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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022106006
(43)【公開日】2022-07-19
(54)【発明の名称】ＬＥＤ照明用電源装置
(51)【国際特許分類】
H02M 3/155 20060101AFI20220711BHJP
H05B 45/375 20200101ALI20220711BHJP
H05B 45/345 20200101ALI20220711BHJP
H05B 45/14 20200101ALI20220711BHJP
【ＦＩ】
H02M3/155 C
H02M3/155 J
H05B45/375
H05B45/345
H05B45/14
【審査請求】未請求
【請求項の数】2
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021000632
(22)【出願日】2021-01-06
(71)【出願人】
【識別番号】000106276
【氏名又は名称】サンケン電気株式会社
(72)【発明者】
【氏名】細谷 裕
【テーマコード（参考）】
3K273
5H730
【Ｆターム（参考）】
3K273AA09
3K273BA23
3K273BA24
3K273BA27
3K273BA33
3K273BA34
3K273CA02
3K273DA08
3K273EA06
3K273EA07
3K273EA25
3K273EA35
3K273EA41
3K273EA42
3K273EA43
3K273EA44
3K273FA14
3K273FA27
3K273GA14
5H730AA20
5H730AS02
5H730AS05
5H730AS11
5H730BB13
5H730BB57
5H730DD04
5H730EE52
5H730FD01
5H730FD31
5H730FG01
5H730XX03
5H730XX12
5H730XX23
5H730XX32
5H730XX44
(57)【要約】
【課題】定電流制御を行うＬＥＤ照明用電源装置において、新たな定電圧制御回路を設けずに出力電圧の上昇制限機能を備える。
【解決手段】
ＤＣ／ＤＣコンバータ１は、出力端子間に接続されるＬＥＤ負荷に流れる電流を検出する電流検出部と、検出した電流値が所定の定電流値になるように制御を行う制御回路と、出力端子間にダミー負荷回路とを備え、ダミー負荷回路は、アバランシェ特性を備えたＭＯＳＦＥＴＱ２とダミー抵抗Ｒｄの直列接続回路からなり、ＭＯＳＦＥＴＱ２とダミー抵抗Ｒｄとの接続点からツェナーダイオードＺＤを介してＬＥＤ電流検出回路の出力端子に接続したことを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】
ＤＣ／ＤＣコンバータ１は、出力端子間に接続されるＬＥＤ負荷に流れる電流を検出する電流検出部と、検出した電流値が所定の定電流値になるように制御を行う制御回路と、出力端子間にダミー負荷回路とを備え、ダミー負荷回路は、アバランシェ特性を備えたＭＯＳＦＥＴＱ２とダミー抵抗Ｒｄの直列接続回路からなり、ＭＯＳＦＥＴＱ２とダミー抵抗Ｒｄとの接続点からツェナーダイオードＺＤを介してＬＥＤ電流検出回路の出力端子に接続したことを特徴とする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＬＥＤ照明用電源装置であって、
入力電圧から所定の出力電圧に変換するＤＣ／ＤＣコンバータと、
前記ＤＣ／ＤＣコンバータは、出力端子間に接続されるＬＥＤ負荷に流れる電流を検出する電流検出部と、検出した電流値が所定の定電流値になるように制御を行う制御回路と、
前記出力端子間にダミー負荷回路と、を備え、
前記ダミー負荷回路は、アバランシェ特性を備えたＭＯＳＦＥＴとダミー抵抗の直列接続回路からなり、
前記ＭＯＳＦＥＴと前記ダミー抵抗との接続点からツェナーダイオードを介して前記電流検出部の出力端子または入力端子に接続したことを特徴とするＬＥＤ照明用電源装置。
入力電圧から所定の出力電圧に変換するＤＣ／ＤＣコンバータと、
前記ＤＣ／ＤＣコンバータは、出力端子間に接続されるＬＥＤ負荷に流れる電流を検出する電流検出部と、検出した電流値が所定の定電流値になるように制御を行う制御回路と、
前記出力端子間にダミー負荷回路と、を備え、
前記ダミー負荷回路は、アバランシェ特性を備えたＭＯＳＦＥＴとダミー抵抗の直列接続回路からなり、
前記ＭＯＳＦＥＴと前記ダミー抵抗との接続点からツェナーダイオードを介して前記電流検出部の出力端子または入力端子に接続したことを特徴とするＬＥＤ照明用電源装置。
【請求項2】
前記制御回路は、前記ＬＥＤ負荷のＬＥＤ列に応じた出力電圧に基づき、前記ダミー負荷回路の前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を調整することを特徴とする請求項1記載のＬＥＤ照明用電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＬＥＤ照明用電源装置の出力電圧制御に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、ＬＥＤ照明用電源装置においては、ちらつきを無くして照度を安定するために定電流制御方式のＤＣ／ＤＣコンバータが用いられている。また、ＬＥＤ負荷がオープンになった場合などを想定し、過電圧保護機能以外に通常の使用条件の出力電圧より高めに設定された電圧になるよう制御する定電圧制御を備えるものが多い。この場合、製品の安全性を考慮して、過電圧保護回路と定電圧制御回路を共通回路で構成せず、別々の回路で構成する必要がある。
【0003】
従来のＤＣ／ＤＣコンバータの一構成例を図９に示す。図９に示すＤＣ／ＤＣコンバータは、ＬＬＣ共振方式を用いた所謂ハーフブリッジ型のＤＣ／ＤＣコンバータである。このＤＣ／ＤＣコンバータは、図９に示すように、スイッチング素子ＳＷ１及びＳＷ２と、入力コンデンサＣ０、電圧共振コンデンサＣｖ及び電流共振コンデンサＣｒと、トランスＴｒ０とを備えている。なお、トランスＴｒ０の２次側にはダイオード及びコンデンサから成る整流回路（図示せず）が接続される。また、トランスＴｒ０は図示しない漏れインダクタンスと励磁インダクタンスを含み、前記漏れインダクタンスは共振インダクタンスに相当する。上記ＬＬＣ共振方式とは、電流共振コンデンサＣｒと、トランスＴｒ０の図示しない漏れインダクタンスと励磁インダクタンスによる直列共振を利用した方式である。従来のＤＣ／ＤＣコンバータの一構成例を図９に示す。図９に示すＤＣ／ＤＣコンバータは、ＬＬＣ共振方式を用いた所謂ハーフブリッジ型のＤＣ／ＤＣコンバータである。このＤＣ／ＤＣコンバータは、図９に示すように、スイッチング素子ＳＷ１及びＳＷ２と、入力コンデンサＣ０、電圧共振コンデンサＣｖ及び電流共振コンデンサＣｒと、トランスＴｒ０とを備えている。なお、トランスＴｒ０の２次側にはダイオード及びコンデンサから成る整流回路（図示せず）が接続される。また、トランスＴｒ０は図示しない漏れインダクタンスと励磁インダクタンスを含み、前記漏れインダクタンスは共振インダクタンスに相当する。上記ＬＬＣ共振方式とは、電流共振コンデンサＣｒと、トランスＴｒ０の図示しない漏れインダクタンスと励磁インダクタンスによる直列共振を利用した方式である。従来のＤＣ／ＤＣコンバータの一構成例を図９に示す。図９に示すＤＣ／ＤＣコンバータは、ＬＬＣ共振方式を用いた所謂ハーフブリッジ型のＤＣ／ＤＣコンバータである。このＤＣ／ＤＣコンバータは、図９に示すように、スイッチング素子ＳＷ１及びＳＷ２と、入力コンデンサＣ０、電圧共振コンデンサＣｖ及び電流共振コンデンサＣｒと、トランスＴｒ０とを備えている。なお、トランスＴｒ０の２次側にはダイオード及びコンデンサから成る整流回路（図示せず）が接続される。また、トランスＴｒ０は図示しない漏れインダクタンスと励磁インダクタンスを含み、前記漏れインダクタンスは共振インダクタンスに相当する。上記ＬＬＣ共振方式とは、電流共振コンデンサＣｒと、トランスＴｒ０の図示しない漏れインダクタンスと励磁インダクタンスによる直列共振を利用した方式である。また、図４に示す特許文献1に示されるように、誤差増幅器の出力電圧信号に応じてダミー抵抗に電流を流し、軽負荷時の出力電圧上昇を軽減させるアクティブダミー回路を備えた電源装置が開示されている。ここで図５（Ａ）は、アクティブダミー回路がない場合の特性図であり、図５（Ｂ）はアクティブダミー回路を備えて改善された特性図を示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平９－２６５３２８公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１のアクティブダミー回路を備えた電源装置は、出力電圧上昇が少なければ問題は少ないが、ダミー抵抗Ｒ２に流せる電流だけで電圧上昇を抑えることになり、電圧上昇の抑制効果はダミー抵抗値で決まってしまう。
アクティブダミー回路だけで電圧上昇抑制しようとすると、全負荷をここで背負うことになり、大きなロスとなり、実用的ではない。
アクティブダミー回路だけで電圧上昇抑制しようとすると、全負荷をここで背負うことになり、大きなロスとなり、実用的ではない。
【0006】
本発明は、ダミー負荷回路と出力電圧の上昇制限を兼用したＬＥＤ照明用電源装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様によれば、ＬＥＤ照明用電源装置であって、入力電圧から所定の出力電圧に変換するＤＣ／ＤＣコンバータと、前記ＤＣ／ＤＣコンバータは、出力端子間に接続されるＬＥＤ負荷に流れる電流を検出する電流検出部と、検出した電流値が所定の定電流値になるように制御を行う制御回路と、前記出力端子間にダミー負荷回路と、を備え、前記ダミー負荷回路は、アバランシェ特性を備えたＭＯＳＦＥＴとダミー抵抗の直列接続回路からなり、前記ＭＯＳＦＥＴと前記ダミー抵抗との接続点からツェナーダイオードを介して前記電流検出部の出力端子または入力端子に接続したことを特徴とする。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、ダミー負荷回路のＭＯＳＦＥＴのアバランシェ電圧を利用してダミー負荷抵抗の電圧上昇を検出し、その検出信号を定電流制御回路の信号に重畳して出力電圧の上昇を制限するので、定電圧制御回路の部品を削減できる。また、コストおよび部品実装面積を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の実施形態に係るＬＥＤ照明用電源装置の構成を示す回路図である。
【図3】本発明の実施形態に係るＬＥＤ照明用電源装置の応用例を示す。
【図4】従来技術の出力電圧上昇を軽減させるアクティブダミー回路を備えた電源回路を示す。
【発明を実施するための形態】
【0010】
次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【0011】
（実施形態）
図１は、ＬＥＤ照明用電源装置のＤＣ／ＤＣコンバータ１を示す回路図である。本実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ１は降圧型のバックコンバータからなり、スイッチング素子のＭＯＳＦＥＴ Ｑ１、リアクトルＬ１、平滑コンデンサＣ２、リアクトル電流の回生ダイオードＤ１の主要部品からなる。
詳しくは、スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路Ｃｏｎｔ１、制御回路Ｃｏｎｔ１の出力信号をハイサイドに接続されているＭＯＳＦＥＴ Ｑ１へゲート信号を駆動するためのレベルシフト回路ＬＶ１、およびゲートドライバＢＦ１、ＬＥＤ負荷に流れる電流を検出するためのＬＥＤ電流検出回路１２、出力電圧検出回路１１、ダミー負荷回路１０およびツェナーダイオードＺＤから構成されている。また、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の出力端子には、複数のＬＥＤの列で構成されたＬＥＤ負荷ＬＥＤ１が接続されている。
図１は、ＬＥＤ照明用電源装置のＤＣ／ＤＣコンバータ１を示す回路図である。本実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ１は降圧型のバックコンバータからなり、スイッチング素子のＭＯＳＦＥＴ Ｑ１、リアクトルＬ１、平滑コンデンサＣ２、リアクトル電流の回生ダイオードＤ１の主要部品からなる。
詳しくは、スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路Ｃｏｎｔ１、制御回路Ｃｏｎｔ１の出力信号をハイサイドに接続されているＭＯＳＦＥＴ Ｑ１へゲート信号を駆動するためのレベルシフト回路ＬＶ１、およびゲートドライバＢＦ１、ＬＥＤ負荷に流れる電流を検出するためのＬＥＤ電流検出回路１２、出力電圧検出回路１１、ダミー負荷回路１０およびツェナーダイオードＺＤから構成されている。また、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の出力端子には、複数のＬＥＤの列で構成されたＬＥＤ負荷ＬＥＤ１が接続されている。
【0012】
ＤＣ／ＤＣコンバータ１は直流電圧Ｅに接続され、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１をオンオフ制御することにより、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオン時に直流電圧Ｅ、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１、リアクトルＬ１、コンデンサＣ２の閉回路と、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオフ時にリアクトルＬ１、コンデンサＣ２、ダイオードＤ１の閉回路の経路を交互に形成し、直流電圧Ｅを降下させ出力電圧を得る。
ここで、本実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ１では、ＬＥＤ負荷ＬＥＤ１に流れる電流を定電流にするため、電流検出抵抗Ｒｃを含むＬＥＤ電流検出回路１２をＧＮＤ側に備え、所定の電流が流れるようにＬＥＤ電流検出回路１２の出力信号をダイオード３を介して制御回路Ｃｏｎｔ１へ送出する。ＬＥＤ電流検出回路１２は、オペアンプＯＰ１、基準電圧Ｖｒｅｆ、検出抵抗Ｒｃからなる。オペアンプＯＰ１の非反転端子は出力のＧＮＤ端子と抵抗Ｒｃの一方の端子に接続され、基準電圧Ｖｒｅｆの正極は反転端子に接続され、負極は抵抗Ｒｃの他方の端子に接続される。ＬＥＤ電流が流れる検出抵抗Ｒｃの電圧降下が基準電圧Ｖｒｅｆを超えるとオペアンプ出力から信号が出力され、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオンパルス信号を狭めるように制御回路Ｃｏｎｔ１は制御を行う。
ここで、本実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ１では、ＬＥＤ負荷ＬＥＤ１に流れる電流を定電流にするため、電流検出抵抗Ｒｃを含むＬＥＤ電流検出回路１２をＧＮＤ側に備え、所定の電流が流れるようにＬＥＤ電流検出回路１２の出力信号をダイオード３を介して制御回路Ｃｏｎｔ１へ送出する。ＬＥＤ電流検出回路１２は、オペアンプＯＰ１、基準電圧Ｖｒｅｆ、検出抵抗Ｒｃからなる。オペアンプＯＰ１の非反転端子は出力のＧＮＤ端子と抵抗Ｒｃの一方の端子に接続され、基準電圧Ｖｒｅｆの正極は反転端子に接続され、負極は抵抗Ｒｃの他方の端子に接続される。ＬＥＤ電流が流れる検出抵抗Ｒｃの電圧降下が基準電圧Ｖｒｅｆを超えるとオペアンプ出力から信号が出力され、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオンパルス信号を狭めるように制御回路Ｃｏｎｔ１は制御を行う。
【0013】
ダミー負荷回路１０は、出力端子間にあるコンデンサＣ２と並列に接続されている。ダミー負荷回路１０はアバランシェ電圧を備えるＭＯＳＦＥＴ Ｑ２の主端子とダミー抵抗Ｒｄの直列接続回路からなり、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のゲートは制御回路Ｃｏｎｔ１に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のソース端子とダミー抵抗Ｒｄとの接続点にツェナーダイオードＺＤのカソードが接続され、アノードはダイオードＤ２を介してＬＥＤ電流検出回路出力のダイオードＤ３のカソードにオア接続されて制御回路Ｃｏｎｔ１に接続されている。ダミー負荷回路１０は制御回路Ｃｏｎｔ１の制御信号に基づき、ダミー抵抗Ｒｄに流れる電流を制御する。
なお、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のアバランシェ電圧特性はコンデンサＣ２の耐圧以下が好ましく、最大サージ電圧以下が必須である。
なお、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のアバランシェ電圧特性はコンデンサＣ２の耐圧以下が好ましく、最大サージ電圧以下が必須である。
【0014】
出力電圧検出回路１１は、出力端子間に抵抗Ｒ１～Ｒ３の直列抵抗回路が接続され、負極に接続された抵抗Ｒ３の電圧を制御回路Ｃｏｎｔ１に入力する。本実施形態においては、制御回路Ｃｏｎｔ１の中にある基準値と抵抗Ｒ３の電圧を比較して、抵抗Ｒ３の電圧が基準値に達したときＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のスイッチング動作を停止させる過電圧保護を行う。
【0015】
ＬＥＤ負荷ＬＥＤ１を構成するＬＥＤ直列数により、ＬＥＤ順方向電圧が左右される。従って、図２に示すように複数の種類のＬＥＤ負荷を接続することを想定すると、ＬＥＤ（列）の個数により出力電圧はＶＬ～ＶＨまで許容電圧を網羅する必要がある。
ＤＣ／ＤＣコンバータ１は定電流制御であるが、出力電圧が低くなった分だけ出力電力は低下するので、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオンパルス信号は出力電圧ＶＬ～ＶＨの比率で増減することになる。特に設定された定電流値が小さい場合には、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオンパルス信号を駆動可能な最小パルス幅を下回るケースがでて、間欠発振動作となり、安定した定電流の制御ができなくなる。
ここで、出力電圧がＶＬ寄りの低電圧側の場合に、ダミー負荷回路１０のダミー電流を増加させてＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオンパルス信号を最小パルス幅以上に確保させればよく、出力電圧検出回路１１の検出信号に基づき、制御回路Ｃｏｎｔ１からＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のゲート電圧信号を出力して、ダミー電流が出力電圧上昇に反して減少するように制御させる。
一例として、図２にダミー負荷抵抗Ｒｄの電圧降下特性を示す。（出力電圧のＶＬ～ＶＨの範囲を参照。）このような特性を持たせることで、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の効率を良好に保てることができる。
ＤＣ／ＤＣコンバータ１は定電流制御であるが、出力電圧が低くなった分だけ出力電力は低下するので、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオンパルス信号は出力電圧ＶＬ～ＶＨの比率で増減することになる。特に設定された定電流値が小さい場合には、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオンパルス信号を駆動可能な最小パルス幅を下回るケースがでて、間欠発振動作となり、安定した定電流の制御ができなくなる。
ここで、出力電圧がＶＬ寄りの低電圧側の場合に、ダミー負荷回路１０のダミー電流を増加させてＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のオンパルス信号を最小パルス幅以上に確保させればよく、出力電圧検出回路１１の検出信号に基づき、制御回路Ｃｏｎｔ１からＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のゲート電圧信号を出力して、ダミー電流が出力電圧上昇に反して減少するように制御させる。
一例として、図２にダミー負荷抵抗Ｒｄの電圧降下特性を示す。（出力電圧のＶＬ～ＶＨの範囲を参照。）このような特性を持たせることで、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の効率を良好に保てることができる。
【0016】
次に、ＤＣ／ＤＣコンバータ１とＬＥＤ負荷ＬＥＤ１との接続不良、あるいはＬＥＤ負荷ＬＥＤ１の開放、またはＬＥＤ負荷ＬＥＤ１内のＬＥＤがインピーダンスを持つ障害が発生した場合において、過電圧保護で停止させずに所定の出力電圧に抑えたいケースがある。（ＤＣ／ＤＣコンバータ1の故障が原因ではない、出力電圧上昇のケース。）
従来では、定電圧制御回路を用意して、過電圧保護の検出電圧より低い所定の出力電圧に設定していた。しかし、出力電圧検出回路１１およびオペアンプなどの構成部品が必要になり、コストおよび部品実装において基板面積を占有するなどの問題がある。
ここで、本実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ１では、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のソース端子とダミー抵抗Ｒｄとの接続点にツェナーダイオードＺＤのカソードが接続され、アノードはダイオードＤ２を介してＬＥＤ電流検出回路出力のダイオードＤ３のカソードにオア接続されて制御回路Ｃｏｎｔ１に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のアバランシェ電圧特性は過電圧保護の検出電圧より低い値に選定され、上記原因で出力電圧が上昇したときに、図２に示すアバランシェ電流によるダミー抵抗Ｒｄの電圧降下がツェナーダイオードＤＺのツェナー電圧を超えるとダイオードＤ２を介して制御回路Ｃｏｎｔ１へ信号を送出し、出力電圧をＶＢ電圧で抑制させる。
すなわち、ツェナーダイオードＤＺとダイオードＤ２の追加で定電圧制御回路の代替えをすることが可能である。従い、コスト、部品点数、実装面積を削減できる。
従来では、定電圧制御回路を用意して、過電圧保護の検出電圧より低い所定の出力電圧に設定していた。しかし、出力電圧検出回路１１およびオペアンプなどの構成部品が必要になり、コストおよび部品実装において基板面積を占有するなどの問題がある。
ここで、本実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ１では、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のソース端子とダミー抵抗Ｒｄとの接続点にツェナーダイオードＺＤのカソードが接続され、アノードはダイオードＤ２を介してＬＥＤ電流検出回路出力のダイオードＤ３のカソードにオア接続されて制御回路Ｃｏｎｔ１に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のアバランシェ電圧特性は過電圧保護の検出電圧より低い値に選定され、上記原因で出力電圧が上昇したときに、図２に示すアバランシェ電流によるダミー抵抗Ｒｄの電圧降下がツェナーダイオードＤＺのツェナー電圧を超えるとダイオードＤ２を介して制御回路Ｃｏｎｔ１へ信号を送出し、出力電圧をＶＢ電圧で抑制させる。
すなわち、ツェナーダイオードＤＺとダイオードＤ２の追加で定電圧制御回路の代替えをすることが可能である。従い、コスト、部品点数、実装面積を削減できる。
【0017】
（実施形態の応用例）
図３は、図１に示す本実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ１の応用例である。応用例のＤＣ／ＤＣコンバータ１ａが異なる部分は、ダミー負荷回路１１に接続されたツェナーダイオードＺＤのアノードをＬＥＤ電流検出回路１２ａの入力端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のアバランシェ動作時の信号を重畳するように変更したものである。接続箇所が異なるだけで、動作に変更はなく、同じ効果を得られる。
図３は、図１に示す本実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ１の応用例である。応用例のＤＣ／ＤＣコンバータ１ａが異なる部分は、ダミー負荷回路１１に接続されたツェナーダイオードＺＤのアノードをＬＥＤ電流検出回路１２ａの入力端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のアバランシェ動作時の信号を重畳するように変更したものである。接続箇所が異なるだけで、動作に変更はなく、同じ効果を得られる。
【0018】
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び
図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様
々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。即ち、本発明はここでは記載
していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲
は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるもの
である。
例えば、入力電圧遮断時に出力電圧の残留電圧を安全電圧以下に放電させるために、ダミー負荷回路のＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のゲート端子と出力の正極端子間に抵抗を接続して、電源断時に制御回路が動作停止した後の放電回路を構成してもよい。
図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様
々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。即ち、本発明はここでは記載
していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲
は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるもの
である。
例えば、入力電圧遮断時に出力電圧の残留電圧を安全電圧以下に放電させるために、ダミー負荷回路のＭＯＳＦＥＴ Ｑ２のゲート端子と出力の正極端子間に抵抗を接続して、電源断時に制御回路が動作停止した後の放電回路を構成してもよい。
【符号の説明】
【0019】
１、１a ＬＥＤ照明用電源装置
１０ ダミー負荷回路
１１ 出力電圧検出回路
１２、１２ａ ＬＥＤ電流検出回路
ＢＦ１ ゲートドライバ
Ｃ１、Ｃ２ コンデンサ
Ｃｏｎｔ１ 制御回路
Ｄ１～Ｄ３ ダイオード
Ｅ 入力電圧
Ｌ１ リアクトル
ＬＥＤ１ ＬＥＤ負荷
ＬＶ１ レベルシフト回路
ＯＰ１ オペアンプ
Ｑ１、Ｑ２ ＭＯＳＦＥＴ
Ｒ１～Ｒ４、Ｒｄ、Ｒｃ 抵抗
Ｖｒｅｆ 基準電圧
ＺＤ ツェナーダイオード
１０ ダミー負荷回路
１１ 出力電圧検出回路
１２、１２ａ ＬＥＤ電流検出回路
ＢＦ１ ゲートドライバ
Ｃ１、Ｃ２ コンデンサ
Ｃｏｎｔ１ 制御回路
Ｄ１～Ｄ３ ダイオード
Ｅ 入力電圧
Ｌ１ リアクトル
ＬＥＤ１ ＬＥＤ負荷
ＬＶ１ レベルシフト回路
ＯＰ１ オペアンプ
Ｑ１、Ｑ２ ＭＯＳＦＥＴ
Ｒ１～Ｒ４、Ｒｄ、Ｒｃ 抵抗
Ｖｒｅｆ 基準電圧
ＺＤ ツェナーダイオード
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
