特開 2022-108230 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022108230

(43)【公開日】2022-07-25

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 29/78 20060101AFI20220715BHJP

   H01L 29/06 20060101ALI20220715BHJP

   H01L 29/739 20060101ALI20220715BHJP

   H01L 29/41 20060101ALI20220715BHJP

【ＦＩ】

H01L29/78 652N

H01L29/06 301F

H01L29/06 301V

H01L29/78 652K

H01L29/78 653C

H01L29/78 652S

H01L29/78 652P

H01L29/78 652M

H01L29/06 301G

H01L29/78 655A

H01L29/44 Y

H01L29/44 S

H01L29/44 L

H01L29/44 P

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021024493

(22)【出願日】2021-02-18

(31)【優先権主張番号】17/146,511

(32)【優先日】2021-01-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】000106276

【氏名又は名称】サンケン電気株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】501105602

【氏名又は名称】アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー

(74)【代理人】

【識別番号】100108866

【弁理士】

【氏名又は名称】大坂 雅浩

(72)【発明者】

【氏名】近藤 太郎

【テーマコード（参考）】

4M104

【Ｆターム（参考）】

4M104CC01

4M104CC05

4M104EE06

4M104EE12

4M104FF06

4M104FF10

4M104FF11

4M104GG09

4M104GG18

(57)【要約】

【課題】半導体装置の外周部及びその近辺の耐圧を上昇させる。
【解決手段】複数のトレンチ群１０１は、活性領域のトレンチ内部に設けられた絶縁層１３３と、絶縁層１３３内の上部に配設されたゲート電極１３７と、絶縁層１３３内の下部に設けられた第１のフィールドプレート１３５と、を有する。第１のトレンチ１０２は、活性領域の外側の外周領域に設けられる。第２のトレンチ１５３は、第１のトレンチ１０２の外側に設けられる。メサ部１０３は、第１と第２のトレンチ（１０２，１５３）の間に設けられる。第２及び第３のフィールドプレート（１３６，１４７）は、各々第１のトレンチ１０２、第２のトレンチ１５３の絶縁層内部に設けられる。メサ部１０３は第１の主電極と最も外側で電気的に接続される第２導電型の半導体領域を有する。第１のトレンチ１０２内の上部にゲート電極を有さない。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体装置であって、
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上部に設けられた第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上部に設けられた第１導電型の第３半導体領域と、
前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と電気的に接続する第１の主電極と、
前記第１半導体領域内の活性領域に設けられた複数のトレンチ群と、
前記活性領域の外側の外周領域に設けられた第１のトレンチと、
前記活性領域の外側の外周領域であって、前記第１のトレンチの外側に設けられた第２のトレンチと、
前記第１と第２のトレンチの間に設けられたメサ部と、
前記第１のトレンチの内部に設けられた第１の絶縁層と、
前記第２のトレンチの内部に設けられた第２の絶縁層と、
前記第１のトレンチの前記第１の絶縁層内部に設けられた第２のフィールドプレートと、
前記第２のトレンチの前記第２の絶縁層内部に設けられた第３のフィールドプレートと、を含み、
前記複数のトレンチ群の各々のトレンチは、
前記トレンチ内部に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層内の上部に設けられたゲート電極と、
前記絶縁層内の下部に設けられた第１のフィールドプレートと、を有し、
前記メサ部は前記第１の主電極と最も外側で電気的に接続される第２導電型の半導体領域を有し、
前記第１のトレンチは前記第１のトレンチ内の上部にゲート電極を有さないことを特徴とする半導体装置。

【請求項2】

前記第１のトレンチ内の上部は絶縁層で充填されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第３のフィールドプレートの上面の高さは、前記第２のフィールドプレートの上面の高さよりも高いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記第３のフィールドプレートは、長手方向の複数の箇所で前記第１の主電極と接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記半導体装置は、
前記第２のトレンチの外側に設けられた外周トレンチと、
前記外周トレンチの内部に設けられた第３の絶縁層と、
前記絶縁層内部に設けられた第４のフィールドプレートと、
前記外周トレンチと前記第２のトレンチの長手方向の複数個所で接続する第１の接続トレンチと、
前記第１の接続トレンチ内に絶縁層を介して設けられ、前記第３のフィールドプレートと前記第４のフィールドプレートとを接続する第５のフィールドプレートと、を更に含み、
前記第４のフィールドプレートは前記第１の主電極と接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置に関し、特に、外周部及びその近辺の耐圧を上昇させることができる半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

大電流のスイッチング動作を行うパワー半導体装置として、トレンチゲート型のパワーＭＯＳＦＥＴが広く用いられている。特許文献１には、ＭＯＳＦＥＴのゲートトレンチ内にゲート電極の下にフィールドプレート電極を設けた半導体装置が開示される。この装置によれば、ドリフト領域の不純物濃度を高めることができるため、オン抵抗を低減することができる。また、ゲート電極の下にフィールド電極を設けているので、ゲート入力電荷量Ｑｇを高めることができる。さらに、ＭＯＳＦＥＴの周りの外周領域にはトレンチ内にフィールド電極を設けたトレンチ外周構造を設ける構造が開示される。
特許文献１に開示された装置においては、特許文献１の図１に示す如く、外周領域３００に複数のトレンチ１１０を有する。複数のトレンチ１１０の内部には、フィールドプレート電極１３０が設けられる。活性領域２００に設けられたトレンチ１００内部には、補助電極５０及びゲート電極６０が設けられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第６６２４３７０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に開示された装置においては、ソース電極８０と接続する最も外側の領域（すなわち、外周領域３００のトレンチ１１０と、活性領域２００の最も外側のトレンチ１００との間の領域）下の空乏層は、トレンチ１００とトレンチ１１０との間に入り込む場合がある。この場合、活性領域２００の最も外側のトレンチ１００の内部のゲート電極６０と空乏層との距離が短くなるため、耐圧を十分に確保出来ない場合がある。

【0005】

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体装置の外周部及びその近辺の耐圧を上昇させることができる半導体装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するため、１または複数の実施形態に係る半導体装置は、
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上部に設けられた第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上部に設けられた第１導電型の第３半導体領域と、
前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と電気的に接続する第１の主電極と、
前記第１半導体領域内の活性領域に設けられた複数のトレンチ群と、
前記活性領域の外側の外周領域に設けられた第１のトレンチと、
前記活性領域の外側の外周領域であって、前記第１のトレンチの外側に設けられた第２のトレンチと、
前記第１と第２のトレンチの間に設けられたメサ部と、
前記第１のトレンチの内部に設けられた第１の絶縁層と、
前記第２のトレンチの内部に設けられた第２の絶縁層と、
前記第１のトレンチの前記第１の絶縁層内部に設けられた第２のフィールドプレートと、
前記第２のトレンチの前記第２の絶縁層内部に設けられた第３のフィールドプレートと、を含み、
前記複数のトレンチ群の各々のトレンチは、
前記トレンチ内部に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層内の上部に設けられたゲート電極と、
前記絶縁層内の下部に設けられた第１のフィールドプレートと、を有し、
前記メサ部は前記第１の主電極と最も外側で電気的に接続される第２導電型の半導体領域を有し、
前記第１のトレンチは前記第１のトレンチ内の上部にゲート電極を有さないことを特徴とする。

【発明の効果】

【0007】

上記構成によれば、半導体装置の外周部及びその近辺の耐圧を上昇させることができる半導体装置を提供することできる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、１または複数の実施形態に係る半導体装置の一部を示す上面図である。

【図2】図２は、図１のＡ－Ａ断面を示す図である。

【図3】図３は、図１のＢ－Ｂ断面を示す図である。

【図4】図４は、図１のＢ－Ｂ断面を示す図の他の実施形態である。

【図5】図５は、図１のＣ－Ｃ断面を示す図である。

【図6】図６は、図１のＤ－Ｄ断面を示す図である。

【図7】図７は、図１のＥ－Ｅ断面を示す図である。

【図8】図８（ａ）及び（ｂ）は、電位分布を模式的に示した断面図である。

【図9】図９（ａ）及び（ｂ）は、電界分布を模式的に示した断面図である。

【図10】図１０（ａ）及び（ｂ）は、衝突電離を模式的に示した断面図であり、ブレークダウンポイントを説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図面を参照しながら、１または複数の実施形態について詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付す場合がある。図面の記載は模式的なものであり、厚みと寸法の関係、各層の厚みの比率等は一例であり、発明の技術思想を限定するものではない。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる場合がある。以下の実施形態では、第１導電型がｎ型、第２導電型がｐ型の場合について例示的に説明するが、導電型を逆の関係に選択して、第１導電型がｐ型、第２導電型がｎ型の場合としてもよい場合がある。以下の説明で、部材の位置関係を説明する際に、「上部」、「下部」、「右側」、「左側」等は参照する図面の向きに基づいて必要に応じて使用されるが、発明の技術思想を限定するものではない。また、「上部」、「下部」、「右側」、「左側」等の説明は部材が接していなくて用いられる場合がある。また、方向について説明する際には、Ｘ軸、Ｙ軸を図示する場合がある。ここで、主として断面図にて、「横方向」や「長さ方向」とは、図示のＸ方向またはＸ方向と反対方向を意味する場合がある。また、「高さ方向」とは、図示のＹ方向を意味する場合がある。また、「深さ方向」は図示のＹ方向と反対方向を意味する場合がある。

【0010】

図１は、１または複数の実施形態に係る半導体装置の一部を示す上面図である。この半導体装置は、半導体装置の外周部近傍には、活性領域を囲うように外周トレンチ１５４が設けられる。ここで、活性領域のトレンチ１０１の長手方向と垂直な方向（Ｘ方向）において、更に外側のトレンチとメサ部を形成する外側のトレンチ１５３と接続する第１の接続トレンチ１０５は、間隔をあけて複数設けられている。対象のメサ部１０３の外周部側には、トレンチ１５３が設けられる。トレンチ１５３は、対象のメサ部１０３を形成し、第１の接続トレンチ１０５と接続している。外周トレンチ１５４は、複数の第１の接続トレンチ１０５と接続している。複数の第１の接続トレンチ１０５は、トレンチ１５３に接続される。これら外周トレンチ１５４、第１の接続トレンチ１０５、トレンチ１５３は、同一の材質でもよく、一体形成されていてもよい。実施形態の半導体装置は、複数のトレンチ１０１の一部または全部を含む活性領域と、活性領域の周囲を囲む外周トレンチ１５４を含む外周領域と、を含む。活性領域は、トレンチ１０１の全部または一部を複数含むトレンチ群を有する。第２の接続トレンチ１５１は活性領域のトレンチ１０１の長手方向（Ｙ方向）から続くトレンチの端を互いに接続するように設けられる。平面的に見て、複数の第３の接続トレンチ１５２は、トレンチ１０１の延長線上ではない場所に互いに間隔をあけて設けられ、接続トレンチ１５１と外周トレンチ１５４とを接続するように設けられる。また、第２の接続トレンチ１５１の端部はトレンチ１５３の端部と接続しており、全体として活性領域を取り囲んでいる。

【0011】

図２は、図１のＡ－Ａ断面図である。この半導体装置は、ドレイン領域１１６の上にドリフト領域１１３が設けられる。ドリフト領域１１３には、トレンチ１０２と、外周領域のトレンチ１０２より内側に設けられた１又は複数のトレンチ１００と、ベース領域１１４が設けられる。これらトレンチ１００，１０２、及び１３９の内部には、絶縁層１３３が充填される。トレンチ１００に設けられた絶縁層１３３の内側には、フィールドプレート１３５及びフィールドプレート１３５と離間したゲート電極１３７が設けられる。トレンチ１０２に設けられた絶縁層１３３の内側には、フィールドプレート１３６が設けられるが、ゲート電極１３７が設けられていない。トレンチ１３９は、図１に示す外周トレンチ１５４と、第１の接続トレンチ１０５と、対象のメサ部１０３を形成する外側のトレンチ１５３を含み、互いに連結している。トレンチ１３９に充填された絶縁層１３３の内部には、フィールドプレート１４１が設けられる。ここで、フィールドプレート１４２は、外周トレンチ１５４と、第１の接続トレンチ１０５と、外側のトレンチ１５３の各々の絶縁層１３３の内側に設けられたフィールドプレート（１４１、１４２、１４０）が互いに接続している。ここで、ドリフト領域１１３は、第１導電型半導体でもよく、ベース領域１１４は第２導電型半導体でもよく、ソース領域１１５は第１導電型半導体でもよく、ドレイン領域１１６は第１導電型半導体でもよい。なお、トレンチ１０２とトレンチ１３９間、トレンチ１０２とトレンチ１００間、トレンチ１００とトレンチ１００との間には、ソース領域１１５は設けられていない。

【0012】

また、ベース領域１１４が設けられていないドリフト領域１１３の一部の領域、トレンチ１３９内のフィールドプレート１４２、トレンチ１０２内のフィールドプレート１３６、ゲート電極１３７及びベース領域１１４の上部には、層間絶縁膜１１７が設けられる。層間絶縁膜１１７上部には、ソース電極１１１が設けられる。ここで、ソース電極１１１は、層間絶縁膜１１７に設けられたコンタクト孔１４３を介してソース領域１１５、ベース領域１１４、及びフィールドプレート１４２と電気的に接続される。ソース電極１１１の上部には、第１保護膜１１９が設けられ、その上部には、第２保護膜１２１が設けられる。

【0013】

ここで、ソース電極１１１がベース領域１１４と接続している最も外側のメサ部１０３を形成する内側のトレンチ（メサトレンチ）１０２の内部はフィールドプレート１３６のみが設けられている。換言すれば、他の外周領域のトレンチ１００の内部は、絶縁層１３３が設けられ、絶縁層１３３の内側には、フィールドプレート１３５及びゲート電極１３７が設けられる。一方、ソース電極１１１がベース領域１１４と接続している最も外側のメサ部１０３を形成する内側のトレンチ１０２の内側はゲート電極１３７が設けられていない。図２で示すように、ソース電極１１１がベース領域１１４等の第２導電型の半導体領域と接続している最も外側のメサ部１０３では、それよりも内側のメサ部１０３に比べて、空乏層１６１がメサ部内の上方へと入り込むような状態となるが、ゲート電極１３７が設けられていないことで、空乏層１６１とゲート電極との距離を確保することができる。よって、トレンチ１０２付近における電界集中を抑制し、耐圧悪化を抑制することができる。

【0014】

図３は、図１のＢ－Ｂ断面図である。図３の断面図は、層間絶縁膜１１７等の上面のソース電極１１１や第１保護膜１１９等は省略してある。この半導体装置は、ドリフト領域１１３には、外周領域のトレンチ１００と、活性領域のトレンチ１０１と、ソース領域１１５と、外周トレンチ１５４とトレンチ１０２と外側のトレンチ１５３で挟まれた対象のメサ部１０３とを有する。活性領域のソース領域１１５はトレンチ１０１間に設けられ、トレンチ１０１間に設けられた層間絶縁膜１１７の孔又は溝を通じてソース電極１１１及びベース領域１１４と電気的に接続されている。なお、外側のトレンチ１５３の外側に設けられた第２導電型半導体領域１４５は、ベース領域１１４と分離しており、フローティング電位となっている。

【0015】

ここで、トレンチ１０２の内部はフィールドプレート１３６のみが設けられており、ゲート電極が設けられていない。ゲート電極が設けられていないトレンチ１０２内のフィールドプレート１３６の上面の高さは、活性領域のトレンチ１０１内のフィールドプレート１３５の上面の高さとほぼ同じになっている。また、対象のメサ部１０３の外側のトレンチ１５３内のフィールドプレート１４７の上面の高さは、活性領域のトレンチ１０１内のフィールドプレート１３５の上面の高さとほぼ同じになっている。換言すれば、ゲート電極が設けられていないトレンチ１０２内並びに外側のトレンチ１５３内のフィールドプレート１３６、１４７の上面の高さをゲート電極の上面の高さ位までは設けられておらず、それらのトレンチ内の上部は絶縁層で埋められている。これにより、トレンチ１０２の側壁近傍で電界分布が密となることが緩和され、トレンチ１０２下部にあるブレークダウンポイントの電界も緩和される。これにより、半導体装置の耐圧を高めることができる。

【0016】

また、第１の接続トレンチ１０５内にはゲート電極１３７は設けられていない。さらに、レンチ１５３の長手方向（Ｙ方向）に延伸する外周トレンチ１５４内のフィールドプレート１４１は層間絶縁膜１１７に設けられたコンタクト孔を介してソース電極１１１と接続している。外側のトレンチ１５３内のフィールドプレート１４７は変位電流が生じやすいが、変位電流はフィールドプレート１４７から第１の接続トレンチ内のフィールドプレート１４２を通りトレンチ１５４内のフィールドプレート１４１を通じてソース電極１１１へと流れる。これにより、トレンチ１５３の長手方向（Ｙ方向）の端部からのみフィールドプレート１３５を引き上げる場合に比べてソース電極１１１に至るまでの変位電流が流れる道のりが短くなり、半導体装置の変位電流を小さくすることができる。

【0017】

図４は、図１のＢ－Ｂ断面図の他の実施形態である。図４の断面図は、層間絶縁膜１１７等の上面のソース電極１１１等は省略してある。この半導体装置は、ドリフト領域１１３には、外周領域のトレンチ１００と、活性領域のトレンチ１０１と、ソース領域１１５と、外周トレンチ１５４とトレンチ１０２と外側のトレンチ１５３で挟まれた対象のメサ部１０３とを有する。トレンチ１０２の内部はフィールドプレート１３６のみが設けられており、ゲート電極が設けられていない。ここで、対象のメサ部１０３の外側のトレンチ１５３内のフィールドプレート１４７の上面の高さはトレンチ１０２内のフィールドプレート１３６の上面の高さよりも高くなっており、活性領域のトレンチ１０１内のゲート電極１３７の上面の高さとほぼ同じになっていてもよい。この構成によっても、トレンチ１０２の上部の電界が緩和され、トレンチ下部にあるブレークダウンポイントの電界も緩和され、外側のトレンチ１５３側の外周トレンチ１５４の側壁付近の電界も緩和される。これにより、耐圧を高めることができる。

【0018】

図５は、図１のＣ－Ｃ断面図である。この半導体装置は、ドリフト領域１１３には、外周トレンチ１５４と、フィールドレート１３５、１４１、及びゲート電極１３７を含むトレンチ１００と、トレンチ１００端から外周側に延びる第２導電型半導体領域１４５と、を含む。ここで、第２導電型半導体領域１４５はベース領域１１４と分離しており、フローティング電位となっている。また、トレンチ１００内部の点線の領域は、第２の接続トレンチ１５１に該当する。ここで、ゲート電極１３７がフィールドレート１３５よりも、外周側、すなわち、外周トレンチ１５４側まで延びていない。これにより、空乏層１６１とゲート電極１３７との距離を確保することができる。また、実施形態の半導体装置は、第２導電型半導体領域１４５を設けなくてもよい。ここで、活性領域のトレンチ１０１の断面も外周トレンチ１５４の断面と同じとなってもよい。

【0019】

図６は、図１のＤ－Ｄ断面図である。この半導体装置は、ドリフト領域１１３には、フィールドプレート１４１を含むトレンチ１５２と、ベース領域１１４とを含む。トレンチ１５２内の点線は外周トレンチ１５４と第２の接続トレンチ１５１であり、各々のトレンチはトレンチ１５２と接続している。そして、外周トレンチ１５４と第２の接続トレンチ１５１内には絶縁層を介してフィールド電極１４１が設けられる。また、第２の接続トレンチ１５１内のフィールドプレートはトレンチ１５３内のフィールドプレート１４７と接続している。ここで、ベース領域１１４はトレンチ１５２の側面まで延伸している。そして、トレンチ１５２内のフィールドプレート１４２はベース領域１１４と対向する部分で削られており、Ｌ字型の断面となっている。なお、点線で囲まれた第２の接続トレンチ１５１内のフィールドプレートは、図４で示した外側のトレンチ１５３内のフィールドプレート１４７の上面の高さと同じように、トレンチ１０２内のフィールドプレート１３６の上面の高さよりも高くしてもよく、活性領域のトレンチ１０１内のゲート電極１３７の上面の高さとほぼ同じになっていてもよい。

【0020】

図７は、図１のＥ－Ｅ断面図である。この半導体装置は、ドリフト領域１１３には、外周トレンチ１５４と、第２の接続トレンチ１５１と、第２導電型半導体領域１４５と、ベース領域１１４とを含む。

【0021】

図８（ａ）及び図８（ｂ）は、電位分布を示す図であり、図８（ａ）は、図４に示すトレンチ１５３、１５５、および１００付近の電位分布をシミュレーションした図である。図８（ａ）中央のトレンチが、図２のトレンチ１０２に該当する。すなわち、図８（ａ）中央のトレンチ内部のフィールドプレートの上面の高さは、図面右側のトレンチ内のフィールドプレートの上面の高さとほぼ同じになっている。さらに、図面中央のトレンチ内には図面右側のトレンチ内と同じようなゲート電極が存在せず、絶縁膜で埋められている。一方、比較例の図８（ｂ）中央のトレンチ内部のフィールドプレートの上面の高さは、図面右側のトレンチ内のフィールドプレートの上面の高さよりも高く、ゲート電極の上面の高さとほぼ同じになっている。図８（ａ）の中央のトレンチ側壁の絶縁層１３３付近の電位線の集中が図８（ｂ）の中央のトレンチ側壁の絶縁層１３３付近の電位線の集中と比較して疎になっているのがわかる。以上から、１または複数の実施形態に係る半導体装置によれば、外周部及びその近辺の耐圧を上昇させることができる。

【0022】

図９（ａ）及び図９（ｂ）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）と同じ構造において電界分布を示す図である。図９（ａ）の中央のトレンチのゲート電極及びフィールドプレートを設けておらず絶縁層で埋まった領域内（図９（ａ）のＰで示す領域付近）の電界強度が、図９（ｂ）の中央のトレンチの側壁の絶縁層内（図９（ｂ）のＱで示す絶縁層付近）の電界強度と比較して低くなっていることがわかる。

【0023】

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）と同じ構造においてブレークダウンポイントを示す図である。図１０（ｂ）は、左側のトレンチ底部でブレークダウンが生じており、そのインパクトも大きい値を示すが、図１０（ａ）は、右側のトレンチ底部でブレークダウンが生じており、そのインパクトは図１０（ｂ）に比べて小さい値を示している。

【0024】

以上説明した通り、上記の１または複数の実施形態においては、トレンチ１０２内の上部に電極を設けないことにより、耐圧を向上させることができる。

【0025】

上述の１または複数の実施形態はＭＯＳＦＥＴ （Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む半導体装置に適用可能である。

【0026】

上記のように実施形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものではなく、当業者は様々な代替実施形態、実施形態及び運用技術が明らかとなろう。このように、本発明はここでは記載されていない様々な実施形態等を含む。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によって定められるものである。

【産業上の利用可能性】

【0027】

本発明は、特にパワー半導体装置に適用可能である。

【符号の説明】

【0028】

１００，１０１，１０２，１３９ トレンチ
１０３ 対象のメサ部
１０５ 第１の接続トレンチ
１１１，１１５ ソース領域
１１３ ドリフト領域
１１４ ベース領域
１１６ ドレイン領域
１１７ 層間絶縁膜
１２１ 第２保護膜
１３３ 絶縁層
１３５，１３６，１４０，１４１，１４２，１４７ フィールドプレート
１３７ ゲート電極
１４３ コンタクト孔
１４５ 第２導電型半導体領域
１５１ 第２の接続トレンチ
１５３，１５４ 外周トレンチ
１６１ 空乏層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】