特開 2022-108487 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022108487

(43)【公開日】2022-07-26

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20220719BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20220719BHJP

【ＦＩ】

H05K3/34 501D

H05K3/28 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021003507

(22)【出願日】2021-01-13

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】酒井 俊輔

【テーマコード（参考）】

5E314

5E319

【Ｆターム（参考）】

5E314AA27

5E314AA36

5E314BB02

5E314BB03

5E314BB12

5E314CC01

5E314CC03

5E314CC15

5E314FF05

5E314FF17

5E314GG09

5E314GG26

5E319AA03

5E319AC02

5E319AC11

5E319CC22

5E319GG20

(57)【要約】

【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１絶縁層２と、第１絶縁層２の表面２ａ上に形成されている導体層３と、第１絶縁層２の表面２ａ上及び導体層３上に形成されていて、導体層３の少なくとも一部を露出させる開口４ａを有するソルダーレジスト層４と、を含んでいて、第１面及びその反対面である第２面１２を有している。導体層３は開口４ａによって露出される導体パッド３ａを含み、導体パッド３ａにおける第１絶縁層２と反対側を向く表面３ａ１及び導体パッド３ａの側面３ａ２全体がソルダーレジスト層４に覆われずに露出しており、導体パッド３ａの縁部が第１絶縁層２の表面２ａから離間している。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面上に形成されている導体層と、
前記第１絶縁層の前記表面上及び前記導体層上に形成されていて、前記導体層の少なくとも一部を露出させる開口を有するソルダーレジスト層と、
を含んでいて、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する配線基板であって、
前記導体層は前記開口によって露出される導体パッドを含み、
前記導体パッドにおける前記第１絶縁層と反対側を向く表面及び前記導体パッドの側面全体が前記ソルダーレジスト層に覆われずに露出しており、
前記導体パッドの縁部が前記第１絶縁層の前記表面から離間している。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドは矩形の平面形状を有している。

【請求項3】

請求項２記載の配線基板であって、平面視における前記導体パッドの角部がＲ面取りされている。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記導体パッドを覆う表面処理層を含んでいる。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１面は部品が実装される部品実装面であり、
前記導体層は前記第２面側に形成されている。

【請求項6】

請求項５記載の配線基板であって、前記導体パターンは外部要素に接続される接続パッドである。

【請求項7】

請求項５記載の配線基板であって、さらに、前記第１面に形成されている複数の部品実装パッドを含み、
前記導体層の前記導体パッドは前記複数の部品実装パッドのいずれよりも大きい。

【請求項8】

請求項５記載の配線基板であって、さらに、前記第１面に形成されている部品実装パッドと、前記第１面に設けられている第２ソルダーレジスト層とを含み、
前記第２ソルダーレジスト層は前記部品実装パッドの周縁部を覆っており、
前記第２ソルダーレジスト層の開口には前記部品実装パッドの周縁部以外の部分が露出している。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドにおいて前記第１絶縁層の前記表面から離間している前記縁部と前記第１絶縁層の前記表面との間隔は、前記導体パッドの外周に向かって拡大している。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドにおける前記第１絶縁層を向く表面と前記導体パッドの前記側面とによって構成される角部が丸まっている。

【請求項11】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドにおける前記第１絶縁層の前記表面から離間している前記縁部の表面は曲面を含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、絶縁層上に形成されていて半導体素子に接合されるパッド部を有する多層配線基板が開示されている。絶縁層上にはソルダーレジストが設けられており、パッド部は、ソルダーレジストの開口中にソルダーレジストから離れた状態となるように配置されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００４－２２７１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の開示のように形成されたパッド部及びその下地の絶縁層には、銅などの金属からなるパッド部と主に樹脂からなる絶縁層との熱膨張率の相違や、パッド部に接続される外部の部品から加わる外力などによって応力が生じることがある。特に特許文献１の開示のようにソルダーレジストから離れた状態で配置されるパッド部では、金属と樹脂との熱膨張率の相違による応力がパッド部と絶縁層との界面やパッド部の端部付近の絶縁層に集中し易いと考えられる。応力の集中箇所においてクラックや界面剥離などの不具合が生じることがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面上に形成されている導体層と、前記第１絶縁層の前記表面上及び前記導体層上に形成されていて、前記導体層の少なくとも一部を露出させる開口を有するソルダーレジスト層と、を含んでいて、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有している。そして、前記導体層は前記開口によって露出される導体パッドを含み、前記導体パッドにおける前記第１絶縁層と反対側を向く表面及び前記導体パッドの側面全体が前記ソルダーレジスト層に覆われずに露出しており、前記導体パッドの縁部が前記第１絶縁層の前記表面から離間している。

【0006】

本発明の実施形態によれば、配線基板に設けられる導体パッドにおいて必要な大きさの露出部分を確保しながらその周辺部における不具合の発生を抑制できることがある。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す平面図。

【図3】図１のIII部の拡大図。

【図4】図３のIV部の拡大図。

【図5A】本発明の一実施形態における導体パッドの縁部の他の例を示す断面図。

【図5B】本発明の一実施形態における導体パッドの縁部の他の例を示す断面図。

【図6A】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6B】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6C】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6D】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6E】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【図6F】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されており、図２には、図１における下面側からの配線基板１の平面図が示されている。図２のＩ－Ｉ線での断面図が図１である。また図３には、図１のIII部の拡大図が示されている。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、絶縁層２０と、絶縁層２０の両面それぞれに交互に積層された導体層及び絶縁層とを含んでいる。絶縁層２０の上面２０ａ上には、３つの導体層３１のそれぞれと２つの絶縁層２１のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層２３が積層されている。そして絶縁層２３上に導体層（第２導体層）３３が形成されている。絶縁層２０の上面２０ａの反対面である下面２０ｂ上には、３つの導体層３２のそれぞれと２つの絶縁層２２のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層（第１絶縁層）２が積層されている。そして絶縁層２の表面２ａ上に導体層（第１導体層）３が形成されている。絶縁層２３及び導体層３３上には、ソルダーレジスト層４０（第２ソルダーレジスト層）が形成されている。絶縁層２及び導体層３上にはソルダーレジスト層４（第１ソルダーレジスト層）が形成されている。実施形態の配線基板１は、絶縁層２と、絶縁層２の表面２ａ上に形成されている導体層３と、絶縁層２の表面２ａ上及び導体層３上に形成されているソルダーレジスト層４と、を少なくとも含んでいる。

【0010】

配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する方向に広がる２つの表面として第１面１１、及び第１面１１の反対面である第２面１２を有している。配線基板１の厚さ方向は、以下では単に「Ｚ方向」とも称される。配線基板１において、絶縁層２３、導体層３３、及びソルダーレジスト層４０は配線基板１の第１面１１側に形成されており、配線基板１の第１面１１側の表層部を形成している。第１面１１は、絶縁層２３、導体層３３、及びソルダーレジスト層４０それぞれにおけるＺ方向に直交する露出面によって構成されている。また、絶縁層２、導体層３、及びソルダーレジスト層４は、配線基板１の第２面１２側に形成されており、配線基板１の第２面１２側の表層部を形成している。第２面１２は、絶縁層２、導体層３、及びソルダーレジスト層４それぞれにおけるＺ方向に直交する露出面によって構成されている。

【0011】

絶縁層２０には、導体層３１と導体層３２とを接続するスルーホール導体２０ｃが形成されている。絶縁層２０、その上面２０ａ上の導体層３１及び下面２０ｂ上の導体層３２は、配線基板１のコア基板を構成している。絶縁層２及び絶縁層２１～２３それぞれには、絶縁層２及び絶縁層２１～２３それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体２ｖが形成されている。

【0012】

絶縁層２及び絶縁層２０～２３は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材（芯材）及び／又はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

【0013】

ソルダーレジスト層４、４０は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの任意の絶縁性樹脂を用いて形成されている。ソルダーレジスト層４０は、導体層３３の一部又は全部を露出させる開口４０ａを有している。図１の例では、開口４０ａは、導体層３３を部分的に露出させている。一方ソルダーレジスト層４は、導体層３の少なくとも一部を露出させる開口４ａを有している。図１及び図２の例では、開口４ａは、導体層３の全部を露出させている。

【0014】

導体層３及び導体層３１～３３、ビア導体２ｖ、及びスルーホール導体２０ｃは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。従って導体層３及び導体層３１～３３、ビア導体２ｖ、及びスルーホール導体２０ｃは、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。しかし、導体層３及び導体層３１～３３、ビア導体２ｖ、及びスルーホール導体２０ｃは、単一の金属層だけを含む単層構造を有していてもよい。

【0015】

図１～図３に例示の配線基板１において導体層３は、図１では見易さのために簡略化されているが、図３に示されるように、金属膜３０ａ及びめっき膜３０ｂを含む２層構造を有している。金属膜３０ａは絶縁層２の表面２ａ上に形成されており、めっき膜３０ｂは、金属膜３０ａにおける絶縁層２と反対側の表面上に形成されている。金属膜３０ａは、例えば無電解めっき又はスパッタリングなどで形成される。めっき膜３０ｂは、例えば金属膜３０ａを給電層として用いる電解めっきによって形成される。図示されていないが、導体層３３、絶縁層２１又は絶縁層２２上に形成されている導体層３１及び導体層３２、ビア導体２ｖ、並びにスルーホール導体２０ｃも、図３に示される導体層３と同様の２層構造を有し得る。

【0016】

各導体層は、所定の導体パッド及び／又は配線パターンを有するようにパターニングされている。図１の例の配線基板１では、導体層３３は複数の部品実装パッド３３ａを有するようにパターニングされている。すなわち配線基板１は第１面１１に形成されている複数の部品実装パッド３３ａを含んでいる。図１の例では、各部品実装パッド３３ａは、所謂ＳＭＤパッド（Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプの導体パッドである。すなわち、各部品実装パッド３３ａの周縁部がソルダーレジスト層４０に覆われており、各部品実装パッド３３ａの周縁部以外の部分がソルダーレジスト層４０の開口４０ａに露出している。

【0017】

各部品実装パッド３３ａは、配線基板１の使用時に配線基板１に実装される部品Ｅ１がその表面に載置される導体パッド（第２導体パッド）である。すなわち第１面１１は配線基板１の部品実装面である。部品実装パッド３３ａには、例えばはんだなどの接合材（図示せず）を介して部品Ｅ１の電極Ｅ１１が電気的及び機械的に接続される。

【0018】

部品Ｅ１としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品、及び、電気抵抗などの受動部品のような電子部品が例示される。部品Ｅ１は、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。しかし、部品Ｅ１はこれらに限定されない。

【0019】

本実施形態では、導体層３は導体パッド３ａ（第１導体パッド）を含んでいる。図１～３に示されるように、導体パッド３ａは、ソルダーレジスト層４の開口４ａによって露出されている。具体的には、導体パッド３ａにおける絶縁層２と反対側を向く表面３ａ１（第１主面）、及び導体パッド３ａの側面３ａ２全体がソルダーレジスト層４に覆われずに露出している。すなわち、導体パッド３ａは、その外縁がソルダーレジスト層の開口によって画定されない、所謂ＮＳＭＤパッド（Ｎｏｎ－Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプの導体パッドである。なお導体パッド３ａの側面３ａ２は、導体パッド３ａにおける絶縁層２を向く表面３ａ３（第２主面）と表面３ａ１との間の表面であって平面視において導体パッド３ａの外縁を構成する表面である。なお「平面視」は、導体パッド３ａなどの対象物をＺ方向と平行な視線で見ることを意味している。導体パッド３ａの表面３ａ３は、以下では、「導体パッド３ａの背面３ａ３」とも称される。

【0020】

図１の例の配線基板１において、第２面１２は、第１面１１と同様に半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。また第２面１２は、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素Ｅ２に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素Ｅ２に接続される接続面であってもよい。すなわち、配線基板１は、例えば第１面１１に実装される半導体集積回路などの部品Ｅ１のパッケージの一部を構成してもよい。その場合、配線基板１は、図１に示されるように第２面１２を外部要素Ｅ２に向けて、外部要素Ｅ２に部品Ｅ１と共に実装されてもよい。

【0021】

第２面１２が外部要素Ｅ２との接続面である場合、第２面１２は外部要素Ｅ２との接続部を備え得る。図１の例の配線基板１は導体パッド３ａにおいて外部要素Ｅ２と接続される。従って図１の例の導体パッド３ａは、配線基板１において外部要素Ｅ２に接続される接続パッドであり、図１の配線基板１における外部要素Ｅ２との接続パッドは導体パッド３ａからなる。前述したように、導体パッド３ａの表面３ａ１の全体及び側面３ａ２の全体がソルダーレジスト層４に覆われずに開口４ａ内に露出している。従って、配線基板１と外部要素Ｅ２とが大きな面積で強固に接続され得る。

【0022】

配線基板１の導体パッド３ａは、図２に示されるように矩形の平面形状を有している。「平面形状」は、導体パッド３ａのような対象物の平面視における形状である。ここで「矩形」は、互いに平行な２つの辺（線分）と、その２つの辺に直交する互いに平行な２つの辺(線分)とによって囲まれる形状を意味している。この「矩形」において、互いに隣接すると共に直交する二辺は、必ずしもその交点において直角の交角をなすように互いに接していなくてもよく、その交点付近の部分（角部）が、Ｃ面取り又はＲ面取りなどで面取りされた形状を有していてもよい。その場合、上記及び下記の説明における「矩形」の各一辺の直線部分は、好ましくは、その一辺と直交する他の二辺間の距離の１／３以上の長さを有している。図２の例の導体パッド３ａでは、平面視における導体パッド３ａの４つの角部はいずれもＲ面取りされている。

【0023】

導体パッド３ａは、例えば、はんだなどの接合材Ｂ（図３参照）によって外部要素Ｅ２の電極Ｅ２１に電気的及び機械的に接続され得る。外部要素Ｅ２は、前述したように、任意の電気機器を構成するマザーボードであってもよく、配線基板１よりも大きなパッケージサイズを有する任意の電子部品であってもよい。導体パッド３ａは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。

【0024】

図１の例では、導体パッド３ａは、第１面１１側に設けられている複数の部品実装パッド３３ａのいずれよりも大きい。例えば、部品Ｅ１よりも大きな外部要素Ｅ２と配線基板１とが、大きな面積で強固に接続されると考えられる。

【0025】

図１及び図２では省略されているが、配線基板１は、図３に示されるように導体パッド３ａの表面３ａ１及び側面３ａ２を覆う表面処理層５を含んでいる。表面処理層５は、例えば導体パッド３ａの表面３ａ１及び側面３ａ２などの露出部分の防食処理及び／又は防錆処理によって形成される被膜である。表面処理層５によって、導体パッド３ａの腐食や酸化などが防がれる。

【0026】

表面処理層５は、例えば、導体パッド３ａとは異なる金属を含む金属被膜や、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜である。導体パッド３ａが銅で形成されている場合、表面処理層５は、ニッケル、パラジウム、銀、金、若しくはこれらの合金、又ははんだなどによって形成され得る。図３の例では、表面処理層５は、導体パッド３ａの本体側に形成されている下層５１と下層５１上に形成されている上層５２とを含む２層構造を有している。下層５１は、例えばニッケル膜若しくはニッケルとパラジウムとの合金膜であり、上層は、例えば金からなる金属膜である。

【0027】

図３に示されるように、実施形態の配線基板１では、導体パッド３ａの縁部が絶縁層２の表面２ａから離間している。なお、導体パッド３ａの「縁部」は、導体パッド３ａの平面形状の外縁に沿って導体パッド３ａの中央部を連続的又は断続的に囲む枠状の部分である。導体パッド３ａの「縁部」は、導体パッド３ａの外縁からの距離が長さＬＷ以下の領域であり、各辺の幅として長さＬＷを有する枠状の部分である。長さＬＷは、例えば、０．０１×ＬＤ以上、０．１×ＬＤ以下である。ここで「ＬＤ」は、長さＬＷと平行な方向において対向する導体パッド３ａの二辺間の距離である。

【0028】

図４には、配線基板１における導体パッド３ａの縁部の断面（例えば図３のIV部）の拡大図が示されている。図４に示されるように、導体パッド３ａの縁部は絶縁層２の表面２ａから離れている。換言すると、導体パッド３ａの縁部では、導体パッド３ａが絶縁層２の表面２ａから浮き上がっている。導体パッド３ａの背面３ａ３と側面３ａ２とで構成される角部が切り欠かれている。そのため、図４に示される断面図では、導体パッド３ａと絶縁層２の表面２ａとの間に、二点鎖線で囲まれている切り欠き状の空間Ｇが形成されている。

【0029】

導体パッド３ａの縁部が絶縁層２の表面２ａから離れているため、導体パッド３ａの側面３ａ２と、その背面３ａ３と絶縁層２の表面２ａとの界面の外縁（この界面の外縁は単に「外縁Ｆ」とも称される）とは、表面２ａの垂直方向において一列に並んでいない。すなわち、側面３ａ２と外縁Ｆとは平面視で重なっていない。外縁Ｆは、側面３ａ２よりも導体パッド３ａの内側（中央側）に位置している。また、導体パッド３ａの縁部が絶縁層２の表面２ａから離れているため、導体パッド３ａの側面３ａ２の下端Ｑ（絶縁層２側の先端）は、表面２ａと接しておらず、表面２ａから離れている。

【0030】

前述したように、従来の配線基板において導体パッド及びその下層の絶縁層には、両者の間の熱膨張率の相違や外力などによって応力が生じることがある。その応力は、絶縁層の表面上において導体パッドが存在する領域と存在しない領域との境界となる導体パッドの縁部に集中し易い。またこの応力は、絶縁層と導体パッドとの界面の外縁（図４の例では外縁Ｆ）から、絶縁層から離れる方向に延びる導体パッドの表面（例えば導体パッドの側面）に沿った方向に作用し易いと考えられる。従って、本実施形態と異なり導体パッドの縁部がその下層の絶縁層の表面から離れていない場合、集中する応力は、導体パッドの側面に沿った方向、すなわち、導体パッドの下層の絶縁層の表面と直交する方向に強く作用すると考えられる。そして、その絶縁層の表面と直交する方向に強く作用する応力によって、絶縁層における導体パッドの側面と接する部分にクラックが生じたり、導体パッドの外縁を発端とする絶縁層と導体パッドとの界面剥離が生じたりすることがある。

【0031】

これに対して本実施形態では、導体パッド３ａの縁部は絶縁層２の表面２ａから離間している。そして導体パッド３ａにおいて、絶縁層２の表面２ａから離れる方向に外縁Ｆから延びる表面３ａ４は、絶縁層２の表面２ａに直交する方向Ｄ１に対して傾いた方向Ｄ２に沿って延びている。すなわち、絶縁層２の表面２ａと接していて表面２ａから離れる方向に延びる導体パッド３ａの表面３ａ４は、表面２ａに対して直角よりも小さい角度θをなして表面２ａに接している。そのため、導体パッド３ａの縁部に集中し易い応力は、方向Ｄ１ではなく方向Ｄ１に対して傾いた方向Ｄ２に強く作用すると考えられる。そしてその方向Ｄ２に作用する応力は、絶縁層２の表面２ａに直交する方向Ｄ１だけでなく、方向Ｄ１に直交する方向Ｄ３にも分散して作用すると考えられる。すなわち、絶縁層２に対してその表面２ａに直交する方向Ｄ１に作用する応力が、導体パッドの縁部が下層の絶縁層の表面から離間していない場合と比べて軽減されると考えられる。従って、本実施形態では、絶縁層２におけるクラックの発生や、絶縁層２と導体パッド３ａとの界面剥離などが抑制されると考えられる。

【0032】

特に図１～図４に例示される配線基板１では、前述したように導体パッド３ａは、第１面１１側に設けられている複数の部品実装パッド３３ａのいずれよりも大きい。従って、その平面面積は大きく、導体パッド３ａは絶縁層２との間に比較的大きな界面を有し得る。従って導体パッド３ａの縁部に集中する応力も過大になり易い。導体パッド３ａのように比較的大きな平面面積を有する導体パッドにおいて本実施形態は特に有益であると考えられる。

【0033】

導体パッド３ａの表面３ａ４と絶縁層２の表面２ａとの間の角度θは、０°よりも大きく９０°よりも小さい。例えば、角度θは、１０°以上、８０°以下である。

【0034】

導体パッド３ａの縁部における絶縁層２の表面２ａから離間している部分の表面２ａ上での長さＬ（平面視における側面３ａ２から外縁Ｆまでの距離）は、導体パッド３ａを介して外縁Ｆに伝わる外力の緩和の観点からは長い方が好ましい。一方で、導体パッド３ａと絶縁層２との密着強度の観点では、長さＬは短い方が好ましいと考えられる。長さＬは、外縁Ｆに伝わる外力の緩和と導体パッド３ａの密着強度の確保との両方が適切に実現されるように、例えば、３μｍ以上、１０μｍ以下である。

【0035】

図４の例では、互いから離間している導体パッド３ａの縁部と絶縁層２の表面２ａとの間隔は、導体パッド３ａの外周に向かって拡大している。換言すると、導体パッド３ａの縁部を表面２ａから離間させている切り欠き状の空間Ｇの高さ（表面２ａからの高さ）は、導体パッド３ａの外周に向かうほど高くなっている。すなわち、導体パッド３ａにおける絶縁層２の表面２ａからの離間部分の表面が、側面３ａ２や背面３ａ３と略平行や略直角ではなく傾いている。そのため、前述したように、絶縁層２から離間している導体パッド３ａの縁部と絶縁層２との界面に導体パッド３ａの熱収縮などによって加わり得る剥離方向の力が、その界面に沿った方向にも分散されると考えられる。導体パッド３ａと絶縁層２との界面剥離などが生じ難いと推察される。

【0036】

さらに図４の例では、導体パッド３ａの背面３ａ３と側面３ａ２とによって構成される角部が丸まっている。そして、導体パッド３ａにおいて絶縁層２から離間している縁部の表面は曲面を含んでいる。すなわち、導体パッド３ａの縁部が絶縁層２の表面２ａから離間していない場合における背面３ａ３と側面３ａ２との仮想の交線（図４における点Ｐ）付近が丸まっていて導体パッド３ａはその交線付近の表面に曲面状の部分を有している。導体パッド３ａの縁部が丸まっているので、絶縁層２だけでなく表面処理層５にもクラックが生じ難いと考えられる。

【0037】

具体的には、導体パッド３ａの側面３ａ２とめっき膜３０ｂの下面（絶縁層２を向く表面）とによって構成されるべき角部が丸まっていて曲面状の表面を有している。一方、金属膜３０ａにおけるめっき膜３０ｂと絶縁層２との間の端面は略平坦面であって、絶縁層２側ほど導体パッド３ａの内周側に向かうように傾斜している。従って、導体パッド３ａを構成する金属膜３０ａの端部も絶縁層２の表面２ａから離間している。

【0038】

なお表面処理層５が、導体パッド３ａを構成する材料の熱膨張率と絶縁層２の熱膨張率の間の熱膨張率を用いて形成されると、表面処理層５が形成されない場合と比べて、絶縁層２及び導体パッド３ａに生じる応力が低減されると考えられる。また、表面処理層５が、絶縁層２との熱膨張率の差が導体パッド３ａよりも大きい材料で形成される場合でも、本実施形態では導体パッド３ａの縁部が絶縁層２の表面２ａから離間しているので、クラックなどの不具合が生じ難いと考えられる。

【0039】

さらに図１～図４の例の配線基板１の導体パッド３ａでは、前述したように平面視における４つの角部がＲ面取りされているので、Ｒ面取りのない導体パッドに比べて、導体パッド３ａと絶縁層２との熱膨張率の違いなどによる応力集中箇所が少ない。従って、絶縁層２のクラックなどの不具合が一層生じ難いと考えられる。

【0040】

本実施形態では、導体パッド３ａは、所謂ＮＳＭＤタイプの導体パッドであるため、導体パッド３ａにおいて大きな露出部分が確保される。そのため導体パッド３ａに接続される外部要素との広い接続面積が確保され、その外部要素と配線基板１とが強固に接続され得る。一方で、図１～図４を参照して説明が為されたように、導体パッド３ａの縁部が絶縁層２から離間しているので、導体パッド３ａの周辺部におけるクラックや界面剥離などの不具合が抑制され得る。

【0041】

図５Ａ及び図５Ｂには、それそれ、導体パッド３ａの縁部の他の例が示されている。図５Ａの例では、導体パッド３ａは、絶縁層２から離間する縁部において、金属膜３０ａの表面だけでなくめっき膜３０ｂの表面にも平坦部３０ｂ１を有している。図５Ａの例の導体パッド３ａの縁部の表面は、平坦部３０ｂ１と側面３ａ２との間、及び平坦部３０ｂ１とめっき膜３０ｂにおける絶縁層２側の表面との間それぞれに曲面部３０ｂ２を有している。２つの曲面部３０ｂ２によって、平坦部３０ｂ１と側面３ａ２、及び、めっき膜３０ｂにおける絶縁層２側の表面と平坦部３０ｂ１が滑らかに繋がれている。図５Ａの例においても、絶縁層２及び／又は表面処理層５にクラックなどの不具合が生じ難いと考えられる。

【0042】

図５Ｂの例の導体パッド３ａは、図５Ａの例の導体パッド３ａと同様に、めっき膜３０ｂの表面上に平坦部３０ｂ１を有しているが、図５Ａに示される曲面部３０ｂ２を備えていない。しかし、図５Ｂの例においても、導体パッド３ａの縁部は絶縁層２の表面２ａから離間している。従って、導体パッド３ａの縁部が表面２ａから離間していない場合に表面２ａに直交する方向に作用する力が軽減されると考えられる。従って、図５Ｂの例においても、絶縁層２にクラックなどの不具合が生じ難いと考えられる。

【0043】

実施形態の配線基板は、任意の一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。図６Ａ～図６Ｇを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、製造方法の一例が概説される。

【0044】

図６Ａに示されるように、コア基板１０が用意され、コア基板１０の一面１０ａ側に絶縁層２１が積層され、その絶縁層２１上に導体層３１が形成される。同様に、コア基板１０の他面１０ｂ側に、絶縁層２２が積層され、その絶縁層２２上に導体層３２が形成される。そしてコア基板１０の両面において、各絶縁層の積層と導体層の形成とが繰り返され、コア基板１０の一面１０ａ側及び他面１０ｂ側に、最表層の絶縁層２３及び最表層の絶縁層２が形成される。

【0045】

コア基板１０の用意では、例えば、絶縁層２０を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層３１、３２を絶縁層２０の両面に形成すると共にスルーホール導体２０ｃを絶縁層２０内に形成することによってコア基板１０が用意される。絶縁層２１、２２、及び、絶縁層２１又は絶縁層２２上の導体層３１、３２は、例えば一般的なビルドアップ基板の製造方法によって、それぞれ形成される。例えば各絶縁層は、フィルム上のエポキシ樹脂を、コア基板１０又は先に形成されている各絶縁層及び各導体層上に熱圧着することによって形成される。また、各導体層は、例えば、めっきレジストの形成及びパターンめっきなどを含むセミアディティブ法やフルアディティブ法などの導体パターンの任意の形成方法を用いて形成される。セミアディティブ法などの導体パターンの形成方法を用いる各導体層の形成では、ビア導体２ｖが各絶縁層内に形成され得る。

【0046】

図６Ｂに示されるように、絶縁層２の表面２ａ上、及びレーザー光の照射などによって形成された絶縁層２の貫通孔内に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜３０ａが形成される。コア基板１０の一面１０ａ側にも同様に金属膜３０ａが形成される。

【0047】

図６Ｂ及び図６Ｃに示されるように、金属膜３０ａ上に、めっきレジストＰＲが設けられる。図６Ｃには、図６ＢのVIＣ部の拡大図が示されている。絶縁層２の上に設けられるめっきレジストＰＲには、導体層３（図６Ｅ参照）に含まれるべき導体パターンに対応する領域に開口ＰＲ１が形成される。

【0048】

各開口ＰＲ１を備えるめっきレジストＰＲは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成される。まず、例えばネガ型の感光性樹脂フィルムを金属膜３０ａ上の全面に積層することによって、めっきレジストＰＲとなるレジスト膜が形成される。そして、レジスト膜における開口ＰＲ１が形成されるべき領域を覆う露光マスクＥＭが、レジスト膜上に配置される。

【0049】

図６Ｃに示されるように、例えば紫外線Ｕが、露光マスクＥＭを通してめっきレジストＰＲとなるレジスト膜に照射される。レジスト膜のうちの露光マスクＥＭに覆われていない露光部分ＰＲａが架橋反応によって不溶性に変化する。一方、レジスト膜のうち露光マスクＥＭに覆われている非露光部分ＰＲｂの大部分は溶解性のまま変化しない。しかし露光マスクＥＭの真下の部分のうち、金属膜３０ａ及び露光部分ＰＲａの両方に近接する境界部分ＢＰは、金属膜３０ａで反射した紫外光Ｕによって露光されて不溶性へと変化する。その後、露光マスクＥＭが除去され、非露光部分ＰＲｂが現像によって除去される。しかし、境界部分ＢＰは露光部分ＰＲａと共に残存する。その結果、境界部分ＢＰによって金属膜３０ａに近接する部分が拡幅されたマスク部を有するめっきレジストＰＲが形成される。境界部分ＢＰは、例えば、金属膜３０ａの表面を粗化して紫外線Ｕを適度に乱反射させることによって形成され得る。なお、以下の説明では、境界部分ＢＰは、めっきレジストＰＲの「拡幅部分ＢＰ」とも称される。

【0050】

図６Ｄに示されるように、めっきレジストＰＲの開口ＰＲ１内に、金属膜３０ａを給電層として用いる電解めっきによって導体層３の各導体パターンが形成される。図６Ｄに示される開口ＰＲ１には、導体層３の導体パッド３ａを構成するめっき膜３０ｂが形成される。図６Ｄに示されるように、縁部における金属膜３０ａに近接する部分がめっきレジストＰＲの拡幅部分ＢＰによって切り欠かれためっき膜３０ｂが形成される。その後、めっきレジストＰＲが除去される。

【0051】

図６Ｅ及び図６Ｆに示されるように、めっきレジストの除去によって露出する金属膜３０ａの不要部分がフラッシュエッチングなどによって除去される。導体パッド３ａなどの所定の導体パターンを有する導体層３が形成される。コア基板１０の一面１０ａ側には、所定の導体パターンを有する導体層３３が形成される。なお、図６Ｆには、図６ＥのVIＦ部の拡大図が示されている。

【0052】

図６Ｆに示されるように、導体パッド３ａを構成する金属膜３０ａの端面３０ａ１（図４における導体パッド３ａの表面３ａ４）では、絶縁層２側の方がめっき膜３０ｂ側よりも多く除去されている。その結果、端面３０ａ１は、絶縁層２側ほど導体パッド３ａの内周側に向かうように傾斜している。めっき膜３０ｂの縁部における金属膜３０ａとの近傍部分を切り欠かれた形状とすることによって、エッチング液の回り込みに関して絶縁層２側とめっき膜３０ｂ側との間において異なる状況を作り出すことができる。その結果、図６Ｆに示されるように端面３０ａ１を傾斜させることができる。

【0053】

図６Ｆの例では、めっき膜３０ｂの縁部における金属膜３０ａとの近傍部分が切り欠かれたような形状を有しているため、導体パッド３ａの縁部が絶縁層２の表面２ａから離間している。さらに、金属膜３０ａの端面３０ａ１が絶縁層２側ほど導体パッド３ａの内周側に向かうように傾斜しているため、より長い範囲に渡って導体パッド３ａの縁部が絶縁層２から離間している。

【0054】

なお、先に参照した図５Ａ及び図５Ｂに示されるめっき膜３０ｂの形状も、前述した金属膜３０ａの表面の粗化の調整や、紫外線の照射角度及び光度の調整によって形成し得ると考えられる。

【0055】

そして、図１に示されるように、ソルダーレジスト層４０が絶縁層２３及び導体層３３上に形成され、ソルダーレジスト層４が絶縁層２及び導体層３上に形成される。ソルダーレジスト層４、４０それぞれには、開口４ａ又は開口４０ａが設けられる。ソルダーレジスト層４、４０は、それぞれ、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりフィルム状で積層したりすることによって形成される。そして、例えば露光及び現像、又はレーザー加工などによって、開口４ａ、４０ａが、それぞれ形成される。

【0056】

開口４ａ内に露出する導体パッド３ａの表面上、及び開口４０ａ内に露出する部品実装パッド３３ａの表面上には、表面処理層５（図３参照）が形成され得る。表面処理層５は、例えば、導体パッド３ａの表面上及び部品実装パッド３３ａの表面上に、無電解めっき若しくは電解めっきなどによって、ニッケル、パラジウム、金などの金属を析出させること、又は、スプレーイングによって耐熱性の有機物を塗布することによって形成され得る。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１が完成する。

【0057】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実施形態の配線基板は所謂両面基板であってもよく、片面基板であってもよい。導体パターン３ａは表面処理層５を備えなくてもよい。縁部において下層の絶縁層の表面から離間する導体パッドは、前述したように、配線基板の両方の表面に設けられていてもよく、いずれか一方の表面だけに設けられていてもよい。ソルダーレジスト層４は、開口４ａ内に導体パッド３ａの全体を露出させながら、導体層３における導体パッド３ａ以外の部分を覆っていてもよい。部品実装パッド３３ａは、所謂ＮＳＭＤパッドタイプの導体パッドであってもよい。導体パッド３ａは、絶縁層２から離間する縁部において絶縁層２の表面２ａとの間隔が略一定である平行部分を有していてもよい。また、平面視における導体パッド３ａの角部は面取りされていなくてもよい。

【符号の説明】

【0058】

１ 配線基板
１１ 第１面
１２ 第２面
２ 絶縁層（第１絶縁層）
２ａ 表面
２０～２３ 絶縁層
３ 導体層
３ａ 導体パッド
３ａ１ 表面
３ａ２ 側面
３ａ３ 表面（背面）
３１～３３ 導体層
３３ａ 部品実装パッド
４ ソルダーレジスト層（第１ソルダーレジスト層）
４０ ソルダーレジスト層（第２ソルダーレジスト層）
４ａ、４０ａ 開口
５ 表面処理層
Ｅ２ 外部要素

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】