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特開2022-121999支持体付き配線基板、支持体付き配線基板の製造方法、複合配線基板の製造方法及び機能デバイス付き配線基板の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022121999
(43)【公開日】2022-08-22
(54)【発明の名称】支持体付き配線基板、支持体付き配線基板の製造方法、複合配線基板の製造方法及び機能デバイス付き配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20220815BHJP
H05K 1/14 20060101ALI20220815BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20220815BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 B
H05K3/46 Q
H05K1/14 G
H01L23/12 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021019033
(22)【出願日】2021-02-09
(71)【出願人】
【識別番号】000003193
【氏名又は名称】凸版印刷株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108855
【弁理士】
【氏名又は名称】蔵田 昌俊
(74)【代理人】
【識別番号】100103034
【弁理士】
【氏名又は名称】野河 信久
(74)【代理人】
【識別番号】100179062
【弁理士】
【氏名又は名称】井上 正
(74)【代理人】
【識別番号】100153051
【弁理士】
【氏名又は名称】河野 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100199565
【弁理士】
【氏名又は名称】飯野 茂
(74)【代理人】
【識別番号】100162570
【弁理士】
【氏名又は名称】金子 早苗
(72)【発明者】
【氏名】木津 貴志
(72)【発明者】
【氏名】新田 祐幹
【テーマコード（参考）】
5E316
5E344
【Ｆターム（参考）】
5E316AA02
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA43
5E316BB15
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC32
5E316CC37
5E316DD03
5E316DD17
5E316DD24
5E316EE31
5E316FF03
5E316FF45
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH40
5E316JJ02
5E344AA01
5E344AA22
5E344BB02
5E344CC24
5E344CD14
5E344DD10
5E344EE21
(57)【要約】
【課題】配線基板から支持体を剥離しやすい支持体付き配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の支持体付き配線基板１は、支持面を有し、前記支持面に対して垂直な方向に、特定波長を有する光を透過する支持体１１と、前記支持面と向かい合った配線基板１５と、前記支持体１１と前記配線基板１５との間に介在し、加熱によって密着性が低下する剥離層１３と、前記支持体１１と前記剥離層１３との間に介在した光吸収層１２とを備え、前記光吸収層１２は前記剥離層１３と比較して高い光吸収率を示す。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の支持体付き配線基板１は、支持面を有し、前記支持面に対して垂直な方向に、特定波長を有する光を透過する支持体１１と、前記支持面と向かい合った配線基板１５と、前記支持体１１と前記配線基板１５との間に介在し、加熱によって密着性が低下する剥離層１３と、前記支持体１１と前記剥離層１３との間に介在した光吸収層１２とを備え、前記光吸収層１２は前記剥離層１３と比較して高い光吸収率を示す。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
支持面を有し、前記支持面に対して垂直な方向に、特定波長を有する光を透過する支持体と、
前記支持面と向かい合った配線基板と、
前記支持体と前記配線基板との間に介在し、加熱によって密着性が低下する剥離層と、
前記支持体と前記剥離層との間に介在した光吸収層と
を備え、
前記光吸収層は前記剥離層と比較して高い光吸収率を示す支持体付き配線基板。
前記支持面と向かい合った配線基板と、
前記支持体と前記配線基板との間に介在し、加熱によって密着性が低下する剥離層と、
前記支持体と前記剥離層との間に介在した光吸収層と
を備え、
前記光吸収層は前記剥離層と比較して高い光吸収率を示す支持体付き配線基板。
【請求項2】
前記光吸収層の厚さは５ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲内にある請求項１に記載の支持体付き配線基板。
【請求項3】
前記剥離層の厚さは１０ｎｍ乃至５０μｍの範囲内にある請求項１又は２に記載の支持体付き配線基板。
【請求項4】
前記支持面に平行な平面への前記剥離層の第１正射影の輪郭は、前記平面への前記光吸収層の第２正射影の輪郭の内側に存在する請求項１乃至３の何れか１項に記載の支持体付き配線基板。
【請求項5】
前記光吸収層は金属を含み、前記剥離層は樹脂を含む請求項１乃至４の何れか１項に記載の支持体付き配線基板。
【請求項6】
前記配線基板は多層配線基板である請求項１乃至５の何れか１項に記載の支持体付き配線基板。
【請求項7】
前記多層配線基板はインターポーザである請求項６に記載の支持体付き配線基板。
【請求項8】
支持面を有し、前記支持面に対して垂直な方向に、特定波長を有する光を透過する支持体と、
前記支持面と向かい合った配線基板と、
前記支持体と前記配線基板との間に介在し、加熱によって密着性が低下する剥離層と、
前記支持体と前記剥離層との間に介在した光吸収層と
を備え、
前記光吸収層は、チタン、クロム、タングステン、ニッケル、モリブデン、ニオブ及びタンタルからなる群より選ばれる１以上の金属を含む支持体付き配線基板。
前記支持面と向かい合った配線基板と、
前記支持体と前記配線基板との間に介在し、加熱によって密着性が低下する剥離層と、
前記支持体と前記剥離層との間に介在した光吸収層と
を備え、
前記光吸収層は、チタン、クロム、タングステン、ニッケル、モリブデン、ニオブ及びタンタルからなる群より選ばれる１以上の金属を含む支持体付き配線基板。
【請求項9】
支持面を有し、前記支持面に対して垂直な方向に、特定波長を有する光を透過する支持体上に光吸収層を形成することと、
前記光吸収層上に、加熱によって密着性が低下する剥離層を形成することと、
前記剥離層上に配線基板を形成することと
を含み、
前記光吸収層は前記剥離層と比較して高い光吸収率を示す支持体付き配線基板の製造方法。
前記光吸収層上に、加熱によって密着性が低下する剥離層を形成することと、
前記剥離層上に配線基板を形成することと
を含み、
前記光吸収層は前記剥離層と比較して高い光吸収率を示す支持体付き配線基板の製造方法。
【請求項10】
第１配線基板を、請求項１乃至８の何れか１項に記載の支持体付き配線基板が含む第２配線基板としての前記配線基板に接合することと、
その後、前記光吸収層に前記特定波長を有するレーザー光を照射して、前記配線基板から前記支持体を剥離することと
を含んだ複合配線基板の製造方法。
その後、前記光吸収層に前記特定波長を有するレーザー光を照射して、前記配線基板から前記支持体を剥離することと
を含んだ複合配線基板の製造方法。
【請求項11】
前記レーザー光は前記支持体側から前記光吸収層に照射され、
前記特定波長は赤外波長域内にある請求項１０に記載の複合配線基板の製造方法。
前記特定波長は赤外波長域内にある請求項１０に記載の複合配線基板の製造方法。
【請求項12】
機能デバイスを、請求項１乃至８の何れか１項に記載の支持体付き配線基板に接合することと、
その後、前記光吸収層に前記特定波長を有するレーザー光を照射して、前記配線基板から前記支持体を剥離することと
を含んだ機能デバイス付き配線基板の製造方法。
その後、前記光吸収層に前記特定波長を有するレーザー光を照射して、前記配線基板から前記支持体を剥離することと
を含んだ機能デバイス付き配線基板の製造方法。
【請求項13】
前記レーザー光は前記支持体側から前記光吸収層に照射され、
前記特定波長は赤外波長域内にある請求項１２に記載の機能デバイス付き配線基板の製造方法。
前記特定波長は赤外波長域内にある請求項１２に記載の機能デバイス付き配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、支持体付き配線基板、支持体付き配線基板の製造方法、複合配線基板の製造方法及び機能デバイス付き配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体装置の高速化及び高集積化が進む中で、半導体チップを搭載するＦＣ－ＢＧＡ（Flip Chip-Ball Grid Array）基板にも、半導体チップとの接合に使用する接合端子の狭ピッチ化及び基板内の配線の微細化が求められている。その一方で、ＦＣ－ＢＧＡ基板とマザーボードとの接合には、従来とほぼ変わらないピッチで配列した接合端子による接合が要求されている。これらの要求のもと、ＦＣ－ＢＧＡ基板と半導体チップとの間に、インターポーザとも呼ばれる、微細な配線を含む多層配線基板を設ける技術が採用されている。
【0003】
その一つは、シリコンインターポーザ技術である。このシリコンインターポーザ技術は、シリコンウェハ上に、微細な配線を各々の層が含んだ多層配線構造を、半導体回路の製造技術を用いて形成することによりインターポーザを製造するというものである。
【0004】
また、上記の多層配線構造をシリコンウェハ上に形成するのではなく、ＦＣ－ＢＧＡ基板に直接作り込む手法も開発されている。この手法は、コア層が例えばガラスエポキシ基板からなるＦＣ－ＢＧＡ基板の製造において、化学機械研磨（ＣＭＰ）などを利用して、上記の多層配線構造を形成するというものである。これについては、特許文献１に開示されている。
【0005】
更に、インターポーザをガラス基板等の支持体の上に形成し、そのインターポーザをＦＣ－ＢＧＡ基板と接合させ、その後、インターポーザから支持体を剥離することで、上記の多層配線構造を、ＦＣ－ＢＧＡ基板上に設ける方式（以下、転写方式という）もある。これについては、特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１４－２２５６７１号公報
【特許文献2】国際公開第２０１８／０４７８６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、配線基板から支持体を剥離しやすい支持体付き配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様によると、支持面を有し、前記支持面に対して垂直な方向に、特定波長を有する光を透過する支持体と、前記支持面と向かい合った配線基板と、前記支持体と前記配線基板との間に介在し、加熱によって密着性が低下する剥離層と、前記支持体と前記剥離層との間に介在した光吸収層とを備え、前記光吸収層は前記剥離層と比較して高い光吸収率を示す支持体付き配線基板が提供される。
【0009】
本発明の他の態様によると、前記光吸収層の厚さは５ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲内にある上記態様に係る支持体付き配線基板が提供される。
【0010】
本発明の更に他の態様によると、前記剥離層の厚さは１０ｎｍ乃至５０μｍの範囲内にある上記態様の何れかに係る支持体付き配線基板が提供される。
【0011】
本発明の更に他の態様によると、前記支持面に平行な平面への前記剥離層の第１正射影の輪郭は、前記平面への前記光吸収層の第２正射影の輪郭の内側に存在する上記態様の何れかに係る支持体付き配線基板が提供される。
【0012】
本発明の更に他の態様によると、前記光吸収層は金属を含み、前記剥離層は樹脂を含む上記態様の何れかに係る支持体付き配線基板が提供される。
【0013】
本発明の更に他の態様によると、前記配線基板は多層配線基板である上記態様の何れかに係る支持体付き配線基板が提供される。
【0014】
本発明の更に他の態様によると、前記多層配線基板はインターポーザである上記態様に係る支持体付き配線基板が提供される。
【0015】
本発明の更に他の態様によると、支持面を有し、前記支持面に対して垂直な方向に、特定波長を有する光を透過する支持体と、前記支持面と向かい合った配線基板と、前記支持体と前記配線基板との間に介在し、加熱によって密着性が低下する剥離層と、前記支持体と前記剥離層との間に介在した光吸収層とを備え、前記光吸収層は、チタン、クロム、タングステン、ニッケル、モリブデン、ニオブ及びタンタルからなる群より選ばれる１以上の金属を含む支持体付き配線基板が提供される。
【0016】
本発明の更に他の態様によると、支持面を有し、前記支持面に対して垂直な方向に、特定波長を有する光を透過する支持体上に光吸収層を形成することと、前記光吸収層上に、加熱によって密着性が低下する剥離層を形成することと、前記剥離層上に配線基板を形成することとを含み、前記光吸収層は前記剥離層と比較して高い光吸収率を示す支持体付き配線基板の製造方法が提供される。
【0017】
本発明の更に他の態様によると、第１配線基板を、請求項１乃至８の何れか１項に記載の支持体付き配線基板が含む第２配線基板としての前記配線基板に接合することと、その後、前記光吸収層に前記特定波長を有するレーザー光を照射して、前記配線基板から前記支持体を剥離することとを含んだ複合配線基板の製造方法が提供される。
【0018】
本発明の更に他の態様によると、前記レーザー光は前記支持体側から前記光吸収層に照射され、前記特定波長は赤外波長域内にある上記態様に係る複合配線基板の製造方法が提供される。
【0019】
本発明の更に他の態様によると、機能デバイスを、請求項１乃至８の何れか１項に記載の支持体付き配線基板に接合することと、その後、前記光吸収層に前記特定波長を有するレーザー光を照射して、前記配線基板から前記支持体を剥離することとを含んだ機能デバイス付き配線基板の製造方法が提供される。
【0020】
ここで、「機能デバイス」は、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作するデバイス、外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイス、又は、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作し且つ外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイスである。機能デバイスは、例えば、半導体チップや、ガラス基板などの半導体以外の材料からなる基板上に回路や素子が形成されたチップのように、チップの形態にある。機能デバイスは、例えば、大規模集積回路（ＬＳＩ）、メモリ、撮像素子、発光素子、及びＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）の１以上を含むことができる。ＭＥＭＳは、例えば、圧力センサ、加速度センサ、ジャイロセンサ、傾斜センサ、マイクロフォン、及び音響センサの１以上である。一例によれば、機能デバイスは、ＬＳＩを含んだ半導体チップである。
【0021】
本発明の更に他の態様によると、前記レーザー光は前記支持体側から前記光吸収層に照射され、前記特定波長は赤外波長域内にある上記態様に係る機能デバイス付き配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0022】
本発明によると、配線基板から支持体を剥離しやすい支持体付き配線基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板を概略的に示す断面図。
【図2】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、支持体を概略的に示す断面図。
【図3】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、光吸収層及び剥離層形成工程を概略的に示す断面図。
【図4】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、第１シード層形成工程を概略的に示す断面図。
【図5】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、レジスト層形成工程を概略的に示す断面図。
【図6】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、導体層形成工程を概略的に示す断面図。
【図7】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、絶縁層形成工程を概略的に示す断面図。
【図8】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、絶縁層に開口部を形成する工程を概略的に示す断面図。
【図9】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、第２シード層形成工程を概略的に示す断面図。
【図10】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、レジスト層及び導体層形成工程を概略的に示す断面図。
【図11】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、レジスト層除去工程を概略的に示す断面図。
【図12】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、導体層、絶縁層及び第２シード層形成工程を概略的に示す断面図。
【図13】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、最表面絶縁層形成工程を概略的に示す断面図。
【図14】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、表面処理層形成工程を概略的に示す断面図。
【図15】本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板の製造方法における、第１金属バンプ形成工程を概略的に示す断面図。
【図16】配線基板、最表面絶縁層、表面処理層及び第１金属バンプを省略した支持体付き配線基板を概略的に示す断面図。
【図18】最表面絶縁層、表面処理層及び第１金属バンプを省略した支持体付き配線基板を概略的に示す平面図。
【図19】本発明の一実施形態に係る複合配線基板の製造方法における、第１配線基板を概略的に示す断面図。
【図20】本発明の一実施形態に係る複合配線基板の製造方法における、第１配線基板の位置と支持体付き配線基板の位置とを合わせる工程を概略的に示す断面図。
【図21】本発明の一実施形態に係る複合配線基板の製造方法における、第１配線基板と支持体付き配線基板との接合工程を概略的に示す断面図。
【図22】本発明の一実施形態に係る複合配線基板の製造方法における、レーザー光照射工程を概略的に示す断面図。
【図23】本発明の一実施形態に係る複合配線基板の製造方法における、支持体剥離工程を概略的に示す断面図。
【図24】本発明の一実施形態に係る複合配線基板を概略的に示す断面図。
【図25】本発明の一実施形態に係るパッケージ化デバイスを概略的に示す断面図。
【図26】本発明の一実施形態に係る機能デバイス付き配線基板の製造方法における、支持体付き配線基板と機能デバイスとの接合工程を概略的に示す断面図。
【図27】本発明の一実施形態に係る機能デバイス付き配線基板の製造方法における、第２アンダーフィル形成工程を概略的に示す断面図。
【図28】本発明の一実施形態に係る機能デバイス付き配線基板の製造方法における、封止樹脂形成工程を概略的に示す断面図。
【図29】本発明の一実施形態に係る機能デバイス付き配線基板の製造方法における、レーザー光照射工程を概略的に示す断面図。
【図30】本発明の一実施形態に係る機能デバイス付き配線基板の製造方法における、支持体剥離工程を概略的に示す断面図。
【図31】本発明の一実施形態に係る機能デバイス付き配線基板を概略的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記態様の何れかをより具体化したものである。なお、同様又は類似した機能を有する要素については、同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図面は模式的なものであり、厚さ方向の寸法と厚さ方向に垂直な方向、即ち面内方向の寸法との関係や、複数の層の厚さ方向における寸法の関係等は、現実のものとは異なり得ることに留意すべきである。従って、具体的な寸法は、以下の説明を参酌して判断すべきである。また、２以上の構成要素の寸法の関係が、複数の図面の間で異なっている可能性があることにも留意すべきである。
【0025】
以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化した例を示すものであって、本発明の技術的思想を、以下に記載する構成要素の材質、形状、構造、及び配置等に限定するものではない。本発明の技術的思想には、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【0026】
＜支持体付き配線基板＞
図１は、本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板を概略的に示す断面図である。
図１は、本発明の一実施形態に係る支持体付き配線基板を概略的に示す断面図である。
【0027】
図１に示す支持体付き配線基板１は、支持体１１と、光吸収層１２と、剥離層１３と、第１シード層１４と、配線基板１５と、最表面絶縁層１６と、表面処理層１７と、第１金属バンプ１８とを備えている。支持体付き配線基板１は、例えば、ＦＣ－ＢＧＡ基板に、配線基板１５を転写するために用いられる。転写は、例えば、光吸収層１２にレーザー光を照射し、配線基板１５から支持体１１を剥離することで行われる。
【0028】
支持体１１は、支持面を有し、支持面に対して垂直な方向に、特定波長を有する光を透過する。支持体１１は、例えば、透明性を有している。
【0029】
特定波長は、例えば、紫外波長域乃至赤外波長域内にある。特定波長が紫外波長域内にある場合、特定波長は、例えば、１５０ｎｍ乃至４００ｎｍの範囲内にある。特定波長が赤外波長域内にある場合、特定波長は、例えば、７００ｎｍ乃至２０００ｎｍの範囲内にある。
【0030】
支持体１１の材料は、例えば、ガラス、ポリカーボネート、アクリル又はシリコンである。シリコンは、上記の特定波長が赤外波長域内にある場合に使用することができる。
【0031】
支持体１１の材料はガラスであることが好ましい。支持体１１がガラスからなる場合、十分な厚さを有している支持体１１は形状保持性に優れているため、そのような支持体１１を使用すると、微細な配線パターンを有する配線基板１５を容易に形成することができる。
【0032】
ガラスが有する線膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）は、３ｐｐｍ以上１５ｐｐｍ以下の範囲内にあることが好ましく、３．３ｐｐｍ乃至１２．６ｐｐｍの範囲内にあることがより好ましい。線膨張係数が３ｐｐｍ以上１５ｐｐｍ以下の範囲内にあると、配線基板１５において配線パターンの配置を高い精度で達成しやすく、且つ平坦な配線基板１５を容易に形成することができる。ガラスの線膨張係数が約９ｐｐｍである場合、ＦＣ－ＢＧＡ基板の線膨張係数及び半導体チップの線膨張係数と近いため、反り等が生じにくい。
【0033】
支持体１１の厚さは、０．７ｍｍ以上であることが好ましく、１．１ｍｍ以上であることがより好ましい。支持体１１が薄すぎると、反りなどが生じやすい。支持体１１が厚すぎると、支持体１１によるレーザー光の吸収が大きくなりやすい。支持体１１がガラスからなる場合、支持体１１の厚さが上記の範囲内にあると、製造過程において反りが生じにくい。
【0034】
支持体１１は、矩形状であってもよく、円形であってもよい。
【0035】
光吸収層１２は、支持体１１と剥離層１３との間に介在している。光吸収層１２は、剥離層１３と比較して高い光吸収率を示す。光吸収層１２は、上述した特定波長を有する光を吸収することで発熱し、その熱を剥離層１３に伝達する。
【0036】
光吸収層１２の材料は、例えば、金属である。金属が有する、１０３３ｎｍ乃至１０７９ｎｍの範囲内の何れかの波長における消衰係数は、３．３乃至５．３２の範囲内にあることが好ましい。上記の消衰係数が上記の範囲内にある金属は、例えば、チタン、クロム、タングステン、ニッケル、モリブデン、ニオブ又はタンタルである。
【0037】
消衰係数は、例えば、分光エリプソメトリーによって測定することができる。
【0038】
金属が有する、１０３３ｎｍ乃至１０７９ｎｍの範囲内の何れかの波長における屈折率は、０．９６乃至３．３５の範囲内にあることが好ましく、２．２９乃至３．３５の範囲内にあることがより好ましい。上記の屈折率が０．９６乃至３．３５の範囲内にある金属は、例えば、チタン、クロム、タングステン、ニッケル、モリブデン、ニオブ又はタンタルである。上記の屈折率が２．２９乃至３．３５の範囲内にある金属は、例えば、チタン、クロム、タングステン、ニッケル又はモリブデンである。
【0039】
屈折率は、例えば、分光エリプソメトリーによって測定することができる。
【0040】
光吸収層１２の材料としては、１０３３ｎｍ乃至１０７９ｎｍの範囲内の何れかの波長における消衰係数は、３．３乃至５．３１の範囲内にあり、且つ、１０３３ｎｍ乃至１０７９ｎｍの範囲内の何れかの波長における屈折率は、０．９６乃至３．３５の範囲内にあることが好ましい。このような材料としては、例えば、チタン、クロム、タングステン、ニッケル、モリブデン、ニオブ又はタンタルである。
【0041】
表１に、チタン、クロム、タングステン、ニオブ、モリブデン、ニオブ及びタンタルについて、１０３３ｎｍ乃至１０７９ｎｍの範囲内の何れかの波長における消衰係数及び屈折率を示す。
【0042】
【表1】
【0043】
光吸収層１２の材料は、例えば、チタン、クロム、タングステン、ニッケル、モリブデン、ニオブ及びタンタルからなる群より選ばれる１以上の金属、又は、これら金属を含む合金若しくは化合物である。好ましくは、光吸収層１２の材料は、チタン、クロム、タングステン、ニッケル及びモリブデンからなる群より選ばれる１以上の金属、又は、これら金属を含む合金若しくは化合物である。より好ましくは、光吸収層１２の材料は、チタン又はチタンを含む合金若しくは化合物である。
【0044】
光吸収層１２は、例えば、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法等の真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成できる。
【0045】
光吸収層１２の厚さは、例えば、１ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。光吸収層１２が薄すぎると、支持体付き配線基板１にレーザー光を照射した際に、光吸収層１２がレーザー光を十分に吸収できないため、配線基板１５から支持体１１を容易に剥離することが難しい。光吸収層１２が厚すぎると、レーザー光を光吸収層１２に照射した際に、照射部位から光吸収層１２の面内方向へ熱が伝導しやすいため、照射部位が十分に高温になりにくい。
【0046】
剥離層１３は、支持体１１と配線基板１５との間に介在している。剥離層１３は、加熱によって密着性が低下する。密着性が低下するとは、剥離層１３が光吸収層１２から剥離すること、或いは、剥離層１３と光吸収層１２とを剥離するのに必要な力が低下することである。
【0047】
剥離層１３の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、マレイミド樹脂、及びアクリル樹脂等の樹脂である。
ポリイミド樹脂としては、例えば、宇部興産株式会社製の「ユピア（登録商標）」を使用することができる。
ポリイミド樹脂としては、例えば、宇部興産株式会社製の「ユピア（登録商標）」を使用することができる。
【0048】
剥離層１３の厚さは、例えば、１０ｎｍ乃至５０μｍの範囲内にあることが好ましく、１０ｎｍ乃至１μｍの範囲内にあることがより好ましく、１０ｎｍ乃至０．５μｍの範囲内にあることが更に好ましい。剥離層１３が薄すぎると、剥離層１３を均一に形成することが難しい。剥離層１３が厚すぎると、平坦性に優れた配線基板１５を形成することが難しい。
【0049】
剥離層１３の材料として液状の樹脂を用いる場合、剥離層１３は、例えば、スリットコート、カーテンコート、ダイコート、スプレーコート、静電塗布法、インクジェットコート、グラビアコート、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、スピンコート又はドクターコートによって形成できる。
【0050】
剥離層１３の材料としてフィルム状の樹脂を用いる場合、剥離層１３は、例えば、ラミネート、真空ラミネート又は真空プレスによって光吸収層１２の上に設けることができる。
【0051】
なお、剥離層１３は、２以上の層からなっていてもよい。
【0052】
第１シード層１４は、例えば、後述する導体層の形成における給電層である。
第１シード層１４は、例えば、銅、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、タンタル、金、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、Ａｌ－Ｓｉ系合金、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ系合金、Ａｌ－Ｃｕ系合金、Ｎｉ－Ｆｅ系合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）、活性酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、Ｃｕ3Ｎ4、Ｃｕ合金の単体又はこれらの混合物を含む。
第１シード層１４は、例えば、銅、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、タンタル、金、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、Ａｌ－Ｓｉ系合金、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ系合金、Ａｌ－Ｃｕ系合金、Ｎｉ－Ｆｅ系合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）、活性酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、Ｃｕ3Ｎ4、Ｃｕ合金の単体又はこれらの混合物を含む。
【0053】
第１シード層１４は、例えば、スパッタ法又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。
【0054】
第１シード層１４の厚さは、１μｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【0055】
第１シード層１４は、２以上の層からなっていてもよい。この場合、第１シード層１４は、例えば、剥離層１３と配線基板１５との間に介在した第１金属含有層と、第１金属含有層と配線基板１５との間に介在した第２金属含有層とからなる。
【0056】
第１金属含有層は、例えば、チタンを含む。第２金属含有層は、例えば、銅を含む。第１金属含有層及び第２金属含有層は、例えば、スパッタリングによって形成される。チタンを含む第１金属含有層を使用した場合、第１金属含有層は剥離層１３との密着性に優れる。銅を含む第２金属含有層を使用した場合、第１金属含有層と後述する導体層との密着性に優れる。
【0057】
第１金属含有層の厚さは、例えば、１０ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。第２金属含有層の厚さは、例えば、４０ｎｍ乃至４００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
【0058】
配線基板１５は、支持体１１が有する支持面と向かい合っている。配線基板１５は、例えば、半導体チップ等の機能デバイスとＦＣ－ＢＧＡ基板とを接続する。配線基板１５は、例えば、既存の方法によって製造される。
【0059】
配線基板１５は、例えば、インターポーザ等の多層配線基板である。配線基板１５は、例えば、ビルドアップ配線層からなる。配線基板１５は、例えば、微細な配線パターンを含む。配線基板１５の最小のライン／スペースは、例えば、１μｍ／１μｍ乃至５μｍ／５μｍの範囲内にある。配線基板１５に含まれる導体層は、例えば、ダマシン法又はセミアディティブ法によって形成される。導体層については後述する。
【0060】
配線基板１５、最表面絶縁層１６、表面処理層１７及び第１金属バンプ１８の詳細については、後述する。
【0061】
なお、レーザー光から配線基板１５を保護するために、剥離層１３と配線基板１５との間に保護層を設けてもよい。
【0062】
【0063】
先ず、図２に示すように、支持体１１を準備する。支持体１１はガラスからなるとする。
【0064】
次に、図３に示すように、支持体１１の上に光吸収層１２及び剥離層１３を形成する。具体的には、先ず、支持体１１の上にチタンをスパッタリングする。このようにして、光吸収層１２を形成する。次に、光吸収層１２の上にポリイミド樹脂をスピンコートによって塗布する。このようにして、剥離層１３を形成する。
【0065】
次に、配線基板１５を形成する。
【0066】
先ず、図４に示すように、剥離層１３の上に第１シード層１４を形成する。ここでは、第１シード層１４として、第１金属含有層及び第２金属含有層を形成する。具体的には、先ず、剥離層１３の上にチタンをスパッタリングする。このようにして、第１金属含有層を形成する。次に、第１金属含有層の上に銅をスパッタリングする。このようにして、第２金属含有層を形成する。
【0067】
次に、図５に示すように、第１シード層１４の上に、レジスト層１５１Ａをパターン状に形成する。具体的には、先ず、真空中で、第１シード層１４の上に、レジスト層１５１Ａを形成する。その後、フォトリソグラフィーにより、レジスト層１５１Ａの一部を除去して、開口部を設ける。以上のようにして、レジスト層１５１Ａをパターン状に形成する。
【0068】
レジスト層１５１Ａの材料は、例えば、アルカリ現像型感光性樹脂である。
【0069】
次に、図６に示すように、第１シード層１４の上に、導体層１５２Ａを形成する。具体的には、先ず、第１シード層１４のうち、レジスト層１５１Ａによって被覆されていない部分に、電解めっき法により、銅を含む導体層１５２Ａを形成する。その後、アルカリ溶液などのレジスト剥離液を用いて、レジスト層１５１Ａを除去する。以上のようにして、導体層１５２Ａを形成する。導体層１５２Ａは、例えば、電極である。導体層１５２Ａは、例えば、後述する第１配線基板との接合に用いられる電極、又は機能デバイスとの接合に用いられる電極である。
【0070】
導体層１５２Ａが銅を含む場合、容易且つ安価で導体層１５２Ａを形成することができる。また、銅を含む導体層１５２Ａは導電性に優れる。
【0071】
導体層１５２Ａは、例えば、ニッケル、クロム、パラジウム、金、又はロジウムからなっていてもよい。導体層１５２Ａは、例えば、電解めっき法により形成することができる。
【0072】
導体層１５２Ａの厚さは、１μｍ乃至３０μｍの範囲内にあることが好ましく、１μｍ乃至５μｍの範囲内にあることがより好ましい。導体層１５２Ａが厚すぎると製造コストがかさむ傾向にある。導体層１５２Ａが薄すぎると、機能デバイス又は後述する第１配線基板と配線基板１５との接合に不具合が生じる場合がある。
【0073】
次に、図７に示すように、第１シード層１４のうち導体層１５２Ａによって被覆されていない部分の上と、導体層１５２Ａの表面の上とに絶縁層１５３Ａを形成する。具体的には、スピンコートによって、第１シード層１４のうち導体層１５２Ａによって被覆されていない部分と、導体層１５２Ａの表面との上に感光性のエポキシ樹脂を塗布する。その後、感光性のエポキシ樹脂を硬化させる。以上のようにして、絶縁層１５３Ａを形成する。絶縁層１５３Ａは、例えば、導体層１５２Ａが絶縁層１５３Ａ内に埋め込まれるように形成する。
【0074】
感光性のエポキシ樹脂を使用した場合、比較的低温で絶縁層１５３Ａを硬化することが容易である。また、感光性のエポキシ樹脂は硬化によって収縮しにくいため、微細な配線パターンの形成に優れる。
【0075】
絶縁層１５３Ａの材料は、ポリイミド樹脂又はポリアミド樹脂であってもよい。
【0076】
感光性のエポキシ樹脂を用いて絶縁層１５３Ａを形成する代わりに、絶縁樹脂フィルムを真空ラミネータで圧縮することで絶縁層１５３Ａを得てもよい。この場合、平坦性に優れた絶縁層１５３Ａを形成することができる。
【0077】
絶縁層１５３Ａの厚さは、０．５μｍ乃至５０μｍの範囲内にあることが好ましく、２μｍ乃至１５μｍの範囲内にあることがより好ましい。絶縁層１５３Ａが厚すぎると、平坦性に優れた配線基板１５を得ることが難しい。絶縁層１５３Ａが薄すぎると、高い絶縁信頼性を得ることが難しい。
【0078】
次に、図８に示すように、フォトリソグラフィーにより、絶縁層１５３Ａに１以上の開口部を形成する。この開口部は、導体層１５２Ａの上面の一部が露出するように形成する。
【0079】
なお、開口部を形成した後、開口部において、現像によって生じた残渣を除去するためにプラズマ処理を行っても良い。
【0080】
次に、図９に示すように、上記の開口部によって露出した導体層１５２Ａ上及び絶縁層１５３Ａの表面上に、第２シード層１５４Ａを形成する。
【0081】
第２シード層１５４Ａは、例えば、銅、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、タンタル、金、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、Ａｌ－Ｓｉ系合金、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ系合金、Ａｌ－Ｃｕ系合金、Ｎｉ－Ｆｅ系合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）、活性酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、Ｃｕ3Ｎ4、Ｃｕ合金の単体又はこれらの混合物を含む。
【0082】
第２シード層１５４Ａは、例えば、スパッタ法又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。
【0083】
第２シード層１５４Ａの厚さは、例えば、１μｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【0084】
第２シード層１５４Ａは、２以上の層からなっていてもよい。この場合、第２シード層１５４Ａは、例えば、導体層１５２Ａ及び絶縁層１５３Ａ上に設けられた第１金属含有層と、第１金属含有層を介して導体層１５２Ａ及び絶縁層１５３Ａ上に設けられた第２金属含有層とからなる。
【0085】
第１金属含有層は、例えば、チタンを含む。第２金属含有層は、例えば、銅を含む。第１金属含有層及び第２金属含有層は、例えば、スパッタリングによって形成される。
【0086】
以下、第２シード層１５４Ａは、チタンを含む第１金属含有層と銅を含む第２金属含有層とからなるとする。また、第１金属含有層の厚さは５０ｎｍであり、第２金属含有層の厚さは３００ｎｍであるとする。
【0087】
次に、図１０に示すように、第２シード層１５４Ａの上に、レジスト層１５１Ｂをパターン状に形成する。具体的には、第２シード層１５４Ａのうち導体層１５２Ａと隣接している部分が露出するように、レジスト層１５１Ｂに開口部を形成する。その後、第２シード層１５４Ａの表面のうちレジスト層１５１Ｂによって覆われていない領域の全体を被覆するように導体層１５２Ｂを形成する。導体層１５２Ｂは、配線基板１５に含まれる配線パターンである。
【0088】
レジスト層１５１Ｂに使用する材料及びそれらの形成方法は、レジスト層１５１Ａについて説明したのと同様である。
【0089】
導体層１５２Ｂ及び後述する導体層１５２Ｃに使用する材料及びそれらの形成方法は、導体層１５２Ａについて説明したのと同様である。ここでは、導体層１５２Ｂは銅を含むとする。
【0090】
次に、図１１に示すように、レジスト層１５１Ｂを除去する。その後、第２シード層１５４Ａのうち、導体層１５２Ａによって覆われていない部分をエッチングにより除去する。
【0091】
次に、図７乃至図１１を用いて説明した方法を２回繰り返して、図１２に示す構造体を得る。図１２に示す構造体は、導体層１５２Ａ、１５２Ｂ、１５２Ｃ及び１５２Ｄ、絶縁層１５３Ａ、１５３Ｂ及び１５３Ｃ、並びに第２シード層１５４Ａ、１５４Ｂ及び１５４Ｃを備えている。導体層１５２Ｂ及び１５２Ｃは、例えば、配線基板１５の配線である。導体層１５２Ｄは、例えば、後述する第１配線基板との接合に用いられる電極、又は機能デバイスとの接合に用いられる電極である。
【0092】
導体層１５２Ｄの厚さは５μｍ以上であることが好ましい。
このようにして、配線基板１５を形成する。
このようにして、配線基板１５を形成する。
【0093】
【0094】
次に、図１３に示すように、配線基板１５の上に、最表面絶縁層１６をパターン状に形成する。具体的には、先ず、絶縁層１５３Ｃの表面のうち第２シード層１５４Ｃ及び導体層１５２Ｄによって覆われていない領域と、導体層１５２Ｄの表面と、第２シード層１５４Ｃの側面との上に最表面絶縁層１６を形成する。次に、フォトリソグラフィーにより、導体層１５２Ｄの少なくとも一部が露出するように、最表面絶縁層１６に開口部を形成する。
【0095】
最表面絶縁層１６の材料は、例えば、感光性のエポキシ樹脂である。最表面絶縁層１６の材料は、絶縁層１５３Ａの材料と同じであってもよい。
【0096】
次に、図１４に示すように、導体層１５２Ｄの表面のうち最表面絶縁層１６によって覆われていない部分に、表面処理層１７を形成する。表面処理層１７は、例えば、導体層１５２Ｄの表面の酸化防止、及び／又は、第１金属バンプ１８の濡れ性を向上させるために設けられる。
【0097】
表面処理層１７としては、例えば、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき、無電解スズめっき、無電解Ｎｉ／Ａｕめっきなどのめっき被膜を用いることができる。或いは、表面処理層１７として、水溶性プリフラックス（ＯＳＰ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｖａｔｉｖｅ）からなる膜を用いてもよい。
【0098】
次に、図１５に示すように、表面処理層１７の上に第１金属バンプ１８を形成する。具体的には、例えば、表面処理層１７の上に第１金属バンプ１８の材料を載せ、その後溶融冷却して固着させることで第１金属バンプ１８を形成する。
【0099】
第１金属バンプ１８の材料は、例えば、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｓｎ－Ａｇ合金又はＳＮ－Ｃｕ合金である。
【0100】
このようにして、支持体付き配線基板１を得る。
【0101】
なお、最表面絶縁層１６、表面処理層１７及び第１金属バンプ１８は省略してもよい。
【0102】
配線基板１５の配線幅は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。この場合、配線基板１５は、ハイバンドメモリ（ＨＢＭ）に含まれるインターポーザとして使用することができる。例えば、配線幅が２μｍであり、配線高さが２μｍであり、各絶縁層の厚さが２μｍである場合、絶縁層及び導体層からなる層の厚さは４μｍである。絶縁層及び導体層からなる上記層を２つ積層し、導体層１５２Ａ及び１５２Ｄの各々の厚さを１０μｍとした場合、配線基板１５と導体層１５２Ａ及び１５２Ｄとからなる積層体の厚さは２８μｍとなる。このように、配線基板１５と導体層１５２Ａ及び１５２Ｄとからなる積層体は薄い場合がある。
【0103】
図１６は、上述した支持体付き配線基板１において、配線基板１５、最表面絶縁層１６、表面処理層１７及び第１金属バンプ１８を省略した支持体付き配線基板１を概略的に示す断面図である。図１７は、図１６に示す支持体付き配線基板１の剥離層１３側の表面を概略的に示す平面図である。
【0104】
図１６及び図１７に示すように、支持体１１の支持面に平行な平面への剥離層１３の第１正射影の輪郭は、上記平面への光吸収層１２の第２正射影の輪郭の内側に存在していることが好ましい。このような上記第１正射影の輪郭が上記第２正射影の輪郭の内側に存在していると、レーザー光の照射によって光吸収層１２が生じた熱が剥離層１３全体に伝わりやすい。従って、配線基板１５から支持体１１が剥離しやすい。このため、例えば、上述した支持体付き配線基板１を使用して配線基板１５をＦＣ－ＢＧＡ基板に転写して複合配線基板を得る場合、高い歩留まりで複合配線基板が得られる。
【0105】
図１６及び図１７に示す構造は、一例によると、剥離層１３を形成した後に、剥離層１３の周縁部を除去することで得られる。図１６及び図１７に示す構造は、他の例によると、光吸収層１２を形成した後に、光吸収層１２の周縁部に保護膜を形成し、その後、光吸収層の１２及び保護膜の上に剥離層１３を形成し、その後、保護膜を除去することで保護膜上に剥離層１３を除去することで得られる。
【0106】
図１８は、上述した支持体付き配線基板１において、最表面絶縁層１６、表面処理層１７及び第１金属バンプ１８を省略した支持体付き配線基板１を概略的に示す平面図である。図１８は、支持体付き配線基板１の配線基板１５側の表面を示す。図１８に示すように、支持体付き配線基板１には、複数の配線基板１５が設けられていても良い。複数の配線基板１５は、例えば、基板ユニットを形成する。
【0107】
【0108】
先ず、図１９に示す第１配線基板２０を準備する。第１配線基板２０は、コア層２１、導体層２２、絶縁樹脂２３、層２４、電極２５、最表面絶縁樹脂層２６及び第２金属バンプ２７を備えている。第１配線基板２０は、例えば、ＦＣ－ＢＧＡ基板である。
【0109】
コア層２１は、絶縁層である。コア層２１は、例えば、織布又は不織布に熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた繊維強化基板である。織布又は不織布としては、例えば、ガラス繊維、炭素繊維、又はアラミド繊維を使用することができる。絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を使用することができる。
【0110】
コア層２１には１以上の貫通孔が設けられている。貫通孔の側壁は銅等の金属を含む導体層２２によって被覆されている。導体層２２によって被覆された貫通孔には、絶縁樹脂２３が充填されている。
【0111】
コア層２１の各支持面には、層２４が設けられている。層２４は、導体パターン２４１と絶縁層２４２とを含む。導体パターン２４１は導体層２２と接している。絶縁層２４２は、例えば、導体パターン２４１の側面を被覆している。
【0112】
導体パターン２４１のうち、絶縁層２４２によって被覆されていない部分であり、且つコア層２１と接していない部分には電極２５が設けられている。
【0113】
層２４のライン／スペースは、例えば、８μｍ／８μｍ乃至２５μｍ／２５μｍの範囲内にある。
【0114】
コア層２１の一方の主面側において、電極２５の上には第２金属バンプ２７が設けられている。上記の一方の主面側において、最表面絶縁樹脂層２６は、層２４の表面、電極２５の側面及び第２金属バンプ２７の一部の側面を被覆している。
【0115】
第２金属バンプ２７の配置は、例えば、図１に示す支持体付き配線基板１が備える第１金属バンプ１８の配置と同じである。
【0116】
第２金属バンプ２７の材料としては、上述した支持体付き配線基板１の第１金属バンプ１８について説明した材料を使用することができる。
【0117】
コア層２１の他方の主面側において、電極２５の表面及び層２４の表面には、電極２５の一部の表面が露出するように最表面絶縁樹脂層２６が設けられている。
【0118】
次に、図２０に示すように、第１配線基板２０の位置と図１に示す支持体付き配線基板１の位置とを合わせる。第１配線基板２０の位置と支持体付き配線基板１の位置とは、第１配線基板２０が備える第２金属バンプ２７の配置と図１に示す支持体付き配線基板１が備える第１金属バンプ１８の配置とが対応するように合わせる。
【0119】
次に、図２１に示すように、第１配線基板２０を支持体付き配線基板１が含む第２配線基板としての配線基板１５に接合し、その後、第１配線基板２０と支持体付き配線基板１との間の部分に第１アンダーフィル３１を充填する。
【0120】
第１配線基板２０と支持体付き配線基板１とは、例えば、互いに向き合うように接合する。具体的には、第１配線基板２０と支持体付き配線基板１の配線基板１５側の表面とが互いに向き合うように接合する。
【0121】
接合は、第１配線基板２０が備える第２金属バンプ２７と支持体付き配線基板１が備える第１金属バンプ１８とを介して行われる。この接合により、第１接合部３０が形成される。
【0122】
第１アンダーフィル３１は、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂からなる群より選択される１以上の樹脂と、シリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、又は酸化亜鉛等のフィラーとの混合物を使用することができる。
【0123】
次に、図２２に示すように、光吸収層１２にレーザー光４０を照射する。具体的には、例えば、第１配線基板２０と支持体付き配線基板１との複合体の支持体１１側の表面から光吸収層１２にレーザー光４０を照射する。図２２に示す白抜き矢印は、レーザー光４０の移動方向を示す。
【0124】
レーザー光４０は特定波長を有する。例えば、紫外波長域乃至赤外波長域内にある。特定波長が紫外波長域内にある場合、特定波長は、例えば、１５０ｎｍ乃至４００ｎｍの範囲内にある。特定波長が赤外波長域内にある場合、特定波長は、例えば、７００ｎｍ乃至２０００ｎｍの範囲内にある。レーザー光４０は、赤外波長域内にあることが好ましい。赤外波長域内にあるレーザー光４０は、紫外波長機内にあるレーザー光４０と比較して、配線基板１５に損傷が生じにくい。例えば、導体層１５２Ａ、１５２Ｂ、１５２Ｃ及び１５２Ｄ、又は絶縁層１５３Ａ、１５３Ｂ及び１５３Ｃに欠陥が生じやすい。
【0125】
レーザー光４０の出力は、０．０５Ｗ乃至２５Ｗの範囲内にあることが好ましく、０．１Ｗ乃至１０Ｗの範囲内にあることがより好ましい。レーザー光４０の出力が上記の範囲内にあると、配線基板１５に損傷が生じにくい。レーザー光４０の出力が大きすぎると、配線基板１５に損傷が生じやすい。レーザー光４０の出力が小さすぎると、配線基板１５から支持体１１が剥離することが難しい。
【0126】
レーザー光４０の単位面積当たりの照射エネルギーは、１ｍＪ／ｃｍ２乃至１０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内にあることが好ましく、１０ｍＪ／ｃｍ２乃至３００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内にあることがより好ましい。
【0127】
レーザー光４０の照射回数は、１回であることが好ましい。照射は複数回行ってもよい。工程負荷の観点から、照射回数は少ないことが好ましい。
【0128】
光吸収層１２にレーザー光４０を照射すると、光吸収層１２が発熱する。光吸収層１２の発熱によって生じた熱が剥離層１３に伝導すると、光吸収層１２と接している剥離層１３は、光吸収層１２へのレーザー光４０の照射位置で変質する。その結果、剥離層１３の密着性が低下する。
【0129】
次に、図２３に示すように、配線基板１５から支持体１１及び光吸収層１２を剥離する。
【0130】
次に、図２４に示すように、剥離層１３及び第１シード層１４を除去する。剥離層１３の材料としてポリイミド樹脂を使用した場合、剥離層１３は、一例によると、Ｏ２又はＣＦ２プラズマを用いたドライエッチングにより除去する。剥離層１３は、他の例によると、ヒドラジン系又は強アルカリ系のエッチング液により除去する。剥離層１３はドライエッチングにより除去することが好ましい。
【0131】
第１シード層１４がチタンからなる第１金属含有層及び銅からなる第２金属含有層からなる場合、第１金属含有層は、例えば、アルカリ系のエッチング剤を用いて除去し、第２金属含有層は、例えば、酸系のエッチング剤を用いて除去する。
このようにして、複合配線基板１００を得る。
このようにして、複合配線基板１００を得る。
【0132】
なお、剥離層１３及び第１シード層１４を除去した後、導体層１５２Ａの表面に表面処理層１７を形成してもよい。
【0133】
また、上述した方法では、光吸収層１２と剥離層１３との界面において剥離を生じさせたが、剥離層１３と第１シード層１４との界面において剥離を生じさせても良い。
【0134】
上述した複合配線基板１００は、例えば、パッケージ化デバイスの製造に使用することができる。パッケージ化デバイスは、例えば、上述した第１配線基板２０、配線基板１５及び機能デバイスを備えている。
以下、図２５を用いて、複合配線基板１００を使用したパッケージ化デバイスの製造方法について説明する。
以下、図２５を用いて、複合配線基板１００を使用したパッケージ化デバイスの製造方法について説明する。
【0135】
先ず、機能デバイスと図２４に示す複合配線基板１００とを準備する。
【0136】
機能デバイスは、例えば、半導体チップ、又は、ガラス基板などの半導体以外の材料からなる基板上に回路や素子が形成されたチップである。ここでは、一例として、機能デバイスは半導体チップであるとする。即ち、ここでは、パッケージ化デバイスは、半導体パッケージである。
【0137】
次に、図２５に示すように、複合配線基板１００と機能デバイス５０とを接合する。機能デバイス５０と複合配線基板１００とは、例えば、互いに向き合うように接合する。具体的には、機能デバイス５０と複合配線基板１００の配線基板１５側の表面とが互いに向き合うように接合する。
【0138】
機能デバイス５０は、第２接合部５１を介して複合配線基板１００に接合される。具体的には、機能デバイス５０は、第２接合部５１を介して導体層１５２Ｄに接合される。ここでは、機能デバイス５０は、フリップチップボンディングによって、複合配線基板１００へ接合されている。機能デバイス５０の１以上は、ワイヤボンディングなどの他のボンディング法によって複合配線基板１００へ接合されていてもよい。
【0139】
第２接合部５１は、機能デバイス５０と複合配線基板１００との間で、狭いピッチで配列している。第２接合部５１は、例えば、銅からなるピラー又は半田からなる。機能デバイス５０をワイヤボンディングによって複合配線基板１００へ接合する場合、例えば、金ワイヤを用いて機能デバイス５０と複合配線基板１００とを電気的に接続することができる。
【0140】
次に、図２５に示すように、機能デバイス５０と複合配線基板１００との間の部分に第２アンダーフィル５２を充填する。第２アンダーフィル５２の材料は、例えば、第１アンダーフィル３１について説明したのと同様である。
【0141】
次に、図２５に示すように、封止樹脂５３で機能デバイスを封止する。
封止樹脂５３としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂からなる群より選択される１以上の樹脂と、シリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、又は酸化亜鉛等のフィラーとの混合物を使用することができる。封止樹脂５３の材料と、第２アンダーフィル５２の材料とは異なることが好ましい。
封止樹脂５３は、例えば、コンプレッションモールド又はトランスファーモールドによって形成することができる。
封止樹脂５３としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂からなる群より選択される１以上の樹脂と、シリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、又は酸化亜鉛等のフィラーとの混合物を使用することができる。封止樹脂５３の材料と、第２アンダーフィル５２の材料とは異なることが好ましい。
封止樹脂５３は、例えば、コンプレッションモールド又はトランスファーモールドによって形成することができる。
【0142】
次に、図２５に示すように、複合配線基板１００の第１配線基板２０側の表面のうち、電極２５が露出している領域に第３金属バンプ６０を形成する。第３金属バンプ６０は、例えば、マザーボードとの接合に使用される。第３金属バンプ６０の材料は、例えば、第１金属バンプ１８について説明したのと同様である。
このようにして、パッケージ化デバイス３００を得る。
このようにして、パッケージ化デバイス３００を得る。
【0143】
図２５に示すように、第１接合部３０の配置間隔は、第２接合部５１の配置間隔よりも狭いことが好ましい。この場合、配線基板１５は、機能デバイス５０とも第１配線基板２０とも容易に接合可能である。
【0144】
なお、図２５では、配線基板１５の側面は封止樹脂５３によって覆われているが、配線基板１５の側面は封止樹脂５３によって覆われていなくても良い。また、図２５では、パッケージ化デバイス３００は複数の機能デバイス５０を含んでいるが、パッケージ化デバイス３００は機能デバイス５０を１つのみ含んでいてもよい。
【0145】
＜機能デバイス付き配線基板の製造方法＞
以下、図２６乃至図３１を参照しながら、機能デバイス付き配線基板の製造方法の一例について説明する。なお、図２６乃至図３１においては最表面絶縁層１６及び表面処理層１７を省略した。
以下、図２６乃至図３１を参照しながら、機能デバイス付き配線基板の製造方法の一例について説明する。なお、図２６乃至図３１においては最表面絶縁層１６及び表面処理層１７を省略した。
【0146】
先ず、図１４に示す支持体付き配線基板１と機能デバイスとを準備する。
【0147】
次に、図２６に示すように、機能デバイス５０を、図１４に示す支持体付き配線基板１に接合する。機能デバイス５０と支持体付き配線基板１とは、例えば、互いに向き合うように接合する。具体的には、機能デバイス５０と支持体付き配線基板１の配線基板１５側の表面とが互いに向き合うように接合する。
【0148】
機能デバイス５０は、第２接合部５１を介して支持体付き配線基板１に接合される。具体的には、機能デバイス５０は、第２接合部５１を介して導体層１５２Ｄに接合される。
【0149】
次に、図２７に示すように、機能デバイス５０と支持体付き配線基板１との間の部分に第２アンダーフィル５２を充填する。第２アンダーフィル５２の充填により、機能デバイス５０を支持体付き配線基板１に固定し、且つ、第２接合部５１を封止する。
【0150】
次に、図２８に示すように、封止樹脂５３で機能デバイス５０を封止する。
【0151】
次に、図２９に示すように、光吸収層１２にレーザー光４０を照射する。具体的には、例えば、機能デバイス５０と支持体付き配線基板１との複合体の支持体１１側の表面から光吸収層１２にレーザー光４０を照射する。図２９に示す白抜き矢印は、レーザー光４０の移動方向を示す。
【0152】
レーザー光４０は特定波長を有する。例えば、紫外波長域乃至赤外波長域内にある。特定波長が紫外波長域内にある場合、特定波長は、例えば、１５０ｎｍ乃至４００ｎｍの範囲内にある。特定波長が赤外波長域内にある場合、特定波長は、例えば、７００ｎｍ乃至２０００ｎｍの範囲内である。
【0153】
レーザー光４０の出力は、０．０５Ｗ乃至２５Ｗの範囲内にあることが好ましく、０．１Ｗ乃至１０Ｗの範囲内にあることがより好ましい。
【0154】
レーザー光４０の単位面積当たりの照射エネルギーは、１ｍＪ／ｃｍ２乃至１０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内にあることが好ましく、１０ｍＪ／ｃｍ２乃至３００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内にあることがより好ましい。
【0155】
レーザー光４０の照射回数は、１回であることが好ましい。照射回数は複数回であってもよい。
【0156】
上述した通り、光吸収層１２にレーザー光４０を照射すると、剥離層１３の密着性が低下する。
【0157】
次に、図３０に示すように、配線基板１５から支持体１１及び光吸収層１２を剥離する。
【0158】
次に、図３１に示すように、剥離層１３及び第１シード層１４を除去する。
このようにして、機能デバイス付き配線基板２００を得る。
このようにして、機能デバイス付き配線基板２００を得る。
【0159】
なお、機能デバイス５０を支持体付き配線基板１に接合した後に、機能デバイス５０と支持体付き配線基板１との間の部分に第２アンダーフィル５２を充填する代わりに、支持体付き配線基板１の上に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を配置した後に、機能デバイス５０を支持体付き配線基板１に接合してもよい。異方性導電フィルムの代わりに、フィルム状接合材料（ＮＣＦ）を使用してもよい。また、機能デバイス５０を支持体付き配線基板１に接合した後に、機能デバイス５０と支持体付き配線基板１との間の部分に第２アンダーフィル５２を充填する代わりに、支持体付き配線基板１の上に非導電ペースト（ＮＣＰ）を塗布し、その後、機能デバイス５０を支持体付き配線基板１に接合してもよい。
【0160】
また、剥離層１３及び第１シード層１４を除去した後、導体層１５２Ａの表面に表面処理層１７を形成してもよい。また、上述した方法では、機能デバイス付き配線基板２００は複数の機能デバイス５０を含んでいるが、機能デバイス付き配線基板２００は機能デバイス５０を１つのみ含んでいてもよい。
【0161】
上述した機能デバイス付き配線基板２００は、例えば、パッケージ化デバイスの製造に使用することができる。
以下、機能デバイス付き配線基板２００を使用したパッケージ化デバイスの製造方法の一例について説明する。
以下、機能デバイス付き配線基板２００を使用したパッケージ化デバイスの製造方法の一例について説明する。
【0162】
先ず、図３１に示す機能デバイス付き配線基板２００を準備する。
次に、機能デバイス付き配線基板２００に含まれる導体層１５２Ａの表面に表面処理層１７を形成する。
次に、機能デバイス付き配線基板２００に含まれる導体層１５２Ａの表面に表面処理層１７を形成する。
【0163】
次に、表面処理層１７の上に第１金属バンプ１８を形成する。
次に、図１９に示す第１配線基板２０を準備し、第１配線基板２０の第２金属バンプ２７と第１金属バンプ１８とを接合する。
次に、図１９に示す第１配線基板２０を準備し、第１配線基板２０の第２金属バンプ２７と第１金属バンプ１８とを接合する。
【0164】
次に、第１配線基板２０と機能デバイス付き配線基板２００との間の部分に第１アンダーフィル３１を充填する。
次に、第１配線基板２０の表面のうち、電極２５が露出している領域に第３金属バンプ６０を形成する。
次に、第１配線基板２０の表面のうち、電極２５が露出している領域に第３金属バンプ６０を形成する。
【0165】
このようにして、パッケージ化デバイス３００を得る。
なお、導体層１５２Ａの表面に形成した表面処理層１７は省略してもよい。
なお、導体層１５２Ａの表面に形成した表面処理層１７は省略してもよい。
【0166】
＜効果＞
上述した支持体付き配線基板１において光吸収層１２を省略した場合、配線基板１５から支持体１１を剥離するには、例えば、紫外波長を有するレーザー光を剥離層１３に複数回照射して、剥離層１３の密着性の低下を引き起こすのに十分な変質を生じさせる必要がある。しかしながら、紫外波長を有するレーザー光等の高いエネルギー密度を有するレーザー光を照射した場合、配線基板１５に損傷が生じやすい。また、この場合、高出力のレーザー装置が必要である。
上述した支持体付き配線基板１において光吸収層１２を省略した場合、配線基板１５から支持体１１を剥離するには、例えば、紫外波長を有するレーザー光を剥離層１３に複数回照射して、剥離層１３の密着性の低下を引き起こすのに十分な変質を生じさせる必要がある。しかしながら、紫外波長を有するレーザー光等の高いエネルギー密度を有するレーザー光を照射した場合、配線基板１５に損傷が生じやすい。また、この場合、高出力のレーザー装置が必要である。
【0167】
また、上述した支持体付き配線基板１において光吸収層１２を省略した場合、赤外波長を有するレーザー光等の比較的低いエネルギー密度を有するレーザー光を剥離層１３に照射しても、剥離層１３の密着性の低下を引き起こすのに十分な変質が生じにくい。
【0168】
また、上述した支持体付き配線基板１において光吸収層１２と剥離層１３との積層順を逆にした場合、複合配線基板１００の製造過程において、第１シード層１４の表面には、光吸収層１２及び剥離層１３が残りやすい。この場合、剥離層１３及び第１シード層１４の除去に加えて、光吸収層１２の除去を更に行う必要がある。
【0169】
一方、上述した支持体付き配線基板１は、剥離層１３と支持体１１との間に、剥離層と比較して高い光吸収率を示す光吸収層１２を備えている。このような光吸収層１２は、剥離層１３よりも、レーザー光の照射によって発熱しやすい。このため、光吸収層１２を省略した場合と比較して、上述した支持体付き配線基板１では剥離層１３の密着性の低下を引き起こすのに十分な変質が生じやすい。
【0170】
このため、赤外波長を有するレーザー光を使用した場合であっても、上述した支持体付き配線基板１では配線基板１５から支持体１１を容易に剥離することができる。この場合、配線基板１５に損傷が生じにくい。
【0171】
また、紫外波長を有するレーザー光を使用した場合、上述した支持体付き配線基板１は、光吸収層１２を省略した支持体付き配線基板と比較して、穏やかな照射条件、例えば、短い照射時間及びより低い出力で配線基板１５から支持体１１を剥離することが可能である。この場合においても、配線基板１５に損傷が生じにくい。
【0172】
また、上述した支持体付き配線基板１は、支持体１１と光吸収層１２と剥離層１３とをこの順で備えている。このため、図２３に示すように、複合配線基板１００の製造過程において、第１シード層１４の表面には剥離層１３が残ることがある。或いは、第１シード層１４の表面には層が残らないこともある。これらの場合、光吸収層１２を除去する工程は不要である。このため、支持体１１剥離後におけるエッチング回数は少なくて済む。
【0173】
また、上述した支持体付き配線基板１では、レーザー光４０は剥離層１３を介さずに光吸収層１２に到達するため、レーザー光４０が光吸収層１２に到達する前に、剥離層１３によるレーザー光の吸収は生じない。
【0174】
上述した支持体付き配線基板１において、光吸収層１２と剥離層１３とは接していることが好ましい。光吸収層１２と剥離層１３とが接している場合、レーザー光４０によって生じた熱が剥離層１３に伝導しやすいため、配線基板１５から支持体１１が剥離しやすい。
【0175】
また、上述した支持体付き配線基板１において、支持体１１と光吸収層１２とは接していることが好ましい。支持体１１と光吸収層１２とが接している場合、光吸収層１２による発熱量が大きいため、配線基板１５から支持体１１が剥離しやすい。
【0176】
上述した支持体付き配線基板１を使用すると、複合配線基板１００、機能デバイス付き配線基板２００及びパッケージ化デバイス３００の製造方法においても、配線基板１５から支持体１１を容易に剥離することができる。また、これらの製造方法において、赤外波長を有するレーザー光を照射した場合、又は、紫外波長を有するレーザー光を短時間照射した場合、配線基板１５に損傷が生じにくい。
【0177】
ところで、上述した通り、ＦＣ－ＢＧＡ基板と半導体チップとの間に、シリコンウェハを含むシリコンインターポーザを設ける技術がある。この技術においては、使用可能なシリコンウェハの形状及び寸法が限られているため、１枚のシリコンウェハから製造可能なインターポーザの数が少ない。また、シリコンウェハの製造設備は高価であるため、シリコンインターポーザも高価である。また、シリコンウェハは半導体からなるため、抵抗が高い。このため、シリコンインターポーザは伝送特性が劣化することがある。
【0178】
また、化学機械研磨（ＣＭＰ）などを利用してＦＣ－ＢＧＡ基板に多層配線層を直接作り込む方法では、上述した伝送特性の劣化は小さいものの、ＦＣ－ＢＧＡ基板自体の製造歩留まりが小さい。また、ＦＣ－ＢＧＡ基板上に微細配線を形成することは難易度が高い。このため、上記の方法では製造歩留まりが小さくなりやすい。また、ＦＣ－ＢＧＡ基板の反りや歪みに起因した、半導体チップの実装における問題も生じることがある。
【実施例0179】
以下に、例及び比較例を記載する。
＜例１＞
以下の方法により、支持体と光吸収層と剥離層と第１シード層と導体層とを備えた積層体を製造した。
＜例１＞
以下の方法により、支持体と光吸収層と剥離層と第１シード層と導体層とを備えた積層体を製造した。
【0180】
先ず、支持体として、厚さが１．１ｍｍであるガラス基板を準備した。
次に、支持体の一方の支持面に光吸収層を形成した。光吸収層は、支持体の上にチタンをスパッタリングすることで形成した。光吸収層の厚さは２０ｎｍとした。
次に、支持体の一方の支持面に光吸収層を形成した。光吸収層は、支持体の上にチタンをスパッタリングすることで形成した。光吸収層の厚さは２０ｎｍとした。
【0181】
次に、光吸収層の上に剥離層を形成した。剥離層はポリイミド樹脂をスピンコートにより形成した。ポリイミド樹脂としては、宇部興産株式会社製の「ユピア（登録商標）」を使用した。剥離層の厚さは５００ｎｍとした。
【0182】
次に、剥離層の上に第１シード層を形成した。具体的には、先ず、剥離層の上にチタンからなる第１金属含有層をスパッタリングにより形成し、その後、第１金属含有層の上に銅からなる第２金属含有層を電解めっきにより形成した。第１金属含有層及び第２金属含有層の厚さは、それぞれ、５０ｎｍ及び３００ｎｍとした。
【0183】
次に、第１シード層の上に、電解めっきにより、銅からなる層を形成した。銅からなる層の厚さは２０μｍとした。
【0184】
以上のようにして、積層体を得た。
【0185】
＜例２＞
光吸収層の厚さを２０ｎｍから５０ｎｍへ変更したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
光吸収層の厚さを２０ｎｍから５０ｎｍへ変更したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
【0186】
＜例３＞
光吸収層の厚さを２０ｎｍから１００ｎｍへ変更したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
光吸収層の厚さを２０ｎｍから１００ｎｍへ変更したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
【0187】
＜例４＞
光吸収層の厚さを２０ｎｍから２００ｎｍへ変更したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
光吸収層の厚さを２０ｎｍから２００ｎｍへ変更したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
【0188】
＜比較例１＞
光吸収層を省略したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
光吸収層を省略したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
【0189】
＜比較例２＞
光吸収層及び剥離層を省略したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
光吸収層及び剥離層を省略したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
【0190】
＜比較例３＞
光吸収層の厚さを２０ｎｍから５０ｎｍへ変更し、且つ剥離層を省略したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
光吸収層の厚さを２０ｎｍから５０ｎｍへ変更し、且つ剥離層を省略したこと以外は例１と同様の方法により積層体を製造した。
【0191】
＜評価＞
例１乃至４及び比較例１乃至３に係る積層体について、波長が３５５ｎｍの固体ＵＶレーザー、及び、波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザー（ＩＲレーザー）を支持体側から照射した。その後、支持体が剥離できるか調べた。結果を以下の表２に示す。なお、固体ＵＶレーザーは、単位面積当たりの照射エネルギーが８８．３ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した。
例１乃至４及び比較例１乃至３に係る積層体について、波長が３５５ｎｍの固体ＵＶレーザー、及び、波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザー（ＩＲレーザー）を支持体側から照射した。その後、支持体が剥離できるか調べた。結果を以下の表２に示す。なお、固体ＵＶレーザーは、単位面積当たりの照射エネルギーが８８．３ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した。
【0192】
【表2】
【0193】
表２の「ＵＶレーザー」と表記した列において、「良好」は、出力０．０６Ｗの照射を１回行った後に支持体が剥離可能であったことを表す。「可」は、出力０．０６Ｗの照射を１回行った後に支持体が剥離できず、出力０．０６Ｗの照射を２回行った後に支持体が剥離可能であったことを表す。「不可」は、出力０．０６Ｗの照射を３回行っても、支持体が剥離できなかったことを表す。「ＩＲレーザー」と表記した列において、「良好」は、出力２．５Ｗの照射を１回行った後に支持体が剥離可能であったことを表す。「可」は、出力２．５Ｗの照射を１回行った後に支持体が剥離できず、出力２．５Ｗの照射を２回行った後に支持体が剥離可能であったことを表す。「不可」は、出力２．５Ｗの照射を３回行っても、支持体が剥離できなかったことを表す。
【0194】
表２に示すように、例１乃至４に係る積層体は、ＵＶレーザー及びＩＲレーザーの何れを用いた場合でも、支持体が剥離可能であった。
【0195】
一方、比較例１に係る積層体は、ＵＶレーザーを用いた場合に、支持体が剥離可能であったものの、ＩＲレーザーを用いた場合では、支持体が剥離できなかった。また、比較例２及び３に係る積層体は、ＵＶレーザー及びＩＲレーザーの何れを用いた場合でも、支持体が剥離できなかった。
【符号の説明】
【0196】
１０…支持体付き配線基板、１１…支持体、１２…光吸収層、１３…剥離層、１４…第１シード層、１５…配線基板、１６…最表面絶縁層、１７…表面処理層、１８…第１金属バンプ、２０…第１配線基板、２１…コア層、２２…導体層、２３…絶縁樹脂、２４…層、２５…電極、２６…最表面絶縁樹脂層、２７…第２金属バンプ、３０…第１接合部、３１…第１アンダーフィル、４０…レーザー光、５０…機能デバイス、５１…第２接合部、５２…第２アンダーフィル、５３…封止樹脂、６０…第３金属バンプ、１００…複合配線基板、１５１Ａ…レジスト層、１５１Ｂ…レジスト層、１５１Ｃ…レジスト層、１５２Ａ…導体層、１５２Ｂ…導体層、１５２Ｃ…導体層、１５２Ｄ…導体層、１５３Ａ…絶縁層、１５３Ｂ…絶縁層、１５３Ｃ…絶縁層、１５４Ａ…第２シード層、１５４Ｂ…第２シード層、１５４Ｃ…第２シード層、２００…配線基板、２４１…導体パターン、２４２…絶縁層、３００…パッケージ化デバイス。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
