特開 2022-103601 電子部品及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022103601

(43)【公開日】2022-07-08

(54)【発明の名称】電子部品及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/16 20060101AFI20220701BHJP

   H01G 4/33 20060101ALI20220701BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20220701BHJP

【ＦＩ】

H05K1/16 D

H01G4/33 102

H01G4/30 160

H01G4/30 540

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020218336

(22)【出願日】2020-12-28

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100115738

【弁理士】

【氏名又は名称】鷲頭 光宏

(74)【代理人】

【識別番号】100121681

【弁理士】

【氏名又は名称】緒方 和文

(72)【発明者】

【氏名】吉川 和弘

(72)【発明者】

【氏名】大橋 武

(72)【発明者】

【氏名】角田 晃一

(72)【発明者】

【氏名】飯岡 晃靖

(72)【発明者】

【氏名】冨川 満広

【テーマコード（参考）】

4E351

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

4E351AA01

4E351AA03

4E351AA04

4E351AA07

4E351AA12

4E351AA13

4E351BB03

4E351BB09

4E351BB24

4E351BB38

4E351CC03

4E351CC05

4E351CC06

4E351FF16

4E351GG13

5E001AB01

5E001AE00

5E001AG01

5E001AJ04

5E082AB01

5E082BC19

5E082FF05

5E082FG03

5E082FG22

5E082FG42

5E082HH25

(57)【要約】

【課題】基材の表面に沿って浸入した水分が内部電極層に到達しにくい構造を有する電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１は、基材２の中央領域２ａに設けられた平坦化層３、導体層Ｍ１、誘電体膜４、導体層ＭＭを備える。基材２の外周領域２ｂは、中央領域２ａよりも表面の位置が低く、且つ、平坦化層３及び誘電体膜４を介することなく絶縁樹脂層１１で覆われている。平坦化層３及び誘電体膜４の外周領域においては、導体層Ｍ１が介在することなく両者が接している。基材２の段差面２ｓ、平坦化層３及び誘電体膜４の端面３ｓ，４ｓはテーパー状である。このように、テーパー状にエッチングされた端面に導体層Ｍ１が露出しないことから、基材２の表面に沿って外部から水分が浸入した場合であっても、水分が導体層Ｍ１に到達しにくい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面が外周領域及び前記外周領域に囲まれた中央領域に区画された基材と、
前記基材の前記中央領域に設けられた平坦化層と、
前記平坦化層上に設けられたキャパシタの下部電極と、
前記下部電極を覆うよう、前記平坦化層上に設けられた前記キャパシタの誘電体膜と、
前記下部電極と重なるよう、前記誘電体膜上に設けられた前記キャパシタの上部電極と、
前記上部電極を覆う絶縁樹脂層と、を備え、
前記基材の前記外周領域は、前記中央領域よりも前記表面の位置が低く、且つ、前記平坦化層及び前記誘電体膜を介することなく前記絶縁樹脂層で覆われており、
前記平坦化層及び前記誘電体膜の外周領域においては、前記下部電極が介在することなく、前記平坦化層と前記誘電体膜が接するように積層されており、
前記基材の前記中央領域と前記外周領域の境界に位置する段差面、前記平坦化層の端面及び前記誘電体膜の端面は、テーパー状であり、且つ、前記絶縁樹脂層で覆われていることを特徴とする電子部品。

【請求項2】

前記上部電極を覆うよう、前記誘電体膜上に設けられたパッシベーション膜をさらに備え、
前記誘電体膜及び前記パッシベーション膜の外周領域においては、前記上部電極が介在することなく、前記誘電体膜と前記パッシベーション膜が接するように積層されており、
前記平坦化層の前記端面、前記誘電体膜の前記端面及び前記パッシベーション膜の端面は、テーパー状の同一平面を構成することを特徴とする請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記平坦化層、前記誘電体膜及び前記パッシベーション膜は、互いに同じ無機絶縁材料からなることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記無機絶縁材料は、窒化シリコンであることを特徴とする請求項３に記載の電子部品。

【請求項5】

基材の表面に平坦化層を形成する第１の工程と、
前記平坦化層上にキャパシタの下部電極を形成する第２の工程と、
前記下部電極を覆うよう、前記平坦化層上に前記キャパシタの誘電体膜を形成する第３の工程と、
前記下部電極と重なるよう、前記誘電体膜上に前記キャパシタの上部電極を形成する第４の工程と、
前記下部電極が介在することなく積層された前記誘電体膜及び前記平坦化層の外周領域をエッチングすることにより、前記基材の外周領域を露出させるとともに、前記基材の前記外周領域をオーバーエッチングすることによって、前記平坦化層及び前記誘電体膜が形成された前記基材の中央領域と、前記平坦化層及び前記誘電体膜が除去された前記基材の前記外周領域との間に段差を形成する第５の工程と、を備え、
前記第５の工程においては、前記基材の前記中央領域と前記外周領域の境界に位置する段差面、前記平坦化層の端面及び前記誘電体膜の端面がテーパー状となるようエッチングを行うことを特徴とする電子部品の製造方法。

【請求項6】

前記第４の工程を行った後、前記第５の工程を行う前に、前記上部電極を覆うよう、前記誘電体膜上にパッシベーション膜を形成する工程をさらに備え、
前記第５の工程においては、前記上部電極が介在することなく積層された前記パッシベーション膜及び前記誘電体膜の外周領域をエッチングすることにより、前記平坦化層の前記端面、前記誘電体膜の前記端面及び前記パッシベーション膜の端面をテーパー状の同一平面に加工することを特徴とする請求項５に記載の電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は電子部品及びその製造方法に関し、特に、キャパシタを含む電子部品及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、キャパシタを含む電子部品が開示されている。特許文献１に記載された電子部品においては、複数の内部電極層と複数の誘電体層が交互に積層された容量部をテーパー状にエッチングし、さらに、基材をオーバーエッチングすることによって基材に段差を形成している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－１６５０６９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載された電子部品においては、テーパー状にエッチングされた容量部の側面に内部電極層が露出することから、基材の表面に沿って外部から浸入した水分が内部電極層に到達しやすいという問題があった。

【0005】

したがって、本発明は、基材の表面に沿って外部から浸入した水分が内部電極層に到達しにくい構造を有する電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明による電子部品は、表面が外周領域及び外周領域に囲まれた中央領域に区画された基材と、基材の中央領域に設けられた平坦化層と、平坦化層上に設けられたキャパシタの下部電極と、下部電極を覆うよう平坦化層上に設けられたキャパシタの誘電体膜と、下部電極と重なるよう誘電体膜上に設けられたキャパシタの上部電極と、上部電極を覆う絶縁樹脂層とを備え、基材の外周領域は、中央領域よりも表面の位置が低く、且つ、平坦化層及び誘電体膜を介することなく絶縁樹脂層で覆われており、平坦化層及び誘電体膜の外周領域においては、下部電極が介在することなく、平坦化層と誘電体膜が接するように積層されており、基材の中央領域と外周領域の境界に位置する段差面、平坦化層の端面及び誘電体膜の端面は、テーパー状であり、且つ、絶縁樹脂層で覆われていることを特徴とする。

【0007】

本発明によれば、テーパー状にエッチングされた端面に下部電極が露出しないことから、基材の表面に沿って外部から水分が浸入した場合であっても、水分が下部電極に到達しにくい。しかも、基材の外周領域と中央領域の間に段差面が存在することから、基材の表面の沿面距離が長くなり、水分が内部に侵入しにくくなる。

【0008】

本発明による電子部品は、上部電極を覆うよう誘電体膜上に設けられたパッシベーション膜をさらに備え、誘電体膜及びパッシベーション膜の外周領域においては、上部電極が介在することなく、誘電体膜とパッシベーション膜が接するように積層されており、平坦化層の端面、誘電体膜の端面及びパッシベーション膜の端面は、テーパー状の同一平面を構成しても構わない。これによれば、テーパー状にエッチングされた端面に上部電極が露出しないことから、基材の表面に沿って外部から水分が浸入した場合であっても、水分が上部電極に到達しにくくなる。

【0009】

本発明において、平坦化層、誘電体膜及びパッシベーション膜は、互いに同じ無機絶縁材料からなるものであっても構わない。これによれば、平坦化層、誘電体膜及びパッシベーション膜のパターニングが容易となるだけでなく、熱膨張係数の差に起因する剥離が生じない。この場合、無機絶縁材料は窒化シリコンであっても構わない。これによれば、上部電極及び下部電極をより効果的に保護することが可能となる。

【0010】

本発明による電子部品の製造方法は、基材の表面に平坦化層を形成する第１の工程と、平坦化層上にキャパシタの下部電極を形成する第２の工程と、下部電極を覆うよう平坦化層上にキャパシタの誘電体膜を形成する第３の工程と、下部電極と重なるよう誘電体膜上にキャパシタの上部電極を形成する第４の工程と、下部電極が介在することなく積層された誘電体膜及び平坦化層の外周領域をエッチングすることにより基材の外周領域を露出させるとともに、基材の外周領域をオーバーエッチングすることによって、平坦化層及び誘電体膜が形成された基材の中央領域と、平坦化層及び誘電体膜が除去された基材の外周領域との間に段差を形成する第５の工程とを備え、第５の工程においては、基材の中央領域と外周領域の境界に位置する段差面、平坦化層の端面及び誘電体膜の端面がテーパー状となるようエッチングを行うことを特徴とする。

【0011】

本発明によれば、下部電極が介在することなく積層された誘電体膜及び平坦化層の外周領域をエッチングしていることから、テーパー状にエッチングされた端面に下部電極が露出しない。これにより、基材の表面に沿って外部から水分が浸入した場合であっても、水分が下部電極に到達しにくくなる。しかも、基材の外周領域をオーバーエッチングすることによって段差面を形成していることから、基材の表面の沿面距離が長くなり、水分が内部に侵入しにくくなる。

【0012】

本発明による電子部品の製造方法は、第４の工程を行った後、第５の工程を行う前に、上部電極を覆うよう誘電体膜上にパッシベーション膜を形成する工程をさらに備え、第５の工程においては、上部電極が介在することなく積層されたパッシベーション膜及び誘電体膜の外周領域をエッチングすることにより、平坦化層の端面、誘電体膜の端面及びパッシベーション膜の端面をテーパー状の同一平面に加工しても構わない。これによれば、上部電極が介在することなく積層されたパッシベーション膜及び誘電体膜の外周領域をエッチングしていることから、テーパー状にエッチングされた端面に上部電極が露出しない。これにより、基材の表面に沿って外部から水分が浸入した場合であっても、水分が上部電極に到達しにくくなる。

【発明の効果】

【0013】

このように、本発明によれば、基材の表面に沿って外部から浸入した水分が内部電極層に到達しにくい構造を有する電子部品及びその製造方法を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１（ａ）は本発明の一実施形態による電子部品１の構造を説明するための断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す領域Ｂの拡大図である。

【図2】図２は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図3】図３は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図4】図４は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図5】図５は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図6】図６は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図7】図７は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図8】図８は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図9】図９は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図10】図１０は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図11】図１１は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図12】図１２は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図13】図１３は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図14】図１４は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図15】図１５は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図16】図１６は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図17】図１７は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図18】図１８は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図19】図１９は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図20】図２０は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図21】図２１は、電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図22】図２２（ａ）は領域Ｂの第１の変形例による拡大図であり、図２２（ｂ）は領域Ｂの第２の変形例による拡大図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

【0016】

図１（ａ）は、本発明の一実施形態による電子部品１の構造を説明するための断面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す領域Ｂの拡大図である。

【0017】

本実施形態による電子部品１はＬＣフィルタであり、図１（ａ）に示すように、基材２と、基材２の上面に交互に積層された導体層Ｍ１～Ｍ５と絶縁樹脂層１１～１４を備えている。基材２の材料としては、化学的・熱的に安定で応力発生が少なく、表面の平滑性を保つことができる材料であればよく、特に限定されるものではないが、シリコン単結晶、アルミナ、サファイア、窒化アルミ、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ₃単結晶、表面酸化シリコン、ガラス、石英、フェライト、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等などを用いることができる。基材２の表面は平坦化層３で覆われている。平坦化層３としては、アルミナ、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。電子部品１の外周部では平坦化層３が除去されており、これによって応力が緩和されている。

【0018】

導体層Ｍ１は最下層に位置する導体層であり、導体パターン２１，２２を含んでいる。導体パターン２１，２２はいずれも平坦化層３と接する薄いシード層Ｓと、シード層Ｓ上に設けられ、シード層Ｓよりも膜厚の大きいメッキ層Ｐによって構成されている。他の導体層に位置する導体パターンについても同様であり、シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体によって構成されている。ここで、導体パターン２１はキャパシタの下部電極を構成し、その上面及び側面は誘電体膜（容量絶縁膜）４で覆われている。誘電体膜４としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの常誘電体材料の他、公知の強誘電体材料などからなる無機絶縁材料を利用することができる。電子部品１の外周部では誘電体膜４が除去されており、これによって応力が緩和されている。

【0019】

導体パターン２１の上面には、誘電体膜４を介して導体パターン２３が形成されている。導体パターン２３は、導体層Ｍ１と導体層Ｍ２の間に位置する導体層ＭＭに属し、キャパシタの上部電極を構成する。これにより、導体パターン２１を下部電極とし、導体パターン２３を上部電極とするキャパシタが形成される。導体層Ｍ１及び導体層ＭＭは、パッシベーション膜５を介して絶縁樹脂層１１で覆われる。本実施形態においては、誘電体膜４とパッシベーション膜５がいずれも無機絶縁材料からなる。誘電体膜４を構成する無機絶縁材料とパッシベーション膜５を構成する無機絶縁材料は、同じ材料であっても構わないし、異なる材料であっても構わない。電子部品１の外周部ではパッシベーション膜５が除去されており、これによって応力が緩和されている。

【0020】

導体層Ｍ２は、絶縁樹脂層１１の表面に設けられた２層目の導体層であり、導体パターン２４，２５を含んでいる。導体パターン２４は、それぞれビア導体２４ａ，２４ｂを介して導体パターン２３，２２に接続されている。導体パターン２５は、ビア導体２５ａを介して導体パターン２１に接続されている。導体層Ｍ２は、絶縁樹脂層１２によって覆われる。

【0021】

導体層Ｍ３は、絶縁樹脂層１２の表面に設けられた３層目の導体層であり、導体パターン２６，２７を含んでいる。導体パターン２６は、ビア導体２６ａを介して導体パターン２４に接続されている。導体層Ｍ３は、絶縁樹脂層１３によって覆われる。

【0022】

導体層Ｍ４は、絶縁樹脂層１３の表面に設けられた４層目の導体層であり、導体パターン２８，２９を含んでいる。導体パターン２８は、ビア導体２８ａを介して導体パターン２６に接続されている。導体層Ｍ４は、絶縁樹脂層１４によって覆われる。絶縁樹脂層１４は、最上層に位置する絶縁樹脂層である。

【0023】

導体層Ｍ５は、絶縁樹脂層１４の表面に設けられた最上層に位置する導体層であり、端子電極Ｅ１，Ｅ２を含んでいる。端子電極Ｅ１，Ｅ２は、それぞれビア導体Ｅ１ａ，Ｅ２ａを介して導体パターン２８，２９に接続されている。導体パターン２２，２４～２９は例えばコイルパターンの一部であり、これにより、基材２上にキャパシタとインダクタが集積される。

【0024】

図１（ａ）及び拡大図である図１（ｂ）に示すように、基材２は、平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５で覆われた中央領域２ａと、中央領域２ａを取り囲む外周領域２ｂに区画されている。外周領域２ｂは、平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５で覆われておらず、絶縁樹脂層１１によって直接覆われている。外周領域２ｂは、中央領域２ａよりも表面位置が高さＨだけ低く、これにより中央領域２ａと外周領域２ｂの間には段差が形成される。中央領域２ａと外周領域２ｂの境界に位置する段差面２ｓはテーパー状である。

【0025】

基材２の段差近傍に位置する平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５の外周領域は、導体層Ｍ１，ＭＭを介することなく積層されている。つまり、平坦化層３と誘電体膜４は直接接するように積層され、誘電体膜４とパッシベーション膜５は直接接するように積層される。そして、平坦化層３の端面３ｓ、誘電体膜４の端面４ｓ及びパッシベーション膜５の端面５ｓはテーパー状であり、基材２の段差面２ｓと同一平面を構成している。これら段差面２ｓ及び端面３ｓ，４ｓ，５ｓは、いずれも絶縁樹脂層１１によって直接覆われている。

【0026】

このような形状により、仮に、基材２と絶縁樹脂層１１の界面から水分か浸入したとしても、図１（ｂ）に示す領域、つまり平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５の外周領域部分に導体層Ｍ１，ＭＭが露出していないことから、導体層Ｍ１，ＭＭが水分に晒されることがない。しかも、基材２自体が段差面２ｓを有していることから、基材２の表面の沿面距離が長く、これにより水分が内部に侵入しにくくなる。

【0027】

上述の通り、平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５としては、種々の絶縁材料を用いることが可能であるが、これらの材料として互いに同じ無機絶縁材料を用いれば、熱膨張係数の差に起因する剥離を防止することができる。平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５に用いる無機絶縁材料としては、窒化シリコンを用いることが好ましい。

【0028】

基材２の段差面２ｓは、平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５の端面３ｓ，４ｓ，５ｓと同一平面である点は必須でなく、図２２（ａ）に示すように、端面３ｓ，４ｓ，５ｓよりも段差面２ｓの方が大きくエッチングされた湾曲形状であっても構わないし、図２２（ｂ）に示すように、基材２の中央領域２ａの平坦面が部分的に露出していても構わない。

【0029】

次に、本実施形態による電子部品１の製造方法について説明する。

【0030】

図２～図２１は、本実施形態による電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。電子部品１の製造プロセスにおいては、集合基材を用いて複数の電子部品１が多数個取りされるが、以下に説明する製造プロセスは、１個の電子部品１の製造プロセスに着目して説明する。

【0031】

まず、図２に示すように、基材（集合基材）２上にスパッタリング法などを用いて平坦化層３を形成し、その表面を研削或いはＣＭＰなどの鏡面化処理を行なって平滑化する。その後、平坦化層３の表面にスパッタリング法や無電解メッキなどを用いてシード層Ｓを形成する。次に、図３に示すように、シード層Ｓ上にレジスト層Ｒ１をスピンコートした後、導体層Ｍ１を形成すべき領域のシード層Ｓが露出するよう、レジスト層Ｒ１をパターニングする。この状態で、シード層Ｓを給電体とする電解メッキを行うことにより、図４に示すように、シード層Ｓ上にメッキ層Ｐを形成する。シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体は、導体層Ｍ１を構成する。図４に示す断面においては、導体層Ｍ１に導体パターン２１，２２が含まれている。そして、図５に示すようにレジスト層Ｒ１を除去し、図６に示すように表面に露出するシード層Ｓを除去すれば、導体層Ｍ１が完成する。シード層Ｓの除去は、エッチング又はイオンミリングによって行うことができる。

【0032】

次に、図７に示すように、導体層Ｍ１の上面及び側面を含む全面に誘電体膜４を成膜する。誘電体膜４の成膜方法としては、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、ゾルゲル法、電子ビーム蒸着法などを用いることができる。

【0033】

次に、図８に示すように、導体層Ｍ１の形成方法と同様の方法を用いることによって、導体パターン２１の上面に誘電体膜４を介して導体パターン２３を形成する。導体パターン２３も、シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体からなる。これにより、導体層ＭＭが完成し、導体パターン２１を下部電極とし、導体パターン２３を上部電極とするキャパシタが形成される。次に、図９に示すように、導体層Ｍ１，ＭＭの上面及び側面を含む全面にパッシベーション膜５を成膜する。パッシベーション膜５としては、誘電体膜４と同じ無機絶縁材料を用いることができる。

【0034】

次に、図１０に示すように、基材２の外周領域２ｂを覆うことなく、中央領域２ａを覆うレジスト層Ｒ２を形成する。つまり、レジスト層Ｒ２のエッジは、最終的に電子部品１となる部分よりもやや内側に設定される。この状態でパッシベーション膜５、誘電体膜４及び平坦化層３をエッチングするとともに、基材２の外周領域２ｂをオーバーエッチングすることにより、図１１に示すように、基材２が中央領域２ａと外周領域２ｂに区画され、最終的に電子部品１の外周部となる部分のパッシベーション膜５、誘電体膜４及び平坦化層３が除去される。パッシベーション膜５、誘電体膜４及び平坦化層３のエッチングは、イオンミリングなどの異方性の高いエッチング方法を用いることが好ましい。この時、平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５の材料として、窒化シリコンなど互いに同じ無機絶縁材料を用いれば、これらのエッチングを容易に行うことが可能となる。また、エッチング条件としては、基材２の段差面２ｓや、平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５の端面３ｓ，４ｓ，５ｓがテーパー状となる条件で行う。

【0035】

次に、図１２に示すように導体層Ｍ１，ＭＭを覆う絶縁樹脂層１１を形成する。絶縁樹脂層１１の成膜は、コート法（例えばスピンコート法）によって行うことができる。これは、導体層Ｍ１，ＭＭの合計膜厚が例えば約１０μｍと薄いため、ラミネート法によって絶縁樹脂層１１を形成するよりも、低コストだからである。絶縁樹脂層１１の材料としては、感光性のポリイミド系樹脂を用いることができる。次に、図１３に示すように、絶縁樹脂層１１をパターニングすることによって、絶縁樹脂層１１に開口部４１～４３を形成する。開口部４１～４３の形成は、図示しないフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によって行うことができる。これにより、導体パターン２１～２３の上面を覆うパッシベーション膜５はそれぞれ開口部４１～４３を介して露出する。

【0036】

次に、図１４に示すように、絶縁樹脂層１１上にレジスト層Ｒ３を形成した後、レジスト層Ｒ３に開口部５１～５３を形成する。開口部５１～５３は、それぞれ開口部４１～４３と重なる位置に設けられる。これにより、導体パターン２１～２３の上面を覆うパッシベーション膜５は、それぞれ開口部５１～５３を介して露出する。この状態で、イオンミリングなどを行うことにより、開口部５１，５２に露出するパッシベーション膜５及び誘電体膜４を除去するとともに、開口部５３に露出するパッシベーション膜５を除去する。これにより、開口部５１～５３と重なる位置において導体パターン２１～２３の上面が露出する。

【0037】

そして、レジスト層Ｒ３を除去した後、図１５に示すように、導体層Ｍ１の形成方法と同様の方法によって、絶縁樹脂層１１上に導体層Ｍ２を構成する。図１５に示す断面においては、導体層Ｍ２に導体パターン２４，２５が含まれている。導体層Ｍ２を構成する各導体パターンも、シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体からなる。ここで、導体パターン２４は、絶縁樹脂層１１に設けられた開口部を介して導体パターン２２，２３に共通に接続され、導体パターン２５は、絶縁樹脂層１１に設けられた開口部を介して導体パターン２１に接続される。導体パターン２４，２５のうち絶縁樹脂層１１の開口部内に位置する部分は、ビア導体２４ａ，２４ｂ，２５ａを構成する。

【0038】

次に、図１６に示すように導体層Ｍ２を覆う絶縁樹脂層１２を形成する。絶縁樹脂層１２の成膜は、ラミネート法によって行うことができる。これは、導体層Ｍ２の厚さが例えば約２０μｍと厚いため、コート法によって絶縁樹脂層１２を形成するよりも、低コストで形成できるからである。絶縁樹脂層１２の材料としては、非感光性のエポキシ系樹脂を用いることができる。絶縁樹脂層１２には、熱膨張係数を調整するフィラーが添加されており、これにより絶縁樹脂層１１よりも低い熱膨張係数を有している。

【0039】

次に、図１７に示すように、絶縁樹脂層１２に開口部５４を形成する。開口部５４の形成は、レーザー加工によって行うことができる。これにより、導体パターン２４は開口部５４を介して露出する。その後、過マンガン酸塩などを用いたデスミア処理を行うことによって、開口部５４内の残渣を除去する。

【0040】

次に、図１８に示すように、導体層Ｍ１の形成方法と同様の方法によって、絶縁樹脂層１２上に導体層Ｍ３を構成する。図１８に示す断面においては、導体層Ｍ３に導体パターン２６，２７が含まれている。導体層Ｍ３を構成する各導体パターンも、シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体からなる。ここで、導体パターン２６は、絶縁樹脂層１２に設けられた開口部を介して導体パターン２４に接続される。導体パターン２６のうち絶縁樹脂層１２の開口部内に位置する部分は、ビア導体２６ａを構成する。

【0041】

その後、同様の工程を繰り返すことにより、図１９に示すように絶縁樹脂層１３、導体層Ｍ４及び絶縁樹脂層１４をこの順に形成する。絶縁樹脂層１３，１４についても、ラミネート法によって形成することができる。図１９に示す断面においては、導体層Ｍ４に導体パターン２８，２９が含まれている。ここで、導体パターン２８は、絶縁樹脂層１３に設けられた開口部を介して導体パターン２６に接続される。導体パターン２８のうち絶縁樹脂層１３の開口部内に位置する部分は、ビア導体２８ａを構成する。

【0042】

次に、図２０に示すように、絶縁樹脂層１４をレーザー加工することによって、開口部６１，６２を形成する。これにより、導体パターン２８，２９の上面はそれぞれ開口部６１，６２を介して露出する。その後、デスミア処理を行うことによって、開口部６１，６２内の残渣を除去する。

【0043】

次に、図２１に示すように、絶縁樹脂層１４上に端子電極Ｅ１，Ｅ２を形成する。端子電極Ｅ１は絶縁樹脂層１４に設けられた開口部を介して導体パターン２８に接続され、端子電極Ｅ２は絶縁樹脂層１４に設けられた開口部を介して導体パターン２９に接続される。端子電極Ｅ１，Ｅ２のうち絶縁樹脂層１４の開口部内に位置する部分は、それぞれビア導体Ｅ１ａ，Ｅ２ａを構成する。

【0044】

そして、図２１に示すダイシングラインＤに沿って基材２を切断することにより電子部品１を個片化すれば、本実施形態による電子部品１が完成する。

【0045】

以上説明したように、本実施形態による電子部品１の製造プロセスにおいては、導体層Ｍ１，ＭＭが設けられていない平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５の外周領域をエッチングにより除去していることから、外周領域における応力が緩和されるとともに、基材２の表面に沿って浸入した水分が導体層Ｍ１，ＭＭに達しにくくなる。しかも、平坦化層３、誘電体膜４及びパッシベーション膜５をエッチングする際には、基材２の外周領域２ｂをオーバーエッチングしていることから、基材２の中央領域２ａと外周領域２ｂに段差を形成することが可能となる。これにより、基材２の表面の沿面距離が拡大することから、水分が内部により到達しにくくなる。

【0046】

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

【0047】

例えば、上記実施形態においては、本発明をＬＣフィルタに応用した場合を例に説明したが、本発明の対象となる電子部品がＬＣフィルタに限定されるものではなく、他の種類の電子部品に応用しても構わない。

【符号の説明】

【0048】

１ 電子部品
２ 基材
２ａ 中央領域
２ｂ 外周領域
２ｓ 段差面
３ 平坦化層
３ｓ，４ｓ，５ｓ 端面
４ 誘電体膜
５ パッシベーション膜
１１～１４ 絶縁樹脂層
２１～２９ 導体パターン
２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２６ａ，２８ａ，Ｅ１ａ，Ｅ２ａ ビア導体
４１～４３，５１～５４，６１，６２ 開口部
Ｄ ダイシングライン
Ｅ１，Ｅ２ 端子電極
Ｍ１～Ｍ５，ＭＭ 導体層
Ｐ メッキ層
Ｒ１～Ｒ３ レジスト層
Ｓ シード層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】