▶ ＮＥＣトーキン株式会社の特許一覧 ▶ 国立大学法人東北大学の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022114917
(43)【公開日】2022-08-08
(54)【発明の名称】ノイズ抑制シート
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20220801BHJP
H01F 1/26 20060101ALI20220801BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 M
H01F1/26
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021011394
(22)【出願日】2021-01-27
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）令和元年度、総務省「５Ｇ移動通信等の通信品質安定化に資する高ＳＨＦ帯対応電磁干渉抑制体の研究開発」委託研究開発、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願
(71)【出願人】
【識別番号】000134257
【氏名又は名称】株式会社トーキン
(71)【出願人】
【識別番号】504157024
【氏名又は名称】国立大学法人東北大学
(74)【代理人】
【識別番号】100117341
【弁理士】
【氏名又は名称】山崎 拓哉
(74)【代理人】
【識別番号】100148840
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 健志
(74)【代理人】
【識別番号】100191673
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邉 久典
(72)【発明者】
【氏名】五十嵐 利行
(72)【発明者】
【氏名】岡本 聡
(72)【発明者】
【氏名】菊池 伸明
(72)【発明者】
【氏名】吉田 栄吉
【テーマコード（参考）】
5E041
5E321
【Ｆターム（参考）】
5E041AA01
5E041AA02
5E041AA04
5E041AA05
5E041BB03
5E041CA13
5E041NN06
5E041NN15
5E321BB32
5E321BB44
5E321BB53
5E321BB55
5E321GG11
(57)【要約】
【課題】周波数帯が異なる複数のノイズに対して一枚で対応可能なノイズ抑制シートを提供する。
【解決手段】ノイズ抑制シート１００は、扁平状の磁性粉末粒子２００と、磁性粉末粒子２００を結合するバインダ３００とを備えている。磁性粉末粒子２００は、磁区構造として、還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造を有している。磁性粉末粒子２００の飽和磁化μ０ＭＳは、０．９Ｔ以上である。磁性粉末粒子２００の直径Ｄは、７５００μｍ以下である。磁性粉末粒子２００の厚さをｔとすると、１≦Ｄ／ｔ≦１５００を満たしている。
【選択図】図１
【解決手段】ノイズ抑制シート１００は、扁平状の磁性粉末粒子２００と、磁性粉末粒子２００を結合するバインダ３００とを備えている。磁性粉末粒子２００は、磁区構造として、還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造を有している。磁性粉末粒子２００の飽和磁化μ０ＭＳは、０．９Ｔ以上である。磁性粉末粒子２００の直径Ｄは、７５００μｍ以下である。磁性粉末粒子２００の厚さをｔとすると、１≦Ｄ／ｔ≦１５００を満たしている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
扁平状の磁性粉末粒子と、前記磁性粉末粒子を結合するバインダとを備えるノイズ抑制シートであって、
前記磁性粉末粒子は、磁区構造として、還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造を有しており、
前記磁性粉末粒子の飽和磁化μ０ＭＳは、０．９Ｔ以上であり、
前記磁性粉末粒子の直径Ｄは、７５００μｍ以下であり、
前記磁性粉末粒子の厚さをｔとすると、１≦Ｄ／ｔ≦１５００を満たしており、
前記ノイズ抑制シートが遮蔽するノイズの周波数をｆ、前記磁性粉末粒子の電気抵抗率をρ、前記磁性粉末粒子の透磁率をμとすると、前記磁性粉末粒子の厚さｔは、以下の数式１に示す表皮厚さｓとの関係を満たす
ノイズ抑制シート。
前記磁性粉末粒子は、磁区構造として、還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造を有しており、
前記磁性粉末粒子の飽和磁化μ０ＭＳは、０．９Ｔ以上であり、
前記磁性粉末粒子の直径Ｄは、７５００μｍ以下であり、
前記磁性粉末粒子の厚さをｔとすると、１≦Ｄ／ｔ≦１５００を満たしており、
前記ノイズ抑制シートが遮蔽するノイズの周波数をｆ、前記磁性粉末粒子の電気抵抗率をρ、前記磁性粉末粒子の透磁率をμとすると、前記磁性粉末粒子の厚さｔは、以下の数式１に示す表皮厚さｓとの関係を満たす
【数1】
【請求項2】
請求項１記載のノイズ抑制シートであって、
前記飽和磁化μ０ＭＳは、２．０Ｔ以上であり、
前記磁性粉末粒子の前記直径Ｄは、２０μｍ以下であり、
１≦Ｄ／ｔ≦４を満たしている
ノイズ抑制シート。
前記飽和磁化μ０ＭＳは、２．０Ｔ以上であり、
前記磁性粉末粒子の前記直径Ｄは、２０μｍ以下であり、
１≦Ｄ／ｔ≦４を満たしている
ノイズ抑制シート。
【請求項3】
請求項１又は請求項２記載のノイズ抑制シートであって、
前記磁性粉末粒子の前記直径Ｄは、交換スティフネス定数をＡ（Ｊ／ｍ）、異方性定数をＫ（Ｊ／ｍ３）とすると、以下の数式２を満たす
ノイズ抑制シート。
前記磁性粉末粒子の前記直径Ｄは、交換スティフネス定数をＡ（Ｊ／ｍ）、異方性定数をＫ（Ｊ／ｍ３）とすると、以下の数式２を満たす
【数2】
【請求項4】
所望の周波数帯域のノイズを抑制可能なノイズ抑制シートの設計方法であって、
１）前記所望の周波数帯域においてノイズを抑制可能とする飽和磁化μ０ＭＳを有する材料を選定する材料選定ステップと、
２）選定した材料からなる扁平状の磁性粉末粒子の形状が円板形状であると仮定して、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔに初期値を設定する初期値設定ステップと、
３）前記２）で設定された直径Ｄ及び厚さｔから、アスペクト比ｋを以下の数式３で算出するアスペクト比算出ステップと、
４）前記３）で算出されたアスペクト比ｋを用いて、前記円板形状の半径方向における反磁界係数Ｎρを以下の数式４で算出する反磁界係数算出ステップと、
５）前記１）で選定した材料の飽和磁化μ０ＭＳと、前記４）で算出された反磁界係数Ｎρとを用いて、共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃを以下の数式５で算出する共鳴周波数算出ステップと、
６）前記５）で算出された共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃが前記所望の周波数帯域に含まれていない場合に、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔを変更する変更ステップと、
７）前記共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃが前記所望の周波数帯域に含まれるまで、前記３）～６）を繰り返すことにより、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔを特定する特定ステップと
を備えるノイズ抑制シートの設計方法。
１）前記所望の周波数帯域においてノイズを抑制可能とする飽和磁化μ０ＭＳを有する材料を選定する材料選定ステップと、
２）選定した材料からなる扁平状の磁性粉末粒子の形状が円板形状であると仮定して、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔに初期値を設定する初期値設定ステップと、
３）前記２）で設定された直径Ｄ及び厚さｔから、アスペクト比ｋを以下の数式３で算出するアスペクト比算出ステップと、
【数3】
【数4】
【数5】
７）前記共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃが前記所望の周波数帯域に含まれるまで、前記３）～６）を繰り返すことにより、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔを特定する特定ステップと
を備えるノイズ抑制シートの設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ノイズ抑制シート及びその設計方法に関する。
【背景技術】
【0002】
スマートフォンのような小型移動体端末においては、その内部のＩＣなどのノイズ源から電磁波が放射され、キャリアを送受信するアンテナとの電磁干渉が問題となっている。ここで、このような電子干渉に係るノイズ対策として、ノイズ抑制シートが採用されている。
【0003】
特許文献１は、この種のノイズ抑制シート９００を開示している。特許文献１のノイズ抑制シート９００は、シート状の複合磁性体を備えている。ここで、複合磁性体は、バインダと、バインダ中に分散された軟磁性粉末とを含んでいる。また、ノイズ抑制シート９００は、３ＧＨｚを超える高周波数帯域のノイズを抑制可能となっている。
【0004】
一方、非特許文献１には、薄膜製法で作製された多結晶Ｃｏからなる円板状の磁性体の磁区構造が、磁気ボルテックス構造をとることが開示されている。また、非特許文献２には、軟磁性パーマロイ系材料からなる円板の磁気ボルテックスの振動モードの理論的解析結果が開示されている。しかしながら、鍛造により得られた扁平状の磁性粉末粒子の磁区構造については、現段階において明らかとなっていない。
【0005】
加えて、非特許文献３，４には、直径数１０μｍ程度の単一の磁性粉末粒子の高周波透磁率を高い信号雑音比で測定可能なトランス結合型透磁率測定装置（ＴＣ－Ｐｅｒｍ）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１９－１５３６２３号公報
【非特許文献】
【0007】
【非特許文献1】Ｙ．Ａｃｒｅｍａｎｎ ｅｔ ａｌ．，Ｓｃｉｅｎｃｅ，２９０,ｐ４９２ （２０００）
【非特許文献2】Ｋ．Ｙｕ．Ｇｕｓｌｉｅｎｋｏ ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００２，５１，ｐ８０３７
【非特許文献3】Ｓ．Ｔａｍａｒｕ ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｓｍ ａｎｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，２０２０，５０１，ｐ１６６４３４
【非特許文献4】田丸慎吾 他，「まぐね」，日本磁気学会，２０２０年４月１日，第１５巻，第２号，ｐ.１３４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
一般的に、小型移動体端末の通信の妨げとなるノイズの周波数は様々な周波数帯に渡っている。しかしながら、特許文献１のノイズ抑制シートでは高周波数帯域のノイズのみに対応している。従って、多数の周波数帯に渡ってノイズ抑制するためにはノイズ各々の周波数帯に対応した複数のノイズ抑制シートが必要となり、製造工程が煩雑となる。このような状況を踏まえて、周波数帯が異なる複数のノイズに対して一枚で対応可能なノイズ抑制シートが求められている。
【0009】
また、現在のノイズ抑制シートの設計においては、試作されたノイズ抑制シートに対して所望の周波数帯域における電波吸収試験を行い、この試験結果を踏まえて材料等の再設計を行うといった試行錯誤を必要としている。これにより、ノイズ抑制シートを構成する材料の物性値に基づいて所望の周波数帯域のノイズを抑制可能なノイズ抑制シートを簡便に設計可能とする、ノイズ抑制シートの設計方法が求められている。
【0010】
そこで、本発明は、周波数帯が異なる複数のノイズに対して一枚で対応可能なノイズ抑制シートを提供することを目的とする。また、本発明は、所望の周波数帯域のノイズを抑制可能なノイズ抑制シートを簡便に設計可能とする、ノイズ抑制シートの設計方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
出願人は、磁性粉末粒子を含むノイズ抑制シートの複素比透磁率の周波数特性を広範囲に渡って測定し、複素比透磁率の虚数成分μr’’が２つの異なる周波数帯においてピークを生じていることを見出した。また、このような事象が、磁性粉末粒子の磁区構造が還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造をとることに由来することを発見した。出願人は、これらの知見に基づいて本発明を完成させた。
【0012】
即ち、本発明は、第１のノイズ抑制シートとして、
扁平状の磁性粉末粒子と、前記磁性粉末粒子を結合するバインダとを備えるノイズ抑制シートであって、
前記磁性粉末粒子は、磁区構造として、還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造を有しており、
前記磁性粉末粒子の飽和磁化μ０ＭＳは、０．９Ｔ以上であり、
前記磁性粉末粒子の直径Ｄは、７５００μｍ以下であり、
前記磁性粉末粒子の厚さをｔとすると、１≦Ｄ／ｔ≦１５００を満たしており、
前記ノイズ抑制シートが遮蔽するノイズの周波数をｆ、前記磁性粉末粒子の電気抵抗率をρ、前記磁性粉末粒子の透磁率をμとすると、前記磁性粉末粒子の厚さｔは、以下の数式１に示す表皮厚さｓとの関係を満たす
ノイズ抑制シートを提供する。
扁平状の磁性粉末粒子と、前記磁性粉末粒子を結合するバインダとを備えるノイズ抑制シートであって、
前記磁性粉末粒子は、磁区構造として、還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造を有しており、
前記磁性粉末粒子の飽和磁化μ０ＭＳは、０．９Ｔ以上であり、
前記磁性粉末粒子の直径Ｄは、７５００μｍ以下であり、
前記磁性粉末粒子の厚さをｔとすると、１≦Ｄ／ｔ≦１５００を満たしており、
前記ノイズ抑制シートが遮蔽するノイズの周波数をｆ、前記磁性粉末粒子の電気抵抗率をρ、前記磁性粉末粒子の透磁率をμとすると、前記磁性粉末粒子の厚さｔは、以下の数式１に示す表皮厚さｓとの関係を満たす
【数1】
【0013】
また、本発明は、第２のノイズ抑制シートとして、第１のノイズ抑制シートであって、
前記飽和磁化μ０ＭＳは、２．０Ｔ以上であり、
前記磁性粉末粒子の前記直径Ｄは、２０μｍ以下であり、
１≦Ｄ／ｔ≦４を満たしている
ノイズ抑制シートを提供する。
前記飽和磁化μ０ＭＳは、２．０Ｔ以上であり、
前記磁性粉末粒子の前記直径Ｄは、２０μｍ以下であり、
１≦Ｄ／ｔ≦４を満たしている
ノイズ抑制シートを提供する。
【0014】
また、本発明は、第３のノイズ抑制シートとして、第１又は第２のノイズ抑制シートであって、
前記磁性粉末粒子の前記直径Ｄは、交換スティフネス定数をＡ（Ｊ／ｍ）、異方性定数をＫ（Ｊ／ｍ３）とすると、以下の数式２を満たす
ノイズ抑制シートを提供する。
前記磁性粉末粒子の前記直径Ｄは、交換スティフネス定数をＡ（Ｊ／ｍ）、異方性定数をＫ（Ｊ／ｍ３）とすると、以下の数式２を満たす
【数2】
【0015】
また、本発明は、所望の周波数帯域のノイズを抑制可能なノイズ抑制シートの設計方法であって、
１）前記所望の周波数帯域においてノイズを抑制可能とする飽和磁化μ０ＭＳを有する材料を選定する材料選定ステップと、
２）選定した材料からなる扁平状の磁性粉末粒子の形状が円板形状であると仮定して、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔに初期値を設定する初期値設定ステップと、
３）前記２）で設定された直径Ｄ及び厚さｔから、アスペクト比ｋを以下の数式３で算出するアスペクト比算出ステップと、
４）前記３）で算出されたアスペクト比ｋを用いて、前記円板形状の半径方向における反磁界係数Ｎρを以下の数式４で算出する反磁界係数算出ステップと、
５）前記１）で選定した材料の飽和磁化μ０ＭＳと、前記４）で算出された反磁界係数Ｎρとを用いて、共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃを以下の数式５で算出する共鳴周波数算出ステップと、
６）前記５）で算出された共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃが前記所望の周波数帯域に含まれていない場合に、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔを変更する変更ステップと、
７）前記共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃが前記所望の周波数帯域に含まれるまで、前記３）～６）を繰り返すことにより、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔを特定する特定ステップと
を備えるノイズ抑制シートの設計方法を提供する。
１）前記所望の周波数帯域においてノイズを抑制可能とする飽和磁化μ０ＭＳを有する材料を選定する材料選定ステップと、
２）選定した材料からなる扁平状の磁性粉末粒子の形状が円板形状であると仮定して、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔに初期値を設定する初期値設定ステップと、
３）前記２）で設定された直径Ｄ及び厚さｔから、アスペクト比ｋを以下の数式３で算出するアスペクト比算出ステップと、
【数3】
【数4】
【数5】
７）前記共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃが前記所望の周波数帯域に含まれるまで、前記３）～６）を繰り返すことにより、前記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔを特定する特定ステップと
を備えるノイズ抑制シートの設計方法を提供する。
【発明の効果】
【0016】
本発明のノイズ抑制シートは、扁平状の磁性粉末粒子と、磁性粉末粒子を結合するバインダとを備えており、磁性粉末粒子は、磁区構造として、還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造を有している。これにより、本発明のノイズ抑制シートにおいては、複素比透磁率の虚数成分μr’’が２つの異なる周波数帯においてピークを生じるため、周波数帯が異なる複数のノイズに対して一枚で対応可能となっている。
【0017】
また、本発明のノイズ抑制シートの設計方法は、アスペクト比算出ステップで算出されたアスペクト比ｋを用いて、円板形状の半径方向における反磁界係数Ｎρを数式４で算出する反磁界係数算出ステップと、材料選定ステップで選定した材料の飽和磁化μ０ＭＳと、反磁界係数算出ステップで算出された反磁界係数Ｎρとを用いて、共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃを数式５で算出する共鳴周波数算出ステップと、を備えている。これにより、磁区構造として還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造を有する磁性粉末粒子を含むノイズ抑制シートを、簡便に設計することができるようになっている。即ち、本発明のノイズ抑制シートの設計方法によれば、所望の周波数帯域のノイズを抑制可能なノイズ抑制シートを簡便に設計することができるようになっている。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【発明を実施するための形態】
【0019】
（ノイズ抑制シート）
図１を参照して、本発明の実施の形態によるノイズ抑制シート１００は、扁平状の磁性粉末粒子２００と、磁性粉末粒子２００を結合するバインダ３００とを備えている。
図１を参照して、本発明の実施の形態によるノイズ抑制シート１００は、扁平状の磁性粉末粒子２００と、磁性粉末粒子２００を結合するバインダ３００とを備えている。
【0020】
（磁性粉末粒子）
本実施の形態の磁性粉末粒子２００としては、ノイズ抑制シートに用いられる公知の磁性粉末粒子の中から適宜選択することができる。磁性粉末粒子２００は、アトマイズ法等の方法により得られた磁性粒子をボールミル等の扁平化装置を用いて扁平化（鍛造）して得られる。磁性粉末粒子２００の原料としては、軟磁性粉末を用いることが好ましく、中でも、Ｆｅ（鉄）を主成分とするＦｅ基合金軟磁性粉末を用いることがより好ましい。Ｆｅ基合金軟磁性粉末としては、例えば、Ｆｅ、Ｆｅ－Ａｌ合金粉末、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｖ合金粉末、カルボニル鉄粉、Ｆｅ－Ｓｉ合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ合金粉末、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粉末、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金粉末、少なくともＦｅ－Ｓｉ－Ｂを含むＦｅ基合金非晶質粉末、少なくともＦｅ－Ｂ－Ｐ－Ｃｕを含むＦｅ基合金ナノ結晶粉末などが挙げられる。ここで、前記Ｆｅ基合金非晶質粉末とは、Ｆｅ基合金軟磁性粉末の内、結晶組織を持たない非晶質（アモルファス）な粉末をいう。また、Ｆｅ基合金ナノ結晶粉末とは、上記Ｆｅ基合金非晶質粉末に熱処理を実施し、非晶質相中に微細なα－Ｆｅ結晶を析出させた材料をいう。Ｆｅ基合金ナノ結晶粉末によれば、高磁化のα－Ｆｅ、微細化による結晶磁気異方性の低減、アモルファス相の正磁歪とα－Ｆｅ相の負磁歪の混相による磁歪の低減により、高飽和磁束密度（Ｂｓ）、低損失の良好な磁気特性が得られる。本発明においては、上述の種々の磁性粉末粒子の中から１種単独で、又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
本実施の形態の磁性粉末粒子２００としては、ノイズ抑制シートに用いられる公知の磁性粉末粒子の中から適宜選択することができる。磁性粉末粒子２００は、アトマイズ法等の方法により得られた磁性粒子をボールミル等の扁平化装置を用いて扁平化（鍛造）して得られる。磁性粉末粒子２００の原料としては、軟磁性粉末を用いることが好ましく、中でも、Ｆｅ（鉄）を主成分とするＦｅ基合金軟磁性粉末を用いることがより好ましい。Ｆｅ基合金軟磁性粉末としては、例えば、Ｆｅ、Ｆｅ－Ａｌ合金粉末、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｖ合金粉末、カルボニル鉄粉、Ｆｅ－Ｓｉ合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ合金粉末、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粉末、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金粉末、少なくともＦｅ－Ｓｉ－Ｂを含むＦｅ基合金非晶質粉末、少なくともＦｅ－Ｂ－Ｐ－Ｃｕを含むＦｅ基合金ナノ結晶粉末などが挙げられる。ここで、前記Ｆｅ基合金非晶質粉末とは、Ｆｅ基合金軟磁性粉末の内、結晶組織を持たない非晶質（アモルファス）な粉末をいう。また、Ｆｅ基合金ナノ結晶粉末とは、上記Ｆｅ基合金非晶質粉末に熱処理を実施し、非晶質相中に微細なα－Ｆｅ結晶を析出させた材料をいう。Ｆｅ基合金ナノ結晶粉末によれば、高磁化のα－Ｆｅ、微細化による結晶磁気異方性の低減、アモルファス相の正磁歪とα－Ｆｅ相の負磁歪の混相による磁歪の低減により、高飽和磁束密度（Ｂｓ）、低損失の良好な磁気特性が得られる。本発明においては、上述の種々の磁性粉末粒子の中から１種単独で、又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【0021】
扁平状の磁性粉末粒子２００は、ノイズ抑制シート１００の主面と平行になるように向きを揃えて配列している。即ち、磁性粉末粒子２００の直径Ｄは、ノイズ抑制シート１００の厚さ方向と直交する方向における磁性粉末粒子２００のサイズであり、磁性粉末粒子２００の厚さｔは、ノイズ抑制シート１００の厚さ方向と平行な方向における磁性粉末粒子２００のサイズである。また、磁性粉末粒子２００の直径方向は、電磁波の磁界成分が印加される方向と平行であり、磁性粉末粒子２００の厚さ方向は、上記電磁波の磁界成分と直交している。
【0022】
図５を参照して、本実施の形態の磁性粉末粒子２００は、磁区構造として、還流磁区構造又は磁気ボルテックス構造を有している。また、磁性粉末粒子２００は、磁区構造として、磁気ボルテックス構造を有していることが好ましい。具体的には、磁性粉末粒子２００は、磁区構造として、磁気ボルテックスコア４５０と、磁気ボルテックスコア４５０の周りに磁気モーメント４００とを有している。これにより、図２を参照して、本実施の形態のノイズ抑制シート１００においては、複素比透磁率の虚数成分μr’’は、低周波数帯ｆＬＦ及び高周波数帯ｆＨＦの２つの周波数帯においてピークを生じることとなる。ここで、図２及び図５を参照して、低周波数帯ｆＬＦにおける複素比透磁率の虚数成分μr’’のピークは、磁性粉末粒子２００の磁気ボルテックスコア４５０の固有振動によるものと推測される。また、高周波数帯ｆＨＦにおける複素比透磁率の虚数成分μr’’のピークは、磁性粉末粒子２００の磁気モーメント４００の歳差運動の一斉励起によるものと推測される。
【0023】
本実施の形態の磁性粉末粒子２００の飽和磁化μ０ＭＳは、０．９Ｔ以上である。また、磁性粉末粒子２００の飽和磁化μ０ＭＳは、２．０Ｔ以上であることが好ましい。ここで、μ０は真空の透磁率（Ｈ／ｍ）を表す。磁性粉末粒子２００が２．０Ｔ以上の飽和磁化μ０ＭＳを有している場合、磁性粉末粒子２００の直径Ｄ及び厚さｔを調節することにより、複素比透磁率の虚数成分μr’’の高周波数帯ｆＨＦで生じているピークを２８ＧＨｚ以上とすることが可能となる。第５世代移動通信システム（５Ｇ）のキャリア周波数には２８ＧＨｚの周波数帯域が含まれているが、磁性粉末粒子２００の飽和磁化μ０ＭＳが２．０Ｔ以上であるノイズ抑制シート１００をスマートフォンのような小型移動体端末に用いた場合、この第５世代通信システムのキャリア周波数においてもノイズ抑制効果が発現可能となる。
【0024】
本実施の形態の磁性粉末粒子２００の直径Ｄは、７５００μｍ以下である。また、磁性粉末粒子２００の直径Ｄは、２０μｍ以下が好ましい。なお、磁性粉末粒子２００の直径Ｄは、交換スティフネス定数をＡ（Ｊ／ｍ）、異方性定数をＫ（Ｊ／ｍ３）とすると、以下の数式６を満たしている必要がある。
これにより、本実施の形態の磁性粉末粒子２００は、磁区構造として、単磁区構造ではなく磁気ボルテックス構造を有することができる。
【数6】
【0025】
本実施の形態の磁性粉末粒子２００の厚さｔは、１≦Ｄ／ｔ≦１５００を満たしている。また、磁性粉末粒子２００の厚さｔは、１≦Ｄ／ｔ≦４を満たしていることが好ましい。
【0026】
本実施の形態のノイズ抑制シート１００において、遮蔽するノイズの周波数をｆ、磁性粉末粒子２００の電気抵抗率をρ、磁性粉末粒子２００の透磁率をμとすると、磁性粉末粒子２００の厚さｔは、以下の数式７に示す表皮厚さｓとの関係を満たしている。
【数7】
【0027】
即ち、磁性粉末粒子２００の厚さｔは、以下の数式８を満たしている。
（バインダ）
本実施の形態のバインダ３００としては、成形に用いられる公知のバインダを適宜選択して用いることができる。本発明においては、バインダとしては、アクリルゴム、アクリル酸アルキル共重合体等の（メタ）アクリル系ポリマー、アクリロニトリル－ブタジエンゴム（ＮＢＲ）、シリコーンゴム、ポリウレタン、ポリエチレン、エチレン・プロピレンゴム（ＥＰＭ）やエチレン・プロピレン・ジエンゴム（ＥＰＤＭ）などのオレフィン系ゴム、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ビスマストリアジンレジンなどが挙げられる。また、バインダ３００は、１種類を単独で、又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【数8】
本実施の形態のバインダ３００としては、成形に用いられる公知のバインダを適宜選択して用いることができる。本発明においては、バインダとしては、アクリルゴム、アクリル酸アルキル共重合体等の（メタ）アクリル系ポリマー、アクリロニトリル－ブタジエンゴム（ＮＢＲ）、シリコーンゴム、ポリウレタン、ポリエチレン、エチレン・プロピレンゴム（ＥＰＭ）やエチレン・プロピレン・ジエンゴム（ＥＰＤＭ）などのオレフィン系ゴム、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ビスマストリアジンレジンなどが挙げられる。また、バインダ３００は、１種類を単独で、又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【0028】
本実施の形態のノイズ抑制シート１００の製造方法は特に限定されないが、たとえば、以下の方法により製造することができる。まず、扁平状の磁性粉末粒子、バインダ、溶剤を配合してスラリー化されたものを、ドクターブレード法などにより、シート状に成形して成形体を得る。その後、シート状に成形された成形体を加熱して溶剤を除去し、シート形状を固定化してノイズ抑制シート１００を得る。ここで、加熱により架橋反応を行い、架橋物としてシート形状を固定化してもよい。また、上記の加熱工程は、加熱プレス成形によって行ってもよい。
【0029】
このようにして得られた本実施の形態のノイズ抑制シート１００は、透磁率が高く、優れたノイズ抑制効果を有するものである。そのため、本実施の形態のノイズ抑制シート１００は、このような特性を活かし、不要輻射対策、内部干渉対策、ＲＦＩＤ通信品質改善、ＥＳＤ対策、ＳＡＲ対策などに好適に用いることができる。
【0030】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、これらの記載により本発明を制限するものではない。
【0031】
＜実施例＞
磁性粉末粒子２００は、アトマイズ法により得られたＦｅ粒子をボールミル等の扁平化装置を用いて扁平化（鍛造）した。得られた磁性粉末粒子２００は、直径Ｄが１４７μｍ、厚さｔが０．４μｍであった。バインダとして、アクリルゴムを用いた。得られた扁平状の磁性粉末粒子１００と、バインダと、溶剤（トルエン）を配合してスラリー化されたものを、シート状に成形して成形体を得た。その後、成形体を加熱して溶剤を除去し、シート形状を固定化して、縦３ｍｍ×横３５ｍｍ×厚さ０．０５ｍｍのノイズ抑制シート１００を作製した。この作製されたノイズ抑制シート１００について、複素誘電率測定器ＰＭＭ－９Ｇ１(菱和電子製)を用いて複素比透磁率の周波数特性の測定を実施した。また、作製されたノイズ抑制シート１００について、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）による表面観察を実施した。更に、ノイズ抑制シート１００を原料である磁性粉末粒子２００について、非特許文献３，４に記載のトランス結合型透磁率測定装置（ＴＣ－Ｐｅｒｍ）を用いて、単一の磁性粉末粒子２００の複素磁化率の周波数スペクトルを測定した。具体的には、まず、２つの短絡終端された平面導波路（ＣＰＷ１，２）より構成された治具を、カプトンテープで絶縁しつつ重ね合わせることより、弱く結合したトランスを形成する。その後、磁性粉末粒子２００を平面導波路（ＣＰＷ１，２）の信号線の間に挿入する。平面導波路（ＣＰＷ１，２）を、ベクターネットワークアナライザ（ＶＮＡ）のポート１，２に夫々接続し、ベクターネットワークアナライザ（ＶＮＡ）により測定磁場及び飽和磁場における治具の透過係数Ｓ２１を実測した。これにより得られた測定磁場及び飽和磁場における治具の透過係数Ｓ２１の差分ΔＳ２１に、校正のためのデータ処理を施した。これにより、測定磁場における磁性粉末粒子２００の複素磁化率χを得た。
磁性粉末粒子２００は、アトマイズ法により得られたＦｅ粒子をボールミル等の扁平化装置を用いて扁平化（鍛造）した。得られた磁性粉末粒子２００は、直径Ｄが１４７μｍ、厚さｔが０．４μｍであった。バインダとして、アクリルゴムを用いた。得られた扁平状の磁性粉末粒子１００と、バインダと、溶剤（トルエン）を配合してスラリー化されたものを、シート状に成形して成形体を得た。その後、成形体を加熱して溶剤を除去し、シート形状を固定化して、縦３ｍｍ×横３５ｍｍ×厚さ０．０５ｍｍのノイズ抑制シート１００を作製した。この作製されたノイズ抑制シート１００について、複素誘電率測定器ＰＭＭ－９Ｇ１(菱和電子製)を用いて複素比透磁率の周波数特性の測定を実施した。また、作製されたノイズ抑制シート１００について、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）による表面観察を実施した。更に、ノイズ抑制シート１００を原料である磁性粉末粒子２００について、非特許文献３，４に記載のトランス結合型透磁率測定装置（ＴＣ－Ｐｅｒｍ）を用いて、単一の磁性粉末粒子２００の複素磁化率の周波数スペクトルを測定した。具体的には、まず、２つの短絡終端された平面導波路（ＣＰＷ１，２）より構成された治具を、カプトンテープで絶縁しつつ重ね合わせることより、弱く結合したトランスを形成する。その後、磁性粉末粒子２００を平面導波路（ＣＰＷ１，２）の信号線の間に挿入する。平面導波路（ＣＰＷ１，２）を、ベクターネットワークアナライザ（ＶＮＡ）のポート１，２に夫々接続し、ベクターネットワークアナライザ（ＶＮＡ）により測定磁場及び飽和磁場における治具の透過係数Ｓ２１を実測した。これにより得られた測定磁場及び飽和磁場における治具の透過係数Ｓ２１の差分ΔＳ２１に、校正のためのデータ処理を施した。これにより、測定磁場における磁性粉末粒子２００の複素磁化率χを得た。
【0032】
図２は、作製されたノイズ抑制シート１００の複素比透磁率の周波数特性を表すグラフである。これにより、作製されたノイズ抑制シート１００は、複素比透磁率の虚数成分μr’’が２つの異なる周波数帯（ｆＬＦ，ｆＨＦ）においてピークを生じていることが分かる。より詳しくは、作製されたノイズ抑制シート１００の複素透磁率の虚数成分μr’’は、低周波数帯ｆＬＦとして１５０ＭＨｚ付近に一つのピークを生じており、また高周波数帯ｆＨＦとして３ＧＨｚ付近にもう一つのピークを生じていることが分かる。即ち、ノイズ抑制シート１００は、バイモダル型のμr’’スペクトルを有していることが分かる。
【0033】
図３は、磁性粉末粒子２００の複素磁化率の周波数特性を表すグラフである。これにより、磁性粉末粒子２００は、複素磁化率の虚数成分χ’’が２つの異なる周波数帯（ｆＬＦ，ｆＨＦ）においてピークを生じていることが分かる。より詳しくは、磁性粉末粒子２００の複素磁化率の虚数成分χ’’は、低周波数帯ｆＬＦとして２００ＭＨｚ付近に一つのピークを生じており、また高周波数帯ｆＨＦとして３ＧＨｚ付近にもう一つのピークを生じていることが分かる。これにより、ノイズ抑制シート１００のバイモダル型のμr’’スペクトルは、単一の磁性粉末粒子２００のμr’’スペクトルを反映していることが見出された。
【0034】
非特許文献２において、円板状の磁性体における複素比透磁率の虚数成分μr’’の低周波数帯におけるピーク周波数ｆＬＦは、磁気ボルテックスコアの周回運動による共鳴から生じると結論付けられ、磁気回転比をγ、Ｖｏｒｔｅｘ磁化分布のモデルパラメータをξ、静的な初磁化率をχ（０）とすると、以下の数式９にて記述できることが開示されている。
【数9】
【0035】
ここで、ξ＝２／３、及びχ（０）に単一の磁性粉末粒子２００で実測された磁化率χ’の値を、上記の数式９に代入するとｆＬＦ,ｃａｌｃが算出されるが、この算出されたｆＬＦ,ｃａｌｃは、単一の磁性粉末粒子２００で実測された磁化率χ’の値に対応する実測のピーク周波数ｆＬＦと一致した。これにより、ノイズ抑制シート１００の低周波数帯ｆＬＦにおける複素比透磁率の虚数成分μr’’のピークが、数式９により説明可能であることが分かった。従って、低周波数帯ｆＬＦにおける複素比透磁率の虚数成分μr’’のピークは、磁性粉末粒子２００の磁気ボルテックスコアの固有振動によるものであると推測された。
【0036】
非特許文献１において、Ｃоからなる円板状の磁性体において、高周波数帯ｆＨＦにおける複素比透磁率の虚数成分μr’’のピークは、磁気ボルテックス内の磁気モーメントの歳差運動の一斉励起と結論付けられ、磁性体の飽和磁化をμ０ＭＳ、円板の半径方向の反磁界係数をＮρとすると、以下の数式１０にて記述できることが開示されている。
【数10】
【0037】
ここで、磁性粉末粒子２００に係るγ，ＭＳ，Ｎρの値（データ示さず）を、上記の数式１０に代入するとｆＨＦ,ｃａｌｃが算出されるが、この算出されたｆＨＦ,ｃａｌｃは、単一の磁性粉末粒子２００において実測されたピーク周波数ｆＨＦと一致した。これにより、ノイズ抑制シート１００の高周波数帯ｆＨＦにおける複素比透磁率の虚数成分μr’’のピークが、数式１０により説明可能であることが分かった。従って、高周波数帯ｆＨＦにおける複素比透磁率の虚数成分μr’’のピークは、磁性粉末粒子２００の磁気ボルテックス内の磁気モーメントの歳差運動の一斉励起によるものであると推測された。
【0038】
図４は、作製されたノイズ抑制シート１００の表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）で観察することにより得られたＭＦＭ画像である。これにより、作製されたノイズ抑制シート１００の磁性粉末粒子２００においては、磁気モーメント４００の一群と、磁壁５００とが観測された。即ち、作製されたノイズ抑制シート１００の磁性粉末粒子２００は、磁区構造として、複数の還流磁区構造６００又は磁気ボルテックス構造６００を有していることが確認された。
【0039】
（ノイズ抑制シートの設計方法）
上述のように、本出願人は、ノイズ抑制シート１００のバイモダル型のμr’’スペクトルが単一の磁性粉末粒子２００のμr’’スペクトルを反映していることを見出したことから、単一の磁性粉末粒子２００の物性等を設計することにより、ノイズ抑制シート１００のスペクトル設計が可能であるとの知見を得た。本発明のノイズ抑制シートの設計方法は、このような知見に基づくものである。
上述のように、本出願人は、ノイズ抑制シート１００のバイモダル型のμr’’スペクトルが単一の磁性粉末粒子２００のμr’’スペクトルを反映していることを見出したことから、単一の磁性粉末粒子２００の物性等を設計することにより、ノイズ抑制シート１００のスペクトル設計が可能であるとの知見を得た。本発明のノイズ抑制シートの設計方法は、このような知見に基づくものである。
【0040】
図６を参照して、本実施の形態によるノイズ抑制シート１００の設計方法は、所望の周波数帯域のノイズを抑制可能なノイズ抑制シート１００を設計可能な方法である。具体的には、本実施の形態のノイズ抑制シート１００の設計方法は、材料選定ステップと、初期値設定ステップと、アスペクト比算出ステップと、反磁界係数算出ステップと、共鳴周波数算出ステップと、変更ステップと、特定ステップとを有している。各ステップの内容について、以下詳述する。
【0041】
まず、所望の周波数帯域においてノイズを抑制可能とする飽和磁化μ０ＭＳを有する材料を選定する、材料選定ステップを遂行する。このステップにおいては、ノイズを抑制する周波数帯に対応可能な飽和磁化μ０ＭＳを有する材料を選定する。
【0042】
材料選定ステップの遂行後、選定した材料からなる扁平状の磁性粉末粒子２００の形状が円板形状であると仮定して、この円板形状の直径Ｄ及び厚さｔに初期値を設定する、初期値設定ステップを遂行する。より詳しくは、材料選定ステップの遂行後、選定した材料からなり、且つ鍛造により得られた扁平状の磁性粉末粒子２００の形状が円板形状であると仮定して、この円板形状の直径Ｄ及び厚さｔに初期値を設定する、初期値設定ステップを遂行する。
【0043】
初期値設定ステップの遂行後、初期値設定ステップで設定された直径Ｄ及び厚さｔから、アスペクト比ｋを以下の数式１１で算出する、アスペクト比算出ステップを遂行する。
【数11】
【0044】
アスペクト比算出ステップの遂行後、アスペクト比算出ステップで算出されたアスペクト比ｋを用いて、上記円板形状の半径方向における反磁界係数Ｎρを以下の数式１２で算出する、反磁界係数算出ステップを遂行する。
【数12】
【0045】
反磁界係数算出ステップの遂行後、材料選定ステップで選定した材料の飽和磁化μ０ＭＳと、反磁界係数算出ステップで算出された反磁界係数Ｎρとを用いて、共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃを以下の数式１３で算出する、共鳴周波数算出ステップを遂行する。
なお、この数式１３は、前述の数式１０と同じ式であり、ノイズ抑制シート１００の高周波数帯ｆＨＦにおける複素比透磁率の虚数成分μr’’のピークが数式１０により説明可能であるとの上記論理付けに基づいたものである。
【数13】
【0046】
共鳴周波数算出ステップの遂行後、共鳴周波数算出ステップで算出された共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃが上記所望の周波数帯域に含まれていない場合に、上記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔを変更する、変更ステップを遂行する。
【0047】
変更ステップの遂行後、上記共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃが上記所望の周波数帯域に含まれるまで、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すことにより、上記円板形状の直径Ｄ及び厚さｔを特定する、特定ステップを遂行する。これにより、上記所望の周波数帯域のノイズを抑制可能なノイズ抑制シート１００が設計される。
【0048】
なお、本実施の形態によるノイズ抑制シート１００の設計方法において、ノイズ抑制シート１００に含まれる扁平状の磁性粉末粒子２００は、ノイズ抑制シート１００の主面と平行になるように向きを揃えて配列されることを想定している。即ち、上記円板形状の直径Ｄは、ノイズ抑制シート１００の厚さ方向と直交する方向における上記円板形状のサイズであり、上記円板形状の厚さｔは、ノイズ抑制シート１００の厚さ方向と平行な方向における上記円板形状のサイズである。また、上記円板形状の直径方向は、電磁波の磁界成分が印加される方向と平行であり、上記円板形状の厚さ方向は、上記電磁波の磁界成分と直交している。
【0049】
以下、具体例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0050】
図７は、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが２．３５Ｔとなるパーメンジュール（Ｆｅ－４９％Ｃｏ－２％Ｖ）を磁性粉末粒子２００の材料として選定し、初期値設定ステップにおいて円板形状の厚さｔを、０．１μｍ，０．５μｍ，１μｍ，４μｍ，５μｍに夫々設定した場合の、上記数式１３を満たす円板形状の直径Ｄと共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃとの関係を表している。これにより、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に２８ＧＨｚと設定した場合、円板形状の厚さｔが０．１μｍのときには、０．２μｍ≦Ｄ≦０．５μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0051】
同様に、図７を参照して、所望の周波数帯域が２８ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが０．５μｍのときには、０．６μｍ≦Ｄ≦２μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0052】
また、図７参照して、所望の周波数帯域が２８ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが１μｍのときには、２μｍ≦Ｄ≦５μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0053】
更に、図７を参照して、所望の周波数帯域が２８ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが４μｍのときには、４μｍ≦Ｄ≦１０μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0054】
更に加えて、図７を参照して、所望の周波数帯域が２８ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが５μｍのときには、５μｍ≦Ｄ≦２０μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0055】
このように、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に２８ＧＨｚと設定し、且つ、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが２.３５Ｔとなるパーメンジュール（Ｆｅ－４９％Ｃｏ－２％Ｖ）を磁性粉末粒子２００の材料として選定した場合において、円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。なお、上記事例においては、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を２８ＧＨｚと設定した場合における円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定される過程を示したが、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を２８ＧＨｚ以外の周波数帯に設定した場合においても、同様に円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。
【0056】
図８は、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが２．１５ＴとなるＦｅを磁性粉末粒子２００の材料として選定し、初期値設定ステップにおいて円板形状の厚さｔを、０．１μｍ，０．５μｍ，１μｍ，４μｍ，５μｍに夫々設定した場合の、上記数式１３を満たす円板形状の直径Ｄと共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃとの関係を表している。これにより、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に２８ＧＨｚと設定した場合、円板形状の厚さｔが０．１μｍのときには、０．２μｍ≦Ｄ≦０．３μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0057】
同様に、図８を参照して、所望の周波数帯域が２８ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが０．５μｍのときには、０．６μｍ≦Ｄ≦１μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0058】
また、図８を参照して、所望の周波数帯域が２８ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが１μｍのときには、２μｍ≦Ｄ≦３μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0059】
更に、図８を参照して、所望の周波数帯域が２８ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが４μｍのときには、４μｍ≦Ｄ≦１０μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0060】
更に加えて、図８を参照して、所望の周波数帯域が２８ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが５μｍのときには、６μｍ≦Ｄ≦１０μｍにおいて、２８ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0061】
このように、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に２８ＧＨｚと設定し、且つ、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが２.１５ＴとなるＦｅを磁性粉末粒子２００の材料として選定した場合においても、円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることになる。なお、上記事例においては、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を２８ＧＨｚと設定した場合における円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定される過程を示したが、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を２８ＧＨｚ以外の周波数帯に設定した場合においても、同様に円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。
【0062】
図９は、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが２．０Ｔとなるケイ素鋼（Ｆｅ－３％Ｓｉ）を磁性粉末粒子２００の材料として選定し、初期値設定ステップにおいて円板形状の厚さｔを、０．１μｍ，０．５μｍ，１μｍ，４μｍ，５μｍに夫々設定した場合の、上記数式１３を満たす円板形状の直径Ｄと共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃとの関係を表している。これにより、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に２５ＧＨｚと設定した場合、円板形状の厚さｔが０．１μｍのときには、０．２μｍ≦Ｄ≦０．４μｍにおいて、２５ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0063】
同様に、図９を参照して、所望の周波数帯域が２５ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが０．５μｍのときには、０．６μｍ≦Ｄ≦２μｍにおいて、２５ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0064】
また、図９参照して、所望の周波数帯域が２５ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが１μｍのときには、２μｍ≦Ｄ≦４μｍにおいて、２５ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0065】
更に、図９を参照して、所望の周波数帯域が２５ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが４μｍのときには、４μｍ≦Ｄ≦１０μｍにおいて、２５ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0066】
更に加えて、図９を参照して、所望の周波数帯域が２５ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが５μｍのときには、６μｍ≦Ｄ≦２０μｍにおいて、２５ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0067】
このように、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に２５ＧＨｚと設定し、且つ、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが２．０Ｔとなるケイ素鋼（Ｆｅ－３％Ｓｉ）を磁性粉末粒子２００の材料として選定した場合においても、円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。なお、上記事例においては、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を２５ＧＨｚと設定した場合における円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定される過程を示したが、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を２５ＧＨｚ以外の周波数帯に設定した場合においても、同様に円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。
【0068】
図１０は、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが１．５ＴとなるＦｅ－３．５％Ａｌを磁性粉末粒子２００の材料として選定し、初期値設定ステップにおいて円板形状の厚さｔを、０．１μｍ，０．５μｍ，１μｍ，４μｍ，５μｍに夫々設定した場合の、上記数式１３を満たす円板形状の直径Ｄと共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃとの関係を表している。これにより、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に２０ＧＨｚと設定した場合、円板形状の厚さｔが０．１μｍのときには、０．２μｍ≦Ｄ≦０．３μｍにおいて、２０ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0069】
同様に、図１０を参照して、所望の周波数帯域が２０ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが０．５μｍのときには、０．６μｍ≦Ｄ≦１μｍにおいて、２０ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0070】
また、図１０参照して、所望の周波数帯域が２０ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが１μｍのときには、２μｍ≦Ｄ≦３μｍにおいて、２０ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0071】
更に、図１０を参照して、所望の周波数帯域が２０ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが４μｍのときには、４μｍ≦Ｄ≦１０μｍにおいて、２０ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0072】
更に加えて、図１０を参照して、所望の周波数帯域が２０ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが５μｍのときには、６μｍ≦Ｄ≦１０μｍにおいて、２０ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0073】
このように、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に２０ＧＨｚと設定し、且つ、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが１．５ＴとなるＦｅ－３．５％Ａｌを磁性粉末粒子２００の材料として選定した場合においても、円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。なお、上記事例においては、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を２０ＧＨｚと設定した場合における円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定される過程を示したが、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を２０ＧＨｚ以外の周波数帯に設定した場合においても、同様に円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。
【0074】
図１１は、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが０．９Ｔとなるセンダスト（登録商標）を磁性粉末粒子２００の材料として選定し、初期値設定ステップにおいて円板形状の厚さｔを、０．１μｍ，０．５μｍ，１μｍ，４μｍ，５μｍに夫々設定した場合の、上記数式１３を満たす円板形状の直径Ｄと共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃとの関係を表している。これにより、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に１２ＧＨｚと設定した場合、円板形状の厚さｔが０．１μｍのときには、０．２μｍ≦Ｄ≦０．３μｍにおいて、１２ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0075】
同様に、図１１を参照して、所望の周波数帯域が１２ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが０．５μｍのときには、０．６μｍ≦Ｄ≦１μｍにおいて、１２ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0076】
また、図１１参照して、所望の周波数帯域が１２ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが１μｍのときには、２μｍ≦Ｄ≦３μｍにおいて、１２ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0077】
更に、図１１を参照して、所望の周波数帯域が１２ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが４μｍのときには、４μｍ≦Ｄ≦９μｍにおいて、１２ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0078】
更に加えて、図１１を参照して、所望の周波数帯域が１２ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが５μｍのときには、６μｍ≦Ｄ≦１０μｍにおいて、１２ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0079】
このように、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に１２ＧＨｚと設定し、且つ、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが０．９Ｔとなるセンダスト（登録商標）を磁性粉末粒子２００の材料として選定した場合においても、円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。なお、上記事例においては、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を１２ＧＨｚと設定した場合における円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定される過程を示したが、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を１２ＧＨｚ以外の周波数帯に設定した場合においても、同様に円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。
【0080】
図１２は、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが０．５Ｔとなるミューメタル（Ｆｅ―７７Ｎｉ―２Ｃｒ―５Ｃｕ）を磁性粉末粒子２００の材料として選定し、初期値設定ステップにおいて円板形状の厚さｔを、０．１μｍ，０．５μｍ，１μｍ，４μｍ，５μｍに夫々設定した場合の、上記数式１３を満たす円板形状の直径Ｄと共鳴周波数ｆＨＦ,ｃａｌｃとの関係を表している。これにより、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に６ＧＨｚと設定した場合、円板形状の厚さｔが０．１μｍのときには、０．２μｍ≦Ｄ≦０．５μｍにおいて、６ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0081】
同様に、図１２を参照して、所望の周波数帯域が６ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが０．５μｍのときには、０．６μｍ≦Ｄ≦２μｍにおいて、６ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0082】
また、図１２参照して、所望の周波数帯域が６ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが１μｍのときには、２μｍ≦Ｄ≦５μｍにおいて、６ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0083】
更に、図１２を参照して、所望の周波数帯域が６ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが４μｍのときには、４μｍ≦Ｄ≦１０μｍにおいて、６ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0084】
更に加えて、図１２を参照して、所望の周波数帯域が６ＧＨｚであって円板形状の厚さｔが５μｍのときには、６μｍ≦Ｄ≦２０μｍにおいて、６ＧＨｚ≦ｆＨＦ,ｃａｌｃを満たすことになるため、直径Ｄの初期値が上記範囲に入っていない場合、上記範囲に入るまで直径Ｄの値を変更しながら、アスペクト比算出ステップ、反磁界係数算出ステップ、共鳴周波数算出ステップ及び変更ステップを順次繰り返すこととなる。
【0085】
このように、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を仮に６ＧＨｚと設定し、且つ、材料選定ステップにおいて飽和磁化μ０ＭＳが０．５Ｔとなるミューメタル（Ｆｅ―７７Ｎｉ―２Ｃｒ―５Ｃｕ）を磁性粉末粒子２００の材料として選定した場合においても、円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。なお、上記事例においては、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を６ＧＨｚと設定した場合における円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定される過程を示したが、ノイズを抑制する所望の周波数帯域を６ＧＨｚ以外の周波数帯に設定した場合においても、同様に円板形状の直径Ｄ及び厚さｔが特定されることとなる。
【0086】
以上、本発明について実施の形態を掲げて具体的に説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【0087】
１００ ノイズ抑制シート
２００ 磁性粉末粒子
３００ バインダ
４００ 磁気モーメント
４５０ 磁気ボルテックスコア
５００ 磁壁
６００ 還流磁区構造
６００ 磁気ボルテックス構造
２００ 磁性粉末粒子
３００ バインダ
４００ 磁気モーメント
４５０ 磁気ボルテックスコア
５００ 磁壁
６００ 還流磁区構造
６００ 磁気ボルテックス構造
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】