特開 2022-115414 ＭＥＭＳデバイス及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022115414

(43)【公開日】2022-08-09

(54)【発明の名称】ＭＥＭＳデバイス及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   B81B 3/00 20060101AFI20220802BHJP

   B81C 1/00 20060101ALI20220802BHJP

   H01F 13/00 20060101ALI20220802BHJP

【ＦＩ】

B81B3/00

B81C1/00

H01F13/00 630

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021011996

(22)【出願日】2021-01-28

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100115738

【弁理士】

【氏名又は名称】鷲頭 光宏

(74)【代理人】

【識別番号】100121681

【弁理士】

【氏名又は名称】緒方 和文

(72)【発明者】

【氏名】藤原 良元

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 健一

【テーマコード（参考）】

3C081

【Ｆターム（参考）】

3C081AA17

3C081BA03

3C081BA21

3C081BA22

3C081BA29

3C081BA30

3C081BA44

3C081BA48

3C081CA05

3C081CA28

3C081CA32

3C081CA40

3C081DA02

3C081DA03

3C081DA06

3C081DA10

3C081EA01

3C081EA02

3C081EA12

3C081EA41

(57)【要約】

【課題】磁化方向の異なる複数の磁化領域を有する硬磁性体を含むＭＥＭＳデバイスにおいて、熱減磁の問題を解消する。
【解決手段】本発明によるＭＥＭＳデバイス１の製造方法は、収容体１０の内部に硬磁性体２２を収容した後、磁場４２を印加した状態で収容体１０を介して硬磁性体２２にレーザー光４３を照射することにより、硬磁性体２２を局所的に着磁する。このように、収容体１０の内部に硬磁性体２２を収容した後にレーザー着磁を行っていることから、着磁した硬磁性体２２の熱減磁を防止することが可能となる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも一部が赤外線又は可視光線を透過する材料からなる収容体と、
前記収容体の内部に収容された硬磁性体と、を備え、
前記硬磁性体は、磁化方向が互いに異なる複数の磁化領域を有することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。

【請求項2】

前記複数の磁化領域を有する硬磁性体は、前記収容体に弾性支持されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。

【請求項3】

前記複数の磁化領域を有する硬磁性体は、前記収容体に弾性支持された第１の硬磁性体からなる磁化領域と、前記第１の硬磁性体とは独立して前記収容体に弾性支持された第２の硬磁性体からなる磁化領域とを含むことを特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳデバイス。

【請求項4】

前記収容体の前記少なくとも一部は、可視光線を遮断し、赤外線を透過する材料からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。

【請求項5】

前記収容体の前記少なくとも一部は、シリコン又はヒ化ガリウムからなることを特徴とする請求項４に記載のＭＥＭＳデバイス。

【請求項6】

収容体の内部に硬磁性体を収容した後、磁場を印加した状態で前記収容体を介して前記硬磁性体に光を照射することにより、前記硬磁性体を局所的に着磁することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項7】

一様な磁場によって前記硬磁性体を一方向に着磁した後、着磁方向とは異なる方向の磁場を印加した状態で前記光を照射することにより、前記硬磁性体に磁化方向の異なる複数の磁化領域を形成することを特徴とする請求項６に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項8】

所定方向の磁場を印加した状態で前記光を照射した後、前記所定方向とは異なる方向の磁場を印加した状態で前記光を照射することにより、前記硬磁性体に磁化方向の異なる複数の磁化領域を形成することを特徴とする請求項６又は７に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項9】

前記光を部分的に遮断する領域を有するマスクを介して前記光を照射することにより、前記硬磁性体の複数箇所を同時に着磁することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【請求項10】

前記収容体の少なくとも一部は、可視光線を遮断し、赤外線を透過する材料からなり、
前記収容体の前記少なくとも一部を介して、赤外線波長を有する前記光を照射することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はＭＥＭＳデバイス及びその製造方法に関し、特に、磁化方向の異なる複数の磁化領域を有する硬磁性体を含むＭＥＭＳデバイス及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１及び２には、レーザー光を用いて硬磁性体を多極着磁する方法が開示されている。この方法を用いて局所的な着磁を行えば、アクチュエータやエネルギハーベスタなどの磁気デバイスを含むＭＥＭＳデバイスの磁気回路を高度にすることが可能となる。ここで、多くのＭＥＭＳデバイスは埃や水蒸気の影響を受けやすいため、これらを遮断するための気密封止が重要とされる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開昭６３－９９５０９号公報

【特許文献2】特開昭６０－２１８８０９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、気密封止を行う際にはＭＥＭＳデバイスが高温に晒されることが多く、レーザー光を用いて多極着磁した後に気密封止を行うと、熱減磁が生じるという問題があった。

【0005】

したがって、本発明は、磁化方向の異なる複数の磁化領域を有するＭＥＭＳデバイスにおいて、熱減磁の問題を解消することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明によるＭＥＭＳデバイスは、少なくとも一部が赤外線又は可視光線を透過する材料からなる収容体と、収容体の内部に収容された硬磁性体とを備え、硬磁性体は磁化方向が互いに異なる複数の磁化領域を有することを特徴とする。

【0007】

本発明によれば、収容体の少なくとも一部が赤外線又は可視光線を透過する材料からなることから、気密封止した後にレーザー等の光を用いた着磁を行うことができる。これにより、複数の磁化領域の熱減磁を防止することが可能となる。

【0008】

本発明において、複数の磁化領域を有する硬磁性体は収容体に弾性支持されていても構わない。これによれば、アクチュエータやエネルギハーベスタなど可動部を有する磁気デバイスを構成することが可能となる。この場合、複数の磁化領域を有する硬磁性体は、収容体に弾性支持された第１の硬磁性体からなる磁化領域と、第１の硬磁性体とは独立して収容体に弾性支持された第２の硬磁性体からなる磁化領域とを含んでいても構わない。

【0009】

本発明において、収容体の少なくとも一部は、可視光線を遮断し、赤外線を透過する材料からなるものであっても構わない。これによれば、実使用時にＭＥＭＳデバイス内に可視光線が入射しないことから、可視光線の入射による劣化や誤動作を防止することが可能となる。この場合、収容体の少なくとも一部は、シリコン又はヒ化ガリウムからなるものであっても構わない。これによれば、収容体の加工が容易となるだけでなく、収容体の全体をシリコン又はヒ化ガリウムによって構成することにより、熱膨張係数の差に起因する応力の発生を防止することが可能となる。

【0010】

本発明によるＭＥＭＳデバイスの製造方法は、収容体の内部に硬磁性体を収容した後、磁場を印加した状態で収容体を介して硬磁性体に光を照射することにより、硬磁性体を局所的に着磁することを特徴とする。

【0011】

本発明によれば、収容体の内部に硬磁性体を収容した後にレーザー等の光を用いた着磁を行っていることから、着磁した硬磁性体の熱減磁を防止することが可能となる。

【0012】

本発明において、一様な強磁場によって硬磁性体を一方向に着磁した後、着磁方向とは異なる方向の磁場を印加した状態で光を照射することにより、硬磁性体に磁化方向の異なる複数の磁化領域を形成しても構わない。これによれば、着磁の回数を減らすことが可能となる。

【0013】

本発明において、所定方向の磁場を印加した状態で光を照射した後、所定方向とは異なる方向の磁場を印加した状態で光を照射することにより、硬磁性体に磁化方向の異なる複数の磁化領域を形成しても構わない。これによれば、強磁場による着磁を省略することが可能となる。或いは、硬磁性体に互いに磁化方向の異なる３以上の磁化領域を形成することにより、ハルバッハ配列などのより複雑な着磁パターンを実現することも可能となる。

【0014】

本発明において、光を部分的に遮断する領域を有するマスクを介して光を照射することにより、硬磁性体の複数箇所を同時に着磁しても構わない。これによれば、短時間でレーザー等の光を用いた着磁を完了することが可能となる。

【0015】

本発明において、収容体の少なくとも一部は、可視光線を遮断し、赤外線を透過する材料からなり、収容体の少なくとも一部を介して、赤外線波長を有する光を照射しても構わない。これによれば、実使用時にＭＥＭＳデバイス内に可視光線が入射しないことから、可視光線の入射による劣化や誤動作を防止することが可能となる。

【発明の効果】

【0016】

このように、本発明によれば、磁気デバイスを含むＭＥＭＳデバイスにおいて、気密封止に起因する熱減磁を防止することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、本発明の第１の実施形態によるＭＥＭＳデバイス１の構造を説明するための模式的な断面図である。

【図2】図２は、ＭＥＭＳデバイス１の第１の製造方法を説明するための模式図である。

【図3】図３は、ＭＥＭＳデバイス１の第１の製造方法を説明するための模式図である。

【図4】図４は、ＭＥＭＳデバイス１の第１の製造方法を説明するための模式図である。

【図5】図５は、ＭＥＭＳデバイス１の第２の製造方法を説明するための模式図である。

【図6】図６は、ＭＥＭＳデバイス１の第２の製造方法を説明するための模式図である。

【図7】図７は、ＭＥＭＳデバイス１の第２の製造方法を説明するための模式図である。

【図8】図８は、ＭＥＭＳデバイス１の第２の製造方法を説明するための模式図である。

【図9】図９は、ＭＥＭＳデバイス１の第２の製造方法を説明するための模式図である。

【図10】図１０は、ＭＥＭＳデバイス１の第２の製造方法を説明するための模式図である。

【図11】図１１は、磁化領域２２Ａ～２２Ｄをハルバッハ配列した例を示す模式図である。

【図12】図１２は、マスク４７を介してレーザー光４８を照射する方法を説明するための模式図である。

【図13】図１３は、本発明の第２の実施形態によるＭＥＭＳデバイス２の構造を説明するための模式的な断面図である。

【図14】図１４は、実施例の評価結果を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

【0019】

図１は、本発明の第１の実施形態によるＭＥＭＳデバイス１の構造を説明するための模式的な断面図である。

【0020】

図１に示すＭＥＭＳデバイス１は、収容体１０と、収容体１０の内部に収容された磁気デバイス２０とを備えている。収容体１０は、磁気デバイス２０を支持するとともに気密封止するものであり、回路基板部１１と蓋部１２によって構成されている。このうち、蓋部１２は赤外線又は可視光線を透過する材料からなる。赤外線又は可視光線を透過する材料としては、シリコン、ヒ化ガリウム、ガラス、樹脂などが挙げられる。このうち、シリコンは、波長が約１１００ｎｍ以上の赤外線を透過し、それ未満の波長の光は遮断する。ヒ化ガリウムは、波長が９００ｎｍ以上の赤外線を透過し、それ未満の波長の光は遮断する。ガラス及び樹脂の光透過性は、組成によって変化する。回路基板部１１については赤外線又は可視光線を透過する材料である必要はないが、蓋部１２と同じ材料を用いれば、温度変化によって接合部１３に加わる応力を低減することが可能となる。接合部１３は、接着剤や金属などを接着層として挟む間接接合によるものであっても構わないし、直接基板同士を接合する直接接合によるものであっても構わない。

【0021】

磁気デバイス２０は、基板２１の表面に硬磁性体２２が形成された構成を有しており、バネ２３によって収容体１０に弾性支持されている。図１に示す模式図では、バネ２３が蓋部１２に支持されているが、回路基板部１１に支持されるものであっても構わないし、バネ２３が立体的に加工された基板２１の一部であっても構わない。つまり、基板２１自体を収容体１０に固定し、立体的に加工された基板２１の一部をバネ２３とし、バネ２３によって硬磁性体２２を支持する構造であっても構わない。このように、硬磁性体２２は、収容体１０に直接的に弾性支持されていても構わないし、収容体１０に間接的に弾性支持されていても構わない。特に限定されるものではないが、本実施形態においては基板２１が蓋部１２と同じ材料によって構成されている。一例として、蓋部１２と基板２１がいずれもシリコンからなる。

【0022】

硬磁性体２２は、磁化方向が互いに異なる複数の磁化領域２２Ａ，２２Ｂを有している。磁化領域２２Ａ，２２Ｂに表示された矢印は磁界の向きを示し、矢印の先がＮ極、矢印の根元がＳ極である。図１に示す例では、磁化領域２２Ａ，２２Ｂがｘ方向に交互に配列されており、いずれもｙ方向に着磁されている。硬磁性体２２の厚さは０．１μｍ～１ｍｍ程度であり、真空蒸着法などを用いて基板２１上に形成した膜であっても構わないし、めっき法などを用いて基板２１上に成膜した厚膜であっても構わない。特に限定されるものではないが、硬磁性体２２としては昇温による保磁力低下が大きいＲ－Ｆｅ－Ｂ系硬磁性体を用いることが好ましい。これによれば、比較的低温でレーザー着磁が可能となる。個々の磁化領域２２Ａ，２２Ｂのサイズは微少であり、ｘ方向における幅は１ｍｍ以下である。このように、磁化領域２２Ａ，２２Ｂが微少サイズを有していることから、あらかじめ着磁されたバルク状の硬磁性体を基板２１に接着することによって硬磁性体２２を構成することは現実的ではない。

【0023】

図１に示すように、回路基板部１１には硬磁性体２２と向かい合うように複数の配線パターン３１が形成されている。配線パターン３１は、回路基板部１１を貫通するビア導体３２を介して外部端子３３に接続されている。そして、配線パターン３１に所定方向の電流を流すと、硬磁性体２２と配線パターン３１の間に電磁力が働き、硬磁性体２２と配線パターン３１のｘ方向における相対的な位置関係が変化する。この場合、本実施形態によるＭＥＭＳデバイス１はアクチュエータとして機能する。或いは、外力が作用することによって、硬磁性体２２と配線パターン３１のｘ方向における相対的な位置が変化すると、配線パターン３１には誘導電流が発生する。したがって、本実施形態によるＭＥＭＳデバイス１は、エネルギハーベスタとしても機能する。また、同様の構成や配線パターンの代わりに硬磁性体の移動を検知するシステムを組み込む構成とすることで、加速度計や磁場センサや変位センサとしても機能する。

【0024】

次に、本実施形態によるＭＥＭＳデバイス１の製造方法について説明する。

【0025】

図２～図４は、ＭＥＭＳデバイス１の第１の製造方法を説明するための模式図である。

【0026】

第１の製造方法においては、まず図２に示すように、磁気デバイス２０を収容体１０に気密封止した後、強磁場発生機のコイル４０に電流を流すことによって硬磁性体２２を一方向に着磁する。気密封止する際には、磁気デバイス２０が高熱に晒されるが、気密封止した後に着磁していることから熱減磁の問題は生じない。

【0027】

次に、図３に示すように、磁石４１を用いて所定の方向に磁場４２を印加した状態で、蓋部１２及び基板２１を介して硬磁性体２２の所定の位置２２Ｈにレーザー光４３を照射する。レーザー光４３は、蓋部１２及び基板２１を透過する波長を選択する必要があり、例えば蓋部１２及び基板２１がシリコンからなる場合、波長が約１１００ｎｍ以上の赤外線レーザーが用いられる。

【0028】

これにより、レーザー光４３が照射された位置２２Ｈにおいては硬磁性体２２が局所的に加熱され、熱減磁する。そして、十分に昇温すると、図４に示すように、レーザー光４３が照射された位置が磁場４２と同じ方向に着磁され、磁化領域２２Ｂが形成される。レーザー光４３と磁場４２を適切に調整することで、降温後も磁化領域２２Ｂの着磁は維持される。このようなレーザー光４３の照射を必要な位置に繰り返し行うことにより、図１に示すように、磁化方向の異なる複数の磁化領域２２Ａ，２２Ｂを形成することができる。

【0029】

このように、本実施形態においては、蓋部１２及び基板２１の材料として赤外線又は可視光線を透過する材料を用い、磁気デバイス２０を収容体１０に気密封止した後、蓋部１２及び基板２１を介してレーザー着磁していることから、磁化方向が互いに異なる複数の磁化領域２２Ａ，２２Ｂを形成することが可能となる。尚、図２～図４に示す例では、蓋部１２側からレーザー光４３を照射しているが、配線パターン３１を避けてレーザー光４３を照射可能であれば、回路基板部１１側からレーザー光４３を照射しても構わない。この場合、回路基板部１１の材料として、赤外線又は可視光線を透過する材料を用いればよく、蓋部１２や基板２１が赤外線又は可視光線を透過する材料からなる必要はない。また、回路基板部１１又は蓋部１２の全体が赤外線又は可視光線を透過する材料からなる必要はなく、レーザー光４３を透過させる必要のある部分だけが赤外線又は可視光線を透過する材料からなるものであっても構わない。

【0030】

特に、回路基板部１１又は蓋部１２の材料として、シリコン又はヒ化ガリウムなど、可視光線を遮断し、赤外線を透過する材料を用いれば、実使用時においてＭＥＭＳデバイス１内に可視光線が入射しないことから、可視光線の入射による劣化や誤動作を防止することができる。しかも、シリコン又はヒ化ガリウムは、半導体プロセスにおいて広く用いられる材料であり、加工性に優れるとともに加工技術も発達していることから、回路基板部１１又は蓋部１２の材料としてこれらの材料を用いることにより、製造コストを削減することができる。

【0031】

また、図２～図４に示す方法では、レーザー着磁を行う前に強磁場によって硬磁性体２２の全体を一方向に着磁していることから、レーザー光４３の照射回数を少なくすることが可能となる。

【0032】

なお、本製造方法における加熱はレーザーを用いたものに限定するものではなく、収容体を透過する波長さえ備えていれば、どのような光であっても構わない。半導体プロセスにおいて広く用いられる露光機などを活用すれば、追加設備なしで本手法を適用できる。

【0033】

また、本製造方法では磁気デバイス２０は気密封止されているが、気密封止に限らず組立後のレーザー着磁が必要な場合にも本手法は適用できる。

【0034】

図５～図１０は、ＭＥＭＳデバイス１の第２の製造方法を説明するための模式図である。

【0035】

第２の製造方法においては、まず図５に示すように、磁気デバイス２０を収容体１０に気密封止した後、図６に示すように、磁石４１を用いて所定の方向に磁場４２を印加した状態で、蓋部１２及び基板２１を介して硬磁性体２２の所定の位置２２Ｈにレーザー光４３を照射する。これにより、図７に示すように、レーザー光４３が照射された位置が局所的に着磁され、磁化領域２２Ｂが形成される。このようなレーザー光４３の照射を必要な位置に繰り返し行うことにより、図８に示すように、複数の磁化領域２２Ｂが形成される。

【0036】

次に、図９に示すように、磁石４１とは極性が異なる磁石４４を用いて逆方向に磁場４５を印加した状態で、蓋部１２及び基板２１を介して硬磁性体２２の所定の位置２２Ｈにレーザー光４６を照射する。これにより、図１０に示すように、レーザー光４６が照射された位置が局所的に着磁され、磁化領域２２Ａが形成される。このようなレーザー光４６の照射を必要な位置に繰り返し行うことにより、図１に示すように、磁化方向の異なる複数の磁化領域２２Ａ，２２Ｂを形成することができる。

【0037】

このように、図５～図１０に示す方法では、強磁場による着磁を省略していることから、強磁場発生機を用いる必要がなくなる。さらに、ｘ方向の磁場を印加した状態でレーザー着磁することにより、図１１に示すように、ｘ方向に着磁した磁化領域２２Ｃ，２２Ｄを形成することも可能である。ここで、ｘ方向に着磁した磁化領域２２Ｃ，２２Ｄを磁化領域２２Ａ，２２Ｂ間に形成すれば、ハルバッハ配列を実現することも可能である。さらに、図１２に示すように、レーザー光４６を部分的に遮断する領域を有するマスク４７を介して硬磁性体２２に大口径のレーザー光４８を照射することにより、硬磁性体２２の複数箇所を同時に着磁することも可能である。これによれば、短時間でレーザー着磁を完了することが可能となる。

【0038】

図１３は、本発明の第２の実施形態によるＭＥＭＳデバイス２の構造を説明するための模式的な断面図である。

【0039】

図１３に示すＭＥＭＳデバイス２は、収容体５０と、収容体５０の内部に収容された磁気デバイス６０とを備えている。収容体５０は、回路基板部５１と、蓋部５２と、回路基板部５１と蓋部５２の間に空間を形成するスペーサ５３によって構成されている。このうち、蓋部５２は、シリコンなど赤外線又は可視光線を透過する材料からなる。回路基板部５１及び蓋部５２は、不透明な樹脂など、赤外線及び可視光線を透過しない材料からなるものであっても構わない。

【0040】

磁気デバイス６０は、２つのキャビティを有する基板６１と、バネ６６によって基板６１のキャビティ内にそれぞれ独立して弾性支持された可動部６２，６３を有している。可動部６２，６３の表面にはそれぞれ硬磁性体６４，６５が形成されている。硬磁性体６４，６５はそれぞれ単一の硬磁性体であり、互いに異なる方向に着磁されている。磁気デバイス６０の基板６１は、ボンディングワイヤ７１を介して、回路基板部５１に設けられた外部端子７２に接続されている。

【0041】

このような構成を有するＭＥＭＳデバイス２に対しては、上述したＭＥＭＳデバイス１と同様、気密封止した後、蓋部５２を介したレーザー着磁、或いは、強磁場による一方向着磁とレーザー着磁の組み合わせによって、硬磁性体６４，６５を互いに異なる方向に着磁することができる。本実施形態が例示するように、本発明において、磁化方向が互いに異なる複数の磁化領域が単一の硬磁性体内に形成されている必要はなく、磁化方向が互いに異なる複数の硬磁性体がそれぞれ異なる硬磁性体内に別個に設けられていても構わない。このようなＭＥＭＳデバイス２は、例えば多自由度アクチュエータ、複数の方向からの加振で発電可能なハーベスタ、慣性センサなどとして機能する。また、可動部を独立させてアレイ状に並べることでデジタルマイクロミラーデバイスや触覚デバイスとして機能させることもでき、さらに、硬磁性体の移動を検知できるシステムを組み合わせることで、磁場センサや変位センサとしても機能させることもできる。

【0042】

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

【実施例0043】

図２に示したＭＥＭＳデバイス１の前駆体を実際に作製し、図３に示すようにレーザー光４３を照射することによって着磁を行った。基板２１としては、厚み３μｍの酸化膜を表面に有する厚さ２００μｍの両面研磨シリコン基板を用い、その表面にスパッタリング法によって厚さ６μｍのＮｄ－Ｆｅ－Ｂ硬磁性体を成膜することにより硬磁性体２２を形成した。回路基板部１１及び蓋部１２の材料はいずれもシリコンとし、直接接合によって両者を接合した。硬磁性体２２は接合後にデバイス全体に最大７Ｔのパルス磁場を印加することで、一様に着磁し、その後、レーザー光４３で加熱した。レーザー光４３の波長は１１００ｎｍとし、スポット径５０μｍ、出力２．７Ｗ、走査速度５００ｍｍ／ｓで照射した。磁場４２は、０．５Ｔの静磁場とした。

【0044】

レーザー着磁後、ＭＥＭＳデバイス１から基板２１と硬磁性体２２を取り出し、ホール素子を用いて硬磁性体２２の表面から１００μｍの位置を走査し、基板面外方向の磁場分布を測定することにより着磁状態を評価した。その結果、図１４に示すように、硬磁性体２２に交番磁場が形成されていることが確認され、レーザー着磁が実現していることを確認した。

【符号の説明】

【0045】

１，２ ＭＥＭＳデバイス
１０，５０ 収容体
１１，５１ 回路基板部
１２，５２ 蓋部
１３ 接合部
２０，６０ 磁気デバイス
２１，６１ 基板
２２，６４，６５ 硬磁性体
２２Ａ～２２Ｄ 磁化領域
２２Ｈ レーザー光の照射位置
２３，６６ バネ
３１ 配線パターン
３２ ビア導体
３３ 外部端子
４０ コイル
４１，４４ 磁石
４２，４５ 磁場
４３，４６，４８ レーザー光
４７ マスク
４８ レーザー光
５３ スペーサ
６２，６３ 可動部
７１ ボンディングワイヤ
７２ 外部端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】