(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022130165
(43)【公開日】2022-09-06
(54)【発明の名称】スイッチングデバイスとその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/336 20060101AFI20220830BHJP
H01L 21/316 20060101ALI20220830BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20220830BHJP
H01L 21/368 20060101ALI20220830BHJP
H01L 29/12 20060101ALI20220830BHJP
H01L 29/78 20060101ALI20220830BHJP
【FI】
H01L29/78 301G
H01L21/316 X
H01L21/31 B
H01L21/368 Z
H01L29/78 652T
H01L29/78 652K
H01L29/78 658F
H01L29/78 658E
H01L29/78 658A
H01L29/78 301B
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2021029179
(22)【出願日】2021-02-25
(71)【出願人】
【識別番号】000004260
【氏名又は名称】株式会社デンソー
(71)【出願人】
【識別番号】520124752
【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ
(71)【出願人】
【識別番号】000003207
【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】513067727
【氏名又は名称】高知県公立大学法人
(74)【代理人】
【識別番号】110000110
【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】富田 英幹
(72)【発明者】
【氏名】大川 峰司
(72)【発明者】
【氏名】川原村 敏幸
(72)【発明者】
【氏名】▲劉▼ ▲麗▼
【テーマコード(参考)】
5F045
5F053
5F058
5F140
【Fターム(参考)】
5F045AA03
5F045AA15
5F045AB32
5F045AB34
5F045AC16
5F045BB16
5F045CA07
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5F045EE03
5F045EE19
5F045EK07
5F053AA50
5F053BB60
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5F053FF01
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5F053LL10
5F053RR03
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5F058BF29
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5F058BF47
5F058BJ01
5F140AA01
5F140AA05
5F140AB05
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5F140BB18
5F140BD05
5F140BD09
5F140BE09
5F140BE10
5F140BE20
5F140BF04
5F140BF05
5F140BH30
(57)【要約】 (修正有)
【課題】ゲート絶縁膜と窒化ガリウム半導体層の界面にガリウム酸化物層が形成されることを抑制でき、高い性能を有するスイッチングデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチングデバイス10であって、窒化ガリウム半導体基板12と、酸化シリコンにより構成されているとともに窒化ガリウム半導体層上に配置されたゲート絶縁膜22と、を有する。窒化ガリウム半導体基板とゲート絶縁膜の界面30にガリウム酸化物層が存在しないか又は窒化ガリウム半導体基板とゲート絶縁膜の界面に存在するガリウム酸化物層の厚さが1nm以下である。
【選択図】
図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
スイッチングデバイス(10、500、600)であって、
窒化ガリウム半導体層(12、612)と
酸化シリコンにより構成されており、前記窒化ガリウム半導体層上に配置されたゲート絶縁膜(22、622)と、
を有し、
前記窒化ガリウム半導体層と前記ゲート絶縁膜の界面(30、630)にガリウム酸化物層が存在しない、または、前記窒化ガリウム半導体層と前記ゲート絶縁膜の界面に存在するガリウム酸化物層の厚さが1nm以下である、スイッチングデバイス。
【請求項2】
スイッチングデバイスの製造方法であって、
シリコンを含む成膜原料と非プラズマ状態の酸化ガスとを窒化ガリウム半導体層(12、612)の表面に供給することによって、前記窒化ガリウム半導体層上に酸化シリコンにより構成されたゲート絶縁膜(22、622)を形成する工程を有し、
前記ゲート絶縁膜をプラズマ状態の酸化ガスに曝す工程を有さない、製造方法。
【請求項3】
前記ゲート絶縁膜を形成する前記工程では、前記成膜原料が溶解しているとともに溶剤を含む溶液(84d)を、前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給する、請求項2に記載の製造方法。
【請求項4】
前記ゲート絶縁膜を形成する前記工程では、前記溶液からミスト(83)を発生させ、前記ミストを前記酸化ガスとともに前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給する、請求項3に記載の製造方法。
【請求項5】
前記ゲート絶縁膜を形成する前記工程では、前記溶液を前記窒化ガリウム半導体層の前記表面にスプレー塗布しながら前記酸化ガスを前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給する、請求項3に記載の製造方法。
【請求項6】
前記ゲート絶縁膜を形成する前記工程では、前記溶液をインクジェット法によって前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に塗布しながら前記酸化ガスを前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給する、請求項3に記載の製造方法。
【請求項7】
前記ゲート絶縁膜を形成する前記工程では、前記溶液中にバブルを発生させることによって前記溶液の液滴を発生させ、前記液滴を前記酸化ガスとともに前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給する、請求項3に記載の製造方法。
【請求項8】
前記ゲート絶縁膜を形成する前記工程では、前記成膜原料を含む原料ガスを前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給する工程と、前記酸化ガスを前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給する工程と、を交互に複数回繰り返す、請求項2に記載の製造方法。
【請求項9】
前記酸化ガスが、オゾンである請求項1~8のいずれか一項の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書に開示の技術は、スイッチングデバイスに関する。
【0002】
特許文献1には、スイッチングデバイスの製造方法が開示されている。この製造方法は、第1ゲート絶縁膜形成工程と、第2ゲート絶縁膜形成工程を有している。第1ゲート絶縁膜形成工程では、オゾンを酸化剤として用いたALD法(atomic layer deposition)により、窒化ガリウム半導体層上に第1ゲート絶縁膜を形成する。第2工程では、酸素プラズマを酸化剤として用いたALD法により、第1ゲート絶縁膜上に第2ゲート絶縁膜を形成する。第2ゲート絶縁膜上には、ゲート電極が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1の製造方法では、第2工程において、第1ゲート絶縁膜が酸素プラズマ(プラズマ状態の酸素ガス)に曝される。酸素プラズマは高い酸化力を有するので、第2工程では、第1ゲート絶縁膜の下部の窒化ガリウム半導体層が酸化される。このため、第1ゲート絶縁膜と窒化ガリウム半導体層の界面に、ガリウム酸化物層が形成される。その結果、この界面に高密度に界面準位が生成され、スイッチングデバイスの性能が低下する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本明細書が開示するスイッチングデバイスは、窒化ガリウム半導体層と、酸化シリコンにより構成されているとともに前記窒化ガリウム半導体層上に配置されたゲート絶縁膜と、を有する。前記窒化ガリウム半導体層と前記ゲート絶縁膜の界面にガリウム酸化物層が存在しない、または、前記窒化ガリウム半導体層と前記ゲート絶縁膜の界面に存在するガリウム酸化物層の厚さが1nm以下である。
【0006】
なお、スイッチングデバイスは、ゲート絶縁膜を有するスイッチングデバイスであれば、いずれのスイッチングデバイスであってもよい。例えば、スイッチングデバイスは、電界効果トランジスタ(FET:field effect transistor)であってもよいし、高電子移動度トランジスタ(HEMT:high electron mobility transistor)であってもよい。
【0007】
また、窒化ガリウム半導体層は、窒化ガリウムを主成分とする半導体層である。例えば、窒化ガリウム半導体層は、窒化ガリウム(GaN)により構成されていてもよいし、窒化インジウムガリウム(InGaN)により構成されていてもよいし、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)により構成されていてもよいし、窒化インジウムアルミニウムガリウム(InAlGaN)により構成されていてもよい。
【0008】
また、酸化シリコンは、SiとOとの結合を含む化合物である。例えば、酸化シリコンは、SiO2であってもよいし、SiONであってもよい。
【0009】
このスイッチングデバイスでは、窒化ガリウム半導体層とゲート絶縁膜の界面にガリウム酸化物層が存在しない、または、前記窒化ガリウム半導体層と前記ゲート絶縁膜の界面に存在するガリウム酸化物層の厚さが1nm以下である。このため、窒化ガリウム半導体層とゲート絶縁膜の界面に存在する界面準位が少ない。したがって、このスイッチングデバイスは、高い性能を有する。
【0010】
本明細書は、スイッチングデバイスの製造方法を開示する。この製造方法は、シリコンを含む成膜原料と非プラズマ状態の酸化ガスとを窒化ガリウム半導体層の表面に供給することによって、前記窒化ガリウム半導体層上に酸化シリコンにより構成されたゲート絶縁膜を形成する工程を有する。また、この製造方法は、前記ゲート絶縁膜をプラズマ状態の酸化ガスに曝す工程を有さない。
【0011】
なお、酸化ガスは、シリコンを酸化する能力を有するガスを意味する。例えば、酸化ガスは、酸素ガス、水蒸気、オゾン等であってもよい。
【0012】
この製造方法では、ゲート絶縁膜を形成する工程において非プラズマ状態の酸化ガスを用いるため、ゲート絶縁膜と窒化ガリウム半導体層の界面における窒化ガリウム半導体層の酸化を抑制できる。また、この製造方法は、ゲート絶縁膜をプラズマ状態の酸化ガスに曝す工程を有さないので、ゲート絶縁膜の形成後においても、ゲート絶縁膜と窒化ガリウム半導体層の界面における窒化ガリウム半導体層の酸化を抑制できる。したがって、この製造方法によれば、ゲート絶縁膜と窒化ガリウム半導体層の界面にガリウム酸化物層が形成されることを抑制できる。このため、この製造方法によれば、高い性能を有するスイッチングデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【
図2】スイッチングデバイス10の製造方法の説明図。
【
図3】スイッチングデバイス10の製造方法の説明図。
【
図4】スイッチングデバイス10の製造方法の説明図。
【
図5】スイッチングデバイス10の製造方法の説明図。
【
図7】ゲート絶縁膜と窒化ガリウム半導体基板の界面のXPS分析結果を示すグラフ。
【
図8】実施例1の製造方法により製造されたスイッチングデバイス10の移動度を示すグラフ。
【
図9】酸素プラズマを使用する製造方法により製造されたスイッチングデバイス10の移動度を示すグラフ。
【
図13】非プラズマ状態の酸化ガスを使用するALD法の説明図。
【
図15】スイッチングデバイス500の製造方法の説明図。
【
図16】スイッチングデバイス500の製造方法の説明図。
【
図17】スイッチングデバイス500の製造方法の説明図。
【
図18】スイッチングデバイス500の製造方法の説明図。
【
図19】スイッチングデバイス500の製造方法の説明図。
【
図20】スイッチングデバイス500の製造方法の説明図。
【
図21】スイッチングデバイス500の製造方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本明細書が開示する一例のスイッチングデバイスの製造方法では、前記ゲート絶縁膜を形成する前記工程で、前記成膜原料が溶解しているとともに溶剤を含む溶液を、前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給してもよい。この場合、一つの構成においては、前記溶液からミストを発生させ、前記ミストを前記酸化ガスとともに前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給してもよい。また、別の構成においては、前記溶液を前記窒化ガリウム半導体層の前記表面にスプレー塗布しながら前記酸化ガスを前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給してもよい。また、別の構成においては、前記溶液をインクジェット法によって前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に塗布しながら前記酸化ガスを前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給してもよい。また、別の構成においては、前記溶液中にバブルを発生させることによって前記溶液の液滴を発生させ、前記液滴を前記酸化ガスとともに前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給してもよい。
【0015】
これらの構成によれば、窒化ガリウム半導体層上に好適にゲート絶縁膜を形成することができる。
【0016】
また、本明細書が開示する別の一例のスイッチングデバイスの製造方法では、前記ゲート絶縁膜を形成する前記工程で、前記成膜原料を含む原料ガスを前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給する工程と、前記酸化ガスを前記窒化ガリウム半導体層の前記表面に供給する工程と、を交互に複数回繰り返してもよい。
【0017】
この構成によれば、窒化ガリウム半導体層上に好適にゲート絶縁膜を形成することができる。
【0018】
本明細書が開示する何れかの製造方法では、前記酸化ガスが、オゾンであってもよい。
【0019】
図1に示す実施形態のスイッチングデバイス10は、MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)である。スイッチングデバイス10は、窒化ガリウム半導体基板12を有している。窒化ガリウム半導体基板12は、高濃度n型層14a、バッファ層14b、ドリフト層14c、ボディ層16、ソース層18、及び、ドレイン層20を有している。高濃度n型層14aは、窒化ガリウム半導体基板12の下面を含む範囲に設けられている。バッファ層14bは、高濃度n型層14aよりもn型不純物濃度が低いn型層であり、高濃度n型層14a上に設けられている。ドリフト層14cは、バッファ層14bと同等のn型不純物濃度を有するn型層であり、バッファ層14b上に設けられている。ボディ層16は、p型層であり、ドリフト層14c上に設けられている。ソース層18とドレイン層20は、n型層であり、ボディ層16上に設けられている。ソース層18とドレイン層20は、窒化ガリウム半導体基板12の上面12aを部分的に含む範囲に設けられている。ソース層18とドレイン層20は互いから分離されている。すなわち、ソース層18とドレイン層20の間にボディ層16が設けられており、ボディ層16によってソース層18がドレイン層20から分離されている。
【0020】
窒化ガリウム半導体基板12の上部に、ゲート絶縁膜22、ゲート電極24、ソース電極26、及び、ドレイン電極28が配置されている。
【0021】
ゲート絶縁膜22は、酸化シリコン(例えば、SiO2、SiON等)によって構成されている。ゲート絶縁膜22は、窒化ガリウム半導体基板12上に配置されている。ゲート絶縁膜22は、窒化ガリウム半導体基板12の上面12aのうち、ソース層18の表面からドレイン層20の表面まで伸びている。ゲート絶縁膜22は、窒化ガリウム半導体基板12の上面12aにおいて、ソース層18、ボディ層16、及び、ドレイン層20に接している。
【0022】
ゲート電極24は、導体(例えば、金属やポリシリコン)により構成されている。ゲート電極24は、ゲート絶縁膜22上に配置されている。ゲート電極24は、ソース層18の上部からドレイン層20の上部まで伸びている。ゲート電極24は、ゲート絶縁膜22を介して、ソース層18、ボディ層16、及び、ドレイン層20に対向している。
【0023】
ソース電極26は、導体により構成されている。ソース電極26は、ソース層18上に配置されている。ソース電極26は、ソース層18にオーミック接触している。
【0024】
ドレイン電極28は、導体により構成されている。ドレイン電極28は、ドレイン層20上に配置されている。ドレイン電極28は、ドレイン層20にオーミック接触している。
【0025】
ゲート電極24に閾値以上の電位を印加すると、ゲート絶縁膜22の直下のドレイン層20にチャネルが形成される。チャネルによってソース層18とドレイン層20が接続される。この状態で、ドレイン電極28にソース電極26よりも高い電位を印加すると、ソース層18からチャネルを通ってドレイン層20へ電子が流れる。すなわち、スイッチングデバイス10がオンする。なお、後に詳述するが、スイッチングデバイス10では、ゲート絶縁膜22と窒化ガリウム基板12との界面30における界面準位密度が低い。したがって、スイッチングデバイス10のチャネル移動度は高い。
【実施例0026】
次に、実施例1のスイッチングデバイス10の製造方法について説明する。
図2は、加工前の窒化ガリウム半導体基板12を示している。スイッチングデバイス10は、
図2の窒化ガリウム半導体基板12から製造される。
図2に示す窒化ガリウム半導体基板12の全体は、高濃度n型層14aにより構成されている。高濃度n型層14aは、約400μmの厚さを有しており、約1×10
18cm
-3のn型不純物濃度を有している。
【0027】
まず、
図3に示すように、高濃度n型層14a上に、窒化ガリウムにより構成されたバッファ層14bをエピタキシャル成長させる。ここでは、バッファ層14bのn型不純物濃度が約2×10
16cm
-3となり、バッファ層14bの厚さが約0.3μmとなるようにバッファ層14bを形成する。次に、
図3に示すように、バッファ層14b上に、窒化ガリウムにより構成されたドリフト層14cをエピタキシャル成長させる。ここでは、ドリフト層14cのn型不純物濃度が約2×10
16cm
-3となり、ドリフト層14cの厚さが約1.0μmとなるようにドリフト層14cを形成する。次に、
図3に示すように、ドリフト層14c上に、窒化ガリウムにより構成されたボディ層16をエピタキシャル成長させる。ここでは、ボディ層16がp型不純物(例えば、マグネシウム)を約5×10
17cm
-3の濃度で有しており、ボディ層16の厚さが約1.5μmとなるようにボディ層16を形成する。その後、窒化ガリウム半導体基板12を窒素雰囲気化において約850℃にて約5分間アニールし、ボディ層16中のp型不純物を活性化させる。
【0028】
次に、窒化ガリウム半導体基板12の上面12aからボディ層16に選択的にn型不純物(例えば、シリコン)を約3×10
15cm
-2のドーズ量でイオン注入する。その後、窒化ガリウム半導体基板12全体を窒素雰囲気化において約1000℃にて約5分間アニールし、注入したn型不純物を活性化させる。これによって、
図4に示すように、ボディ層16の表層部の一部に、ソース層18とドレイン層20を形成する。
【0029】
次に、窒化ガリウム半導体基板12の上面12aを洗浄する。次に、ゲート絶縁膜形成工程を実施する。ゲート絶縁膜形成工程では、
図5に示すように、上面12a上に酸化シリコンにより構成されたゲート絶縁膜22を形成する。実施例1のゲート絶縁膜形成工程では、ミストCVD法(chemical vapor deposition)によりゲート絶縁膜22を形成する。
【0030】
図6は、ミストCVD法を実行するミストCVD装置80を示している。ミストCVD装置80は、炉82、ミスト発生装置84、キャリアガス供給源86、及び、酸化ガス供給源88を有している。
【0031】
炉82は、チャンバー82aを有している。チャンバー82a内に、窒化ガリウム半導体基板12を載置することができる。炉82は、ヒータを内蔵しており、チャンバー82a内の窒化ガリウム半導体基板12を加熱することができる。
【0032】
ミスト発生装置84は、ミスト発生タンク84a、容器84b、超音波振動子84cを有している。ミスト発生タンク84a内には、溶液84dが貯留されている。溶液84dは、溶剤に成膜原料を溶解させたものである。成膜原料は、元素としてシリコンを含んでいる。例えば、成膜原料として、ポリシラザン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラン等を用いることができる。溶剤として、酢酸ブチル、ジメチルエーテル、酢酸メチル、アセトニトリル、ジブチルエーテル等の有機溶剤を用いることができる。容器84bは、液体84e(例えば、水)を貯留している。ミスト発生タンク84aの下部は、液体84e内に浸漬されている。容器84bの底面に、超音波振動子84cが固定されている。超音波振動子84cは、液体84eに超音波を加える。液体84eに加えられた超音波は、液体84eを介してミスト発生タンク84a内の溶液84dに伝わる。すると、溶液84dの液面が振動し、溶液84dの上部の空間に溶液84dのミスト83が発生する。このように、ミスト発生装置84は、ミスト発生タンク84a内に、溶液84dのミスト83を発生させる。ミスト発生タンク84aは、原料供給管94を介して炉82に接続されている。ミスト83は、ミスト発生タンク84aから原料供給管94を介して炉82に供給される。炉82内を下流端まで流れたミスト83は、炉82の外部へ排出される。
【0033】
キャリアガス供給源86は、キャリアガス供給管90を介してミスト発生タンク84aに接続されている。キャリアガス供給源86は、ミスト発生タンク84aにキャリアガス(例えば、アルゴン等の不活性ガス)を供給する。
【0034】
酸化ガス供給源88は、酸化ガス供給管92を介して原料供給管94の途中に接続されている。酸化ガス供給源88は、原料供給管94に酸化ガス(本実施形態では、オゾン)を供給する。
【0035】
ゲート絶縁膜形成工程では、まず、炉82のチャンバー82a内に窒化ガリウム半導体基板12を載置する。ここでは、チャンバー82a内を流れるミストに上面12aが曝される向きで、窒化ガリウム半導体基板12をチャンバー82a内に載置する。次に、炉82によって窒化ガリウム半導体基板12を加熱する。ゲート絶縁膜形成工程の間は、窒化ガリウム半導体基板12の温度を約400℃に維持する。次に、超音波振動子84cを作動させて、溶液84dからミスト83を発生させる。同時に、キャリアガス供給源86からミスト発生タンク84aへのキャリアガスの供給を開始し、酸化ガス供給源88から原料供給管94への酸化ガスの供給を開始する。キャリアガス供給管90からミスト発生タンク84a内に流入したキャリアガスは、ミスト発生タンク84a内のミスト83と共に原料供給管94へ流れる。原料供給管94内では、ミスト83がキャリアガスとともに炉82へ向かって流れる。原料供給管94の途中で、酸化ガス供給管92から原料供給管94内に酸化ガスが流入する。このため、原料供給管94のうちの酸化ガス供給管92との合流部よりも下流側の部分では、ミスト83がキャリアガスと酸化ガスとともに炉82へ向かって流れる。ミスト83、キャリアガス、及び、酸化ガスは、原料供給管94の下流端まで達すると、炉82のチャンバー82a内へ流入する。チャンバー82a内を流れるミスト83の一部は、窒化ガリウム半導体基板12の上面12aに付着する。すると、上面12aに付着したミスト83に含まれる溶剤が揮発し、上面12aにシリコンを含む成膜原料が固着する。また、上面12aに成膜原料が固着するのと同時に、成膜原料が酸化ガスによって酸化される。酸化された成膜原料は、酸化シリコンとなる。したがって、窒化ガリウム半導体基板12の上面12aに、酸化シリコンにより構成されたゲート絶縁膜22が成長する。ここでは、5分程度の成膜時間で、ゲート絶縁膜22の厚さが約100nmとなるようにゲート絶縁膜22を形成する。
【0036】
ゲート絶縁膜22を形成したら、窒化ガリウム半導体基板12を窒素雰囲気下において約800℃にて約5分間アニールする。
【0037】
次に、
図1に示すように、ソース層18の上部、及び、ドレイン層20の上部において、ゲート絶縁膜22にコンタクトホール26a、28aを形成する。次に、ゲート電極24、ソース電極26、及び、ドレイン電極28を形成する。その後、必要に応じて、窒化ガリウム半導体基板12に対して水素シンタ処理を実施する。以上の工程によって、
図1に示すスイッチングデバイス10が完成する。
【0038】
以上に説明したように、実施例1では、非プラズマ状態の酸化ガスを使用するミストCVD法によってゲート絶縁膜22を形成する。すなわち、窒化ガリウム半導体基板12上で成膜原料を非プラズマ状態の酸化ガスによって酸化することによって、ゲート絶縁膜22(すなわち、酸化シリコン膜)を形成する。すなわち、実施例1の製造方法では、ゲート絶縁膜形成工程でプラズマ状態の酸化ガスを使用しない。また、実施例1の製造方法では、ゲート絶縁膜22の形成後に、ゲート絶縁膜22がプラズマ状態の酸化ガスに曝されることが無い。以下に説明するように、この構成によれば、ゲート絶縁膜22と窒化ガリウム半導体基板12との界面30にガリウム酸化物層が形成されることを抑制し、スイッチングデバイス10のチャネル移動度を改善できる。
【0039】
図7のグラフA~Cは、スイッチングデバイス10として3つのサンプルを作成し、各サンプルに対してGaLLMについてのXPS分析を行った結果を示している。グラフAは、ゲート絶縁膜22を形成していない状態(
図4の状態)のボディ層16の表面に対してXPS分析を行った結果である。すなわち、グラフAは、ガリウム酸化物層が存在しない状態のボディ層16の表面に対してXPS分析を行った結果である。グラフBは、実施例1のゲート絶縁膜形成工程(すなわち、酸化ガスとしてオゾンを使用したミストCVD法)によってゲート絶縁膜22を形成し、そのゲート絶縁膜22とボディ層16との界面30にXPS分析を行った結果である。グラフCは、酸素プラズマ(プラズマ状態の酸素ガス)を用いたALD法によってゲート絶縁膜22を形成し、そのゲート絶縁膜22とボディ層16との界面30にXPS分析を行った結果である。なお、グラフB及びCの測定では、ゲート絶縁膜22をウェットエッチングすることによってゲート絶縁膜22の厚さを約100nmから約5nmまで減少させ、その後に、ゲート絶縁膜22とボディ層16の界面30に対してXPS分析を行った。
【0040】
図7に示すように、グラフBはグラフAとほぼ一致するのに対し、グラフCはグラフAに対して明らかなずれを有する。Noritake Isomura at el(2020). X-ray photoelectron spectroscopy insights on interfaces between SiO2 films and GaNsubstrates: differences due to depositional technique, Jpn. J. Appl. Phys. 59, 090902 (2020)に示されているように、ゲート絶縁膜と窒化ガリウム半導体との界面のXPS分析の結果を比較することで、当該界面にガリウム酸化物層が存在するか否かを検出することができる。この手法によれば、厚さが1nmより厚いガリウム酸化物層を検出することができる。上述したように、グラフAはガリウム酸化物層が存在しない状態のボディ層16の表面に対してXPS分析を行った結果である。グラフBはグラフAと一致しているので、グラフBのサンプルでは、界面30にガリウム酸化物層が存在しない、または、界面30に存在するガリウム酸化物層の厚さが1nm以下(検出限界以下)である。すなわち、酸化ガスとしてオゾンを使用したミストCVD法によりゲート絶縁膜22を形成した場合には、界面30にガリウム酸化物層が形成されない、または、界面30に形成されるガリウム酸化物層の厚さが1nm以下である。グラフCはグラフAに対してずれを有しているので、グラフCのサンプルでは、界面30に厚さが1nmよりも厚いガリウム酸化物層が存在する。すなわち、酸素プラズマを用いたALD法によってゲート絶縁膜22を形成した場合には、界面30に厚さが1nmよりも厚いガリウム酸化物層が形成される。
【0041】
以上に説明したように、実施例1の製造方法によれば、界面30にガリウム酸化物層が形成されることを抑制できる。その理由は、以下のように推測される。ゲート絶縁膜22を形成するときに、プラズマ状態の酸化ガスを使用すると、プラズマ状態の酸化ガスの酸化力が高すぎるため、窒化ガリウム半導体基板12の表面が酸化され、界面30にガリウム酸化物層が形成される。これに対し、実施例1の製造方法では、ゲート絶縁膜22を形成するときに非プラズマ状態の酸化ガスを使用する。非プラズマ状態の酸化ガスの酸化力がそれほど高くないので、界面30にガリウム酸化物層が形成されることが抑制される。また、ゲート絶縁膜22の形成後にゲート絶縁膜22がプラズマ状態の酸化ガスに曝されると、界面30にガリウム酸化物層が形成される。これに対し、実施例1の製造方法では、ゲート絶縁膜22の形成後にゲート絶縁膜22がプラズマ状態の酸化ガスに曝される工程が存在しない。したがって、ゲート絶縁膜22の形成後に界面30にガリウム酸化物層が形成されることが抑制される。したがって、実施例1の製造方法によれば、界面30にガリウム酸化物層が存在しない、または、界面30に存在するガリウム酸化物層の厚さが1nm以下であるスイッチングデバイス10を製造することができる。
【0042】
界面30におけるガリウム酸化物層の形成が抑制されると、界面30における界面準位密度を低減することができる。スイッチングデバイス10では、界面30に沿ってチャネルが形成されるので、界面30の界面準位密度を低減することで、チャネル移動度を向上させることができる。
図8は、実施例1の製造方法により製造したスイッチングデバイス10のチャネル移動度を測定した結果を示している。
図8に示すように、この場合、250cm
2/Vsを超える移動度が得られた。
図9は、酸素プラズマを用いたALD法によってゲート絶縁膜22を形成した場合のスイッチングデバイス10のチャネル移動度を測定した結果を示している。
図9に示すように、この場合、移動度は最大でも約56cm
2/Vsであった。このように、実施例1の製造方法によれば、界面30におけるガリウム酸化物層の形成を抑制でき、チャネル移動度の高いスイッチングデバイス10を製造することができる。
【0043】
次に、実施例2~5の製造方法について説明する。なお、実施例2~5の製造方法では、ゲート絶縁膜形成工程のみが実施例1の製造方法とは異なる。したがって、以下では、実施例2~5のゲート絶縁膜形成工程について説明する。