特開 2022-102279 ＬＥＤモジュール及びＬＥＤモジュールを含む表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022102279

(43)【公開日】2022-07-07

(54)【発明の名称】ＬＥＤモジュール及びＬＥＤモジュールを含む表示装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20220630BHJP

   H01L 33/48 20100101ALI20220630BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

H01L33/48

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020216923

(22)【出願日】2020-12-25

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000408

【氏名又は名称】特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】武政 健一

(72)【発明者】

【氏名】山田 一幸

(72)【発明者】

【氏名】浅田 圭介

(72)【発明者】

【氏名】磯野 大樹

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA33

5F142CA11

5F142CB03

5F142CB11

5F142CB16

5F142CB23

5F142CD01

5F142CD02

5F142CD32

5F142DB24

5F142FA03

5F142GA02

(57)【要約】

【課題】マイクロＬＥＤはチップサイズが微小であるため、電極間ショートが問題となる。
【解決手段】ＬＥＤモジュールは、第１の電極と、第１の電極と離隔して配置された第２の電極と、第１の電極上の第１のバンプと、第２の電極上の第２のバンプと、第１の電極及び第２の電極の間に設けられた突起部と、第１のパッド電極及び第２のパッド電極を有するＬＥＤチップと、を有する。突起部は絶縁性を有し、ＬＥＤチップは、第１のパッド電極が第１の電極と対向し、第２のパッド電極が第２の電極と対向するように配置され、第１のパッド電極が第１のバンプを介して第１の電極と接続され、第２のパッドが第２のバンプを介して第２の電極と接続されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の電極と、
前記第１の電極と離隔して配置された第２の電極と、
前記第１の電極上の第１のバンプと、
前記第２の電極上の第２のバンプと、
前記第１の電極及び前記第２の電極の間に設けられた突起部と、
第１のパッド電極及び第２のパッド電極を有するＬＥＤチップと、
を有し、
前記突起部は絶縁性を有し、
前記ＬＥＤチップは、前記第１のパッド電極が前記第１の電極と対向し、前記第２のパッド電極が前記第２の電極と対向するように配置され、
前記第１のパッド電極が前記第１のバンプを介して前記第１の電極と接続され、前記第２のパッド電極が前記第２のバンプを介して前記第２の電極と接続されている、
ことを特徴とするＬＥＤモジュール。

【請求項2】

前記突起部の上端は、前記第１の電極及び前記第２の電極の上面より突出する、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。

【請求項3】

前記突起部の上端が、前記第１のパッド電極と前記第１のパッド電極との間の領域に位置している、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。

【請求項4】

前記突起部の上端は、前記第１の電極及び前記第２の電極の上面より突出し、かつ前記ＬＥＤチップと接しない、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。

【請求項5】

前記突起部の上端は、前記第１の電極及び前記第２の電極の上面より突出し、かつ前記ＬＥＤチップと接する、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。

【請求項6】

前記第１の電極及び前記第２の電極は第１の厚さを有し、前記突起部の高さは、前記第１の厚さに相当する高さより大きい、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。

【請求項7】

前記第１の電極及び前記第２の電極は第１の厚さを有し、前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極は第２の厚さを有し、
前記突起部の高さは、前記第１の厚さに相当する高さより高く、かつ前記第１の厚さと前記第２の厚さの合計厚さに相当する高さより高い、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。

【請求項8】

前記第１の電極及び前記第２の電極は第１の厚さを有し、前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極は第２の厚さを有し、
前記第１のバンプは前記第１の電極と前記第１のパッド電極との間で第３の厚さを有し、
前記突起部の高さは、前記第１の厚さに相当する高さより高く、かつ前記第１の厚さ、前記第２の厚さ、及び前記第３の厚さの合計厚さに相当する高さより低い、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。

【請求項9】

前記突起部は、前記第１の電極と前記第２の電極とが離隔する領域を横断するように設けられている、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のＬＥＤモジュール。

【請求項10】

前記第１のバンプと前記第２のバンプとは、前記突起部により絶縁されている、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のＬＥＤモジュール。

【請求項11】

画素を形成する領域に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極と離隔して配置された第２の電極と、
前記第１の電極上の第１のバンプと、
前記第２の電極上の第２のバンプと、
前記第１の電極及び前記第２の電極の間に設けられた突起部と、
第１のパッド電極及び第２のパッド電極を有するＬＥＤチップと、
を有し、
前記突起部は絶縁性を有し、
前記ＬＥＤチップは、前記第１のパッド電極が前記第１の電極と対向し、前記第２のパッド電極が前記第２の電極と対向するように配置され、
前記第１のパッド電極が前記第１のバンプを介して前記第１の電極と接続され、前記第２のパッド電極が前記第２のバンプを介して前記第２の電極と接続されている、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項12】

前記突起部の上端は、前記第１の電極及び前記第２の電極の上面より突出する、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記突起部の上端が、前記第１のパッド電極と前記第１のパッド電極との間の領域に位置している、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項14】

前記突起部の上端は、前記第１の電極及び前記第２の電極の上面より突出し、かつ前記ＬＥＤチップと接しない、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項15】

前記突起部の上端は、前記第１の電極及び前記第２の電極の上面より突出し、かつ前記ＬＥＤチップと接する、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項16】

前記第１の電極及び前記第２の電極は第１の厚さを有し、前記突起部の高さは、前記第１の厚さに相当する高さより大きい、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項17】

前記第１の電極及び前記第２の電極は第１の厚さを有し、前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極は第２の厚さを有し、
前記突起部の高さは、前記第１の厚さに相当する高さより高く、かつ前記第１の厚さと前記第２の厚さの合計厚さに相当する高さより高い、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項18】

前記第１の電極及び前記第２の電極は第１の厚さを有し、前記第１のパッド電極及び前記第２のパッド電極は第２の厚さを有し、
前記第１のバンプは前記第１の電極と前記第１のパッド電極との間で第３の厚さを有し、
前記突起部の高さは、前記第１の厚さに相当する高さより高く、かつ前記第１の厚さ、前記第２の厚さ、及び前記第３の厚さの合計厚さに相当する高さより低い、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項19】

前記突起部は、前記第１の電極と前記第２の電極とが離隔する領域を横断するように設けられている、請求項１１乃至１８のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項20】

前記第１のバンプと前記第２のバンプとは、前記突起部により絶縁されている、請求項１１乃至１９のいずれか一項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）がベアチップの状態で実装されたＬＥＤモジュールに関する。本発明の一実施形態は、発光ダイオードにより画素が形成された表示装置の画素構造に関する。

【背景技術】

【0002】

マトリクス状に配列される画素にマイクロＬＥＤと呼ばれる微小な発光ダイオードが実装されたマイクロＬＥＤディスプレイが知られている。マイクロＬＥＤディスプレイは、画素が自発光型であるという点で有機エレクトロルミネセンス素子を用いた有機ＥＬディスプレイと共通する。しかし、有機ＥＬディスプレイが、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が作製されたバックプレーンと呼ばれる基板に有機エレクトロルミネセンス素子を直接形成するのに対し、マイクロＬＥＤディスプレイはサファイア基板等に作製されたＬＥＤチップをバックプレーンに実装する点で相違する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０１８／０１４５２３６号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

マイクロＬＥＤディスプレイでは、マイクロＬＥＤがフェイスダウンでバックプレーンに実装される。マイクロＬＥＤの実装には、塗布時に流動性のある導電性ペーストや半田が用いられる。このとき、導電性ペーストや半田の塗布位置及び塗布量を精密に制御する必要がある。しかし、マイクロＬＥＤはチップサイズが微小であるため、電極間ショートが問題となる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一実施形態に係るＬＥＤモジュールは、第１の電極と、第１の電極と離隔して配置された第２の電極と、第１の電極上の第１のバンプと、第２の電極上の第２のバンプと、第１の電極及び第２の電極の間に設けられた突起部と、第１のパッド電極及び第２のパッド電極を有するＬＥＤチップと、を有する。突起部は絶縁性を有し、ＬＥＤチップは、第１のパッド電極が第１の電極と対向し、第２のパッド電極が第２の電極と対向するように配置され、第１のパッド電極が第１のバンプを介して第１の電極と接続され、第２のパッド電極が第２のバンプを介して第２の電極と接続されている。

【0006】

本発明の一実施形態に係る表示装置は、画素を形成する領域に設けられた第１の電極と、第１の電極と離隔して配置された第２の電極と、第１の電極上の第１のバンプと、第２の電極上の第２のバンプと、第１の電極及び第２の電極の間に設けられた突起部と、第１のパッド電極及び第２のパッド電極を有するＬＥＤチップと、を有する。突起部は絶縁性を有し、ＬＥＤチップは、第１のパッド電極が第１の電極と対向し、第２のパッド電極が第２の電極と対向するように配置され、第１のパッド電極が第１のバンプを介して第１の電極と接続され、第２のパッド電極が第２のバンプを介して第２の電極と接続されている。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態に係るＬＥＤモジュールの構成を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図を示す。

【図2】ＬＥＤチップの構造を例示する斜視図を示す。

【図3】本発明の一実施形態に係るＬＥＤモジュールの構成を示し、（Ａ）及び（Ｂ）は断面図を示す。

【図4】本発明の一実施形態に係るＬＥＤモジュールの断面構造を示す。

【図5】本発明の一実施形態に係るＬＥＤモジュールの構成を示し、（Ａ）及び（Ｂ）は断面図を示す。

【図6】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す。

【図7】本発明の一実施形態に係る表示装置における画素の断面図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

【0009】

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視において、基板を基準としたときにＬＥＤチップは基板の「上」又は「上方」にあるものとし、ＬＥＤチップを基準としたときに基板はＬＥＤチップの「下」又は「下方」にあるものとする。

【0010】

本発明において、マイクロＬＥＤとは、チップサイズが数μｍ以上１００μｍ以下、ミニＬＥＤとは、チップサイズが１００μｍ以上のものをいうが、本発明の一実施形態はいずれのサイズのＬＥＤも用いることができ、ＬＥＤモジュール及び表示装置の画素サイズに応じて使い分けることができる。

【0011】

［第１の実施形態］
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係るＬＥＤモジュール１００の構成を示す。図１（Ａ）はＬＥＤモジュール１００の平面図を示し、図１（Ｂ）はＡ１－Ａ２線に対応する断面図を示す。

【0012】

ＬＥＤモジュール１００は、絶縁表面１０５に設けられた第１の電極１０８と第２の電極１１０との上にＬＥＤチップ１０４が実装された構造を有する。絶縁表面１０５は、絶縁性を有する基板によって形成される。絶縁表面１０５は、また、基板１０２上に設けられた第１の絶縁層１０６によって形成されてもよい。図１には示されないが、基板上にはＬＥＤチップ１０４と接続される配線が形成されていてもよく、ＬＥＤチップ１０４の発光を制御する回路が形成されていてもよい。

【0013】

第１の電極１０８及び第２の電極１１０は、絶縁表面１０５上で離隔して配置される。別言すれば、第１の電極１０８と第２の電極１１０とは、電気的に分離した状態で配置される。第１の電極１０８及び第２の電極１１０は、後述されるように、ＬＥＤチップ１０４の設けられた一対の電極（第１のパッド電極１１６、第２のパッド電極１１８）の間隔と整合するように配置される。

【0014】

第１の電極１０８及び第２の電極１１０を形成する材料に限定はないが、塗布又は滴下時に流動性を有する導電性材料とぬれ性の良い材料が選択される。第１の電極１０８及び第２の電極１１０は、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料で形成される。第１の電極１０８及び第２の電極１１０は、０．５μｍ～２μｍ、０．８μｍ～１．５μｍの厚さで形成される。また、第１の電極１０８及び第２の電極１１０との間隔は任意であるが、ＬＥＤチップ１０４がマイクロＬＥＤである場合には１０μｍ以下の間隔を有する。

【0015】

ＬＥＤチップ１０４は２端子型の素子であり、所謂フリップチップ実装が可能なように第１のパッド電極１１６及び第２のパッド電極１１８を有する。例えば、ＬＥＤチップ１０４は、基板１０２に実装するとき、第１の電極１０８及び第２の電極１１０に対向する面に、第１のパッド電極１１６及び第２のパッド電極１１８が設けられる。第１のパッド電極１１６及び第２のパッド電極１１８の一方はｐ型半導体層と接続され、他方はｎ型半導体層と接続される。このような接続の態様から、第１のパッド電極１１６及び第２のパッド電極１１８の一方はｐ電極、他方はｎ電極とも呼ばれる。流動性を有する導電性材料とぬれ性を良くするために第１のパッド電極１１６及び第２のパッド電極１１８は金属材料を用いて形成され、流動性を有する導電性材料とのぬれ性をよくするために、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）等の金属表面を有していることが好ましい。このような第１のパッド電極１１６及び第２のパッド電極１１８は、１μｍ～５μｍ程度の厚さで形成される。

【0016】

ＬＥＤチップ１０４は、第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４を用いて基板１０２上に実装される。第１のパッド電極１１６と第１の電極１０８とは第１のバンプ１１２で電気的に接続され、第２のパッド電極１１８と第２の電極１１０とは第２のバンプ１１４で電気的に接続される。

【0017】

第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４は、初期状態（硬化処理をする前の状態）において流動性を有する導電性材料で形成される。例えば、第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４として導電性ペーストが用いられる。導電ペーストとしては、銀ペースト、カーボンペースト、銀とカーボンが混合されたペースト等が用いられる。また、第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４として、半田ペーストのように錫が用いられてもよい。例えば、第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４として錫バンプが用いられてもよい。第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４は、第１の電極１０８及び第２の電極１１０に滴下した状態で、１μｍ～１０μｍ程度の高さを有する。

【0018】

導電ペーストは流動性を有し、対象物に滴下した後、焼成又は単に乾燥させることにより硬化する。導電ペーストを用いて第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４を形成する場合、第１の電極１０８及び第２の電極１１０のそれぞれに対し、滴下する位置及び量を精密に制御する必要がある。導電性ペーストの滴下量が多すぎると広がってしまい、電極間のショートの原因となる。一方、導電性ペーストの滴下量が少なすぎると導通不良を生じさせ、ＬＥＤチップ１０４を固定する力（付着力）が低下して剥落することが問題となる。

【0019】

また、第１の電極１０８及び第２の電極１１０に導電性ペースト又は半田ペーストを滴下した後、その上にＬＥＤチップ１０４を配置し押圧すると導電性ペーストが横方向に広がる現象がある。ＬＥＤチップ１０４を押圧する力がかり過ぎると、導電性ペーストの広がりが大きくなり、隣接する導電性ペースト同士が接触するようになってしまう。さらに、導電性ペースト又は半田ペーストの滴下量が多すぎると、導電性ペースト又は半田ペーストの広がりが大きくなり、第１の電極１０８と第２の電極１１０とが短絡する原因となる。第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４を形成するために導電性ペースト、半田ペーストを用いる場合には、滴下量に精密な制御が求められる。しかし、ＬＥＤチップ１０４は微小なサイズであることから、導電性ペースト、半田ペーストの滴下量の精密な制御は困難である。

【0020】

図２は、にＬＥＤチップ２００の一例を示す。ＬＥＤチップ２００はＧａＡｓ等の半導体ウエハーを用いた基板、又はサファイア等の絶縁材料で形成された基板２０２の上に窒化ガリウム等で形成されるバッファ層２０４、窒化ガリウム系の化合物半導体で形成されるｎ型層２０６、窒化ガリウム系の化合物半導体で量子井戸構造が形成される活性層２０８、窒化ガリウム系の化合物半導体で形成されるｐ型層２１０、パッシベーション層２１４、第１のパッド電極１１６、第２のパッド電極１１８が設けられた構造を有する。ＬＥＤチップ２００のサイズは、所謂マイクロＬＥＤと呼ばれるものであって、縦幅Ｌが１０μｍから２０μｍ、横幅Ｗが２０μｍから４０μｍ、高さＨが１５０μｍ程度のサイズを有する。したがって、第１のパッド電極１１６と第２のパッド電極１１８との間隔は１０μｍ以下となる。ただし、ＬＥＤ２００のサイズはマイクロＬＥＤに限定されず、所謂ミニＬＥＤと呼ばれるものであってもよい。

【0021】

このような微小な構造に対し、本実施形態に係るＬＥＤモジュール１００は、ＬＥＤチップ１０４とコンタクトを形成する第１の電極１０８及び第２の電極１１０との間に突起部１２０が設けられた構造を有する。突起部１２０は、絶縁表面１０５上で、第１の電極１０８及び第２の電極１１０が離隔する領域を横断するように設けられる。突起部１２０は絶縁性を有し、上端が第１の電極１０８及び第２の電極１１０の上面よりも高い位置にされる高さ（厚さ）を有する。このような突起部１２０は絶縁材料で形成される。また、突起部１２０は、導電性材料の表面が絶縁膜で覆われた形態を有していてもよい。

【0022】

突起部１２０は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの無絶縁膜を用いて形成される。また、突起部１２０は、アクリル、エポキシなどの有機絶縁材料を用いて形成されてもよい。

【0023】

突起部１２０を設けることで、第１の電極１０８の上に第１のバンプ１１２を設け、及び第２の電極１１０の上に第２のバンプ１１４を設け、ＬＥＤチップ１０４を実装したときに、第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４の一方又は両方が流動して、第１の電極１０８と第２の電極１１０とが短絡するのを防止することができる。別言すれば、基板１０２上にＬＥＤチップ１０４を実装するときに、押圧によって第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４が横方向に流動しても、突起部１２０によりその流動が阻害されてバンプ同士が接触するのを防止することができる。

【0024】

図３（Ａ）に示すように、第１の電極１０８の厚さがＴ１（第２の電極１１０も同様とする）、第１のパッド電極１１６の厚さがＴ２（第２のパッド電極１１８も同様とする）、第１のバンプ１１２の厚さがＴ３（第２のバンプ１１４も同様とする）とし、突起部１２０の高さをＬ１とした場合、突起部１２０の高さＬ１は、第１の電極１０８の厚さＴ１より大きいことが好ましい。別言すれば、第１の電極１０８はＴ１の厚さを有し、突起部１２０の高さＬ１は厚さＴ１に相当する高さより大きいことが好ましい（Ｌ１＞Ｔ１）。このような関係を有することにより、突起部１２０の上端を第１の電極１０８及び第２の電極１１０の上面より突出させることができ、また、突起部１２０の上端を第１のパッド電極１１６及び第２のパッド電極１１８の間の領域に位置させることができ、図示されるように第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４が流動した場合であっても短絡を防ぐことができる。

【0025】

突起部の高さＬ１が、第１の電極１０８の厚さＴ１と第１のパッド電極１１６の厚さＴ２の合計より大きく、かつ、ＬＥＤチップ１０４と接しない高さを有していることが好ましい。また、突起部１２０の高さＬ１は、第１の電極１０８の厚さＴ１に相当する高さより高く、第１の電極１０８の厚さＴ１、第１のパッド電極１１６の厚さＴ２、及び第１のバンプ１１２の厚さＴ３の合計厚さに相当する高さよりも低いことが好ましい。突起部１２０の高さＬ１が、このような関係を満たすことにより、ＬＥＤチップ１０４との干渉を防ぎ、ＬＥＤチップ１０４を、第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４により確実に第１の電極１０８及び第２の電極１１０に電気的に接続することができる。また、突起部１２０が高さＬ１を有することで、ＬＥＤチップ１０４を実装する際のずれを抑制することもでき、第１のバンプ１１２と第１の電極１０８と、第２のバンプ１１４と第２の電極１１０との実装時に多少の位置ずれが発生したとしても、突起部１２０が第１のバンプ１０８と第２のバンプ１１４に対するストッパとなり、過度な位置ずれを抑制し、ＬＥＤチップ１０４の実装時の不良を防止することができる。

【0026】

他の形態として、図３（Ｂ）に示すように、突起部１２０の高さＬ１は、上端がＬＥＤチップ１０４と接する高さを有していてもよい。突起部１２０がこのような高さを有することで、第１のバンプ１１２と第２のバンプ１１４とが短絡するのを防ぐと共に、ＬＥＤチップ１０４と基板１０２との間隔を一定に保つスペーサとして用いることができる。

【0027】

図４に示すように、ＬＥＤチップ１０４において第１のパッド電極１１６と第１のパッド電極１１６の高さが異なる場合（第１のパッド電極１１６と第１の電極１０８との距離Ｄ１が、第２のパッド電極１１８と第２の電極１１０との距離Ｄ２よりも大きい場合）においても、上述のように、突起部１２０の高さが第１の電極１０８及び第２の電極１１０の上面よりも高いことにより、第１のバンプ１１２と第２のバンプ１１４とが流動して接触することを防ぐことができる。

【0028】

突起部１２０は、図１（Ｂ）に示すように、第１の絶縁層１０６の上に別の絶縁層を設けることで形成されてもよい。また、突起部１２０は、図５（Ａ）に示すように、第１の絶縁層１０６において、第１の電極１０８及び第２の電極１１０を形成する領域を選択的にエッチングすることで形成されてもよい。さらに、図５（Ｂ）に示すように第１の絶縁層１０６上に導電層１２２を形成し、その導電層１２２を覆うように絶縁膜１２４を設けることで形成されてもよい。

【0029】

［第２の実施形態］
本実施形態は、第１の実施形態に示すＬＥＤモジュールの構成を有する表示装置を示す。

【0030】

図６は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を示す。表示装置３００は、基板１０２上に、画素３０２ａがマトリクス状に複数個配列された表示部３０４を有する。表示部３０４には、画素３０２ａに走査信号を入力する走査信号線３０６と、映像信号を入力するデータ信号線３０８が配設される。走査信号線３０６とデータ信号線３０８は交差するように配設される。基板１０２の周縁部には、走査信号線３０６の入力端子部３１０ａとデータ信号線３０８の入力端子部３１０ｂが設けられている。なお、図９では図示されないが、基板１０２には、画素３０２ａを駆動するドライバＩＣが実装されていてもよい。

【0031】

図７は、画素３０２ａの断面構造の一例を示す。画素３０２ａは、基板１０２側から第１の絶縁層１０６、第２の絶縁層１２６、第３の絶縁層１２８が積層され、第３の絶縁層１２８で形成される絶縁表面の上に突起部１２０が設けられた構造を有する。走査信号線３０６は、第１の絶縁層１０６と第２の絶縁層１２６の間に設けられ、データ信号線３０８は第２の絶縁層１２６と第３の絶縁層１２８との間に設けられる。表示部３０４は、走査信号線３０６とデータ信号線３０８との間に第２の絶縁層１２６が設けられることで、２つの信号線を交差するように配設することが可能とされている。

【0032】

第１の電極１０８は、第３の絶縁層１２８及び第２の絶縁層１２６を貫通するコンタクトホールと重なるように設けられ、走査信号線３０６と接続される。第２の電極１１０は、第３の絶縁層１２８を貫通するコンタクトホールに重なるように設けられ、データ信号線３０８と接続される。第１の電極１０８及び第２の電極１１０の上層側には、さらにパッシベーション層１３０が設けられていてもよい。

【0033】

ＬＥＤチップ１０４は、第１のパッド電極１１６が第１のバンプ１１２を介して第１の電極１０８と接続され、第２のパッド電極１１８が第２のバンプ１１４を介して第２の電極１１０と接続される。第１の電極１０８と第２の電極１１０との間に突起部１２０が設けられることにより、第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４が流動化してもＬＥＤチップ１０４の電極間の短絡が防止される。別言すれば、画素３０２の中に突起部１２０を有することで、第１のバンプ１１２及び第２のバンプ１１４を形成するときの工程にマージンを与えることができ、表示装置３００の生産性の向上と歩留まりの向上を図ることができる。

【0034】

なお、本実施形態は、ＬＥＤモジュールによってパッシブマトリクス型の画素が構成される例を示すが、本実施形態はこれに限定されず、個々の画素の発光がトランジスタによる画素回路で制御されるアクティブマトリクス型の画素に適用することもできる。

【符号の説明】

【0035】

１００・・・ＬＥＤモジュール、１０２・・・基板、１０４・・・ＬＥＤチップ、１０５・・・絶縁表面、１０６・・・第１の絶縁層、１０８・・・第１の電極、１１０・・・第２の電極、１１２・・・第１のバンプ、１１４・・・第２のバンプ、１１６・・・第１のパッド電極、１１８・・・第２のパッド電極、１２０・・・突起部、１２２・・・導電層、１２４・・・絶縁膜、１２６・・・第２の絶縁層、１２８・・・第３の絶縁層、１３０・・・パッシベーション層、２００・・・ＬＥＤ、２０２・・・基板、２０４・・・バッファ層、２０６・・・ｎ型層、２０８・・・活性層、２１０・・・ｐ型層、２１４・・・パッシベーション層、３００・・・表示装置、３０２・・・画素、３０４・・・表示部、３０６・・・走査信号線、３０８・・・データ信号線、３１０・・・入力端子部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】