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特許 6987172出願番号 特願 2020-72578
エッチング方法およびエッチング装置
出願人 東京エレクトロン株式会社（識別番号 219967）
2026年 特許公開件数ランキング 34位 453件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 28位 479件（※）
公報発行日 2021年12月22
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6987172 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
本発明の種々の側面及びエッチング方法およびエッチング装置に関するものである。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、従来のエッチング方法は、堆積性のガスにより基板上に堆積される保護膜の構造を制御していない。このため、従来のエッチング方法は、基板を薄く均一にエッチングできない場合がある。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
開示するエッチング方法は、１つの実施態様において、エッチングの対象となる基板に、ＣＦｘを含む直鎖型の分子を蒸着させて自己組織化単分子膜を成膜する。エッチング方法は、自己組織化単分子膜が成膜された基板に対して、ＣＦｘを活性化する活性化ガスを照射する。
【発明の効果】
開示するエッチング方法の１つの態様によれば、基板を薄く均一にエッチングできるという効果を奏する。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図１は、本エッチング装置の構成を示す一部断面図である。
【図2】図２は、図１に示すエッチング装置が備える基板保持部に保持された基板を、基板のエッチング対象面側から平面視したときの平面図である。
【図3】図３は、本エッチング方法を説明する図である。
【図4】図４は、基板上に成膜した分子の状態を模式的に示した図である。
【図5】図５は、従来の堆積性のガスにより基板上に膜を堆積させた状態を模式的に示した図である。
【図6】図６は、本エッチング方法のエッチングを実施するエッチングプログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
２ チャンバ
３ 基板保持部
４ 原料ガス供給部
６ 排気部
１０ エッチング装置
４１ ガス生成容器
４２ 有機化合物収容容器
４４ 原料ガス供給管
５１ 基板加熱部
９０ 照射部
９１ ガスソース
９２ マスフローコントローラ
９３ ガス供給管
１００ 制御部
Ｌ 成膜材料
Ｌ１ 分子層
Ｐ１ メタル層
Ｐ２ 絶縁膜
Ｓ 基板
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