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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022120438
(43)【公開日】2022-08-18
(54)【発明の名称】側結合型バンドパスフィルタ回路
(51)【国際特許分類】
H01P 1/203 20060101AFI20220810BHJP
H01P 1/205 20060101ALI20220810BHJP
【ＦＩ】
H01P1/203
H01P1/205 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021017336
(22)【出願日】2021-02-05
(71)【出願人】
【識別番号】000232483
【氏名又は名称】日本電波工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001014
【氏名又は名称】弁理士法人東京アルパ特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】恩塚 辰典
【テーマコード（参考）】
5J006
【Ｆターム（参考）】
5J006HB03
5J006HB12
5J006HB14
5J006JA01
5J006JA13
5J006LA02
5J006NA08
(57)【要約】
【課題】マイクロストリップ線路によって構成された側結合型バンドパスフィルタ回路において、少ない段数で高い急峻度を得る。
【解決手段】第一の線路３１は、線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が入力線路１１の端部に連結されている。中間共振線路１５は、線路長が略二分の一波長であり、第一及び第二の端部が開放されている。第二の線路４１は、線路長が略四分の一波長であり、第二の端部が出力線路１２の端部に連結されている。第一の線路３１と、第二の線路４１とは、第一の線路３１の第一の端部と第二の線路４１の第二の端部とが同じ側になるよう、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合している。
【選択図】図１０
【解決手段】第一の線路３１は、線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が入力線路１１の端部に連結されている。中間共振線路１５は、線路長が略二分の一波長であり、第一及び第二の端部が開放されている。第二の線路４１は、線路長が略四分の一波長であり、第二の端部が出力線路１２の端部に連結されている。第一の線路３１と、第二の線路４１とは、第一の線路３１の第一の端部と第二の線路４１の第二の端部とが同じ側になるよう、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合している。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
マイクロストリップ線路によって構成された側結合型バンドパスフィルタ回路において、
線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が入力線路の端部に連結された第一の線路と、
線路長が略二分の一波長であり、第一及び第二の端部が開放された一以上の中間共振線路と、
線路長が略四分の一波長であり、第二の端部が出力線路の端部に連結された第二の線路と
を備え、
第一の前記線路と、第二の前記線路とは、第一の前記線路の第一の前記端部と第二の前記線路の第二の前記端部とが同じ側になるよう、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合している、
側結合型バンドパスフィルタ回路。
線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が入力線路の端部に連結された第一の線路と、
線路長が略二分の一波長であり、第一及び第二の端部が開放された一以上の中間共振線路と、
線路長が略四分の一波長であり、第二の端部が出力線路の端部に連結された第二の線路と
を備え、
第一の前記線路と、第二の前記線路とは、第一の前記線路の第一の前記端部と第二の前記線路の第二の前記端部とが同じ側になるよう、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合している、
側結合型バンドパスフィルタ回路。
【請求項2】
線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が前記第一の線路の第二の端部に連結され、第二の端部が開放された第一の側結合線路と、
線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が開放され、第二の端部が前記第二の線路の第一の端部に連結された第二の側結合線路と
を更に備え、
第一の前記線路は、特性インピーダンスが前記入力線路よりも小さく、
第二の前記線路は、特性インピーダンスが前記出力線路よりも小さく、
それぞれの前記中間共振線路は、
第一の前記端部から所定の線路長にわたって延びた入力側側結合線路を有し、
第二の前記端部から所定の線路長にわたって延びた出力側側結合線路を有し、
第一の前記側結合線路と、前記中間共振線路のうちの一つの前記入力側側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合し、
前記中間共振線路のうちの一つの前記出力側側結合線路と、第二の前記側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合している、
請求項１の側結合型バンドパスフィルタ回路。
線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が開放され、第二の端部が前記第二の線路の第一の端部に連結された第二の側結合線路と
を更に備え、
第一の前記線路は、特性インピーダンスが前記入力線路よりも小さく、
第二の前記線路は、特性インピーダンスが前記出力線路よりも小さく、
それぞれの前記中間共振線路は、
第一の前記端部から所定の線路長にわたって延びた入力側側結合線路を有し、
第二の前記端部から所定の線路長にわたって延びた出力側側結合線路を有し、
第一の前記側結合線路と、前記中間共振線路のうちの一つの前記入力側側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合し、
前記中間共振線路のうちの一つの前記出力側側結合線路と、第二の前記側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合している、
請求項１の側結合型バンドパスフィルタ回路。
【請求項3】
前記第一の線路は、第二の端部が開放され、
前記第二の線路は、第一の端部が開放され、
それぞれの前記中間共振線路は、
第一の前記端部から所定の線路長にわたって延びた入力側側結合線路を有し、
第二の前記端部から所定の線路長にわたって延びた出力側側結合線路を有し、
第一の前記線路と、前記中間共振線路のうちの一つの前記入力側側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合し、
前記中間共振線路のうちの一つの前記出力側側結合線路と、第二の前記線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合している、
請求項１の側結合型バンドパスフィルタ回路。
前記第二の線路は、第一の端部が開放され、
それぞれの前記中間共振線路は、
第一の前記端部から所定の線路長にわたって延びた入力側側結合線路を有し、
第二の前記端部から所定の線路長にわたって延びた出力側側結合線路を有し、
第一の前記線路と、前記中間共振線路のうちの一つの前記入力側側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合し、
前記中間共振線路のうちの一つの前記出力側側結合線路と、第二の前記線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合している、
請求項１の側結合型バンドパスフィルタ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マイクロストリップ線路によって構成された側結合型バンドパスフィルタ回路に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１の図１３には、側結合型バンドパスフィルタが開示されている。このフィルタは、基板の表面において両端の入出力部の間に、通過帯域の約１／２波長の長さの線路を、通過帯域の約１／４波長分が結合するようにして並べた構造を有し、この基板の裏面には接地面が形成されている。なお、「側結合」とは、このように、二本の線路が幅方向に離間して互いに平行に配置され、磁界結合している状態のことである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００４－３２０５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
側結合型バンドパスフィルタにおいて、共振線路の段数を増やせば、通過帯域と阻止帯域との間の境界における急峻度を上げることができる。しかし、段数を増やすと、通過損失が大きくなる。
本発明は、例えばこのような課題を解決することを目的とする。
本発明は、例えばこのような課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
マイクロストリップ線路によって構成された側結合型バンドパスフィルタ回路は、線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が入力線路の端部に連結された第一の線路と、線路長が略二分の一波長であり、第一及び第二の端部が開放された一以上の中間共振線路と、線路長が略四分の一波長であり、第二の端部が出力線路の端部に連結された第二の線路とを備える。第一の前記線路と、第二の前記線路とは、第一の前記線路の第一の前記端部と第二の前記線路の第二の前記端部とが同じ側になるよう、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合している。
それぞれの前記中間共振線路は、第一の前記端部から所定の線路長にわたって延びた入力側側結合線路を有してもよく、第二の前記端部から所定の線路長にわたって延びた出力側側結合線路を有してもよい。
前記側結合型バンドパスフィルタ回路は、線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が前記第一の線路の第二の端部に連結され、第二の端部が開放された第一の側結合線路と、線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が開放され、第二の端部が前記第二の線路の第一の端部に連結された第二の側結合線路とを更に備えてもよい。第一の前記線路は、特性インピーダンスが前記入力線路よりも小さくてもよい。第二の前記線路は、特性インピーダンスが前記出力線路よりも小さくてもよい。第一の前記側結合線路と、前記中間共振線路のうちの一つの前記入力側側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合していてもよい。前記中間共振線路のうちの一つの前記出力側側結合線路と、第二の前記側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合していてもよい。
前記第一の線路は、第二の端部が開放されていてもよい。前記第二の線路は、第一の端部が開放されていてもよい。第一の前記線路と、前記中間共振線路のうちの一つの前記入力側側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合していてもよい。前記中間共振線路のうちの一つの前記出力側側結合線路と、第二の前記線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合していてもよい。
それぞれの前記中間共振線路は、第一の前記端部から所定の線路長にわたって延びた入力側側結合線路を有してもよく、第二の前記端部から所定の線路長にわたって延びた出力側側結合線路を有してもよい。
前記側結合型バンドパスフィルタ回路は、線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が前記第一の線路の第二の端部に連結され、第二の端部が開放された第一の側結合線路と、線路長が略四分の一波長であり、第一の端部が開放され、第二の端部が前記第二の線路の第一の端部に連結された第二の側結合線路とを更に備えてもよい。第一の前記線路は、特性インピーダンスが前記入力線路よりも小さくてもよい。第二の前記線路は、特性インピーダンスが前記出力線路よりも小さくてもよい。第一の前記側結合線路と、前記中間共振線路のうちの一つの前記入力側側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合していてもよい。前記中間共振線路のうちの一つの前記出力側側結合線路と、第二の前記側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合していてもよい。
前記第一の線路は、第二の端部が開放されていてもよい。前記第二の線路は、第一の端部が開放されていてもよい。第一の前記線路と、前記中間共振線路のうちの一つの前記入力側側結合線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合していてもよい。前記中間共振線路のうちの一つの前記出力側側結合線路と、第二の前記線路とは、幅方向に離間して互いに平行に配置され磁界結合していてもよい。
【発明の効果】
【0006】
第一の線路と第二の線路とが逆向きに磁界結合しているので、阻止帯域に極が発生し、これにより、少ない段数で高い急峻度を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図2】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図3】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図4】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図5】側結合型バンドパスフィルタ回路の周波数特性の一例を示す図。
【図6】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図7】側結合型バンドパスフィルタ回路の周波数特性の一例を示す図。
【図8】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図9】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図10】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図11】側結合型バンドパスフィルタ回路の周波数特性の一例を示す図。
【図12】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図13】側結合型バンドパスフィルタ回路の周波数特性の一例を示す図。
【図14】側結合型バンドパスフィルタ回路の周波数特性の一例を示す図。
【図15】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【図16】側結合型バンドパスフィルタ回路の回路パターンの一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
図１に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａは、例えば誘電体基板の一方の面にエッチングなどによって形成された導電体パターン（すなわち、マイクロストリップ線路）によって構成されている。前記誘電体基板の他方の面には、例えば全面に導電体層が形成されている。
【0009】
前記側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａは、例えば、入力線路１１と、出力線路１２と、入力側共振線路１３と、出力側共振線路１４とを備える。
入力線路１１は、特性インピーダンスが例えば５０Ω（オーム）のマイクロストリップ線路であり、一方の端部（図示せず）が例えば信号源回路（図示せず）に接続される。
出力線路１２は、特性インピーダンスが例えば５０Ωのマイクロストリップ線路であり、一方の端部（図示せず）が例えば負荷回路（図示せず）に接続される。
入力線路１１は、特性インピーダンスが例えば５０Ω（オーム）のマイクロストリップ線路であり、一方の端部（図示せず）が例えば信号源回路（図示せず）に接続される。
出力線路１２は、特性インピーダンスが例えば５０Ωのマイクロストリップ線路であり、一方の端部（図示せず）が例えば負荷回路（図示せず）に接続される。
【0010】
入力側の共振線路１３は、長さ（線路長）が、バンドパスフィルタ回路の通過帯域の中心周波数ｆ（例えば３８ＧＨｚ）の波長λ（例えば約３．７ｍｍ）の約二分の一（例えば約１．８ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。これにより、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するように構成されている。
共振線路１３は、入力側（第一）の端部が、入力線路１１の他方の端部に連結され、出力側（第二）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
共振線路１３は、入力側（第一）の端部が、入力線路１１の他方の端部に連結され、出力側（第二）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
【0011】
共振線路１３は、低インピーダンス線路３１と、側結合線路３３とを有する。
低インピーダンス線路３１は、共振線路１３の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。低インピーダンス線路３１は、入力線路１１よりも幅が広く（例えば入力線路１１の幅の３倍）、特性インピーダンスが低い（例えば１０Ω）。
側結合線路３３は、共振線路１３の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。側結合線路３３は、低インピーダンス線路３１よりも幅が狭く（例えば入力線路１１の幅の二分の一）、特性インピーダンスが高い（例えば１００Ω）。
低インピーダンス線路３１は、共振線路１３の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。低インピーダンス線路３１は、入力線路１１よりも幅が広く（例えば入力線路１１の幅の３倍）、特性インピーダンスが低い（例えば１０Ω）。
側結合線路３３は、共振線路１３の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。側結合線路３３は、低インピーダンス線路３１よりも幅が狭く（例えば入力線路１１の幅の二分の一）、特性インピーダンスが高い（例えば１００Ω）。
【0012】
低インピーダンス線路３１と側結合線路３３との間の境界で反射が発生し、側結合線路３３の線路長が波長λの約四分の一なので、側結合線路３３が前記中心周波数ｆに近い周波数で共振する。側結合線路３３が直接入力線路１１に連結している場合と比較すると、特性インピーダンスの差が大きい分、反射が大きいので、Ｑ値が高くなる。更に、側結合線路３３から低インピーダンス線路３１へ透過した信号の一部は、入力線路１１と低インピーダンス線路３１との間の境界で反射し、共振線路１３の線路長が波長ｆの約二分の一なので、共振線路１３全体でも前記中心周波数ｆに近い周波数で共振する。これにより、高いＱ値を実現することができる。
【0013】
出力側の共振線路１４は、長さ（線路長）が前記波長λの約二分の一（例えば約１．８ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。これにより、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するように構成されている。
共振線路１４は、出力側（第二）の端部が、出力線路１２の他方の端部に連結され、入力側（第一）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
共振線路１４は、出力側（第二）の端部が、出力線路１２の他方の端部に連結され、入力側（第一）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
【0014】
共振線路１４は、低インピーダンス線路４１と、側結合線路４２とを有する。
低インピーダンス線路４１は、共振線路１４の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。低インピーダンス線路４１は、出力線路１２よりも幅が広く（例えば出力線路１２の幅の３倍）、特性インピーダンスが低い（例えば１０Ω）。
側結合線路４２は、共振線路１４の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。側結合線路４２は、低インピーダンス線路４１よりも幅が狭く（例えば出力線路１２の幅の二分の一）、特性インピーダンスが高い（例えば１００Ω）。
低インピーダンス線路４１は、共振線路１４の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。低インピーダンス線路４１は、出力線路１２よりも幅が広く（例えば出力線路１２の幅の３倍）、特性インピーダンスが低い（例えば１０Ω）。
側結合線路４２は、共振線路１４の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。側結合線路４２は、低インピーダンス線路４１よりも幅が狭く（例えば出力線路１２の幅の二分の一）、特性インピーダンスが高い（例えば１００Ω）。
【0015】
側結合線路４２と低インピーダンス線路４１との間の境界で反射が発生し、側結合線路４２の線路長が波長λの約四分の一なので、側結合線路４２が前記中心周波数ｆに近い周波数で共振する。側結合線路４２が直接出力線路１２に連結している場合と比較すると、特性インピーダンスの差が大きい分、反射が大きいので、Ｑ値が高くなる。更に、側結合線路４２から低インピーダンス線路４１へ透過した信号の一部は、低インピーダンス線路４１と出力線路１２との間の境界で反射し、共振線路１４の線路長が波長ｆの約二分の一なので、共振線路１４全体でも前記中心周波数ｆに近い周波数で共振する。これにより、高いＱ値を実現することができる。
【0016】
共振線路１３の側結合線路３３と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路３３と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
【0017】
以上のように構成することにより、従来の二段側結合型バンドパスフィルタ回路と同様の回路特性を得ることができる。従来の側結合型バンドパスフィルタ回路と異なり、電流により、入力線路１１から入力側共振線路１３へエネルギーを伝達するので、入力線路１１と入力側共振線路１３との間にギャップがない。同様に、電流により、出力側共振線路１４から出力線路１２へエネルギーを伝達するので、出力側共振線路１４と出力線路１２との間にもギャップがない。したがって、幅が１００μｍ未満のギャップを設ける必要がなく、容易に製造することができる。また、線路にそのようなギャップを介して結合する部分を設ける必要もないので、幅が１００μｍ未満の線路を設ける必要もなく、容易に製造することができる。
また、このように設計上の線路幅やギャップ幅が１００μｍ以上なので、製造誤差の影響が小さくなり、設計どおりの特性を有する回路を容易に製造することができる。
また、このように設計上の線路幅やギャップ幅が１００μｍ以上なので、製造誤差の影響が小さくなり、設計どおりの特性を有する回路を容易に製造することができる。
【0018】
図２に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｚは、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａと同様、入力線路１１と共振線路１３とが連結している。ただし、入力線路１１の端部が共振線路１３に連結している位置が、共振線路１３の端部ではなく、中間部分である点が異なる。同様に、出力線路１２と共振線路１４とも連結しているが、出力線路１２の端部が共振線路１４に連結している位置が、共振線路１４の端部ではなく、中間部分である。
このような構成としても、幅が１００μｍ未満のギャップを設けることなく、従来の二段側結合型バンドパスフィルタ回路と同様の回路特性を得ることができる。しかし、入力線路１１を共振線路１３に連結する位置、及び、出力線路１２を共振線路１４に連結する位置の決定が難しく、設計どおりの特性を実現することが難しい。
このような構成としても、幅が１００μｍ未満のギャップを設けることなく、従来の二段側結合型バンドパスフィルタ回路と同様の回路特性を得ることができる。しかし、入力線路１１を共振線路１３に連結する位置、及び、出力線路１２を共振線路１４に連結する位置の決定が難しく、設計どおりの特性を実現することが難しい。
【0019】
これに対し、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａの構成であれば、入力線路１１を共振線路１３に連結する位置、及び、出力線路１２を共振線路１４に連結する位置を調整する必要がないので、設計どおりの特性を容易に実現することができる。
【0020】
図３に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂは、前述した側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａに、更に、中間共振線路１５を加えたものである。入力側共振線路１３と出力側共振線路１４とは、直接結合せず、共振線路１５を介して結合している。
中間の共振線路１５は、長さ（線路長）が前記波長λの約二分の一（例えば約１．８ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。これにより、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するように構成されている。
共振線路１５は、孤立した線路であり、入力側（第一）及び出力側（第二）の端部が両方とも開放されている。
中間の共振線路１５は、長さ（線路長）が前記波長λの約二分の一（例えば約１．８ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。これにより、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するように構成されている。
共振線路１５は、孤立した線路であり、入力側（第一）及び出力側（第二）の端部が両方とも開放されている。
【0021】
共振線路１５は、二つの側結合線路５２，５３を有する。
側結合線路５２は、共振線路１５の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
側結合線路５３は、共振線路１５の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
側結合線路５２は、共振線路１５の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
側結合線路５３は、共振線路１５の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
【0022】
共振線路１３の側結合線路３３と、共振線路１５の側結合線路５２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路３３と側結合線路５２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
また、共振線路１５の側結合線路５３と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路５３と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
また、共振線路１５の側結合線路５３と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路５３と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
【0023】
以上のように構成することにより、従来の三段側結合型バンドパスフィルタ回路と同様の回路特性を得ることができるとともに、幅が１００μｍ未満のギャップや線路を設ける必要がなく、容易に製造することができる。
【0024】
図４に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｃは、前述した側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂに、更に、中間共振線路１６を加えたものである。中間共振線路１５と出力側共振線路１４とは、直接結合せず、共振線路１６を介して結合している。
中間の共振線路１６は、長さ（線路長）が前記波長λの約二分の一（例えば約１．８ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。これにより、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するように構成されている。
共振線路１６は、孤立した線路であり、入力側（第一）及び出力側（第二）の端部が両方とも開放されている。
中間の共振線路１６は、長さ（線路長）が前記波長λの約二分の一（例えば約１．８ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。これにより、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するように構成されている。
共振線路１６は、孤立した線路であり、入力側（第一）及び出力側（第二）の端部が両方とも開放されている。
【0025】
共振線路１６は、二つの側結合線路６２及び６３を有する。
側結合線路６２は、共振線路１６の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
側結合線路６３は、共振線路１６の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
側結合線路６２は、共振線路１６の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
側結合線路６３は、共振線路１６の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
【0026】
共振線路１５の側結合線路５３と、共振線路１６の側結合線路６２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路５３と側結合線路６２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
また、共振線路１６の側結合線路６３と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路６３と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
また、共振線路１６の側結合線路６３と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路６３と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
【0027】
以上のように構成することにより、従来の四段側結合型バンドパスフィルタ回路と同様の回路特性を得ることができるとともに、幅が１００μｍ未満のギャップや線路を設ける必要がなく、容易に製造することができる。
【0028】
図５は、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａ～１０Ｃの周波数特性の比較を示す。
透過特性９２Ａ～９２Ｃを比較すると、通過帯域９３では、いずれも、ほぼ０ｄＢであるが、遷移域における減衰傾度が異なる。すなわち、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａは、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂよりも減衰傾度が小さく、逆に、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｃは、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂよりも減衰傾度が大きい。すなわち、段数が増えるほど、減衰傾度が大きくなる。
反射特性９１Ａ～９１Ｃを比較すると、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａは、遷移域における減衰が側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂよりも大きく、逆に、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｃは、遷移域における減衰が側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂよりも小さい。
このように、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａ～１０Ｃは、従来の側結合型バンドパスフィルタ回路と同様、段数によって遷移域における減衰が異なるので、必要とされる減衰量に基づいて、段数を決定することができる。
透過特性９２Ａ～９２Ｃを比較すると、通過帯域９３では、いずれも、ほぼ０ｄＢであるが、遷移域における減衰傾度が異なる。すなわち、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａは、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂよりも減衰傾度が小さく、逆に、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｃは、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂよりも減衰傾度が大きい。すなわち、段数が増えるほど、減衰傾度が大きくなる。
反射特性９１Ａ～９１Ｃを比較すると、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａは、遷移域における減衰が側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂよりも大きく、逆に、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｃは、遷移域における減衰が側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂよりも小さい。
このように、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ａ～１０Ｃは、従来の側結合型バンドパスフィルタ回路と同様、段数によって遷移域における減衰が異なるので、必要とされる減衰量に基づいて、段数を決定することができる。
【0029】
同様にして、もっと段数の多い側結合型バンドパスフィルタ回路を構成することも可能である。
【0030】
図６に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｄは、前述した側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂと類似しているので、異なる部分のみ説明する。
共振線路１３の側結合線路３３は、入力側の端部が低インピーダンス線路３１に連結し、そこから右側へ向けて延び、すぐに約９０度湾曲して下側へ向けて延びて、出力側の端部に至る。
同様に、共振線路１４の側結合線路４２は、出力側の端部が低インピーダンス線路４１に連結し、そこから左側へ向けて延び、すぐに約９０度湾曲して下側へ向けて延びて、入力側の端部に至る。
共振線路１３の側結合線路３３は、入力側の端部が低インピーダンス線路３１に連結し、そこから右側へ向けて延び、すぐに約９０度湾曲して下側へ向けて延びて、出力側の端部に至る。
同様に、共振線路１４の側結合線路４２は、出力側の端部が低インピーダンス線路４１に連結し、そこから左側へ向けて延び、すぐに約９０度湾曲して下側へ向けて延びて、入力側の端部に至る。
【0031】
共振線路１５は、側結合線路５４と、ランド５６とを有する。側結合線路５４は、長さ（線路長）が前記波長ｆの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。ランド５６は、誘電体基板を貫くビア５５の周りに設けられ、ビア５５を介して誘電体基板の裏側に設けられた導電体層に連結されている。ランド５６の径は、例えばビア５５の径の１．５倍以上である。側結合線路５４は、下側（第二）の端部がランド５６に連結され（すなわち短絡され）、上側（第一）の端部が開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。これにより、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するように構成されている。
【0032】
共振線路１３の側結合線路３３と、共振線路１５の側結合線路５４とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路３３と側結合線路５４とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
また、共振線路１５の側結合線路５４と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路５４と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
これにより、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｄは、三段側結合型バンドパスフィルタ回路として動作する。
また、共振線路１５の側結合線路５４と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路５４と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
これにより、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｄは、三段側結合型バンドパスフィルタ回路として動作する。
【0033】
図７は、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂと側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｄとの周波数特性の比較を示す。
側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂの共振線路１５は、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するだけでなく、前記中心周波数ｆの整数倍の周波数に近い周波数でも共振する。このため、反射特性９１Ｂ及び透過特性９２Ｂが示すように、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂは、前記中心周波数ｆに近い周波数の通過帯域９３だけでなく、前記中心周波数ｆの例えば二倍の周波数に近い周波数にも、信号が通過する帯域９３Ｂが存在する。
これに対し、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｄの共振線路１５は、前記中心周波数ｆの偶数倍の周波数に近い周波数では共振せず、前記中心周波数ｆの奇数倍の周波数に近い周波数でのみ共振する。したがって、反射特性９１Ｄ及び透過特性９２Ｄが示すように、前記中心周波数ｆの二倍の周波数に近い周波数には、信号が通過する帯域が存在しない。このため、設計上の通過帯域よりも高域側の阻止帯域における特性を改善することができる。
側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂの共振線路１５は、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するだけでなく、前記中心周波数ｆの整数倍の周波数に近い周波数でも共振する。このため、反射特性９１Ｂ及び透過特性９２Ｂが示すように、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂは、前記中心周波数ｆに近い周波数の通過帯域９３だけでなく、前記中心周波数ｆの例えば二倍の周波数に近い周波数にも、信号が通過する帯域９３Ｂが存在する。
これに対し、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｄの共振線路１５は、前記中心周波数ｆの偶数倍の周波数に近い周波数では共振せず、前記中心周波数ｆの奇数倍の周波数に近い周波数でのみ共振する。したがって、反射特性９１Ｄ及び透過特性９２Ｄが示すように、前記中心周波数ｆの二倍の周波数に近い周波数には、信号が通過する帯域が存在しない。このため、設計上の通過帯域よりも高域側の阻止帯域における特性を改善することができる。
【0034】
図８に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｅは、前述した側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｃと類似しているので、異なる部分のみ説明する。
共振線路１３の側結合線路３３は、入力側の端部が低インピーダンス線路３１の出力側の端部に連結している点は側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂと同様であるが、低インピーダンス線路３１の出力側の端部のうち、特に下側の端に連結している。
同様に、共振線路１４の側結合線路４２の出力側の端部が低インピーダンス線路４１の入力側の端部のうち、特に上側の端に連結している。
これにより、後述するランド５６及び６６を設けるのに必要なスペースを確保することができる。
共振線路１３の側結合線路３３は、入力側の端部が低インピーダンス線路３１の出力側の端部に連結している点は側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂと同様であるが、低インピーダンス線路３１の出力側の端部のうち、特に下側の端に連結している。
同様に、共振線路１４の側結合線路４２の出力側の端部が低インピーダンス線路４１の入力側の端部のうち、特に上側の端に連結している。
これにより、後述するランド５６及び６６を設けるのに必要なスペースを確保することができる。
【0035】
共振線路１５は、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｄと同様、側結合線路５４と、ランド５６とを有する。側結合線路５４は、長さ（線路長）が前記波長ｆの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。ランド５６は、誘電体基板を貫くビア５５の周りに設けられ、ビア５５を介して誘電体基板の裏側に設けられた導電体層に連結されている。ランド５６の径は、例えばビア５５の径の１．５倍以上である。側結合線路５４は、出力側（第二）の端部がランド５６に連結され（すなわち、短絡され）、入力側（第一）の端部が開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。これにより、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するように構成されている。
【0036】
同様に、共振線路１６は、側結合線路６４と、ランド６６とを有する。側結合線路６４は、長さ（線路長）が前記波長ｆの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。ランド６６は、誘電体基板を貫くビア６５の周りに設けられ、ビア６５を介して誘電体基板の裏側に設けられた導電体層に連結されている。ランド６６の径は、例えばビア６５の径の１．５倍以上である。側結合線路６４は、入力側（第二）の端部がランド６６に連結され（すなわち、短絡され）、出力側（第一）の端部が開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。これにより、前記中心周波数ｆに近い周波数で共振するように構成されている。
【0037】
共振線路１３の側結合線路３３と、共振線路１５の側結合線路５４とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路３３と側結合線路５４とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
また、共振線路１５の側結合線路５４と、共振線路１６の側結合線路６４とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路５４と側結合線路６４とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
共振線路１６の側結合線路６４と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路６４と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
これにより、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｅは、四段側結合型バンドパスフィルタ回路として動作する。
また、共振線路１５の側結合線路５４と、共振線路１６の側結合線路６４とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路５４と側結合線路６４とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
共振線路１６の側結合線路６４と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路６４と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
これにより、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｅは、四段側結合型バンドパスフィルタ回路として動作する。
【0038】
このように構成することにより、四段側結合型バンドパスフィルタ回路でも、高域側の阻止帯域における特性を改善することができる。
【0039】
また、同様にして、もっと段数の多い側結合型バンドパスフィルタ回路を構成することも可能である。
なお、中間の共振線路をすべて四分の一波長短絡型の共振線路とするのではなく、二分の一波長開放型の共振線路と混在させてもよい。
なお、中間の共振線路をすべて四分の一波長短絡型の共振線路とするのではなく、二分の一波長開放型の共振線路と混在させてもよい。
【0040】
図９に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｆは、前述した側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｅと類似しているので、異なる部分のみ説明する。
入力側の共振線路１３は、孤立していて、入力線路１１と連結していない。共振線路１３は、低インピーダンス線路３１を有さず、その代わりとして、側結合線路３２を有する。側結合線路３２は、共振線路１３の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
同様に、出力側の共振線路１４は、孤立していて、出力線路１２と連結していない。共振線路１４は、低インピーダンス線路４１を有さず、その代わりとして、側結合線路４３を有する。側結合線路４３は、共振線路１４の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
入力側の共振線路１３は、孤立していて、入力線路１１と連結していない。共振線路１３は、低インピーダンス線路３１を有さず、その代わりとして、側結合線路３２を有する。側結合線路３２は、共振線路１３の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
同様に、出力側の共振線路１４は、孤立していて、出力線路１２と連結していない。共振線路１４は、低インピーダンス線路４１を有さず、その代わりとして、側結合線路４３を有する。側結合線路４３は、共振線路１４の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
【0041】
側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｆは、更に、側結合線路１８及び１９を備える。
側結合線路１８は、長さ（線路長）が前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。
側結合線路１８は、入力側（第一）の端部が、入力線路１１の他方の端部に連結され、出力側（第二）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
側結合線路１９は、長さ（線路長）が前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。
側結合線路１９は、出力側（第二）の端部が、出力線路１２の他方の端部に連結され、入力側（第一）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
側結合線路１８は、長さ（線路長）が前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。
側結合線路１８は、入力側（第一）の端部が、入力線路１１の他方の端部に連結され、出力側（第二）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
側結合線路１９は、長さ（線路長）が前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。
側結合線路１９は、出力側（第二）の端部が、出力線路１２の他方の端部に連結され、入力側（第一）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
【0042】
入力線路１１に連結された側結合線路１８と、共振線路１３の側結合線路３２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路１８と側結合線路３２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
共振線路１４の側結合線路４３と、出力線路１２に連結された側結合線路１９とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路４３と側結合線路１９とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
共振線路１４の側結合線路４３と、出力線路１２に連結された側結合線路１９とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路４３と側結合線路１９とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
【0043】
このように構成することにより、低インピーダンス線路を設けることによる利点は失われるが、通過帯域の高域側における特性を改善することができる。
【0044】
図１０に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｇは、前述した側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂと類似しているので、異なる部分のみ説明する。
側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂは、図中左側に入力、右側に出力がある構成であったが、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｇは、中間で折り返して、入力・出力の両方が左側にある。
中間の共振線路１５は、略コ字状である。入力側の端部から右側へ向けて延び、側結合線路５２の途中で約９０度湾曲して下側へ向けて延びて、更に、側結合線路５３の途中で約９０度湾曲して左側へ向けて延び、出力側の端部に至る。
側結合線路５２のうち左右方向に延びている部分は、側結合線路３３の出力側の部分と幅方向に離間して互いに平行に配置されている。
側結合線路５３のうち左右方向に延びている部分は、側結合線路４２の入力側の部分とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。
側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｂは、図中左側に入力、右側に出力がある構成であったが、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｇは、中間で折り返して、入力・出力の両方が左側にある。
中間の共振線路１５は、略コ字状である。入力側の端部から右側へ向けて延び、側結合線路５２の途中で約９０度湾曲して下側へ向けて延びて、更に、側結合線路５３の途中で約９０度湾曲して左側へ向けて延び、出力側の端部に至る。
側結合線路５２のうち左右方向に延びている部分は、側結合線路３３の出力側の部分と幅方向に離間して互いに平行に配置されている。
側結合線路５３のうち左右方向に延びている部分は、側結合線路４２の入力側の部分とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。
【0045】
更に、共振線路１３の低インピーダンス線路３１と、共振線路１４の低インピーダンス線路４１とが、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。ここで、低インピーダンス線路３１の入力側端部と、低インピーダンス線路４１の出力側端部とが同じ側に配置されている。これにより、低インピーダンス線路３１と低インピーダンス線路４１とが逆向きに磁界結合し、エネルギーを伝達する。
【0046】
図１１に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｇの周波数特性において、反射特性９１Ｇは、通過帯域９３を除いてほぼ０ｄＢである。逆に、透過特性９２Ｇは、通過帯域９３においてほぼ０ｄＢであり、通過帯域９３よりも低域側の阻止帯域において、極９４が存在する。この極９４は、低インピーダンス線路３１と低インピーダンス線路４１とが逆向きに磁界結合していることにより発生したものである。これにより、急峻度が高くなるので、少ない段数で高い急峻度を実現することができる。
【0047】
なお、共振線路間の結合部分の長さ（線路長）は、前記波長λの約八分の一以下であることが好ましい。これにより、低インピーダンス線路３１と低インピーダンス線路４１との間の結合によって発生する極以外の極が発生するのを防ぐことができる。
【0048】
図１２に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｈは、前記した側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｇと類似しているので、異なる部分のみ説明する。
共振線路１５は、略コ字状ではなく、略Ｌ字状である。
側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｈは、更に、中間共振線路１６を有する。中間の共振線路１６は、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｃと同様、長さ（線路長）が前記波長λの約二分の一（例えば約１．８ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。共振線路１６は、孤立した線路であり、入力側（第一）及び出力側（第二）の端部が両方とも開放されている。共振線路１６は、二つの側結合線路６２及び６３を有する。
側結合線路６２は、共振線路１６の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
側結合線路６３は、共振線路１６の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
共振線路１５は、略コ字状ではなく、略Ｌ字状である。
側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｈは、更に、中間共振線路１６を有する。中間の共振線路１６は、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｃと同様、長さ（線路長）が前記波長λの約二分の一（例えば約１．８ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。共振線路１６は、孤立した線路であり、入力側（第一）及び出力側（第二）の端部が両方とも開放されている。共振線路１６は、二つの側結合線路６２及び６３を有する。
側結合線路６２は、共振線路１６の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
側結合線路６３は、共振線路１６の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
【0049】
共振線路１５の側結合線路５３と、共振線路１６の側結合線路６２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路５３と側結合線路６２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
また、共振線路１６の側結合線路６３と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路６３と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
また、共振線路１６の側結合線路６３と、共振線路１４の側結合線路４２とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。これにより、側結合線路６３と側結合線路４２とが磁界結合し、エネルギーを伝達する。
【0050】
図１３に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｈの周波数特性において、反射特性９１Ｈは、通過帯域９３を除いてほぼ０ｄＢである。逆に、透過特性９２Ｈは、通過帯域９３においてほぼ０ｄＢであり、通過帯域９３よりも低域側の阻止帯域に極９４が存在し、更に、通過帯域９３よりも高域側の阻止帯域にも極９５が存在する。これにより、急峻度が高くなるので、少ない段数で高い急峻度を実現することができる。
【0051】
同様に、もっと段数の多い側結合型バンドパスフィルタ回路を構成することも可能である。段数を多くすると、その分、極の数も多くなる。これにより、少ない段数で、高い急峻度を達成することができる。
図１４は、一例として、五段側結合型バンドパスフィルタ回路の周波数特性を示す。これは、通過帯域９３の近くを拡大して示している。
透過特性９２Ｐに示すように、通過帯域９３のすぐ下及びすぐ上に極９４，９５が存在するので、減衰傾度が非常に大きくなる。同じ五段構成であるが低インピーダンス線路３１，３２が結合していない場合の透過特性９２Ｑと比較すると、急峻度が高くなっていることがわかる。
図１４は、一例として、五段側結合型バンドパスフィルタ回路の周波数特性を示す。これは、通過帯域９３の近くを拡大して示している。
透過特性９２Ｐに示すように、通過帯域９３のすぐ下及びすぐ上に極９４，９５が存在するので、減衰傾度が非常に大きくなる。同じ五段構成であるが低インピーダンス線路３１，３２が結合していない場合の透過特性９２Ｑと比較すると、急峻度が高くなっていることがわかる。
【0052】
図１５に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｊは、前述した側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｇと類似しているので、異なる部分のみ説明する。
中間の共振線路１５は、二分の一波長の孤立線路ではなく、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｄと同様、四分の一波長のショート線路である。共振線路１５は、側結合線路５４と、ランド５６とを有する。側結合線路５４は、長さ（線路長）が前記波長ｆの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。ランド５６は、誘電体基板を貫くビア５５の周りに設けられ、ビア５５を介して誘電体基板の裏側に設けられた導電体層に連結されている。ランド５６の径は、例えばビア５５の径の１．５倍以上である。側結合線路５４は、右側（第二）の端部がランド５６に連結され（すなわち短絡され）、左側（第一）の端部が開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
中間の共振線路１５は、二分の一波長の孤立線路ではなく、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｄと同様、四分の一波長のショート線路である。共振線路１５は、側結合線路５４と、ランド５６とを有する。側結合線路５４は、長さ（線路長）が前記波長ｆの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。ランド５６は、誘電体基板を貫くビア５５の周りに設けられ、ビア５５を介して誘電体基板の裏側に設けられた導電体層に連結されている。ランド５６の径は、例えばビア５５の径の１．５倍以上である。側結合線路５４は、右側（第二）の端部がランド５６に連結され（すなわち短絡され）、左側（第一）の端部が開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
【0053】
このように、中間の共振線路が、二分の一波長の孤立線路ではなく、四分の一波長のショート線路であっても、少ない段数で、高い急峻度を達成することができる。また、二分の一波長の孤立線路ではなく、四分の一波長のショート線路であることにより、設計上の通過帯域よりも高域側の阻止帯域における特性を改善することができる。
【0054】
図１６に示す側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｋは、前述した側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｇと類似しているので、異なる部分のみ説明する。
入力側の共振線路１３は、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｆと同様、孤立していて、入力線路１１と連結していない。共振線路１３は、低インピーダンス線路３１を有さず、その代わりとして、側結合線路３２を有する。側結合線路３２は、共振線路１３の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。同様に、出力側の共振線路１４は、孤立していて、出力線路１２と連結していない。共振線路１４は、低インピーダンス線路４１を有さず、その代わりとして、側結合線路４３を有する。側結合線路４３は、共振線路１４の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
入力側の共振線路１３は、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｆと同様、孤立していて、入力線路１１と連結していない。共振線路１３は、低インピーダンス線路３１を有さず、その代わりとして、側結合線路３２を有する。側結合線路３２は、共振線路１３の入力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。同様に、出力側の共振線路１４は、孤立していて、出力線路１２と連結していない。共振線路１４は、低インピーダンス線路４１を有さず、その代わりとして、側結合線路４３を有する。側結合線路４３は、共振線路１４の出力側端部から中間部分までの間、前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）の長さ（線路長）にわたって延びている。
【0055】
側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｋは、側結合型バンドパスフィルタ回路１０Ｆと同様、更に、側結合線路１８及び１９を備える。側結合線路１８は、長さ（線路長）が前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。側結合線路１８は、入力側（第一）の端部が、入力線路１１の他方の端部に連結され、出力側（第二）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。側結合線路１９は、長さ（線路長）が前記波長λの約四分の一（例えば約０．９ｍｍ）のマイクロストリップ線路である。側結合線路１９は、出力側（第二）の端部が、出力線路１２の他方の端部に連結され、入力側（第一）の端部が、開放されている（すなわち、どこにも連結されていない）。
【0056】
入力線路１１に連結された側結合線路１８と、出力線路１２に連結された側結合線路１９とは、幅方向に離間して互いに平行に配置されている。ここで、側結合線路１８の入力側端部と、側結合線路１９の出力側端部とが同じ側に配置されている。これにより、側結合線路１８と側結合線路１９とが逆向きに磁界結合し、エネルギーを伝達する。これにより、少ない段数で、高い急峻度を達成することができる。
【0057】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするための一例である。本発明は、これに限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって定義される範囲から逸脱することなく様々に修正し、変更し、追加し、又は除去したものを含む。これは、以上の説明から当業者に容易に理解することができる。
【符号の説明】
【0058】
１０Ａ～１０Ｊ，１０Ｚ 側結合型バンドパスフィルタ回路、１１ 入力線路、１２ 出力線路、１３～１６ 共振線路、３１，４１ 低インピーダンス線路、１８，１９，３２，３３，４２，４３，５２～５４，６２～６４ 側結合線路、５５，６５ ビア、５６，６６ ランド、９１Ａ～９１Ｈ 反射特性、９２Ａ～９２Ｑ 透過特性、９３ 通過帯域、９３Ｂ 帯域、９４，９５ 極。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】