特開 2022-106602 温度検出装置、温度検出システム、表示装置及びヘッドアップディスプレイ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022106602

(43)【公開日】2022-07-20

(54)【発明の名称】温度検出装置、温度検出システム、表示装置及びヘッドアップディスプレイ

(51)【国際特許分類】

   G01K 7/25 20060101AFI20220712BHJP

   G02B 27/01 20060101ALI20220712BHJP

   B60K 35/00 20060101ALI20220712BHJP

   G01K 1/14 20210101ALI20220712BHJP

   G01K 7/16 20060101ALI20220712BHJP

【ＦＩ】

G01K7/25 D

G02B27/01

B60K35/00 A

G01K1/14 L

G01K7/16 M

G01K7/16 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021001717

(22)【出願日】2021-01-07

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】高畑 昌志

【テーマコード（参考）】

2F056

2H199

3D344

【Ｆターム（参考）】

2F056CL07

2F056RD01

2F056RD05

2F056RD10

2H199DA02

2H199DA13

2H199DA15

2H199DA17

2H199DA48

3D344AA08

3D344AA27

3D344AC25

3D344AD13

(57)【要約】

【課題】温度検出機能を設けることによるコストの上昇を抑制することができる温度検出装置、温度検出システム、表示装置及びヘッドアップディスプレイを提供する。
【解決手段】温度検出装置１０は、温度検出領域ＳＡに設けられた温度検出用抵抗素子ＥＲを含む複数の温度センサと、複数の温度検出用抵抗素子ＥＲごとの固有情報が格納された記憶部５０と、を備える。温度検出用抵抗素子ＥＲは、温度検出領域ＳＡの複数の部分温度検出領域ＰＡごとに設けられている。外部に設けられた制御装置１００が、記憶部５０に格納された固有情報を読み出し、当該固有情報と、温度センサから出力される出力電位Ｖｏｕｔと、に基づき、温度検出領域ＳＡにおける複数の部分温度検出領域ＰＡごとの温度検出を行う。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

温度検出領域に設けられた温度検出用抵抗素子を含む複数の温度センサと、
複数の前記温度検出用抵抗素子ごとの固有情報が格納された記憶部と、
を備え、
前記温度検出用抵抗素子は、前記温度検出領域の複数の部分温度検出領域ごとに設けられ、
外部に設けられた制御装置が、前記記憶部に格納された前記固有情報を読み出し、当該固有情報と、前記温度センサから出力される出力電位と、に基づき、前記温度検出領域における複数の前記部分温度検出領域ごとの温度検出を行う、
温度検出装置。

【請求項2】

複数の前記温度センサは、
前記温度検出用抵抗素子と、前記温度検出領域の外側の周辺領域に設けられた基準抵抗素子と、が電気的に直列接続され、
前記基準抵抗素子と前記温度検出用抵抗素子との接続点電位が、前記出力電位として出力される、
請求項１に記載の温度検出装置。

【請求項3】

前記固有情報は、複数の前記温度検出用抵抗素子ごとに異なる所定の係数を含む、
請求項２に記載の温度検出装置。

【請求項4】

複数の前記部分温度検出領域ごとに検出される温度ＴＰＡは、前記基準抵抗素子の抵抗値をＲｒｅｆ、前記温度センサの入力電位をＶｉｎ、前記出力電位をＶｏｕｔ、前記固有情報に含まれる第１係数をａ、前記固有情報に含まれる第２係数をｂとしたとき、下記（１）式で表される、
請求項３に記載の温度検出装置。
ＴＰＡ＝［Ｒｒｅｆ／｛（Ｖｉｎ／Ｖｏｕｔ）－１｝］×ａ＋ｂ・・・（１）

【請求項5】

前記第１係数及び前記第２係数は、所定の第１温度ＴＰＡ１における前記温度センサの出力電位をＶｏｕｔ１、前記第１温度ＴＰＡ１とは異なる第２温度ＴＰＡ２における前記温度センサの出力電位をＶｏｕｔ２としたとき、下記（２）式及び下記（３）式を用いて算出される、
請求項４に記載の温度検出装置。
ＴＰＡ１＝［Ｒｒｅｆ／｛（Ｖｉｎ／Ｖｏｕｔ１）－１｝］×ａ＋ｂ・・・（２）
ＴＰＡ２＝［Ｒｒｅｆ／｛（Ｖｉｎ／Ｖｏｕｔ２）－１｝］×ａ＋ｂ・・・（３）

【請求項6】

複数の前記温度検出用抵抗素子のうち、前記制御装置に電気的に接続される温度検出用抵抗素子を選択するマルチプレクサを備える、
請求項１から５の何れか一項に記載の温度検出装置。

【請求項7】

前記マルチプレクサは、ロジックＩＣで構成されている、
請求項６に記載の温度検出装置。

【請求項8】

前記マルチプレクサは、複数の前記温度検出用抵抗素子が設けられる基材に構成されたＴＦＴスイッチ回路である、
請求項６に記載の温度検出装置。

【請求項9】

温度検出領域に設けられた温度検出用抵抗素子を含む複数の温度センサと、
複数の前記温度検出用抵抗素子ごとの固有情報が格納された記憶部と、
を備え、
前記温度検出用抵抗素子は、前記温度検出領域の複数の部分温度検出領域ごとに設けられた温度検出装置と、
前記記憶部に格納された前記固有情報を読み出し、当該固有情報と、前記温度センサから出力される出力電位と、に基づき、前記温度検出領域における複数の前記部分温度検出領域ごとの温度検出を行う制御回路と、
を備える、
温度検出システム。

【請求項10】

複数の前記温度センサは、
前記温度検出用抵抗素子と、前記温度検出領域の外側の周辺領域に設けられた基準抵抗素子と、が電気的に直列接続され、
前記基準抵抗素子と前記温度検出用抵抗素子との接続点電位が、前記出力電位として出力される、
請求項９に記載の温度検出システム。

【請求項11】

前記固有情報は、複数の前記温度検出用抵抗素子ごとに異なる所定の係数を含む、
請求項１０に記載の温度検出システム。

【請求項12】

複数の前記部分温度検出領域ごとに検出される温度ＴＰＡは、前記基準抵抗素子の抵抗値をＲｒｅｆ、前記温度センサの入力電位をＶｉｎ、前記出力電位をＶｏｕｔ、前記固有情報に含まれる第１係数をａ、前記固有情報に含まれる第２係数をｂとしたとき、下記（４）式で表される、
請求項１１に記載の温度検出システム。
ＴＰＡ＝［Ｒｒｅｆ／｛（Ｖｉｎ／Ｖｏｕｔ）－１｝］×ａ＋ｂ・・・（４）

【請求項13】

前記第１係数及び前記第２係数は、所定の第１温度ＴＰＡ１における前記温度センサの出力電位をＶｏｕｔ１、前記第１温度ＴＰＡ１とは異なる第２温度ＴＰＡ２における前記温度センサの出力電位をＶｏｕｔ２としたとき、下記（５）式及び下記（６）式を用いて算出される、
請求項１２に記載の温度検出システム。
ＴＰＡ１＝［Ｒｒｅｆ／｛（Ｖｉｎ／Ｖｏｕｔ１）－１｝］×ａ＋ｂ・・・（５）
ＴＰＡ２＝［Ｒｒｅｆ／｛（Ｖｉｎ／Ｖｏｕｔ２）－１｝］×ａ＋ｂ・・・（６）

【請求項14】

複数の前記温度検出用抵抗素子のうち、前記制御回路に電気的に接続される温度検出用抵抗素子を選択するマルチプレクサを備える、
請求項９から１３の何れか一項に記載の温度検出システム。

【請求項15】

前記マルチプレクサは、ロジックＩＣで構成されている、
請求項１４に記載の温度検出システム。

【請求項16】

前記マルチプレクサは、複数の前記温度検出用抵抗素子が設けられる基材に構成されたＴＦＴスイッチ回路である、
請求項１４に記載の温度検出システム。

【請求項17】

画像を表示する表示パネルと、
請求項１から８のいずれか一項に記載の温度検出装置と、を備え、
前記温度検出装置は、前記表示パネルと重なるよう配置される、
表示装置。

【請求項18】

前記温度検出領域は、前記表示パネルで画像が表示される表示領域と重なるよう配置される、
請求項１７に記載の表示装置。

【請求項19】

画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルの表示面に重ねて配置される温度検出装置と、を備え、
前記温度検出装置は、
温度検出領域に設けられた温度検出用抵抗素子を含む複数の温度センサと、
複数の前記温度検出用抵抗素子ごとの固有情報が格納された記憶部と、
を備え、
前記温度検出用抵抗素子は、前記温度検出領域の複数の部分温度検出領域ごとに設けられ、
外部に設けられた制御装置が、前記記憶部に格納された前記固有情報を読み出し、当該固有情報と、前記温度センサから出力される出力電位と、に基づき、前記温度検出領域における複数の前記部分温度検出領域ごとの温度検出を行う、
ヘッドアップディスプレイ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、温度検出装置、温度検出システム、表示装置及びヘッドアップディスプレイに関する。

【背景技術】

【0002】

ガラス等の透光性を有する部材に対して画像を投影する所謂ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ：Head Up Display）が知られている（例えば、特許文献１）。

【0003】

特許文献１の技術によると、太陽の光が光学系を介して表示装置に入射することがある。光学系により集光された太陽の光が表示装置に当たると、光が当たった場所が高温になって表示装置に悪影響を与えることがある。温度検出素子として設けられた電極の電気抵抗値の変化に基づいて温度を特定する温度情報取得方法が知られている（例えば特許文献２）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１５－２１０３２８号公報

【特許文献2】特開２０１５－２００７２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

単に温度検出機能を表示装置に追加した場合、表示出力機能に対応する回路と温度検出機能に対応する回路とが別個で設けられ、それぞれに配線が接続される。さらに、温度上昇に対応した表示制御を行うため、表示出力機能に対応する回路と温度検出機能に対応する回路との間での信号伝送経路も必要になる。従って、このような表示装置には、回路及び配線の増大による複雑化や配線基板の高コスト化が生じる。

【0006】

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、温度検出機能を設けることによるコストの上昇を抑制することができる温度検出装置、温度検出システム、表示装置及びヘッドアップディスプレイを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一態様に係る温度検出装置は、温度検出領域に設けられた温度検出用抵抗素子を含む複数の温度センサと、複数の前記温度検出用抵抗素子ごとの固有情報が格納された記憶部と、を備え、前記温度検出用抵抗素子は、前記温度検出領域の複数の部分温度検出領域ごとに設けられ、外部に設けられた制御装置が、前記記憶部に格納された前記固有情報を読み出し、当該固有情報と、前記温度センサから出力される出力電位と、に基づき、前記温度検出領域における複数の前記部分温度検出領域ごとの温度検出を行う。

【0008】

本発明の一態様に係る温度検出システムは、温度検出領域に設けられた温度検出用抵抗素子を含む複数の温度センサと、複数の前記温度検出用抵抗素子ごとの固有情報が格納された記憶部と、を備え、前記温度検出用抵抗素子は、前記温度検出領域の複数の部分温度検出領域ごとに設けられた温度検出装置と、前記記憶部に格納された前記固有情報を読み出し、当該固有情報と、前記温度センサから出力される出力電位と、に基づき、前記温度検出領域における複数の前記部分温度検出領域ごとの温度検出を行う制御回路と、を備える。

【0009】

本発明の一態様に係る表示装置は、画像を表示する表示パネルと、上述の温度検出装置と、を備え、前記温度検出装置は、前記表示パネルと重なるよう配置される。

【0010】

本発明の一態様に係るヘッドアップディスプレイは、画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルの表示面に重ねて配置される温度検出装置と、を備え、前記温度検出装置は、温度検出領域に設けられた温度検出用抵抗素子を含む複数の温度センサと、複数の前記温度検出用抵抗素子ごとの固有情報が格納された記憶部と、を備え、前記温度検出用抵抗素子は、前記温度検出領域の複数の部分温度検出領域ごとに設けられ、外部に設けられた制御装置が、前記記憶部に格納された前記固有情報を読み出し、当該固有情報と、前記温度センサから出力される出力電位と、に基づき、前記温度検出領域における複数の前記部分温度検出領域ごとの温度検出を行う。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、ＨＵＤ装置を模式的に説明する説明図である。

【図2】図２は、実施形態１に係る温度検出装置の主要構成及び制御装置を示す模式図である。

【図3】図３は、実施形態１に係る温度検出装置の温度センサの構成図である。

【図4】図４は、実施形態１に係る温度検出装置において、温度検出を行うための制御装置の一構成例を示すブロック図である。

【図5】図５は、実施形態１に係る温度検出装置における温度検出処理の一例を示すフローチャートである。

【図6】図６は、実施形態１に係る温度検出装置の記憶部に格納された固有情報の一例を示す図である。

【図7】図７は、固有情報の導出処理の一例を示すフローチャートである。

【図8】図８は、表示パネルにおける表示領域と温度検出領域との位置関係を説明する平面視図である。

【図9】図９は、実施形態２に係る温度検出装置の主要構成及び制御装置を示す模式図である。

【図10】図１０は、実施形態２の変形例に係る温度検出装置の主要構成及び制御装置を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0013】

（実施形態１）
図１は、ＨＵＤ装置１を模式的に説明する説明図である。ＨＵＤ装置１は、光源部６、拡散板９、表示パネル２、表示パネル２からの画像を拡大して投影板ＷＳへ投影する光学系ＲＭと、を備える。

【0014】

筐体４は、光源装置として機能する光源部６、光源部６からの光Ｌを光源として画像を出力する表示パネル２、表示パネル２と光源部６との間に設けられる拡散板９と、光学系ＲＭと、温度検出装置１０と、を収容する。

【0015】

光源部６から発せられた光Ｌは、拡散板９により拡散されて表示パネル２を経ることで一部又は全部が透過し、画像の光となる。実施形態１のＨＵＤ装置１では、ミラー部材ＲＭ１と、ミラー部材ＲＭ２と、を含む光学系ＲＭは、表示パネル２を通った後の光Ｌを投影板ＷＳへ導いている。ミラー部材ＲＭ１は、平面鏡であり、ミラー部材ＲＭ２は、凹面鏡である。ミラー部材ＲＭ１は、凹面鏡であってもよい。また、ミラー部材ＲＭ２は、平明鏡であってもよい。光学系ＲＭはこれに限られず、光学系ＲＭが、ミラー部材の枚数は１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

【0016】

光学系ＲＭを通過した画像の光は、投影板ＷＳにより反射されてユーザＨに到達することで、ユーザＨの視界内で画像ＶＩとして認識される。すなわち、実施形態１のＨＵＤ装置１は、投影板ＷＳへ画像を投影する表示システムとして機能する。投影板ＷＳは、ユーザＨの視線上に位置する透光性を有する部材であればよい。投影板ＷＳは、例えば車両のフロントガラス、ウインドシールド、またはフロントガラスとは別体に設けられたコンバイナーと呼ばれる透光性の板部材である。

【0017】

図１に示すように、ＨＵＤ装置１には、太陽ＳＵＮの相対位置によっては、太陽光ＬＬが筐体４の開口４Ｓに入射することがある。太陽光ＬＬは、光学系ＲＭに導かれ、表示パネル２に向かって集光することがある。集光された太陽の光は、動作中の表示パネル２に異常を生じさせてさせる可能性があるため、表示領域の部分的な温度状態を検出することが望まれている。

【0018】

そこで、実施形態１では、表示パネル２に対してミラー部材ＲＭ１側に温度検出装置１０が設けられている。図１に示すように、温度検出装置１０は、光学系ＲＭに導かれ、表示パネル２に向かって集光した光を表示パネル２のミラー部材ＲＭ１側で受けられるよう配置されている。温度検出装置１０は、当該温度検出装置１０の表面温度を検出可能に設けられている。従って、実施形態では、光学系ＲＭに導かれ、表示パネル２に向かって集光した光により生じる温度変化を温度検出装置１０によって検出できる。例えば高温部に光源部６からの光が照射しないようにする、あるいは高温部の表示動作をオフにするなど、温度検出装置１０に生じた温度変化に基づいて表示パネル２や光源部６の動作を制御するようにすることで、表示パネル２による表示出力品質の劣化を抑制できる。

【0019】

なお、温度検出装置１０は、表示パネル２と離隔していてもよいし、表示パネル２に当接あるいは接着していてもよい。また、温度検出装置１０は、表示パネル２と一体的に設けられてもよい。

【0020】

図２は、実施形態１に係る温度検出装置の主要構成及び制御装置を示す模式図である。図２に示すように、温度検出装置１０は、センサ基材２０と、センサ部４０と、記憶部５０と、を有する。温度検出装置１０は、制御装置１００が電気的に接続される。

【0021】

センサ基材２０は、温度検出領域ＳＡと、周辺領域ＧＡとを有する。温度検出領域ＳＡは、温度検出領域ＳＡは、複数の部分温度検出領域ＰＡを含む。複数の部分温度検出領域ＰＡは、それぞれ、センサ部４０が有する複数の温度検出用抵抗素子ＥＲが設けられた領域である。図２では、第１方向Ｄｘに５つの部分温度検出領域ＰＡが並び、第２方向Ｄｙに３つ部分温度検出領域ＰＡが並ぶ計１５の部分温度検出領域ＰＡを例示しているが、部分温度検出領域ＰＡの数はこれに限定されない。例えば、第１方向Ｄｘに４つの部分温度検出領域ＰＡが並び、第２方向Ｄｙに３つ部分温度検出領域ＰＡが並ぶ計１２の部分温度検出領域ＰＡを形成する構成も採用可能である。

【0022】

なお、第１方向Ｄｘは、センサ基材２０と平行な面内の一方向である。第２方向Ｄｙは、センサ基材２０と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。また、第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向であり、センサ基材２０の法線方向である。

【0023】

温度検出用抵抗素子ＥＲは、合金、金属を含む化合物（金属化合物）又は金属を素材とした電気抵抗である。抵抗素子ＥＲは、金属、合金、金属化合物の少なくとも１つに該当する素材が複数種類積層された積層体であってもよい。実施形態１の説明で合金等と記載した場合、抵抗素子ＥＲの組成として採用され得る素材をさす。図２に示す例では、温度検出用抵抗素子ＥＲは、長辺が第２方向Ｄｙに沿うＬ字状の配線が第１方向Ｄｘに複数接続された態様である。当該態様では、第１方向Ｄｘに隣接する２つのＬ字状の配線の各々の短辺が第２方向Ｄｙに互い違いになるよう、複数のＬ字状の配線が接続されて温度検出用抵抗素子ＥＲの形態が形成されている。

【0024】

周辺領域ＧＡは、温度検出領域ＳＡの外周と、センサ基材２０の端部との間の領域であり、温度検出用抵抗素子ＥＲが設けられない領域である。周辺領域ＧＡには、複数の基準抵抗素子４１及び記憶部５０が設けられている。部分温度検出領域ＰＡに設けられた温度検出用抵抗素子ＥＲと、周辺領域ＧＡに設けられた基準抵抗素子４１とで、後述する温度センサが構成される。

【0025】

記憶部５０は、例えばフラッシュメモリ等の書き換え可能な不揮発性メモリである。記憶部５０には、各部分温度検出領域ＰＡに設けられた温度検出用抵抗素子ＥＲごとの固有情報が記憶される。記憶部５０に格納される固有情報とは、具体的には、温度検出用抵抗素子ＥＲごとに異なる電気的な特性を示す固有値である。温度検出用抵抗素子ＥＲは、一定の温度環境下における抵抗値がばらつきによりそれぞれ異なることがあり、また、温度変化に対する抵抗値の変化率が異なることがある。従って、本開示の温度検出装置１０において、温度検出領域ＳＡの各部分温度検出領域ＰＡの温度検出を行う際には、温度検出用抵抗素子ＥＲごとに異なる電気的な特性ばらつきを補償する必要がある。

【0026】

制御装置１００は、センサ部４０、及び記憶部５０に制御信号を供給して、温度検出装置１０の検出動作を制御する。また、制御装置１００は、表示パネル２や光源部６に制御信号を供給して、表示パネル２における表示動作や光源部６の点灯又は非点灯を制御する態様であっても良い。

【0027】

図３は、実施形態１に係る温度検出装置の温度センサの構成図である。図３では、部分温度検出領域ＰＡの数Ｍ（図２に示す例では、Ｍ＝１５）のうち、ｍ（ｍは、１からＭの整数）の部分温度検出領域ＰＡに対応する温度センサＳＥＮＳ（ｍ）を例示している。

【0028】

図３に示すように、実施形態１に係る温度検出装置１０の温度センサＳＥＮＳ（ｍ）は、制御装置１００から入力された入力電位Ｖｉｎと基準電位ＧＮＤとの間に、基準抵抗素子４１と温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）とが電気的に直列接続されて構成される。温度センサＳＥＮＳ（ｍ）は、温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）の体積抵抗率に応じた出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）を出力する。換言すれば、温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）と基準抵抗素子４１との接続点電位が、温度センサＳＥＮＳ（ｍ）の出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）として出力される。

【0029】

温度センサＳＥＮＳ（ｍ）において、入力電位Ｖｉｎに応じて生じた電流が基準電位ＧＮＤに流れようとするが、温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）の体積抵抗率に応じて当該電流の基準電位ＧＮＤへの流れが阻まれることで、制御装置１００に向かう電流が生じる。この制御装置１００に向かった電流が、出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）を生じさせる。すなわち、温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）の体積抵抗率が高い程、出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）が高くなる。

【0030】

基準抵抗素子４１の抵抗値をＲｒｅｆ、温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）の抵抗値をＲｅ（ｍ）とすると、温度センサＳＥＮＳ（ｍ）の出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）は、下記（１）式で表される。

【0031】

Ｖｏｕｔ（ｍ）＝［Ｒｅ（ｍ）／｛Ｒｅ（ｍ）＋Ｒｒｅｆ｝］×Ｖｉｎ・・・（１）

【0032】

このとき、温度センサＳＥＮＳ（ｍ）によって検出される温度ＴＰＡ（ｍ）は、下記（２）式で表される。

【0033】

ＴＰＡ（ｍ）＝［Ｒｒｅｆ／｛（Ｖｉｎ／Ｖｏｕｔ（ｍ））－１）｝］×ａ（ｍ）＋ｂ（ｍ）・・・（２）

【0034】

上記（２）式において、第１係数ａ（ｍ）及び第２係数ｂ（ｍ）は、温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）の電気的な特性ばらつきを補償するための固有値であり、温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）ごとに異なる値となる。従って、制御装置１００は、温度センサＳＥＮＳ（ｍ）によって検出される各部分温度検出領域ＰＡの温度を算出する際、温度センサＳＥＮＳ（ｍ）の温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）ごとに、換言すれば、各部分温度検出領域ＰＡから出力される出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）ごとに、それぞれ異なる各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を適用する必要がある。

【0035】

本開示では、各部分温度検出領域ＰＡに設けられた温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）ごとの固有情報として、各温度センサＳＥＮＳ（ｍ）から出力される出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）に対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を記憶部５０に格納している。制御装置１００は、記憶部５０にアクセスして、各温度センサＳＥＮＳ（ｍ）から出力される出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）に対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を読み出し、温度検出領域ＳＡにおける各部分温度検出領域ＰＡの温度を算出する。以下、温度検出領域ＳＡの各部分温度検出領域ＰＡの温度算出処理を行う構成及び温度算出処理について説明する。

【0036】

図４は、実施形態１に係る温度検出装置において、温度検出を行うための制御装置の一構成例を示すブロック図である。図４に示すように、制御装置１００は、制御回路１１０と、電源回路１２０と、を含む。実施形態１に係る温度検出装置１０と、制御回路１１０と、を組み合わせた構成は、本開示における「温度検出システム」に対応する。

【0037】

制御回路１１０は、例えば、所謂１チップＩＣ（Integrated Circuit）としてパッケージングされた温度検出制御用ＩＣで構成される。また、制御回路１１０は、例えば、複数のＩＣで構成される態様であっても良い。

【0038】

制御回路１１０は、温度検出回路８０と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）８４と、バス８５と、ＲＯＭ（Read Only Memory）８６と、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）８７と、ＲＡＭ（Random Access Memory）８８と、ＧＰＩＯ（General Purpose Input Output）８９と、を有する。温度検出回路８０は、フィルタ８１と、増幅回路８２と、Ａ／Ｄ変換回路８３と、を含む。

【0039】

フィルタ８１は、温度検出装置１０の各部分温度検出領域ＰＡから出力される出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）からノイズを消去するフィルタ回路である。増幅回路８２は、フィルタ８１によってノイズが処理された出力電位を増幅する。Ａ／Ｄ変換回路８３は、増幅回路８２によって増幅されたアナログの出力電位をデジタル信号に変換する。

【0040】

ＣＰＵ８４は、Ａ／Ｄ変換回路８３によって生成されたデジタル信号に基づいた処理等、制御回路１１０が各種の演算処理を行う。

【0041】

バス８５は、Ａ／Ｄ変換回路８３から出力されるデジタル信号をＣＰＵ８４に伝送する等、制御回路１１０内における各種のデジタル信号の伝送経路として機能する。Ａ／Ｄ変換回路８３、ＣＰＵ８４、バス８５、ＲＯＭ８６、ＥＥＰＲＯＭ８７、ＲＡＭ８８、及びＧＰＩＯ８９は、バス８５と接続される。

【0042】

ＲＯＭ８６は、プログラム等を書き換え不能に記憶する。プログラム等とは、ＣＰＵ８４が行う処理に際して読み出されるソフトウェア・プログラム及び当該ソフトウェア・プログラムの実行に伴い参照されるデータを指す。ＥＥＰＲＯＭ８７は、プログラム等を書き換え可能に記憶する。ＲＡＭ８８は、ＣＰＵ８４によるプログラム等の実行処理に伴い生じる各種のデータやパラメータを一時的に記憶する。

【0043】

ＧＰＩＯ８９は、バス８５を介して行われるＣＰＵ８４等からの出力に対応して外部に信号を伝送する。

【0044】

電源回路１２０は、温度検出装置１０のセンサ部４０に入力電位Ｖｉｎを供給する回路である。これにより、図３に示す温度センサＳＥＮＳ（ｍ）に入力電位Ｖｉｎと基準電位ＧＮＤとの電位差が印加される。また、電源回路１２０は、温度検出装置１０の記憶部５０に電源を供給する。

【0045】

上述したような構成において、制御回路１１０は、温度検出装置１０の記憶部５０や外部の上位制御装置２００との間で通信を行う。温度検出装置１０の記憶部５０や外部の上位制御装置２００との間で行う通信のプロトコルやインタフェース等により本開示が限定されるものではない。

【0046】

以下、実施形態１に係る温度検出装置１０を用いた、制御装置１００における温度検出処理について説明する。

【0047】

図５は、実施形態１に係る温度検出装置における温度検出処理の一例を示すフローチャートである。図６は、実施形態１に係る温度検出装置の記憶部に格納された固有情報の一例を示す図である。

【0048】

図５に示す温度検出処理の前提条件として、温度検出装置１０の記憶部５０には、例えば、図６に示す固有情報が格納されている。具体的には、図６に示すように、記憶部５０は、上記（２）式において用いる各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）が予め各部分温度検出領域ＰＡに設けられた温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）ごとの固有情報として格納されている。

【0049】

まず、制御装置１００は、温度検出処理が開始されたか否かを判定する（ステップＳ１０１）。制御装置１００は、温度検出処理が開始されていない場合（ステップＳ１０１；Ｎｏ）、温度検出処理が開始されるまで（ステップＳ１０１；Ｙｅｓ）、ステップＳ１０１の処理を繰り返す。なお、温度検出処理の開始は、例えば、上位制御装置２００から温度検出開始指令が入力される態様であっても良いし、例えば、制御装置１００が温度検出処理を開始するトリガー（例えば、タイマー）を有する態様であっても良い。また、図５に示す温度検出処理は、制御装置１００における各種処理に対して割り込み処理として実施する態様であっても良い。

【0050】

温度検出処理が開始されると（ステップＳ１０１；Ｙｅｓ）、温度検出装置１０の記憶部５０から、例えば図６に示す固有情報を読み出して取得する（ステップＳ１０２）。記憶部５０から読み出した固有情報は、例えば制御回路１１０のＲＡＭ８８に一時記憶される。

【0051】

制御装置１００の電源回路１２０は、温度検出装置１０のセンサ部４０に入力電位Ｖｉｎを供給する（ステップＳ１０３）。

【0052】

制御装置１００は、温度検出装置１０のセンサ部４０から出力された出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）を検出し（ステップＳ１０４）、当該出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）に対し、温度検出装置１０の記憶部５０から取得した固有情報を用いて、上記（２）式により温度センサＳＥＮＳ（ｍ）によって検出される温度ＴＰＡ（ｍ）を算出し（ステップＳ１０５）、算出した温度ＴＰＡ（ｍ）を、例えば制御回路１１０のＲＡＭ８８に一時記憶する（ステップＳ１０６）。

【0053】

制御装置１００は、温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する温度ＴＰＡ（ｍ）を記憶したか否かを判定する（ステップＳ１０７）。温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する温度ＴＰＡ（ｍ）を記憶していない場合（ステップＳ１０７；Ｎｏ）、制御装置１００は、温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する温度ＴＰＡ（ｍ）を記憶するまで（ステップＳ１０７；Ｙｅｓ）、ステップＳ１０４からステップＳ１０７の処理を繰り返す。

【0054】

温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する温度ＴＰＡ（ｍ）を記憶すると（ステップＳ１０７；Ｙｅｓ）、制御装置１００は、各部分温度検出領域ＰＡに対応する温度ＴＰＡ（ｍ）を用いて、表示パネル２及び光源部６に対する所定の制御を行い（ステップＳ１０８）、ステップＳ１０１の処理に戻る。表示パネル２に対する所定の制御としては、例えば、各部分温度検出領域ＰＡに対応する温度ＴＰＡ（ｍ）に応じて、複数の表示制御パターンの何れかを適用する態様であっても良い。また、光源部６に対する所定の制御としては、例えば、各部分温度検出領域ＰＡに対応する温度ＴＰＡ（ｍ）に応じて、複数の光源制御パターンの何れかを適用する態様であっても良い。各部分温度検出領域ＰＡに対応する温度ＴＰＡ（ｍ）に応じた表示パネル２及び光源部６の制御の態様により本開示が限定されるものではない。

【0055】

次に、図６に示す各部分温度検出領域ＰＡに設けられた温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）ごとの固有情報の導出方法について説明する。各部分温度検出領域ＰＡに設けられた温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）ごとの固有情報、すなわち、上記（２）式において用いる各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）は、例えば、実施形態１に係る温度検出装置１０の出荷前工程において設定され、記憶部５０に記憶される。

【0056】

図７は、固有情報の導出処理の一例を示すフローチャートである。

【0057】

図７に示す固有情報である温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）ごとの各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）の導出処理の前提条件として、実施形態１に係る温度検出装置１０に設定治具装置が接続される。設定治具装置の構成は、図４に示す制御装置１００の構成と同様であるので、以下の説明では、設定治具装置を制御装置１００に置き換えて、制御装置１００が図６に示す固有情報の導出処理を行う態様について説明する。

【0058】

図７に示す固有情報の導出処理は、上記（２）式における各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を変数として扱い、第１温度ＴＰＡ１環境下（具体的には、例えば２０℃環境下）において温度検出装置１０の各部分温度検出領域ＰＡから出力される出力電位Ｖｏｕｔ１（ｍ）、及び、第１温度ＴＰＡ１とは異なる第２温度ＴＰＡ２環境下（具体的には、例えば６０℃環境下）において温度検出装置１０の各部分温度検出領域ＰＡから出力される出力電位Ｖｏｕｔ２（ｍ）をそれぞれ上記（２）式に適用した下記（３）式及び下記（４）式を用いて各温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）に対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を算出し、当該算出した各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を、図６に示す固有情報として、記憶部５０に格納する。

【0059】

ＴＰＡ１（ｍ）＝［Ｒｒｅｆ／｛（Ｖｉｎ／Ｖｏｕｔ１（ｍ））－１｝］×ａ（ｍ）＋ｂ（ｍ）・・・（３）

【0060】

ＴＰＡ２（ｍ）＝［Ｒｒｅｆ／｛（Ｖｉｎ／Ｖｏｕｔ２（ｍ））－１｝］×ａ（ｍ）＋ｂ（ｍ）・・・（４）

【0061】

まず、制御装置１００は、第１温度ＴＰＡ１環境下において、温度検出装置１０の各部分温度検出領域ＰＡから出力される出力電位Ｖｏｕｔ１（ｍ）の検出処理を開始する（ステップＳ１）。

【0062】

制御装置１００の電源回路１２０は、温度検出装置１０のセンサ部４０に入力電位Ｖｉｎを供給する（ステップＳ２０１）。

【0063】

制御装置１００は、温度検出装置１０のセンサ部４０から出力された出力電位Ｖｏｕｔ１（ｍ）を検出し（ステップＳ２０２）、当該出力電位Ｖｏｕｔ１（ｍ）を、例えば制御回路１１０のＲＡＭ８８に一時記憶する（ステップＳ２０３）。

【0064】

制御装置１００は、温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する出力電位Ｖｏｕｔ１（ｍ）を記憶したか否かを判定する（ステップＳ２０４）。温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する出力電位Ｖｏｕｔ１（ｍ）を記憶していない場合（ステップＳ２０４；Ｎｏ）、制御装置１００は、温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する出力電位Ｖｏｕｔ１（ｍ）を記憶するまで（ステップＳ２０４；Ｙｅｓ）、ステップＳ２０２からステップＳ２０４の処理を繰り返す。

【0065】

温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する出力電位Ｖｏｕｔ１（ｍ）を記憶すると、続いて、制御装置１００は、第２温度ＴＰＡ２環境下において、温度検出装置１０の各部分温度検出領域ＰＡから出力される出力電位Ｖｏｕｔ２（ｍ）の検出処理を開始する（ステップＳ２）。

【0066】

制御装置１００の電源回路１２０は、温度検出装置１０のセンサ部４０に入力電位Ｖｉｎを供給する（ステップＳ３０１）。

【0067】

制御装置１００は、温度検出装置１０のセンサ部４０から出力された出力電位Ｖｏｕｔ２（ｍ）を検出し（ステップＳ３０２）、当該出力電位Ｖｏｕｔ２（ｍ）を、例えば制御回路１１０のＲＡＭ８８に一時記憶する（ステップＳ３０３）。

【0068】

制御装置１００は、温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する出力電位Ｖｏｕｔ２（ｍ）を記憶したか否かを判定する（ステップＳ３０４）。温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する出力電位Ｖｏｕｔ２（ｍ）を記憶していない場合（ステップＳ３０４；Ｎｏ）、制御装置１００は、温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する出力電位Ｖｏｕｔ２（ｍ）を記憶するまで（ステップＳ３０４；Ｙｅｓ）、ステップＳ３０２からステップＳ３０４の処理を繰り返す。

【0069】

温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する出力電位Ｖｏｕｔ２（ｍ）を記憶すると、続いて、制御装置１００は、各温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）に対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）の算出処理を開始する（ステップＳ３）。

【0070】

制御装置１００は、出力電位Ｖｏｕｔ１（ｍ）及び出力電位Ｖｏｕｔ２（ｍ）を読み出し（ステップＳ４０１）、上記（３）式及び上記（４）式を用いて、温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）に対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を算出し（ステップＳ４０２）、これらの各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を、例えば制御回路１１０のＲＡＭ８８に一時記憶する（ステップＳ４０３）。

【0071】

制御装置１００は、温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を記憶したか否かを判定する（ステップＳ４０４）。温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を記憶していない場合（ステップＳ４０４；Ｎｏ）、制御装置１００は、温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を記憶するまで（ステップＳ４０４；Ｙｅｓ）、ステップＳ４０１からステップＳ４０４の処理を繰り返す。

【0072】

温度検出領域ＳＡの全ての部分温度検出領域ＰＡに対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を記憶すると、制御装置１００は、温度検出装置１０の記憶部５０に各部分温度検出領域ＰＡに対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を、図６に示す固有情報として、記憶部５０に格納する（ステップＳ４０５）。

【0073】

続いて、制御装置１００は、固有情報の整合性確認処理を開始する（ステップＳ４）。

【0074】

制御装置１００は、記憶部５０に格納した固有情報を読み出し（ステップＳ５０１）、読み出した固有情報が正常であるか否かを判定する（ステップＳ５０２）。読み出した固有情報が正常である場合（ステップＳ５０２；Ｙｅｓ）、固有情報の導出処理を終了する。読み出した固有情報が正常でない場合（ステップＳ５０２；Ｎｏ）、制御装置１００は、ステップＳ１に戻り、上述した固有情報の導出処理を繰り返す。なお、ステップＳ４以降の固有情報の整合性確認処理では、例えば、制御回路１１０のＲＡＭ８８に一時記憶された各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）のデータと、記憶部５０に格納した固有情報の各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）のデータとが一致しているか否かを判定する態様であっても良い。記憶部５０に格納した固有情報の整合性確認手法により本開示が限定されるものではない。

【0075】

上述したように、本開示において、実施形態１に係る温度検出装置１０は、各部分温度検出領域ＰＡに設けられた温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）ごとの固有情報として、各温度センサＳＥＮＳ（ｍ）から出力される出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）に対応する各第１係数ａ（ｍ）及び各第２係数ｂ（ｍ）を格納する記憶部５０を有し、外部の制御装置１００が記憶部５０に格納された固有情報を読み出して、温度検出装置１０の温度検出領域ＳＡにおける各部分温度検出領域ＰＡごとの温度検出処理を行う構成としている。これにより、ＨＵＤ装置１に温度検出機能を設けることによるコストの上昇を抑制することができる。

【0076】

また、実施形態１に係る温度検出装置１０は、例えば不揮発性メモリで構成された記憶部５０の書き換えが可能であるので、適宜、記憶部５０に記憶された固有情報の変更や更新が可能である。これにより、温度検出装置１０の出荷後に固有情報の変更や更新が必要となった場合に、例えば、上述したように、制御装置１００によって固有情報を書き換える等、柔軟な対応が可能である。

【0077】

また、実施形態１に係る温度検出装置１０は、温度検出処理を行うときに、制御装置１００から入力電位Ｖｉｎや記憶部５０を構成する不揮発性メモリ等に電源を供給すれば良く、温度検出装置に制御回路１１０に相当する回路を搭載する場合よりも消費電力を削減することができる。また、制御回路１１０は、電源回路１２０から供給する入力電位Ｖｉｎを把握することで、温度検出処理において必要な出力電位Ｖｏｕｔ（ｍ）の精度を高めることができる。

【0078】

また、実施形態１に係る温度検出装置１０は、温度検出処理を行う制御回路１１０に相当する回路を搭載していないので、温度検出処理プログラムの変更や更新の際に必ずしも温度検出装置１０は必要ではなく、制御装置１００側のみで対応可能である。

【0079】

図８は、表示パネルにおける表示領域と温度検出領域との位置関係を説明する平面視図である。図８に示すように、例えば、温度検出領域ＳＡが表示パネル２による画像の表示領域ＡＡをカバーするよう温度検出装置１０と表示パネル２とが第３方向Ｄｚに重なることで、光学系ＲＭに導かれ、表示パネル２の表示領域ＡＡに向かって集光した光が生じさせる可能性のある温度変化を温度検出装置１０によって検出できる。これによって、当該温度変化に対応した表示パネル２の動作制御を行える。例えば、表示パネル２の表示出力品質を確保できない程の高温が温度検出装置１０によって検出された場合、表示パネル２の動作を停止させるようにしてもよい。また、この場合、当該高温が検出された温度検出装置１０の一部分（部分温度検出領域ＰＡ）に対応する範囲のみ表示パネル２による画像の表示出力を停止するようにしてもよい。

【0080】

なお、温度検出装置１０は、ＨＵＤ装置１に設けられなくてもよい。例えば、他の形態の表示装置に重なるよう温度検出装置１０が設けられてもよいし、温度検出装置１０が表示装置以外の装置と組み合わせられてもよいし、温度検出装置１０単体であってもよい。

【0081】

（実施形態２）
図９は、実施形態２に係る温度検出装置の主要構成及び制御装置を示す模式図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略し、実施形態１とは異なる点について説明する。

【0082】

図９に示す実施形態２に係る温度検出装置１０ａにおいて、センサ部４０ａは、マルチプレクサ４２を含む。

【0083】

マルチプレクサ４２は、複数の温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）にうちの何れか１つと、制御装置１００と、を接続するスイッチ回路である。マルチプレクサ４２は、複数の温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）のうち、制御装置１００に電気的に接続される温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）を選択する。本実施形態において、マルチプレクサ４２は、センサ基材２０ａの周辺領域ＧＡに設けられたロジックＩＣで構成されている。マルチプレクサ４２は、例えば、制御装置１００に設けられた制御回路１１０のＧＰＩＯ８９から出力される制御信号によって、制御装置１００に接続される温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）を選択する。マルチプレクサ４２により選択された温度検出用抵抗素子ＥＲ（ｍ）と基準抵抗素子４１ａとが電気的に直列接続されることにより、図３に示す温度センサＳＥＮＳ（ｍ）が構成される。これにより、温度検出装置１０ａと制御装置１００との間の配線数を大幅に削減することができる。

【0084】

（変形例）
図１０は、実施形態２の変形例に係る温度検出装置の主要構成及び制御装置を示す模式図である。図１０に示す変形例に係る温度検出装置１０ｂにおいて、センサ部４０ｂのマルチプレクサ４２ａは、実施形態２のロジックＩＣで構成されたマルチプレクサ４２とは異なり、センサ基材２０ｂの周辺領域ＧＡに設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor）スイッチ回路で構成されている。これにより、実施形態２の構成よりも低コスト化に寄与することができる。

【0085】

なお、上述した実施形態は、各構成要素を適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0086】

１ ＨＵＤ装置
２ 表示パネル
４ 筐体
４Ｓ 開口（筐体）
６ 光源部
９ 拡散板
１０，１０ａ，１０ｂ 温度検出装置
２０，２０ａ，２０ｂ センサ基材
４０，４０ａ，４０ｂ センサ部
４１，４１ａ 基準抵抗素子
４２，４２ａ マルチプレクサ
５０ 記憶部
８０ 温度検出回路
８１ フィルタ
８２ 増幅回路
８３ Ａ／Ｄ変換回路
８４ ＣＰＵ
８５ バス
８６ ＲＯＭ
８７ ＥＥＰＲＯＭ
８８ ＲＡＭ
８９ ＧＰＩＯ
１００ 制御装置
１１０ 制御回路
１２０ 電源回路
２００ 上位制御装置
ＡＡ 表示領域
ａ，ａ（ｍ） 第１係数
ｂ，ｂ（ｍ） 第２係数
ＥＲ，ＥＲ（ｍ） 温度検出用抵抗素子
ＧＡ 周辺領域
ＧＮＤ 基準電位
ＰＡ 部分温度検出領域
Ｒｅ（ｍ） 抵抗値（温度検出用抵抗素子）
Ｒｒｅｆ 抵抗値（基準抵抗素子）
ＲＭ１，ＲＭ２ ミラー部材
ＳＡ 温度検出領域
ＳＥＮＳ（ｍ） 温度センサ
ＴＰＡ，ＴＰＡ（ｍ） 温度
ＴＰＡ１，ＴＰＡ１（ｍ） 第１温度
ＴＰＡ２，ＴＰＡ２（ｍ） 第２温度
ＶＩ 画像
Ｖｉｎ 入力電位
Ｖｏｕｔ，Ｖｏｕｔ（ｍ），Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ１（ｍ），Ｖｏｕｔ２，Ｖｏｕｔ２（ｍ） 出力電位
ＷＳ 投影板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】