特開 2022-100618出願番号 特願 2020-214702
レジスト下層膜形成用組成物及半導体基板の製造方法
公報発行日 2022年7月6
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2022-100618 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
レジスト下層膜形成用組成物及び半導体基板の製造方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】保存安定性に優れたレジスト下層膜形成用組成物及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】オルトエステル、有機酸又はこれらの組み合わせと、金属化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。
【選択図】なし
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、保存安定性に優れたレジスト下層膜形成用組成物及び半導体基板の製造方法を提供することにある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するためになされた発明は、オルトエステル（以下、「［Ｄ］化合物」ともいう）、有機酸（以下、「［Ｅ］有機酸」ともいう）又はこれらの組み合わせと、金属化合物（以下、「［Ａ］化合物」ともいう）と、溶媒（以下、「［Ｃ］溶媒」ともいう）とを含有するレジスト下層膜形成組成物（以下、「組成物（Ｊ）」ともいう）である。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
当該のレジスト下層膜形成用組成物は、塗工性の保存安定性、溶解性の保存安定性、膜厚の保存安定性及び酸素系ガスエッチング耐性に優れたレジスト下層膜を形成することができる。当該半導体基板の製造方法は、当該レジスト下層膜形成用組成物を用いるため、半導体基板を効率的に製造することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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