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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022102056
(43)【公開日】2022-07-07
(54)【発明の名称】自発光パネル、および、自発光パネルの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 51/50 20060101AFI20220630BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20220630BHJP
H05B 33/06 20060101ALI20220630BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20220630BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20220630BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220630BHJP
【ＦＩ】
H05B33/14 A
H05B33/22 Z
H05B33/06
H05B33/10
H01L27/32
G09F9/30 365
G09F9/30 338
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020216567
(22)【出願日】2020-12-25
(71)【出願人】
【識別番号】514188173
【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ
(74)【代理人】
【識別番号】110001900
【氏名又は名称】特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】白波瀬 英幸
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC04
3K107CC21
3K107DD39
3K107DD89
3K107DD90
3K107EE03
3K107GG06
3K107GG24
3K107GG28
3K107HH00
5C094AA10
5C094AA37
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094FA01
5C094FB01
(57)【要約】
【課題】ウェットプロセスで機能層を形成する自発光パネルにおいて、パネルの精細度やサイズに関わらず機能層の膜厚均一化による発光効率や寿命の向上を図ることのできる自発光パネル、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に配された駆動回路層と、駆動回路層上に配された層間絶縁層と、層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層とを備える自発光パネルであって、前記駆動回路層は前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、前記発光素子層は、発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の画素電極と対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方でない領域の全域を含む。
【選択図】図４
【解決手段】基板と、前記基板上に配された駆動回路層と、駆動回路層上に配された層間絶縁層と、層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層とを備える自発光パネルであって、前記駆動回路層は前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、前記発光素子層は、発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の画素電極と対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方でない領域の全域を含む。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に配された駆動回路層と、
前記駆動回路層上に配された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層と
を備え、
前記駆動回路層は、配線と発光素子に対応する半導体回路とを含み、前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、
前記発光素子層は、前記発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、前記機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の前記画素電極と前記対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、
前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記発光素子は前記突出部上方である領域の少なくとも一部を発光領域として含み、非発光領域である前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方でない領域の全域を含む
自発光パネル。
前記基板上に配された駆動回路層と、
前記駆動回路層上に配された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層と
を備え、
前記駆動回路層は、配線と発光素子に対応する半導体回路とを含み、前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、
前記発光素子層は、前記発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、前記機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の前記画素電極と前記対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、
前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記発光素子は前記突出部上方である領域の少なくとも一部を発光領域として含み、非発光領域である前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方でない領域の全域を含む
自発光パネル。
【請求項2】
基板と、
前記基板上に配された駆動回路層と、
前記駆動回路層上に配された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層と
を備え、
前記駆動回路層は、配線と発光素子に対応する半導体回路とを含み、前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、
前記発光素子層は、前記発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、前記機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の前記画素電極と前記対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、
前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記発光素子は前記突出部上方でない領域の少なくとも一部を発光領域として含み、非発光領域である前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方の領域の全域を含む
自発光パネル。
前記基板上に配された駆動回路層と、
前記駆動回路層上に配された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層と
を備え、
前記駆動回路層は、配線と発光素子に対応する半導体回路とを含み、前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、
前記発光素子層は、前記発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、前記機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の前記画素電極と前記対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、
前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記発光素子は前記突出部上方でない領域の少なくとも一部を発光領域として含み、非発光領域である前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方の領域の全域を含む
自発光パネル。
【請求項3】
前記駆動回路層は複数の層から構成され、前記突出部は、前記駆動回路層のうち前記対向電極側の層である
請求項１または２に記載の自発光パネル。
請求項１または２に記載の自発光パネル。
【請求項4】
前記画素内絶縁層と前記対向電極との間に、前記機能層と同一の材料からなる塗布膜を備える
請求項１から３のいずれか１項に記載の自発光パネル。
請求項１から３のいずれか１項に記載の自発光パネル。
【請求項5】
前記層間絶縁層上に配され、前記画素電極と前記画素電極との間に並設された複数の長尺状の隔壁をさらに備え、
前記機能層は、隣り合った一対の前記隔壁の間隙に配されてなる
請求項１から４のいずれか１項に記載の自発光パネル。
前記機能層は、隣り合った一対の前記隔壁の間隙に配されてなる
請求項１から４のいずれか１項に記載の自発光パネル。
【請求項6】
前記画素内絶縁層と、前記隔壁とは同一の材料から形成される
請求項５に記載の自発光パネル。
請求項５に記載の自発光パネル。
【請求項7】
前記画素内絶縁層の材料の前記機能層の材料インクに対する撥液性は、前記隔壁の材料の前記機能層の材料インクに対する撥液性より低い
請求項５に記載の自発光パネル。
請求項５に記載の自発光パネル。
【請求項8】
前記層間絶縁層上に配され、隣り合った一対の前記隔壁の間隙において前記画素電極と前記画素電極との間に並設された複数の画素規制層をさらに備え、
前記画素内絶縁層と、前記画素規制層とは同一の材料から形成される
請求項５に記載の自発光パネル。
前記画素内絶縁層と、前記画素規制層とは同一の材料から形成される
請求項５に記載の自発光パネル。
【請求項9】
基板上に駆動回路層を形成し、
前記駆動回路層上に絶縁層を形成し、
複数の画素電極を形成し、
前記画素電極の上方であって前記突出部上方でない第１領域に、画素内絶縁層を形成し、
前記画素内絶縁層の上方を含む前記画素電極の上方に、塗布により機能層を形成し、
前記機能層の上方に対向電極を形成する
自発光パネルの製造方法。
前記駆動回路層上に絶縁層を形成し、
複数の画素電極を形成し、
前記画素電極の上方であって前記突出部上方でない第１領域に、画素内絶縁層を形成し、
前記画素内絶縁層の上方を含む前記画素電極の上方に、塗布により機能層を形成し、
前記機能層の上方に対向電極を形成する
自発光パネルの製造方法。
【請求項10】
基板上に駆動回路層を形成し、
前記駆動回路層上に絶縁層を形成し、
複数の画素電極を形成し、
前記画素電極の上方であって前記突出部上方ある第２領域に、画素内絶縁層を形成し、
前記画素内絶縁層の上方を含む前記画素電極の上方に、塗布により機能層を形成し、
前記機能層の上方に対向電極を形成する
自発光パネルの製造方法。
前記駆動回路層上に絶縁層を形成し、
複数の画素電極を形成し、
前記画素電極の上方であって前記突出部上方ある第２領域に、画素内絶縁層を形成し、
前記画素内絶縁層の上方を含む前記画素電極の上方に、塗布により機能層を形成し、
前記機能層の上方に対向電極を形成する
自発光パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電界発光現象や量子ドット効果を利用した発光素子を用いた自発光パネル、および、その製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ素子、量子ドット効果を利用したＱＬＥＤなどの発光素子を利用した自発光パネルが普及しつつある。
【0003】
発光素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層が挟まれた構造を有している。現在、発光層を含む機能層を効率よく形成する方法として、機能性材料を含むインクをウェットプロセスで塗布して形成することが行われている。ウェットプロセスでは、真空蒸着装置と比較して製造装置を小型化することができ、また、機能性材料を蒸着する際に使用するシャドウマスクを使用する必要がない。そのため、シャドウマスクの位置合わせ等の作業が必要なく、大型パネルの生成や量産性を考慮したパネルサイズを混合したような大型基板の製造も容易となり、効率の良いパネル生成に適した特徴がある。また蒸着法と異なり、ウェットプロセスでは、高価な発光材料等の機能性材料の使用効率が向上することより、パネル製造コストの低減が可能となる。
【0004】
また、これらの自発光パネルでは、各自発光素子の制御を容易とするために、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）などを用いた駆動回路を薄膜として形成し、駆動回路層と発光素子層とを自発光パネルの膜厚方向に積層してコンタクトホールを通じた電気的接続を行うことが一般的である（例えば、特許文献１、２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１６－４０７６４号公報
【特許文献2】国際公開第２０１５／１１８５９８号
【特許文献3】特開２０１６－１６７４００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
駆動回路層上に発光素子層を積層する場合、電気的な絶縁と物理的な凹凸の平坦化のため、絶縁材料からなる層間絶縁層により発光素子層下面の平坦化が行われる。しかしながら、駆動回路層の凹凸が大きい場合、層間絶縁層の上面の平坦度が十分でない場合がある。また、発光素子の機能層をウェットプロセスで行う場合、パネルの精細度の向上やサイズ上昇により層間絶縁層の上面の凹凸に対する許容マージンが小さくなる。したがって、パネルの精細度向上やサイズ上昇と機能層の膜厚均一化による発光効率や寿命の向上との両立が困難である課題がある。
【0007】
本開示は、上記課題を鑑みてなされたものであり、ウェットプロセスで機能層を形成する自発光パネルにおいて、パネルの精細度やサイズに関わらず機能層の膜厚均一化による発光効率や寿命の向上を図ることのできる自発光パネル、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本開示の一態様に係る自発光パネルは、基板と、前記基板上に配された駆動回路層と、前記駆動回路層上に配された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層とを備え、前記駆動回路層は、配線と発光素子に対応する半導体回路とを含み、前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、前記発光素子層は、前記発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、前記機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の前記画素電極と前記対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記発光素子は前記突出部上方である領域の少なくとも一部を発光領域として含み、非発光領域である前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方でない領域の全域を含む。
【発明の効果】
【0009】
本開示の一態様に係る自発光パネルは、画素電極上方のうち、突出部上方でない領域を非発光領域とし、突出部上方の領域の一部を発光領域とする。したがって、突出部上方の一部である発光領域において機能層の膜厚を均一化すればよく、突出部上方の一部である発光領域とそれ以外の非発光領域との間で機能層の膜厚の均質化を図る必要がない。すなわち、突出部によって絶縁層の上面や画素電極の上面が平坦でない場合であっても、発光領域内の機能層の膜厚均一化を容易に実現することができ、発光効率や寿命の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施の形態に係る自発光パネル１０を含む表示装置１の概略図である。
【図2】実施の形態に係る自発光パネル１０の各副画素における回路構成を示す模式図である。
【図3】実施の形態に係る自発光パネル１０の平面概略図である。
【図5】実施の形態１に係る有機ＥＬ素子２において、画素電極１３と画素内絶縁層３０、突出部１１２１の位置関係を示す透過平面模式図である。
【図6】（ａ）は、画素内絶縁層３０を有さない比較例に係る自発光パネルの駆動時写真であり、（ｂ）は、画素内絶縁層３０を有さない比較例に係る有機ＥＬ素子の機能層膜厚分布を示すグラフである。
【図7】（ａ）は、画素内絶縁層３０を有さない比較例に係る有機ＥＬ素子の色度と効率との関係を示す散布図であり、（ｂ）は、画素内絶縁層３０を有さない比較例に係る有機ＥＬ素子のフィルタ特性と外光反射スペクトルを示すグラフであり、（ｃ）は、画素内絶縁層３０を有さない比較例に係る有機ＥＬ素子の電流集中度合いを示すグラフであり、（ｄ）は、画素内絶縁層３０を有さない比較例に係る有機ＥＬ素子の寿命を示すグラフである。
【図8】（ａ）、（ｂ）は、画素内絶縁層３０を有さない比較例に係る自発光パネルの断面写真である。
【図9】実施の形態１に係る有機ＥＬパネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図であって、（ａ）は、基材上にＴＦＴ層と層間絶縁層が形成された状態、（ｂ）は、層間絶縁層上に画素電極材料が形成された状態、（ｃ）は、画素電極が形成された状態、（ｄ）は、層間絶縁層および画素電極上に画素内絶縁材料層が形成された状態、（ｅ）は、画素電極上に画素内絶縁層が形成された状態を示す。
【図10】実施の形態１に係る有機ＥＬパネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図であって、（ａ）は、層間絶縁層上、画素電極上、および、画素内絶縁層上に隔壁材料層が形成された状態、（ｂ）は、隔壁が形成された状態、（ｃ）は、画素電極上に正孔注入層が形成された状態、（ｄ）は、正孔注入層上に正孔輸送層が形成された状態を示す。
【図11】実施の形態１に係る有機ＥＬパネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図であって、（ａ）は、正孔輸送層上に発光層が形成された状態、（ｂ）は、発光層および隔壁層上に電子輸送層が形成された状態、（ｃ）は、電子輸送層上に電子注入層が形成された状態を示す。
【図12】実施の形態１に係る有機ＥＬパネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、電子注入層上に対向電極が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、対向電極上に封止層が形成された状態を示す部分断面図である。
【図13】実施の形態１に係る有機ＥＬパネルの製造過程を示すフローチャートである。
【図15】実施の形態２に係る有機ＥＬ素子２Ａにおいて、画素電極１３と画素内絶縁層３０、突出部１１２１の位置関係を示す透過平面模式図である。
【図16】実施の形態２に係る有機ＥＬパネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図であって、（ａ）は、層間絶縁層および画素電極上に画素内絶縁材料層が形成された状態、（ｂ）は、画素電極上に画素内絶縁層が形成された状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【0011】
≪本開示の一態様に至った経緯≫
表示パネルや照明パネルなどの複数の発光素子を備える自発光パネルにおいて、一般に、基板上にＴＦＴ等を用いた駆動回路層を形成し、その上方に発光素子層を形成した多層構造が用いられている。このような構成とすることで、自発光パネルとパネル外部の制御回路とを接続するための制御配線を発光素子単位で設ける必要がなく単純化できる。また、特に、発光素子の下方に対応する駆動回路を配置する構成をとることにより、駆動回路と発光素子との電気的接続をコンタクトホール等の単純な膜厚方向の配線で行うことができるため、設計が容易になるとともに、製造工程を単純化させることができる。
表示パネルや照明パネルなどの複数の発光素子を備える自発光パネルにおいて、一般に、基板上にＴＦＴ等を用いた駆動回路層を形成し、その上方に発光素子層を形成した多層構造が用いられている。このような構成とすることで、自発光パネルとパネル外部の制御回路とを接続するための制御配線を発光素子単位で設ける必要がなく単純化できる。また、特に、発光素子の下方に対応する駆動回路を配置する構成をとることにより、駆動回路と発光素子との電気的接続をコンタクトホール等の単純な膜厚方向の配線で行うことができるため、設計が容易になるとともに、製造工程を単純化させることができる。
【0012】
一方で、駆動回路層と発光素子層とを電気的に絶縁するため、駆動回路層と発光素子層との間には層間絶縁層が必要となる。また、発光素子層は層間絶縁層上に形成されるため、層間絶縁層の上面は平坦性が必要となる。したがって、従来、層間絶縁層は、その上面の平坦性を保つため、数μｍ程度の厚みを有する樹脂層で形成されている。
【0013】
発光素子の機能層をウェットプロセスで形成する場合、機能層の膜形状は層間絶縁層の上面形状の影響を受け、層間絶縁層の上面形状の平坦性が高いほど機能層の膜厚が均一となり、電流の集中等を抑止し発光素子の発光効率や寿命が向上する。しかしながら、発明者らは、自発光パネルの精細度やサイズを向上させた場合に、層間絶縁層の平坦性が不十分な場合があるという課題を見出した。自発光パネルの精細度を向上させると、発光素子それぞれの面積が小さくなるため、機能層を形成するためのインクの濡れ広がる面積が小さくなり、機能層の膜厚が平均化されない場合がある。また、自発光パネルのサイズが上昇すると、機能層を形成するためのインクの乾燥過程において、パネル中央部とパネル周縁部とでインクに含まれる溶媒の蒸気圧のムラが生じやすく、機能層の膜厚に偏りが生じる場合がある。すなわち、自発光パネルの精細度やサイズを向上させる場合、機能層の膜厚を均一化させるために、層間絶縁層の上面においてより高い平坦度が必要となる。一方で、層間絶縁層の上面は駆動回路層上面の凹凸の影響を受け、特に、駆動回路層最上部における電極や配線の配置や形状が、駆動回路層上面の形状に影響を与える。したがって、自発光パネルの精細度やサイズを向上させた場合に、層間絶縁層の平坦性の不足が原因で機能層の膜厚の不均一が発生し、電流の集中等による発光効率低下や寿命の低下等が発生しうる。
【0014】
そこで、発明者らは、自発光パネルの精細度やサイズに関わらず、機能層の膜厚の均一性を向上させる技術について検討し、本開示の態様に至った。
【0015】
≪開示の態様≫
本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネルは、基板と、前記基板上に配された駆動回路層と、前記駆動回路層上に配された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層とを備え、前記駆動回路層は、配線と発光素子に対応する半導体回路とを含み、前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、前記発光素子層は、前記発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、前記機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の前記画素電極と前記対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記発光素子は前記突出部上方である領域の少なくとも一部を発光領域として含み、非発光領域である前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方でない領域の全域を含む。
本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネルは、基板と、前記基板上に配された駆動回路層と、前記駆動回路層上に配された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層とを備え、前記駆動回路層は、配線と発光素子に対応する半導体回路とを含み、前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、前記発光素子層は、前記発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、前記機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の前記画素電極と前記対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記発光素子は前記突出部上方である領域の少なくとも一部を発光領域として含み、非発光領域である前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方でない領域の全域を含む。
【0016】
本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネルの製造方法は、基板上に駆動回路層を形成し、前記駆動回路層上に絶縁層を形成し、複数の画素電極を形成し、前記画素電極の上方であって前記突出部上方でない第１領域に、画素内絶縁層を形成し、前記画素内絶縁層の上方を含む前記画素電極の上方に、塗布により機能層を形成し、前記機能層の上方に対向電極を形成する。
【0017】
本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネル、または、自発光パネルの製造方法による自発光パネルは、画素電極上方のうち、突出部上方でない領域を非発光領域とし、突出部上方の領域の一部を発光領域とする。したがって、突出部上方の一部である発光領域において機能層の膜厚を均一化すればよく、突出部上方の一部である発光領域とそれ以外の非発光領域との間で機能層の膜厚の均質化を図る必要がない。すなわち、突出部によって絶縁層の上面や画素電極の上面が平坦でない場合であっても、発光領域内の機能層の膜厚均一化を容易に実現することができ、発光効率や寿命の向上を図ることができる。
【0018】
また、本開示の他の少なくとも１つの自発光パネルは、基板と、前記基板上に配された駆動回路層と、前記駆動回路層上に配された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に配され複数の発光素子を含む発光素子層とを備え、前記駆動回路層は、配線と発光素子に対応する半導体回路とを含み、前記層間絶縁層側に突出した突出部を有し、前記発光素子層は、前記発光素子ごとに形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配された塗布膜からなる機能層と、前記機能層の上方に配された対向電極と、少なくとも一部の前記画素電極と前記対向電極との間に配される画素内絶縁層とを含み、前記画素内絶縁層を含む発光素子を平面視したとき、前記発光素子は前記突出部上方でない領域の少なくとも一部を発光領域として含み、非発光領域である前記画素内絶縁層の存在領域は前記突出部上方の領域の全域を含む。
【0019】
また、本開示の他の少なくとも１つの自発光パネルの製造方法は、基板上に駆動回路層を形成し、前記駆動回路層上に絶縁層を形成し、複数の画素電極を形成し、前記画素電極の上方であって前記突出部上方ある第２領域に、画素内絶縁層を形成し、前記画素内絶縁層の上方を含む前記画素電極の上方に、塗布により機能層を形成し、前記機能層の上方に対向電極を形成する。
【0020】
本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネル、または、自発光パネルの製造方法による自発光パネルは、画素電極上方のうち、突出部上方である領域を非発光領域とし、突出部上方でない領域の一部を発光領域とする。したがって、突出部上方の一部でない発光領域において機能層の膜厚を均一化すればよく、突出部上方の一部でない発光領域とそれ以外の非発光領域との間で機能層の膜厚の均質化を図る必要がない。すなわち、突出部によって絶縁層の上面や画素電極の上面が平坦でない場合であっても、発光領域内の機能層の膜厚均一化を容易に実現することができ、発光効率や寿命の向上を図ることができる。
【0021】
また、本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネルは、前記駆動回路層は複数の層から構成され、前記突出部は、前記駆動回路層のうち前記対向電極側の層である、としてもよい。
【0022】
これにより、制御回路層が複数の層からなる場合において、絶縁部の上面形状への影響の小さい下層については対処する必要が低いため、絶縁部の上面形状への影響の大きい上層についてのみ対処することができる。
【0023】
また、本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネルは、前記画素内絶縁層と前記対向電極との間に、前記機能層と同一の材料からなる塗布膜を備える、としてもよい。
【0024】
これにより、機能層の形成時に、発光領域と画素内絶縁層の存在領域である非発光領域とに跨るようにインクを塗布することができるため、画素内絶縁層の存在領域を機能層の形成領域から除外する必要がない。したがって、機能層の形成が容易となる。
【0025】
また、本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネルは、前記層間絶縁層上に配され、前記画素電極と前記画素電極との間に並設された複数の長尺状の隔壁をさらに備え、前記機能層は、隣り合った一対の前記隔壁の間隙に配されてなる、としてもよい。
【0026】
これにより、隔壁を用いて機能層を容易に形成することができる。
【0027】
また、本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネルは、前記画素内絶縁層と、前記隔壁とは同一の材料から形成される、としてもよい。
【0028】
これにより、隔壁と画素内絶縁層を１つの工程で同時に製造できるため、自発光パネルの製造が容易となる。
【0029】
また、本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネルは、前記画素内絶縁層の材料の前記機能層の材料インクに対する撥液性は、前記隔壁の材料の前記機能層の材料インクに対する撥液性より低い、としてもよい。
【0030】
これにより、機能層形成時の隔壁の高い撥液性を担保するとともに、画素電極上における画素内絶縁層の外縁部で撥液性によって機能層の膜厚が不均一となることを抑止できる。
【0031】
また、本開示の少なくとも１つの態様に係る自発光パネルは、前記層間絶縁層上に配され、隣り合った一対の前記隔壁の間隙において前記画素電極と前記画素電極との間に並設された複数の画素規制層をさらに備え、前記画素内絶縁層と、前記画素規制層とは同一の材料から形成される、としてもよい。
【0032】
これにより、機能層を複数の発光素子に跨る塗布膜として形成できるため機能層の膜厚の均一性を高めるとともに、画素規制層と画素内絶縁層を１つの工程で同時に形成して製造工程を単純化させることが可能となる。
【0033】
≪実施の形態１≫
以下、本開示に係る自発光パネルとして有機ＥＬパネルを用いた表示装置（以下、単に「表示装置」と称する）の実施形態について説明する。
以下、本開示に係る自発光パネルとして有機ＥＬパネルを用いた表示装置（以下、単に「表示装置」と称する）の実施形態について説明する。
【0034】
【0035】
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬパネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２００とを有して構成されている。
【0036】
有機ＥＬパネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状（行列状）に配列され構成されている。
【0037】
駆動制御回路部２００は、４つの駆動回路２１０と制御回路２２０とにより構成されている。
【0038】
（２）有機ＥＬパネル１０の回路構成
有機ＥＬパネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発光する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
有機ＥＬパネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発光する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
【0039】
図２は、表示装置１に用いる有機ＥＬパネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子２における回路構成を示す回路図である。
【0040】
図２に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ１は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ２は、スイッチングトランジスタである。
【0041】
スイッチングトランジスタＴｒ２のゲートＧ２は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１に接続されている。
【0042】
駆動トランジスタＴｒ１のドレインＤ１は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（対向電極：カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
【0043】
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２及び駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
【0044】
有機ＥＬパネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。
【0045】
そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ２からゲートラインが各々引き出され、有機ＥＬパネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ２からソースラインが各々引き出され有機ＥＬパネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【0046】
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
【0047】
なお、各有機ＥＬ素子の駆動回路は、上記のものに限られず、他の構成でも構わない。
【0048】
（３）有機ＥＬパネル１０の構成
図３は、有機ＥＬパネル１０の一部を拡大した模式平面図である。有機ＥＬパネル１０は、基板上を行方向（Ｘ方向）に区画し塗布領域を規定する隔壁（列バンク）１４と、基板上を列方向（Ｙ方向）に区画する画素規制層（行バンク）１４１とによりマトリクス上に区画される。隔壁１４と画素規制層１４１とにより区画された領域はそれぞれ副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを構成し、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが画素Ｐを構成する。なお、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれは、Ｘ方向に隣接する２つの隔壁１４によって区画される塗布領域ＣＲ、ＣＧ、ＣＢのそれぞれに形成される。
図３は、有機ＥＬパネル１０の一部を拡大した模式平面図である。有機ＥＬパネル１０は、基板上を行方向（Ｘ方向）に区画し塗布領域を規定する隔壁（列バンク）１４と、基板上を列方向（Ｙ方向）に区画する画素規制層（行バンク）１４１とによりマトリクス上に区画される。隔壁１４と画素規制層１４１とにより区画された領域はそれぞれ副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを構成し、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが画素Ｐを構成する。なお、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれは、Ｘ方向に隣接する２つの隔壁１４によって区画される塗布領域ＣＲ、ＣＧ、ＣＢのそれぞれに形成される。
【0049】
（４）有機ＥＬ素子２の構成
図４は、有機ＥＬパネル１０の一部の模式断面図であり、図３のＡ－Ａ断面に相当する。有機ＥＬパネル１０の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれは、自発光素子である有機ＥＬ素子２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）によって構成される。以下、有機ＥＬ素子２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）のそれぞれを区別しない場合、有機ＥＬ素子２として説明する。
図４は、有機ＥＬパネル１０の一部の模式断面図であり、図３のＡ－Ａ断面に相当する。有機ＥＬパネル１０の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれは、自発光素子である有機ＥＬ素子２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）によって構成される。以下、有機ＥＬ素子２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）のそれぞれを区別しない場合、有機ＥＬ素子２として説明する。
【0050】
有機ＥＬパネル１０は、下側から順に、基板１１、層間絶縁層１２、隔壁１４を備え、Ｘ方向に隣接する２つの隔壁によって区画される開口部１４ａ内に画素電極１３、画素内絶縁層３０、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７を備え、共通層として電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０、封止層２１を備える。なお、基板１１は、基材１１１上にＴＦＴ層１１２が多層構造として形成されてなり、その最上層と層間絶縁層１２との境界は平面ではなく、ＴＦＴの上部、配線又は電極である突出部１１２１が層間絶縁層１２側に突出している。このうち、画素電極１３から対向電極２０までの部分が有機ＥＬ素子２を構成する。
【0051】
＜有機ＥＬ素子の各構成要素＞
（１）基板
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、副画素ごとに駆動回路が形成されている。なお、ＴＦＴ層１１２は多層構造であるとともに空隙を有する構造であり、空隙には層間絶縁層１２が下方に突出している。すなわち、基板１１と層間絶縁層１２との界面は平面でなく、基板１１の突出部と層間絶縁層１２の凹部が、基板１１の凹部と層間絶縁層１２の突出部が、それぞれ隙間なくかみ合った状態となっている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
（１）基板
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、副画素ごとに駆動回路が形成されている。なお、ＴＦＴ層１１２は多層構造であるとともに空隙を有する構造であり、空隙には層間絶縁層１２が下方に突出している。すなわち、基板１１と層間絶縁層１２との界面は平面でなく、基板１１の突出部と層間絶縁層１２の凹部が、基板１１の凹部と層間絶縁層１２の突出部が、それぞれ隙間なくかみ合った状態となっている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
【0052】
プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。
【0053】
（２）層間絶縁層
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。上述したように、層間絶縁層１２とＴＦＴ層１１２との境界は平面ではなく、ＴＦＴ層１１２の最上層が突出部１１２１として画素電極１３側に突出している。また、図３の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、副画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。上述したように、層間絶縁層１２とＴＦＴ層１１２との境界は平面ではなく、ＴＦＴ層１１２の最上層が突出部１１２１として画素電極１３側に突出している。また、図３の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、副画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
【0054】
（３）画素電極
画素電極１３は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、副画素ごとに設けられ、コンタクトホール（不図示）を通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
画素電極１３は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、副画素ごとに設けられ、コンタクトホール（不図示）を通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
【0055】
本実施の形態においては、画素電極１３は、陽極として機能する。
【0056】
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
【0057】
画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
【0058】
（４）画素内絶縁層
画素内絶縁層３０は、突出部１１２１上方以外の領域及びその近傍において画素電極１３と正孔注入層１５との間に介在し、平面視において画素内絶縁層３０が存在する領域を非発光領域とするためのものである。
画素内絶縁層３０は、突出部１１２１上方以外の領域及びその近傍において画素電極１３と正孔注入層１５との間に介在し、平面視において画素内絶縁層３０が存在する領域を非発光領域とするためのものである。
【0059】
図５は、画素内絶縁層３０と画素電極１３、突出部１１２１、隔壁１４、画素規制層１４１の関係を示す平面模式図であり、有機ＥＬパネル１０の上面側（封止層２１側）からの視点で、画素電極１３、突出部１１２１、隔壁１４、画素規制層１４１のみを透視状態で示したものである。図５（ａ）に示すように、画素電極１３はその周辺部の一部が隔壁１４および画素規制層１４１に被覆され、開口部１３ａが露出している。画素内絶縁層３０は、図５（ｂ）に示すように、開口部１３ａのうち、突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐの全域と、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑのうち第１領域１３ａｐに接した領域とを覆うように形成される。図４に示すように、層間絶縁層１２の上面において、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑ及びその周縁部は、突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐより上方に凸の形状を有している。画素内絶縁層３０は、第１領域１３ａｐ及びその周縁部を発光素子内の非発光領域とすることにより、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑのみを発光領域とすることで、発光領域内の膜厚の均一化の機能を有している。
【0060】
なお、画素内絶縁層３０の上面は隔壁１４の上面より低く、画素内規制層１４１の上面と同じ高さ、または、画素内規制層１４１の上面より低いことが好ましい。
【0061】
画素内絶縁層３０の材料は、絶縁性を備える。なお、画素内絶縁層３０の材料は、機能層形成用インクに対して親液性を有してもよい。画素内絶縁層３０は、例えば、絶縁性の有機材料からなり、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン樹脂、フェノール樹脂等が用いられている。また、画素内絶縁層３０の材料は、有機ＥＬ素子２が発光する光を吸収する色素や顔料を含んでもよい。画素内絶縁層３０が、有機ＥＬ素子２の発光する光と同波長の光を吸収することにより、画素内絶縁層３０が配された非発光領域が外光反射や発光層１７が出射した光を反射することによる有機ＥＬパネル１０の色純度の低下を抑止することができる。
【0062】
なお、画素内絶縁層３０と画素規制層１４１とは同一の材料で形成されてもよく、また、同時に形成されてもよい。
【0063】
（５）隔壁および画素規制層
隔壁１４は、基板１１の上方に副画素ごとに配置された複数の画素電極１３を、Ｘ方向（図３参照）において列毎に仕切るものであって、Ｘ方向に並ぶ副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢの間においてＹ方向に延伸するラインバンク形状である。隔壁１４には、絶縁性を備え、少なくとも表面が機能層形成用インクに対して撥液性を有する。隔壁１４は、例えば、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂など）からなる。本実施の形態においては、フェノール系樹脂が用いられている。なお、隔壁１４は、例えば、フッ素系界面活性剤などの撥液性を備える添加物を含んでいてもよいし、表面処理がなされていてもよい。Ｘ方向に隣接する２つの隔壁１４で定義される開口部１４ａに有機ＥＬ素子２が形成される。
隔壁１４は、基板１１の上方に副画素ごとに配置された複数の画素電極１３を、Ｘ方向（図３参照）において列毎に仕切るものであって、Ｘ方向に並ぶ副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢの間においてＹ方向に延伸するラインバンク形状である。隔壁１４には、絶縁性を備え、少なくとも表面が機能層形成用インクに対して撥液性を有する。隔壁１４は、例えば、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂など）からなる。本実施の形態においては、フェノール系樹脂が用いられている。なお、隔壁１４は、例えば、フッ素系界面活性剤などの撥液性を備える添加物を含んでいてもよいし、表面処理がなされていてもよい。Ｘ方向に隣接する２つの隔壁１４で定義される開口部１４ａに有機ＥＬ素子２が形成される。
【0064】
画素規制層１４１は、開口部１４ａ内においてＹ方向に隣接する画素電極１３を区画するものであって、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける発光層１７の段切れ抑制、画素電極１３と対向電極２０との間の電気絶縁性の向上などの役割を有する。画素規制層１４１は、絶縁性を備える。なお、画素規制層１４１の材料は、機能層形成用インクに対して親液性を有してもよい。画素規制層１４１は、例えば、絶縁性の有機材料からなり、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン樹脂、フェノール樹脂等が用いられている。なお、上述したように、画素内絶縁層３０と画素規制層１４１とは同一の材料で形成されてもよく、また、同時に形成されてもよい。
【0065】
（６）正孔注入層
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５は、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などの低分子量の有機化合物や、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子材料を含む層である。本実施の形態において、正孔注入層１５は、ウェット方式により形成される塗布膜である。なお、有機ＥＬ素子２に含まれる他の機能層が塗布膜である場合には、正孔注入層１５は蒸着膜であってもよく、例えば、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などの遷移金属の酸化物を含む層であってもよい。この場合、画素内絶縁層３０、画素規制層１４１、隔壁１４のそれぞれは、正孔注入層１５上に形成されてもよい。また、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物を含む蒸着層の上に有機材料を含む塗布層を積層した多層構造であってもよい。この場合、画素内絶縁層３０、画素規制層１４１、隔壁１４のそれぞれは、蒸着層の上であってもよく、蒸着層と塗布層の間に画素内絶縁層３０が形成されていてもよい。
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５は、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などの低分子量の有機化合物や、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子材料を含む層である。本実施の形態において、正孔注入層１５は、ウェット方式により形成される塗布膜である。なお、有機ＥＬ素子２に含まれる他の機能層が塗布膜である場合には、正孔注入層１５は蒸着膜であってもよく、例えば、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などの遷移金属の酸化物を含む層であってもよい。この場合、画素内絶縁層３０、画素規制層１４１、隔壁１４のそれぞれは、正孔注入層１５上に形成されてもよい。また、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物を含む蒸着層の上に有機材料を含む塗布層を積層した多層構造であってもよい。この場合、画素内絶縁層３０、画素規制層１４１、隔壁１４のそれぞれは、蒸着層の上であってもよく、蒸着層と塗布層の間に画素内絶縁層３０が形成されていてもよい。
【0066】
（７）正孔輸送層
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有する。本実施の形態において、正孔輸送層１６は、塗布膜である。正孔輸送層１６の材料は、例えば、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有する。本実施の形態において、正孔輸送層１６は、塗布膜である。正孔輸送層１６の材料は、例えば、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【0067】
（８）発光層
発光層１７は、開口部１４ａ内に形成されており、正孔と電子の再結合により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。
発光層１７は、開口部１４ａ内に形成されており、正孔と電子の再結合により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。
【0068】
発光素子２が有機ＥＬ素子である場合、発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。なお、発光素子２は量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ；Quantum-dot Light Emitting Diode）であってもよく、発光層１７の材料として量子ドット効果を有する材料を使用することができる。
【0069】
本実施の形態では、発光層１７はインクを用いた塗布成膜により形成される塗布膜である。
【0070】
（９）電子輸送層
電子輸送層１８は、対向電極２０からの電子を発光層１７へ輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、電子輸送性が高い有機材料からなる。
電子輸送層１８は、対向電極２０からの電子を発光層１７へ輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、電子輸送性が高い有機材料からなる。
【0071】
電子輸送層１８に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
【0072】
（１０）電子注入層
電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、対向電極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。
電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、対向電極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。
【0073】
電子注入層１９は、例えば、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。金属材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属が選択される。本実施の形態では、Ｙｂが選択される。
【0074】
電子注入層１９の形成は、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナンスロリン誘導体などの材料と、金属材料とを共蒸着法により複数の画素に共通して成膜することでなされる。
【0075】
（１１）対向電極
対向電極２０は、複数の画素に共通して電子注入層１９上に形成されており、陰極として機能する。
対向電極２０は、複数の画素に共通して電子注入層１９上に形成されており、陰極として機能する。
【0076】
本実施の形態では、対向電極２０は、透光性と導電性とを兼ね備えており、金属材料で形成された金属層、金属酸化物で形成された金属酸化物層のうち少なくとも一方を含んでいる。透光性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ～５０ｎｍ程度である。金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。
【0077】
対向電極２０は、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。
【0078】
（１２）封止層
対向電極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水、酸素）が対向電極２０、電子注入層１９、電子輸送層１８、発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。封止層２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
対向電極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水、酸素）が対向電極２０、電子注入層１９、電子輸送層１８、発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。封止層２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【0079】
本実施の形態においては、有機ＥＬパネル１０がトップエミッション型であるため、封止層２１は光透過性の材料で形成されることが必要となる。
【0080】
（１３）その他
図４には示されてないが、封止層２１上に接着剤を介してガラス基板を基材とするカラーフィルタや偏向シートを貼り合せてもよい。これらを貼り合せることによって、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９を外部の水分および空気などからさらに保護できる。
図４には示されてないが、封止層２１上に接着剤を介してガラス基板を基材とするカラーフィルタや偏向シートを貼り合せてもよい。これらを貼り合せることによって、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９を外部の水分および空気などからさらに保護できる。
【0081】
＜膜厚の均一性＞
以下、突出部１１２１が機能層の膜厚に対して与える影響について、詳細に説明する。
以下、突出部１１２１が機能層の膜厚に対して与える影響について、詳細に説明する。
【0082】
（１）発光強度および膜厚
図６（ａ）は、図５（ａ）に示す構造部材の配置に対して画素内絶縁層３０を設けずに製造した有機ＥＬパネル（以下、「比較例」と記載）の１画素における、発光状態の各素子の輝度を撮像した写真である。図６（ａ）に示すように、比較例では、突出部１１２１上の領域（領域１３ａｑ）において、突出部１１２１上でない領域（領域１３ａｐ）より発光輝度が高くなっている。その原因としては、突出部１１２１上である領域１３ａｑでは、突出部１１２１上でない領域１３ａｐより、機能層の膜厚が小さいためである。図６（ｂ）は、図６（ａ）における位置Ａ、位置Ｂ、位置Ｃ、位置Ｄそれぞれの発光層１７の膜厚について、位置Ａにおける膜厚を０とした差分値を記載したグラフである。なお、「「正孔注入層+正孔輸送層」－５ｎｍ」は、突出部１１２１の影響を受けない従来の有機ＥＬパネル（以下、「比較例３」と呼ぶ）に対して正孔注入層と正孔輸送層の合計膜厚を５ｎｍ小さくした比較例１に対応し、「「正孔注入層+正孔輸送層」＋５ｎｍ」は従来の有機ＥＬパネルに対して正孔注入層と正孔輸送層の合計膜厚を５ｎｍ大きくした比較例２に対応する。図６（ｂ）に示すように、正孔注入層と正孔輸送層の合計膜厚との値に関わらず、発光層の膜厚は位置Ｃ、位置Ｄにおいて、位置Ａ、位置Ｂより１５～３０ｎｍ程度大きくなっている。その理由としては、基板１１の下面を基準としたときの層間絶縁層１２の上面の高さが、位置Ａ、Ｂと位置Ｃ、Ｄとで異なっていることが考えられる。すなわち、位置ＡおよびＢは突出部１１２１の上方であるため層間絶縁層１２の上面が隆起し、突出部１１２１の直上ではない位置ＣおよびＤより高くなっている。したがって、塗布方式で機能層を形成した際に、機能層の形成インクに偏りが生じ、高さの小さい位置ＣおよびＤでは機能層の膜厚が厚く、高さの大きい位置ＡおよびＢでは機能層の膜厚が薄くなる。有機ＥＬ素子の発光時には位置Ａ～Ｄのいずれにおいても同一の電圧が印加されるため、機能層の膜厚が薄く電気抵抗の低い位置ＡやＢに電流が集中し、位置ＡやＢの輝度が位置ＣやＤの輝度より高くなる。
図６（ａ）は、図５（ａ）に示す構造部材の配置に対して画素内絶縁層３０を設けずに製造した有機ＥＬパネル（以下、「比較例」と記載）の１画素における、発光状態の各素子の輝度を撮像した写真である。図６（ａ）に示すように、比較例では、突出部１１２１上の領域（領域１３ａｑ）において、突出部１１２１上でない領域（領域１３ａｐ）より発光輝度が高くなっている。その原因としては、突出部１１２１上である領域１３ａｑでは、突出部１１２１上でない領域１３ａｐより、機能層の膜厚が小さいためである。図６（ｂ）は、図６（ａ）における位置Ａ、位置Ｂ、位置Ｃ、位置Ｄそれぞれの発光層１７の膜厚について、位置Ａにおける膜厚を０とした差分値を記載したグラフである。なお、「「正孔注入層+正孔輸送層」－５ｎｍ」は、突出部１１２１の影響を受けない従来の有機ＥＬパネル（以下、「比較例３」と呼ぶ）に対して正孔注入層と正孔輸送層の合計膜厚を５ｎｍ小さくした比較例１に対応し、「「正孔注入層+正孔輸送層」＋５ｎｍ」は従来の有機ＥＬパネルに対して正孔注入層と正孔輸送層の合計膜厚を５ｎｍ大きくした比較例２に対応する。図６（ｂ）に示すように、正孔注入層と正孔輸送層の合計膜厚との値に関わらず、発光層の膜厚は位置Ｃ、位置Ｄにおいて、位置Ａ、位置Ｂより１５～３０ｎｍ程度大きくなっている。その理由としては、基板１１の下面を基準としたときの層間絶縁層１２の上面の高さが、位置Ａ、Ｂと位置Ｃ、Ｄとで異なっていることが考えられる。すなわち、位置ＡおよびＢは突出部１１２１の上方であるため層間絶縁層１２の上面が隆起し、突出部１１２１の直上ではない位置ＣおよびＤより高くなっている。したがって、塗布方式で機能層を形成した際に、機能層の形成インクに偏りが生じ、高さの小さい位置ＣおよびＤでは機能層の膜厚が厚く、高さの大きい位置ＡおよびＢでは機能層の膜厚が薄くなる。有機ＥＬ素子の発光時には位置Ａ～Ｄのいずれにおいても同一の電圧が印加されるため、機能層の膜厚が薄く電気抵抗の低い位置ＡやＢに電流が集中し、位置ＡやＢの輝度が位置ＣやＤの輝度より高くなる。
【0083】
（２）発光特性および寿命
図７（ａ）は、比較例１、２、３それぞれに係る有機ＥＬ素子において、横軸を発光色のＣＩＥ Ｘ値、縦軸を効率としてプロットした散布図である。図７（ａ）において、比較例３に係る有機ＥＬ素子の発光強度および色特性をデータ３０１で示し、比較例１および２に係る有機ＥＬ素子の発光強度および色特性をデータ３０２で示している。図７（ａ）に示すように、比較例１および２では、比較例３に対し、同一のＣＩＥ Ｘ値に対して効率値が小さく、特に、ＣＩＥ Ｘ値が０．２７付近において効率がほぼ半減している。すなわち、比較例１または２に係る発光素子では、比較例３の発光素子に対し、同一の色度を得るためには発光強度が約２倍必要となり、光取り出し効率が低下している。
図７（ａ）は、比較例１、２、３それぞれに係る有機ＥＬ素子において、横軸を発光色のＣＩＥ Ｘ値、縦軸を効率としてプロットした散布図である。図７（ａ）において、比較例３に係る有機ＥＬ素子の発光強度および色特性をデータ３０１で示し、比較例１および２に係る有機ＥＬ素子の発光強度および色特性をデータ３０２で示している。図７（ａ）に示すように、比較例１および２では、比較例３に対し、同一のＣＩＥ Ｘ値に対して効率値が小さく、特に、ＣＩＥ Ｘ値が０．２７付近において効率がほぼ半減している。すなわち、比較例１または２に係る発光素子では、比較例３の発光素子に対し、同一の色度を得るためには発光強度が約２倍必要となり、光取り出し効率が低下している。
【0084】
また、図７（ｂ）は、緑色発光素子に対して使用するカラーフィルタの透過スペクトルと、比較例３および比較例１に係る緑発光有機ＥＬ素子の外光反射スペクトルとの関係を示すグラフである。図７（ｂ）において、比較例３に係る有機ＥＬ素子の外光反射スペクトルをデータ３１１で示し、比較例１に係る有機ＥＬ素子の外光反射スペクトルをデータ３１２で示す。図７（ｂ）に示すように、比較例３に係る有機ＥＬ素子の外光反射スペクトルでは、カラーフィルタの透過率の高い５２０ｎｍ付近で反射率が最低となるため、外光反射を十分に抑止している。これに対し、比較例１に係る有機ＥＬ素子の外光反射スペクトルでは、反射率が極小となる波長が６５０ｎｍ程度とカラーフィルタの透過率ピークより長波長側にずれているため、外光反射を十分に抑止することができない。その理由としては、比較例１では、機能層の膜厚が有機ＥＬ素子内で均一でないため、画素電極１３から対向電極２０までの光路長が一定ではなく、光共振器構造において設計通りに光反射抑止の効果を発揮する領域と、光路長ずれにより光反射抑止の効果が設計より長波長側で発揮される領域とが混在状態となっていると考えられる。
【0085】
また、図７（ｃ）は、発光素子内の電流の空間的偏りを示したグラフであり、突出部１１２１上方における電流の集中度合いを示したものである。具体的には、データ３２１、３２２、３２３のそれぞれは、比較例３、比較例１、比較例２のそれぞれにおいて、突出部１１２１上方における面積当たりの電流値を相対値として示したものである。図７（ｃ）に示すように、比較例１および比較例２では、突出部１１２１上方である機能層の薄膜部に電流が集中する。したがって、図７（ｄ）に示すように、比較例３に対応する寿命曲線３３１に対し、比較例１および比較例２に対応する寿命曲線３３２のように、輝度の低下が進み劣化が大きい。
【0086】
図８（ａ）、（ｂ）は、比較例１、比較例２に係る有機ＥＬパネルの断面写真である。図８（ａ）、（ｂ）に示すように、層間絶縁層１２の上面および画素電極１３の上面は、突出部１１２１の上方に当たる領域１３ａｑが、突出部１１２１の上方に当たらない領域１３ａｐに対して上方に突出していることが確認できる。また、領域１３ａｑにおいては、領域１３ａｐに対して、画素電極１３と対向電極２０との距離が短い、すなわち、領域１３ａｑにおける機能層の膜厚が、領域１３ａｐにおける機能層の膜厚より小さいことが確認できる。
【0087】
以上説明したように、突出部１１２１により層間絶縁層１２の上面の均一性が低くなる場合、これにより、機能層の膜厚の不均一性が高くなり、発光効率の低下や光学特性の低下、寿命の短縮が発生する。
【0088】
これに対し、実施の形態に係る自発光パネルでは、突出部１１２１の上方でなく機能層の膜厚の大きい領域１３ａｐとその周縁部を画素内絶縁層３０によって非発光領域とする。したがって、突出部１１２１の上方である機能層の膜厚の均一な領域１３ａｑのみを発光領域とするため、機能層において電流の集中が発生せず、機能層の劣化が不均質に進むことを抑止し素子の長寿命化を図ることができる。また、発光素子の設計において、領域１３ａｑにおける各機能層の膜厚が最適となるようにすればよく、発光効率の向上や光取り出し効率の向上を図ることが容易となる。さらに、発光素子が共振器構造を有する場合、領域１３ａｑにおける機能層の膜厚のみを考慮して共振器構造を設計すればよく、光学長の異なる領域１３ａｐからの発光により色ずれ等が発生することを抑止することができる。
【0089】
＜自発光パネルの製造方法＞
以下、本開示の一態様に係る自発光パネルの製造方法としての有機ＥＬパネルの製造方法について、図面を用いて説明する。図９（ａ）～図１２（ｂ）は、有機ＥＬパネルの製造における各工程での状態を示す模式断面図である。
以下、本開示の一態様に係る自発光パネルの製造方法としての有機ＥＬパネルの製造方法について、図面を用いて説明する。図９（ａ）～図１２（ｂ）は、有機ＥＬパネルの製造における各工程での状態を示す模式断面図である。
【0090】
なお、有機ＥＬパネルにおいて、画素電極（下部電極）は有機ＥＬ素子の陽極として、対向電極（上部電極、共通電極）は有機ＥＬ素子の陰極として、それぞれ機能する。
【0091】
（１）基板１１および層間絶縁層１２の形成
まず、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を形成する（ステップＳ１０）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
まず、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を形成する（ステップＳ１０）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
【0092】
次に、図９（ａ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（ステップＳ２０）。層間絶縁層１２は、例えば、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて積層形成することができる。
【0093】
次に、層間絶縁層１２における、ＴＦＴ層のソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するように形成される。
【0094】
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層１２上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。
【0095】
（２）画素電極１３の形成
次に、図９（ｂ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する（ステップＳ３１）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる
次に、図９（ｃ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（ステップＳ３２）。この画素電極１３は、各有機ＥＬ素子の陽極として機能する。
次に、図９（ｂ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する（ステップＳ３１）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる
次に、図９（ｃ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（ステップＳ３２）。この画素電極１３は、各有機ＥＬ素子の陽極として機能する。
【0096】
なお、画素電極１３の形成方法は上述の方法に限られず、例えば、画素電極材料層１３０上に正孔注入材料層１５０を形成し、画素電極材料層１３０と正孔注入材料層１５０とをエッチングによりパターニングすることで、画素電極１３と正孔注入層１５とをまとめて形成してもよい。
【0097】
（３）画素内絶縁層３０の形成
次に、図９（ｄ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、画素内絶縁層３０の材料である絶縁層用樹脂を塗布し、画素内絶縁材料層３００を形成する。画素内絶縁材料層３００は、絶縁層用樹脂であるアクリル樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される（ステップＳ４１）。そして、画素内絶縁材料層３００にパターン露光と現像を行うことで画素内絶縁層３０を形成し（図７（ｄ）、ステップＳ４２）、画素内絶縁層３０を焼成する。パターン露光時のフォトマスクとしては、例えば、突出部１１２１に相当するＴＦＴ層１１２の最上層のパターニングに用いたフォトマスクを用いることができる。なお、ＴＦＴ層１１２の最上層のパターニング方法と絶縁層用樹脂がネガ型とポジ型のいずれかであるかに依存して、フォトマスクのネガポジ反転が必要となる場合がある。また、絶縁層用樹脂がネガ型フォトレジストである場合はフォトマスクの開口部を拡大し、または、絶縁層用樹脂がポジ型フォトレジストである場合はフォトマスクの開口部を縮小してもよい。このようにすることで、突出部１１２１の上方以外の領域とその近傍を被覆する画素内絶縁層３０を形成できる。画素内絶縁層の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
次に、図９（ｄ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、画素内絶縁層３０の材料である絶縁層用樹脂を塗布し、画素内絶縁材料層３００を形成する。画素内絶縁材料層３００は、絶縁層用樹脂であるアクリル樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される（ステップＳ４１）。そして、画素内絶縁材料層３００にパターン露光と現像を行うことで画素内絶縁層３０を形成し（図７（ｄ）、ステップＳ４２）、画素内絶縁層３０を焼成する。パターン露光時のフォトマスクとしては、例えば、突出部１１２１に相当するＴＦＴ層１１２の最上層のパターニングに用いたフォトマスクを用いることができる。なお、ＴＦＴ層１１２の最上層のパターニング方法と絶縁層用樹脂がネガ型とポジ型のいずれかであるかに依存して、フォトマスクのネガポジ反転が必要となる場合がある。また、絶縁層用樹脂がネガ型フォトレジストである場合はフォトマスクの開口部を拡大し、または、絶縁層用樹脂がポジ型フォトレジストである場合はフォトマスクの開口部を縮小してもよい。このようにすることで、突出部１１２１の上方以外の領域とその近傍を被覆する画素内絶縁層３０を形成できる。画素内絶縁層の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
【0098】
なお、画素内絶縁層３０の形成時において、同一の材料樹脂を用いて画素内絶縁層３０と画素規制層１４１とを一体成型してもよい。または、例えば、画素内絶縁層３０の形成に前後して、同様の製造工程により、画素規制層１４１を形成してもよい。
【0099】
（４）隔壁１４の形成
次に、図１０（ａ）に示すように、画素電極１３、画素内絶縁層３０、および、層間絶縁層１２上に、隔壁１４の材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層１４０を形成する。隔壁材料層１４０は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１３上、画素内絶縁層３０上、および、層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される（ステップＳ５１）。そして、隔壁材料層１４０にパターン露光と現像を行うことで、図１０（ｂ）に示すように隔壁１４を形成し（ステップＳ５２）、隔壁１４を焼成する。これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１４ａが規定される。隔壁１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
次に、図１０（ａ）に示すように、画素電極１３、画素内絶縁層３０、および、層間絶縁層１２上に、隔壁１４の材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層１４０を形成する。隔壁材料層１４０は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１３上、画素内絶縁層３０上、および、層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される（ステップＳ５１）。そして、隔壁材料層１４０にパターン露光と現像を行うことで、図１０（ｂ）に示すように隔壁１４を形成し（ステップＳ５２）、隔壁１４を焼成する。これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１４ａが規定される。隔壁１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
【0100】
また、隔壁１４の形成工程においては、さらに、隔壁１４の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部１４ａに塗布するインク（溶液）に対する隔壁１４の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。
【0101】
（５）正孔注入層１５の形成
次に、図１０（ｃ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズルから吐出して開口部１４ａ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（ステップＳ６０）。
次に、図１０（ｃ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズルから吐出して開口部１４ａ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（ステップＳ６０）。
【0102】
（６）正孔輸送層１６の形成
次に、図１０（ｄ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０２のノズルから吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（ステップＳ７０）。
次に、図１０（ｄ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０２のノズルから吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（ステップＳ７０）。
【0103】
（７）発光層１７の形成
次に、図１１（ａ）に示すように、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０３のノズルから吐出して開口部１４ａ内の正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って発光層１７を形成する（ステップＳ８０）。
次に、図１１（ａ）に示すように、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０３のノズルから吐出して開口部１４ａ内の正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って発光層１７を形成する（ステップＳ８０）。
【0104】
（８）電子輸送層１８の形成
次に、図１１（ｂ）に示すように、発光層１７および隔壁１４上に、電子輸送層１８を形成する（ステップＳ９０）。電子輸送層１８は、例えば、電子輸送層１８の材料となる有機化合物を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図１１（ｂ）に示すように、発光層１７および隔壁１４上に、電子輸送層１８を形成する（ステップＳ９０）。電子輸送層１８は、例えば、電子輸送層１８の材料となる有機化合物を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
【0105】
（９）電子注入層１９の形成
次に、図１１（ｃ）に示すように、電子輸送層１８上に、電子注入層１９を形成する（ステップＳ１００）。電子注入層１９は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属またはその化合物を共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図１１（ｃ）に示すように、電子輸送層１８上に、電子注入層１９を形成する（ステップＳ１００）。電子注入層１９は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属またはその化合物を共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
【0106】
（１０）対向電極２０の形成
次に、図１２（ａ）に示すように、電子注入層１９上に、対向電極２０を形成する（ステップＳ１１０）。対向電極２０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。なお、対向電極２０は、各有機ＥＬ素子の陰極として機能する。
次に、図１２（ａ）に示すように、電子注入層１９上に、対向電極２０を形成する（ステップＳ１１０）。対向電極２０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。なお、対向電極２０は、各有機ＥＬ素子の陰極として機能する。
【0107】
（１１）封止層２１の形成
最後に、図１２（ｂ）に示すように、対向電極２０上に、封止層２１を形成する（ステップＳ１２０）。封止層２１は、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等を、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより成膜することにより形成することができる。なお、ＳｉＯＮ、ＳｉＮなどの無機膜上に封止樹脂層をさらに塗布、焼成等により形成してもよい。
最後に、図１２（ｂ）に示すように、対向電極２０上に、封止層２１を形成する（ステップＳ１２０）。封止層２１は、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等を、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより成膜することにより形成することができる。なお、ＳｉＯＮ、ＳｉＮなどの無機膜上に封止樹脂層をさらに塗布、焼成等により形成してもよい。
【0108】
なお、封止層２１の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。
【0109】
≪実施の形態２≫
実施の形態１では、画素内絶縁層３０により突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐ及びその周縁部を発光素子内の非発光領域とし、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑのみを発光領域とすることで、発光領域内の膜厚の均一化を行う場合について説明した。しかしながら、突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐと、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑとは、互いに機能層の膜厚が異なるが、それぞれの内部において機能層の膜厚は均一であるから、いずれを発光領域としてもよい。
実施の形態１では、画素内絶縁層３０により突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐ及びその周縁部を発光素子内の非発光領域とし、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑのみを発光領域とすることで、発光領域内の膜厚の均一化を行う場合について説明した。しかしながら、突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐと、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑとは、互いに機能層の膜厚が異なるが、それぞれの内部において機能層の膜厚は均一であるから、いずれを発光領域としてもよい。
【0110】
実施の形態２では、画素内絶縁層３０は、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑ及びその周縁部を発光素子内の非発光領域とし、突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐのみを発光領域とする場合について説明する。なお、実施の形態２に係る有機ＥＬパネルは、実施の形態１に係る有機ＥＬパネルに対して画素内絶縁層３０の位置のみが異なるため、画素内絶縁層３０の位置について説明し、それ以外の構成について省略する。
【0111】
（１）有機ＥＬ素子２Ａの構成
図１４は、有機ＥＬパネル１０Ａの一部の模式断面図であり、図３のＡ－Ａ断面に相当する。有機ＥＬパネル１０Ａの副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれは、自発光素子である有機ＥＬ素子２Ａ（Ｒ）、２Ａ（Ｇ）、２Ａ（Ｂ）によって構成される。以下、有機ＥＬ素子２Ａ（Ｒ）、２Ａ（Ｇ）、２Ａ（Ｂ）のそれぞれを区別しない場合、有機ＥＬ素子２Ａとして説明する。
図１４は、有機ＥＬパネル１０Ａの一部の模式断面図であり、図３のＡ－Ａ断面に相当する。有機ＥＬパネル１０Ａの副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれは、自発光素子である有機ＥＬ素子２Ａ（Ｒ）、２Ａ（Ｇ）、２Ａ（Ｂ）によって構成される。以下、有機ＥＬ素子２Ａ（Ｒ）、２Ａ（Ｇ）、２Ａ（Ｂ）のそれぞれを区別しない場合、有機ＥＬ素子２Ａとして説明する。
【0112】
＜有機ＥＬ素子の構成要素＞
（１）画素内絶縁層
画素内絶縁層３０は、突出部１１２１上方及びその近傍において画素電極１３と正孔注入層１５との間に介在し、平面視において画素内絶縁層３０が存在する領域を非発光領域とするためのものである。
（１）画素内絶縁層
画素内絶縁層３０は、突出部１１２１上方及びその近傍において画素電極１３と正孔注入層１５との間に介在し、平面視において画素内絶縁層３０が存在する領域を非発光領域とするためのものである。
【0113】
図１５は、画素内絶縁層３０と画素電極１３、突出部１１２１、隔壁１４、画素規制層１４１の関係を示す平面模式図である。図１５（ａ）に示すように、画素電極１３はその周辺部の一部が隔壁１４および画素規制層１４１に被覆され、開口部１３ａが露出している。画素内絶縁層３０は、図１５（ｂ）に示すように、開口部１３ａのうち、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑの全域と、突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐのうち第２領域１３ａｑに接した領域とを覆うように形成される。図１４に示すように、層間絶縁層１２の上面において、突出部１１２１上である第２領域１３ａｑ及びその周縁部は、突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐより上方に凸の形状を有している。画素内絶縁層３０は、第２領域１３ａｑ及びその周縁部を発光素子内の非発光領域とすることにより、突出部１１２１上でない第１領域１３ａｐのみを機能層の有効範囲とし、有効範囲内の膜厚の均一化の機能を有している。
【0114】
なお、画素内絶縁層３０の上面は隔壁１４の上面より低く、画素規制層１４１の上面と同じ高さ、または、画素規制層１４１の上面より低いことが好ましい。
【0115】
画素内絶縁層３０の材料は、絶縁性を備える。なお、画素内絶縁層３０の材料は、機能層形成用インクに対して親液性を有してもよい。画素内絶縁層３０は、例えば、絶縁性の有機材料からなり、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン樹脂、フェノール樹脂等が用いられている。
【0116】
なお、画素内絶縁層３０と画素規制層１４１とは同一の材料で形成されてもよく、また、同時に形成されてもよい。
【0117】
＜自発光パネルの製造方法＞
以下、本開示の一態様に係る自発光パネルの製造方法としての有機ＥＬパネルの製造方法について、図面を用いて説明する。なお、実施の形態２に係る自発光パネルの製造方法は、画素内絶縁層３０の製造方法にのみ特徴を有し、それ以外は、実施の形態１に係る自発光パネルの製造方法と同様である。したがって、画素内絶縁層３０の製造方法のみを説明し、それ以外の説明は省略する。
以下、本開示の一態様に係る自発光パネルの製造方法としての有機ＥＬパネルの製造方法について、図面を用いて説明する。なお、実施の形態２に係る自発光パネルの製造方法は、画素内絶縁層３０の製造方法にのみ特徴を有し、それ以外は、実施の形態１に係る自発光パネルの製造方法と同様である。したがって、画素内絶縁層３０の製造方法のみを説明し、それ以外の説明は省略する。
【0118】
（１）画素内絶縁層３０の形成
実施の形態１におけるステップＳ１０からステップＳ３２までを行って図９（ｃ）に示すように画素電極１３を形成した後、図１５（ａ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、画素内絶縁層３０の材料である絶縁層用樹脂を塗布し、画素内絶縁材料層３００を形成する。画素内絶縁材料層３００は、絶縁層用樹脂であるアクリル樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、画素内絶縁材料層３００にパターン露光と現像を行うことで画素内絶縁層３０を形成し（図１５（ｂ）、画素内絶縁層３０を焼成する。パターン露光時のフォトマスクとしては、例えば、突出部１１２１に相当するＴＦＴ層１１２の最上層のパターニングに用いたフォトマスクを用いることができる。なお、ＴＦＴ層１１２の最上層のパターニング方法と絶縁層用樹脂がネガ型とポジ型のいずれかであるかに依存して、フォトマスクのネガポジ反転が必要となる場合がある。また、絶縁層用樹脂がネガ型フォトレジストである場合はフォトマスクの開口部を拡大し、または、絶縁層用樹脂がポジ型フォトレジストである場合はフォトマスクの開口部を縮小してもよい。このようにすることで、突出部１１２１の全域とその近傍を被覆する画素内絶縁層３０を形成できる。画素内絶縁層の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
実施の形態１におけるステップＳ１０からステップＳ３２までを行って図９（ｃ）に示すように画素電極１３を形成した後、図１５（ａ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、画素内絶縁層３０の材料である絶縁層用樹脂を塗布し、画素内絶縁材料層３００を形成する。画素内絶縁材料層３００は、絶縁層用樹脂であるアクリル樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、画素内絶縁材料層３００にパターン露光と現像を行うことで画素内絶縁層３０を形成し（図１５（ｂ）、画素内絶縁層３０を焼成する。パターン露光時のフォトマスクとしては、例えば、突出部１１２１に相当するＴＦＴ層１１２の最上層のパターニングに用いたフォトマスクを用いることができる。なお、ＴＦＴ層１１２の最上層のパターニング方法と絶縁層用樹脂がネガ型とポジ型のいずれかであるかに依存して、フォトマスクのネガポジ反転が必要となる場合がある。また、絶縁層用樹脂がネガ型フォトレジストである場合はフォトマスクの開口部を拡大し、または、絶縁層用樹脂がポジ型フォトレジストである場合はフォトマスクの開口部を縮小してもよい。このようにすることで、突出部１１２１の全域とその近傍を被覆する画素内絶縁層３０を形成できる。画素内絶縁層の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
【0119】
なお、以下の工程は、実施の形態１に係るステップＳ５１からステップＳ１２０と同様であるから説明を省略する。
【0120】
＜まとめ＞
実施の形態２に係る自発光パネルでは、機能層の膜厚の小さい領域１３ａｑとその周縁部を画素内絶縁層３０によって非発光領域とする。したがって、機能層の膜厚の均一な領域１３ａｐのみを発光領域とするため、機能層において電流の集中が発生せず、機能層の劣化が不均質に進むことを抑止し素子の長寿命化を図ることができる。また、発光素子の設計において、領域１３ａｐにおける各機能層の膜厚が最適となるようにすればよく、発光効率の向上や光取り出し効率の向上を図ることが容易となる。さらに、発光素子が共振器構造を有する場合、領域１３ａｐにおける機能層の膜厚のみを考慮して共振器構造を設計すればよく、光学長の異なる領域１３ａｑからの発光により色ずれ等が発生することを抑止することができる。
実施の形態２に係る自発光パネルでは、機能層の膜厚の小さい領域１３ａｑとその周縁部を画素内絶縁層３０によって非発光領域とする。したがって、機能層の膜厚の均一な領域１３ａｐのみを発光領域とするため、機能層において電流の集中が発生せず、機能層の劣化が不均質に進むことを抑止し素子の長寿命化を図ることができる。また、発光素子の設計において、領域１３ａｐにおける各機能層の膜厚が最適となるようにすればよく、発光効率の向上や光取り出し効率の向上を図ることが容易となる。さらに、発光素子が共振器構造を有する場合、領域１３ａｐにおける機能層の膜厚のみを考慮して共振器構造を設計すればよく、光学長の異なる領域１３ａｑからの発光により色ずれ等が発生することを抑止することができる。
【0121】
≪変形例≫
以上、本開示の一態様として、自発光パネルとしての有機ＥＬパネルおよび有機ＥＬパネルの製造方法について説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の説明に何ら限定を受けるものではない。以下では、本発明の他の態様例である変形例を説明する。
以上、本開示の一態様として、自発光パネルとしての有機ＥＬパネルおよび有機ＥＬパネルの製造方法について説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の説明に何ら限定を受けるものではない。以下では、本発明の他の態様例である変形例を説明する。
【0122】
（１）上記実施の形態１および２においては、画素電極が陽極、対向電極が陰極であり、かつ、トップエミッション型の有機ＥＬ素子であるとした。しかしながら、例えば、画素電極が陰極、対向電極が陽極であってもよい。また、例えば、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であってもよい。この場合、画素電極が光透過性の導電性材料で形成され、対向電極が光反射性の導電性材料で形成される。また、基板１１において少なくとも画素電極の下側に層とする部分が光透過性を有する。
【0123】
なお、自発光素子は有機ＥＬ素子に限られず、例えば、ＱＬＥＤなどの他の素子であってもよい。
【0124】
（２）上記実施の形態１、２においては、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７の全てが塗布工程で形成されるとした。しかしながら、発光素子は、少なくとも１つの塗布膜を含んでいればよく、それ以外の層は蒸着法、スパッタリング法等で成膜されてもよい。この場合において、画素内絶縁層は、画素電極の上方かつ塗布膜の下方に位置していればよく、画素電極の直上でなくてもよい。または、例えば、電子輸送層１８と電子注入層１９のいずれか１以上が、塗布工程で形成されるとしてもよい。
【0125】
（３）上記実施の形態１、２においては、画素内絶縁層３０は画素規制層１４１と同一の材料で形成されるとしたが、絶縁性を有する材料で形成されていればよく、例えば、隔壁１４と同じ材料で形成されてもよい。例えば、各発光素子が隔壁によって区画される、いわゆるピクセルバンクである場合、画素内絶縁層３０と隔壁１４とを同一の材料で形成することにより、画素内絶縁層３０と隔壁１４との同時形成が可能となる。
【0126】
（４）上記実施の形態１、２においては、有機ＥＬ素子２は、電子輸送層１８や電子注入層１９、正孔注入層１５や正孔輸送層１６を有する構成であるとしたが、これに限られない。例えば、電子輸送層１８を有しない有機ＥＬ素子や、正孔輸送層１６を有しない有機ＥＬ素子であってもよい。また、例えば、正孔注入層１５と正孔輸送層１６とに替えて、単一層の正孔注入輸送層を有していてもよい。また、例えば、発光層１７と電子輸送層１８との間に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類のいずれか、またはそのフッ化物からなる中間層を備えてもよい。
【0127】
また、発光層１７の発光色は２色または赤色・緑色・青色の３色に限られず、黄色や紫色を含む４色以上であってもよいし、３色の組み合わせは上記のものに限られない。
【0128】
（５）上記実施の形態においては、インクは機能性材料を溶質とする溶液であるとしたが、これに限られず、機能性材料を混合溶媒中に分散させたコロイド溶液や懸濁液であってもよい。
【0129】
（６）ノズルを介して高精細なインクの塗布が可能なものであれば、上記実施の形態におけるインクジェット装置に限らず、インクを連続的に基板上に吐出するディスペンサー方式の塗布装置を用いてもよい。
【0130】
（７）上記実施の形態においては、自発光パネルは表示パネルであるとしたが、自発光パネルの用途はこれに限られず、例えば、照明パネルであるとしてもよいし、非動作時に光透過性を有する機能デバイス用パネルであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【0131】
本発明は、機能層をウェットプロセスで形成する発光素子を備える自発光パネルにおいて、膜厚の均一化を図り発光効率や光取り出し効率、寿命を向上する方法として最適である。
【符号の説明】
【0132】
１ 表示装置
１０、１０Ａ 自発光パネル（有機ＥＬパネル）
２、２Ａ 発光素子（有機ＥＬ素子）
１１ 基板
１１１ 基材
１１２ ＴＦＴ層
１１２１ 突出部
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１３ａ 開口部
１３ａｐ 領域
１３ａｑ 領域
３０ 画素内絶縁層
１４ 隔壁
１４１ 画素規制層
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 電子輸送層
１９ 電子注入層
２０ 対向電極
２１ 封止層
１０、１０Ａ 自発光パネル（有機ＥＬパネル）
２、２Ａ 発光素子（有機ＥＬ素子）
１１ 基板
１１１ 基材
１１２ ＴＦＴ層
１１２１ 突出部
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１３ａ 開口部
１３ａｐ 領域
１３ａｑ 領域
３０ 画素内絶縁層
１４ 隔壁
１４１ 画素規制層
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 電子輸送層
１９ 電子注入層
２０ 対向電極
２１ 封止層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】