待機位置または処理位置に位置しているときに開かれてもよいし、待機位置と処理位置との間に位置しているときに開かれてもよい。吸引バルブ４５が開かれると、吸引装置４６の吸引力が分岐流路６３および分岐位置Ｐ１を通じて先端流路６２に伝達される。これにより、図９Ａに示すように、空気が溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐを通じて下流部６２ｂに吸引されながら、ＩＰＡが分岐位置Ｐ１を通じて下流部６２ｂから分岐流路６３に吸引される。その一方で、溶剤バルブ４３が閉じられているので、上流部６２ａに保持されている全てまたは殆ど全てのＩＰＡは、分岐流路６３に吸引されずその場（上流部６２ａ）に残る。

【0090】

ＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）で先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡは、先端流路６２の上流部６２ａではなく、先端流路６２の下流部６２ｂに保持される（図７Ｅ参照）。言い換えると、ＩＰＡ供給工程で溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されるＩＰＡの量と、先端流路６２および分岐流路６３が接続された分岐位置Ｐ１とは、汚染されたＩＰＡが先端流路６２の下流部６２ｂに保持されるように設定されている。したがって、図９Ａに示すように、吸引バルブ４５が開かれると、下流部６２ｂに保持されている汚染されたＩＰＡが分岐流路６３に排出される。その一方で、清浄なＩＰＡだけが、上流部６２ａに保持される。

【0091】

図９Ｂに示すように、吸引バルブ４５は、下流部６２ｂに保持されている汚染されたＩＰＡの全てが分岐流路６３に排出された後に閉じられる。汚染されたＩＰＡの全てが分岐流路６３に排出されるのであれば、吸引バルブ４５は、下流部６２ｂの全体が空になる前に閉じられてもよい。汚染されたＩＰＡの全てが分岐流路６３に排出されたか否かは、吸引バルブ４５を開いている時間に基づいて制御装置３が判断してもよいし、吸引バルブ４５を通過したＩＰＡの流量を検出する流量計の検出値に基づいて制御装置３が判断してもよい。

【0092】

汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出した後に、次の基板ＷにＩＰＡを供給するとき、つまり、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程を行うときは、排出工程（図８のステップＳ２４）が終了してから次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）が開始されるまでの時間（滞在時間）が所定時間を超えたか否かを判定する滞在時間判定工程が行われる（図８のステップＳ２５）。

【0093】

滞在時間が所定時間を超えていない場合（図８のステップＳ２５でＮｏ）は、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が実行される（図８のステップＳ２２に戻る）。滞在時間が所定時間を超えている場合（図８のステップＳ２５でＹｅｓ）は、第１処理例と同様の処理液置換工程が行われる（図８のステップＳ２６）。その後、次の基板Ｗに対するＩＰＡ供給工程が実行される（図８のステップＳ２２に戻る）。

【0094】

また、引き続き同じ処理ユニット２で次の基板ＷにＩＰＡを供給しない場合、つまり、同じ処理ユニット２での基板Ｗの処理を終了する場合（図８のステップＳ２３でＮｏ）は、第１処理例と同様のサックバック工程が行われる（図８のステップＳ２７）。その後、次の基板Ｗに対する初回準備工程（図８のステップＳ２１）を開始するまでこの状態が維持される。

【0095】

以上のように本実施形態では、ＩＰＡを基板Ｗに供給する前に溶剤バルブ４３が開かれる。これにより、溶剤バルブ４３内で発生したパーティクルで汚染されたＩＰＡが、溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。これに続いて、含有パーティクルが少ない清浄なＩＰＡが、溶剤バルブ４３から先端流路６２に流入する。つまり、汚染されたＩＰＡが溶剤バルブ４３を最初に通過し、これに続いて、清浄なＩＰＡが溶剤バルブ４３を通過する。

【0096】

汚染されたＩＰＡは、清浄なＩＰＡによって下流に押し流される。先端流路６２内を流れるＩＰＡが先端流路６２の下流端６２ｄに達すると、先端流路６２内のＩＰＡが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出される。これにより、溶剤バルブ４３を開いたときに先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡが、先端流路６２から排出される。汚染されたＩＰＡが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出された後は、溶剤バルブ４３が閉じられる。これにより、清浄なＩＰＡが先端流路６２内に保持され、先端流路６２内で静止する。

【0097】

その後、溶剤バルブ４３が再び開かれる。先端流路６２内に保持されている清浄なＩＰＡは、新たに流入したＩＰＡによって下流に押し流され、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから基板Ｗに向けて吐出される。これにより、清浄なＩＰＡが基板Ｗに供給される。その後、溶剤バルブ４３が閉じられ、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐからのＩＰＡの吐出が停止される。それと同時に、新たに流入したＩＰＡの全てが先端流路６２内に保持される。

【0098】

このように、綺麗なＩＰＡが先端流路６２内に保持された状態で溶剤バルブ４３を開き、このＩＰＡを基板Ｗに向けて吐出する。その後、溶剤バルブ４３を通過した全てのＩＰＡを先端流路６２内に保持する。溶剤バルブ４３を通過したＩＰＡには、汚染されたＩＰＡも含まれている。したがって、汚染されたＩＰＡが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されることを回避しながら、清浄なＩＰＡだけを溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出させることができる。これにより、基板Ｗに供給されるＩＰＡに含まれるパーティクルが減少するので、乾燥後の基板Ｗの清浄度を高めることができる。

【0099】

本実施形態では、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されたＩＰＡが付着している基板Ｗを乾燥させる。溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出されたＩＰＡは、含有パーティクルが少ない清浄なＩＰＡである。したがって、基板Ｗに保持されているパーティクルが少ない状態で基板Ｗを乾燥させることができる。これにより、乾燥後の基板Ｗに残留するパーティクルを減らすことができ、乾燥後の基板Ｗの清浄度を高めることができる。

【0100】

本実施形態では、基板Ｗに向けてＩＰＡを吐出するときに溶剤バルブ４３を最初に通過し、ＩＰＡの吐出を停止したときに先端流路６２内に保持されたＩＰＡが、先端流路６２から排出される。つまり、汚染されたＩＰＡが先端流路６２から排出される。したがって、先端流路６２内に保持されているＩＰＡを次の基板Ｗに供給するときに、汚染されたＩＰＡが基板Ｗに向けて吐出されることを防止できる。これにより、複数枚の基板Ｗを処理するときに、各基板Ｗの清浄度を高めることができる。

【0101】

本実施形態では、同じＩＰＡが先端流路６２内に長時間保持された場合、溶剤バルブ４３が開かれ、新たなＩＰＡが先端流路６２内に供給される。これにより、古いＩＰＡが新しいＩＰＡによって下流に押され、先端流路６２から排出される。その後、溶剤バルブ４３を最初に通過したＩＰＡ以外のＩＰＡ、つまり、綺麗なＩＰＡが先端流路６２内に保持される。

【0102】

ＩＰＡの性質は、時間の経過に伴って変化する場合がある。先端流路６２内に滞在している時間が短ければ無視できる程度の変化しか発生しないが、先端流路６２内に滞在している時間が長いと、処理の結果に影響を及ぼし得る性質の変化が発生するかもしれない。したがって、古いＩＰＡを新しい綺麗なＩＰＡで置換することにより、複数枚の基板Ｗにおける品質のばらつきを抑えることができる。

【0103】

本実施形態の第１処理例では、先端流路６２内に保持されているＩＰＡを排出するために、基板ＷへのＩＰＡの供給が停止された後に、溶剤バルブ４３が開かれ、新たなＩＰＡが先端流路６２に供給される。基板ＷへのＩＰＡの供給を停止したときに先端流路６２内に保持された全てのＩＰＡは、新たなＩＰＡによって下流に押し流され、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出される。これにより、基板ＷへのＩＰＡの供給を停止したときに先端流路６２内に保持された汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出することができる。

【0104】

さらに、溶剤バルブ４３を開いたときに先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡも、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから吐出される。その後、溶剤バルブ４３が閉じられ、綺麗なＩＰＡが先端流路６２内に保持される。したがって、次の基板Ｗに綺麗なＩＰＡを供給することができる。さらに、先端流路６２の各部にＩＰＡが保持されるので、先端流路６２の一部だけにＩＰＡを保持する場合と比較して、次の基板Ｗに供給できるＩＰＡの量を増やすことができる。

【0105】

本実施形態の第２処理例では、先端流路６２内に保持されているＩＰＡを排出するために、基板ＷへのＩＰＡの供給が停止された後に、溶剤バルブ４３が閉じた状態で吸引バルブ４５が開かれる。これにより、吸引力が分岐流路６３を介して先端流路６２に伝達され、先端流路６２の下流部６２ｂから分岐流路６３にＩＰＡが吸引される。その一方で、溶剤バルブ４３が閉じられているので、先端流路６２の上流部６２ａに保持されているＩＰＡはその場（上流部６２ａ）に残る。

【0106】

基板Ｗに向けてＩＰＡを吐出するときに先端流路６２に流入した汚染されたＩＰＡは、先端流路６２の下流部６２ｂに保持されている。したがって、先端流路６２の下流部６２ｂから分岐流路６３にＩＰＡを吸引することにより、綺麗なＩＰＡを先端流路６２を残しながら、汚染されたＩＰＡを先端流路６２から排出できる。これにより、次の基板Ｗに綺麗なＩＰＡを供給できる。さらに、先端流路６２の下流部６２ｂから分岐流路６３にＩＰＡを逆流させると、溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐの上流の位置から溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐまでの範囲が空になるので、ＩＰＡが意図せず溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから落下する現象（いわゆる、ボタ落ち）を防止できる。

【0107】

他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、制御装置３は、薬液やリンス液などのＩＰＡ以外の処理液を基板Ｗに供給するときに、第１処理例または第２処理例を行ってもよい。つまり、第１処理例および第２処理例が行われる処理液は、基板Ｗを乾燥させるときに基板Ｗに付着している処理液以外の処理液であってもよい。

【0108】

ＩＰＡの経時変化が基板Ｗの品質に与える影響が無視できる程度であれば、制御装置３は、第１処理例および第２処理例において、処理液置換工程（図６のステップＳ１６および図８のステップＳ２６）を省略してもよい。
制御装置３は、第１処理例の排出工程（図６のステップＳ１４）を行った後に、第１処理例のＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２）と第２処理例の排出工程（図８のステップＳ２４）とを行ってもよい。これとは反対に、制御装置３は、第２処理例の排出工程（図８のステップＳ２４）を行った後に、第２処理例のＩＰＡ供給工程（図８のステップＳ２２）と第１処理例の排出工程（図６のステップＳ１４）とを行ってもよい。

【0109】

第１処理例の初回準備工程（図６のステップＳ１１）および第２処理例の初回準備工程（図８のステップＳ２１）において、ＩＰＡは、先端流路６２だけではなく、先端流路６２および分岐流路６３の両方に保持されてもよい。この場合、溶剤バルブ４３および吸引バルブ４５の両方を開けばよい。
溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐから分岐流路６３の下流端６３ｄまでがＩＰＡで満たされており、分岐流路６３の下流端６３ｄが溶剤ノズル４１の吐出口４１ｐよりも下方に配置されている場合、吸引バルブ４５を開くと、先端流路６２の下流部６２ｂ内のＩＰＡが、サイフォンの原理により分岐流路６３の方に吸引される。したがって、先端流路６２および分岐流路６３の両方にＩＰＡを保持させる場合は、吸引装置４６を用いずに下流部６２ｂ内のＩＰＡを分岐流路６３の方に吸引してもよい。

【0110】

制御装置３は、第１処理例の排出工程（図６のステップＳ１４）において、溶剤バルブ４３が開いた状態で溶剤バルブ４３の開度の増加および減少を複数回行うことにより、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡの流量を変化させる流量変更工程を行ってもよい。この場合、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡの流量が変化し、溶剤バルブ４３に付着しているパーティクルに加わる液圧が変化する。これにより、溶剤バルブ４３からパーティクルを効果的に剥がすことができ、溶剤バルブ４３を通過するＩＰＡの清浄度を高めることができる。

【0111】

ＩＰＡ供給工程（図６のステップＳ１２および図８のステップＳ２２）を行う前に、先端流路６２内に保持される清浄なＩＰＡの量は、１枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量を超え、２枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量以下の量であってもよいし、２枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量を超える量であってもよい。後者の場合、ＩＰＡ供給工程を行う度に排出工程（図６のステップＳ１４および図８のステップＳ２４）を行わなくてもよい。

【0112】

１枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量は、１枚の基板Ｗに供給される薬液の量よりも少なくてもよい。基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合、１枚の基板Ｗに供給されるＩＰＡの量は、０を超える１０ｍｌ未満の量（たとえば、８ｍｌ）であってもよい。もちろん、これ以上のＩＰＡが基板Ｗに供給されてもよい。
溶剤ノズル４１は、水平に移動可能なスキャンノズルに限らず、チャンバー４の隔壁５に対して固定された固定ノズルであってもよいし、基板Ｗの上方に配置されていてもよい。

【0113】

基板処理装置１は、円板状の基板Ｗを処理する装置に限らず、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の２つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【符号の説明】

【0114】

１ ：基板処理装置
２ ：処理ユニット
３ ：制御装置
８ ：スピンチャック（基板保持手段）
１２ ：スピンモータ（乾燥手段）
４１ ：溶剤ノズル
４１ｐ ：吐出口
４２ ：溶剤配管
４３ ：溶剤バルブ（吐出バルブ）
４４ ：吸引配管
４５ ：吸引バルブ
４６ ：吸引装置
４９ ：待機ポット
５１ ：バルブボディ
５２ ：内部流路
５３ ：弁座
５４ ：弁体
５５ ：バルブアクチュエータ（電動アクチュエータ）
６１ ：供給流路
６２ ：先端流路
６２ａ ：上流部
６２ｂ ：下流部
６２ｕ ：上流端
６２ｄ ：下流端
６３ ：分岐流路
６４ ：吸引流路
Ｐ１ ：分岐位置
Ｗ ：基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図7G】

【図7H】

【図7I】

【図8】

【図9A】

【図9B】