特開 2022-119300 プリント配線板の検査方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022119300

(43)【公開日】2022-08-17

(54)【発明の名称】プリント配線板の検査方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220809BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20220809BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 W

H05K3/46 Q

H05K3/00 T

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021016303

(22)【出願日】2021-02-04

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100095795

【弁理士】

【氏名又は名称】田下 明人

(72)【発明者】

【氏名】石黒 直人

(72)【発明者】

【氏名】佛田 哲生

(72)【発明者】

【氏名】柳沢 裕行

(72)【発明者】

【氏名】川村 洋一郎

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA15

5E316AA43

5E316BB02

5E316CC08

5E316CC32

5E316EE31

5E316GG31

5E316HH07

5E316JJ02

(57)【要約】

【課題】 ＩＣチップを実装する必要の無いプリント配線板の検査方法の提供
【解決手段】 樹脂絶縁層５０Ａと導体層５８Ａが交互に積層され、層間の導体層５８Ａ、５８Ｂがビア導体６０Ｂで接続され、最上面ＦＦに電子部品実装用のビアランド６０ＨＲと特定のビアランド６０ＨＲを接続する接続配線５８ＨＣの設けられるプリント配線板１０の検査方法。そして、検査方法は、プリント配線板１０のビアランド６０ＨＲ上にダミー基板１１０を実装することと、接続配線５８ＨＣで接続された回路の抵抗を検査すること、とを有する。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

樹脂絶縁層と導体層が交互に積層され、層間の導体層がビアで接続され、最上面に電子部品実装用の端子と前記端子中の特定の端子を接続する接続配線の設けられるプリント配線板の検査方法であって、
前記プリント配線板の前記端子上にダミー基板を実装することと、
前記接続配線で接続された回路の抵抗を検査すること、とを有する。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板の検査方法であって、
前記端子上に半田バンプが設けられ、
前記ダミー基板は、前記ダミー基板に設けられたパッドを介して、前記半田バンプに接続される。

【請求項3】

請求項１又は請求項２のプリント配線板の検査方法であって、
前記ダミー基板はガラス板である。

【請求項4】

請求項１～請求項３のいずれか１のプリント配線板の検査方法であって、
前記プリント配線板は、最下面にパッドを有し、
前記最下面のパッドにプローブが当てられ、前記回路の抵抗が検査される。

【請求項5】

請求項１～請求項４のいずれか１のプリント配線板の検査方法であって、 前記接続配線で接続された回路は、７段以上のスタックドビアである。

【請求項6】

請求項１～請求項４のいずれか１のプリント配線板の検査方法であって、 前記接続配線で接続された回路は、８段以上のスタックドビアである。

【請求項7】

請求項５又は請求項６のプリント配線板の検査方法であって、
前記プリント配線板は、第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有するコア基板を有し、
前記スタックドビアは、前記コア基板の前記第１面と前記第２面に形成されている。

【請求項8】

請求項１～請求項７のいずれか１のプリント配線板の検査方法であって、 前記抵抗の検査は、前記プリント配線板と前記ダミー基板とにヒートサイクルを加えながら行う。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、スタックドビアを備えるプリント配線板の検査方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１では、フィルドビアを複数段、同軸上に積み上げたスタックドビアを有するプリント配線板で、スタックドビアのピーリングテストを行うことを開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５－５６７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１では、スタックドビアの信頼性を試験するために、ＩＣチップを実装する必要があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明は、樹脂絶縁層と導体層が交互に積層され、層間の導体層がビアで接続され、最上面に電子部品実装用の端子と前記端子中の特定の端子を接続する接続配線の設けられるプリント配線板の検査方法である。そして、前記プリント配線板の前記端子上にダミー基板を実装することと、前記接続配線で接続された回路の抵抗を検査すること、とを有する。

【0006】

[実施形態の効果]
本発明の実施形態のプリント配線板の検査方法によれば、プリント配線板の最上面に電子部品実装用の端子と端子中の特定の端子を接続する接続配線が設けられている。接続配線で端子間が接続されているため、配線を備えないダミー基板を実装してビアの信頼性の検査ができる。このため、信頼性の検査のためにＩＣチップを実装する必要が無い。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図

【図2】本発明の実施形態の応用例に係るプリント配線板の断面図

【発明を実施するための形態】

【0008】

図１は、本発明の実施形態に係る信頼性試験専用のプリント配線板１０の断面図である。プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０と、コア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている第１ビルドアップ層ＢＦと、コア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている第２ビルドアップ層ＢＳと、とを有する。

【0009】

コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア層２０とコア層２０の第１面Ｆ上に形成されている第３導体層３４Ｆとコア層２０の第２面Ｓ上に形成されている第４導体層３４Ｓを有する。コア基板３０は、さらに、コア層２０を貫通するスルーホール導体３６を有する。第３導体層３４Ｆと第４導体層３４Ｓはスルーホール導体３６を介して接続されている。

【0010】

第１ビルドアップ層ＢＦは、コア基板３０の第１面Ｆと第３導体層３４Ｆ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ａと、第１樹脂絶縁層５０Ａ上に形成されている第１導体層５８Ａと、第１樹脂絶縁層５０Ａを貫通し、第３導体層３４Ｆに接続する第１ビア導体６０Ａを有する。第１ビア導体６０Ａは、上層の第１ビア導体６０Ｂにスタックされる第１ビア導体６０Ａｓを含む。

【0011】

第１ビルドアップ層ＢＦは、更に、第１樹脂絶縁層５０Ａと第１導体層５８Ａ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｂと、第１樹脂絶縁層５０Ｂ上に形成されている第１導体層５８Ｂと、第１樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し、第１導体層５８Ａに接続する第１ビア導体６０Ｂを有する。第１ビア導体６０Ｂは、上層の第１ビア導体６０Ｃにスタックされる第１ビア導体６０Ｂｓを含む。

【0012】

第１ビルドアップ層ＢＦは、更に、第１樹脂絶縁層５０Ｂと第１導体層５８Ｂ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｃと、第１樹脂絶縁層５０Ｃ上に形成されている第１導体層５８Ｃと、第１樹脂絶縁層５０Ｃを貫通し、第１導体層５８Ｂに接続する第１ビア導体６０Ｃを有する。第１ビア導体６０Ｃは、上層の第１ビア導体６０Ｄにスタックされる第１ビア導体６０Ｃｓを含む。

【0013】

第１ビルドアップ層ＢＦは、更に、第１樹脂絶縁層５０Ｃと第１導体層５８Ｃ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｄと、第１樹脂絶縁層５０Ｄ上に形成されている第１導体層５８Ｄと、第１樹脂絶縁層５０Ｄを貫通し、第１導体層５８Ｃに接続する第１ビア導体６０Ｄを有する。第１ビア導体６０Ｄは、上層の第１ビア導体６０Ｅにスタックされる第１ビア導体６０Ｄｓを含む。

【0014】

第１ビルドアップ層ＢＦは、更に、第１樹脂絶縁層５０Ｄと第１導体層５８Ｄ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｅと、第１樹脂絶縁層５０Ｅ上に形成されている第１導体層５８Ｅと、第１樹脂絶縁層５０Ｅを貫通し、第１導体層５８Ｄに接続する第１ビア導体６０Ｅを有する。第１ビア導体６０Ｅは、上層の第１ビア導体６０Ｆにスタックされる第１ビア導体６０Ｅｓを含む。

【0015】

第１ビルドアップ層ＢＦは、更に、第１樹脂絶縁層５０Ｅと第１導体層５８Ｅ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている第１導体層５８Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通し、第１導体層５８Ｅに接続する第１ビア導体６０Ｆを有する。第１ビア導体６０Ｆは、上層の第１ビア導体６０Ｇにスタックされる第１ビア導体６０Ｆｓを含む。

【0016】

第１ビルドアップ層ＢＦは、更に、第１樹脂絶縁層５０Ｆと第１導体層５８Ｆ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｇと、第１樹脂絶縁層５０Ｇ上に形成されている第１導体層５８Ｇと、第１樹脂絶縁層５０Ｇを貫通し、第１導体層５８Ｆに接続する第１ビア導体６０Ｇを有する。第１ビア導体６０Ｇは、上層の第１ビア導体６０Ｈにスタックされる第１ビア導体６０Ｇｓを含む。

【0017】

第１ビルドアップ層ＢＦは、更に、第１樹脂絶縁層５０Ｇと第１導体層５８Ｇ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｈと、第１樹脂絶縁層５０Ｈ上に形成されている第１導体層５８Ｈと、第１樹脂絶縁層５０Ｈを貫通し、第１導体層５８Ｇに接続する第１ビア導体６０Ｈを有する。第１ビア導体６０Ｈは、下層の第１ビア導体６０Ｇにスタックする第１ビア導体６０Ｈｓを含む。第１ビア導体６０Ｈには、ビアランド６０ＨＲが設けられている。第１導体層５８Ｈは、２つのビアランド６０ＨＲを接続する接続配線５８ＨＣを含む。ビアランド６０ＨＲは第１導体層５８Ｈに含まれる。第１導体層５８Ｈは、プリント配線板１０の最上面ＦＦ上に形成されている。端子を構成するビアランド６０ＨＲ上には、半田バンプ７８が設けられている。

【0018】

第２ビルドアップ層ＢＳは、コア基板３０の第２面Ｓと第４導体層３４Ｓ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｉと、第２樹脂絶縁層５０Ｉ上に形成されている第２導体層５８Ｉと、第２樹脂絶縁層５０Ｉを貫通し、第４導体層３４Ｓに接続する第２ビア導体６０Ｉを有する。第２ビア導体６０Ｉは、上層の第２ビア導体６０Ｊにスタックされる第２ビア導体６０Ｉｓを含む。

【0019】

第２ビルドアップ層ＢＳは、更に、第２樹脂絶縁層５０Ｉと第２導体層５８Ｉ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｊと、第２樹脂絶縁層５０Ｊ上に形成されている第２導体層５８Ｊと、第２樹脂絶縁層５０Ｊを貫通し、第２導体層５８Ｉに接続する第２ビア導体６０Ｊを有する。第２ビア導体６０Ｊは、上層の第２ビア導体６０Ｋにスタックされる第２ビア導体６０Ｊｓを含む。

【0020】

第２ビルドアップ層ＢＳは、更に、第２樹脂絶縁層５０Ｊと第２導体層５８Ｊ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｋと、第２樹脂絶縁層５０Ｋ上に形成されている第２導体層５８Ｋと、第２樹脂絶縁層５０Ｋを貫通し、第２導体層５８Ｊに接続する第２ビア導体６０Ｋを有する。第２ビア導体６０Ｋは、上層の第２ビア導体６０Ｌにスタックされる第２ビア導体６０Ｋｓを含む。

【0021】

第２ビルドアップ層ＢＳは、更に、第２樹脂絶縁層５０Ｋと第２導体層５８Ｋ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｌと、第２樹脂絶縁層５０Ｌ上に形成されている第２導体層５８Ｌと、第２樹脂絶縁層５０Ｌを貫通し、第２導体層５８Ｋに接続する第２ビア導体６０Ｌを有する。第２ビア導体６０Ｌは、上層の第２ビア導体６０Ｍにスタックされる第２ビア導体６０Ｌｓを含む。

【0022】

第２ビルドアップ層ＢＳは、更に、第２樹脂絶縁層５０Ｌと第２導体層５８Ｌ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｍと、第２樹脂絶縁層５０Ｍ上に形成されている第２導体層５８Ｍと、第２樹脂絶縁層５０Ｍを貫通し、第２導体層５８Ｌに接続する第２ビア導体６０Ｍを有する。第２ビア導体６０Ｍは、上層の第２ビア導体６０Ｎにスタックされる第２ビア導体６０Ｍｓを含む。

【0023】

第２ビルドアップ層ＢＳは、更に、第２樹脂絶縁層５０Ｍと第２導体層５８Ｍ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｎと、第２樹脂絶縁層５０Ｎ上に形成されている第２導体層５８Ｎと、第２樹脂絶縁層５０Ｎを貫通し、第２導体層５８Ｍに接続する第２ビア導体６０Ｎを有する。第２ビア導体６０Ｎは、上層の第２ビア導体６０Ｏにスタックされる第２ビア導体６０Ｎｓを含む。

【0024】

第２ビルドアップ層ＢＳは、更に、第２樹脂絶縁層５０Ｎと第２導体層５８Ｎ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｏと、第２樹脂絶縁層５０Ｏ上に形成されている第２導体層５８Ｏと、第２樹脂絶縁層５０Ｏを貫通し、第２導体層５８Ｎに接続する第２ビア導体６０Ｏを有する。第２ビア導体６０Ｏは、上層の第２ビア導体６０Ｐにスタックされる第２ビア導体６０Ｏｓを含む。

【0025】

第２ビルドアップ層ＢＳは、更に、第２樹脂絶縁層５０Ｏと第２導体層５８Ｏ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｐと、第２樹脂絶縁層５０Ｐ上に形成されている第２導体層５８Ｐと、第２樹脂絶縁層５０Ｐを貫通し、第２導体層５８Ｏに接続する第２ビア導体６０Ｐを有する。第２ビア導体６０Ｐは、下層の第２ビア導体６０Ｏにスタックする第２ビア導体６０Ｐｓを含む。第２ビア導体６０Ｐには、ビアランド６０ＰＲが設けられている。ビアランド６０ＰＲは第２導体層５８Ｐに含まれる。第２導体層５８Ｐは、プリント配線板の最下面ＳＳ上に形成されている。

【0026】

図２は、実施形態のプリント配線板１０にダミー基板１１０が実装された断面図である。ダミー基板１１０は、ガラス板から成り、下面にダミーのパッド１１２が設けられている。ダミー基板１１０には、配線が設けられていない。パッド１１２は、配線に接続されず、個々独立して配置されている。ダミー基板１１０は、プリント配線板１０の半田バンプ７８に、パッド１１２を介して実装される。ダミー基板１１０を構成するガラス板の熱膨張係数は実装が予定されるＩＣチップの熱膨張係数と近似するように調整されている。

【0027】

図２に示すダミー基板１１０が実装されたプリント配線板１０について、ヒートサイクル試験が行われ、その前後における導通試験が行われた。
ヒートサイクル試験では、－６５℃で３分間および１３０℃で３分間放置するサイクルが１０００サイクル繰り返された。

【0028】

プリント配線板１０の第２ビルドアップ層ＢＳの最外層の第２導体層５８Ｐの図中の第１ポイントＰ１、第２ポイントＰ２に検査装置の図示されない抵抗測定用プローブが当てられる。第１ポイントＰ１と第２ポイントＰ２と間の抵抗が測定される。即ち、第１ポイントＰ１のビアランド６０ＰＲ、第２ビルドアップ層ＢＳの８段のスタックドビアである第２ビア導体６０Ｐｓ、６０Ｏｓ、６０Ｎｓ、６０Ｍｓ、６０Ｌｓ、６０Ｋｓ、６０Ｊｓ、６０Ｉｓ、スルーホール導体３６、第１ビルドアップ層ＢＦの８段のスタックドビアである第１ビア導体６０Ａｓ、６０Ｂｓ、６０Ｃｓ、６０Ｄｓ、６０Ｅｓ、６０Ｆｓ、６０Ｇｓ、６０Ｈｓ、ビアランド６０ＨＲ、接続配線５８ＨＣ、ビアランド６０ＨＲ、第１ビルドアップ層ＢＦの８段のスタックドビアである第１ビア導体６０Ｈｓ、６０Ｇｓ、６０Ｆｓ、６０Ｅｓ、６０Ｄｓ、６０Ｃｓ、６０Ｂｓ、６０Ａｓ、スルーホール導体３６、第２ビルドアップ層ＢＳの８段のスタックドビアである第２ビア導体６０Ｉｓ、６０Ｊｓ、６０Ｋｓ、６０Ｌｓ、６０Ｍｓ、６０Ｎｓ、６０Ｏｓ、６０Ｐｓ、第２ポイントＰ２のビアランド６０ＰＲの抵抗が測定される。抵抗の測定はヒートサイクル試験の前後で行われ、ヒートサイクル試験の前後で抵抗値が変化するか否かにより、８段のスタックドビア６６Ｆ、６６Ｓの信頼性が試験された。

【0029】

第３ポイントＰ３と第４ポイントＰ４と間の抵抗が測定される。即ち、第３ポイントＰ３のビアランド６０ＰＲ、第２ビア導体６０Ｐ、第２ビルドアップ層ＢＳの７段のスタックドビアである第２ビア導体６０Ｏｓ、６０Ｎｓ、６０Ｍｓ、６０Ｌｓ、６０Ｋｓ、６０Ｊｓ、６０Ｉｓ、スルーホール導体３６、第１ビルドアップ層ＢＦの７段のスタックドビアである第１ビア導体６０Ａｓ、６０Ｂｓ、６０Ｃｓ、６０Ｄｓ、６０Ｅｓ、６０Ｆｓ、６０Ｇｓ、第１ビア導体６０Ｈ、ビアランド６０ＨＲ、接続配線５８ＨＣ、ビアランド６０ＨＲ、第１ビア導体６０Ｈ、第１ビルドアップ層ＢＦの７段のスタックドビアである第１ビア導体６０Ｇｓ、６０Ｆｓ、６０Ｅｓ、６０Ｄｓ、６０Ｃｓ、６０Ｂｓ、６０Ａｓ、スルーホール導体３６、第２ビルドアップ層ＢＳの７段のスタックドビアである第２ビア導体６０Ｉｓ、６０Ｊｓ、６０Ｋｓ、６０Ｌｓ、６０Ｍｓ、６０Ｎｓ、６０Ｏｓ、第２ビア導体６０Ｐ、第４ポイントＰ４のビアランド６０ＰＲの抵抗が測定される。抵抗の測定はヒートサイクル試験の前後で行われ、ヒートサイクル試験の前後で抵抗値が変化するか否かにより、７段のスタックドビアの信頼性が試験された。

【0030】

実施形態のプリント配線板の検査方法によれば、プリント配線板１０の最上面ＦＦに電子部品実装用のビアランド６０ＨＲと特定のビアランド６０ＨＲを接続する接続配線５８ＨＣが設けられている。接続配線５８ＨＣでビアランド６０ＨＲ間が接続されているため、配線を備えないダミー基板１１０を実装してビアの信頼性の検査ができる。このため、信頼性の検査のためにＩＣチップを実装する必要が無い。

【符号の説明】

【0031】

１０ プリント配線板
３０ コア基板
３６ スルーホール導体
５０Ａ 第１樹脂絶縁層
５８Ａ 第１導体層
５８ＨＣ 接続配線
６０ＨＲ ビアランド（端子）
６０Ａ 第１ビア導体
５０Ｉ 第２樹脂絶縁層
５８Ｉ 第２導体層
６０Ｉ 第２ビア導体

【図1】

【図2】