特開 2022-112343 配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022112343

(43)【公開日】2022-08-02

(54)【発明の名称】配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220726BHJP

   H05K 1/16 20060101ALI20220726BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20220726BHJP

   H01F 17/04 20060101ALI20220726BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K1/16 B

H01F17/00 B

H01F17/04 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021008147

(22)【出願日】2021-01-21

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西脇 千朗

(72)【発明者】

【氏名】児玉 博明

【テーマコード（参考）】

4E351

5E070

5E316

【Ｆターム（参考）】

4E351AA02

4E351AA03

4E351BB11

4E351BB13

4E351CC06

4E351DD04

4E351DD19

4E351DD50

4E351GG20

5E070AA01

5E070AB02

5E070BB03

5E070CB06

5E316AA12

5E316AA35

5E316AA43

5E316BB13

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD02

5E316DD24

5E316FF01

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH22

5E316HH33

5E316JJ14

(57)【要約】

【課題】配線基板の設計自由度の工場及び配線基板の小型化。
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、絶縁体又は導電体の表面７ａ上に導体層１１を形成することと、磁性を有する樹脂５で導体層１１の一部１１０を覆うことと、磁性を有する樹脂５及び導体層１１を覆う絶縁層を表面７ａ上に形成することと、を含んでいる。そして、磁性を有する樹脂５で導体層１１の一部１１０を覆うことは、導体層１１の一部１１０を露出させる開口８ａを有するマスク８を表面７ａ上に設けることと、開口８ａの内部に磁性を有する樹脂５を供給することと、マスク８を除去することと、を含んでいる。
【選択図】図３Ｃ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁体又は導電体の表面上に導体層を形成することと、
磁性を有する樹脂で前記導体層の一部を覆うことと、
前記磁性を有する樹脂及び前記導体層を覆う絶縁層を前記表面上に形成することと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記磁性を有する樹脂で前記導体層の一部を覆うことは、
前記導体層の前記一部を露出させる開口を有するマスクを前記表面上に設けることと、
前記開口の内部に前記磁性を有する樹脂を供給することと、
前記マスクを除去することと、
を含んでいる。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
前記マスクを設けることは、
感光性材料を含む膜体を前記表面上及び前記導体層上に形成することと、
露光及び現像によって前記膜体に前記開口を形成することと、
を含んでいる。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、さらに、
支持基板上に積層された金属膜を前記導電体として用意することと、
前記絶縁層の形成よりも後に、前記支持基板及び前記金属膜を除去することと、
を含んでいる。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記開口の内部に前記磁性を有する樹脂を供給することは、印刷によって、前記磁性を有する樹脂で前記開口を充填することを含んでいる。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記磁性を有する樹脂は、３０μｍ以上、１００μｍ以下の厚さを有するように、前記開口の内部に供給される。

【請求項6】

請求項５記載の配線基板の製造方法であって、前記絶縁層は、前記磁性を有する樹脂全体を覆い、且つ、５０μｍ以上、１２０μｍ以下の厚さを有するように形成される。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記導体層は、１０μｍ以上、５０μｍ以下の間隔で並列する複数の配線パターンを前記一部に有するように形成される。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記導体層は、蛇行パターンを前記一部に有するように形成される。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記マスクは、前記開口の内壁が前記導体層側ほど前記開口の中央部側へと向かうテーパー面となるように形成される。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記開口の内部の前記磁性を有する樹脂を加熱により硬化させることを含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、配線板内に形成されるインダクタ部品の製造方法が開示されている。特許文献１に開示の方法では、導体層に形成されたインダクタパターン上に磁性体層が形成される。磁性体層は、磁性体ペーストをインダクタパターン上に塗布することによって形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－３２９７８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の配線板内へのインダクタ部品の製造方法では、塗布後の磁性体ペーストは導体層上で流動し得ると考えられる。磁性体層に覆われる領域がインダクタパターンの周囲の領域まで拡大することがある。磁性体との接触を避けるべき導体パターンとインダクタパターンとを近接させることが困難になり、配線板の小型化が阻害されたり、パターン設計の自由度が低下したりすることがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板の製造方法は、絶縁体又は導電体の表面上に導体層を形成することと、磁性を有する樹脂で前記導体層の一部を覆うことと、前記磁性を有する樹脂及び前記導体層を覆う絶縁層を前記表面上に形成することと、を含んでいる。そして、前記磁性を有する樹脂で前記導体層の一部を覆うことは、前記導体層の前記一部を露出させる開口を有するマスクを前記表面上に設けることと、前記開口の内部に前記磁性を有する樹脂を供給することと、前記マスクを除去することと、を含んでいる。

【0006】

本発明の実施形態によれば、磁性を有する樹脂を用いる配線基板の製造において、磁性を有する樹脂の配線基板上での流動を制限することができる。配線基板のパターン設計の自由度が向上したり、配線基板の小型化が促進されたりすることがある。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例を示す断面図。

【図2】一実施形態の配線基板の製造方法において形成される導体パターンの一例を示す平面図。

【図3A】一実施形態の配線基板の製造方法による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図3B】一実施形態の配線基板の製造方法による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図3C】一実施形態の配線基板の製造方法による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図3D】一実施形態の配線基板の製造方法による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図3E】一実施形態の配線基板の製造方法による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図3F】一実施形態の配線基板の製造方法による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図3G】一実施形態の配線基板の製造方法による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図3H】一実施形態の配線基板の製造方法による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図4】一実施形態の配線基板の製造方法の第１変形例による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図5A】一実施形態の配線基板の製造方法の第２変形例による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図5B】一実施形態の配線基板の製造方法の第３変形例による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図6A】一実施形態の配線基板の製造方法の第４変形例による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【図6B】一実施形態の配線基板の製造方法の第４変形例による完成状態の配線基板の一例を示す断面図。

【図7】一実施形態の配線基板の製造方法の第５変形例による工程中の配線基板の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の実施形態が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、図１の配線基板１に形成される導体パターン１１１の平面図が示されている。図１は、図２のＩ－Ｉ線を含む切断線での断面図である。まず一実施形態の配線基板の製造方法によって製造され得る配線基板が、図１及び図２を参照して配線基板１を例に用いて説明される。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、配線基板１の厚さ方向に直交する２つの主面（第１面１ａ及び第１面１ａの反対面である第２面１ｂ）を有していて、導体層１１～１４及び絶縁層２１～２３を含んでいる。具体的には、図１の配線基板１は、第１面１ａ側の最表層の導体層である導体層１１（第１導体層）、及び、第１面１ａ側の最表層の絶縁層である絶縁層２１（第１絶縁層）を含んでいる。絶縁層２１は、導体層１１における第１面１ａ側の表面以外の表面を覆っており、導体層１１は絶縁層２１に埋め込まれている。配線基板１は、さらに、絶縁層２１における第２面１ｂ側の表面上に順に積層されている、導体層１２、絶縁層２２、導体層１３、絶縁層２３、及び導体層１４を含んでいる。配線基板１は、さらに、第１面１ａにおいて導体層１１及び絶縁層２１を覆うソルダーレジスト層３１と、第２面１ｂにおいて導体層１４及び絶縁層２３を覆うソルダーレジスト層３２とを含んでいる。配線基板１は、さらに、磁性を有していて導体層１１の一部１１０を覆う磁性被覆体５ａを含んでいる。図１の配線基板１は、配線基板の製造において導体層及び絶縁層の形成時のベースとなるコア基板（出発基板）を含まない、所謂コアレス基板である。

【0010】

絶縁層２１～２３それぞれには、各絶縁層を挟む導体層同士を接続するビア導体４が形成されている。例えば絶縁層２１に形成されているビア導体４によって導体層１１と導体層１２とが接続されている。同様に、絶縁層２２内のビア導体４によって導体層１２と導体層１３とが接続され、絶縁層２３内のビア導体４によって導体層１３と導体層１４とが接続されている。

【0011】

ソルダーレジスト層３１は、導体層１１の一部を露出させる開口３１ａを有し、ソルダーレジスト層３２は、導体層１４の一部を露出させる開口３２ａを有している。開口３１ａによって第１導体層１１の実装パッド１１ｐが画定され、開口３２ａによって導体層１４の実装パッド１４ｐが画定されている。実装パッド１１ｐ及び実装パッド１４ｐそれぞれの表面上には、各実装パッドの表面を酸化や腐食から保護する表面保護膜６１が形成されている。実装パッド１４ｐを覆う表面保護膜６１上には、配線基板１と外部の配線基板や電子部品などとの接続に寄与するバンプ６２が形成されている。

【0012】

絶縁層２１～２３は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材（芯材）及び／又はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。ソルダーレジスト層３１、３２は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成されている。

【0013】

表面保護膜６１は、例えば、導体層１１、１４それぞれとは異なる金属を含む金属被膜や、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜である。導体層１１、１４が銅で形成されている場合、表面保護膜６１は、ニッケル、パラジウム、銀、金、若しくはこれらの合金、又ははんだなどによって形成され得る。バンプ６２は、錫、銀、銅、ビスマス、亜鉛、及び鉛などの二つ以上を組み合わせて含むはんだ、若しくは、銅、ニッケル、又は金などによって形成される。

【0014】

各導体層は、所定の導体パッド及び／又は配線パターンを有するようにパターニングされている。前述したように、図１の例における導体層１１は実装パッド１１ｐを含み、導体層１４は実装パッド１４ｐを含んでいる。導体層１１は、さらに、導体パターン１１１（第１導体パターン）を含んでいる。

【0015】

磁性被覆体５ａは導体パターン１１１を覆っており、絶縁層２１は磁性被覆体５ａを覆っている。絶縁層２１は、ソルダーレジスト層３１における導体層１１側の表面も覆っている。磁性被覆体５ａは、後述される磁性を有する樹脂５（図３Ｃ参照）からなる。磁性被覆体５ａ、すなわち、磁性を有する樹脂５は、例えば、鉄、酸化鉄、コバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料からなる粉末と、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂などの樹脂材料とを含んでいる。なお、上記及び下記の説明において「磁性を有する」は、「磁性を有する樹脂５」乃至「磁性被覆体５ａ」が、絶縁層２１～２３を構成する材料乃至絶縁層２１～２３よりも、磁性を帯び易いことを意味している。「磁性を有する樹脂」は、以下では、単に「磁性樹脂」とも称される。

【0016】

導体パターン１１１は、好ましくは、配線基板１においてインダクタを構成する。磁性樹脂からなる磁性被覆体５ａに導体パターン１１１が覆われているので、導体パターン１１１が磁性被覆体５ａに覆われずに絶縁層２１に覆われている場合よりも、導体パターン１１１によって構成されるインダクタのインダクタンスが高められる。すなわち配線基板１は、磁性被覆体５ａを含まない場合と比べて、より高いインダクタンスを有するインダクタを含み得る。

【0017】

図１に示されるように、配線基板１では、絶縁層２１の厚さＴ２は、配線基板１内の他の絶縁層（絶縁層２２、２３）よりも厚い。そして、この比較的厚い絶縁層２１の厚さ方向の大半の領域に渡って磁性被覆体５ａが形成されている。図１の例において磁性被覆体５ａの厚さＴ１は、絶縁層２２、２３それぞれの厚さよりも厚い。すなわち、導体パターン１１１を覆っていて多くの磁束を生じさせ得る磁性樹脂によって構成されている領域（磁性被覆体５ａ）が比較的大きい。従って、例えば磁性被覆体５ａの厚さＴ１が絶縁層２２の厚さよりも薄い場合と比べて、導体パターン１１１によって構成されるインダクタンスが大きいと考えられる。

【0018】

なお、「絶縁層２１の厚さ」は、絶縁層２１における導体層１１側の表面（下面）とその反対側の表面（上面）との間の距離である。図１の例のように絶縁層２１が磁性被覆体５ａを覆っている場合は、「絶縁層２１の厚さ」は、磁性被覆体５ａを覆っている部分における、絶縁層２１の下面と上面との間の距離である。

【0019】

配線基板１の導体パターン１１１は、図２に示されるように、並列する複数の配線パターン１１１ａ～１１１ｄを含んでいる。図２の例の導体パターン１１１は、両端において接続されているビアパッド１１２及びビア導体４を介して他の導体層（例えば導体層１２）内の導体パターンに接続されている。各配線パターン１１１ａ～１１１ｄは、それぞれ、例えば１０μｍ以上、５０μｍ以下の配線幅Ｌを有している。複数の配線パターン１１１ａ～１１１ｄの各配線パターンは、例えば１０μｍ以上、５０μｍ以下の間隔Ｓで並列している。そして、導体パターン１１１において複数の配線パターン１１１ａ～１１１ｄそれぞれは、一方の端部において第１側で隣接する配線パターンと接続され、他方の端部において第１側と反対の第２側で隣接する配線パターンと接続されている。すなわち、図２に例示される導体パターン１１１は、曲がりくねっている蛇行パターンである。このような配線幅及び間隔で図２の例のような蛇行パターンを導体パターン１１１として形成することによって、配線基板１内の限られた領域内に、比較的低い銅損を有しながら比較的高いインダクタンスを有するインダクタが構成され得る。

【0020】

図１に示される配線基板１を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が図３Ａ～図３Ｈを参照して以下に説明される。

【0021】

本実施形態の配線基板の製造方法は、図３Ａに示されるように、絶縁体又は導電体の表面上に導体層１１（第１導体層）を形成することを含んでいる。図３Ａの例では、導電体である金属膜７の表面７ａ上に導体層１１が形成されている。まず、図３Ａに示されるように、ガラスエポキシ基板などからなる絶縁基板７２、及びその表面に例えば銅箔からなる金属箔７１を有する支持基板７０が用意される。金属箔７１と絶縁基板７２とは熱圧着などにより接合されている。金属膜７は、例えば金属箔７１と同様に、銅やニッケルなどからなる金属箔である。金属膜７と金属箔７１とは、例えば、熱可塑性接着剤などの分離可能な接着剤で接着されるか、縁部だけで固着されている。図３Ａに例示のように、本実施形態の配線基板の製造方法は、上記の導電体として、支持基板７０上に積層された金属膜７を用意することを含んでいてもよい。

【0022】

金属膜７上に、導体パターン１１１及びビアパッド１１２などの所望の導体パターンを含む導体層１１が形成される。導体層１１は、例えば、適切な開口を備えるめっきレジストを用いると共に、金属膜７を給電層として用いる電解めっき（パターンめっき）によって形成される。導体層１１は無電解めっきなどの他の方法で形成されてもよい。なお、図３Ａ～図３Ｄの例と異なり、支持基板７０の片方の面だけが、導体層１１などの形成に用いられてもよい。支持基板７０の下側の構成要素について、各図面（後に参照される図４を含む）においてその符号は適宜省略され、以下の説明においても、その説明は省略される。

【0023】

図１の配線基板１が製造される場合には、導体層１１は、先に参照した図２に示されるような、１０μｍ以上、５０μｍ以下の間隔で並列する複数の配線パターン１１１ａ～１１１ｄを含む導体パターン１１１を、導体層１１の一部１１０に有するように形成される。すなわち、導体層１１は、その一部１１０に、図２の例のような蛇行パターンを有するように形成されてもよい。

【0024】

本実施形態の配線基板の製造方法は、図３Ｂ～図３Ｃに示されるように、磁性を有する樹脂（磁性樹脂）５で導体層１１の一部１１０を覆うことを含んでいる。そして磁性樹脂５で導体層１１の一部１１０を覆うことは、図３Ｂに示されるように、導体層１１の一部１１０を露出させる開口８ａを有するマスク８を、金属膜７の表面７ａ上に設けることを含んでいる。

【0025】

マスク８を金属膜７の表面７ａ上に設けることは、マスク８となる膜体８０を金属膜７の表面７ａ上及び導体層１１上に形成することと、膜体８０に開口８ａを形成することと、を含み得る。膜体８０は、導体層１１の一部１１０以外の部分が磁性樹脂５に覆われないように、導体層１１の一部１１０以外の導体層及び金属膜７の表面７ａを覆い得るものであれば特に限定されないが、例えば膜体８０として、ドライフィルムレジストと一般的に称される感光性材料を含む樹脂フィルムが例示される。すなわち、ドライフィルムレジストを金属膜７の表面７ａ及び導体層１１の全面に積層することによって膜体８０が形成されてもよい。

【0026】

そして、図３Ｂに示されるように、開口８ａに対応する適切な開口パターンを有する露光マスクＥＭを用いる露光、及びその後の現像を行うことによって開口８ａが形成されてもよい。図３Ｂは、ネガ型のドライフィルムレジストが膜体８０として用いられる例が示されている。そのため、露光マスクＥＭには、膜体８０において開口８ａが形成されるべき領域、すなわち導体層１１の一部１１０（すなわち導体パターン１１１が形成されている領域）に重なる部分を覆う遮光部ＥＭ１が設けられている。露光マスクＥＭにおいて遮光部ＥＭ１以外の部分は光を透す透光部ＥＭ２である。

【0027】

例えばこのような露光マスクＥＭとネガ型のドライフィルムレジストとを用いて露光及び現像を行うことによって、開口８ａを有するマスク８が設けられる。なお、膜体８０の形成には、フィルムの形態以外の例えば液状レジストが用いられてもよく、フィルム状などの任意の態様を有していてネガ型の感光性材料を含むレジスト材が用いられてもよい。ネガ型のレジスト材が用いられる場合は、膜体８における開口８ａが形成されるべき領域以外の領域を覆う露光マスクが用いられる。

【0028】

図３Ｃに示されるように、磁性樹脂５で導体層１１の一部１１０を覆うことは、マスク８の開口８ａの内部に磁性樹脂５を供給することを含んでいる。磁性樹脂５は、例えば、前述されたように、鉄、酸化鉄、コバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料からなる粉末を含む、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂などの樹脂である。磁性樹脂５は、例えばペースト状の状態で供給される。磁性樹脂５は、印刷、スプレーコーティング、又はロールコーティングなどの任意の方法で開口８ａの内部に供給され、磁性樹脂５で開口８ａが充填される。図３Ｃに示されるように、スキージＳＫを用いる印刷による磁性樹脂５の供給方法が、磁性樹脂５の浪費が少ない点で好ましいことがある。従って、マスク８の開口８ａの内部に磁性樹脂５を供給することは、印刷によって、磁性樹脂５で開口８ａを充填することを含んでいてもよい。

【0029】

前述したように、磁性樹脂５の厚さＴ１が厚いほど、導体パターン１１１によって構成されるインダクタのインダクタンスが高まることがある。そのため、金属膜７の表面７ａ上での磁性樹脂５の厚さＴ１は、所望のインダクタンスの大きさに応じて調整され得る。例えばマスク８の厚さが調整されてもよい。磁性樹脂５は、厚さＴ１として例えば３０μｍ以上、１００μｍ以下の厚さを有するように、マスク８の開口８ａの内部に供給される。その場合、配線基板１内に形成されるインダクタに多く求められるインダクタンスを実現することができ、しかも配線基板１の厚さが過大となることを回避できることがある。例えば印刷によって磁性樹脂５が供給される場合、開口８ａ内の磁性樹脂５が所望の厚さＴ１を有するように、例えばＴ１μｍ以上、（Ｔ１＋２０）μｍ以下の高さＨを有するマスク８が形成されてもよい。

【0030】

本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、マスク８の開口８ａの内部の磁性樹脂５を硬化させることを含んでいてもよい。例えば磁性樹脂５がエポキシ樹脂を含んでいる場合、加熱によって磁性樹脂５が硬化されてもよい。磁性樹脂５が感光性材料を含んでいる場合、紫外光などの特定の波長を有する光の照射によって、磁性樹脂５が硬化されてもよい。

【0031】

その後、マスク８が除去される。本実施形態の配線基板の製造方法は、このように磁性樹脂５による導体層１１の一部１１０の被覆後に、マスク８を除去することを含んでいる。マスク８は、マスク８がドライフィルムレジストで形成されている場合、例えばアルカリ性の溶剤などを用いて除去される。前述した磁性樹脂５の硬化は、このマスク８の除去の前に行われる。すなわち、マスク８の除去時には、例えば供給時にペースト状であった磁性樹脂５が硬化している。従って、マスク８が除去されても、導体層１１及び金属膜７の表面７ａのうちのマスク８に覆われていた領域へと磁性樹脂５が広がることはない。

【0032】

本実施形態では、図３Ｂ及び図３Ｃを参照して説明されたように、磁性樹脂５による導体層１１の一部１１０の被覆の際にはマスク８が形成され、マスク８の開口８ａの内部に磁性樹脂５が供給される。そのため、磁性樹脂５がペースト状や液状などの流動性を有する状態で供給されても、その磁性樹脂５は、マスク８に覆われている領域、例えば導体層１１及び金属膜７の表面７ａのうちの磁性樹脂５との接触が回避されるべき領域へと流動し得ない。また、導体パターン１１１によって構成されるインダクタのインダクタンスを高めるべく、磁性樹脂５が大きな厚さで堆積するように多くの磁性樹脂５が供給されても、磁性樹脂５がマスク８に覆われている領域へと流動することはない。従って、磁性樹脂５のような磁性体との接触を避けるべき導体パターンと、導体パターン１１１のような例えばインダクタを形成する導体パターンとを近接させることができる。結果として、配線基板１のパターン設計の自由度が向上したり、配線基板１の小型化が促進されたりすることがある。

【0033】

加えて、例えば流動性を有する磁性樹脂５の流動が制限されて磁性樹脂５が開口８ａの内部に留まり得るため、磁性樹脂５で構成される磁性被覆体５ａ（図３Ｆ参照）の形状のばらつきが抑制される。すなわち磁性被覆体５ａの形状が安定する。従って、導体パターン１１１によって構成されるインダクタにおいて所望のインダクタンスが得られると考えられる。

【0034】

図３Ｄ及び図３Ｅに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、磁性樹脂５及び導体層１１を覆う絶縁層２１（第１絶縁層）を金属膜７の表面７ａ上に形成することを含んでいる。絶縁層２１の形成方法は特に限定されないが、例えば、図３Ｄに示されるように、フィルム状のエポキシ樹脂２１０を、磁性樹脂５、並びに、磁性樹脂５に覆われていない金属膜７及び導体層１１の上に積層されてもよい。そしてフィルム状のエポキシ樹脂２１０を導体層１１に熱圧着することによって絶縁層２１が形成されてもよい。絶縁層２１は、エポキシ樹脂に限らず、前述したようにＢＴ樹脂などの任意の樹脂を用いて形成され得る。

【0035】

熱圧着時の加熱によってフィルム状のエポキシ樹脂が軟化し、磁性樹脂５に重なるフィルム状のエポキシ樹脂の一部が磁性樹脂５の上からその周囲へと移動する。フィルム状のエポキシ樹脂のうちの磁性樹脂５の上の残留樹脂によって、図３Ｅに示されるように、磁性樹脂５が覆われる。このように絶縁層２１は、導体層１１の一部１１０を覆う磁性樹脂５全体を覆うように形成されてもよい。また絶縁層２１は、前述したように磁性樹脂５の厚さＴ１が例えば３０μｍ以上、１００μｍ以下である場合、例えば５０μｍ以上、１２０μｍ以下の厚さＴ２を有するように形成される。その場合、磁性樹脂５が確実に絶縁層２１によって覆われ、且つ、配線基板１の厚さの無用な肥大化を回避できることがある。

【0036】

図３Ｅ及び図３Ｆに示されるように、絶縁層２１上に導体層１２が形成される。なお、図３Ｅ～図３Ｇ（並びに、後に参照される図５Ａ～図６Ｂ）では、支持基板７０における下側の構成要素の図示は省略されている。導体層１２は、サブトラクティブ法又はアディティブ法などの任意の方法で形成され得る。図３Ｅ及び図３Ｆは、セミアディティブ法によって導体層１２が形成される例を示している。

【0037】

まず図３Ｅに示されるように、絶縁層２１の貫通孔４ａが、レーザー加工又はドリル加工などによって形成される。そして金属膜１２ａが、絶縁層２１の表面上及び貫通孔４ａの内壁上の全面に、無電解めっきやスパッタリングなどによって形成される。

【0038】

図３Ｆに示されるように、金属膜１２ａ上の所望の位置に、適切な開口を有するめっきレジスト（図示せず）を用いるパターンめっきによって、めっき膜１２ｂが形成される。その後めっきレジスト、及び金属膜１２ａのうちのめっき膜１２ｂに覆われていない部分が除去される。その結果、所望の導体パターンを有する導体層１２が形成される。貫通孔４ａ内にはビア導体４が形成される。図３Ｆでは、導体パターン１１１を覆う磁性樹脂５（図３Ｅ参照）からなる磁性被覆体５ａと平面視で重なる領域には、導体層１２の導体パターンは形成されていない。導体パターン１１１（インダクタ）によって生じる磁界の影響を導体層１２が受け難いと考えられる。

【0039】

図３Ｇに示されるように、さらに、絶縁層２１及び導体層１２上に、絶縁層２２、導体層１３、絶縁層２３、及び導体層１４が、順に形成される。絶縁層２２、２３は、例えば絶縁層２１と同様の方法で形成され得る。導体層１３、１４は、例えば導体層１２と同様の方法で形成され得る。図３Ｇの例では、導体層１３、１４それぞれにおける磁性被覆体５ａと平面視で重なる領域には導体パターン１３４が形成されている。導体層１２～１４及び絶縁層２１～２３は、図３Ｄ～図３Ｇの例に限らず一般的なビルドアップ基板の製法を用いて形成される。

【0040】

導体層１４の形成後、支持基板７０及び金属膜７が除去される。本実施形態の配線基板の製造方法は、このように、導体層１４の形成後、すなわち、導体層１１を覆う絶縁層２１の形成よりも後に、支持基板７０及び金属膜７を除去することを含み得る。具体的には、まず金属膜７と金属箔７１とが、熱可塑性接着剤を軟化させる加熱や、両者を縁部で固着している接合部の切除などによって互いから分離される。その分離によって露出する金属膜７が、エッチングなどによって除去される。

【0041】

図３Ｈに示されるように、導体層１１及び絶縁層２１を覆うソルダーレジスト層３１が形成されると共に、導体層１４及び絶縁層２３を覆うソルダーレジスト層３２が形成される。ソルダーレジスト層３１、３２は、それぞれ、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりすることによって形成される。そして、例えば露光及び現像、又はレーザー加工などによって、開口３１ａ、３２ａが、それぞれ形成される。

【0042】

開口３１ａに露出する実装パッド１１ｐの表面上、及び開口３２ａに露出する実装パッド１４ｐの表面上には、表面保護膜６１が形成される。表面保護膜６１は、実装パッド１１ｐ、１４ｐそれぞれの表面上に、例えば無電解めっきによって、ニッケル、パラジウム、金などの金属を析出させること、又はスプレーイングによって耐熱性の有機物を塗布することによって形成され得る。

【0043】

実装パッド１４ｐを覆う表面保護膜６１上にはバンプ６２が形成される。バンプ６２は、Ｓｎなどを含むはんだボールの実装パッド１４ｐ上への配置後のリフロー処理や、無電解めっきによる金属の析出によって形成され得る。例えば以上の工程を経ることによって配線基板１が完成する。

【0044】

図４～図６Ｂそれぞれに、本実施形態の配線基板の製造方法の変形例による工程中又は完成状態の配線基板の一例が示されている。各変形例が、それぞれに対応する図面を参照しながら以下に説明される。図４には、本実施形態の配線基板の製造方法の第１変形例における、絶縁層２１の形成工程中の配線基板、すなわち、先に参照した図３Ｄに示される工程に対応する工程中の配線基板の一例が示されている。

【0045】

図４に示されるように、本変形例では、絶縁層２１は、第１フィルム状樹脂２１１及び第２フィルム状樹脂２１２を金属膜７の表面７ａ上、及び導体層１１上に積層することによって形成される。第１及び第２のフィルム状樹脂２１１、２１２のうち、導体層１１側に積層される第１フィルム状樹脂２１１は、磁性樹脂５（磁性被覆体）と相対する位置に、磁性樹脂５が挿通され得る大きさの開口２１ａを有している。そして第１フィルム樹脂２１１上に積層される第２フィルム状樹脂２１２が、開口２１ａに挿通される磁性樹脂５を覆うように積層される。

【0046】

本実施形態の配線基板の製造方法では、前述したように磁性樹脂５の流動が制限されるので、厚い磁性被覆体５ａ（図１参照）を所定の両域内だけに形成することができる。しかし厚い磁性被覆体５ａを覆う絶縁層２１が図３Ｄに例示される方法で形成されると、絶縁層２１における導体層１１と反対側の表面の平坦性が得られ難いことがある。しかし図４に示される本変形例のよう開口２１ａを有するフィルム状樹脂を含む少なくとも２つのフィルム状樹脂を積層することによって、表面の平坦な絶縁層２１を形成し得ることがある。

【0047】

図５Ａ及び図５Ｂには、本実施形態の配線基板の製造方法の第２変形例及び第３変形例それぞれにおける工程中の配線基板の一例が示されている。図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、マスク８が形成されてマスク８の開口８ａの内部に磁性樹脂５が供給された状態を示している。また、マスク８の形成に用いられて磁性樹脂５の供給時には除去されている露光マスクＥＭも、各変形例の説明のために併せて示されている。

【0048】

図５Ａに示される第２変形例では、マスク８は、開口８ａの内壁が導体層１１側ほど開口８ａの中央部側へと向かうテーパー面となるように形成されている。このようなテーパー面を内壁に有する開口８ａは、例えば、金属膜７の表面７ａを適度に粗化することによって形成され得る。露光マスクＥＭを用いる露光時に透光部ＥＭ２のうちの遮光部ＥＭ１との境界部付近を透過した光Ｃの一部は、粗化された表面７ａで、遮光部ＥＭ１に覆われている領域に向かって反射する。その反射光Ｃ１によって、マスク８における遮光部ＥＭ１に覆われた領域のうちの金属膜７の近傍部分が露光されて不溶性へと変化する。その結果、図５Ａに示されるような、導体層１１側ほど開口８ａの中央部側へと向かうテーパー面を有する開口８ａが形成される。図５Ａに例示される開口８ａの内部に供給される磁性樹脂５は、開口８ａの内壁付近においても金属膜７の表面７ａまで到達し易いので、開口８ａの底面と内壁とが接する付近にボイドが生じ難いと考えられる。

【0049】

図５Ｂに示される第３変形例では、マスク８は、開口８ａの内壁が導体層１１側ほど開口８ａの外側へと向かうように形成されている。このような内壁を有する開口８ａは、例えば、図５Ｂに示されるように、遮光部ＥＭ１と透光部ＥＭ２との間に、半透光（ハーフトーン）部ＥＭ３を有する露光マスクＥＭを用いて露光を行うことによって形成され得る。半透光部ＥＭ３は、光の強度を弱めながら光を透過させる。従って、半透光部ＥＭ３を透過した光は、金属膜７まで到達できずにマスク８における導体層１１と反対側の部分だけを不溶性に変化させ得る。従って、半透光部ＥＭ３における透光性を、遮光部ＥＭ１から透光部ＥＭ２に向かって段階的に高めることによって、図５Ｂに例示される開口８ａが形成され得る。

【0050】

図５Ｂに例示される開口８ａ内に形成される磁性被覆体５ａは、図５Ｂに示されるように、導体層１１側ほど外側に拡大する形状を有し得る。図５Ｂに例示される磁性被覆体５ａの上にフィルム状のエポキシ樹脂２１０（図３Ｄ参照）が積層されて加熱されると、軟化した樹脂は、磁性被覆体５ａの壁面付近においても金属膜７まで到達し易いと考えられる。従って、絶縁層２１において磁性被覆体５ａの壁面と金属膜７とが接する付近にボイドが生じ難いと考えられる。

【0051】

図６Ａには、本実施形態の配線基板の製造方法の第４変形例における工程中の配線基板が示され、図６Ｂには、第４変形例によって製造される配線基板１αの完成状態の一例が示されている。図６Ａは、本変形例における金属膜１２ａの形成後の工程中の配線基板、すなわち、先に参照した図３Ｅに示される工程に対応する工程中の配線基板の一例を示している。

【0052】

図６Ａに示されるように、本変形例では、絶縁層２１の厚さよりも厚い磁性被覆体５ａが形成されている。そのため、磁性被覆体５ａは絶縁層２１を貫通している。磁性被覆体５ａによって貫通される絶縁層２１は、例えば、先に参照した図４に示されるような開口２１ａを有するフィルム状樹脂を用いることによって形成され得る。このような厚い磁性被覆体５ａを形成することによって、導体パターン１１１によって構成されるインダクタのインダクタンスを一層高め得ることがある。

【0053】

図６Ａに示されるように、金属膜１２ａは、絶縁層２１の表面上、及び貫通孔４ａの内壁上に加えて、磁性被覆体５ａの露出面上にも形成されている。その後、例えばセミアディティブ法を用いて、図６Ｂに示されるように、金属膜１２ａ及びめっき膜１２ｂを含む導体層１２が形成される。磁性被覆体５ａ上に形成された金属膜１２ａは、めっき膜１２ｂに覆われていない絶縁層２１上の金属膜１２ａと共に、例えばエッチングによって除去され得る。

【0054】

図６Ｂに示されるように、導体層１１を覆う絶縁層２１を貫通して絶縁層２２に上面が覆われる磁性被覆体５ａを含む配線基板１αが製造され得る。本実施形態の配線基板の製造方法では、２以上の絶縁層を貫通する磁性被覆体５ａが形成されてもよい。より大きなインダクタンスを有するインダクタを形成できることがある。そのように厚い磁性被覆体５ａが形成される場合でも、本実施形態の配線基板の製造方法によれば、磁性樹脂との接触を回避すべき導体パターンと、インダクタを構成する導体パターンとを近接して配置できると考えられる。

【0055】

本実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板は、図１の例のような所謂コアレス基板ではなく、コア基板を有する配線基板であってもよい。図７には、コア基板を有する配線基板が製造される、本実施形態の配線基板の製造方法の第５変形例における導体層１１αの形成後の状態が示されている。導体層１１αは、図１の例の導体層１１と同様に、その一部が後工程で磁性樹脂５によって覆われる導体層（第１導体層）である。

【0056】

図７に示されるように、コア基板１０は、絶縁層１０１と、絶縁層１０１の一面１０１ａに形成されている導体層１１αと、絶縁層１０１の他面１０１ｂに形成されている導体層１１βとによって構成されている。コア基板１０は、導体層１１αと導体層１１βとを接続するスルーホール導体１０２を含んでいる。絶縁層１０１は、エポキシ樹脂又はＢＴ樹脂などの任意の絶縁性樹脂によって構成されており、ガラス繊維やアラミド繊維などからなる補強材（芯材）１０３を含んでいる。コア基板１０は、例えば、両面銅張積層板の一方の表面に導体層１１αを形成し、他方の表面に導体層１１βを形成することによって用意され得る。

【0057】

図７の例において導体層１１αは、金属箔１１ａ、金属膜１１ｂ、及びめっき膜１１ｃを含む３層構造を有している。導体層１１βも同様の３層構造を有している。導体層１１α及び導体層１１βは、例えばサブトラクティブ法によって、スルーホール導体１０２と共に形成される。導体層１１αは、導体パターン１１１を含むように形成されている。導体パターン１１１はインダクタを構成し得る。導体パターン１１１は、先に図３Ｃを参照して説明されたように、後工程において磁性樹脂５によって覆われる。

【0058】

本変形例では、導体層１１αは、絶縁層１０１の表面である一面１０１ａ上にコア基板１０の導体層として形成される。本実施形態の配線基板の製造方法では、図７に示される第５変形例のように、後に磁性樹脂５に一部を覆われる導体層１１は、絶縁体の表面上に形成されてもよい。さらに、磁性樹脂５に一部を覆われる導体層１１は、図１及び図７の例に限定されず、コアレス配線基板、及びコア基板を含む配線基板のいずれが製造されるかに依らず、任意の絶縁層上に形成され得る。

【0059】

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。各絶縁層は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、例えばプリプレグなどの任意の形態及び種類の樹脂を用いて形成され得る。磁性被覆体５の直ぐ上の導体層における磁性被覆体５と平面視で重なる部分に導体パターンが設けられてもよい。ソルダーレジスト層やバンプは設けられなくてもよい。本実施形態の配線基板の製造方法は、任意の層数の多層配線基板の製造に用いることができる。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0060】

１、１α 配線基板
１０ コア基板
１１、１１α 導体層（第１導体層）
１１０ 一部
１１１ 導体パターン
１２～１４ 導体層
２１ 絶縁層（第１絶縁層）
２２、２３ 絶縁層
５ 磁性を有する樹脂（磁性樹脂）
５ａ 磁性被覆体
７ 金属膜
７ａ 表面
７０ 支持基板
８ マスク
８ａ 開口
Ｓ 配線パターンの間隔
Ｔ１ 磁性を有する樹脂（磁性被覆体）の厚さ
Ｔ２ 絶縁層（第１絶縁層）の厚さ

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図7】