特開 2022-125937 ペリクルおよびペリクルの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022125937

(43)【公開日】2022-08-29

(54)【発明の名称】ペリクルおよびペリクルの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/62 20120101AFI20220822BHJP

   G03F 1/64 20120101ALI20220822BHJP

   C23C 14/06 20060101ALI20220822BHJP

   C23C 16/42 20060101ALI20220822BHJP

   C30B 23/06 20060101ALI20220822BHJP

   C30B 25/18 20060101ALI20220822BHJP

   C30B 29/36 20060101ALI20220822BHJP

【ＦＩ】

G03F1/62

G03F1/64

C23C14/06 B

C23C16/42

C30B23/06

C30B25/18

C30B29/36 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021023790

(22)【出願日】2021-02-17

(71)【出願人】

【識別番号】000126115

【氏名又は名称】エア・ウォーター株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100110788

【弁理士】

【氏名又は名称】椿 豊

(74)【代理人】

【識別番号】100124589

【弁理士】

【氏名又は名称】石川 竜郎

(72)【発明者】

【氏名】奥 秀彦

(72)【発明者】

【氏名】野村 康大

(72)【発明者】

【氏名】秀 一郎

(72)【発明者】

【氏名】川村 啓介

【テーマコード（参考）】

2H195

4G077

4K029

4K030

【Ｆターム（参考）】

2H195BC33

2H195BC34

2H195BC37

2H195BC38

2H195BC39

4G077AA03

4G077BE08

4G077DA05

4G077DB30

4G077ED06

4G077HA01

4G077TK02

4K029AA06

4K029AA24

4K029BA56

4K029BC07

4K029CA01

4K029EA01

4K030BA37

4K030CA04

4K030CA12

4K030JA01

4K030LA15

(57)【要約】

【課題】ペリクル膜の割れを抑止することのできるペリクルおよびペリクルの製造方法を提供する。
【解決手段】ペリクル１は、Ｂ（ホウ素）を含有するＳｉ（ケイ素）層１１３を含むＳｉボーダー１１と、Ｓｉ層１１３の表面１１３ａ側に形成されたペリクル膜１２とを備える。好ましくは、Ｓｉボーダー１１は貫通孔１３を含み、貫通孔１３の底面にはペリクル膜１２が露出する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

Ｂを含有するＳｉ層を含むボーダーと、
前記Ｓｉ層の一方の主面側に形成されたペリクル膜とを備えた、ペリクル。

【請求項2】

前記Ｓｉ層の抵抗率は、０より大きく０．０２Ω・ｃｍ以下である、請求項１に記載のペリクル。

【請求項3】

前記ペリクル膜は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１または２に記載のペリクル。

【請求項4】

前記ペリクル膜は、前記Ｓｉ層の一方の主面と接触しており、前記Ｓｉ層の前記一方の主面側にエピタキシャル成長したものである、請求項１～３のいずれかに記載のペリクル。

【請求項5】

前記ペリクル膜と前記Ｓｉ層とを接着する接着剤膜をさらに備えた、請求項１～３のいずれかに記載のペリクル。

【請求項6】

前記ペリクル膜はＳｉＣよりなる、請求項１～５のいずれかに記載のペリクル。

【請求項7】

前記ボーターは貫通孔を含み、前記貫通孔の底面には前記ペリクル膜が露出する、請求項１～６のいずれかに記載のペリクル。

【請求項8】

Ｂを含有するＳｉ層を準備する工程と、
前記Ｓｉ層の一方の主面側にペリクル膜を形成する工程とを備えた、ペリクルの製造方法。

【請求項9】

前記Ｓｉ層に貫通孔を形成することにより、前記Ｓｉ層を含むボーダーを作製する工程をさらに備え、
前記貫通孔の底面には前記ペリクル膜が露出する、請求項８に記載のペリクルの製造方法。

【請求項10】

前記ボーダーを作製する工程は、前記Ｓｉ層の一部をウエットエッチングにより除去する工程を含み、
前記Ｓｉ層の一部をウエットエッチングにより除去する工程において、ウエットエッチングに用いる薬液に対して前記Ｓｉ層および前記ペリクル膜を相対的に動かす、請求項９に記載のペリクルの製造方法。

【請求項11】

前記ボーダーを作製する工程は、前記Ｓｉ層の他方の主面にＳｉを底面とする凹部を形成する工程をさらに含み、
前記Ｓｉ層の一部をウエットエッチングにより除去する工程において、前記凹部の底面に存在するＳｉをウエットエッチングする、請求項１０に記載のペリクルの製造方法。

【請求項12】

前記Ｓｉ層の抵抗率は、０より大きく０．０２Ω・ｃｍ以下である、請求項８～１１のいずれかに記載のペリクルの製造方法。

【請求項13】

前記ペリクル膜は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有する、請求項８～１２のいずれかに記載のペリクルの製造方法。

【請求項14】

前記ペリクル膜を形成する工程は、前記Ｓｉ層の前記一方の主面と接触する前記ペリクル膜をエピタキシャル成長させる工程を含む、請求項８～１３のいずれかに記載のペリクルの製造方法。

【請求項15】

前記ペリクル膜を形成する工程は、前記ボーダーと前記ペリクル膜とを接着剤で接着する工程を含む、請求項８～１３のいずれかに記載のペリクルの製造方法。

【請求項16】

前記ペリクル膜はＳｉＣよりなる、請求項８～１５のいずれかに記載のペリクルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ペリクルおよびペリクルの製造方法に関する。より特定的には、ペリクル膜の割れを抑止することのできるペリクルおよびペリクルの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの製造プロセスに用いられるフォトリソグラフィー技術においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、塗布したレジストの必要な箇所に対してフォトマスクを用いて露光光を照射することにより、半導体ウエハ上に必要な形状のレジストパターンが作製される。レジストに対して露光光を照射する際には、ペリクルと呼ばれる防塵用のカバーでフォトマスク覆うことにより、フォトマスクへの異物の付着が防止される。ペリクルのペリクル膜としては、露光光の透過性が高く、露光光に対する耐性が高い（高温時の変質や変形が少ない）材料が適しており、Ｓｉ（ケイ素）などが用いられている。

【0003】

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィー技術の微細化に対する要求が高まっている。近年では、露光光としてＫｒＦ（フッ化クリプトン）エキシマレーザーを光源とする光（２４８ｎｍ）やＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザーを光源とする光（１９３ｎｍ）などを用いることが主流となっている。また、これらの光よりも短波長であるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光（１３．５ｎｍ）などを用いることも検討されている。

【0004】

ＫｒＦエキシマレーザーやＡｒＦエキシマレーザーを光源とする場合、ペリクル膜として有機系薄膜が用いられている。しかし、ＥＵＶ光のように露光光の波長が短くなると、ペリクル膜が露光光から受けるエネルギーは大きくなる。このため、ＥＵＶ光を用いたフォトリソグラフィーでは、ＥＵＶ光に対して高い透過率および高い耐性を有する無機系薄膜を用いることが検討されている。この種の無機系薄膜には、Ｓｉ、ＳｉＮ（窒化シリコン）、Ｃ（炭素）（グラファイト、グラフェン、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、アモルファスカーボンなど）、およびＳｉＣ（炭化ケイ素）などが含まれる。

【0005】

ＳｉＣよりなるペリクル膜の製造方法に関する技術は、たとえば下記特許文献１および２などに開示されている。下記特許文献１には、Ｓｉ基板の表面にＳｉＣ膜を形成する工程と、Ｓｉ基板の裏面の少なくとも一部をウエットエッチングにより除去する工程とを備えた化合物半導体基板の製造方法が開示されている。Ｓｉ基板の裏面の少なくとも一部を除去する工程において、ウエットエッチングに用いる薬液に対してＳｉ基板およびＳｉＣ膜が相対的に動かされる。

【0006】

下記特許文献２には、ペリクル膜と、ペリクル膜を支持する支持材とを備えたペリクルが開示されている。ペリクル膜は、ＤＬＣ、アモルファスカーボン、グラファイト、または炭化ケイ素などよりなっている。ペリクル枠は、シリコンまたは金属などよりなっている。このペリクルは、基板をエッチングすることで支持材に成形し、基板上にペリクル膜を形成することで製造される。

【0007】

また、非特許文献１には、熱拡散法を用いて高濃度のＢ（ホウ素）を注入したＰ⁺型Ｓｉ薄膜結晶層の＜１１０＞方向のヤング率が、低濃度のＢを注入したＳｉ薄膜結晶層の＜１１０＞ヤング率よりも２６％～２８％低いことが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開２０１７－２１８３５８号公報

【特許文献2】国際公開第２０１４／１８７７１０号

【非特許文献】

【0009】

【非特許文献1】XIAOYI DING, et al., "Residual Stress and Mechanical Properties of Boron-doped p +-Silicon Films", Sensors and Actuators, A21-A23 (1990) p.866.

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

ペリクル膜の透過率を向上するために、ペリクル膜には薄膜化が要求されている。しかし、ペリクル膜を薄膜化した場合にはペリクル膜の機械的強度が低下するため、ペリクル膜に割れが生じやすくなる。ＳｉＣは典型的な硬脆材料であるため、ペリクル膜がＳｉＣよりなる場合、特に割れが生じやすくなっていた。

【0011】

なお、ペリクル膜を薄膜化した場合にペリクル膜に割れが生じやすくなる問題は、ペリクル膜がＳｉＣよりなる場合に限られる問題ではなく、任意のペリクル膜で起こる問題である。ペリクル膜を薄膜化した場合にペリクル膜に割れが生じやすくなる問題は、任意の形状を有するボーダー（支持体）から受ける応力に起因する場合がある。

【0012】

本発明は、上記課題を解決するためのものであり、その目的は、ペリクル膜の割れを抑止することのできるペリクルおよびペリクルの製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0013】

本発明の一の局面に従うペリクルは、Ｂを含有するＳｉ層を含むボーダーと、Ｓｉ層の一方の主面側に形成されたペリクル膜とを備える。

【0014】

上記ペリクルにおいて好ましくは、Ｓｉ層の抵抗率は、０より大きく０．０２Ω・ｃｍ以下である。

【0015】

上記ペリクルにおいて好ましくは、ペリクル膜は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有する。

【0016】

上記ペリクルにおいて好ましくは、ペリクル膜は、Ｓｉ層の一方の主面と接触しており、Ｓｉ層の一方の主面側にエピタキシャル成長したものである。

【0017】

上記ペリクルにおいて好ましくは、ペリクル膜とＳｉ層とを接着する接着剤膜をさらに備える。

【0018】

上記ペリクルにおいて好ましくは、ペリクル膜はＳｉＣよりなる。

【0019】

上記ペリクルにおいて好ましくは、ボーターは貫通孔を含み、貫通孔の底面にはペリクル膜が露出する。

【0020】

本発明の他の局面に従うペリクルの製造方法は、Ｂを含有するＳｉ層を準備する工程と、Ｓｉ層の一方の主面側にペリクル膜を形成する工程とを備える。

【0021】

上記製造方法において好ましくは、Ｓｉ層に貫通孔を形成することにより、Ｓｉ層を含むボーダーを作製する工程をさらに備え、貫通孔の底面にはペリクル膜が露出する。

【0022】

上記製造方法において好ましくは、ボーダーを作製する工程は、Ｓｉ層の一部をウエットエッチングにより除去する工程を含み、Ｓｉ層の一部をウエットエッチングにより除去する工程において、ウエットエッチングに用いる薬液に対してＳｉ層およびペリクル膜を相対的に動かす。

【0023】

上記製造方法において好ましくは、ボーダーを作製する工程は、Ｓｉ層の他方の主面にＳｉを底面とする凹部を形成する工程をさらに含み、Ｓｉ層の一部をウエットエッチングにより除去する工程において、凹部の底面に存在するＳｉをウエットエッチングする。

【0024】

上記製造方法において好ましくは、Ｓｉ層の抵抗率は、０より大きく０．０２Ω・ｃｍ以下である。

【0025】

上記製造方法において好ましくは、ペリクル膜は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有する。

【0026】

上記製造方法において好ましくは、ペリクル膜を形成する工程は、Ｓｉ層の一方の主面と接触するペリクル膜をエピタキシャル成長させる工程を含む。

【0027】

上記製造方法において好ましくは、ペリクル膜を形成する工程は、ボーダーとペリクル膜とを接着剤で接着する工程を含む。

【0028】

上記製造方法において好ましくは、ペリクル膜はＳｉＣよりなる。

【発明の効果】

【0029】

本発明によれば、ペリクル膜の割れを抑止することのできるペリクルおよびペリクルの製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0030】

【図1】本発明の第１の実施の形態におけるペリクル１の構成を示す断面図である。

【図2】本発明の第１の実施の形態におけるペリクル１の変形例の構成を示す断面図である。

【図3】本発明の第１の実施の形態において、ペリクル膜１２の表面１２ａに対して垂直な方向から見た場合のペリクル１の構成を示す平面図である。

【図4】本発明の第１の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第１の工程を示す断面図である。

【図5】本発明の第１の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第２の工程を示す断面図である。

【図6】図５に示す工程の変形例の第１の工程を示す断面図である。

【図7】図５に示す工程の変形例の第２の工程を示す断面図である。

【図8】本発明の第１の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第３の工程を示す断面図である。

【図9】本発明の第１の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第４の工程を示す断面図である。

【図10】本発明の第１の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第５の工程を示す断面図である。

【図11】本発明の第１の実施の形態におけるＳｉのウエットエッチングの第１の方法を模式的に示す図である。

【図12】本発明の第１の実施の形態におけるＳｉのウエットエッチングの第２の方法を模式的に示す図である。

【図13】本発明の第１の実施の形態におけるＳｉのウエットエッチングの第３の方法を模式的に示す図である。

【図14】図１に示すペリクル１におけるＡ部拡大図である。

【図15】本発明の第１の実施の形態の効果を説明する図である。

【図16】本発明の第２の実施の形態におけるペリクル１の構成を示す断面図である。

【図17】本発明の第２の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第１の工程を示す断面図である。

【図18】本発明の第２の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第２の工程を示す断面図である。

【図19】本発明の第２の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第３の工程を示す断面図である。

【図20】本発明の第２の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第４の工程を示す断面図である。

【図21】本発明の第２の実施の形態におけるペリクル１の製造方法の第５の工程を示す断面図である。

【図22】本発明の一実施例における試料Ａ～Ｄの各々の歩留まり率を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0031】

以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。

【0032】

［第１の実施の形態］

【0033】

図１は、本発明の第１の実施の形態におけるペリクル１の構成を示す断面図である。なお図１は、ペリクル膜１２の表面１２ａに対して垂直な平面で切った場合の断面図である。

【0034】

図１を参照して、本実施の形態におけるペリクル１（ペリクルの一例）は、Ｓｉボーダー（支持体）１１（ボーダーの一例）と、ペリクル膜１２（ペリクル膜の一例）とを備えている。

【0035】

Ｓｉボーダー１１は、貫通孔１３（貫通孔の一例）を取り囲む環状の平面形状を有している。Ｓｉボーダー１１は、表面１１ａと、裏面１１ｂと、側面１１ｃとを含んでいる。Ｓｉボーダー１１とはＳｉ層１１３を含むボーダーである。図１において、Ｓｉボーダー１１はＳｉ層１１３よりなっている。Ｓｉボーダー１１の表面１１ａにはＳｉの（１００）面が露出している。Ｓｉボーダー１１の表面１１ａには、Ｓｉ層１１３の（１１１）面やＳｉの（１１０）面が露出していてもよい。

【0036】

Ｓｉ層１１３は、Ｂを含有している。Ｓｉ層１１３中のＢの濃度は、ＢがＳｉ結晶中に析出しない程度にできるだけ高い濃度であることが好ましい。Ｓｉ層１１３中のＢの作用により、Ｓｉ層１１３はＰ型の導電型を有している。また、Ｓｉ層１１３中のＢの作用により、Ｓｉ層１１３は０より大きく０．０２Ω・ｃｍ以下、好ましくは０．００５Ω・ｃｍ以下の抵抗率を有している。

【0037】

ペリクル膜１２は、ＳｉＣよりなっており、Ｓｉ層１１３の表面１１３ａに形成されている。ペリクル膜１２は、Ｓｉボーダー１１によって支持されている。ペリクル膜１２は、表面１２ａと、裏面１２ｂと、側面１２ｃとを含んでいる。ペリクル膜１２の裏面１２ｂの中央部は、貫通孔１３の底部に露出している。ペリクル膜１２は、Ｓｉボーダー１１の裏面１１ｂには形成されておらず、Ｓｉボーダー１１の裏面１１ｂは露出している。

【0038】

ペリクル膜１２は、１０ｎｍ以上１０μｍ以下の厚さｗを有している。厚さｗは、好ましくは１μｍ以下であり、より好ましくは５００ｎｍ以下であり、最も好ましくは５０ｎｍ以下である。ペリクル膜１２の厚さｗが薄くなるほど、ペリクル膜１２の透過率が向上する一方、ペリクル膜１２の機械的強度は低下する。

【0039】

本実施の形態におけるペリクル膜１２は、Ｓｉ層１１３の表面１１３ａ（ボーダー１１の表面１１ａ）側にエピタキシャル成長されたものである。言い換えれば、少なくともＳｉ層１１３の表面１１３ａと接触する部分のペリクル膜１２中のＳｉＣ結晶の構造は、Ｓｉ層１１３中のＳｉ結晶の影響を受けており、バルクのＳｉＣ結晶の構造から変化している。ペリクル膜１２は、Ｓｉ層１１３の表面１１３ａと接触している。

【0040】

ペリクル膜１２は、単結晶３Ｃ－ＳｉＣ、多結晶３Ｃ－ＳｉＣ、またはアモルファスＳｉＣなどよりなっている。特に、ペリクル膜１２がＳｉ層１１３の表面にエピタキシャル成長されたものである場合、一般的に、ペリクル膜１２は通常、３Ｃ－ＳｉＣよりなっている。

【0041】

なお、ボーダーは、Ｓｉ層を含んでいればよく、ＳｉＯ₂（酸化ケイ素）膜やＳｉＮ膜（窒化ケイ素）などの他の材質よりなる膜をさらに含んでいてもよい。またボーダーは、サファイア基板と、サファイア基板上に形成されたＳｉ層とを含むものであってもよい。

【0042】

図２は、本発明の第１の実施の形態におけるペリクル１の変形例の構成を示す断面図である。なお図２は、ペリクル膜１２の表面１２ａに対して垂直な平面で切った場合の断面図である。

【0043】

図２を参照して、本変形例においては、Ｓｉボーダー１１としてＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板よりなるものが用いられている。本変形例のＳｉボーダー１１は、Ｓｉ基板１１１と、ＳｉＯ₂膜１１２と、Ｓｉ層１１３とを含むボーダーである。

【0044】

ＳｉＯ₂膜１１２は、Ｓｉ基板１１１の表面に形成されている。Ｓｉ層１１３は、ＳｉＯ₂膜１１２の表面に形成されている。Ｓｉ層１１３の厚さは、５ｎｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

【0045】

本変形例におけるペリクル膜１２も、Ｓｉ層１１３の表面１１３ａ（ボーダー１１の表面１１ａ）にエピタキシャル成長されたものである。言い換えれば、少なくともＳｉ層１１３の表面１１３ａと接触する部分のペリクル膜１２中のＳｉＣ結晶の構造は、Ｓｉ層１１３中のＳｉ結晶の影響を受けており、バルクのＳｉＣ結晶の構造から変化している。ペリクル膜１２は、Ｓｉ層１１３の表面１１３ａと接触している。

【0046】

以降の説明においては、ボーダーがＳｉ層１１３よりなるＳｉボーダー１１である例について説明する。しかし、ボーダーは変形例のようなＳＯＩ基板よりＳｉボーダー１１などに置き換えられて理解されてもよい。

【0047】

図３は、本発明の第１の実施の形態において、ペリクル膜１２の表面１２ａに対して垂直な方向から見た場合のペリクル１の構成を示す平面図である。図３では、Ｓｉボーダー１１の形状を示す目的で、Ｓｉボーダー１１は点線で示されているが、実際にはＳｉボーダー１１は直接には見えない。

【0048】

図３を参照して、Ｓｉボーダー１１、ペリクル膜１２、および貫通孔１３の各々は、任意の平面形状を有している。ペリクル膜１２はその外周部を環状のＳｉボーダー１１によって支持されている。これにより、ペリクル膜１２の機械的強度がＳｉボーダー１１によって補強されている。Ｓｉボーダー１１、ペリクル膜１２、および貫通孔１３の各々は、たとえば図３（ａ）に示すように、円の平面形状を有していてもよいし、図３（ｂ）に示すように、矩形の平面形状を有していてもよい。図３（ｂ）では、Ｓｉボーダー１１は四角環状の平面形状を有している。さらに図３（ｃ）に示すように、Ｓｉボーダー１１およびペリクル膜１２の各々は円の平面形状を有しており、貫通孔１３は矩形の平面形状を有していてもよい。貫通孔１３の大きさは任意であり、ペリクル１に要求される機械的強度などに応じて決定されてもよい。

【0049】

次に、本実施の形態におけるペリクル１の製造方法について、図４～図１０を用いて説明する。

【0050】

図４を参照して、たとえば円板状の（貫通孔１３が形成されていない）Ｓｉ基板１１３を準備する。Ｓｉ基板１１３は図１のＳｉ層１１３の元となる基板であり、Ｂを含有している。

【0051】

図５を参照して、次に、Ｓｉ基板１１３の裏面１１３ｂの中央部ＲＧ１のＳｉを除去する。中央部ＲＧ１のＳｉの除去は、Ｓｉ基板１１３の中央部ＲＧ１のＳｉを機械的に研削することにより行われてもよい。また、中央部ＲＧ１のＳｉの除去は、Ｓｉ基板１１３の裏面１１３ｂにおける中央部ＲＧ１を除く領域にフォトレジストを形成し、形成したフォトレジストをマスクとして中央部ＲＧ１のＳｉをエッチングすることにより行われてもよい。

【0052】

また、Ｓｉのウエットエッチングに用いられる薬液に対するマスクの耐性を高める場合には、中央部ＲＧ１のＳｉの除去は次の方法により行われてもよい。

【0053】

図６を参照して、Ｓｉ基板１１３の裏面１１３ｂ全面に、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜よりなるマスク層１４を形成する。続いてマスク層１４の裏面に、必要な形状にパターニングしたフォトレジスト１５を形成する。

【0054】

図７を参照して、次に、フォトレジスト１５をマスクとしてマスク層１４をウエットエッチングによりパターニングする。これにより、マスク層１４の外周部のみが残される。マスク層１４がシリコン酸化膜よりなる場合、マスク層１４のウエットエッチングの薬液としてはフッ酸溶液などが用いられる。マスク層１４がシリコン窒化膜よりなる場合、マスク層１４のウエットエッチングの薬液としてはリン酸溶液などが用いられる。続いて、パターニングされたマスク層１４をマスクとして、混酸などの薬液を用いて中央部ＲＧ１のＳｉをウエットエッチングにより除去する。その後、フォトレジスト１５およびマスク層１４を除去する。なお、フォトレジスト１５は、Ｓｉのウエットエッチングの前に除去されてもよい。

【0055】

なお、図４に示す工程において、Ｓｉ基板１１３の裏面１１３ｂにマスク層１４が予め形成された基板を準備することにより、図６に示すマスク層１４を形成する工程が省略されてもよい。また、マスク層１４としては、シリコン酸化膜およびシリコン酸化膜以外の酸化膜または窒化膜が用いられてもよい。

【0056】

図８を参照して、中央部ＲＧ１のＳｉが除去された結果、Ｓｉ基板１１３の裏面１１３ｂには凹部１６が形成される。凹部１６はＳｉ基板１１３を貫通しない程度の深さを有しており、凹部１６の底面はＳｉ基板１１３のＳｉにより構成されている。凹部１６の存在により、Ｓｉ基板１１３の中央部の厚さ（図８中縦方向の長さ）は、Ｓｉ基板１１３の外周部の厚さよりも薄くなる。

【0057】

図９を参照して、凹部１６を形成した後で、Ｓｉ基板１１３の表面１１３ａにペリクル膜１２を形成する。具体的には、Ｓｉ基板１１３の表面１１３ａと接触するペリクル膜１２をエピタキシャル成長させる。ペリクル膜１２は、たとえば、Ｓｉ基板１１３の表面１１３ａを炭化することで得られたＳｉＣよりなる下地層上に、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いて成膜される。また、ペリクル膜１２は、Ｓｉ基板１１３の表面１１３ａにＭＢＥ法またはＣＶＤ法などを用いて成膜されてもよい。さらに、ペリクル膜１２は、Ｓｉ基板１１３の表面１１３ａを炭化することのみによって形成されてもよい。なお、上述のペリクル膜１２の形成の際には、Ｓｉ基板１１３の側面１１３ｃにもペリクル膜１２のＳｉＣ膜が形成されてもよい。

【0058】

図１０を参照して、続いて、Ｓｉ基板１１３における凹部１６の底面ＲＧ２に存在する部分をウエットエッチングにより除去する。このウエットエッチングの際には、底面ＲＧ２のＳｉとともにＳｉ基板１１３の裏面１１３ｂの外周部（凹部１６を取り囲む部分）ＲＧ３のＳｉも除去される。ウエットエッチングを採用することで、Ｓｉ基板１１３を除去する際にペリクル膜１２へ与えるダメージを抑止することができる。

【0059】

底面ＲＧ２のＳｉが除去された結果、凹部１６は貫通孔１３となる。Ｓｉ基板１１３は、貫通孔１３を含むＳｉボーダー１１に成形される。貫通孔１３の底面にはペリクル膜１２の裏面１２ｂが露出する。以上の工程により、図１に示すペリクル１が完成する。

【0060】

底面ＲＧ２のＳｉのウエットエッチングは、ウエットエッチングに用いる薬液に対してＳｉ基板１１３およびペリクル膜１２を相対的に動かすことにより行われる。Ｓｉ基板１１３およびペリクル膜１２を動かすことには、Ｓｉ基板１１３およびペリクル膜１２の位置を変えずにＳｉ基板１１３およびペリクル膜１２を回転させることと、Ｓｉ基板１１３およびペリクル膜１２の位置を変える（言い換えれば、Ｓｉ基板１１３およびペリクル膜１２を移動させる）ことと、Ｓｉ基板１１３およびペリクル膜１２の位置を変えながらＳｉ基板１１３およびペリクル膜１２を回転させることなどが含まれる。Ｓｉのウエットエッチングに用いる薬液としては、たとえばフッ酸および硝酸を含む混酸や、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液などが用いられる。

【0061】

Ｓｉのウエットエッチングの薬液として、水酸化カリウム水溶液などのアルカリ溶液を用いた場合、ペリクル膜１２中に低密度で存在するピンホールを通じてペリクル膜１２までもがエッチングされることがある。ペリクル膜１２がエッチングされることを抑止し、ペリクル膜１２の品質を良好にするためには、Ｓｉのウエットエッチングの薬液として上述の混酸を用いることが好ましい。

【0062】

Ｓｉのウエットエッチングの際にＳｉ基板１１３およびペリクル膜１２を動かす方向は任意である。しかし、Ｓｉ基板１１３およびペリクル膜１２を動かしている間に薬液から受ける圧力によりペリクル膜１２が破損する事態を回避するためには、以下の第１～第３の方法のように、ペリクル膜１２の表面１２ａに対して平行な平面（図１１～図１３中の平面ＰＬ）内の方向にＳｉ基板１１３およびペリクル膜１２を動かすことが好ましい。

【0063】

図１１～図１３は、本発明の第１の実施の形態におけるＳｉのウエットエッチングの第１～第３の方法を模式的に示す図である。なお、図１１～図１３の説明では、Ｓｉのウエットエッチング直前の構造を中間体２と記している。本実施の形態では、図９の工程を経た直後の構造が中間体２に相当し、後述する第２の実施の形態では、図２０の工程を経た直後の構造が中間体２に相当する。

【0064】

図１１を参照して、第１の方法は、スピンエッチングによりＳｉを除去する方法である。第１の方法では、Ｓｉ基板１１３の裏面１１３ｂが上を向くように中間体２を固定台ＨＰに固定する。そして、矢印ＡＲ１で示すように、裏面１１３ｂと直交する方向に延在する回転軸を中心として固定台ＨＰを回転させる。このようにして、中間体２の位置を変えずに中間体２を回転させた状態で、ウエットエッチングに用いる薬液ＭＡ（エッチング液）をＳｉ基板１１３の裏面１１３ｂに注入する。固定台ＨＰの回転数は、たとえば５００～１５００ｒｐｍ程度に設定される。

【0065】

図１２を参照して、第２の方法では、複数の中間体２を立てた状態で固定台ＨＰに固定する。そして、反応容器ＣＳの内部に充填された薬液ＭＡに複数の中間体２を浸漬し、ペリクル膜１２の表面１２ａに対して平行な平面ＰＬ内で、矢印ＡＲ２で示すように中間体２の位置を変えながら中間体２および固定台ＨＰを回転させる。

【0066】

図１３を参照して、第３の方法では、Ｓｉ基板１１３の裏面１１３ｂが上を向くように中間体２を固定台ＨＰに固定する。そして、反応容器ＣＳの内部に充填された薬液ＭＡに中間体２を浸漬し、ペリクル膜１２の表面１２ａに対して平行な平面ＰＬ内で、矢印ＡＲ３で示すように中間体２および固定台ＨＰを直線上で往復移動させる。

【0067】

図１４は、図１に示すペリクル１におけるＡ部拡大図である。なお、図１４では、Ｓｉ基板１１３の幅の変化量を実際のものよりも強調して示している。

【0068】

図１４を参照して、フッ酸および硝酸を含む混酸は、Ｓｉを等方的にエッチングする作用を有している。このため、フッ酸および硝酸を含む混酸を薬液として用いてＳｉのウエットエッチングした場合には、その痕跡として、Ｓｉ基板１１３の幅ｄ（Ｓｉ基板１１３の内周面と外周面との距離）は、ペリクル膜１２から離れるに従って（ペリクル膜１２からＳｉ基板１１３の裏面１１３ｂに向かって）減少している。

【0069】

なお、本実施の形態の製造方法の変形例として、Ｓｉ基板１１３の表面１１３ａにペリクル膜１２を形成した後で、Ｓｉ基板１１３に凹部１６を形成してもよい。

【0070】

また、凹部１６を形成せずにＳｉのウエットエッチングのみにより貫通孔１３を形成してもよい。

【0071】

また、Ｓｉ基板１１３の表面１１３ａにペリクル膜１２をエピタキシャル成長させる代わりに、Ｓｉ基板１１３とバルクのＳｉＣ基板とを接合した後、ＳｉＣ基板を薄膜化することによりペリクル膜１２を形成してもよい。

【0072】

また、ペリクル膜１２は、Ｓｉ基板１１３の表面１１３ａ側に形成されていればよく、ペリクル膜１２とＳｉ基板１１３との間に任意の膜が形成されていてもよい。

【0073】

また、ペリクル膜１２の表面１２ａにグラフェン膜などのＳｉＣ以外の材料よりなる膜が形成されてもよい。

【0074】

次に、本実施の形態の効果について説明する。

【0075】

図１５は、本発明の第１の実施の形態の効果を説明する図である。なお、図１５では、ボーダー１１の変形が実際の場合よりも強調されている。

【0076】

図１５（ａ）を参照して、ペリクル１において、ペリクル膜１２はＳｉボーダー１１から引張応力Ｆ１を受けており、Ｓｉボーダー１１は、ペリクル膜１２から圧縮応力Ｆ２を受けている。ペリクル膜１２は引張応力Ｆ１により、弛みがない状態とされている。本願発明者らは、従来のペリクル膜１２がＳｉボーダー１１から受ける引張応力Ｆ１（約３００ＭＰａ）が大きすぎることが、ペリクル膜１２の割れの原因となっていることを見出した。

【0077】

図１５（ｂ）を参照して、本願発明者らは、Ｓｉ層中のＢ濃度の増加ともにＳｉ層のヤング率が低下する点（非特許文献１参照）に着目した。本実施の形態によれば、Ｓｉ層１１３がＢを含有しているため、Ｓｉ層１１３がＢを含有していない場合と比較してＳｉ層１１３のヤング率が低下し、Ｓｉボーダー１１は圧縮応力Ｆ２を受けて変形しやすくなる。その結果、ペリクル膜１２はＳｉボーダー１１から受ける引張応力Ｆ１が緩和され、ペリクル膜１２の割れを抑止することができる。

【0078】

また、ＳｉＣの熱膨張係数はＳｉの熱膨張係数よりも大きい。このため、ペリクル１の温度が変化した場合には、Ｓｉボーダー１１およびペリクル膜１２の各々が膨張または圧縮し、引張応力Ｆ１の大きさが変動する。本願発明者らは、引張応力Ｆ１がペリクル１の温度変化によって変動することも、ペリクル膜１２の割れの原因となっていることを見出した。

【0079】

本実施の形態では、Ｓｉ層１１３がＢを含有しているため、Ｓｉボーダー１１は圧縮応力Ｆ２を受けて変形しやすくなる。その結果、ペリクル１の温度変化による引張応力Ｆ１の大きさの変動は、Ｓｉ層１１３の変形によって緩和され、ペリクル膜１２の割れを抑止することができる。

【0080】

また図１５（ａ）を参照して、ペリクル膜１２をＳｉ層１１３の表面１１３ａにエピタキシャル成長させた場合には、下地層であるＳｉ層１１３のＳｉ結晶はペリクル膜１２中のＳｉＣ結晶に対してＳｉ結晶と整合させる力である引張応力Ｆ１を加える。これは、ＳｉＣの格子定数がＳｉの格子定数よりも小さいことに起因している。

【0081】

図１５（ｂ）を参照して、本実施の形態によれば、Ｓｉ層１１３のヤング率が低下するため、Ｓｉ層１１３のＳｉ結晶がペリクル膜１２中のＳｉＣ結晶に対して加える引張応力Ｆ１の大きさが小さくなる。その結果、ペリクル膜１２の割れを抑止することができる。

【0082】

さらに、Ｓｉ層１１３のウエットエッチングの際に、ウエットエッチングの薬液に対してＳｉ基板１１３およびペリクル膜１２を相対的に動かすことにより、Ｓｉ基板１１３のウエットエッチング中にペリクル膜１２にクラックが入ったり、Ｓｉ基板１１３からペリクル膜１２が剥がれたりする事態を抑止することができ、ペリクル１におけるペリクル膜１２の薄膜化を図ることができる。

【0083】

本願発明者は、ペリクル１の製造時に、Ｓｉ基板１１３のウエットエッチング中（Ｓｉ基板１１３の薬液への浸漬中）にＳｉ基板１１３にクラックが入ったり、Ｓｉ基板１１３からペリクル膜１２が剥がれたりすることがあることに気がついた。そして本願発明者らは、この原因は、Ｓｉ基板１１３の反応面（Ｓｉ基板１１３の裏面１１３ｂにおける薬液と反応する部分の面）に局所的に反応後の薬液が滞留し、それによってＳｉのエッチング速度が不均一になり、Ｓｉ基板１１３の反応面に荒れを生じさせるためであることを見出した。また本願発明者は、ウエットエッチングの薬液として混酸を用いた場合には、薬液とＳｉとの反応によって発生する大きな泡がＳｉ基板１１３の反応面に局所的に滞留し、この泡がＳｉ基板１１３の反応面の薬液との反応を局所的に妨げ、Ｓｉ基板１１３の反応面に荒れを生じさせることを見出した。

【0084】

ペリクル膜１２が比較的厚い場合には、ペリクル膜１２自体の機械的強度が高いため、Ｓｉ基板１１３の反応面の荒れはペリクル膜１２に対してそれほど悪影響を及ぼさない。しかし、ペリクル膜１２が比較的薄い場合（たとえば厚さが１０μｍ以下の場合、具体的には薄膜（厚さが数μｍ程度）である場合や極薄膜（厚さが１００ｎｍオーダー以下）である場合には、Ｓｉ基板１１３の反応面の荒れはペリクル膜１２に対して悪影響を及ぼす。すなわち、Ｓｉ基板１１３の反応面の荒れによってペリクル膜１２に不均一な応力が加わり、Ｓｉエッチング中にペリクル膜１２にクラックが入ったりペリクル膜１２がＳｉ基板１１３から剥がれたりする事態を招く。

【0085】

そこで、本実施の形態では、Ｓｉ基板１１３のウエットエッチングの際に、ウエットエッチングの薬液に対してＳｉ基板１１３およびペリクル膜１２を相対的に動かすことにより、Ｓｉ基板１１３の反応面に局所的に反応後の薬液や泡が滞留することを抑止し、Ｓｉ基板１１３の反応面の荒れを抑止することができる。その結果、ペリクル膜１２に不均一な応力が加わることを抑止することができ、ペリクル膜１２の薄膜化を図ることができる。

【0086】

特に、Ｓｉのウエットエッチングの方法として、スピンエッチングによりＳｉを除去する方法（図１１に示す第１の方法）を採用した場合には、ウエットエッチング中にペリクル膜１２が薬液に曝されるのは、凹部１６の底部にペリクル膜１２の裏面１２ｂが露出している間だけである。また、ウエットエッチング中にペリクル膜１２の表面１２ａは薬液に曝されることはない。このため、薬液によるペリクル膜１２のダメージを最小限に留めることができる。

【0087】

また、Ｓｉのウエットエッチングの薬液として混酸を用いることにより、薬液によるペリクル膜１２のダメージを抑止することができる。その結果、ペリクル膜１２の歩留まりを向上することができ、ペリクル膜１２を大面積で形成することができる。

【0088】

［第２の実施の形態］

【0089】

図１６は、本発明の第２の実施の形態におけるペリクル１の構成を示す断面図である。なお、図１６は、ペリクル膜１２の表面１２ａに対して垂直な平面で切った場合の断面図である。

【0090】

図１６を参照して、本実施の形態におけるペリクル１は、接着剤膜１７（接着剤膜の一例）をさらに備えている点において、第１の実施の形態のペリクルと異なっている。

【0091】

接着剤膜１７は、Ｓｉボーダー１１とペリクル膜１２との間に設けられており、Ｓｉボーダー１１とペリクル膜１２とを接着している。接着剤膜１７は任意の材料よりなっており、たとえばアクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、ポリイミド樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、無機系接着剤、両面粘着テープ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、またはポリオレフィン系粘着剤などよりなっている。

【0092】

次に、本実施の形態におけるペリクル１の製造方法について、図１７～図２１を用いて説明する。

【0093】

図１７を参照して、たとえば円板状のＳｉ基板（犠牲基板）２１を準備する。Ｓｉ基板２１の裏面２１ａには（１１１）面が露出している。Ｓｉ基板２１の裏面２１ａには（１００）面や（１１０）面が露出していてもよい。

【0094】

図１８を参照して、次に、Ｓｉ基板２１の裏面２１ａにペリクル膜１２を形成する。ペリクル膜１２は、たとえば、Ｓｉ基板２１の裏面２１ａを炭化することで得られたＳｉＣよりなる下地層上に、ＭＢＥ法、またはＣＶＤ法などを用いて成膜される。またペリクル膜１２は、Ｓｉ基板２１の裏面２１ａを炭化することのみによって形成されてもよい。さらに、ペリクル膜１２は、Ｓｉ基板２１の裏面２１ａにＭＢＥ法またはＣＶＤ法などを用いて成膜されてもよい。

【0095】

なお、ペリクル膜１２の下地となる基板としては任意のものを用いることができるが、上層となるペリクル膜１２の結晶性や後工程での除去の容易性などを考慮して決定されることが好ましい。具体的には、ペリクル膜１２の下地となる基板として、Ｓｉ基板２１の代わりに石英基板などが用いられてもよい。

【0096】

図１９を参照して、次に、たとえば円板状の（貫通孔１３が形成されていない）Ｓｉ基板１１３を準備する。Ｓｉ基板１１３はＢを含有している。Ｓｉ基板１１３には、熱拡散法またはイオン注入法などの方法によってＢが注入されている。

【0097】

そして、Ｓｉ基板１１３に貫通孔１３を形成することにより、Ｓｉ基板１１３よりなるいＳｉボーダー１１を作製する。Ｓｉボーダー１１は、貫通孔１３を取り囲む環状の平面形状を有している。貫通孔１３の形成方法は任意であり、機械的な研削やエッチングなどの方法が用いられてもよい。

【0098】

図２０を参照して、次に、接着剤を用いてペリクル膜１２の裏面１２ｂとＳｉボーダー１１とを接着する。ペリクル膜１２の裏面１２ｂは、ペリクル膜１２におけるＳｉ基板２１が存在する側の主面（表面１２ａ）とは反対側の主面である。ペリクル膜１２とＳｉボーダー１１との間には接着剤膜１７が形成される。その結果、Ｓｉ基板２１と、ペリクル膜１２と、Ｓｉボーダー１１と、接着剤膜１７とを含む中間体２が得られる。

【0099】

図２１を参照して、続いて、中間体２からＳｉ基板２１を除去する。これにより、ペリクル膜１２の表面１２ａ全体が露出する。Ｓｉ基板２１を除去する際には、始めにＳｉの除去速度が比較的速い方法（たとえば機械研磨など）でＳｉを除去することにより、Ｓｉ基板２１の厚さを任意の厚さまで減少させ、続いてＳｉの除去速度が比較的遅い方法（たとえばウエットエッチングなど）でＳｉを除去することにより、Ｓｉ基板２１を完全に除去することが好ましい。以上の工程により、図１６に示すペリクル１が完成する。

【0100】

Ｓｉのウエットエッチングは、薬液に対して中間体２を相対的に動かすことにより行われることが好ましい。Ｓｉのウエットエッチングは、第１の実施の形態におけるＳｉのウエットエッチングの第１～第３の方法（図１１～図１３）のいずれかの方法で行われることが好ましい。但し、ウエットエッチングの対象はＳｉ基板１１３ではなくＳｉ基板２１である。このため、第１の方法（図１１）を用いる場合には、Ｓｉ基板２１の表面２１ｂが上を向くように中間体２を固定台ＨＰに固定する。そして、中間体２の位置を変えずに中間体２を回転させた状態で、薬液ＭＡをＳｉ基板２１の表面２１ｂに注入する。また、第３の方法（図１３）を用いる場合にも、Ｓｉ基板２１の表面２１ｂが上を向くように中間体２を固定台ＨＰに固定する。そして、中間体２および固定台ＨＰを直線上で往復移動させる。

【0101】

上述以外のペリクル１の構成および製造方法は、第１の実施の形態のペリクルの構成および製造方法と同一であるため、その説明は繰り返さない。

【0102】

次に、本実施の形態の効果について説明する。

【0103】

本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、図１５（ｂ）に示すように、Ｓｉ層１１３がＢを含有しているため、Ｓｉボーダー１１は圧縮応力Ｆ２を受けて変形しやすくなる。その結果、ペリクル膜１２はＳｉボーダー１１から受ける引張応力Ｆ１が緩和され、ペリクル膜１２の割れを抑止することができる。

【0104】

また、本実施の形態によれば、ペリクル膜１２を形成した後にＳｉ基板２１を完全に除去するので、Ｓｉ基板２１の一部をエッチングするための工程（フォトレジストやハードマスクをパターニングする工程や除去する工程など）を省略することができる、その結果、製造工程の簡素化を図ることができ、ペリクルの製造コストを低減することができる。また、ペリクル膜１２はＳｉボーダー１１によって支持されるので、ペリクル膜１２の機械的強度を確保しつつペリクル膜１２を薄膜化することができる。

【0105】

また、ウエットエッチングの薬液に対して中間体２を相対的に動かすことにより、Ｓｉ基板２１をウエットエッチングすることにより、Ｓｉ基板２１のウエットエッチング中にペリクル膜１２にクラックが入ったり、Ｓｉ基板２１からペリクル膜１２が剥がれたりする事態を抑止することができ、ペリクル１におけるペリクル膜１２の薄膜化を図ることができる。

【0106】

［実施例］

【0107】

本願発明者らは、Ｂを含有するＳｉ層をボーダーが含むことによる、ペリクル膜の機械的強度の向上の効果を確認した。具体的には、以下の試料Ａ～Ｄを作製し、試料Ａ～Ｄの各々の歩留まり率を調べた。

【0108】

試料Ａ（本発明例）：第１の実施の形態に示す製造方法を用いて、図１に示すペリクルを作製した。Ｓｉ層として、Ｓｉ層の抵抗率が０より大きく０．００５Ω・ｃｍ以下の範囲となるように、Ｂ濃度を調整したものを使用した。

【0109】

試料Ｂ（本発明例）：Ｓｉ層として、Ｓｉ層の抵抗率が０．００５Ω・ｃｍより大きく０．０２Ω・ｃｍ以下の範囲となるように、Ｂ濃度を調整したものを使用した。これ以外は、試料Ａと同様の製造方法でペリクル１を作製した。

【0110】

試料Ｃ（本発明例）：Ｓｉ層として、Ｓｉ層の抵抗率が１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下の範囲となるように、Ｂ濃度を調整したものを使用した。これ以外は、試料Ａと同様の製造方法でペリクル１を作製した。

【0111】

試料Ｄ（比較例）：Ｓｉ層として、Ｓｉ層にＢをドープしていないものを使用した。これ以外は、これ以外は、試料Ａと同様の製造方法でペリクル１を作製した。

【0112】

図２２は、本発明の一実施例における試料Ａ～Ｄの各々の歩留まり率を示す図である。

【0113】

図２２を参照して、試料Ａの歩留まり率は１００％であり、試料Ｂの歩留まり率は６３％であり、試料Ｃの歩留まり率は３０％であり、試料Ｄの歩留まり率は１５％であった。また、歩留まり率の低下の原因の大部分は、Ｓｉ層のウエットエッチングによりＳｉ層に貫通孔を形成する最中（図１０に示す工程中）にペリクル膜が破損することであった。

【0114】

これらの結果は、Ｓｉボーダー中のＢ濃度上昇に伴い、Ｓｉボーダーからかかるペリクル膜への応力が緩和し、ペリクル膜の破損が抑制されることを示唆している。

【0115】

［その他］

【0116】

ペリクル膜は、Ｓｉ、ＳｉＮ、またはＣ（グラファイト、グラフェン、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、またはアモルファスカーボンなど）などの、ＳｉＣ以外の材料よりなっていてもよい。但し、ＳｉＣよりなるペリクル膜は、ペリクル膜の露光光の透過性および露光光に対する耐性を向上しつつ、ペリクル膜を薄膜化した場合のペリクル膜の割れを抑止することができるため、ペリクル膜として特に好ましい。また、ボーダーの形状は任意である。

【0117】

上述の実施の形態、変形例、および実施例の構成および製造方法は、適宜組み合わせることが可能である。たとえば第２の実施の形態のペリクル１の平面形状が図３に示すものであってもよい。

【0118】

上述の実施の形態、変形例、および実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0119】

１ ペリクル（ペリクルの一例）
２ 中間体
１１ Ｓｉ（ケイ素）ボーダー（ボーダーの一例）
１１ａ Ｓｉボーダーの表面
１１ｂ Ｓｉボーダーの裏面
１１ｃ Ｓｉボーダーの側面
１２ ペリクル膜（ペリクル膜の一例）
１２ａ ペリクル膜の表面
１２ｂ ペリクル膜の裏面
１２ｃ ペリクル膜の側面
１３ Ｓｉボーダーの貫通孔（貫通孔の一例）
１４ マスク層
１５ フォトレジスト
１６ Ｓｉ基板の凹部
１７ 接着剤膜（接着剤膜の一例）
２１ Ｓｉ基板
２１ａ Ｓｉ基板の裏面
２１ｂ Ｓｉ基板の表面
１１１ Ｓｉ基板
１１２ ＳｉＯ₂（酸化ケイ素）膜
１１３ Ｓｉ層またはＳｉ基板（Ｓｉ層の一例）
１１３ａ Ｓｉ層またはＳｉ基板の表面
１１３ｂ Ｓｉ層またはＳｉ基板の裏面
１１３ｃ Ｓｉ層またはＳｉ基板の側面
ＣＳ 反応容器
Ｆ１，Ｆ３ 引張応力
Ｆ２ 圧縮応力
ＨＰ 固定台
ＭＡ 薬液
ＰＬ ペリクル膜の表面に対して平行な平面
ＲＧ１ Ｓｉ基板の裏面の中央部
ＲＧ２ Ｓｉ基板の凹部の底面
ＲＧ３ Ｓｉ基板の裏面の外周部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】