(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022122077
(43)【公開日】2022-08-22
(54)【発明の名称】高周波回路基板、及び、高周波回路基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20220815BHJP
H01P 3/08 20060101ALI20220815BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20220815BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 J
H01P3/08 100
H05K3/46 N
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021019152
(22)【出願日】2021-02-09
(71)【出願人】
【識別番号】000005186
【氏名又は名称】株式会社フジクラ
(74)【代理人】
【識別番号】100106909
【弁理士】
【氏名又は名称】棚井 澄雄
(74)【代理人】
【識別番号】100126882
【弁理士】
【氏名又は名称】五十嵐 光永
(74)【代理人】
【識別番号】100160093
【弁理士】
【氏名又は名称】小室 敏雄
(74)【代理人】
【識別番号】100169764
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 雄一郎
(72)【発明者】
【氏名】徐 磊
(72)【発明者】
【氏名】額賀 理
【テーマコード（参考）】
5E316
5E338
5J014
【Ｆターム（参考）】
5E316AA02
5E316AA12
5E316AA17
5E316AA25
5E316AA32
5E316AA43
5E316BB11
5E316CC02
5E316CC08
5E316CC10
5E316CC16
5E316CC18
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC37
5E316CC39
5E316DD02
5E316DD32
5E316DD48
5E316EE33
5E316GG15
5E316GG22
5E316GG28
5E316HH06
5E316HH11
5E338AA01
5E338AA02
5E338AA03
5E338AA18
5E338BB13
5E338BB25
5E338CD01
5E338EE11
5E338EE21
5J014CA07
5J014CA53
(57)【要約】
【課題】配線層の縁部において基板にクラックが発生することを防止し、基板から配線層が剥離することを防止し、信頼性の向上に寄与する高周波回路基板と、この高周波回路基板を製造する製造方法とを提供する。
【解決手段】高周波回路基板１Ａは、誘電体又は半導体を含む材料で構成され、第１線膨張率を有する基板２と、縁部３Ｅを有するとともに基板２の第１面２Ｆ上に形成された第１配線層３と、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がない領域３Ｒに位置し、前記第１線膨張率よりも大きい第２線膨張率を有する第１スペーサ４と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】高周波回路基板１Ａは、誘電体又は半導体を含む材料で構成され、第１線膨張率を有する基板２と、縁部３Ｅを有するとともに基板２の第１面２Ｆ上に形成された第１配線層３と、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がない領域３Ｒに位置し、前記第１線膨張率よりも大きい第２線膨張率を有する第１スペーサ４と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高周波回路基板であって、
第１面を有し、誘電体又は半導体を含む材料で構成され、第１線膨張率を有する基板と、
縁部を有し、前記第１面上に形成された第１配線層と、
前記第１配線層の前記縁部を跨がない領域に位置し、前記第１線膨張率よりも大きい第２線膨張率を有する第１スペーサと、
を備える、
高周波回路基板。
第１面を有し、誘電体又は半導体を含む材料で構成され、第１線膨張率を有する基板と、
縁部を有し、前記第１面上に形成された第１配線層と、
前記第１配線層の前記縁部を跨がない領域に位置し、前記第１線膨張率よりも大きい第２線膨張率を有する第１スペーサと、
を備える、
高周波回路基板。
【請求項2】
前記基板の前記第１線膨張率と前記第１スペーサの前記第２線膨張率との差は、１０以上である、
請求項１に記載の高周波回路基板。
請求項１に記載の高周波回路基板。
【請求項3】
前記基板は、前記第１面とは反対の第２面を有し、
前記高周波回路基板は、
縁部を有し、前記第２面上に形成された第２配線層と、
前記第２配線層の前記縁部を跨がない領域に位置する第２スペーサと、
を備える、
請求項１又は請求項２に記載の高周波回路基板。
前記高周波回路基板は、
縁部を有し、前記第２面上に形成された第２配線層と、
前記第２配線層の前記縁部を跨がない領域に位置する第２スペーサと、
を備える、
請求項１又は請求項２に記載の高周波回路基板。
【請求項4】
前記基板は、前記第１面から前記第２面に向けて前記基板を貫通する基板貫通孔を有し、
前記高周波回路基板は、
前記基板貫通孔の内部に形成され、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する貫通導体を備える、
請求項３に記載の高周波回路基板。
前記高周波回路基板は、
前記基板貫通孔の内部に形成され、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する貫通導体を備える、
請求項３に記載の高周波回路基板。
【請求項5】
前記第１スペーサは、前記第１スペーサを貫通するスペーサ貫通孔を有し、
前記高周波回路基板は、
前記第１スペーサ上に形成され、前記第１配線層及び前記基板から離間し、前記基板の垂直方向から見て前記スペーサ貫通孔の位置と同じ位置に形成された第１樹脂貫通孔を有し、上面を有する第１樹脂層と、
前記第１樹脂層の前記上面の一部を被覆し、前記スペーサ貫通孔及び前記第１樹脂貫通孔の内部に形成され、前記第１配線層と電気的に接続された第３配線層と、
を備える、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の高周波回路基板。
前記高周波回路基板は、
前記第１スペーサ上に形成され、前記第１配線層及び前記基板から離間し、前記基板の垂直方向から見て前記スペーサ貫通孔の位置と同じ位置に形成された第１樹脂貫通孔を有し、上面を有する第１樹脂層と、
前記第１樹脂層の前記上面の一部を被覆し、前記スペーサ貫通孔及び前記第１樹脂貫通孔の内部に形成され、前記第１配線層と電気的に接続された第３配線層と、
を備える、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の高周波回路基板。
【請求項6】
前記第１樹脂層の前記上面に形成され、前記基板の垂直方向から見て、前記第３配線層の一部に対応する位置に形成された第２樹脂貫通孔を有する第２樹脂層と、
前記第２樹脂層の一部を被覆し、前記第２樹脂貫通孔の内部に形成され、前記第３配線層と電気的に接続された第４配線層と、
を備える、
請求項５に記載の高周波回路基板。
前記第２樹脂層の一部を被覆し、前記第２樹脂貫通孔の内部に形成され、前記第３配線層と電気的に接続された第４配線層と、
を備える、
請求項５に記載の高周波回路基板。
【請求項7】
前記基板は、前記第１面とは反対の第２面と、前記第１面から前記第２面に向けて前記基板を貫通する基板貫通孔とを有し、
前記基板の垂直方向から見て、前記第１樹脂貫通孔の位置は、前記基板貫通孔の位置と同じである、
請求項５又は請求項６に記載の高周波回路基板。
前記基板の垂直方向から見て、前記第１樹脂貫通孔の位置は、前記基板貫通孔の位置と同じである、
請求項５又は請求項６に記載の高周波回路基板。
【請求項8】
前記第１スペーサとは異なる位置に配置され、前記基板と前記第１樹脂層とによって挟まれた第３スペーサを備える、
請求項５又は請求項６に記載の高周波回路基板。
請求項５又は請求項６に記載の高周波回路基板。
【請求項9】
高周波回路基板の製造方法であって、
第１面を有するとともに誘電体又は半導体を含む材料で構成された基板を準備し、
前記基板の前記第１面上に、縁部を有する第１配線層を形成し、
前記第１配線層の前記縁部を跨がない領域に位置するように第１スペーサを形成する、
高周波回路基板の製造方法。
第１面を有するとともに誘電体又は半導体を含む材料で構成された基板を準備し、
前記基板の前記第１面上に、縁部を有する第１配線層を形成し、
前記第１配線層の前記縁部を跨がない領域に位置するように第１スペーサを形成する、
高周波回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波回路基板、及び、高周波回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に開示されているように、積層構造を有する小型の高周波回路基板が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－２６１２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ミリ波帯等の高周波領域における高周波特性が優れる高周波回路基板の製造においては、微細な配線を形成することが可能なＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）や石英ガラス等を用いて、高周波回路基板の部品を製造することが好ましい。
【0005】
しかしながら、石英ガラス等の基板を用いて高周波回路基板を製造する場合には、基板と配線層との線膨張率の差が大きいため、配線層の上に樹脂層を積層する際に配線層の縁部において配線層が基板から剥離し易くなる。また、石英ガラスは脆弱な材料であり、石英ガラスからなる基板にクラック等が発生し易く、高周波回路基板の信頼性が低下するという問題があった。
【0006】
本発明は、このような事情を考慮してなされ、配線層の縁部において基板にクラックが発生することを防止し、基板から配線層が剥離することを防止し、信頼性の向上に寄与する高周波回路基板と、この高周波回路基板を製造する製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するため、本発明の一態様に係る高周波回路基板は、第１面を有し、誘電体又は半導体を含む材料で構成され、第１線膨張率を有する基板と、縁部を有し、前記第１面上に形成された第１配線層と、前記第１配線層の前記縁部を跨がない領域に位置し、前記第１線膨張率よりも大きい第２線膨張率を有する第１スペーサと、を備える。
【0008】
本発明の一態様に係る高周波回路基板によれば、前記第１スペーサが前記基板に接触しない状態（非接触状態）が維持される。高周波回路基板の周囲の温度に変化が生じたとしても、線膨張率の差に起因する前記第１スペーサと前記基板との間の応力集中が緩和され、第１配線層の縁部において前記基板にクラックが発生することを防止することができる。さらに、前記基板から前記第１配線層が剥離することを防止することができ、高周波回路基板の信頼性を向上させることができる。
【0009】
本発明の一態様に係る高周波回路基板においては、前記基板の前記第１線膨張率と前記第１スペーサの前記第２線膨張率との差は、１０以上であってもよい。
【0010】
本発明の一態様に係る高周波回路基板においては、前記基板は、前記第１面とは反対の第２面を有し、前記高周波回路基板は、縁部を有し、前記第２面上に形成された第２配線層と、前記第２配線層の前記縁部を跨がない領域に位置する第２スペーサと、を備えてもよい。前記第２配線層は、前記第２面の一部が露出するように前記第２面上に部分的に形成されてもよいし、前記第２面の全面を覆うように形成されてもよい。前記第２配線層は、前記基板の最外周縁部に配置されてもよい。
【0011】
本発明の一態様に係る高周波回路基板においては、前記基板は、前記第１面から前記第２面に向けて前記基板を貫通する基板貫通孔を有し、前記高周波回路基板は、前記基板貫通孔の内部に形成され、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する貫通導体を備えてもよい。
【0012】
本発明の一態様に係る高周波回路基板においては、前記第１スペーサは、前記第１スペーサを貫通するスペーサ貫通孔を有し、前記高周波回路基板は、前記第１スペーサ上に形成され、前記第１配線層及び前記基板から離間し、前記基板の垂直方向から見て前記スペーサ貫通孔の位置と同じ位置に形成された第１樹脂貫通孔を有し、上面を有する第１樹脂層と、前記第１樹脂層の前記上面の一部を被覆し、前記スペーサ貫通孔及び前記第１樹脂貫通孔の内部に形成され、前記第１配線層と電気的に接続された第３配線層と、を備えてもよい。
【0013】
本発明の一態様に係る高周波回路基板においては、前記第１樹脂層の前記上面に形成され、前記基板の垂直方向から見て、前記第３配線層の一部に対応する位置に形成された第２樹脂貫通孔を有する第２樹脂層と、前記第２樹脂層の一部を被覆し、前記第２樹脂貫通孔の内部に形成され、前記第３配線層と電気的に接続された第４配線層と、を備えてもよい。
【0014】
本発明の一態様に係る高周波回路基板においては、前記基板は、前記第１面とは反対の第２面と、前記第１面から前記第２面に向けて前記基板を貫通する基板貫通孔とを有し、前記基板の垂直方向から見て、前記第１樹脂貫通孔の位置は、前記基板貫通孔の位置と同じであってもよい。
【0015】
本発明の一態様に係る高周波回路基板においては、前記第１スペーサとは異なる位置に配置され、前記基板と前記第１樹脂層とによって挟まれた第３スペーサを備えてもよい。第３スペーサは、前記基板の最外周縁部に配置されてもよいし、互いに隣り合う２つの前記第１スペーサの間に配置されてもよい。
【0016】
上記課題を解決するため、本発明の一態様に係る高周波回路基板の製造方法は、第１面を有するとともに誘電体又は半導体を含む材料で構成された基板を準備し、前記基板の前記第１面上に、縁部を有する第１配線層を形成し、前記第１配線層の前記縁部を跨がない領域に位置するように第１スペーサを形成する。
【0017】
本発明の一態様に係る高周波回路基板の製造方法によれば、前記第１スペーサが前記基板に接触しない状態（非接触状態）が維持される。高周波回路基板の周囲の温度に変化が生じたとしても、線膨張率の差に起因する前記第１スペーサと前記基板との間の応力集中が緩和され、第１配線層の縁部において前記基板にクラックが発生することを防止することができる。さらに、前記基板から前記第１配線層が剥離することを防止することができ、高周波回路基板の信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【0018】
本発明の上記態様によれば、配線層の縁部において基板にクラックが発生することを防止し、基板から配線層が剥離することを防止し、信頼性の向上に寄与する高周波回路基板と、この高周波回路基板を製造する製造方法とを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明の第１実施形態に係る高周波回路基板を示す拡大断面図である。
【図2】本発明の第２実施形態に係る高周波回路基板を示す拡大断面図である。
【図3】本発明の第３実施形態に係る高周波回路基板を示す拡大断面図である。
【図4】本発明の第４実施形態に係る高周波回路基板を示す拡大断面図である。
【図5】本発明の第５実施形態に係る高周波回路基板を示す拡大断面図である。
【図6A】本発明の第５実施形態に係る高周波回路基板を製造する製造方法を説明するための拡大断面図である。
【図6B】本発明の第５実施形態に係る高周波回路基板を製造する製造方法を説明するための拡大断面図である。
【図6C】本発明の第５実施形態に係る高周波回路基板を製造する製造方法を説明するための拡大断面図である。
【図6D】本発明の第５実施形態に係る高周波回路基板を製造する製造方法を説明するための拡大断面図である。
【図7】本発明の実施形態の変形例１に係る高周波回路基板を示す拡大断面図である。
【図8】本発明の実施形態の変形例２に係る高周波回路基板を示す拡大断面図である。
【図9】本発明の実施形態の変形例３に係る高周波回路基板を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
本発明の実施形態に係る高周波回路基板について、図面を参照して詳細に説明する。
以下の説明で用いる図面は、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
以下の説明で用いる図面は、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【0021】
本発明の実施形態に係る高周波回路基板は、例えば、高周波部品等のデバイスに用いられる。
【0022】
（第１実施形態に係る高周波回路基板）
図１に示すように、第１実施形態に係る高周波回路基板１Ａは、基板２と、第１配線層３と、スペーサ４（第１スペーサ）とを有する。
図１に示すように、第１実施形態に係る高周波回路基板１Ａは、基板２と、第１配線層３と、スペーサ４（第１スペーサ）とを有する。
【0023】
（基板２）
基板２は、第１面２Ｆと、第１面２Ｆとは反対の第２面２Ｓを有する。第１面２Ｆは、第１配線層３が形成される配線形成領域２ＦＷ（第１配線形成領域）と、第１配線層３が形成されない配線非形成領域２ＦＮ（第１配線非形成領域）とを有する。
基板２は、誘電体又は半導体を含む材料で構成されている。基板２が誘電体で構成されている場合、基板２を構成する材料としては、ガラス、セラミックス等が採用される。特に、ガラス材料の中でも、石英ガラスを基板２の材料として採用することが好ましい。
基板２は、第１面２Ｆと、第１面２Ｆとは反対の第２面２Ｓを有する。第１面２Ｆは、第１配線層３が形成される配線形成領域２ＦＷ（第１配線形成領域）と、第１配線層３が形成されない配線非形成領域２ＦＮ（第１配線非形成領域）とを有する。
基板２は、誘電体又は半導体を含む材料で構成されている。基板２が誘電体で構成されている場合、基板２を構成する材料としては、ガラス、セラミックス等が採用される。特に、ガラス材料の中でも、石英ガラスを基板２の材料として採用することが好ましい。
【0024】
基板２が半導体で構成されている場合には、公知のシリコン基板が採用される。
なお、基板２は、２種類以上の材料によって構成されてもよい。例えば、ガラス基板（誘電体）上にシリコン膜（半導体）が成膜された構造が採用されてもよいし、２以上の基板が貼り合わされた基板であってもよい。
なお、基板２は、２種類以上の材料によって構成されてもよい。例えば、ガラス基板（誘電体）上にシリコン膜（半導体）が成膜された構造が採用されてもよいし、２以上の基板が貼り合わされた基板であってもよい。
【0025】
（第１配線層３）
第１配線層３は、金属材料により構成されており、フィルタや共振器を構成する。共振器は、電磁結合を利用した高周波電力や高周波信号の受信を行う。
第１配線層３は、第１面２Ｆ上に形成されている。第１配線層３は、縁部３Ｅと、スペーサ４が形成される領域３Ｒ（第１スペーサ形成領域）と、スペーサ４が形成されない非形成領域３Ｎ（第１スペーサ非形成領域）とを有する。
第１配線層３は、金属材料により構成されており、フィルタや共振器を構成する。共振器は、電磁結合を利用した高周波電力や高周波信号の受信を行う。
第１配線層３は、第１面２Ｆ上に形成されている。第１配線層３は、縁部３Ｅと、スペーサ４が形成される領域３Ｒ（第１スペーサ形成領域）と、スペーサ４が形成されない非形成領域３Ｎ（第１スペーサ非形成領域）とを有する。
【0026】
縁部３Ｅの位置は、基板２の第１面２Ｆに対して垂直な方向である垂直方向（以下、基板２の垂直方向と称する）から見て、配線形成領域２ＦＷと配線非形成領域２ＦＮとの間の境界位置に一致する。領域３Ｒにはスペーサ４が形成されているが、スペーサ４は、縁部３Ｅを覆うように形成されていない。
【0027】
（スペーサ４）
スペーサ４は、本発明の第１スペーサに相当する。
スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、つまり、スペーサ４は、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がない領域３Ｒに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がって基板２の第１面２Ｆに接触するように形成されていない。換言すると、スペーサ４は、非形成領域３Ｎ及び縁部３Ｅを覆うように形成されておらず、基板２の第１面２Ｆ上に形成されていない。
スペーサ４は、本発明の第１スペーサに相当する。
スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、つまり、スペーサ４は、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がない領域３Ｒに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がって基板２の第１面２Ｆに接触するように形成されていない。換言すると、スペーサ４は、非形成領域３Ｎ及び縁部３Ｅを覆うように形成されておらず、基板２の第１面２Ｆ上に形成されていない。
【0028】
スペーサ４の構成材料及びスペーサ４の構造は、基板２の第１面２Ｆから第１配線層３が剥離しない効果が得られれば、適宜選択される。
例えば、スペーサ４を構成する材料は、金属、誘電体、又は半導体である。このような材料としては、公知の材料が用いられる。金属材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｓｎ等が挙げられ、また、この材料を含む合金が採用されてもよい。
例えば、スペーサ４を構成する材料は、金属、誘電体、又は半導体である。このような材料としては、公知の材料が用いられる。金属材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｓｎ等が挙げられ、また、この材料を含む合金が採用されてもよい。
【0029】
本実施形態においては、スペーサ４は、樹脂誘電体層である。樹脂誘電体層を構成する具体的な材料として、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機材料が挙げられる。また、このような材料は、複数種類の樹脂材料が混合された材料であってもよいし、シロキサンを含有する樹脂の一つ以上を含む材料であってもよい。本実施形態では、スペーサ４を構成する材料として、ポリイミド樹脂が採用されている。
【0030】
スペーサ４の形状は、球体（粒状）であってもよいし、図１に示すような薄膜形状（層膜）であってもよい。
【0031】
基板２とスペーサ４との線膨張率の差は、１０以上であり、基板２の線膨張率（第１線膨張率）よりも、スペーサ４の線膨張率（第２線膨張率）が大きい。
例えば、基板２が石英ガラス（線膨張率：０．５ｐｐｍ／℃）であり、スペーサ４がポリイミド樹脂（線膨張率：１５ｐｐｍ／℃）であるので、１０以上の線膨張率の差が得られている。
例えば、基板２が石英ガラス（線膨張率：０．５ｐｐｍ／℃）であり、スペーサ４がポリイミド樹脂（線膨張率：１５ｐｐｍ／℃）であるので、１０以上の線膨張率の差が得られている。
【0032】
次に、以上のように構成された第１実施形態に係る高周波回路基板１Ａの作用及び効果について説明する。
高周波回路基板１Ａによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていないので、スペーサ４が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。
高周波回路基板１Ａによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていないので、スペーサ４が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。
【0033】
したがって、高周波回路基板１Ａの周囲の温度に変化が生じたとしても、線膨張率の差に起因するスペーサ４と基板２との間の応力集中が緩和される。これにより、第１配線層３の縁部３Ｅにおいて基板２にクラックが発生することを防止することができる。さらに、基板２から第１配線層３が剥離することを防止することができ、高周波回路基板１Ａの信頼性を向上させることができる。
【0034】
（第２実施形態に係る高周波回路基板）
図２に示すように、第２実施形態に係る高周波回路基板１Ｂは、上述した第１実施形態に係る高周波回路基板１Ａを構成する基板２、第１配線層３、及びスペーサ４を備える。さらに、高周波回路基板１Ｂは、第２配線層５及びスペーサ６（第２スペーサ）を有する。
図２において、第１実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図２に示すように、第２実施形態に係る高周波回路基板１Ｂは、上述した第１実施形態に係る高周波回路基板１Ａを構成する基板２、第１配線層３、及びスペーサ４を備える。さらに、高周波回路基板１Ｂは、第２配線層５及びスペーサ６（第２スペーサ）を有する。
図２において、第１実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
【0035】
（基板２）
基板２は、第２面２Ｓ上に、配線形成領域２ＳＷ（第２配線形成領域）と配線非形成領域２ＳＮ（第２配線非形成領域）とを有する。
基板２は、第２面２Ｓ上に、配線形成領域２ＳＷ（第２配線形成領域）と配線非形成領域２ＳＮ（第２配線非形成領域）とを有する。
【0036】
（第２配線層５）
第２配線層５は、第１配線層３と同様に、金属材料により構成されている。第２配線層５は、接地導体層として機能する。第２配線層５は、基板２の第２面２Ｓ上に形成されている。第２配線層５は、縁部５Ｅと、スペーサ６が形成される領域５Ｒ（第２スペーサ形成領域）と、スペーサ６が形成されない非形成領域５Ｎ（第２スペーサ非形成領域）とを有する。
第２配線層５は、第１配線層３と同様に、金属材料により構成されている。第２配線層５は、接地導体層として機能する。第２配線層５は、基板２の第２面２Ｓ上に形成されている。第２配線層５は、縁部５Ｅと、スペーサ６が形成される領域５Ｒ（第２スペーサ形成領域）と、スペーサ６が形成されない非形成領域５Ｎ（第２スペーサ非形成領域）とを有する。
【0037】
図２に示す例では、第２面２Ｓ上に１つの第２配線層５が形成されているが、複数の第２配線層５が第２面２Ｓ上に形成されてもよい。この場合、少なくとも１つの第２配線層５が接地導体層として機能する。
【0038】
第２配線層５は、第２面２Ｓの一部が露出するように第２面２Ｓ上に部分的に形成されてもよいし、第２面２Ｓの全面を覆うように形成されてもよい。第２配線層５は、基板２の第２面２Ｓにおける最外周縁部２Ｅに配置されてもよい。ここで、基板２の延在方向における端部である。
【0039】
基板２の第２面２Ｓは、第２配線層５が形成される配線形成領域２ＳＷと、第２配線層５が形成されない配線非形成領域５ＳＮとを有する。縁部５Ｅの位置は、基板２の垂直方向から見て、配線形成領域２ＳＷと配線非形成領域２ＳＮとの間の境界位置に一致する。領域５Ｒにはスペーサ６が形成されているが、スペーサ６は、縁部５Ｅを覆うように形成されていない。
【0040】
（スペーサ６）
スペーサ６は、本発明の第２スペーサに相当する。
スペーサ６は、第２配線層５の領域５Ｒのみに形成されており、つまり、スペーサ６は、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がない領域５Ｒに形成されており、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がって基板２の第２面２Ｓに接触するように形成されていない。換言すると、スペーサ６は、非形成領域５Ｎ及び縁部５Ｅを覆うように形成されておらず、基板２の第２面２Ｓ上に形成されていない。
スペーサ６は、本発明の第２スペーサに相当する。
スペーサ６は、第２配線層５の領域５Ｒのみに形成されており、つまり、スペーサ６は、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がない領域５Ｒに形成されており、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がって基板２の第２面２Ｓに接触するように形成されていない。換言すると、スペーサ６は、非形成領域５Ｎ及び縁部５Ｅを覆うように形成されておらず、基板２の第２面２Ｓ上に形成されていない。
【0041】
また、第１実施形態において説明した基板２とスペーサ４との線膨張率の差と同様に、基板２とスペーサ６との線膨張率の差は、１０以上であり、基板２の線膨張率（第１線膨張率）よりも、スペーサ６の線膨張率（第２線膨張率）が大きい。
【0042】
スペーサ６は、スペーサ４と同様の構成を有し、スペーサ４と同様の材料で構成されている。なお、スペーサ６は、スペーサ４とは異なる材料で構成されてもよい。スペーサ６の形状は、球体（粒状）であってもよいし、図２に示すような薄膜形状（層膜）であってもよい。
【0043】
次に、以上のように構成された第２実施形態に係る高周波回路基板１Ｂの作用及び効果について説明する。
高周波回路基板１Ｂによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。さらに、スペーサ６は、第２配線層５の領域５Ｒのみに形成されており、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がっていない。このため、スペーサ４、６が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。
高周波回路基板１Ｂによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。さらに、スペーサ６は、第２配線層５の領域５Ｒのみに形成されており、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がっていない。このため、スペーサ４、６が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。
【0044】
したがって、高周波回路基板１Ｂの周囲の温度に変化が生じたとしても、線膨張率の差に起因するスペーサ４と基板２との間の応力集中と、線膨張率の差に起因するスペーサ６と基板２との間の応力集中とが緩和される。これにより、第１配線層３の縁部３Ｅ及び第２配線層５の縁部５Ｅにおいて基板２にクラックが発生することを防止することができる。さらに、基板２から第１配線層３及び第２配線層５が剥離することを防止することができ、高周波回路基板１Ｂの信頼性を向上させることができる。
【0045】
（第３実施形態に係る高周波回路基板）
図３に示すように、第３実施形態に係る高周波回路基板１Ｃは、上述した第２実施形態に係る高周波回路基板１Ｂを構成する基板２、第１配線層３、スペーサ４、第２配線層５、及びスペーサ６を有する。さらに、高周波回路基板１Ｃは、貫通導体７を有する。
図３において、第２実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図３に示すように、第３実施形態に係る高周波回路基板１Ｃは、上述した第２実施形態に係る高周波回路基板１Ｂを構成する基板２、第１配線層３、スペーサ４、第２配線層５、及びスペーサ６を有する。さらに、高周波回路基板１Ｃは、貫通導体７を有する。
図３において、第２実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
【0046】
（基板貫通孔２Ｈ）
本実施形態に係る高周波回路基板１Ｃにおいて、基板２は、第１面２Ｆから第２面２Ｓに向けて基板２を貫通する基板貫通孔２Ｈを有する。基板貫通孔２Ｈは、例えば、基板２の外周領域２Ｇに位置している。
本実施形態に係る高周波回路基板１Ｃにおいて、基板２は、第１面２Ｆから第２面２Ｓに向けて基板２を貫通する基板貫通孔２Ｈを有する。基板貫通孔２Ｈは、例えば、基板２の外周領域２Ｇに位置している。
【0047】
（貫通導体７）
貫通導体７は、基板貫通孔２Ｈの内部に形成され、第１配線層３と第２配線層５とを電気的に接続する。図３に示す例では、貫通導体７は、複数の第１配線層３のうち、基板の外周領域２Ｇに位置する第１配線層３と第２配線層５とを電気的に接続している。
貫通導体７は、第１配線層３及び第２配線層５と同様に、金属材料により構成されている。
貫通導体７は、基板貫通孔２Ｈの内部に形成され、第１配線層３と第２配線層５とを電気的に接続する。図３に示す例では、貫通導体７は、複数の第１配線層３のうち、基板の外周領域２Ｇに位置する第１配線層３と第２配線層５とを電気的に接続している。
貫通導体７は、第１配線層３及び第２配線層５と同様に、金属材料により構成されている。
【0048】
次に、以上のように構成された第３実施形態に係る高周波回路基板１Ｃの作用及び効果について説明する。
高周波回路基板１Ｃによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。さらに、スペーサ６は、第２配線層５の領域５Ｒのみに形成されており、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がっていない。このため、スペーサ４、６が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。
高周波回路基板１Ｃによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。さらに、スペーサ６は、第２配線層５の領域５Ｒのみに形成されており、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がっていない。このため、スペーサ４、６が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。
【0049】
したがって、高周波回路基板１Ｃの周囲の温度に変化が生じたとしても、線膨張率の差に起因するスペーサ４と基板２との間の応力集中と、線膨張率の差に起因するスペーサ６と基板２との間の応力集中とが緩和される。これにより、第１配線層３の縁部３Ｅ及び第２配線層５の縁部５Ｅにおいて基板２にクラックが発生することを防止することができる。さらに、基板２から第１配線層３及び第２配線層５が剥離することを防止することができ、高周波回路基板１Ｃの信頼性を向上させることができる。
【0050】
さらに、上記の効果に加えて、第１配線層３と第２配線層５とを貫通導体７によって電気的に接続することができる。したがって、第１面２Ｆに形成される配線構造と第２面２Ｓに形成される配線構造との導通を得ることが可能となる。
【0051】
（第４実施形態に係る高周波回路基板）
図４に示すように、第４実施形態に係る高周波回路基板１Ｄは、上述した第１実施形態に係る高周波回路基板１Ａを構成する基板２、第１配線層３、及びスペーサ４を備える。さらに、高周波回路基板１Ｄは、複数の樹脂層８、１０と複数の配線層９、１１とが交互に積層されて構成されたビルドアップ構造を有する。このビルドアップ構造は、スペーサ４とは異なるスペーサ１２を備える。
なお、図４に示す例では、２つの樹脂層と２つの配線層とが示されているが、樹脂層の数、及び、配線層の数は、３以上であってもよい。
図２において、第１実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図４に示すように、第４実施形態に係る高周波回路基板１Ｄは、上述した第１実施形態に係る高周波回路基板１Ａを構成する基板２、第１配線層３、及びスペーサ４を備える。さらに、高周波回路基板１Ｄは、複数の樹脂層８、１０と複数の配線層９、１１とが交互に積層されて構成されたビルドアップ構造を有する。このビルドアップ構造は、スペーサ４とは異なるスペーサ１２を備える。
なお、図４に示す例では、２つの樹脂層と２つの配線層とが示されているが、樹脂層の数、及び、配線層の数は、３以上であってもよい。
図２において、第１実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
【0052】
（スペーサ４）
スペーサ４は、スペーサ４を貫通するスペーサ貫通孔４Ｈと、樹脂層が積層される上面４Ｔを有する。なお、基板２の第１面２Ｆの上方に形成された複数のスペーサ４のうち、全てのスペーサ４にスペーサ貫通孔４Ｈを形成する必要はなく、複数のスペーサ４のうち一部のスペーサ４がスペーサ貫通孔４Ｈを有していればよい。
スペーサ４は、第１樹脂層８が基板２に接触しないように第１樹脂層８と基板２との距離を維持することができれば、スペーサ４の具体的な構造は限定されない。
スペーサ４は、スペーサ４を貫通するスペーサ貫通孔４Ｈと、樹脂層が積層される上面４Ｔを有する。なお、基板２の第１面２Ｆの上方に形成された複数のスペーサ４のうち、全てのスペーサ４にスペーサ貫通孔４Ｈを形成する必要はなく、複数のスペーサ４のうち一部のスペーサ４がスペーサ貫通孔４Ｈを有していればよい。
スペーサ４は、第１樹脂層８が基板２に接触しないように第１樹脂層８と基板２との距離を維持することができれば、スペーサ４の具体的な構造は限定されない。
【0053】
（スペーサ１２）
スペーサ１２は、本発明の第３スペーサに相当する。
スペーサ１２は、スペーサ４（第１スペーサ）とは異なる位置に配置されており、基板２の最外周縁部２Ｅに位置し、基板２と第１樹脂層８とによって挟まれている。具体的に、第１配線層３の領域３Ｒ上に形成されているスペーサ４とは異なり、スペーサ１２は、第１配線層３の領域３Ｒには形成されておらず、第１配線層３を跨ぐように形成されていない。
スペーサ１２は、本発明の第３スペーサに相当する。
スペーサ１２は、スペーサ４（第１スペーサ）とは異なる位置に配置されており、基板２の最外周縁部２Ｅに位置し、基板２と第１樹脂層８とによって挟まれている。具体的に、第１配線層３の領域３Ｒ上に形成されているスペーサ４とは異なり、スペーサ１２は、第１配線層３の領域３Ｒには形成されておらず、第１配線層３を跨ぐように形成されていない。
【0054】
スペーサ１２の下端は、基板２の第１面２Ｆに接触している。スペーサ１２の上端は、第１樹脂層８の下面８Ｂに接触している。スペーサ１２は、基板２の最外周縁部２Ｅにおいて、第１樹脂層８と基板２とが接触することを防止する。さらに、スペーサ１２は、第１樹脂層８が第１配線層３の縁部３Ｅに跨ることを防止する。
【0055】
スペーサ１２の材料としては、例えば、スペーサ４と同様の材料が採用される。基板２とスペーサ１２との線膨張率の差が大きくても、スペーサ１２は、第１配線層３に接触していないため、第１配線層３の縁部３Ｅにおいて基板２にクラックが発生することはない。また、基板２から第１配線層３が剥離することもない。
なお、スペーサ１２は、スペーサ４とは異なる材料で構成されてもよい。
なお、スペーサ１２は、スペーサ４とは異なる材料で構成されてもよい。
【0056】
（第１樹脂層８）
第１樹脂層８は、スペーサ４上及びスペーサ１２上に形成され、第１配線層３及び基板２から離間している。第１樹脂層８が基板２から離間する距離は、スペーサ４及び第１配線層３の合計の高さに等しく、スペーサ１２の高さに等しい。つまり、スペーサ４及び第１配線層３の積層体、及び、スペーサ１２は、ギャップ形成部材として機能する。
第１樹脂層８は、スペーサ４上及びスペーサ１２上に形成され、第１配線層３及び基板２から離間している。第１樹脂層８が基板２から離間する距離は、スペーサ４及び第１配線層３の合計の高さに等しく、スペーサ１２の高さに等しい。つまり、スペーサ４及び第１配線層３の積層体、及び、スペーサ１２は、ギャップ形成部材として機能する。
【0057】
第１樹脂層８は、第１樹脂貫通孔８Ｈを有している。この第１樹脂貫通孔８Ｈは、基板２の垂直方向から見て、スペーサ貫通孔４Ｈの位置と同じ位置に形成されている。また、第１樹脂層８は、上面８Ｔを有する。
【0058】
第１樹脂層８は、樹脂フィルムで構成されている。公知のラミネート処理を用いて、樹脂フィルムをスペーサ４の上面４Ｔに貼り付けることにより、第１樹脂層８が形成されている。第１樹脂層８と第１面２Ｆとの間において、スペーサ４及び第１配線層３が配置されていない部分に空間が形成される。さらに、スペーサ１２が配置されていない部分にも空間が形成される。
【0059】
（第３配線層９）
第３配線層９は、第１樹脂層８の上面８Ｔの一部を被覆する接続層９Ｃと、スペーサ貫通孔４Ｈ及び第１樹脂貫通孔８Ｈの内部に形成された貫通導体層９Ｐとを有する。第３配線層９は、第１配線層３と電気的に接続されている。第３配線層９は、第１配線層３及びと同様の金属材料により構成されている。
第３配線層９は、第１樹脂層８の上面８Ｔの一部を被覆する接続層９Ｃと、スペーサ貫通孔４Ｈ及び第１樹脂貫通孔８Ｈの内部に形成された貫通導体層９Ｐとを有する。第３配線層９は、第１配線層３と電気的に接続されている。第３配線層９は、第１配線層３及びと同様の金属材料により構成されている。
【0060】
（第２樹脂層１０）
第２樹脂層１０は、第１樹脂層８の上面８Ｔに形成され、基板２の垂直方向から見て、第３配線層９の一部に対応する位置に形成された第２樹脂貫通孔１０Ｈを有する。第２樹脂貫通孔１０Ｈは、基板２の垂直方向から見て、第１樹脂貫通孔８Ｈの位置からずれた位置に形成されているが、第１樹脂貫通孔８Ｈの位置と同じ位置に形成されてもよい。また、第２樹脂層１０は、上面１０Ｔを有する。第２樹脂層１０は、公知のコーティング方法を用いて形成された樹脂コーティングである。
第２樹脂層１０は、第１樹脂層８の上面８Ｔに形成され、基板２の垂直方向から見て、第３配線層９の一部に対応する位置に形成された第２樹脂貫通孔１０Ｈを有する。第２樹脂貫通孔１０Ｈは、基板２の垂直方向から見て、第１樹脂貫通孔８Ｈの位置からずれた位置に形成されているが、第１樹脂貫通孔８Ｈの位置と同じ位置に形成されてもよい。また、第２樹脂層１０は、上面１０Ｔを有する。第２樹脂層１０は、公知のコーティング方法を用いて形成された樹脂コーティングである。
【0061】
（第４配線層１１）
第４配線層１１は、第２樹脂層１０の上面１０Ｔの一部を被覆する接続層１１Ｃと、第２樹脂貫通孔１０Ｈの内部に形成された貫通導体層１１Ｐとを有する。第４配線層１１は、第３配線層９と電気的に接続されている。第４配線層１１は、第１配線層３及び第３配線層９と同様の金属材料により構成されている。
第４配線層１１は、第２樹脂層１０の上面１０Ｔの一部を被覆する接続層１１Ｃと、第２樹脂貫通孔１０Ｈの内部に形成された貫通導体層１１Ｐとを有する。第４配線層１１は、第３配線層９と電気的に接続されている。第４配線層１１は、第１配線層３及び第３配線層９と同様の金属材料により構成されている。
【0062】
次に、以上のように構成された第４実施形態に係る高周波回路基板１Ｄの作用及び効果について説明する。
高周波回路基板１Ｄによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。さらに、基板２の最外周縁部２Ｅに形成されたスペーサ１２は、第１樹脂層８を支持し、第１樹脂層８と基板２とを離間させる。
このため、スペーサ４が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。さらに、第１配線層３と第１樹脂層８との間にスペーサ４が配置されているので、第１樹脂層８が第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。
高周波回路基板１Ｄによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。さらに、基板２の最外周縁部２Ｅに形成されたスペーサ１２は、第１樹脂層８を支持し、第１樹脂層８と基板２とを離間させる。
このため、スペーサ４が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。さらに、第１配線層３と第１樹脂層８との間にスペーサ４が配置されているので、第１樹脂層８が第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。
【0063】
さらに、基板２の最外周縁部２Ｅに配置されたスペーサ１２によって、第１樹脂層８における撓みの発生を防止することができ、第１樹脂層８が基板２に接触することを防止することができ、かつ、第１樹脂層８が第１配線層３の縁部３Ｅに接触することを防止することができる。
【0064】
したがって、高周波回路基板１Ｄの周囲の温度に変化が生じたとしても、線膨張率の差に起因するスペーサ４と基板２との間の応力集中と、線膨張率の差に起因する第１樹脂層８と基板２との間の応力集中とが緩和される。これにより、第１配線層３の縁部３Ｅにおいて基板２にクラックが発生することを防止することができる。さらに、基板２から第１配線層３が剥離することを防止することができ、高周波回路基板１Ｄの信頼性を向上させることができる。
【0065】
さらに、上記の効果に加えて、第１樹脂層８、第３配線層９、第２樹脂層１０、及び第４配線層１１によって構成されたビルドアップ構造を実現することができる。
特に、高周波回路基板１Ｄの構造のように、複数の配線層と複数の樹脂層が交互に積層されたビルドアップ構造においては、スペーサ１２を設けたことによって複数の樹脂層のうち基板２に最も近い第１樹脂層８の強度を向上することができ、つまり、ビルドアップ構造を有する高周波回路基板の強度向上に寄与する。
特に、高周波回路基板１Ｄの構造のように、複数の配線層と複数の樹脂層が交互に積層されたビルドアップ構造においては、スペーサ１２を設けたことによって複数の樹脂層のうち基板２に最も近い第１樹脂層８の強度を向上することができ、つまり、ビルドアップ構造を有する高周波回路基板の強度向上に寄与する。
【0066】
（第５実施形態に係る高周波回路基板）
図５に示すように、第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅは、上述した第４実施形態に係る高周波回路基板１Ｄのビルドアップ構造を有する。さらに、高周波回路基板１Ｅは、上述した第３実施形態に係る高周波回路基板１Ｃを構成する、第２配線層５、スペーサ６、及び貫通導体７を有する。
図５において、第３実施形態及び第４実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図５に示すように、第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅは、上述した第４実施形態に係る高周波回路基板１Ｄのビルドアップ構造を有する。さらに、高周波回路基板１Ｅは、上述した第３実施形態に係る高周波回路基板１Ｃを構成する、第２配線層５、スペーサ６、及び貫通導体７を有する。
図５において、第３実施形態及び第４実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
【0067】
次に、以上のように構成された第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅの作用及び効果について説明する。
高周波回路基板１Ｅによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。さらに、スペーサ６は、第２配線層５の領域５Ｒのみに形成されており、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がっていない。また、基板２の最外周縁部２Ｅに形成されたスペーサ１２は、第１樹脂層８を支持し、第１樹脂層８と基板２とを離間させる。
このため、スペーサ４、６が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。さらに、第１配線層３と第１樹脂層８との間にスペーサ４が配置されているので、第１樹脂層８が第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。
高周波回路基板１Ｅによれば、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成されており、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。さらに、スペーサ６は、第２配線層５の領域５Ｒのみに形成されており、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がっていない。また、基板２の最外周縁部２Ｅに形成されたスペーサ１２は、第１樹脂層８を支持し、第１樹脂層８と基板２とを離間させる。
このため、スペーサ４、６が基板２に接触しない状態（非接触状態）が維持される。さらに、第１配線層３と第１樹脂層８との間にスペーサ４が配置されているので、第１樹脂層８が第１配線層３の縁部３Ｅを跨がっていない。
【0068】
したがって、高周波回路基板１Ｅの周囲の温度に変化が生じたとしても、線膨張率の差に起因するスペーサ４と基板２との間の応力集中と、線膨張率の差に起因するスペーサ６と基板２との間の応力集中と、線膨張率の差に起因する第１樹脂層８と基板２との間の応力集中とが緩和される。これにより、第１配線層３の縁部３Ｅ及び第２配線層５の縁部５Ｅにおいて基板２にクラックが発生することを防止することができる。さらに、基板２から第１配線層３及び第２配線層５が剥離することを防止することができ、高周波回路基板１Ｅの信頼性を向上させることができる。
【0069】
さらに、上記の効果に加えて、第１樹脂層８、第３配線層９、第２樹脂層１０、及び第４配線層１１によって構成されたビルドアップ構造を実現することができる。
特に、高周波回路基板１Ｅの構造のように、複数の配線層と複数の樹脂層が交互に積層されたビルドアップ構造においては、スペーサ１２を設けたことによって複数の樹脂層のうち基板２に最も近い第１樹脂層８の強度を向上することができ、つまり、ビルドアップ構造を有する高周波回路基板の強度向上に寄与する。
特に、高周波回路基板１Ｅの構造のように、複数の配線層と複数の樹脂層が交互に積層されたビルドアップ構造においては、スペーサ１２を設けたことによって複数の樹脂層のうち基板２に最も近い第１樹脂層８の強度を向上することができ、つまり、ビルドアップ構造を有する高周波回路基板の強度向上に寄与する。
【0070】
また、第１配線層３と第２配線層５とを貫通導体７によって電気的に接続することができる。したがって、第１面２Ｆに積層された積層配線構造と第２面２Ｓに形成される配線構造との導通を得ることが可能となる。
【0071】
（第５実施形態に係る高周波回路基板の製造方法）
次に、図５及び図６Ａ～図６Ｄを参照し、第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅの製造方法を説明する。
図５及び図６Ａ～図６Ｄにおいて、第１実施形態～第５実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
なお、第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅを構成する第１配線層３、スペーサ４、６、第２配線層５、貫通導体７、第１樹脂層８、第３配線層９、第２樹脂層１０、及び第４配線層１１の形成方法としては、成膜工程やマスクを介したエッチング工程等の公知のパターニング方法が採用される。このため、各層の説明において、各層を形成する形成方法は省略する。
次に、図５及び図６Ａ～図６Ｄを参照し、第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅの製造方法を説明する。
図５及び図６Ａ～図６Ｄにおいて、第１実施形態～第５実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
なお、第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅを構成する第１配線層３、スペーサ４、６、第２配線層５、貫通導体７、第１樹脂層８、第３配線層９、第２樹脂層１０、及び第４配線層１１の形成方法としては、成膜工程やマスクを介したエッチング工程等の公知のパターニング方法が採用される。このため、各層の説明において、各層を形成する形成方法は省略する。
【0072】
まず、図６Ａに示すように、第１面２Ｆ、第２面２Ｓ、及び、第１面２Ｆから第２面２Ｓに向けて基板２を貫通する基板貫通孔２Ｈを有する基板２を用意する。基板２は、誘電体又は半導体で構成されている。
【0073】
次に、図６Ｂに示すように、第１面２Ｆの表面、第２面２Ｓの表面、及び基板貫通孔２Ｈの内部表面に、第１配線層３、第２配線層５、及び貫通導体７を各々形成する。
これにより、貫通導体７を介して、第１配線層３が第２配線層５に電気的に接続される。
第１配線層３は、縁部３Ｅを有する。第２配線層５は、縁部５Ｅを有する。
これにより、貫通導体７を介して、第１配線層３が第２配線層５に電気的に接続される。
第１配線層３は、縁部３Ｅを有する。第２配線層５は、縁部５Ｅを有する。
【0074】
次に、図６Ｃに示すように、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がない領域３Ｒに位置するように、第１配線層３上にスペーサ４を形成する。同様に、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がない領域５Ｒに位置するように、第２配線層５上にスペーサ６を形成する。さらに、基板２の最外周縁部２Ｅにスペーサ１２を形成する。このスペーサ１２は、第１配線層３の縁部３Ｅを跨がないように形成される。
【0075】
これによって、スペーサ４は、第１配線層３の領域３Ｒのみに形成される。つまり、スペーサ４は、第１配線層３の縁部５Ｅを跨がない領域３Ｒに形成される。換言すると、スペーサ４は、非形成領域３Ｎ及び縁部３Ｅを覆うように形成されておらず、基板２の第１面２Ｆ上に形成されていない。
【0076】
また、スペーサ６は、第２配線層５の領域５Ｒのみに形成される。つまり、スペーサ６は、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がない領域５Ｒに形成される。換言すると、スペーサ６は、非形成領域５Ｎ及び縁部５Ｅを覆うように形成されておらず、基板２の第２面２Ｓ上に形成されていない。
【0077】
次に、図６Ｄに示すように、第１配線層３及び基板２から離間するように、フィルム状の第１樹脂層８をスペーサ４及びスペーサ１２上に接着（形成）する。具体的には、ロール状の樹脂フィルムを基板２の第１面２Ｆに対向させた状態で、この樹脂フィルムを第１面２Ｆに対してラミネートすることによって、第１樹脂層８が形成される。第１樹脂層８と第１面２Ｆとの間において、スペーサ４及び第１配線層３が配置されていない部分、及び、スペーサ１２が配置されていない部分に空間が形成される。このような第１樹脂層８の形成工程は、大気圧雰囲気で行われる。
【0078】
その後、開口パターンを有するマスクを用いた公知のエッチング方法により、第１樹脂層８に第１樹脂貫通孔８Ｈ（第１貫通孔１３）を形成し、スペーサ４にスペーサ貫通孔４Ｈ（第１貫通孔１３）を形成する。これにより、第１配線層３は、第１貫通孔１３（４Ｈ、８Ｈ）の内部に露出する。
【0079】
第１樹脂貫通孔８Ｈ及びスペーサ貫通孔４Ｈは、一括的に形成してもよいし、別々の工程により形成してもよい。上記工程によって、第１樹脂貫通孔８Ｈは、基板２の垂直方向から見て、スペーサ貫通孔４Ｈの位置と同じ位置に形成される。
【0080】
その後、第１樹脂層８の上面８Ｔの一部を被覆するように第１貫通孔１３（４Ｈ、８Ｈ）の内部に第３配線層９（接続層９Ｃ、貫通導体層９Ｐ）を形成することによって、第１配線層３と第３配線層９とを電気的に接続する。
【0081】
次に、図５に示すように、第１樹脂層８の上面８Ｔに第２樹脂層１０を形成する。
第２樹脂層１０は、公知のコーティング方法を用いて形成された樹脂コーティングである。第２樹脂層１０を形成することによって、第２樹脂層１０よりも下層（第２樹脂層１０と基板２との間に位置する層）の表面が凹凸形状を有していたとしても、第２樹脂層１０の上面１０Ｔを平坦にすることが可能となる。
第２樹脂層１０は、公知のコーティング方法を用いて形成された樹脂コーティングである。第２樹脂層１０を形成することによって、第２樹脂層１０よりも下層（第２樹脂層１０と基板２との間に位置する層）の表面が凹凸形状を有していたとしても、第２樹脂層１０の上面１０Ｔを平坦にすることが可能となる。
【0082】
その後、開口パターンを有するマスクを用いた公知のエッチング方法により、第２樹脂層１０に第２樹脂貫通孔１０Ｈ（第２貫通孔）を形成する。この際、基板２の垂直方向から見て、第３配線層９の一部の位置に対応するように、第２樹脂層１０に第２樹脂貫通孔１０Ｈを形成する。これにより、第３配線層９は、第２樹脂貫通孔１０Ｈの内部に露出する。
【0083】
その後、第２樹脂層１０の上面１０Ｔの一部を被覆するように第２樹脂貫通孔１０Ｈの内部に第４配線層１１（接続層１１Ｃ、貫通導体層１１Ｐ）を形成することによって、第３配線層９と第４配線層１１とを電気的に接続する。
【0084】
上述した高周波回路基板１Ｅの製造方法によれば、第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅを実現することができる。したがって、高周波回路基板１Ｅの周囲の温度に変化が生じたとしても、線膨張率の差に起因するスペーサ４と基板２との間の応力集中と、線膨張率の差に起因するスペーサ６と基板２との間の応力集中と、線膨張率の差に起因する第１樹脂層８と基板２との間の応力集中とが緩和される。これにより、第１配線層３の縁部３Ｅ及び第２配線層５の縁部５Ｅにおいて基板２にクラックが発生することを防止することができる。さらに、基板２から第１配線層３及び第２配線層５が剥離することを防止することができ、高周波回路基板１Ｅの信頼性を向上させることができる。
【0085】
さらに、上記の効果に加えて、第１樹脂層８、第３配線層９、第２樹脂層１０、及び第４配線層１１によって構成されたビルドアップ構造を実現することができる。
【0086】
また、第１配線層３と第２配線層５とを貫通導体７によって電気的に接続することができる。したがって、第１面２Ｆに積層された積層配線構造と第２面２Ｓに形成される配線構造との導通を得ることが可能となる。
【0087】
（第１実施形態～第５実施形態に係る高周波回路基板の変形例）
次に、上述した実施形態に係る高周波回路基板の変形例１～３について説明する。
図７～図９において、第１実施形態～第５実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
次に、上述した実施形態に係る高周波回路基板の変形例１～３について説明する。
図７～図９において、第１実施形態～第５実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
【0088】
（変形例１に係る高周波回路基板）
変形例１に係る高周波回路基板１Ｆは、スペーサ６の構造の点で、第３実施形態に係る高周波回路基板１Ｃとは異なる。
変形例１に係る高周波回路基板１Ｆは、スペーサ６の構造の点で、第３実施形態に係る高周波回路基板１Ｃとは異なる。
【0089】
図７に示すように、基板２の最外周領域２ＧＥに基板貫通孔２Ｈが形成されている場合、基板２の垂直方向から見て、スペーサ６は、基板貫通孔２Ｈの内側における内側領域２Ｉに形成されてもよい。この場合においても、スペーサ６は、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がない領域５Ｒに形成されており、第２配線層５の縁部５Ｅを跨がって基板２の第２面２Ｓに接触するように形成されていない。換言すると、スペーサ６は、非形成領域５Ｎ及び縁部５Ｅを覆うように形成されておらず、基板２の第２面２Ｓ上に形成されていない。
【0090】
（変形例２に係る高周波回路基板）
変形例２に係る高周波回路基板１Ｇは、スペーサ１２の配置の点で、第４実施形態に係る高周波回路基板１Ｄとは異なる。
変形例２に係る高周波回路基板１Ｇは、スペーサ１２の配置の点で、第４実施形態に係る高周波回路基板１Ｄとは異なる。
【0091】
図８に示すように、高周波回路基板１Ｇは、基板２の最外周縁部２Ｅに位置するスペーサ１２（第３スペーサ）だけでなく、互いに隣り合う２つのスペーサ４の間に配置されているスペーサ１２（第３スペーサ）を有する。このスペーサ１２（第３スペーサ）は、スペーサ４（第１スペーサ）とは異なる位置に配置されており、基板２と第１樹脂層８とによって挟まれている。第１配線層３の領域３Ｒ上に形成されているスペーサ４とは異なり、スペーサ１２は、第１配線層３の領域３Ｒには形成されておらず、第１配線層３を跨ぐように形成されていない。スペーサ１２の下端は、基板２の第１面２Ｆに接触している。スペーサ１２の上端は、第１樹脂層８の下面８Ｂに接触している。
【0092】
基板２の最外周縁部２Ｅ及び基板２の第１面２Ｆ上に配置されるスペーサ１２の個数は、特に限定されない。互いに隣接する２つの第１配線層３の間に少なくとも１つのスペーサ１２が配置されていればよい。第１面２Ｆ上において、スペーサ１２が配置される配置パターンは、適宜選択される。
【0093】
このような構成によれば、スペーサ１２によって第１樹脂層８が支持されるので、第１樹脂層８における撓みの発生を防止することができる。特に、高周波回路基板が複数の配線層と複数の樹脂層が交互に積層されたビルドアップ構造を有する場合には、複数の樹脂層のうち基板２に最も近い第１樹脂層８の強度を向上することができ、つまり、ビルドアップ構造を有する高周波回路基板の強度向上に寄与する。
【0094】
（変形例３に係る高周波回路基板）
変形例３に係る高周波回路基板１Ｈは、貫通孔の配置の点で、第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅとは異なる。
変形例３に係る高周波回路基板１Ｈは、貫通孔の配置の点で、第５実施形態に係る高周波回路基板１Ｅとは異なる。
【0095】
図９に示すように、高周波回路基板１Ｈにおいて、基板２の垂直方向から見て、基板貫通孔２Ｈの位置、スペーサ貫通孔４Ｈの位置、第１樹脂貫通孔８Ｈの位置、及び第２樹脂貫通孔１０Ｈの位置は、同じである。
ここで、「位置が同じ」とは、基板２の垂直方向から見て、複数の貫通孔が重なっていることを意味し、貫通孔の径の大きさが互いに異なってもよい。「複数の貫通孔が重なる」とは、複数の貫通孔が部分的に重なっていることを意味する。
ここで、「位置が同じ」とは、基板２の垂直方向から見て、複数の貫通孔が重なっていることを意味し、貫通孔の径の大きさが互いに異なってもよい。「複数の貫通孔が重なる」とは、複数の貫通孔が部分的に重なっていることを意味する。
【0096】
貫通孔２Ｈ、４Ｈ、８Ｈ、１０Ｈの位置が同じであるため、この貫通孔の内部に形成される貫通導体７、貫通導体層９Ｐ、及び貫通導体層１１Ｐの位置が同じになる。このため、接続層１１Ｃと第２配線層５とを最短距離で接続することができるので、寄生容量の発生を最小限にすることができる。
なお、変形例３では、４つの貫通孔２Ｈ、４Ｈ、８Ｈ、１０Ｈの位置が同じである場合を説明したが、少なくとも、第１樹脂貫通孔８Ｈの位置と、基板貫通孔２Ｈの位置とが同じであればよい。この場合であっても、寄生容量の発生を抑制する効果が得られる。
なお、変形例３では、４つの貫通孔２Ｈ、４Ｈ、８Ｈ、１０Ｈの位置が同じである場合を説明したが、少なくとも、第１樹脂貫通孔８Ｈの位置と、基板貫通孔２Ｈの位置とが同じであればよい。この場合であっても、寄生容量の発生を抑制する効果が得られる。
【0097】
上述した変形例１～３に示す構造は、第３実施形態又は第５実施形態に係る高周波回路基板に適用することができる。
したがって、高周波回路基板１Ｅの周囲の温度に変化が生じたとしても、スペーサ４と基板２との間、或いは、スペーサ６と基板２との間、或いは、第１樹脂層８と基板２との間にて応力集中が緩和される。これにより、第１配線層３の縁部３Ｅ及び第２配線層５の縁部５Ｅにおいて基板２にクラックが発生することを防止することができる。さらに、基板２から第１配線層３及び第２配線層５が剥離することを防止することができ、高周波回路基板１Ｅの信頼性を向上させることができる。
したがって、高周波回路基板１Ｅの周囲の温度に変化が生じたとしても、スペーサ４と基板２との間、或いは、スペーサ６と基板２との間、或いは、第１樹脂層８と基板２との間にて応力集中が緩和される。これにより、第１配線層３の縁部３Ｅ及び第２配線層５の縁部５Ｅにおいて基板２にクラックが発生することを防止することができる。さらに、基板２から第１配線層３及び第２配線層５が剥離することを防止することができ、高周波回路基板１Ｅの信頼性を向上させることができる。
【0098】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明してきたが、これらは本発明の例示的なものであり、限定するものとして考慮されるべきではないことを理解すべきである。追加、省略、置換、及びその他の変更は、本発明の範囲から逸脱することなく行うことができる。従って、本発明は、前述の説明によって限定されていると見なされるべきではなく、請求の範囲によって制限されている。
【符号の説明】
【0099】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ…高周波回路基板、２…基板、２Ｆ…第１面、２ＦＮ…配線非形成領域、２ＦＷ…配線形成領域、２Ｇ…外周領域、２ＧＥ…最外周領域、２Ｈ…基板貫通孔（貫通孔）、２Ｉ…内側領域、２Ｓ…第２面、２ＳＮ…配線非形成領域、２ＳＷ…配線形成領域、３…第１配線層、３Ｅ…縁部、３Ｎ…非形成領域、３Ｒ…領域、４…スペーサ（第１スペーサ）、４Ｈ…スペーサ貫通孔（貫通孔、第１貫通孔）、４Ｔ…上面、５…第２配線層、５Ｅ…縁部、５Ｎ…非形成領域、５Ｒ…領域、５ＳＮ…配線非形成領域、６…スペーサ（第２スペーサ）、７…貫通導体、８…第１樹脂層（樹脂層）、８Ｂ…下面、８Ｈ…第１樹脂貫通孔（貫通孔、第１貫通孔）、８Ｔ…上面、９…第３配線層（配線層）、９Ｃ…接続層、９Ｐ…貫通導体層、１０…第２樹脂層（樹脂層）、１０Ｈ…第２樹脂貫通孔（貫通孔）、１０Ｔ…上面、１１…第４配線層（配線層）、１１Ｃ…接続層、１１Ｐ…貫通導体層、１２…スペーサ（第３スペーサ）、１３…第１貫通孔。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7】
【図8】
【図9】