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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022109804
(43)【公開日】2022-07-28
(54)【発明の名称】半導体装置および半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/56 20060101AFI20220721BHJP
B29C 43/18 20060101ALI20220721BHJP
B29C 45/02 20060101ALI20220721BHJP
B29C 45/14 20060101ALI20220721BHJP
【ＦＩ】
H01L21/56 T
B29C43/18
B29C45/02
B29C45/14
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021005343
(22)【出願日】2021-01-15
(71)【出願人】
【識別番号】000000011
【氏名又は名称】株式会社アイシン
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】林 義成
【テーマコード（参考）】
4F204
4F206
5F061
【Ｆターム（参考）】
4F204AA36
4F204AA44
4F204AD19
4F204AG03
4F204AH37
4F204FA01
4F204FB01
4F204FB12
4F204FB17
4F204FF05
4F204FN06
4F204FN11
4F204FQ15
4F206AA36
4F206AA44
4F206AD19
4F206AG03
4F206AH37
4F206JA02
4F206JB12
4F206JB17
4F206JF05
4F206JM04
4F206JN13
4F206JQ81
5F061AA02
5F061BA03
5F061CA21
5F061DA01
5F061DB01
(57)【要約】
【課題】大型部品や、圧力に弱い部品が実装されている場合や、実装部品同士のサイズや高さが大きく異なる場合でも、部品破損等の無い半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板と、前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する第１封止部材と、前記第２部品を前記基板の一部と協働して封止する第２封止部材と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板と、前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する第１封止部材と、前記第２部品を前記基板の一部と協働して封止する第２封止部材と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板と、
前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する第１封止部材と、
前記第２部品を前記基板の一部と協働して封止する第２封止部材と、
を備えた半導体装置。
前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する第１封止部材と、
前記第２部品を前記基板の一部と協働して封止する第２封止部材と、
を備えた半導体装置。
【請求項2】
前記第２部品及び前記第２封止部材は、前記基板の少なくとも一方の面に設けられている、
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第２封止部材の樹脂硬化温度は、前記第１封止部材の樹脂硬化温度と同等、あるいは、前記第１封止部材の樹脂硬化温度未満とされている、
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１封止部材は、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂であり、
前記第２封止部材は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいはＵＶ硬化性樹脂のいずれかである、
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記第２封止部材は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいはＵＶ硬化性樹脂のいずれかである、
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項5】
第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板に対し、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うようにシート状の第２封止部材を貼り付け、あるいは、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うように液体状の第２封止部材を塗布する過程と、
金型に前記第２部品の周囲を囲むように形成されたセパレート隔壁の端面を前記基板上の前記第２封止部材に所定圧力で当接させ、前記第２部品及び前記第２封止部材と、前記金型と、の間に無加圧空間を形成し、維持する過程と、
前記無加圧空間を維持した状態で第１封止部材により前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する過程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
金型に前記第２部品の周囲を囲むように形成されたセパレート隔壁の端面を前記基板上の前記第２封止部材に所定圧力で当接させ、前記第２部品及び前記第２封止部材と、前記金型と、の間に無加圧空間を形成し、維持する過程と、
前記無加圧空間を維持した状態で第１封止部材により前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する過程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項6】
第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板に対し、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うようにシート状の第２封止部材を貼り付け、あるいは、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うように液体状の第２封止部材を塗布する過程と、
前記第２部品の周囲を囲むように金型に形成されたセパレート隔壁で囲まれた領域以外の領域であって、前記第１部品及び前記基板を含む被成形領域を覆うように第１封止部材を供給する過程と、
前記セパレート隔壁の端面を前記基板上の前記第２封止部材に所定圧力で当接させ、前記第２部品及び前記第２封止部材と、前記金型と、の間に無加圧空間を形成し、維持する過程と、
前記無加圧空間を維持した状態で第１封止部材により前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する過程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
前記第２部品の周囲を囲むように金型に形成されたセパレート隔壁で囲まれた領域以外の領域であって、前記第１部品及び前記基板を含む被成形領域を覆うように第１封止部材を供給する過程と、
前記セパレート隔壁の端面を前記基板上の前記第２封止部材に所定圧力で当接させ、前記第２部品及び前記第２封止部材と、前記金型と、の間に無加圧空間を形成し、維持する過程と、
前記無加圧空間を維持した状態で第１封止部材により前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する過程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項7】
第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板に対し、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うようにシート状の第２封止部材を貼り付け、あるいは、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うように液体状の第２封止部材を塗布する過程と、
前記第２部品の周囲を囲むように金型に形成されたセパレート隔壁の端面を前記基板上の前記第２封止部材に所定圧力で当接させ、前記第２部品及び前記第２封止部材と、前記金型と、の間に無加圧空間を形成し、維持する過程と、
前記無加圧空間を維持した状態で第１封止部材を加圧状態で前記金型内に供給し、前記第１封止部材により前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する過程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
前記第２部品の周囲を囲むように金型に形成されたセパレート隔壁の端面を前記基板上の前記第２封止部材に所定圧力で当接させ、前記第２部品及び前記第２封止部材と、前記金型と、の間に無加圧空間を形成し、維持する過程と、
前記無加圧空間を維持した状態で第１封止部材を加圧状態で前記金型内に供給し、前記第１封止部材により前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する過程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、回路基板と、回路基板に実装された半導体部品と、回路基板および半導体部品を樹脂により覆ってモールドする樹脂モールド方法が知られている。
【0003】
例えば、特許文献１記載の樹脂モールド方法では、樹脂モールド金型を型開きにして下型に被成形品としての半導体部品が実装された回路基板をセット後、回路基板を覆うように樹脂シートを供給し、上型と下型で樹脂シートとともに回路基板をクランプする。そして、回路基板の半導体部品が搭載された側の面を圧縮成形を行うことにより樹脂モールドを行っていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００７－３０７８４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記方法においては、回路基板のクランプ時及び圧縮成形時において、樹脂注入による圧力増加に伴って大型部品や、圧力に弱いコンデンサ等の部品が破損する虞があった。
また圧縮成形に限らず、トランスファー成形においても同様の虞があった。
また圧縮成形に限らず、トランスファー成形においても同様の虞があった。
【0006】
さらに圧縮成形においては、基板実装部品を基板の片面側しか樹脂モールドすることはできず、両面実装基板に対しては適用できない。また、実装部品同士のサイズあるいは高さが大きく異なる場合には、樹脂シートを用いた方法では、樹脂モールドが困難であった。
【0007】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、大型部品や、圧力に弱い部品が実装されている場合や、実装部品同士のサイズや高さが大きく異なる場合でも、部品破損等の無い半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
実施形態の半導体装置は、第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板と、前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する第１封止部材と、前記第２部品を前記基板の一部と協働して封止する第２封止部材と、を備える。
上記構成によれば、第２封止部材による封止を第１封止部材による封止時の圧力と独立して設定することができ、第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品の封止時の圧力を低下させることができるので、信頼性の高い半導体装置とすることができる。
上記構成によれば、第２封止部材による封止を第１封止部材による封止時の圧力と独立して設定することができ、第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品の封止時の圧力を低下させることができるので、信頼性の高い半導体装置とすることができる。
【0009】
この場合において、前記第２部品及び前記第２封止部材は、前記基板の少なくとも一方の面に設けられているようにしてもよい。
上記構成によれば、基板として片面部品実装基板あるいは両面部品実装基板のいずれでも適用できる。
上記構成によれば、基板として片面部品実装基板あるいは両面部品実装基板のいずれでも適用できる。
【0010】
また、前記第２封止部材の樹脂硬化温度は、前記第１封止部材の樹脂硬化温度と同等あるいは前記第１封止部材の樹脂硬化温度未満とされているようにしても良い。
上記構成によれば、一工程で樹脂封止処理を行う場合でも、第１封止部材による封止及び第２封止部材による封止が確実に行われている半導体装置とすることができ、半導体装置の信頼性が向上する。
上記構成によれば、一工程で樹脂封止処理を行う場合でも、第１封止部材による封止及び第２封止部材による封止が確実に行われている半導体装置とすることができ、半導体装置の信頼性が向上する。
【0011】
また、前記第１封止部材は、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂であり、前記第２封止部材は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいはＵＶ硬化性樹脂のいずれかであるようにしてもよい。
上記構成によれば、様々な半導体装置に適用することができるため、多様な半導体装置を提供することができる。
上記構成によれば、様々な半導体装置に適用することができるため、多様な半導体装置を提供することができる。
【0012】
実施形態の半導体装置の製造方法は、第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板に対し、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うようにシート状の第２封止部材を貼り付け、あるいは、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うように液体状の第２封止部材を塗布する過程と、金型に前記第２部品の周囲を囲むように形成されたセパレート隔壁の端面を前記基板上の前記第２封止部材に所定圧力で当接させ、前記第２部品及び前記第２封止部材と、前記金型と、の間に無加圧空間を形成し、維持する過程と、前記無加圧空間を維持した状態で第１封止部材により前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する過程と、を備える。
上記構成によれば、第２封止部材による封止と、第１封止部材による封止と、を同一の金型で一連の工程として行うことができ、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで得ることができるともに、製造工程の簡略化が図れる。
上記構成によれば、第２封止部材による封止と、第１封止部材による封止と、を同一の金型で一連の工程として行うことができ、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで得ることができるともに、製造工程の簡略化が図れる。
【0013】
また、実施形態の半導体装置の製造方法は、第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板に対し、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うようにシート状の第２封止部材を貼り付け、あるいは、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うように液体状の第２封止部材を塗布する過程と、金型に前記第２部品の周囲を囲むように形成されたセパレート隔壁で囲まれた領域以外の領域であって、前記第１部品及び前記基板を含む被成形領域を覆うように前記第１封止部材を供給する過程と、前記セパレート隔壁の端面を前記基板上の前記第２封止部材に所定圧力で当接させ、前記第２部品及び前記第２封止部材と、前記金型と、の間に無加圧空間を形成し、維持する過程と、前記無加圧空間を維持した状態で第１封止部材により前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する過程と、を備える。
上記構成によれば、第２封止部材による封止と、圧縮成形を用いた第１封止部材による封止と、を同一の金型で一連の工程として行うことができ、圧縮成形時の圧力が第２部品に印可されることはないので、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで得ることができるともに、製造工程の簡略化が図れる。
上記構成によれば、第２封止部材による封止と、圧縮成形を用いた第１封止部材による封止と、を同一の金型で一連の工程として行うことができ、圧縮成形時の圧力が第２部品に印可されることはないので、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで得ることができるともに、製造工程の簡略化が図れる。
【0014】
また、実施形態の半導体装置の製造方法は、第１部品及び前記第１部品よりも圧力耐性が低い第２部品が実装された基板に対し、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うようにシート状の第２封止部材を貼り付け、あるいは、前記第２部品に対応する位置に前記第２部品を覆うように液体状の第２封止部材を塗布する過程と、前記セパレート隔壁の端面を前記基板上の前記第２封止部材に所定圧力で当接させ、前記第２部品及び前記第２封止部材と、前記金型と、の間に無加圧空間を形成し、維持する過程と、前記無加圧空間を維持した状態で第１封止部材を加圧状態で前記金型内に供給し、前記第１封止部材により前記第１部品を前記基板の一部と協働して封止する過程と、を備える。
上記構成によれば、第２封止部材による封止と、トランスファー成形を用いた第１封止部材による封止と、を同一の金型で一連の工程として行うことができ、トランスファー成形時の圧力が第２部品に印可されることはないので、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで得ることができるともに、製造工程の簡略化が図れる。
上記構成によれば、第２封止部材による封止と、トランスファー成形を用いた第１封止部材による封止と、を同一の金型で一連の工程として行うことができ、トランスファー成形時の圧力が第２部品に印可されることはないので、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで得ることができるともに、製造工程の簡略化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、図面を参照して、実施形態について説明する。以下に示される実施形態の構成（技術的特徴）、ならびに当該構成によってもたらされる作用および効果は、あくまで一例である。本発明は、以下の実施形態に開示される構成以外によっても実現可能であるとともに、基本的な構成によって得られる種々の効果のうち少なくとも一つを得ることが可能である。
【0017】
なお、以下の例示的な複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、同様の構成要素には共通の符号が付されるとともに、重複する説明が省略される。また、本明細書において、序数は、部材（部品）や部位等を区別するために便宜上付与されており、優先順位や順番を示すものではない。
【0018】
［１］第１実施形態
図１は、第１実施形態の半導体装置の概要構成断面図である。
半導体装置１０は、回路基板１１と、第１部品１２Ａ～１２Ｄと、第２部品１３と、第１封止部材１４と、第２封止部材１５と、を備えている。
図１は、第１実施形態の半導体装置の概要構成断面図である。
半導体装置１０は、回路基板１１と、第１部品１２Ａ～１２Ｄと、第２部品１３と、第１封止部材１４と、第２封止部材１５と、を備えている。
【0019】
上記構成において、回路基板１１は、例えば、プリント配線基板として構成されている。
第１部品１２Ａ～１２Ｄは、例えば、半導体部品や、面実装部品などの小型部品として構成され、第２部品１３よりも圧力耐性が高い部品である。
第１部品１２Ａ～１２Ｄは、例えば、半導体部品や、面実装部品などの小型部品として構成され、第２部品１３よりも圧力耐性が高い部品である。
【0020】
第２部品１３は、電解コンデンサや、大型部品として構成されており、第１部品１２Ａ～１２Ｄよりも圧力耐性が低く、圧縮成形あるいはトランスファー成形により破損する虞がある部品である。
【0021】
第１封止部材１４は、圧縮成形あるいはトランスファー成形により加圧状態で部品を封止するための封止部材であり、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂として構成されている。
第２封止部材１５は、無加圧状態で部品を封止するためのシート状封止部材であり熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいはＵＶ硬化樹脂として構成されている。
第２封止部材１５は、無加圧状態で部品を封止するためのシート状封止部材であり熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいはＵＶ硬化樹脂として構成されている。
【0022】
ここで、第１封止部材１４及び第２封止部材１５の組合せについて説明する。
まず、第１封止部材１４としては、樹脂硬化温度が、第２封止部材１５と同等あるいはより高い材料が用いられる。換言すれば、第２封止部材１５としては、樹脂硬化温度が第１封止部材と同等あるいはより低い材料が用いられる。
まず、第１封止部材１４としては、樹脂硬化温度が、第２封止部材１５と同等あるいはより高い材料が用いられる。換言すれば、第２封止部材１５としては、樹脂硬化温度が第１封止部材と同等あるいはより低い材料が用いられる。
【0023】
図２は、第１封止部材及び第２封止部材の材料組合せの一覧表である。
第１の組合せとしては、第１封止部材１４として熱硬化性樹脂を用い、第２封止部材１５として熱硬化性樹脂を用いる組合せが可能である。
第２の組合せとしては、第１封止部材１４として熱硬化性樹脂を用い、第２封止部材１５として熱可塑性樹脂を用いる組合せが可能である。
第１の組合せとしては、第１封止部材１４として熱硬化性樹脂を用い、第２封止部材１５として熱硬化性樹脂を用いる組合せが可能である。
第２の組合せとしては、第１封止部材１４として熱硬化性樹脂を用い、第２封止部材１５として熱可塑性樹脂を用いる組合せが可能である。
【0024】
第３の組合せとしては、第１封止部材１４として熱可塑性樹脂を用い、第２封止部材１５として熱硬化性樹脂を用いる組合せが可能である。
第４の組合せとしては、第１封止部材１４として熱可塑性樹脂を用い、第２封止部材１５として熱可塑性樹脂を用いる組合せが可能である。
第４の組合せとしては、第１封止部材１４として熱可塑性樹脂を用い、第２封止部材１５として熱可塑性樹脂を用いる組合せが可能である。
【0025】
第５の組合せとしては、第１封止部材１４として熱硬化性樹脂を用い、第２封止部材１５としてＵＶ硬化性樹脂を用いる組合せが可能である。
第６の組合せとしては、第１封止部材１４として熱可塑性樹脂を用い、第２封止部材１５としてＵＶ硬化性樹脂を用いる組合せが可能である。
第６の組合せとしては、第１封止部材１４として熱可塑性樹脂を用い、第２封止部材１５としてＵＶ硬化性樹脂を用いる組合せが可能である。
【0026】
次に第１実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
本第１実施形態においては、樹脂封止方法として圧縮成形により半導体装置の封止を行う場合を例として説明する。
本第１実施形態においては、樹脂封止方法として圧縮成形により半導体装置の封止を行う場合を例として説明する。
【0027】
図３は、第１実施形態の半導体装置の製造方法の説明図である。
図３において、回路基板１１は、片側部品実装基板として構成されており、図３（Ａ）において、回路基板１１の一方の面（図３においては上面）側には、第１部品１２Ａ～１２Ｄ及び第２部品１３が実装されているものとする。
図３において、回路基板１１は、片側部品実装基板として構成されており、図３（Ａ）において、回路基板１１の一方の面（図３においては上面）側には、第１部品１２Ａ～１２Ｄ及び第２部品１３が実装されているものとする。
【0028】
まず、図３（Ｂ）に示すように、第１部品１２Ａ～１２Ｄと比較して圧力耐性が低い部品である第２部品１３を覆うように、樹脂シート製の第２封止部材１５を貼り付け、あるいは、液状樹脂としての第２封止部材１５を塗布する。
【0029】
ここで、上型ＵＭ及び下型ＬＭを備えた樹脂モールド金型のうち、上型ＵＭの第２封止部材１５に対応する部分には、軟化状態の第２封止部材１５の周縁部に対向する位置に所定の圧力で当接するとともに、第２封止部材の中央部に対向する部分に圧縮成形時に第２部品１３に圧力を印可しないため無加圧空間ＮＰＡを形成するセパレート隔壁ＳＰＷが形成されている。
【0030】
図４は、セパレート隔壁の形成高さの説明図である。
図４に示すように、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面の位置Ｐ１が第２封止部材１５の上面の高さ位置Ｐ２よりも下方であって、回路基板１１との間で所定の高さの空隙を形成可能なようにセパレート隔壁ＳＰＷの高さＨが設定されている。
図４に示すように、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面の位置Ｐ１が第２封止部材１５の上面の高さ位置Ｐ２よりも下方であって、回路基板１１との間で所定の高さの空隙を形成可能なようにセパレート隔壁ＳＰＷの高さＨが設定されている。
【0031】
この場合において、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面と回路基板１１との間に空隙を設けているのは、第２封止部材１５の軟化時にこの空隙内に第２封止部材１５が進入し、図３（Ｄ）に示すように、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面に所定圧力で当接し、無加圧空間ＮＰＡを形成するためである。
【0032】
続いて、図３（Ｃ）に示すように、樹脂モールド金型ＵＭ、ＬＭを型開きして下型ＬＭに被成形品であり、第２封止部材１５が貼り付けあるいは塗布された回路基板１１をセットする。
【0033】
続いて上型ＵＭのセパレート隔壁ＳＰＷ及びセパレート隔壁ＳＰＷで囲まれた領域を除き、第１部品１２Ａ～１２Ｄ及び回路基板１１を含む被成形領域を覆うように第１封止部材１４としてのモールド樹脂を供給する。
【0034】
この状態において、上型ＵＭ及び下型ＬＭは、第１封止部材１４及び第２封止部材１５を軟化可能な状態に加熱されている。
したがって、上型ＵＭと下型ＬＭで第１封止部材１４、第２封止部材１５及び回路基板１１を徐々にクランプする。
したがって、上型ＵＭと下型ＬＭで第１封止部材１４、第２封止部材１５及び回路基板１１を徐々にクランプする。
【0035】
この結果、第２封止部材１５は、第１封止部材１４と同時あるいは第１封止部材１４よりも先に軟化して、図３（Ｄ）に示すように、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面と回路基板１１との間の空隙内に第２封止部材１５が進入してセパレート隔壁ＳＰＷの下端面に所定圧力で当接し、第２部品１３の周囲、より詳細には、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面に対向する領域における第２封止部材１５の成形（第２部品１３の樹脂封止）が完了する。
【0036】
これにより、セパレート隔壁ＳＰＷ、第２封止部材１５で囲まれた空間には、第１封止部材１４が進入することはなく、無加圧空間ＮＰＡが形成される。
この結果、第２部品１３には、圧縮成形時に第１封止部材１４により伝達される圧力が印可されることはなく、第２部品１３の変形あるいは破壊が生じることはない。
すなわち、第２部品１３は無加圧状態で、第１部品１２Ａ～１２Ｄ樹脂封止がなされる。
この結果、第２部品１３には、圧縮成形時に第１封止部材１４により伝達される圧力が印可されることはなく、第２部品１３の変形あるいは破壊が生じることはない。
すなわち、第２部品１３は無加圧状態で、第１部品１２Ａ～１２Ｄ樹脂封止がなされる。
【0037】
従って本第１実施形態によれば、大型であったり、構造的に変形あるいは破壊しやすい部品（上述の第２部品１３に相当）については、無加圧状態で樹脂封止を行うことができるため、部品破損を防ぐことができ、樹脂封止された半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【0038】
また上述したように、耐圧性の低い部品（上述の第２部品１３に相当）と耐圧性の高い部品（上述の第１部品１２Ａ～１２Ｄに相当）とが混載された回路基板を樹脂封止する婆であっても、個別に樹脂封止を行わずに、一工程で樹脂封止できるので、複数回の樹脂封止のための領域を予め回路基板に設ける必要が無いので、製品の小型化が図れる。さらに一工程で樹脂封止できるので製造工程の簡略化を図ることができる。
【0039】
［２］第２実施形態
以上の第１実施形態は、片側部品実装基板であったが、本第２実施形態は、両面部品実装基板に適用し、樹脂封止方法としてトランスファー成形を行ったものである。
図５は、第２実施形態の半導体装置の製造方法の説明図である。
図５において、図３の第１実施形態と同様の部分には、同一の符号を付し、その詳細な説明を援用するものとする。
両面部品実装回路基板１１Ａは、図５（Ａ）に示すように、回路基板１１と、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｄと、第２部品１３と、第１封止部材１４と、第２封止部材１５と、を備えている。
以上の第１実施形態は、片側部品実装基板であったが、本第２実施形態は、両面部品実装基板に適用し、樹脂封止方法としてトランスファー成形を行ったものである。
図５は、第２実施形態の半導体装置の製造方法の説明図である。
図５において、図３の第１実施形態と同様の部分には、同一の符号を付し、その詳細な説明を援用するものとする。
両面部品実装回路基板１１Ａは、図５（Ａ）に示すように、回路基板１１と、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｄと、第２部品１３と、第１封止部材１４と、第２封止部材１５と、を備えている。
【0040】
上記構成において、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｄは、例えば、半導体部品や、面実装部品などの小型部品として構成され、第２部品１３よりも圧力耐性が高い部品である。
【0041】
【0042】
第２部品１３は、電解コンデンサや、大型部品として構成されており、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｄよりも圧力耐性が低く、圧縮成形あるいはトランスファー成形により破損する虞がある部品である。
【0043】
まず、図５（Ｂ）に示すように、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、と比較して圧力耐性が低い部品である第２部品１３を覆うように、樹脂シート製の第２封止部材１５を貼り付け、あるいは、液状樹脂としての第２封止部材１５を塗布する。
【0044】
この場合においても、図５（Ｃ）に示すように、第１実施形態と同様に上型ＵＭの第２封止部材１５に対応する部分には、軟化状態の第２封止部材１５の周縁部に対向する位置に所定の圧力で当接するとともに、第２封止部材の中央部に対向する部分に圧縮成形時に第２部品１３に圧力を印可しないため無加圧空間ＮＰＡを形成するセパレート隔壁ＳＰＷが形成されている。
【0045】
そして、樹脂モールド金型ＵＭ、ＬＭを型開きして下型ＬＭに被成形品であり、第２封止部材１５が貼り付けあるいは塗布された回路基板１１をセットする。
【0046】
この状態において、上型ＵＭ及び下型ＬＭは、第１封止部材１４及び第２封止部材１５を軟化可能な状態に加熱されている。
したがって、上型ＵＭと下型ＬＭで第１封止部材１４、第２封止部材１５及び回路基板１１をクランプする。
したがって、上型ＵＭと下型ＬＭで第１封止部材１４、第２封止部材１５及び回路基板１１をクランプする。
【0047】
この結果、第２封止部材１５は、軟化して、図３（Ｃ）に示すように、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面と回路基板１１との間の空隙内に第２封止部材１５が進入してセパレート隔壁ＳＰＷの下端面に所定圧力で当接し、第２部品１３の周囲、より詳細には、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面に対向する領域における第２封止部材１５の成形（第２部品１３の樹脂封止）が完了する。
【0048】
これにより、セパレート隔壁ＳＰＷ、第２封止部材１５で囲まれた空間には、第１封止部材１４が進入することはなく、無加圧空間ＮＰＡが形成される。
この結果、第２部品１３には、トランスファー成形時に第１封止部材１４により伝達される圧力が印可されることはなく、第２部品１３の変形あるいは破壊が生じることはない。
この結果、第２部品１３には、トランスファー成形時に第１封止部材１４により伝達される圧力が印可されることはなく、第２部品１３の変形あるいは破壊が生じることはない。
【0049】
この状態において、第１封止部材１４をトランスファー成形により樹脂モールド金型ＵＭ、ＬＭ内に圧入することにより、図５（Ｄ）に示すように第２部品１３は無加圧状態で、第１部品１２Ａ～１２Ｄ及び第１部品２１Ａ～２１Ｄの樹脂封止がなされる。
【0050】
従って本第２実施形態によっても、大型であったり、構造的に変形あるいは破壊しやすい部品（上述の第２部品１３に相当）については、無加圧状態で樹脂封止を行うことができるため、部品破損を防ぐことができ、樹脂封止された半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【0051】
また上述したように、耐圧性の低い部品（上述の第２部品１３に相当）と耐圧性の高い部品（上述の第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｄに相当）とが混載された両面部品実装された回路基板を樹脂封止する場合であっても、個別に樹脂封止を行わずに、一工程で樹脂封止できるので、複数回の樹脂封止のための領域を予め回路基板に設ける必要が無いので、製品の小型化が図れる。さらに一工程で樹脂封止できるので製造工程の簡略化を図ることができる。
【0052】
［３］第３実施形態
以上の第１実施形態お及び第２実施形態は、回路基板の一方の面にのみ、圧力耐性が低い第２部品が実装されている場合であったが、本第３実施形態は、両面部品実装基板において、両面に圧力耐性が低い第２部品が実装されている場合の実施形態である。
本第３実施形態においても、第２実施形態と同様に、樹脂封止方法としてトランスファー成形を行っているものである。
以上の第１実施形態お及び第２実施形態は、回路基板の一方の面にのみ、圧力耐性が低い第２部品が実装されている場合であったが、本第３実施形態は、両面部品実装基板において、両面に圧力耐性が低い第２部品が実装されている場合の実施形態である。
本第３実施形態においても、第２実施形態と同様に、樹脂封止方法としてトランスファー成形を行っているものである。
【0053】
図６は、第３実施形態の半導体装置の製造方法の説明図である。
図６において、図３の第１実施形態と同様の部分には、同一の符号を付し、その詳細な説明を援用するものとする。
両面部品実装回路基板１１Ｂは、図６（Ａ）に示すように、回路基板１１と、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｂと、第２部品１３、２２と、第１封止部材１４と、第２封止部材１５、２３と、を備えている。
図６において、図３の第１実施形態と同様の部分には、同一の符号を付し、その詳細な説明を援用するものとする。
両面部品実装回路基板１１Ｂは、図６（Ａ）に示すように、回路基板１１と、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｂと、第２部品１３、２２と、第１封止部材１４と、第２封止部材１５、２３と、を備えている。
【0054】
上記構成において、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｂは、例えば、半導体部品や、面実装部品などの小型部品として構成され、第２部品１３、２２よりも圧力耐性が高い部品である。
【0055】
【0056】
第２部品１３、２２は、電解コンデンサや、大型部品として構成されており、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｄよりも圧力耐性が低く、圧縮成形あるいはトランスファー成形により破損する虞がある部品である。
さらに第２部品１３は、回路基板１１の一方の面（図６の例では、上面）に実装され、第２部品２２は、回路基板１１の他方の面（図６の例では、下面）に実装されている。
さらに第２部品１３は、回路基板１１の一方の面（図６の例では、上面）に実装され、第２部品２２は、回路基板１１の他方の面（図６の例では、下面）に実装されている。
【0057】
まず、図６（Ｂ）に示すように、第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｂと比較して圧力耐性が低い部品である第２部品１３を覆うように、樹脂シート製の第２封止部材１５を貼り付け、あるいは、液状樹脂としての第２封止部材１５を塗布する。
【0058】
同様に第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｂと比較して圧力耐性が低い部品である第２部品２２を覆うように、樹脂シート製の第２封止部材２３を貼り付け、あるいは、液状樹脂としての第２封止部材２３を塗布する。
【0059】
この場合においても、図６（Ｃ）に示すように、第１実施形態及び第２実施形態と同様に上型ＵＭの第２封止部材１５に対応する部分には、軟化状態の第２封止部材１５の周縁部に対向する位置に所定の圧力で当接するとともに、第２封止部材１５の中央部に対向する部分に圧縮成形時に第２部品１３に圧力を印可しないため無加圧空間ＮＰＡを形成するセパレート隔壁ＳＰＷが形成されている。
【0060】
同様に、図６（Ｃ）に示すように、下型ＬＭの第２封止部材２３に対応する部分には、軟化状態の第２封止部材２３の周縁部に対向する位置に所定の圧力で当接するとともに、第２封止部材２３の中央部に対向する部分に圧縮成形時に第２部品２２に圧力を印可しないため無加圧空間ＮＰＡ１を形成するセパレート隔壁ＳＰＷ１が形成されている。
【0061】
そして、樹脂モールド金型ＵＭ、ＬＭを型開きして下型ＬＭに被成形品であり、第２封止部材１５、２３が貼り付けあるいは塗布された回路基板１１をセットする。
【0062】
この状態において、上型ＵＭ及び下型ＬＭは、第１封止部材１４及び第２封止部材１５、２３を軟化可能な状態に加熱されている。
したがって、上型ＵＭと下型ＬＭで第１封止部材１４、第２封止部材１５、第２封止部材２３及び回路基板１１をクランプする。
したがって、上型ＵＭと下型ＬＭで第１封止部材１４、第２封止部材１５、第２封止部材２３及び回路基板１１をクランプする。
【0063】
この結果、第２封止部材１５は、軟化して、図６（Ｄ）に示すように、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面と回路基板１１との間の空隙内に第２封止部材１５が進入してセパレート隔壁ＳＰＷの下端面に所定圧力で当接し、第２部品１３の周囲、より詳細には、セパレート隔壁ＳＰＷの下端面に対向する領域における第２封止部材１５の成形（第２部品１３の樹脂封止）が完了する。
【0064】
これにより、セパレート隔壁ＳＰＷ、第２封止部材１５で囲まれた空間には、第１封止部材１４が進入することはなく、無加圧空間ＮＰＡが形成される。
この結果、第２部品１３には、トランスファー成形時に第１封止部材１４により伝達される圧力が印可されることはなく、第２部品１３の変形あるいは破壊が生じることはない。
この結果、第２部品１３には、トランスファー成形時に第１封止部材１４により伝達される圧力が印可されることはなく、第２部品１３の変形あるいは破壊が生じることはない。
【0065】
同様に、第２封止部材２３は、軟化して、図６（Ｄ）に示すように、セパレート隔壁ＳＰＷ１の上端面と回路基板１１との間の空隙内に第２封止部材２３が進入してセパレート隔壁ＳＰＷ１の上端面に所定圧力で当接し、第２部品２２の周囲、より詳細には、セパレート隔壁ＳＰＷ１の上端面に対向する領域における第２封止部材２３の成形（第２部品２２の樹脂封止）が完了する。
【0066】
これにより、セパレート隔壁ＳＰＷ１、第２封止部材２３で囲まれた空間には、第１封止部材１４が進入することはなく、無加圧空間ＮＰＡ１が形成される。
この結果、第２部品２２には、トランスファー成形時に第１封止部材１４により伝達される圧力が印可されることはなく、第２部品２２の変形あるいは破壊が生じることはない。
この結果、第２部品２２には、トランスファー成形時に第１封止部材１４により伝達される圧力が印可されることはなく、第２部品２２の変形あるいは破壊が生じることはない。
【0067】
この状態において、第１封止部材１４をトランスファー成形により樹脂モールド金型ＵＭ、ＬＭ内に圧入することにより、図６（Ｄ）に示すように第２部品１３は無加圧状態で、第１部品１２Ａ～１２Ｄ及び第１部品２１Ａ～２１Ｄの樹脂封止がなされる。
【0068】
従って本第３実施形態によれば、両面部品実装の回路基板の両面に、大型であったり、構造的に変形あるいは破壊しやすい部品（上述の第２部品１３に相当）が設けられている場合であっても、無加圧状態で樹脂封止を行うことができるため、部品破損を防ぐことができ、樹脂封止された半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【0069】
また上述したように、耐圧性の低い部品（上述の第２部品１３、２２に相当）と耐圧性の高い部品（上述の第１部品１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｂに相当）とが混載された両面部品実装された回路基板を樹脂封止する場合であっても、個別に樹脂封止を行わずに、一工程で樹脂封止できるので、複数回の樹脂封止のための領域を予め回路基板に設ける必要が無いので、製品の小型化が図れる。さらに一工程で樹脂封止できるので製造工程の簡略化を図ることができる。
【0070】
［４］実施形態の変形例
図７は、実施形態の変形例の説明図である。
上記各実施形態においては、第２封止部材１５、２３の大きさは、対向するセパレート隔壁ＳＰＷ同士あるいは対向するセパレート隔壁ＳＰＷ１同士の離間距離よりも小さく設定されており、軟化することによりセパレート隔壁ＳＰＷの下面あるいはセパレート隔壁ＳＰＷ１の上面に当接するようになっていたが、本変形例では、図７（Ａ）に示す第２封止部材１５の大きさ（幅Ｗ）は、セパレート隔壁ＳＰＷの下面あるいはセパレート隔壁ＳＰＷ１の上面に対向する大きさとなっている点で異なっている。
図７は、実施形態の変形例の説明図である。
上記各実施形態においては、第２封止部材１５、２３の大きさは、対向するセパレート隔壁ＳＰＷ同士あるいは対向するセパレート隔壁ＳＰＷ１同士の離間距離よりも小さく設定されており、軟化することによりセパレート隔壁ＳＰＷの下面あるいはセパレート隔壁ＳＰＷ１の上面に当接するようになっていたが、本変形例では、図７（Ａ）に示す第２封止部材１５の大きさ（幅Ｗ）は、セパレート隔壁ＳＰＷの下面あるいはセパレート隔壁ＳＰＷ１の上面に対向する大きさとなっている点で異なっている。
【0071】
このように構成することにより、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）に示すように、上型ＵＭと下型ＬＭとの間の距離が短くするようにすると、第２封止部材１５が軟化しているか否かにかかわらず、確実に第２封止部材１５に当接することとなり、確実に無加圧空間ＮＰＡを形成する戸ができ、製品の歩留まりをより一層向上することができる。
【0072】
以上、本発明の実施形態を例示したが、上記実施形態はあくまで一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、表示要素等のスペック（構造、種類、方向、形状、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等）は、適宜に変更して実施することができる。
【符号の説明】
【0073】
１０ 半導体装置
１１ 回路基板
１１Ａ 両面部品実装回路基板
１１Ｂ 両面部品実装回路基板
１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｄ 第１部品
１３、２２ 第２部品
１４ 第１封止部材
１５、２３ 第２封止部材
ＬＭ 下型
ＮＰＡ、ＮＰＡ１ 無加圧空間
ＳＰＷ、ＳＰＷ１ セパレート隔壁
ＵＭ 上型
Ｗ 幅
１１ 回路基板
１１Ａ 両面部品実装回路基板
１１Ｂ 両面部品実装回路基板
１２Ａ～１２Ｄ、２１Ａ～２１Ｄ 第１部品
１３、２２ 第２部品
１４ 第１封止部材
１５、２３ 第２封止部材
ＬＭ 下型
ＮＰＡ、ＮＰＡ１ 無加圧空間
ＳＰＷ、ＳＰＷ１ セパレート隔壁
ＵＭ 上型
Ｗ 幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】