特開 2022-115401 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022115401

(43)【公開日】2022-08-09

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220802BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20220802BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Z

H05K3/46 B

H05K3/00 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021011981

(22)【出願日】2021-01-28

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】木村 涼哉

(72)【発明者】

【氏名】清水 敬介

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA17

5E316AA43

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC46

5E316DD02

5E316DD22

5E316DD33

5E316EE31

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG28

5E316HH32

5E316HH33

(57)【要約】

【課題】残渣の残留が抑制された配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、第１絶縁層１０上に第１導体層１１を形成し、その上に第２絶縁層２０を形成し、第２絶縁層２０上にビルドアップ部１１０を形成することと、領域ＲＣａの周縁ＲＣｐに沿ってビルドアップ部１１０を貫通する溝Ｇを形成し、溝Ｇで画定される部分Ｒを除去して、第２絶縁層２０を露出する凹部ＲＣを形成することと、第２絶縁層２０に第１導体層１１を露出させる開口１１ａを形成することと、を含む。第２絶縁層２０を形成することは、第１層２０及び第２層２０ｂを含む２層構造の樹脂フィルム２０ｆを積層することと、領域ＲＣａに対応する位置以外の第２層２０ｂを除去することと、を含み、凹部ＲＣを形成することは、所定の領域ＲＣａに対応する位置の第２層２０ｂｒを除去することを含んでいる。
【選択図】図３Ｇ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層の表面に第１導体層を形成することと、
前記第１導体層上及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成することと、
前記第２絶縁層上に少なくとも１層の絶縁層を積層してビルドアップ部を形成することと、
所定の領域の周縁に沿って前記ビルドアップ部を貫通する溝を形成することと、
前記ビルドアップ部の前記溝で画定される部分を除去することで、前記第２絶縁層を露出する凹部を形成することと、
前記第２絶縁層を貫通し前記第１導体層を露出させる開口を形成することと、
を含む、配線基板の製造方法であって、
前記第１導体層上に前記第２絶縁層を形成することは、第１層及び第２層を含む２層構造の樹脂フィルムを前記第１層が前記第１導体層と接するように積層することと、前記所定の領域に対応する位置以外の前記第２層を除去することと、を含み、
前記凹部を形成することは、前記所定の領域に対応する位置の前記第２層を除去して前記第２絶縁層を露出させることを含んでいる。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記開口を形成することは、前記凹部を形成することの後に実施される。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第２層は前記第１層に予め貼着されているカバーフィルムである。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記凹部は、前記第２絶縁層が平面視において前記凹部の底部から前記凹部の外方に亘って連続するように形成される。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記溝及び前記開口は、レーザー光の照射によって形成される。

【請求項6】

請求項５記載の配線基板の製造方法であって、前記溝は、前記第２絶縁層を貫通しないように形成される。

【請求項7】

請求項５記載の配線基板の製造方法であって、前記溝を形成することは、前記レーザー光の照射前に、前記ビルドアップ部の表面を保護膜で被覆することを含んでいる。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第１導体層を形成することは、導体パッドを形成することを含んでおり、前記第１導体層を露出させることは、前記導体パッドを露出させることを含んでいる。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第２絶縁層は、２０μｍ以上、且つ、３５μｍ以下の厚さを有するように形成される。

【請求項10】

第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成される第１導体層と、前記第１導体層上に積層される第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に積層されるビルドアップ部と、前記ビルドアップ部の厚さ方向を貫通し前記第２絶縁層を底部に露出させる凹部と、を備える配線基板であって、
前記凹部の底部に露出する前記第２絶縁層には、前記第１導体層を露出させる開口が形成されており、
前記第２絶縁層は、平面視において前記凹部の底部から前記凹部の外方に亘って連続して形成されている。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、キャビティ（凹部）を有するプリント配線板の製造方法が開示されている。特許文献１に開示される製造方法では、キャビティの形成において、キャビティの底面を構成するソルダーレジスト層に剥離フィルムが貼付される。ソルダーレジスト層には開口が形成されており、開口からは電極パッドが露出している。剥離フィルムが溝に囲まれる除去部と共に除去されることで、底部にソルダーレジスト層及びその開口内の電極パッドを露出するキャビティが形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－６７８２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１のキャビティの形成方法では、剥離フィルムの残渣が、ソルダーレジスト層上、及び、電極パッド上に残留する虞があると考えられる。電極パッドに残渣が残留した場合には、キャビティ内に搭載され得る電子部品との接続不良が引き起こされる虞があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の実施形態による配線基板の製造方法は、第１絶縁層の表面に第１導体層を形成することと、前記第１導体層上及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成することと、前記第２絶縁層上に少なくとも１層の絶縁層を積層してビルドアップ部を形成することと、所定の領域の周縁に沿って前記ビルドアップ部を貫通する溝を形成することと、前記ビルドアップ部の前記溝で画定される部分を除去することで、前記第２絶縁層を露出する凹部を形成することと、前記第２絶縁層を貫通し前記第１導体層を露出させる開口を形成することと、を含んでいる。前記第１導体層上に前記第２絶縁層を形成することは、第１層及び第２層を含む２層構造の樹脂フィルムを前記第１層が前記第１導体層と接するように積層することと、前記所定の領域に対応する位置以外の前記第２層を除去することと、を含み、前記凹部を形成することは、前記所定の領域に対応する位置の前記第２層を除去して前記第２絶縁層を露出させることを含んでいる。

【0006】

本発明の実施形態による配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成される第１導体層と、前記第１導体層上に積層される第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に積層されるビルドアップ部と、前記ビルドアップ部の厚さ方向を貫通し前記第２絶縁層を底部に露出させる凹部と、を備えている。前記凹部の底部に露出する前記第２絶縁層には、前記第１導体層を露出させる開口が形成されており、前記第２絶縁層は、平面視において前記凹部の底部から前記凹部の外方に亘って連続して形成されている。

【0007】

本発明の実施形態によれば、凹部（キャビティ）の形成において、第２絶縁層からの第２層の除去後に、凹部の底部に導体を露出する開口が第２絶縁層に形成される。従って、第２絶縁層及び導体上への残渣の残留が発生しにくく、凹部内に搭載され得る電子部品の接続不良が抑制され得る配線基板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１に示される配線基板の上面図。

【図3A】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【図3B】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【図3C】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【図3D】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【図3E】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【図3F】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【図3G】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【図3H】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【図3I】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【図3J】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明の一実施形態の配線基板の一例が、図面を参照しながら説明される。図１には配線基板１００の断面図が示され、図２には配線基板１００の上面図が示されている。図１は、図２のI－I線に沿った断面を示している。

【0010】

図１に示される配線基板１００は、第１絶縁層１０を有している。第１絶縁層１０の厚さ方向において対向する表面の一方の表面上には第１導体層１１が形成されており、他方の表面上には第２導体層１２が形成されている。第１導体層１１の、第１絶縁層１０と反対側（上側）には、第２絶縁層２０が積層され、第２絶縁層２０の第１導体層１１と反対側には、第１ビルドアップ部１１０が形成されている。第２導体層１２の、第１絶縁層１０と反対側には、第２ビルドアップ部１２０が形成されている。

【0011】

図示の例では、第１絶縁層１０、第１導体層１１、及び、第２導体層１２は、配線基板１００におけるコア層の形態を有しており、コア層１０１とも称される。第１及び第２ビルドアップ部１１０、１２０はそれぞれ３層の絶縁層１１１、１２１、及び、３層の導体層１１２、１２２を有している。

【0012】

なお、配線基板１００、及び、後述される配線基板１００の製造方法の説明では、配線基板１００の厚さ方向において、第１絶縁層１０から遠い側は「上側」、「外側」、もしくは「上方」又は単に「上」、「外」とも称され、第１絶縁層１０に近い側は「下側」、「内側」、もしくは「下方」又は単に「下」、「内」とも称される。さらに、各層において、第１絶縁層１０と反対側を向く表面は「上面」とも称され、第１絶縁層１０側を向く表面は「下面」とも称される。

【0013】

図示の例では、第１ビルドアップ部１１０は、最も外側の導体層１１２上にソルダーレジスト層１１３を有しており、第２ビルドアップ部１２０は、最も外側の導体層１２２上にソルダーレジスト層１２３を有している。ソルダーレジスト層１１３、１２３は、例えば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いて形成されている。ソルダーレジスト層１１３、１２３には、第１及び第２ビルドアップ部１１０、１２０における最も上側の導体層１１２、１２２の一部を底部に有する開口１１３ａ、１２３ａが設けられている。

【0014】

開口１１３ａ内に露出する導体層１１２は、例えば半導体素子などの外部の電子部品との接続用の導体パッド１１２ｐとして構成される。図示の例では、開口１１３ａ内の導体層１１２上には、導電性の接続部材ＢＰが設けられている。接続部材ＢＰは、例えば、Ｓｎ及びＣｕを含む合金で構成され、外部の電子部品の接続パッドと導体パッド１１２ｐとの電気的接続を中継するはんだバンプである。また、開口１２３ａから露出する導体層１２２は、導体パッド１２２ｐとして、例えば、配線基板１００が用いられる電子機器のマザーボードや、積層構造を有する半導体装置のパッケージ基板などとの接続に用いられ得る。

【0015】

図示される例では、第１絶縁層１０は、第１絶縁層１０の厚さ方向を貫通し、第１導体層１１と第２導体層１２とを接続するスルーホール導体１０ｔｈを含んでいる。そして、第１ビルドアップ部１１０を構成する絶縁層１１１は、絶縁層１１１を貫通して導体層１１２同士、又は、導体層１１２と第１導体層１１とを接続するビア導体１１４を含んでいる。また、第２ビルドアップ部１２０を構成する絶縁層１２１は、絶縁層１２１を貫通して導体層１２２同士、又は、導体層１２２と第２導体層１２とを接続するビア導体１２４を含んでいる。なお、図示の例においては、第１導体層１１と導体層１１２とを接続するビア導体１１４は、第２絶縁層２０と絶縁層１１１とを連続して貫通している。

【0016】

配線基板１００を構成する絶縁層１０、２０、１１１、１２１は、例えばエポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などの任意の絶縁性樹脂を用いて形成される。絶縁層１０、２０、１１１、１２１は、例えば、ガラス繊維やアラミド繊維などである芯材を含んでいる場合がある。絶縁層１０、２０、１１１、１２１は無機フィラーを含んでいてもよい。無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ、又はムライトなどからなる微粒子が例示される。

【0017】

配線基板１００を構成する導体層１１、１２、１１２、１２２、ビア導体１１４、１２４、スルーホール導体１０ｔｈは、銅やニッケルなどの、適切な導電性を備えている任意の材料を用いて形成され得る。導体層１１、１２、１１２、１２２、ビア導体１１４、１２４、スルーホール導体１０ｔｈは、図１では、見易さのために簡略化して単層構造で示されているが、２層以上の多層構造を有し得る。例えば、導体層１１、１２、１１２、１２２は、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。導体層１１、１２、１１２、１２２は、好ましくは、銅箔、電解銅めっき膜、もしくは無電解銅めっき膜、又はこれらの組み合わせによって形成されて得る。スルーホール導体１０ｔｈ、及び、ビア導体１１４、１２４は、例えば、無電解めっき膜及び電解めっき膜の２層構造とされ、直上の導体層１１、１２、１１２、１２２を構成する無電解めっき膜及び電解めっき膜と一体的に形成され得る。

【0018】

図示の例において、スルーホール導体１０ｔｈは、第１絶縁層１０の厚さ方向において略同径に形成されている。そして、ビア導体１１４、１２４は、第１絶縁層１０に向かって縮径するテーパー形状を有している。しかしながら、スルーホール導体１０ｔｈ、ビア導体１１４、１２４の形状は図示されるものに限定されない。スルーホール導体１０ｔｈは、絶縁層１０の一方の面から他方の面に向かって縮径する形状に形成されてもよく、両側の面から絶縁層１０の厚さ方向の中心に向かって縮径する形状であってもよい。

【0019】

配線基板１００は、第１ビルドアップ部１１０を貫通し、第２絶縁層２０を底部に露出させる凹部ＲＣを有している。凹部ＲＣは、例えば半導体素子などの電子部品を配線基板１００に搭載するために形成される。凹部ＲＣの底部に露出する第２絶縁層２０には、第１導体層１１を露出させる開口２０ａが形成されている。開口２０ａから露出する第１導体層１１は、凹部ＲＣ内に搭載され得る、例えば、メモリ、マイコン、ＣＰＵ、等の半導体集積回路装置である電子部品の接続パッドと、導電性又は絶縁性の接続部材を介して接続され得る部品実装用の導体パッド（部品実装パッド）１１ｐとして構成されている。

【0020】

第２絶縁層２０の開口２０ａから凹部ＲＣの底面に露出する部品実装パッド１１ｐの表面には、保護膜が形成されていてもよい。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又はＳｎなどの複数又は単一の金属めっき膜であり得る。図示の例では、複数の開口２０ａのそれぞれに露出する部品実装パッド１１ｐは、複数の開口２０ａ間に延在する第２絶縁層２０によって隔てられ、部品搭載時における部品実装パッド１１ｐ同士の電気的接触の防止が図られている。

【0021】

凹部ＲＣは、詳しくは後述するように、第１ビルドアップ部１１０における、所定の領域（凹部ＲＣの形成予定領域）の周縁ＲＣｐに沿って形成される溝で画定される部分を、第１ビルドアップ部１１０から除去することによって形成され得る。図２に示されるように、凹部ＲＣは、その平面視における形状において矩形状に形成されている。しかしながら、凹部ＲＣの平面視における形状は矩形状に限定されない。凹部ＲＣ内に実装される電子部品の外形に合せて、任意の形状（例えば、多角形状又は楕円形状）に形成され得る。なお、図示の例では、周縁ＲＣｐは、絶縁層１１１で構成される凹部ＲＣの側壁と、第２絶縁層２０で構成される凹部ＲＣの底部との境界と一致している。周縁ＲＣｐで囲われる領域は凹部ＲＣが形成される領域に対応し、領域ＲＣａと称される。

【0022】

平面視において、第２絶縁層２０は、凹部ＲＣの底面の領域ＲＣａの全域に亘って延在すると共に、領域ＲＣａから外方の、コア層１０１と第１ビルドアップ部１１０との間の全域に亘って連続して延在している。このような構成を有していることにより、凹部ＲＣの底部におけるクラックの発生が抑制されることがある。例えば、凹部ＲＣの底部に露出する絶縁層が、領域ＲＣの外方の絶縁層から独立している構造と比較すると、凹部の底部に係り得る外力は、凹部周縁から外方へと効果的に分散され得る。従って、凹部ＲＣ内への電子部品の搭載時などにおける、凹部ＲＣの底部での局所的な応力集中が回避され、クラックや層間剥離の発生が抑制され得る。

【0023】

なお、第２絶縁層２０は、凹部の底部に係り得る外力の凹部外方への分散を効果的に実現する観点、及び、電子部品が実装時される際の部品実装パッド１１ｐと電子部品との接続を信頼性高く実現する観点から、２０μｍ以上、且つ、３５μｍ以下の厚さを有していることが好ましい。

【0024】

なお、実施形態の配線基板は、上述したような、コア層１０１の両側にビルドアップ層１１０、１２０を有する態様に限定されない。少なくとも、第１絶縁層１０、第１導体層１１、第２絶縁層２０、及び凹部ＲＣを有する第１ビルドアップ部１１０を有していればよい。すなわち、実施形態の配線基板は第２ビルドアップ部１２０を有さない構成を有し得る。また、第１ビルドアップ部１１０も複数の絶縁層及び導体層で構成される必要はなく、少なくとも１層の絶縁層を有していればよい。

【0025】

次いで、本発明の一実施形態の配線基板の製造方法が、図１に示される配線基板１００の製造を例にして図面を参照しながら説明される。先ず、図３Ａに示されるように、コア層１０１が形成される。具体的には、第１絶縁層１０の一方の面に第１導体層１１が形成され、他方の面に第２導体層１２が形成されると共に、第１及び第２導体層１１、１２がスルーホール導体１０ｔｈにより接続される。コア層１０１は、例えば、第１絶縁層１０となる樹脂絶縁層と、その樹脂絶縁層の両面の金属箔層とを含む基板（例えば、両面銅張積層板）を出発基板として形成され得る。

【0026】

コア層１０１の形成においては、絶縁層１０となる樹脂絶縁層の、スルーホール導体１０ｔｈの形成位置に対応した貫通孔１０ｔが、例えばドリル加工又は炭酸ガスレーザーなどのレーザー光の照射によって穿孔される。次いで、貫通孔１０ｔ内及び、第１絶縁層１０上に、無電解めっき、スパッタリング、及び／又は、電解めっきなどによって導体が形成される。その後、サブトラクティブ法によってパターニングすることによって所望の導体パターンを備える導体層１１、１２が形成される。

【0027】

例えば、金属箔層、金属膜層、及び電解めっき膜層の３層構造の導体層１１、１２及び、金属膜層及び電解めっき膜層の２層構造のスルーホール導体１０ｔｈが形成され得る。なお、実施形態の製造方法の説明において参照される図３Ａ～図３Ｊにおいても、配線基板の説明において参照した図１と同様に、各導体層は見易さのために簡略化して単層構造で示される。導体層１１は、所定の領域ＲＣａ内に部品実装パッド１１ｐを含むパターンに形成される。

【0028】

次いで、図３Ｂに示されるように、第１導体層１１上に第２絶縁層２０が形成される。第２絶縁層２０の形成においては、硬化後に第２絶縁層となる第１層２０及び第２層２０ｂを含む、２層構造の樹脂フィルム２０ｆが第１導体層１１上に積層される。２層構造の樹脂フィルム２０ｆは第１層２０が第１導体層１１と接するように積層される。

【0029】

第１層２０は、例えばエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を主成分とする樹脂絶縁層であり、第２層２０ｂは、第１層２０に予め貼着されている、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）を主成分とするカバーフィルムである。具体的には、樹脂フィルム２０ｆは、例えば、一方にカバーフィルムが貼着され、他方にベースフィルムが貼着された樹脂絶縁層で構成される、３層構造の樹脂フィルムのベースフィルムを剥離したものである。例えばカバーフィルムである第２層２０ｂは、樹脂絶縁層である第１層２０から、双方にその成分が残留することなく分離され得る。第２層２０ｂは、詳しくは後述するように、所定の領域ＲＣａにおける、第２絶縁層２０と、第２絶縁層２０の上側（第２層２０ｂの上側）の構成要素との分離を容易にする目的で、第１層２０に貼着された状態で第２絶縁層２０の形成に使用される。従って、続く工程において、領域ＲＣａに対応する部分以外の第２層２０ｂは、第１層（第２絶縁層）２０から剥離され、除去される。なお、第１層２０は、その硬化後に、第２絶縁層２０として２０μｍ以上、且つ、３５μｍ以下の厚さを有するように形成され得る。

【0030】

次いで、図３Ｃに示されるように、第２層２０ｂの領域ＲＣａに対応する部分２０ｂｒが、第２層２０ｂの周囲の部分から分離される。具体的には、凹部ＲＣの形成予定領域ＲＣａの周縁に沿ってレーザー光が第２層２０ｂの外側から照射されることにより、部分２０ｂｒを画定する溝ｇが形成される。図示のように、溝ｇは、第２層２０ｂを貫通し、その先端に第２絶縁層（第１層）２０が露出する深さに形成される。溝ｇの形成により、第２層２０ｂの領域ＲＣａに対応する部分２０ｂｒは、周囲の第２層２０ｂから独立する。

【0031】

続いて、図３Ｄに示されるように、第２層２０ｂの部分２０ｂｒ以外の部分が、第２絶縁層（第１層）２０から剥離され、除去される。次いで、図３Ｅに示されるように、第２層２０ｂの部分２０ｂｒ以外の部分の剥離後、部分２０ｂｒが貼着された状態の第２絶縁層２０上に、絶縁層１１１が形成される。コア層１０１の第２導体層１２側では、第２導体層１２上に絶縁層１２１が形成される。例えば、絶縁層２０と同様の、エポキシ樹脂を主成分とするフィルム状の絶縁性樹脂の積層及び硬化によって絶縁層１１１、１２１が形成され得る。領域ＲＣａにおける第２絶縁層２０と絶縁層１１１との界面に第２層の部分２０ｂｒが介在する状態となる。

【0032】

なお、図３Ｂ～図３Ｅを参照した説明において、第１導体層１１上にのみ第２絶縁層２０が形成される例が説明されたが、第２導体層１２上にも第２絶縁層２０の形成と同時に絶縁層が形成されてもよい。この場合、図３Ｅに示される段階において、第１絶縁層１０を中心として、第１導体層１１側と第２導体層１２側とで対称な層構造が形成され得る。

【0033】

続いて、図３Ｆに示されるように、第１ビルドアップ部１１０の最も内側の絶縁層１１１から上側の構成要素が形成されると共に、第２ビルドアップ部１２０の最も内側の絶縁層１２１から上側の構成要素が形成される。第２絶縁層２０上に接している絶縁層１１１にはビア導体１１４が形成され、絶縁層１１１上に導体層１１２が形成される。第２導体層１２上に接している絶縁層１２１にはビア導体１２４が形成され、絶縁層１２１上に導体層１２２が形成される。

【0034】

導体層１１２、１２２は、絶縁層１１１、１２１に例えばレーザー光によって形成され得る開口１１４ａ、１２４ａを充填するビア導体１１４、１２４と同時に、例えばセミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成され得る。ビア導体１１４の形成においては、開口１１４ａは絶縁層１１１及び第２絶縁層２０を連続して貫通する。すなわち、絶縁層１１１及び第２絶縁層２０を連続して貫通する開口１１４ａを充填するビア導体１１４は、導体層１１２と第１導体層１１を接続するように形成される。ビア導体１２４の形成においては、開口１２４ａは絶縁層１２１を貫通し、開口１２４ａを充填するビア導体１２４は、導体層１２２と第２導体層１２とを接続するように形成される。

【0035】

続けて、導体層１１２の上側では、上述の絶縁層１１１及び導体層１１２の積層と同様の工程が繰り返され、３層の絶縁層１１１及び導体層１１２が形成される。また、導体層１２２の上側では、上述の絶縁層１２１及び導体層１２２の積層と同様の工程が繰り返され、３層の絶縁層１２１及び導体層１２２が形成される。図示の例では、３層の導体層１１２の内の最も外側の導体層１１２は、導体パッド１１２ｐを含むパターンに形成され、３層の導体層１２２の最も外側の導体層１２２は、導体パッド１２２ｐを含むパターンに形成される。

【0036】

続けて、最も外側の導体層１１２、１２２の上側にソルダーレジスト層１１３、１２３が形成される。例えば、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はフィルム貼り付けなどによって、感光性を有するエポキシ樹脂膜が形成され、露光及び現像により開口１１３ａ、１２３ａが形成される。ソルダーレジスト層１１３、１２３の開口１１３ａ、１２３ａからは導体層１１２、１２２（導体パッド１１２ｐ、１２２ｐ）が露出する。開口１１３ａから露出する導体パッド１１２ｐ上には、図示のように、例えば、導電性の金属ボールの載置及びリフローによってバンプＢＰが形成される。以上の工程により第１ビルドアップ部１１０、及び、第２ビルドアップ部１２０が形成される。

【0037】

次いで、図３Ｇに示されるように、第１ビルドアップ部１１０を厚さ方向に貫通する溝Ｇが形成される。溝Ｇは、第１ビルドアップ部１１０の上面側から、例えば炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーなどのレーザー光を、所定の領域ＲＣａの周縁ＲＣｐの全周に沿った軌跡で照射することで形成され得る。

【0038】

溝Ｇは、第１ビルドアップ部１１０を貫通し、その先端（底部）に第２絶縁層２０を露出させる。すなわち、溝Ｇは第２絶縁層２０を貫通しないように形成され得る。溝Ｇは第２絶縁層２０上の第２層の部分２０ｂｒの周縁における一部をも貫通する。よって、溝Ｇの内面には、第２層２０ｂｒの周縁が露出する。溝Ｇの深さ、すなわち、第１ビルドアップ部１１０の厚さ方向における溝Ｇの先端の到達レベルは、レーザー光の強度を予め調整しておくことによって調整され得る。

【0039】

なお、図示される例では、溝Ｇを形成するレーザー光の照射に先立って、第１ビルドアップ部１１０の上面を被覆する保護膜ＰＦが形成される。保護膜ＰＦは、溝Ｇの形成後に第１ビルドアップ部１１０からの剥離が可能な、例えば感光性樹脂で形成される。保護膜ＰＦは、溝Ｇ形成時において、第１ビルドアップ部１１０上面のバンプＢＰなどの構成要素をレーザー光から保護し得る。

【0040】

溝Ｇによって画定される、第１ビルドアップ部１１０の領域ＲＣａの内側の部分Ｒ（すなわち、第１ビルドアップ部１１０の第２層２０ｂｒより上側の構成要素）は、ビルドアップ部１１０の周囲の構成要素から独立する。絶縁層１１１は、第２層２０ｂｒとは強固に密着せず、容易に剥離が可能な程度の密着力で積層されている。従って、溝Ｇにより確定される部分Ｒは第２層の部分２０ｂｒから分離可能になる。なお、以後の説明において、第２層の部分ｂｒは単に第２層ｂｒとも称される。

【0041】

続いて、図３Ｈに示されるように、溝Ｇで囲まれた第２層２０ｂより上の部分Ｒが除去される。例えば、除去される部分Ｒの表面が治工具などに吸着され、第２絶縁層２０と反対側に引き上げられることにより除去され得る。第２層２０ｂｒは、その上に接して積層されている絶縁層１１１と容易に分離され得る。従って、凹部ＲＣの領域に対応する構成要素（部分Ｒ）の除去は容易に実現され得る。なお、部分Ｒの除去の後、保護膜ＰＦは第１ビルドアップ部１１０から除去され得る。

【0042】

次いで、図３Ｉに示されるように、第２層２０ｂｒも第２絶縁層２０から剥離される。部分Ｒの除去により露出する第２層２０ｂｒは、任意の剥離用具を用いて第２絶縁層２０から剥離され、除去される。その結果、第２絶縁層２０を底部に露出させる凹部ＲＣが形成される。形成される凹部ＲＣの底部を構成する第２絶縁層２０は、平面視において凹部ＲＣの底部から凹部ＲＣの外方に亘って連続する。第２層２０ｂｒは、第２絶縁層２０と比較的弱い力で密着し容易に剥離することが可能であり、先述したように、その成分が第２絶縁層２０に残留する虞も小さい。従って、先述のような、凹部ＲＣの底部を構成する絶縁層上に剥離フィルムを形成する場合と比較すると、凹部ＲＣの底部へ剥離フィルムなどの残渣が残留する虞が低減されると考えられる。

【0043】

続いて、図３Ｊに示されるように、凹部ＲＣの底部に露出する第２絶縁層２０に、部品実装パッド１１ｐを露出させる開口２０ａが、例えば、レーザー光の照射によって形成される。以上の工程により、凹部ＲＣを有する配線基板１００の形成が完了する。本実施形態の配線基板の製造方法では、凹部ＲＣの底部に露出する部品実装パッド１１ｐは、第２層２０ｂｒの除去後に凹部ＲＣに露出する。従って、先述の、剥離フィルムが露出する導体上を覆う方法と比較すると、凹部ＲＣ底部に露出する導体への剥離フィルムの残渣の残留や異物の付着の虞が低減され得ると考えられる。

【0044】

必要に応じて、凹部ＲＣの内面には、デスミア処理が施され得る。開口２０ａの形成後、凹部ＲＣ内に残存する樹脂残渣（スミア）が、例えば、過マンガン酸塩などを含む薬液を用いた処理によって除去される。その後、必要に応じて、スパッタリングなどにより、部品実装パッド１１ｐの露出面に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層が形成されてもよい。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層が形成されてもよい。

【0045】

本実施形態の配線基板の製造方法では、先述の、凹部（キャビティ）底となる絶縁層に別途剥離フィルムを形成する場合と比較すると、剥離フィルムの形成工程が、第２層２０ｂの部分２０ｂｒを切り抜いて部分２０ｂｒ以外の部分を除去する工程で代替され得る。従って、剥離フィルムを別途用意する必要がなく、配線基板の製造に必要な材料が節約され得る。製造コストの削減が実現され得る。

【0046】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。実施形態の説明では、コア層１０１の両側にそれぞれ３層の絶縁層及び導体層を有するビルドアップ部１１０、１２０を備える形態の配線基板１００が説明されたが、各ビルドアップ部１１０、１２０が有する絶縁層及び導体層の層数は任意の層数であってよい。第２ビルドアップ部１２０は無くてもよい。凹部ＲＣの底部に露出する第１導体層１１は、複数の導体パッド１１ｐ以外にも任意のパターンを有し得る。

【0047】

本実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序等は適宜変更されてよい。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。溝ｇ、Ｇの形成はレーザー光による加工に限定されない。工具による切削加工によって形成されてもよい。第２導体層１２、第２ビルドアップ部１２０の形成は省略されてもよい。

【符号の説明】

【0048】

１００ 配線基板
１１０ 第１ビルドアップ部
１１１、１２１ 絶縁層
１１２、１２２ 導体層
１２０ 第２ビルドアップ部
１１３、１２３ ソルダーレジスト層
１１４、１２４ ビア導体
１０ 第１絶縁層
１０ｔｈ スルーホール導体
１１ 第１導体層
１２ 第２導体層
１０１ コア層
２０ 第２絶縁層（第１層）
２０ｂ 第２層
２０ｆ 樹脂フィルム
ＲＣ 凹部
ＲＣｐ 周縁
ＲＣａ 領域
Ｒ 部分

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図3I】

【図3J】