特開 2022-116771 コイル部品及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022116771

(43)【公開日】2022-08-10

(54)【発明の名称】コイル部品及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/04 20060101AFI20220803BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20220803BHJP

【ＦＩ】

H01F17/04 F

H01F17/00 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021013116

(22)【出願日】2021-01-29

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】大墳 隼平

【テーマコード（参考）】

5E070

【Ｆターム（参考）】

5E070AA01

5E070AB04

5E070BA12

5E070BB03

5E070CB11

(57)【要約】

【課題】直流重畳特性を改善しつつ、インダクタンスなどの電気特性の低下を抑制すること。
【解決手段】コイル部品１００は、コイル軸Ａを周回する周回部３２を有するコイル導体３０と、周回部３２が内蔵され、周回部３２の上面及び下面の間に設けられた、１または複数の絶縁部である第１絶縁部２６を含む第１基体領域２０と、コイル軸Ａ方向における周回部３２の上面及び下面に接して周回部３２を挟んで設けられ、第１絶縁部２６からなる一対の第２基体領域２２と、コイル軸Ａ方向における一対の第２基体領域２２のそれぞれの外側の面に接して設けられ、第１絶縁部２６と、第１絶縁部２６よりも比透磁率が低い１または複数の絶縁部である第２絶縁部２８を第１基体領域２０より多く含みかつ一対の第２基体領域２２に第２絶縁部２８が接する一対の第３基体領域２４と、を有する磁性基体１０とを備える。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

コイル軸を周回する周回部を有する導体と、
前記周回部が内蔵され、前記周回部の上面及び下面の間に設けられた、１または複数の絶縁部である第１絶縁部を含む第１基体領域と、前記コイル軸方向における前記周回部の上面及び下面に接して前記周回部を挟んで設けられ、前記第１絶縁部からなる一対の第２基体領域と、前記コイル軸方向における前記一対の第２基体領域のそれぞれの外側の面に接して設けられ、前記第１絶縁部と、前記第１絶縁部よりも比透磁率が低い１または複数の絶縁部である第２絶縁部を第１基体領域より多く含みかつ前記一対の第２基体領域に前記第２絶縁部が接する一対の第３基体領域と、を有する磁性基体と、を備えるコイル部品。

【請求項2】

前記コイル軸を通り、前記コイル軸に平行な前記磁性基体の断面において、前記第１基体領域は、前記一対の第３基体領域に比べて、前記第２絶縁部の面積が小さい、請求項１に記載のコイル部品。

【請求項3】

前記コイル軸を通り、前記コイル軸に平行な前記磁性基体の断面において、前記第１基体領域は、前記第１絶縁部よりも前記第２絶縁部の面積が小さい、請求項１または２に記載のコイル部品。

【請求項4】

前記コイル軸を通り、前記コイル軸に平行な前記磁性基体の断面において、前記一対の第３基体領域は、前記第２絶縁部よりも前記第１絶縁部の面積が大きい、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項5】

前記第１絶縁部と前記第２絶縁部は、層状に設けられ、前記磁性基体の表面に露出する、請求項１から４のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項6】

前記一対の第３基体領域は、前記第１絶縁部と前記第１絶縁部より厚みが小さい前記第２絶縁部とが交互に設けられる、請求項５に記載のコイル部品。

【請求項7】

前記第１基体領域は、１種類の絶縁部である前記第１絶縁部のみで構成される、請求項１から６のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項8】

前記一対の第２基体領域は、１種類の絶縁部である前記第１絶縁部のみで構成される、請求項１から７のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項9】

前記第１絶縁部は、フェライト材料の焼結体を含んで構成される、請求項１から８のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項10】

前記第２絶縁部は、フェライト材料の焼結体を含んで構成され、
前記第１絶縁部に含まれるフェライト材料の焼結体と前記第２絶縁部に含まれるフェライト材料の焼結体は、同じ元素のフェライト材料の焼結体からなり、元素の組成が同じである、請求項９に記載のコイル部品。

【請求項11】

前記第１絶縁部は、金属磁性粒子を含んで構成される、請求項１から８のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項12】

前記第１絶縁部に含まれる磁性粒子と前記第２絶縁部に含まれる磁性粒子は、同じ元素の磁性材料からなり、粒径及び組成が同じである、請求項１から１１のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項13】

前記第２絶縁部の比透磁率は５以上である、請求項１から１２のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項14】

前記第１絶縁部の比透磁率に対する前記第２絶縁部の比透磁率の割合は１／５以下である、請求項１から１３のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項15】

請求項１から１４のいずれか一項に記載のコイル部品と、
前記コイル部品が実装されている回路基板と、を備える電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、コイル部品及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

インダクタンスの劣化を防ぎ、同時に直流重畳特性を改善するために、磁性体層と非磁性体層を用いて磁性基体を形成することが知られている（例えば、特許文献１、２）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６－２６１５７７号公報

【特許文献2】特開２０１６－０５１７５２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１、２によれば、コイル軸の周りを周回する周回部の導体間に非磁性体層が設けられている。このような構成では、直流重畳特性の改善は図れるが、インダクタンスなどの電気特性の低下を抑制する点で改善の余地が残されている。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、直流重畳特性を改善しつつ、インダクタンスなどの電気特性の低下を抑制することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、コイル軸を周回する周回部を有する導体と、前記周回部が内蔵され、前記周回部の上面及び下面の間に設けられた、１または複数の絶縁部である第１絶縁部を含む第１基体領域と、前記コイル軸方向における前記周回部の上面及び下面に接して前記周回部を挟んで設けられ、前記第１絶縁部からなる一対の第２基体領域と、前記コイル軸方向における前記一対の第２基体領域のそれぞれの外側の面に接して設けられ、前記第１絶縁部と、前記第１絶縁部よりも比透磁率が低い１または複数の絶縁部である第２絶縁部を第１基体領域より多く含みかつ前記一対の第２基体領域に前記第２絶縁部が接する一対の第３基体領域と、を有する磁性基体と、を備えるコイル部品である。

【0007】

上記構成において、前記コイル軸を通り、前記コイル軸に平行な前記磁性基体の断面において、前記第１基体領域は、前記一対の第３基体領域に比べて、前記第２絶縁部の面積が小さい構成とすることができる。

【0008】

上記構成において、前記コイル軸を通り、前記コイル軸に平行な前記磁性基体の断面において、前記第１基体領域は、前記第１絶縁部よりも前記第２絶縁部の面積が小さい構成とすることができる。

【0009】

上記構成において、前記コイル軸を通り、前記コイル軸に平行な前記磁性基体の断面において、前記一対の第３基体領域は、前記第２絶縁部よりも前記第１絶縁部の面積が大きい構成とすることができる。

【0010】

上記構成において、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部は、層状に設けられ、前記磁性基体の表面に露出する構成とすることができる。

【0011】

上記構成において、前記一対の第３基体領域は、前記第１絶縁部と前記第１絶縁部より厚みが小さい前記第２絶縁部とが交互に設けられる構成とすることができる。

【0012】

上記構成において、前記第１基体領域は、１種類の絶縁部である前記第１絶縁部のみで構成される構成とすることができる。

【0013】

上記構成において、前記一対の第２基体領域は、１種類の絶縁部である前記第１絶縁部のみで構成される構成とすることができる。

【0014】

上記構成において、前記第１絶縁部は、フェライト材料の焼結体を含んで構成される構成とすることができる。

【0015】

上記構成において、前記第２絶縁部は、フェライト材料の焼結体を含んで構成され、前記第１絶縁部に含まれるフェライト材料の焼結体と前記第２絶縁部に含まれるフェライト材料の焼結体は、同じ元素のフェライト材料の焼結体からなり、元素の組成が同じである構成とすることができる。

【0016】

上記構成において、前記第１絶縁部は、金属磁性粒子を含んで構成される構成とすることができる。

【0017】

上記構成において、前記第１絶縁部に含まれる磁性粒子と前記第２絶縁部に含まれる磁性粒子は、同じ元素の磁性材料からなり、粒径及び組成が同じである構成とすることができる。

【0018】

上記構成において、前記第２絶縁部の比透磁率は５以上である構成とすることができる。

【0019】

上記構成において、前記第１絶縁部の比透磁率に対する前記第２絶縁部の比透磁率の割合は１／５以下である構成とすることができる。

【0020】

本発明は、上記に記載のコイル部品と、前記コイル部品が実装されている回路基板と、を備える電子機器である。

【発明の効果】

【0021】

本発明によれば、直流重畳特性を改善しつつ、インダクタンスなどの電気特性の低下を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】図１は、本願発明の一実施形態に係るコイル部品の斜視図である。

【図2】図２は、図１のコイル部品の分解斜視図である。

【図3】図３は、図１のＩ－Ｉ間の断面図である。

【図4】図４は、図３の領域Ｂを拡大した図である。

【図5】図５は、本願発明の一実施形態に係るコイル部品を備える電子機器の斜視図である。

【図6】図６（ａ）から図６（ｅ）は、実施例１から実施例４及び比較例１、２に係るコイル部品の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、図面を適宜参照しながら、本願発明の実施形態について説明する。但し、本願発明は図示された態様に限定される訳ではない。また、複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。

【0024】

［実施形態］
図１は、本願発明の一実施形態に係るコイル部品１００の斜視図であり、図２は、図１に示したコイル部品１００の分解斜視図である。図２においては、図示の便宜上、外部電極を省略している。図１及び図２には、様々な回路で受動素子として用いられる積層インダクタが示されている。積層インダクタは、本願発明に適用可能なコイル部品の一例である。本願発明は、ＤＣ－ＤＣコンバータに用いられるパワーインダクタ及びそれ以外の様々なコイル部品に適用することができる。

【0025】

本実施形態におけるコイル部品１００は、図１及び図２に示すように、磁性基体１０と、磁性基体１０に埋設されたコイル導体３０と、コイル導体３０の一端と電気的に接続された外部電極５０ａと、コイル導体３０の他端と電気的に接続された外部電極５０ｂと、を備える。コイル部品１００の「長さ」方向、「幅」方向、及び「厚さ」方向をそれぞれ、「Ｌ軸」方向、「Ｗ軸」方向、「Ｔ軸」方向とする。Ｌ軸、Ｗ軸、及びＴ軸は、互いに直交している。コイル軸Ａは、Ｔ軸方向に沿って延びている。例えば、コイル部品１００は、長さ寸法（Ｌ軸方向の寸法）が０．２ｍｍ～６．０ｍｍ、幅寸法（Ｗ軸方向の寸法）が０．１ｍｍ～４．５ｍｍ、厚さ寸法（Ｔ軸方向の寸法）が０．１ｍｍ～４．０ｍｍである。

【0026】

磁性基体１０は、直方体状に形成されている。磁性基体１０は、対向する主面１０ａ及び１０ｂ、対向する端面１０ｃ及び１０ｄ、並びに対向する側面１０ｅ及び１０ｆを有する。磁性基体１０は、これら６つの面によって外面が画定されている。なお、直方体状には、各頂点が丸みを帯びている場合、各稜（各面の境界部）が丸みを帯びている場合、又は各面が曲面を有している場合などの略直方体状が含まれる。

【0027】

本実施形態において、コイル部品１００の上下方向を言及する場合には、図１及び図２における上下方向を基準とする。つまり、Ｔ軸方向の正方向を上方向、負方向を下方向とする。

【0028】

コイル導体３０は、周回部３２を有する。周回部３２は、周回パターンＣ１１～Ｃ１４とビアＶ１～Ｖ３とを有する。周回パターンＣ１１～Ｃ１４は、コイル軸Ａに直交する平面（ＬＷ平面）に沿って延びるとともに、コイル軸Ａの方向（Ｔ軸方向）において互いに離れている。周回パターンＣ１１～Ｃ１４のうちＴ軸方向で隣接する周回パターンは、ビアＶ１～Ｖ３を介して電気的に接続されている。これにより、コイル軸Ａを周回する周回部３２が形成される。

【0029】

周回部３２の一端は引出部３４ａにより外部電極５０ａに電気的に接続されている。周回部３２の他端は引出部３４ｂにより外部電極５０ｂに電気的に接続されている。引出部３４ａは、周回パターンＣ１１の一端から外部電極５０ａに延びる引出パターンＤ１１により形成され、引出部３４ｂは、周回パターンＣ１４の一端から外部電極５０ｂに延びる引出パターンＤ１４により形成される。

【0030】

磁性基体１０は、周回部３２が設けられた磁性体層１１～１４と、磁性体層１１～１４をまとめて挟むカバー層１５及び１６と、を有する。周回パターンＣ１１、引出パターンＤ１１、及びビアＶ１は磁性体層１１に形成され、周回パターンＣ１２及びビアＶ２は磁性体層１２に形成され、周回パターンＣ１３及びビアＶ３は磁性体層１３に形成され、周回パターンＣ１４及び引出パターンＤ１４は磁性体層１４に形成されている。

【0031】

周回パターンＣ１１～Ｃ１４、引出パターンＤ１１及びＤ１４、並びにビアＶ１～Ｖ３は、導電性に優れた金属材料、例えば銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はこれらの合金により形成される。

【0032】

なお、磁性体層１１～１４は、Ｗ軸方向に積層されてもよい。この場合、磁性体層１１～１４の表面に周回パターンＣ１１～Ｃ１４を形成することにより、コイル軸Ａは磁性体層１１～１４の積層方向と同じＷ軸方向を向く。

【0033】

図３は、図１のＩ－Ｉ間の断面図である。図３は、コイル軸Ａを通り、コイル軸Ａの方向に平行な断面図である。図３に示すように、磁性基体１０は、周回部３２が内蔵され、周回部３２の上面と下面との間に設けられた第１基体領域２０と、コイル軸Ａの方向（Ｔ軸方向）における周回部３２の上面及び下面に接して周回部３２を挟んで設けられた一対の第２基体領域２２と、コイル軸Ａの方向（Ｔ軸方向）における一対の第２基体領域２２のそれぞれの外側の面である上面及び下面に接して第２基体領域２２を挟んで設けられた一対の第３基体領域２４と、を備える。

【0034】

磁性基体１０は、フェライト材料もしくは金属磁性材料を含んで形成されている。例えば、磁性基体１０は、Ｎｉ－Ｚｎ系又はＭｎ－Ｚｎ系のフェライト材料を樹脂で固める又は焼結することにより形成されてもよい。例えば、磁性基体１０は、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系、又はＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ａｌ系等の軟磁性合金材料、Ｆｅ又はＮｉ等の磁性金属材料、アモルファス磁性金属材料、或いはナノ結晶磁性金属材料等の金属磁性材料を樹脂で固める又は酸化膜若しくは窒化膜などの無機絶縁膜を介して結合することにより形成されてもよい。

【0035】

磁性基体１０は、第１絶縁部２６と、第１絶縁部２６よりも比透磁率の低い第２絶縁部２８と、を有する。言い換えるならば、磁性基体１０は、第２絶縁部２８と、第２絶縁部２８よりも比透磁率の高い第１絶縁部２６と、を有する。第１絶縁部２６は、例えば１種類の絶縁部で形成されているが、複数種の絶縁部で形成されてもよい。同様に、第２絶縁部２８は、例えば１種類の絶縁部で形成されているが、複数種の絶縁部で形成されてもよい。第１絶縁部２６が複数の絶縁部で構成されている場合、その各々の絶縁部は、第２絶縁部２８より比透磁率が高い。第２絶縁部２８が複数の絶縁部より構成されている場合、その各々の絶縁部は、第１絶縁部より比透磁率が低い。第１絶縁部２６が複数の絶縁部で構成されていて、かつ、第２絶縁部２８が複数の絶縁部より構成されている場合、第１絶縁部２６の各々の絶縁部は、第２絶縁部２８の各々の絶縁部より比透磁率が高く、第２絶縁部２８の各々の絶縁部は、第１絶縁部２６の各々の絶縁部より比透磁率が低い。

【0036】

第１絶縁部２６と第２絶縁部２８は、コイル軸Ａの方向（Ｔ軸方向）に対して垂直に各々層状に設けられ、磁性基体１０の表面に露出している。第１基体領域２０は、第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８のうち少なくとも第１絶縁部を含んで構成され、第１絶縁部２６のみで構成されていてもよい。第１基体領域２０は、１種類の絶縁部である第１絶縁部２６のみで構成されてもよい。第１基体領域２０が第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８の両方により構成されることで、直流重畳特性高くすることができる。第１基体領域２０が第１絶縁部２６のみで構成されていることによってインダクタンスを高くすることができる。第２基体領域２２は、第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８のうち第１絶縁部２６のみで構成されている。第２基体領域２２は、１種類の絶縁部である第１絶縁部２６のみで構成されてもよい。第３基体領域２４は、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８の両方を含んで構成され、第１絶縁部２６と第１絶縁部２６よりも薄い第２絶縁部２８がＴ軸方向に交互に積層されている。第３基体領域２４は、第２絶縁部２８の層によって第２基体領域２２と隣接している。第３基体領域２４は、第２絶縁部２８を第１基体領域２０より多く含んでいる。第３基体領域２４自体は、第２絶縁部２８よりも第１絶縁部２６の面積が大きくなっている。周回部３２と第２絶縁部２８との間のＴ軸方向の最短距離Ｌは、例えば周回部３２のＴ軸方向の間隔Ｗの２倍程度である。

【0037】

磁性基体１０がフェライト材料を含んで形成されている場合、第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８はフェライト材料を樹脂で固める又は焼結することで形成されている。フェライト材料を樹脂で固めて形成されている場合は、第１絶縁部２６中の樹脂の体積割合は、第２絶縁部２８中の樹脂の体積割合に比べ、小さくなっている。フェライト材料を焼結することで形成されている場合は、第１絶縁部２６中の空隙部の体積割合は、第２絶縁部２８中の空隙部の体積割合に比べ、小さくなっている。ここで言う空隙部の体積とは、その領域でフェライト粒子が占めている体積を、その領域全体の体積から引いた値となる。空隙部には樹脂等が存在していてもよい。

【0038】

磁性基体１０が金属磁性材料を含んで形成されている場合、第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８は金属磁性材料（金属磁性粒子）を含んで形成されている。隣接する金属磁性粒子同士は、例えば酸化膜、窒化膜、又は樹脂膜などの絶縁膜を介して結合されている。一部の金属磁性粒子同士は、絶縁膜を介さずに直接結合されていてもよい。金属磁性粒子の間には空隙が存在していてもよく、この空隙に樹脂などが存在していてもよい。

【0039】

第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８がフェライト材料を焼結することで形成されている場合、第１絶縁部２６に含まれるフェライト材料の焼結体と第２絶縁部２８に含まれるフェライト材料の焼結体とは、例えば同じ元素の磁性材料からなるフェライト材料の焼結体であり、例えば組成が同じフェライト材料の焼結体である。第１絶縁部２６が複数の絶縁部よりなる場合、各々の絶縁部に含まれるフェライト材料の焼結体は、例えば同じ元素の磁性材料からなるフェライト材料の焼結体であり、例えば組成が同じフェライト材料の焼結体である。第２絶縁部２８が複数の絶縁部よりなる場合、各々の絶縁部に含まれるフェライト材料の焼結体は、例えば同じ元素の磁性材料からなるフェライト材料の焼結体であり、例えば組成が同じフェライト材料の焼結体である。組成が同じとは、元素の組成比が一致することで検証できる。例えば、それぞれのフェライト材料の焼結体の１０ヶ所から元素の組成比を測定し、その元素の組成比のそれぞれの平均値の違いが２ｗｔ％（重量パーセント）以下であることで検証できる。元素の組成比は、走査型電子顕微鏡によるＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分光）分析などで求めてもよい。 このようにすることで、部品実装時のリフロー等における熱処理、部品使用時の熱的な衝撃などが発生した場合においても、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８の収縮挙動が同様になるため、界面にクラックが生じることを抑制できる。

【0040】

第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８にフェライト粒子もしくは金属磁性粒子が含まれる場合は、単一の種類の粒子のみを含んでいてもよいし、複数の異なる種類の粒子を含んでいてもよい。第１絶縁部２６に含まれるフェライト粒子もしくは金属磁性粒子と第２絶縁部２８に含まれるフェライト粒子もしくは金属磁性粒子とは、例えば同じ元素の磁性材料からなるフェライト粒子もしくは金属磁性粒子であり、例えば粒径及び組成が同じフェライト粒子もしくは金属磁性粒子である。第１絶縁部２６が複数の絶縁部よりなる場合、各々の絶縁部に含まれるフェライト粒子もしくは金属磁性粒子は、例えば同じ元素の磁性材料からなるフェライト粒子もしくは金属磁性粒子であり、例えば組成が同じフェライト粒子もしくは金属磁性粒子である。第２絶縁部２８が複数の絶縁部よりなる場合、各々の絶縁部に含まれるフェライト粒子もしくは金属磁性粒子は、例えば同じ元素の磁性材料からなるフェライト粒子もしくは金属磁性粒子であり、例えば組成が同じフェライト粒子もしくは金属磁性粒子である。粒径が同じとは、第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８に存在する数百個程度（例えば２００個程度）のフェライト粒子もしくは金属磁性粒子を含む走査型電子顕微鏡による撮影像において面積より同面積の円形状に換算され算出される粒径に基づき求められた粒度分布の５０％値（平均粒径）が一致することで検証できる。例えば、第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８の平均粒径は５％以内で一致している。組成が同じとは、元素の組成比が一致することで検証できる。例えば、それぞれのフェライト粒子もしくは金属磁性粒子の１０個程度から元素の組成比を測定し、その元素の組成比のそれぞれの平均値の違いが５ｗｔ％（重量パーセント）以下であることで検証できる。元素の組成比は、走査型電子顕微鏡によるＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分光）分析などで求めてもよい。このようにすることで、製造工程の熱処理や、部品実装時のリフロー等における熱処理、部品使用時の熱的な衝撃などが発生した場合においても、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８の収縮挙動が同様になるため、界面にクラックが生じることを抑制できる。

【0041】

第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８の比透磁率は、例えばフェライト粒子もしくは金属磁性粒子の充填率によって調整することができる。つまり、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８が、同じ元素の磁性材料で粒径及び組成が同じフェライト粒子もしくは金属磁性粒子により構成されている場合でも、第２絶縁部２８のフェライト粒子もしくは金属磁性粒子の充填率を第１絶縁部２６に比べて低くすることで、第２絶縁部２８の比透磁率を第１絶縁部２６の比透磁率よりも低くすることができる。フェライト粒子もしくは金属磁性粒子の充填率の調整は、フェライト粒子もしくは金属磁性粒子の充填量によって行うことができる。

【0042】

図４は、図３の領域Ｂを拡大した図である。図４に示すように、第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８に空隙６４が形成されている。空隙６４は、第１絶縁部２６に比べて第２絶縁部２８に多く形成されている。これにより、第２絶縁部２８は第１絶縁部２６に比べてフェライト粒子もしくは金属磁性粒子の充填率が低くなり、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８が同じ元素の磁性材料で粒径及び組成が同じフェライト粒子もしくは金属磁性粒子により構成されている場合でも、第２絶縁部２８の比透磁率は第１絶縁部２６の比透磁率よりも低くなる。

【0043】

なお、空隙６４の量によってフェライト粒子もしくは金属磁性粒子の充填率を調整する場合に限られず、その他の方法によってフェライト粒子もしくは金属磁性粒子の充填率を調整してもよい。例えば、フェライト粒子もしくは金属磁性粒子とは異なる絶縁材料を混合させ、この絶縁材料の量を調整することでフェライト粒子もしくは金属磁性粒子の充填率を調整してもよい。フェライト粒子もしくは金属磁性粒子と混合する絶縁材料は、有機材料でもよいし、無機材料でもよいし、両者を組み合わせてもよい。有機材料の例としては樹脂が挙げられ、磁性粒子を固める結合材の一部としても使用できる。無機材料の例としては、酸化シリコン粒子、酸化アルミニウム粒子、又は酸化鉄粒子などの酸化物が挙げられ、磁性粒子を固める結合材の一部としても使用できる。

【0044】

第１絶縁部２６の比透磁率は例えば５００以下である。第２絶縁部２８の比透磁率は例えば５以上である。第１絶縁部２６の比透磁率に対する第２絶縁部２８の比透磁率の割合は例えば１／５以下である。このようにすることで、インダクタンスの変化を少なくでき、狭許容差のインダクタンスのコイル部品とすることができる。

【0045】

［製造方法］
本実施形態に係るコイル部品１００の製造方法の一例を説明する。まず、第３基体領域２４となる外側積層体を形成する。外側積層体は、第１絶縁部２６となる第１磁性体シートと、第２絶縁部２８となる第２磁性体シートと、を積層することにより形成される。この際、第３基体領域２４となる外側積層体の第２基体領域２２と接する面は、第２絶縁部２８で構成されているように第１磁性体シートと第２磁性体シートは積層される。第１磁性体シートは、例えば、プラスチック製のベースフィルムの表面に第１スラリーを塗布して乾燥させ、乾燥後の第１スラリーを所定のサイズに切断することで得られる。第１スラリーは、例えばＮｉ－Ｚｎフェライトの粒子を有機バインダ及び溶剤などと混合して作製される。有機バインダとしては、例えばポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂又はエポキシ樹脂などの絶縁性に優れた樹脂材料が用いられる。溶剤としては、例えばトルエンなどが用いられる。第２磁性体シートは、例えば、プラスチック製のベースフィルムの表面に第２スラリーを塗布して乾燥させ、乾燥後の第２スラリーを所定のサイズに切断することで得られる。第２スラリーは、第１スラリーと同様に、例えばＮｉ－Ｚｎフェライトの粒子を有機バインダ及び溶剤などと混合して作製されるが、第１スラリーの場合と比べて有機バインダの量が多くなっている。有機バインダは、使用される溶剤に可溶な有機バインダ―に加えて、使用される溶剤に難溶性の有機バインダ粒子も添加することにより有機バインダ全体の量を多くすることもできる。有機バインダとして用いられる樹脂の重合度を高くすることによって使用される溶剤に対する樹脂の溶解度を下げることができる。有機バインダ粒子の粒径は、例えばＮｉ－Ｚｎフェライトの粒子の粒径と同じ、もしくはそれ以下とすることで、Ｎｉ－Ｚｎフェライトの粒子の分散性を大きく損なうことなく第２スラリーを得ることができる。

【0046】

次に、第１基体領域２０となる内側積層体を形成する。内側積層体は、上述した第１磁性体シートと、第１磁性体シートに未焼成の導体パターンが設けられた複合シートと、を積層することにより形成される。複合シートは以下の方法により形成される。まず、第１磁性体シートのビアＶ１～Ｖ３に相当する位置に貫通孔を形成する。次に、第１磁性体シートに例えばスクリーン印刷法により導電ペーストを印刷することで、第１磁性体シートに未焼成の導体パターンを形成する。このとき、第１磁性体シートに形成された貫通孔に導電ペーストが埋め込まれるようにする。これにより、第１磁性体シートに、周回パターンＣ１１～Ｃ１４、ビアＶ１～Ｖ３、及び引出パターンＤ１１とＤ１４となる未焼成の導体パターンが形成される。なお、導体パターンは、スクリーン印刷以外の方法により形成されてもよい。ここでは、引出パターンＤ１１とＤ１４は周回パターンＣ１１とＣ１４と同一層に形成されているが、異なる層に形成されていても良い。例えば、引出パターンＤ１１とＤ１４は隣接する第２基体領域２２に形成することもできる。第１基体領域２０は、第２絶縁部２８となる第２磁性体シートを、上記第１絶縁部２６となる第１磁性体シートの一部と替えることで、両方の絶縁体シートを合わせて用いることもできる。

【0047】

次に、第２基体領域２２となる中間体を形成する。中間体は、上述した第１磁性体シートの単層又は第１磁性体シートを積層することにより形成される。引出パターンＤ１１とＤ１４が第２基体領域２２に形成される場合、第１基体領域２０となる内側積層体における導体パターンと同様の手順にて形成される。

【0048】

次に、外側積層体、中間体、内側積層体、中間体、及び外側積層体をＴ軸方向にこの順序で、但し、外側積層体が中間体と接する面は、第２磁性体シートにて形成されるように積層し、プレス機により熱圧着することにより本体積層体を形成する。次に、ダイシング機又はレーザ加工機などの切断機を用いて本体積層体を所望のサイズに個片化することでチップ積層体を形成する。次に、チップ積層体に対して焼成のための熱処理を行う。これにより、フェライト材料が焼結し、有機バインダが分解されて空隙が形成される。第２磁性体シートの有機バインダの量が第１磁性体シートの有機バインダの量よりも多いことから、第２磁性体シートは空隙６４が多い第２絶縁部２８となり、第１磁性体シートは空隙６４が少ない第１絶縁部２６となる。空隙６４には含侵法などで樹脂が導入されていてもよい。このチップ積層体の端部に対して、必要に応じて、バレル研磨などの研磨処理を行う。

【0049】

次に、チップ積層体の両端部に導体ペーストを塗布することにより、外部電極５０ａ及び５０ｂを形成する。外部電極５０ａ及び５０ｂには、必要に応じて、はんだバリア層及びはんだ濡れ層の少なくとも一方を形成してもよい。これにより、コイル部品１００が得られる。

【0050】

本実施形態によれば、磁性基体１０は、周回部３２が内蔵され、周回部３２の上面及び下面の間に設けられた第１基体領域２０と、コイル軸Ａの方向における周回部３２の上面及び下面に接して周回部３２を挟んで設けられた第２基体領域２２と、コイル軸Ａの方向における第２基体領域２２の上面及び下面に接して第２基体領域２２を挟んで設けられた第３基体領域２４と、を備える。第１基体領域２０は第１絶縁部２６を含み、第２基体領域２２は第１絶縁部２６からなる。第３基体領域２４は、第１絶縁部２６と、第１絶縁部２６よりも比透磁率が低い第２絶縁部２８を第１基体領域２０より多く含み、第２基体領域２２との境界は第１絶縁部２６よりも比透磁率が低い第２絶縁部２８によって構成されている。

【0051】

第２絶縁部２８は、磁束が通過する場合にのみ、磁気ギャップとして作用する。通常、磁気ギャップはコイルの周回部に接して磁性基体に設けられる。この場合、コイルに大電流を印加した場合の磁気飽和を緩和し、直流重畳特性を大きくすることができる反面、コイルに小電流を流した場合のインダクタンスを低下させてしまう。本実施形態においては、コイルに小電流が印加された場合、磁束は周回部３２の近傍にのみ発生する。すなわち、第１基体領域２０と第２基体領域２２のみに磁束は発生し周回する。なぜならば、第１基体領域２０は周回部３２の上面及び下面の間に設けられた領域なので、必ず周回部３２に接し、周回部３２に発生した磁束が必ず通る領域となるからであり、第２基体領域２２についても上面及び下面に接して周回部３２を挟んで設けられている領域なので、必ず周回部３２に接し、周回部３２に発生した磁束が必ず通る領域となるからである。第３基体領域２４と第２基体領域２２との境界は第１絶縁部２６よりも比透磁率が低い第２絶縁部２８によって構成されているため、磁束は、この低い比透磁率で構成された第２絶縁部２８には侵入しないため第３基体領域２４には侵入せずに、専ら高い比透磁率で構成された第１絶縁部２６を通り、第１絶縁部２６のみで構成された第２基体領域２２を通るからである。第１基体領域２０と第２基体領域２２の両方の領域が、第１絶縁部２６のみからなる場合は、磁束は第１絶縁部２６内部を通り、結果として第１基体領域２０と第２基体領域２２の内部を周回する。第１基体領域２０が第１絶縁部２６と第１絶縁部２６より比透磁率が低い第２絶縁部２８の両方からなる場合でも、磁束は第１基体領域２０の内部を通り、さらに比透磁率が高い第１絶縁部２６のみで構成された第２基体領域２２を通ることで、結果として第１基体領域２０と第２基体領域２２の内部を周回する。発生した磁束は、印加された電流が小さいが故に、第３基体領域２４を通過しなくても飽和することなく周回する。すなわち、小電流印加時には第３基体領域２４に設けられた比透磁率が低い第２絶縁部２８が磁気ギャップとならないため、インダクタンスの低下が抑制される。特に、第１基体領域２０が第１絶縁部２６のみで構成されている場合、磁気ギャップをコイルの周回部に接して磁性基体に設けた構造では印加される電流の大きさに関わらずに磁気ギャップを磁束が通過してインダクタンスが低下してしまうのに対し、本実施形態においては、小電流印加時のインダクタンスの低下を抑制することができる。

【0052】

また、本実施形態においては、コイルに大電流が印加された場合、磁束は周回部３２の近傍にとどまらず周回部３２から離れた部分にも発生する。すなわち、第１基体領域２０と第２基体領域２２にとどまらず、第３基体領域２４も含む形で磁束は発生し周回する。第３基体領域２４が第２絶縁部２８を含んで構成されることで、周回部３２から発生する磁束の一部が第２絶縁部２８を通過し、第２絶縁部２８が磁気ギャップとして機能するため、磁気飽和が高くなり直流重畳特性が改善する。このように、大電流印加時において、本実施形態は磁気ギャップを有する構造の恩恵を得ることができる。

【0053】

例えば第３基体領域２４全体が第２絶縁部２８により構成された場合、第２絶縁部２８が磁気ギャップとして機能するため直流重畳特性は改善されるが、磁路に占める磁気ギャップの割合が高くなるため、インダクタンスが低下してしまう。これに対し、本実施形態では、第３基体領域２４が第１絶縁部２６を含んで構成されることで、磁路に占める磁気ギャップの割合が高くならないため、インダクタンスの低下が抑制される。なお、例えば第３基体領域２４全体が第１絶縁部２６と第２絶縁部２８の間の比透磁率を有する絶縁部により構成される場合、磁気ギャップの効果が得られ難いので、インダクタンスの低下を抑制するには不十分である。

【0054】

さらに、本実施形態では、第３基体領域２４が複数の第１絶縁部２６と複数の第２絶縁部２８を交互に含んで構成されるため、第２基体領域２２に近い側から磁束の飽和の程度に合わせて磁気ギャップの数を増やすことができる。すなわち、最初は第３基体領域２４中の最も第２基体領域２２に近い第２絶縁部２８が磁気ギャップとして働き、隣接する第３基体領域２４中の最も第２基体領域２２に近い第１絶縁部２６を磁束が通るようになるが、コイルへの印加電圧が大きくなることでこの部分の磁気飽和が近くなると、次に第３基体領域２４中の２番目に第２基体領域２２に近い第２絶縁部２８が磁気ギャップとして働き、隣接する第３基体領域２４中の２番目に第２基体領域２２に近い第１絶縁部２６を磁束が通るようになる。このようにコイルに印加される電流が大きくなるにつれて、第３基体領域２４の複数の第２絶縁部２８と隣接する第１絶縁部２６の組が、磁気飽和しない様に次々と登場して自動的にインダクタンスに寄与することで、インダクタンスの大幅な低下を防ぐことができる。

【0055】

第２絶縁部２８を磁気ギャップとして機能させるために、第２絶縁部２８の厚さは第１絶縁部２６の比透磁率によって調整され、第１絶縁部２６の比透磁率が低いほど第２絶縁部２８の厚さは薄くなる。第２絶縁部２８の厚さが薄くなると、製造誤差による第２絶縁部２８の厚さのばらつきの影響が大きくなる。例えば、第１基体領域２０において周回部３２の導体間に第２絶縁部２８が設けられた場合、第２絶縁部２８は周回部３２から発生する磁界が大きい箇所に設けられることになる。このため、第２絶縁部２８の厚さのばらつきによるインダクタンスへの影響が大きくなる。これに対し、本実施形態のように、第３基体領域２４に第２絶縁部２８が設けられる場合では、第２絶縁部２８は周回部３２から発生する磁界が小さい箇所に設けられることになるため、第２絶縁部２８の厚さのばらつきによるインダクタンスへの影響を小さく抑えられる。また、第２絶縁部２８が磁界の小さい箇所に設けられる場合は、磁界の大きい箇所に設けられる場合に比べて、第２絶縁部２８を厚くすることができる。これによっても、第２絶縁部２８の厚さのばらつきによるインダクタンスへの影響を小さく抑えられる。

【0056】

また、本実施形態では、図３に示すように、コイル軸Ａを通り、コイル軸Ａの方向に平行な磁性基体１０の断面において、第１基体領域２０及び第２基体領域２２は比透磁率の高い第１絶縁部２６から構成され、比透磁率の低い第２絶縁部２８によって第３基体領域２４と区切られている。これにより、周回部３２から発生する磁束は主に比透磁率の高い第１絶縁部２６を通過するようになるため、インダクタンスの低下を抑制することができる。

【0057】

また、本実施形態では、図３に示すように、コイル軸Ａを通り、コイル軸Ａの方向に平行な磁性基体１０の断面において、第１基体領域２０及び第２基体領域２２は、第３基体領域２４に比べて、第２絶縁部２８の面積が小さい。これにより、周回部３２から発生する磁束は主に第１絶縁部２６を通過するようになるため、インダクタンスの低下を抑制することができる。

【0058】

また、本実施形態では、図３に示すように、コイル軸Ａを通り、コイル軸Ａの方向に平行な磁性基体１０の断面において、第３基体領域２４は、第１絶縁部２６の面積が第２絶縁部２８の面積よりも大きい。これにより、周回部３２から発生する磁束が第３基体領域２４を通過する領域において第１絶縁部２６が占める割合が大きくなるため、直流重畳特性を改善しつつ、インダクタンスの低下を抑制することができる。

【0059】

また、本実施形態では、図３に示すように、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８は、層状に設けられ、磁性基体１０の表面に露出している。これにより、周回部３２から発生する磁束が第３基体領域２４を通過する経路に第２絶縁部２８を効果的に配置することができ、直流重畳特性を改善することができる。

【0060】

また、本実施形態では、図３に示すように、第３基体領域２４は、第１絶縁部２６と第１絶縁部２６よりも厚みが小さい第２絶縁部２８とが交互に設けられている。これにより、周回部３２から発生する磁束が第３基体領域２４を通過する領域において第１絶縁部２６が占める割合が大きくなるため、直流重畳特性を改善しつつ、インダクタンスの低下を抑制することができる。

【0061】

また、本実施形態では、第１基体領域２０及び第２基体領域２２は第１絶縁部２６のみで構成されている。これにより、小電流印加時に周回部３２から発生する磁束が通過する周回部３２の近傍領域において磁気ギャップとなる第２絶縁部２８を通過しなくすることができ、インダクタンスの低下を抑制することができる。

【0062】

また、本実施形態では、第１絶縁部２６は金属磁性粒子を含んで構成されている。金属磁性粒子は、フェライト粒子と比べて、飽和磁束密度が高いことから、直流重畳特性が改善され易くなる。金属磁性粒子はフェライト粒子と比べて比透磁率が小さいため、インダクタンスの低下が懸念されるが、磁気ギャップとなる第２絶縁部２８が第３基体領域２４に設けられることで、インダクタンスの低下を抑制することができる。

【0063】

なお、上記実施形態において、第１絶縁部２６はフェライト粒子を含んで構成されてもよい。例えば、第１絶縁部２６は、Ｎｉ－Ｚｎ系又はＭｎ－Ｚｎ系のフェライト粒子を樹脂で固めることにより形成されてもよい。第２絶縁部２８についても同様に、フェライト粒子を含んで構成されてもよく、例えば、Ｎｉ－Ｚｎ系又はＭｎ－Ｚｎ系のフェライト材料を樹脂で固めることにより形成されてもよい。

【0064】

また、本実施形態では、第１絶縁部２６のフェライト粒子もしくは金属磁性粒子と第２絶縁部２８のフェライト粒子もしくは金属磁性粒子とは、同じの元素の磁性材料からなり、粒径及び組成が同じである。これにより、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８の間の線膨張係数の差が小さく抑えられ、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８の界面に熱応力によるクラックが生じることを抑制できる。例えば、製造工程の熱処理、部品実装時のリフローなどにおける熱処理、部品使用時の熱的な衝撃などが発生した場合において、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８の収縮挙動が同様になるため、界面にクラックが生じることを抑制できる。第１絶縁部２６及び第２絶縁部２８がフェライト磁性材料の焼結体を含んで構成される場合でも、第１絶縁部２６のフェライト磁性材料の焼結体と第２絶縁部２８のフェライト磁性材料の焼結体が同じ元素のフェライト磁性材料の焼結体からなりかつ元素の組成が同じであることで、部品実装時のリフローなどにおける熱処理、部品使用時の熱的な衝撃などが発生した場合において、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８の収縮挙動が同様になるため、界面にクラックが生じることを抑制できる。

【0065】

なお、上記実施形態において、第１絶縁部２６のフェライト粒子もしくは金属磁性粒子と第２絶縁部２８のフェライト粒子もしくは金属磁性粒子とは、同じ元素の磁性材料からなり、粒径は異なるが組成は同じである場合でもよいし、粒径と組成の両方が異なる場合でもよい。このような場合でも、第１絶縁部２６と第２絶縁部２８の界面に熱応力によるクラックなどが生じることを抑制する効果は得られる。

【0066】

また、本実施形態では、第２絶縁部２８の比透磁率は５以上である。これにより、エアーギャップであった場合に比べてインダクタンスの低下を抑制することができる。

【0067】

また、本実施形態では、第１絶縁部２６の比透磁率に対する第２絶縁部２８の比透磁率の割合（第２絶縁部２８の比透磁率／第１絶縁部２６の比透磁率）は１／５以下である。これにより、第２絶縁部２８の磁気ギャップとしての機能を高めることができ、直流重畳特性を改善することができる。第１絶縁部２６の比透磁率に対する第２絶縁部２８の比透磁率の割合が小さくなり過ぎると、第２絶縁部２８の厚さが薄くなりすぎて製造上のバラツキを管理する点で好ましくないため、第１絶縁部２６の比透磁率に対する第２絶縁部２８の比透磁率の割合は、１／２０以上が好ましく、１／１０以上がより好ましく、１／５以上が更に好ましい。

【0068】

なお、上記実施形態において、第１絶縁部２６の比透磁率は、５００以下の場合に限られず、４５０以下の場合でもよいし、４００以下の場合でもよい。また、第１絶縁部２６の比透磁率は、２０以上の場合でもよいし、３０以上の場合でもよいし、５０以上の場合でもよい。

【0069】

なお、上記実施形態では、金属磁性粒子の充填率の違いにより、第２絶縁部２８は第１絶縁部２６よりも比透磁率が低い場合を例に示したが、この場合に限られない。例えば、第２絶縁部２８に第１絶縁部２６よりも比透磁率の低い磁性材料を用いることで、第２絶縁部２８の透磁率を第１絶縁部２６よりも低くしてもよい。

【0070】

なお、上記実施形態では、コイル部品１００は積層プロセスによって形成される場合を例に示したが、薄膜プロセスなどのその他の方法によって形成される場合でもよい。

【0071】

図５は、本願発明の一実施形態に係るコイル部品１００を備える電子機器３００の斜視図である。電子機器３００は、図５に示すように、コイル部品１００が回路基板２００に実装されている。コイル部品１００は、外部電極５０ａ及び５０ｂがはんだによって回路基板２００のランド電極８０に接合されることで、回路基板２００に実装されている。これにより、直流重畳特性が改善されかつインダクタンスの低下が抑制されたコイル部品１００を備える電子機器３００が得られる。電子機器３００としては、例えばスマートフォン、タブレット端末、及びゲームコンソールなどが挙げられる。

【実施例0072】

以下、本願発明を実施例及び比較例によって具体的に説明するが、本願発明はこれらの実施例に記載された態様に限定される訳ではない。

【0073】

［実施例１］
実施例１のコイル部品を以下の方法により作製した。まず、第１磁性体シート、第２磁性体シート、及び複合シートを作製した。第１磁性体シートは、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの表面に、金属磁性粒子と有機バインダと溶剤とを混合した第１スラリーを塗布して乾燥させ、乾燥後の第１スラリーを所定のサイズに切断することで作製した。金属磁性粒子は、組成比がシリコン：３．５ｗｔ％、クロム：２．５ｗｔ％、鉄：９４ｗｔ％であるＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ軟磁性合金粒子を用いた。有機バインダはポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂を用いた。溶剤はトルエンを用いた。有機バインダの量は、１．５ｗｔ％とした。第２磁性体シートは、有機バインダの量を１０ｗｔ％として第１磁性体シートよりも多くした点以外は、第１磁性体シートと同じ方法で作製した。複合シートは、周回パターン及びビアとなる未焼成の導体パターンを第１磁性体シートに形成することによって作製した。導体パターンは銀で形成した。第１磁性体シート、第２磁性体シート、及び複合シートの厚さは、１００μｍとした。

【0074】

第３基体領域となる外側積層体を、第２磁性体シート、第１磁性体シート、第１磁性体シート、第１磁性体シートの順に積層することで形成した。

【0075】

第２基体領域となる中間体は、第１磁性体シートを２層積層することで形成した。

【0076】

第１基体領域となる内側積層体を、複合シート、第１磁性体シート、複合シートの順に積層することで形成した。

【0077】

次に、外側積層体、中間体、内側積層体、中間体、外側積層体の順に積層し、熱圧着することによって本体積層体を形成した。次に、本体積層体を所望のサイズに個片化することでチップ積層体を形成し、このチップ積層体を９００°で５時間焼成した。この焼成によって有機バインダが分解されて空隙が形成された。第２磁性体シートは第１磁性体シートに比べて有機バインダの量が多いことから、第２磁性体シートによって空隙が多い第２絶縁部２８が形成され、第１磁性体シートによって空隙が少ない第１絶縁部２６が形成された。次に、チップ積層体の表面に外部電極５０ａ、５０ｂを形成した。以上の製造方法によって、実施例１のコイル部品を作製した。

【0078】

［実施例２］
実施例２のコイル部品では、第３基体領域となる外側積層体を、第２磁性体シート、第１磁性体シート、第２磁性体シート、第１磁性体シートの順に積層することが形成した。その他は、実施例１と同じ方法によって作製した。

【0079】

［実施例３］
実施例３のコイル部品では、第３基体領域となる外側積層体を、第２磁性体シート、第２磁性体シート、第２磁性体シート、第１磁性体シートの順に積層することで形成した。その他は、実施例１と同じ方法によって作製した。

【0080】

［比較例１］
比較例１のコイル部品では、第３基体領域となる外側積層体を、第１磁性体シートを４層積層することで形成した。その他は、実施例１と同じ方法によって作製した。

【0081】

［比較例２］
比較例２のコイル部品では、第３基体領域となる外側積層体を、第１磁性体シートを４層積層することで形成した。第１基体領域となる内側積層体を、複合シート、第２磁性体シート、複合シートの順に積層することで形成した。その他は、実施例１と同じ方法によって作製した。

【0082】

図６（ａ）から図６（ｅ）に、実施例１から実施例３及び比較例１、２のコイル部品の断面図を示す。図６（ａ）に示すように、実施例１では、第３基体領域２４に１層の第２絶縁部２８が設けられている。図６（ｂ）に示すように、実施例２では、第３基体領域２４に２層の第２絶縁部２８が設けられている。図６（ｃ）に示すように、実施例３では、第３基体領域２４に３層の第２絶縁部２８が設けられている。図６（ｄ）に示すように、比較例１では、第３基体領域２４には第２絶縁部２８が設けられていない。図６（ｅ）に示すように、比較例２では、第３基体領域２４には第２絶縁部２８が設けられてなく、第１基体領域２０の周回部３２の間に第２絶縁部２８が設けられている。

【0083】

実施例１から実施例３及び比較例１、２のコイル部品のインダクタンス特性をキーサイト・テクノロジー社製のＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザＥ４９９１Ａにより測定した。各コイル部品において、初期インダクタンス値と、インダクタンス値が初期値から所定割合低下したときの直流電流値と、を測定した。表１に測定結果を示す。表１において、比較例２及び実施例１から実施例３の測定結果は比較例１の測定結果を基準とした割合で示している。

【表1】

【0084】

表１に示すように、第１基体領域２０に第２絶縁部２８が設けられている比較例２は、比較例１に比べて、初期インダクタンス値が－４０％と大きく減少した。これに対し、第３基体領域２４に第２絶縁部２８が設けられた実施例１から実施例３は、比較例１に比べて、初期インダクタンス値の低下が－３％～－３．３％と小さく抑えられ、かつ、直流電流値（直流重畳許容電流値）が＋１１％～＋１６％と大きくなった。この実験結果から、第３基体領域２４に第２絶縁部２８を設けることで、直流重畳特性を改善しつつ、インダクタンスの低下を抑制できることが確認された。

【0085】

また、実施例１から実施例３では、第１絶縁部２６に含まれる金属磁性粒子と第２絶縁部２８に含まれる金属磁性粒子は、同じ元素の磁性材料からなるため、ヒートサイクル試験を実施した後もクラックの発生がなく、熱衝撃に対して強い結果が得られた。

【0086】

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0087】

１０ 磁性基体
１１～１４ 磁性体層
１５、１６ カバー層
２０ 第１基体領域
２２ 第２基体領域
２４ 第３基体領域
２６ 第１絶縁部
２８ 第２絶縁部
３０ コイル導体
３２ 周回部
３４ａ、３４ｂ 引出部
５０ａ、５０ｂ 外部電極
６４ 空隙
８０ ランド電極
１００ コイル部品
２００ 回路基板
３００ 電子機器
Ｃ１１～Ｃ１４ 周回パターン
Ｄ１１、Ｄ１４ 引出パターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】