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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022112945
(43)【公開日】2022-08-03
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H05B 33/10 20060101AFI20220727BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220727BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20220727BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20220727BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20220727BHJP
【ＦＩ】
H05B33/10
G09F9/30 365
G09F9/30 348Z
G09F9/30 349Z
H05B33/22 B
H05B33/22 D
H05B33/14 B
H01L27/32
H05B33/12 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021008990
(22)【出願日】2021-01-22
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】特許業務法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】金城 拓海
(72)【発明者】
【氏名】青木 逸
(72)【発明者】
【氏名】軍司 雅和
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC21
3K107DD52
3K107DD69
3K107DD72
3K107DD75
3K107FF15
3K107HH05
5C094AA25
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094DA14
5C094EA04
5C094FA01
5C094FA02
5C094FB01
5C094FB20
(57)【要約】 （修正有）
【課題】表示素子の性能劣化を抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置ＤＳＰは、第１電極Ｅ１と、第１電極Ｅ１の上に配置された有機層ＯＲと、有機層ＯＲを覆う第２電極Ｅ２と、を備えている。有機層ＯＲは、第１端部を有する第１層と、第１層と第２電極Ｅ２の間の第２層と、を含む。第２層は、第１端部を覆っている。
【選択図】図６
【解決手段】表示装置ＤＳＰは、第１電極Ｅ１と、第１電極Ｅ１の上に配置された有機層ＯＲと、有機層ＯＲを覆う第２電極Ｅ２と、を備えている。有機層ＯＲは、第１端部を有する第１層と、第１層と第２電極Ｅ２の間の第２層と、を含む。第２層は、第１端部を覆っている。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１電極と、
前記第１電極の上に配置された有機層と、
前記有機層を覆う第２電極と、を備え、
前記有機層は、第１端部を有する第１層と、前記第１層と前記第２電極の間の第２層と、を含み、
前記第２層は、前記第１端部を覆っている、
表示装置。
前記第１電極の上に配置された有機層と、
前記有機層を覆う第２電極と、を備え、
前記有機層は、第１端部を有する第１層と、前記第１層と前記第２電極の間の第２層と、を含み、
前記第２層は、前記第１端部を覆っている、
表示装置。
【請求項2】
前記第２層は、第２端部を有し、
前記第１端部は、前記第２電極と接触しておらず、
前記第２端部は、前記第２電極と接触している、
請求項１に記載の表示装置。
前記第１端部は、前記第２電極と接触しておらず、
前記第２端部は、前記第２電極と接触している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記有機層は、前記第２層と前記第２電極の間の第３層をさらに含み、
前記第２層は、第２端部を有し、
前記第３層は、前記第２端部を覆っている、
請求項１に記載の表示装置。
前記第２層は、第２端部を有し、
前記第３層は、前記第２端部を覆っている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第３層は、第３端部を有し、
前記第１端部および前記第２端部は、前記第２電極と接触しておらず、
前記第３端部は、前記第２電極と接触している、
請求項３に記載の表示装置。
前記第１端部および前記第２端部は、前記第２電極と接触しておらず、
前記第３端部は、前記第２電極と接触している、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第１端部は、第１辺および第２辺を含み、
前記第２層は、前記第２辺を覆い、前記第１辺を覆っていない、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記第２層は、前記第２辺を覆い、前記第１辺を覆っていない、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項6】
前記第１層は、
第１濃度でドーパントが分布する第１領域と、
前記第１領域と前記第１端部の間に位置し、前記第１濃度よりも低い第２濃度で前記ドーパントが分布する第２領域と、
を含む、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
第１濃度でドーパントが分布する第１領域と、
前記第１領域と前記第１端部の間に位置し、前記第１濃度よりも低い第２濃度で前記ドーパントが分布する第２領域と、
を含む、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項7】
前記有機層は、前記第１電極から前記第２電極に向けて積層された第１キャリア注入層、第１キャリア輸送層、第１キャリアブロッキング層、発光層、第２キャリアブロッキング層、第２キャリア輸送層および第２キャリア注入層を有し、
前記第２層は、前記第１キャリア輸送層、前記第１キャリアブロッキング層、前記第２キャリアブロッキング層、前記第２キャリア輸送層および前記第２キャリア注入層のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記第２層は、前記第１キャリア輸送層、前記第１キャリアブロッキング層、前記第２キャリアブロッキング層、前記第２キャリア輸送層および前記第２キャリア注入層のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項8】
前記有機層は、
前記第１電極に接触し、第１発光層を含む複数の層により構成された第１有機層と、
前記第２電極に接触し、第２発光層を含む複数の層により構成された第２有機層と、
前記第１有機層と前記第２有機層の間の中間層と、
を有し、
前記第１層は、前記中間層を含み、
前記第２層は、前記第２有機層を構成する前記複数の層のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
前記第１電極に接触し、第１発光層を含む複数の層により構成された第１有機層と、
前記第２電極に接触し、第２発光層を含む複数の層により構成された第２有機層と、
前記第１有機層と前記第２有機層の間の中間層と、
を有し、
前記第１層は、前記中間層を含み、
前記第２層は、前記第２有機層を構成する前記複数の層のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項9】
第１電極と、
前記第１電極と重なる開口を有するとともに、前記第１電極の周縁部を覆うリブと、
前記開口を通じて前記第１電極に接触し、前記リブの上に端部が位置する有機層と、
前記有機層を覆う第２電極と、を備え、
前記有機層を構成する複数の層のうち少なくとも１つは、
前記開口と重なり、第１濃度でドーパントが分布する第１領域と、
前記リブの上に位置し、前記第１濃度よりも低い第２濃度で前記ドーパントが分布する第２領域と、
を含む表示装置。
前記第１電極と重なる開口を有するとともに、前記第１電極の周縁部を覆うリブと、
前記開口を通じて前記第１電極に接触し、前記リブの上に端部が位置する有機層と、
前記有機層を覆う第２電極と、を備え、
前記有機層を構成する複数の層のうち少なくとも１つは、
前記開口と重なり、第１濃度でドーパントが分布する第１領域と、
前記リブの上に位置し、前記第１濃度よりも低い第２濃度で前記ドーパントが分布する第２領域と、
を含む表示装置。
【請求項10】
前記有機層は、前記第１電極から前記第２電極に向けて積層された第１キャリア注入層、第１キャリア輸送層、第１キャリアブロッキング層、発光層、第２キャリアブロッキング層、第２キャリア輸送層および第２キャリア注入層を有し、
前記第１領域および前記第２領域は、前記第１キャリア注入層に含まれる、
請求項９に記載の表示装置。
前記第１領域および前記第２領域は、前記第１キャリア注入層に含まれる、
請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、一対の電極と、これら電極の間に配置された有機層とを備えている。このような有機層は、例えば真空蒸着法によって形成される。
【0003】
例えば、複数の機能層を積層した有機層を形成する場合、有機層の周縁部において機能層の端部が揃わず、表示素子の性能劣化を招くおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００４－２０７２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は、表示素子の性能劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一実施形態に係る表示装置は、第１電極と、前記第１電極の上に配置された有機層と、前記有機層を覆う第２電極と、を備えている。前記有機層は、第１端部を有する第１層と、前記第１層と前記第２電極の間の第２層と、を含む。前記第２層は、前記第１端部を覆っている。
【0007】
他の実施形態に係る表示装置は、第１電極と、前記第１電極と重なる開口を有するとともに、前記第１電極の周縁部を覆うリブと、前記開口を通じて前記第１電極に接触し、前記リブの上に端部が位置する有機層と、前記有機層を覆う第２電極と、を備えている。前記有機層を構成する複数の層のうち少なくとも１つは、前記開口と重なり、第１濃度でドーパントが分布する第１領域と、前記リブの上に位置し、前記第１濃度よりも低い第２濃度で前記ドーパントが分布する第２領域と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0010】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。Ｘ軸およびＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称し、Ｘ軸およびＺ軸によって規定される面をＸ－Ｚ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。
【0011】
本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0012】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＳＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＳＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えてもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２において、ゲート電極は走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。
【0016】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ２は緑波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ３は青波長に対応した光を出射する表示素子を備えている。表示素子２０の構成については後述する。
【0017】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。ここでは、４個の画素ＰＸに着目する。それぞれの画素ＰＸにおいて、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３はこの順で第１方向Ｘに並んでいる。すなわち、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ１により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ２により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ３により構成される列とが、第１方向Ｘにおいて交互に配置されている。
【0018】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界には、リブ１４が配置されている。図２の例において、リブ１４は、第１方向Ｘに隣り合う副画素の間に位置する部分と、第２方向Ｙに隣り合う副画素の間に位置する部分とを有した格子状である。リブ１４は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれにおいて開口ＯＰを形成する。
【0019】
なお、図２に示した副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の外形は、例えば表示素子２０の発光領域の外形に相当するが、簡略化して示したものであり、必ずしも実際の形状を反映したものとは限らない。
【0020】
図３は、図２のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図３においては、各副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に配置される素子として駆動トランジスタ３および表示素子２０を示し、その他の素子の図示を省略している。
【0021】
表示装置ＤＳＰは、上述の基材１０と、絶縁層１１，１２，１３と、上述のリブ１４と、封止層１５とを備えている。絶縁層１１，１２，１３は、基材１０の上において第３方向Ｚに積層されている。例えば、絶縁層１１，１２は無機材料で形成され、絶縁層１３、リブ１４および封止層１５は有機材料で形成されている。
【0022】
駆動トランジスタ３は、半導体層３０と、電極３１，３２，３３とを備えている。電極３１は、ゲート電極に相当する。電極３２，３３の一方はソース電極に相当し、他方はドレイン電極に相当する。半導体層３０は、基材１０と絶縁層１１の間に配置されている。電極３１は、絶縁層１１，１２の間に配置されている。電極３２，３３は、絶縁層１２，１３の間に配置され、絶縁層１１，１２を貫通するコンタクトホールを通じて半導体層３０に接触している。
【0023】
表示素子２０は、第１電極Ｅ１と、有機層ＯＲと、第２電極Ｅ２とを備えている。第１電極Ｅ１は、副画素ＳＰ毎あるいは表示素子２０毎に配置された電極であり、画素電極、下部電極またはアノードと称される場合がある。第２電極Ｅ２は、複数の副画素ＳＰまたは複数の表示素子２０に対して共通に配置された電極であり、共通電極、上部電極またはカソードと称される場合がある。
【0024】
リブ１４は、絶縁層１３の上に配置されている。第１電極Ｅ１は、絶縁層１３の上に配置され、開口ＯＰと重なっている。第１電極Ｅ１の周縁部は、リブ１４により覆われている。第１電極Ｅ１は、絶縁層１３を貫通するコンタクトホールＣＨを通じて電極３３と電気的に接続されている。例えば、第１電極Ｅ１は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成されている。第１電極Ｅ１は、銀、アルミニウムなどの金属材料によって形成された金属電極（反射電極）であってもよい。また、第１電極Ｅ１は、透明電極および金属電極の積層体であってもよい。例えば、第１電極Ｅ１は、透明電極、金属電極および透明電極の順に積層された積層体として構成されてもよいし、３層以上の積層体として構成されてもよい。
【0025】
有機層ＯＲは、リブ１４の上に配置され、開口ＯＰを通じて第１電極Ｅ１に接触している。有機層ＯＲの周縁部は、リブ１４の上に位置している。
【0026】
第２電極Ｅ２は、有機層ＯＲを覆っている。図３の例においては、第２電極Ｅ２が副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３にわたり連続的に設けられている。第２電極Ｅ２は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成されている。封止層１５は、第２電極Ｅ２の上に配置されている。封止層１５は、例えば絶縁層１１，１２，１３やリブ１４よりも厚く形成され、有機層ＯＲを水分などから保護するとともに、リブ１４により生じる凹凸を平坦化している。
【0027】
図４は、有機層ＯＲに適用し得る層構成の一例を示す断面図である。例えば、有機層ＯＲは、第１電極Ｅ１から第２電極Ｅ２に向けて順に積層された第１キャリア注入層５１、第１キャリア輸送層５２、第１キャリアブロッキング層５３、発光層５４（ＥＭＬ）、第２キャリアブロッキング層５５、第２キャリア輸送層５６および第２キャリア注入層５７を備えている。
【0028】
本実施形態においては、第１電極Ｅ１がアノードであり、第２電極Ｅ２がカソードである場合を想定する。例えばこの場合において、第１キャリア注入層５１は正孔を発生させる正孔注入層（ＨＩＬ）であり、第１キャリア輸送層５２は正孔を発光層５４に向けて輸送する正孔輸送層（ＨＴＬ）であり、第１キャリアブロッキング層５３は電子の移動を遮断する電子ブロッキング層（ＥＢＬ）であり、第２キャリアブロッキング層５５は正孔の移動を遮断する正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）であり、第２キャリア輸送層５６は電子を発光層５４に向けて輸送する電子輸送層（ＥＴＬ）であり、第２キャリア注入層５７は電子を発生させる電子注入層（ＥＩＬ）である。
【0029】
図５は、有機層ＯＲの概略的な平面図である。図６は、図５におけるＶＩ－ＶＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図５においては、副画素ＳＰ（表示素子２０）の第１方向Ｘにおける中心線ＣＬよりも左側の領域に有機層ＯＲを平面視した形状を示し、中心線ＣＬよりも右側の領域に有機層ＯＲの各層５１～５７および開口ＯＰの外形を示している。
【0030】
第１キャリア注入層５１は端部Ｓ１を有し、第１キャリア輸送層５２は端部Ｓ２を有し、第１キャリアブロッキング層５３は端部Ｓ３を有し、発光層５４は端部Ｓ４を有し、第２キャリアブロッキング層５５は端部Ｓ５を有し、第２キャリア輸送層５６は端部Ｓ６を有し、第２キャリア注入層５７は端部Ｓ７を有している。端部Ｓ１～Ｓ７は、例えば縁、外周または外形などと言い換えることもできる。図５の例においては、図示の簡略化のために、端部Ｓ１，Ｓ２が１本の線で表されている。同様に、端部Ｓ６，Ｓ７も１本の線で表されている。
【0031】
図５の例においては、各層５１～５７および開口ＯＰが矩形である。すなわち、端部Ｓ１～Ｓ７および開口ＯＰは、第１方向Ｘと平行な２つの辺と、第２方向Ｙと平行な２つの辺とをそれぞれ有している。
【0032】
平面視において、端部Ｓ１，Ｓ２は端部Ｓ４と端部Ｓ５の間に位置し、端部Ｓ４は端部Ｓ１，Ｓ２と端部Ｓ６，Ｓ７の間に位置し、端部Ｓ５は端部Ｓ１，Ｓ２と端部Ｓ３の間に位置し、端部Ｓ６，Ｓ７は端部Ｓ４と開口ＯＰの間に位置している。端部Ｓ３は、有機層ＯＲの最外周に相当する。
【0033】
他の観点からいうと、第２キャリアブロッキング層５５の面積は、第１キャリア注入層５１、第１キャリア輸送層５２、発光層５４、第２キャリア輸送層５６および第２キャリア注入層５７の面積よりも大きい。さらに、第１キャリアブロッキング層５３の面積は、第２キャリアブロッキング層５５の面積よりも大きい。
【0034】
図６に示すように、端部Ｓ１～Ｓ７は、いずれもリブ１４の上に位置している。第１キャリア注入層５１は、開口ＯＰを通じて第１電極Ｅ１に接触している。第１キャリア輸送層５２は、全体的に第１キャリア注入層５１の上に位置している。
【0035】
第１キャリアブロッキング層５３は、大部分が第１キャリア輸送層５２の上に位置し、端部Ｓ３近傍の部分がリブ１４に接触している。すなわち、第１キャリアブロッキング層５３は、第１キャリア注入層５１の端部Ｓ１と、第１キャリア輸送層５２の端部Ｓ２とを覆っている。
【0036】
発光層５４は、全体的に第１キャリアブロッキング層５３の上に位置している。第２キャリアブロッキング層５５は、大部分が発光層５４の上に位置し、端部Ｓ５近傍の部分が第１キャリアブロッキング層５３に接触している。すなわち、第２キャリアブロッキング層５５は、発光層５４の端部Ｓ４を覆っている。
【0037】
第２キャリア輸送層５６は、全体的に第２キャリアブロッキング層５５の上に位置している。第２キャリア注入層５７は、全体的に第２キャリア輸送層５６の上に位置している。
【0038】
端部Ｓ１，Ｓ２は、第１キャリアブロッキング層５３により覆われているために、第２電極Ｅ２と接触していない。また、端部Ｓ４は、第２キャリアブロッキング層５５により覆われているために、第２電極Ｅ２と接触していない。
【0039】
第１キャリアブロッキング層５３の端部Ｓ３およびその近傍部分は、第２電極Ｅ２と接触している。第２キャリアブロッキング層５５の端部Ｓ５およびその近傍部分は、第２電極Ｅ２と接触している。
【0040】
端部Ｓ６は、第２電極Ｅ２と接触している。第２キャリア注入層５７は、上面および端部Ｓ７において第２電極Ｅ２と接触している。図６においては第１方向Ｘと第３方向Ｚで規定されるＸ－Ｚ平面における断面を示したが、第２方向Ｙと第３方向Ｚで規定されるＹ－Ｚ平面の断面も同様の構造を有している。
【0041】
続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例につき、有機層ＯＲを形成する工程に着目して説明する。有機層ＯＲを構成する各層は、例えば点蒸着源を用いた真空蒸着により形成することができる。
【0042】
図７は、有機層ＯＲの形成方法の一例を概略的に示す図である。この形成方法は、第１工程Ｐ１１および第２工程Ｐ１２を含む。第１キャリア注入層５１、第１キャリア輸送層５２、発光層５４、第２キャリア輸送層５６および第２キャリア注入層５７のように有機層ＯＲの中で比較的小さい面積を有する層は、第１工程Ｐ１１により形成される。第１キャリアブロッキング層５３および第２キャリアブロッキング層５５のように有機層ＯＲの中で比較的大きい面積を有する層は、第２工程Ｐ１２により形成される。
【0043】
第１工程Ｐ１１および第２工程Ｐ１２のそれぞれにおいて、表示装置ＤＳＰのうち有機層ＯＲよりも下層部分が形成された基板ＳＵＢに対し、有機層ＯＲに対応する開口を有したマスクＭＳＫが配置されている。第１工程Ｐ１１および第２工程Ｐ１２にて用いられるマスクＭＳＫは同一である。第１工程Ｐ１１においては、マスクＭＳＫの下方に配置された蒸着源ＤＳ１に対し、基板ＳＵＢが速度Ｖ１で相対的に移動する。第２工程Ｐ１２においては、マスクＭＳＫの下方に配置された蒸着源ＤＳ２に対し、基板ＳＵＢが速度Ｖ２で相対的に移動する。
【0044】
第２工程Ｐ１２においてマスクＭＳＫの開口を通じて基板ＳＵＢに蒸着源ＤＳ２からの分子が到達する範囲は、第１工程Ｐ１１においてマスクＭＳＫの開口を通じて基板ＳＵＢに蒸着源ＤＳ１からの分子が到達する範囲よりも大きい。これにより、第１工程Ｐ１１および第２工程Ｐ１２においてそれぞれ形成される層の間には、面積差ΔＳが生じる。第１工程Ｐ１１を狭角蒸着と称し、第２工程Ｐ１２を広角蒸着と称することもできる。
【0045】
このような面積差ΔＳを生じさせる第１工程Ｐ１１および第２工程Ｐ１２は、蒸着に関する種々のパラメータを調整することにより実現できる。パラメータの一例としては、例えば基板ＳＵＢと蒸着源ＤＳ１，ＤＳ２との間の距離ｄ１、基板ＳＵＢとマスクＭＳＫの間の距離ｄ２、蒸着源ＤＳ１，ＤＳ２に設けられる孔の大きさ、速度Ｖ１，Ｖ２、基板ＳＵＢの垂直方向に対する蒸着源の角度θ、蒸着源ＤＳ１，ＤＳ２それぞれの数、蒸着源ＤＳ１，ＤＳ２を配置する密度などが挙げられる。
【0046】
図８は、上記パラメータの他の例（ａ）（ｂ）（ｃ）を示す図である。例（ａ）（ｂ）（ｃ）においてはいずれも３つの蒸着源ＤＳが示されており、これら蒸着源ＤＳの角度が異なる。例（ａ）においては、３本の蒸着源ＤＳは互いに平行である。例（ｂ）においては、分子が放出される先端側において蒸着源ＤＳの間の距離が大きくなるように各蒸着源ＤＳが傾いている。例（ｃ）においては、分子が放出される先端側において蒸着源ＤＳの間の距離が小さくなるように各蒸着源ＤＳが傾いている。
【0047】
第１工程Ｐ１１および第２工程Ｐ１２において、例（ａ）（ｂ）（ｃ）の蒸着源ＤＳのように、蒸着源ＤＳ１，ＤＳ２の配置態様を変えてもよい。例えば、第１工程Ｐ１１において蒸着源ＤＳ１に例（ｃ）を適用し、第２工程Ｐ１２において蒸着源ＤＳ２に例（ａ）（ｂ）のいずれかを適用することにより、面積差ΔＳを生じさせることが可能である。
【0048】
図９は、有機層ＯＲの形成方法の他の例を概略的に示す図である。この形成方法は、第１工程Ｐ２１および第２工程Ｐ２２を含む。第１キャリア注入層５１、第１キャリア輸送層５２、発光層５４、第２キャリア輸送層５６および第２キャリア注入層５７のように有機層ＯＲの中で比較的小さい面積を有する層は、第１工程Ｐ２１により形成される。第１キャリアブロッキング層５３および第２キャリアブロッキング層５５のように有機層ＯＲの中で比較的大きい面積を有する層は、第２工程Ｐ２２により形成される。
【0049】
第１工程Ｐ２１においては、有機層ＯＲに対応する開口を有したマスクＭＳＫ１が用いられる。第２工程Ｐ２２においては、マスクＭＳＫ１の開口よりも大きい開口を有するマスクＭＳＫ２が用いられる。図９においては蒸着源を省略している。
【0050】
マスクＭＳＫ１，ＭＳＫ２の開口の大きさの差に起因して、第２工程Ｐ２２においては第１工程Ｐ２１よりも基板ＳＵＢの広範囲に蒸着源からの分子が到達する。これにより、第１工程Ｐ１１および第２工程Ｐ１２においてそれぞれ形成される層の間には、面積差ΔＳが生じる。
【0051】
図７および図９にて説明した形成方法によれば、いずれも面積差ΔＳを有する層を形成することが可能である。また、例えば図７の形成方法において、蒸着に関するパラメータが異なる３つ以上の工程を経れば、互いに面積差を有する３つ以上の層を形成することができる。同様に、図９の形成方法において、開口の大きさが異なるマスクをそれぞれ用いる３つ以上の工程を経た場合でも、互いに面積差を有する３つ以上の層を形成することができる。このような方法を適宜に用いることにより、図５および図６に示した有機層ＯＲを形成することが可能である。
【0052】
続いて、本実施形態が奏する効果の一例について説明する。
図１０は、比較例に係る表示装置ＤＳＰａの構成を示す概略的な断面図である。この断面は、図６と同様の副画素ＳＰ（表示素子２０）の断面に相当する。図１０において、図６に示した要素と同一または類似する要素には同一の符号が付されている。
図１０は、比較例に係る表示装置ＤＳＰａの構成を示す概略的な断面図である。この断面は、図６と同様の副画素ＳＰ（表示素子２０）の断面に相当する。図１０において、図６に示した要素と同一または類似する要素には同一の符号が付されている。
【0053】
表示装置ＤＳＰａにおいては、有機層ＯＲを構成する各層５１～５７が上方に位置するものほど小さい。これにより、端部Ｓ１～Ｓ７のそれぞれが第２電極Ｅ２と接触している。そのため、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間において各層５１～５７を順に通る本来の電流のパスとは異なり、第１電極Ｅ１から各層５１～５７の一部を経て第２電極Ｅ２に至るリークパスが形成され得る。リークパスは、オフリーク電流または漏電による消費電力の増加や、表示素子２０の駆動性能の低下の原因となる。
【0054】
特に、単一のマスクを用いて有機層ＯＲの各層５１～５７を形成する場合には、マスクの開口の縁にも各層の材料が堆積していくため、後に形成する層ほど面積が小さくなる。そのため、図１０に示すように端部Ｓ１～Ｓ７のそれぞれが第２電極Ｅ２と接触する構造が形成されやすい。
【0055】
図１１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいて有機層ＯＲの端部近傍を拡大した概略的な断面図である。上述の通り、本実施形態においては、第１キャリア注入層５１および第１キャリア輸送層５２の端部Ｓ１，Ｓ２が第１キャリアブロッキング層５３により覆われている。また、発光層５４の端部Ｓ４が第２キャリアブロッキング層５５により覆われている。
【0056】
ここで、図１１における第１パスＡ１－Ａ２、第２パスＢ１－Ｂ２および第３パスＣ１－Ｃ２に着目する。第１パスＡ１－Ａ２は、第１電極Ｅ１、各層５１～５７および第２電極Ｅ２を通る。第２パスＢ１－Ｂ２は、第１電極Ｅ１、第１キャリア注入層５１、第１キャリアブロッキング層５３、第２キャリアブロッキング層５５および第２電極Ｅ２を通る。第３パスＣ１－Ｃ２は、第１電極Ｅ１、第１キャリア注入層５１、第１キャリアブロッキング層５３および第２電極Ｅ２を通る。
【0057】
図１２は、第１パスＡ１－Ａ２における各層のエネルギー準位を示す図である。図１３は、第２パスＢ１－Ｂ２における各層のエネルギー準位を示す図である。図１４は、第３パスＣ１－Ｃ２における各層のエネルギー準位を示す図である。
【0058】
図１２に示すように、第１パスＡ１－Ａ２においては電子が第１キャリアブロッキング層５３により遮蔽され、正孔が第２キャリアブロッキング層５５で遮蔽される。同様に、図１３に示す第２パスＢ１－Ｂ２においても、電子が第１キャリアブロッキング層５３により遮蔽され、正孔が第２キャリアブロッキング層５５で遮蔽される。したがって、第２パスＢ１－Ｂ２においてはリーク電流が抑制される。
【0059】
一方、図１４に示す第３パスＣ１－Ｃ２においては、電子が第１キャリアブロッキング層５３により遮蔽されるが、正孔は第２電極Ｅ２に流れ得る。この場合であっても、少なくとも電子が遮蔽されることによりリーク電流が抑制される。また、第３パスＣ１－Ｃ２においては、第１キャリア輸送層５２が含まれないことがエネルギー障壁として作用する。
【0060】
第１パスＡ１－Ａ２、第２パスＢ１－Ｂ２および第３パスＣ１－Ｃ２に限らず、本実施形態においては第１電極Ｅ１、有機層ＯＲおよび第２電極Ｅ２を通るいずれのパスにおいても浅い最低空準位（ＬＵＭＯ）を有する第１キャリアブロッキング層５３および深い最高被占準位（ＨＯＭＯ）を有する第２キャリアブロッキング層５５の少なくとも一方が存在する。これにより、有効的なリーク対策が可能となる。
以上の他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。
以上の他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。
【0061】
以下に、表示装置ＤＳＰに適用し得る他の例として、第２乃至第１０実施形態を開示する。各実施形態において言及しない構成については第１実施形態と同様の構成を適用できる。第１実施形態にて開示した要素と同一または類似する要素には同一の符号を付し、その説明を省略することがある。
【0062】
［第２実施形態］
図１５は、第２実施形態に係る有機層ＯＲの概略的な平面図である。図１６は、図１５におけるＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図１５においては、図５と同様に、副画素ＳＰ（表示素子２０）の第１方向Ｘにおける中心線ＣＬよりも左側の領域に有機層ＯＲを平面視した形状を示し、中心線ＣＬよりも右側の領域に有機層ＯＲの各層５１～５７および開口ＯＰの外形を示している。
図１５は、第２実施形態に係る有機層ＯＲの概略的な平面図である。図１６は、図１５におけるＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図１５においては、図５と同様に、副画素ＳＰ（表示素子２０）の第１方向Ｘにおける中心線ＣＬよりも左側の領域に有機層ＯＲを平面視した形状を示し、中心線ＣＬよりも右側の領域に有機層ＯＲの各層５１～５７および開口ＯＰの外形を示している。
【0063】
図１５に示す有機層ＯＲは、第２キャリアブロッキング層５５の面積が第１キャリアブロッキング層５３の面積よりも大きい点で図５に示す有機層ＯＲと相違する。平面視において、端部Ｓ１，Ｓ２は端部Ｓ３と端部Ｓ４の間に位置し、端部Ｓ３は端部Ｓ１，Ｓ２と端部Ｓ５の間に位置し、端部Ｓ４は端部Ｓ１，Ｓ２と端部Ｓ６，Ｓ７の間に位置し、端部Ｓ６，Ｓ７は端部Ｓ４と開口ＯＰの間に位置している。端部Ｓ５は、有機層ＯＲの最外周に相当する。
【0064】
図１６に示すように、第２キャリアブロッキング層５５は、大部分が発光層５４の上に位置し、端部Ｓ５近傍の部分が第１キャリアブロッキング層５３およびリブ１４に接触している。すなわち、第２キャリアブロッキング層５５は、発光層５４の端部Ｓ４および第１キャリアブロッキング層５３の端部Ｓ３を覆っている。端部Ｓ１～Ｓ４は、第２電極Ｅ２と接触していない。第２キャリアブロッキング層５５のうち端部Ｓ５とその近傍の部分は、第２電極Ｅ２と接触している。図１６においてはＸ－Ｚ平面における断面を示したが、Ｙ－Ｚ平面の断面も同様の構造を有している。有機層ＯＲの形成にあたっては、例えば第１実施形態にて開示した形成方法を適宜に利用できる。
【0065】
本実施形態の構成であれば、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間のパスは、有機層ＯＲのいずれの位置においても第１キャリアブロッキング層５３および第２キャリアブロッキング層５５を通る。したがって、リーク電流をより効果的に抑制することができる。
【0066】
［第３実施形態］
図１７は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図１７の例においては、第１キャリア輸送層５２が第１キャリア注入層５１の端部Ｓ１を覆い、第１キャリアブロッキング層５３が第１キャリア輸送層５２の端部Ｓ２を覆い、発光層５４が第１キャリアブロッキング層５３の端部Ｓ３を覆い、第２キャリアブロッキング層５５が発光層５４の端部Ｓ４を覆い、第２キャリア輸送層５６が第２キャリアブロッキング層５５の端部Ｓ５を覆い、第２キャリア注入層５７が第２キャリア輸送層５６の端部Ｓ６を覆っている。各層５１～５７において、端部Ｓ１～Ｓ７近傍の部分は、リブ１４に接触している。第２キャリア注入層５７は全体的に第２電極Ｅ２と接触しているが、他の層５１～５６は第２電極Ｅ２と接触していない。
図１７は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図１７の例においては、第１キャリア輸送層５２が第１キャリア注入層５１の端部Ｓ１を覆い、第１キャリアブロッキング層５３が第１キャリア輸送層５２の端部Ｓ２を覆い、発光層５４が第１キャリアブロッキング層５３の端部Ｓ３を覆い、第２キャリアブロッキング層５５が発光層５４の端部Ｓ４を覆い、第２キャリア輸送層５６が第２キャリアブロッキング層５５の端部Ｓ５を覆い、第２キャリア注入層５７が第２キャリア輸送層５６の端部Ｓ６を覆っている。各層５１～５７において、端部Ｓ１～Ｓ７近傍の部分は、リブ１４に接触している。第２キャリア注入層５７は全体的に第２電極Ｅ２と接触しているが、他の層５１～５６は第２電極Ｅ２と接触していない。
【0067】
図１７においてはＸ－Ｚ平面における断面を示したが、Ｙ－Ｚ平面の断面も同様の構造を有している。すなわち、各層５１～５７の面積は、第２電極Ｅ２に近い層ほど大きい。有機層ＯＲの形成にあたっては、例えば第１実施形態にて開示した形成方法を適宜に利用できる。
【0068】
本実施形態の構成であれば、第２キャリア注入層５７が第２電極Ｅ２と接触し、他の層５１～５６は第２電極Ｅ２と接触しない。また、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間のパスは、有機層ＯＲのいずれの位置においても各層５１～５７を全て通る。これにより、リーク電流をより効果的に抑制することができる。
【0069】
第２キャリア注入層５７は、有機層ＯＲにおいて最も上に位置する。そのため、第２キャリア注入層５７を本実施形態のように拡張する場合には、その他の層５１～５６の端部Ｓ１～Ｓ６の全てを覆うことができる。
【0070】
なお、端部Ｓ１～Ｓ６は、図６または図１６と同様の位置関係であってもよい。この場合であっても、これら端部Ｓ１～Ｓ６と第２電極Ｅ２の間に少なくとも第２キャリア注入層５７が介在するため、リーク電流を抑制する効果が期待できる。
【0071】
［第４実施形態］
図１８は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図１８の例においては、第１キャリア輸送層５２が第１キャリア注入層５１の端部Ｓ１を覆っている。これにより、第１キャリア注入層５１は第２電極Ｅ２と接触していない。
図１８は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図１８の例においては、第１キャリア輸送層５２が第１キャリア注入層５１の端部Ｓ１を覆っている。これにより、第１キャリア注入層５１は第２電極Ｅ２と接触していない。
【0072】
一方で、第１キャリア輸送層５２の端部Ｓ２、第１キャリアブロッキング層５３の端部Ｓ３、発光層５４の端部Ｓ４、第２キャリアブロッキング層５５の端部Ｓ５および第２キャリア輸送層５６の端部Ｓ６は、第２電極Ｅ２と接触している。
【0073】
図１８においてはＸ－Ｚ平面における断面を示したが、Ｙ－Ｚ平面の断面も同様の構造を有している。すなわち、第１キャリア輸送層５２の面積は、他の層５１～５７の面積よりも大きい。有機層ＯＲの形成にあたっては、例えば第１実施形態にて開示した形成方法を適宜に利用できる。
【0074】
本実施形態において、第１電極Ｅ１は、発光層５４が発する光を反射する反射電極である。さらに、第１キャリア輸送層５２は、光学調整層としての役割も有している。具体的には、発光層５４が上方に発する光の波長と、第１電極Ｅ１により反射されて上方に向かう光の波長との関係を調整するために、第１キャリア輸送層５２は、他の層５１，５３～５７よりも大きい厚さＴを有している。
【0075】
このような構成であれば、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間のパスは、有機層ＯＲのいずれの位置においても厚い第１キャリア輸送層５２を通る。これにより、リーク電流を効果的に抑制することができる。
【0076】
［第５実施形態］
図１９は、第５実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図１９の例においては、第２キャリア輸送層５６が第１キャリア注入層５１の端部Ｓ１、第１キャリア輸送層５２の端部Ｓ２、第１キャリアブロッキング層５３の端部Ｓ３、発光層５４の端部Ｓ４および第２キャリアブロッキング層５５の端部Ｓ５を覆っている。第２キャリア輸送層５６の端部Ｓ６は、第２キャリア注入層５７によって覆われていない。第２キャリア輸送層５６において端部Ｓ６とその近傍の部分は、リブ１４および第２電極Ｅ２に接触している。第２キャリア輸送層５６よりも下方の各層５１～５５は、第２電極Ｅ２と接触していない。
図１９は、第５実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図１９の例においては、第２キャリア輸送層５６が第１キャリア注入層５１の端部Ｓ１、第１キャリア輸送層５２の端部Ｓ２、第１キャリアブロッキング層５３の端部Ｓ３、発光層５４の端部Ｓ４および第２キャリアブロッキング層５５の端部Ｓ５を覆っている。第２キャリア輸送層５６の端部Ｓ６は、第２キャリア注入層５７によって覆われていない。第２キャリア輸送層５６において端部Ｓ６とその近傍の部分は、リブ１４および第２電極Ｅ２に接触している。第２キャリア輸送層５６よりも下方の各層５１～５５は、第２電極Ｅ２と接触していない。
【0077】
図１９においてはＸ－Ｚ平面における断面を示したが、Ｙ－Ｚ平面の断面も同様の構造を有している。すなわち、第２キャリア輸送層５６の面積は、他の層５１～５５，５７の面積よりも大きい。有機層ＯＲの形成にあたっては、例えば第１実施形態にて開示した形成方法を適宜に利用できる。
【0078】
第２キャリア注入層５７としては、一般的に金属化合物の薄膜が用いられる。そのため、有機層ＯＲにおいて最も上方に位置する第２キャリア注入層５７を拡張する場合には、他の層５１～５６の端部Ｓ１～Ｓ６を良好に覆えない可能性がある。一方、第２キャリア輸送層５６は、無機材料または有機材料により第２キャリア注入層５７よりも厚く形成される。そのため、第２キャリア輸送層５６は、端部Ｓ１～Ｓ５の被覆に適している。
【0079】
［第６実施形態］
第１乃至第５実施形態においては、各層５１～５７の端部Ｓ１～Ｓ７が有機層ＯＲの外形全周にわたり同様の関係にある場合を想定した。しかしながら、有機層ＯＲの外形の一部における端部Ｓ１～Ｓ７の関係と、他の一部における端部Ｓ１～Ｓ７の関係とが異なってもよい。
第１乃至第５実施形態においては、各層５１～５７の端部Ｓ１～Ｓ７が有機層ＯＲの外形全周にわたり同様の関係にある場合を想定した。しかしながら、有機層ＯＲの外形の一部における端部Ｓ１～Ｓ７の関係と、他の一部における端部Ｓ１～Ｓ７の関係とが異なってもよい。
【0080】
図２０は、第６実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、端部Ｓ１～Ｓ７の関係が有機層ＯＲの外形において部分的に異なる構成の一例を示す。端部Ｓ１は第１辺Ｓ１ａおよび第２辺Ｓ１ｂを有している。端部Ｓ２は、第１辺Ｓ２ａおよび第２辺Ｓ２ｂを有している。端部Ｓ３は、第１辺Ｓ３ａおよび第２辺Ｓ３ｂを有している。端部Ｓ４は、第１辺Ｓ４ａおよび第２辺Ｓ４ｂを有している。端部Ｓ５は、第１辺Ｓ５ａおよび第２辺Ｓ５ｂを有している。端部Ｓ６は、第１辺Ｓ６ａおよび第２辺Ｓ６ｂを有している。端部Ｓ７は、第１辺Ｓ７ａおよび第２辺Ｓ７ｂを有している。これらの辺は、いずれも第２方向Ｙと平行である。
【0081】
図２０の例においては、第１辺Ｓ１ａ～Ｓ７ａが図６に示した端部Ｓ１～Ｓ７と同様の関係を有し、第２辺Ｓ１ｂ～Ｓ７ｂが図１６に示した端部Ｓ１～Ｓ７と同様の関係を有している。第１辺Ｓ３ａは、第２キャリアブロッキング層５５で覆われていない。第２辺Ｓ３ｂは、第２キャリアブロッキング層５５で覆われている。この例に限られず、第１辺Ｓ１ａ～Ｓ７ａと第２辺Ｓ１ｂ～Ｓ７ｂには、各実施形態にて例示した関係を選択的に適用し得る。
【0082】
図２０においてはＸ－Ｚ平面における断面を示したが、Ｙ－Ｚ平面の断面にも同様の構造を適用できる。すなわち、端部Ｓ１～Ｓ７のうち第１方向Ｘと平行な一対の辺のそれぞれに対し、各実施形態にて例示した関係が選択的に適用されてもよい。
【0083】
［第７実施形態］
第１乃至第６実施形態においては、有機層ＯＲを構成する各層５１～５７のうち、最も下に位置する第１キャリア注入層５１以外の層を拡張することにより、当該拡張した層の下方の層の端部を覆う構成を例示した。本実施形態においては、特定の層を縮小することによって当該層と第２電極Ｅ２との接触を抑制する観点から、有機層ＯＲの構成とその形成方法を例示する。
第１乃至第６実施形態においては、有機層ＯＲを構成する各層５１～５７のうち、最も下に位置する第１キャリア注入層５１以外の層を拡張することにより、当該拡張した層の下方の層の端部を覆う構成を例示した。本実施形態においては、特定の層を縮小することによって当該層と第２電極Ｅ２との接触を抑制する観点から、有機層ＯＲの構成とその形成方法を例示する。
【0084】
図２１は、第７実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図２１の例においては、発光層５４が他の層５１～５３，５５～５７よりも縮小されている。発光層５４の端部Ｓ４は、第２キャリアブロッキング層５５により覆われており、第２電極Ｅ２と接触していない。他の層５１～５３，５５～５７の端部Ｓ１～Ｓ３，Ｓ５～Ｓ７は、第２電極Ｅ２と接触している。
【0085】
図２２は、有機層ＯＲの形成方法の一例を概略的に示す図である。この形成方法においては、表示装置ＤＳＰのうち有機層ＯＲよりも下層部分が形成された基板ＳＵＢに対し、ポリマーマスクＰＭＳＫおよびメタルマスクＭＭＳＫを用いて各層５１～５７が形成される。ポリマーマスクＰＭＳＫは、基板ＳＵＢに形成されたベース層ＢＬの上に配置され、有機層ＯＲに対応する開口を有している。メタルマスクＭＭＳＫはポリマーマスクＰＭＳＫの開口よりも小さい開口を有しており、両マスクの開口の間には面積差ΔＳが存在する。
【0086】
発光層５４よりも下方の第１キャリア注入層５１、第１キャリア輸送層５２および第１キャリアブロッキング層５３は、メタルマスクＭＭＳＫが配置されていない状態において、蒸着によりポリマーマスクＰＭＳＫの開口を通じて形成される。続いて、メタルマスクＭＭＳＫがポリマーマスクＰＭＳＫの上に配置される。発光層５４は、蒸着によりメタルマスクＭＭＳＫの開口を通じて形成される。その後、メタルマスクＭＭＳＫが取り除かれる。発光層５４よりも上方の第２キャリアブロッキング層５５、第２キャリア輸送層５６および第２キャリア注入層５７は、蒸着によりポリマーマスクＰＭＳＫの開口を通じて形成される。このような方法で各層５１～５７を形成すれば、発光層５４を他の層５１～５３，５５～５７よりも縮小することができる。
【0087】
【0088】
【0089】
［第８実施形態］
第１実施形態においては、図５に示したように各副画素ＳＰが矩形の有機層ＯＲを有する場合を想定した。本実施形態においては、表示領域ＤＡに配置される有機層ＯＲの他の例を開示する。
第１実施形態においては、図５に示したように各副画素ＳＰが矩形の有機層ＯＲを有する場合を想定した。本実施形態においては、表示領域ＤＡに配置される有機層ＯＲの他の例を開示する。
【0090】
図２３は、本実施形態に係る副画素ＳＰと有機層ＯＲの一例を示す図である。図２の例と同じく、表示領域において、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに並び、複数の副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並び、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。
【0091】
さらに、周辺領域ＳＡにダミー副画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３が配置されている。ダミー副画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３は、それぞれ第２方向Ｙにおいて表示領域ＤＡの最端に配置された副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３と第２方向Ｙに並んでいる。ダミー副画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３は、画像表示に寄与しない画素である。例えば、ダミー副画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３は、第１電極Ｅ１を備え、画素回路１を備えていない。あるいは、ダミー副画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３は、第１電極Ｅ１および画素回路１を備えるが、これら第１電極Ｅ１および画素回路１が接続されていない。
【0092】
図２３の例においては、有機層ＯＲが複数の副画素ＳＰにわたって連続的に配置されている。具体的には、赤色の光を放つ有機層ＯＲ１が第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ１とダミー副画素ＤＰ１にわたって配置され、緑色の光を放つ有機層ＯＲ２が第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ２とダミー副画素ＤＰ２にわたって配置され、青色の光を放つ有機層ＯＲ３が第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ３とダミー副画素ＤＰ３にわたって配置されている。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、第１方向Ｘにおいて間隔を空けて並んでいる。
【0093】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、第２方向Ｙと平行な一対の辺Ｓａ，Ｓｂと、第１方向Ｘと平行な一対の辺Ｓｃ，Ｓｄとを有している。辺Ｓａ，Ｓｂは、表示領域ＤＡおよび周辺領域ＳＡの双方に位置している。辺Ｓｃ，Ｓｄは、周辺領域ＳＡに位置し、表示領域ＤＡには位置していない。
【0094】
図２４は、本実施形態の効果の一例を説明するための図である。図２４においては、表示装置ＤＳＰのうち有機層ＯＲ（ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３）よりも下層部分が形成された基板ＳＵＢに対し、リニア蒸着源ＬＤＳを用いて有機層ＯＲを形成する工程を示している。蒸着に用いられるマスクの図示は省略している。
【0095】
リニア蒸着源ＬＤＳは、第２方向Ｙに並ぶ複数の孔を有し、これらの孔から各層５１～５７を形成するための分子が放出される。基板ＳＵＢは掃引方向Ｄに移動し、これにより基板ＳＵＢの全体がリニア蒸着源ＬＤＳから放出される分子に晒される。掃引方向Ｄは、第１方向Ｘと平行である。
【0096】
例えば図７に示した第１工程Ｐ１１と第２工程Ｐ１２を図２４の態様で実施し、図５と同様の島状の有機層ＯＲを形成する場合、第１工程Ｐ１１と第２工程Ｐ１２で形成される層の外形の差は、主に掃引方向Ｄと交わる辺、すなわち第２方向Ｙと平行な一対の辺に現れる。掃引方向Ｄと平行な辺、すなわち第１方向Ｘと平行な一対の辺に関しては、位置の差が十分に表れない可能性がある。
【0097】
この点に関し、図２３に示した構成であれば、有機層ＯＲが表示領域ＤＡにおいては第１方向Ｘと平行な辺Ｓｃ，Ｓｄを有していない。第２方向Ｙと平行な辺Ｓａ，Ｓｂに関しては、例えば図６、図１６および図１７～図２１に示したように、各層５１～５７の端部Ｓ１～Ｓ７の位置が異なる形状を好適に実現することができる。
【0098】
辺Ｓｃ，Ｓｄは周辺領域ＳＡに位置しており、しかも辺Ｓｃ，Ｓｄと表示領域ＤＡの間にはダミー副画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３が介在する。これにより、辺Ｓｃ，Ｓｄにおいて有機層ＯＲの各層５１～５７の形状不良が生じても、その影響が副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に及びにくい。
【0099】
［第９実施形態］
有機層ＯＲの層構成は、図４に示したものに限られない。有機層ＯＲにおいて、各層５１～５７のいずれかが省略されてもよい。また、有機層ＯＲは、各層５１～５７に加え、さらに他の機能を有する層を備えてもよい。さらに、有機層ＯＲは、２つの発光層を含むタンデム構造を有してもよい。
有機層ＯＲの層構成は、図４に示したものに限られない。有機層ＯＲにおいて、各層５１～５７のいずれかが省略されてもよい。また、有機層ＯＲは、各層５１～５７に加え、さらに他の機能を有する層を備えてもよい。さらに、有機層ＯＲは、２つの発光層を含むタンデム構造を有してもよい。
【0100】
図２５は、タンデム構造の有機層ＯＲを備えた表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。有機層ＯＲは、第１電極Ｅ１に接触する第１有機層１００と、第２電極Ｅ２に接触する第２有機層２００と、第１有機層１００と第２有機層２００の間に位置する中間層３００とを備えている。
【0101】
第１有機層１００の端部Ｓ１００、第２有機層２００の端部Ｓ２００および中間層３００の端部Ｓ３００は、いずれもリブ１４の上に位置している。図２５の例においては、端部Ｓ３００が第２有機層２００で覆われている。これにより、中間層３００は、第２電極Ｅ２と接触していない。
【0102】
図２６は、本実施形態に係る有機層ＯＲが備える各層のエネルギー準位を示す図である。第１有機層１００は、第１キャリア注入層１０１と、第１キャリア輸送層１０２と、第１キャリアブロッキング層１０３と、第１発光層１０４（ＥＭＬ）と、第２キャリアブロッキング層１０５と、第２キャリア輸送層１０６とを備えている。第２有機層２００は、第３キャリア輸送層２０１と、第３キャリアブロッキング層２０２と、第２発光層２０３（ＥＭＬ）と、第４キャリアブロッキング層２０４と、第４キャリア輸送層２０５と、第２キャリア注入層２０６とを備えている。中間層３００は、第２キャリア輸送層１０６と第３キャリア輸送層２０１の間に位置している。
【0103】
本実施形態においては、第１電極Ｅ１がアノードであり、第２電極Ｅ２がカソードである場合を想定する。例えばこの場合において、第１キャリア注入層１０１は正孔注入層（ＨＩＬ）であり、第１キャリア輸送層１０２および第３キャリア輸送層２０１は正孔輸送層（ＨＴＬ）であり、第１キャリアブロッキング層１０３および第３キャリアブロッキング層２０２は電子ブロッキング層（ＥＢＬ）であり、第２キャリアブロッキング層１０５および第４キャリアブロッキング層２０４は正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）であり、第２キャリア輸送層１０６および第４キャリア輸送層２０５は電子輸送層（ＥＴＬ）であり、第２キャリア注入層２０６は電子注入層（ＥＩＬ）である。また、中間層３００は、例えば電圧に応じて電子および正孔を発生させる電荷発生層（ＣＧＬ）である。
【0104】
電荷発生層である中間層３００は、例えば金属材料で形成され、第２電極Ｅ２と接触した場合にはリーク電流を生じやすい。さらに、中間層３００を経由したリーク電流が発生した場合、第１発光層１０４および第２発光層２０３のいずれかのみが発光し得る。そのため、図２５に示したように中間層３００の端部Ｓ３００が第２有機層２００を構成する層のいずれかにより覆われることが好ましい。
【0105】
端部Ｓ３００を覆う層は、例えば第３キャリア輸送層２０１、第３キャリアブロッキング層２０２、第４キャリアブロッキング層２０４、第４キャリア輸送層２０５および第２キャリア注入層２０６のうちのいずれか１つ、複数、または全てである。さらに、第１有機層１００および第２有機層２００のいずれか一方または双方に対し、上述の各実施形態にて例示した有機層ＯＲと同様の構成を適用してもよい。
【0106】
なお、有機層ＯＲは、発光層をそれぞれ含む３つ以上の有機層と、これら有機層の間に配置された中間層とを備えてもよい。この場合においても、各中間層の端部を上方の層で覆うことにより、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0107】
【0108】
第１キャリア注入層５１は、第１領域５１ａと、第１領域５１ａと端部Ｓ１の間に位置する第２領域５１ｂとを有している。第１領域５１ａにおいては、ホスト（主材料）に対し第１濃度でドーパント（例えばｐ型ドーパント）が分布している。第２領域５１ｂにおいては、ホストに対し第１濃度よりも低い第２濃度でドーパントが分布している。第１領域５１ａは、開口ＯＰと重なり、第１電極Ｅ１と接触している。第２領域５１ｂは、リブ１４の上に位置している。
【0109】
図２８は、第１キャリア注入層５１の概略的な平面図である。ここでは、図５の例と同じく第１キャリア注入層５１が矩形である場合を想定する。図２８の例において、第１領域５１ａは、例えば開口ＯＰの全体と重なる矩形である。また、第２領域５１ｂは、第１領域５１ａを囲う枠状である。
【0110】
図２９は、第１キャリア注入層５１の形成方法の一例を示す図である。表示装置ＤＳＰのうち有機層ＯＲよりも下層部分が形成された基板ＳＵＢに対し、有機層ＯＲに対応する開口を有したマスクＭＳＫが配置されている。
【0111】
第１キャリア注入層５１のホストは、蒸着源ＤＳ１により形成される。このホストに対し、蒸着源ＤＳ２によりドーパントがドープされる。図７に示した第１工程Ｐ１１および第２工程Ｐ１２と同様に、マスクＭＳＫの開口を通じて基板ＳＵＢに蒸着源ＤＳ２からの分子が到達する範囲は、当該開口を通じて基板ＳＵＢに蒸着源ＤＳ１からの分子が到達する範囲よりも大きい。これにより、第１領域５１ａおよびその周囲の第２領域５１ｂを有する第１キャリア注入層５１を形成することができる。
【0112】
第２領域５１ｂのドーパントの濃度は第１領域５１ａのドーパントの濃度よりも低いため、第２領域５１ｂは第１領域５１ａに比べ高い抵抗を有している。そのため、本実施形態の構成であれば、第１キャリア注入層５１のうち端部Ｓ１やその近傍の部分を通って第２電極Ｅ２に至るパスのリーク電流が抑制される。
【0113】
一般的にドーパント材料は活性であり、雰囲気により変質することが懸念される。このような変質は、端部Ｓ１の近傍において生じやすい。本実施形態の構成であれば、第２領域５１ｂにおけるドーパントの濃度が低いため、このような変質を抑制できる。
【0114】
なお、本実施形態においては各層５１～５７が図６の例と同様の形状を有している場合において、第１キャリア注入層５１に第１領域５１ａおよび第２領域５１ｂを形成する例を示した。第１領域および第２領域は必ずしも第１キャリア注入層５１に形成される必要はなく、その他の層５２～５７のいずれかに形成されてもよい。また、第１領域および第２領域は、各層５１～５７のうち２つ以上の層に形成されてもよい。また、第１領域および第２領域は、図１０、図１６～図２１または図２５に示した形状の有機層ＯＲに対して設けられてもよい。
【0115】
各層５１～５７には、第１領域と第２領域の２つだけでなく、ドーパントの濃度が異なるさらに多くの領域が設けられてもよい。この場合においては、例えば層の端部に近い領域ほどドーパントの濃度を低くすればよい。
【0116】
第１領域および第２領域の形状は、図２８に示したものに限られない。図３０は、第１領域および第２領域の他の例を示す平面図である。この図においては、図２３と同様の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３、ダミー副画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３および有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が配置されている。
【0117】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の第１キャリア注入層５１は、第１領域５１ａと第２領域５１ｂをそれぞれ有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のそれぞれにおいて、第２領域５１ｂは、辺Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄに沿って環状に形成されている。なお、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のうち第１キャリア注入層５１以外の層に第１領域と第２領域が形成されてもよい。
【0118】
図３０に示す有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、図２４に示したようにリニア蒸着源を用いて形成するこができる。このとき、ホスト用のリニア蒸着源とドーパント用のリニア蒸着源を図２９と同様に使い分けることで、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の特定の層に第１領域と第２領域を形成することが可能である。
【0119】
以上の第１乃至第１０実施形態においては、第１端部を有する第１層と、第１層と第２電極Ｅ２の間に位置し第２端部を有する第２層とを有機層ＯＲが含み、第２層が第１端部を覆う構成を開示した。第１層は、有機層ＯＲを構成する層のうち最上層を除くいずれかであり、例えば第１実施形態においては第１キャリア注入層５１、第１キャリア輸送層５２または発光層５４である。第２層は、有機層ＯＲを構成する層のうち最下層を除くいずれかであり、例えば第１実施形態においては第１キャリアブロッキング層５３または第２キャリアブロッキング層５５である。
【0120】
また、第２実施形態（図１６）および第３実施形態（図１７）においては、第１層および第２層に加え、第２層と第２電極Ｅ２の間に位置し第３端部を有する第３層を有機層ＯＲがさらに備え、この第３層が第２端部を覆う構成を開示した。例えば第２実施形態においては、第１層が第１キャリア注入層５１または第１キャリア輸送層５２であり、第２層が第１キャリアブロッキング層５３であり、第３層が第２キャリアブロッキング層５５である。
【0121】
各実施形態において開示した有機層ＯＲの層構成は一例である。有機層ＯＲの層構成が各実施形態と異なる場合であっても、第１層および第２層、さらには付加的に第３層を設けることにより、各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0122】
各実施形態においては、第１電極Ｅ１がアノードに相当し、第２電極Ｅ２がカソードに相当する場合を例示した。しかしながら、第２電極Ｅ２がアノードに相当し、第１電極Ｅ１がカソードに相当する場合であっても、各実施形態にて開示した有機層ＯＲと同様の構成を適用することにより、各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0123】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【0124】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0125】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0126】
ＤＳＰ…表示装置、ＰＸ…画素、ＳＰ…副画素、２０…表示素子、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、ＯＲ…有機層、５１…第１キャリア注入層（ＨＩＬ）、５２…第１キャリア輸送層（ＨＴＬ）、５３…第１キャリアブロッキング層（ＥＢＬ）、５４…発光層（ＥＭＬ）、５５…第２キャリアブロッキング層（ＨＢＬ）、５６…第２キャリア輸送層（ＥＴＬ）、５７…第２キャリア注入層（ＥＩＬ）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】