特開 2022-130246 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022130246

(43)【公開日】2022-09-06

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220830BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20220830BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/00 N

H05K3/46 X

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021029330

(22)【出願日】2021-02-25

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100112472

【弁理士】

【氏名又は名称】松浦 弘

(74)【代理人】

【識別番号】100202223

【弁理士】

【氏名又は名称】軸見 可奈子

(72)【発明者】

【氏名】谷口 普崇

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC32

5E316DD25

5E316EE09

5E316FF15

5E316GG15

5E316HH31

5E316JJ06

(57)【要約】

【課題】キャビティに収容された電子部品を封止し易くすることが可能な配線基板及びその製造方法の提供。
【解決手段】配線基板１０は、配線基板１０の表裏の一方の面である第１面１０Ｆに開口するキャビティ１９を有する配線基板１０であって、キャビティ１９の内側面に含まれ、キャビティ１９の底面３０に対して起立する第１の内側面５１と、キャビティ１９の内側面に含まれ、第１の内側面５１と少なくとも一部が対向し、キャビティ１９の底面３０から離れるにつれてキャビティ１９を広げるように傾斜する第２の内側面５２と、を有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板の表裏の一方の面である第１面に開口するキャビティを有する配線基板であって、
前記キャビティの内側面に含まれ、前記キャビティの底面に対して起立する第１の内側面と、
前記キャビティの内側面に含まれ、前記第１の内側面と少なくとも一部が対向し、前記キャビティの底面から離れるにつれて前記キャビティを広げるように傾斜する第２の内側面と、を有する。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板であって、
前記第１の内側面は、前記配線基板の厚み方向に対する交差角が５度未満になるように形成され、
前記第２の内側面は、前記厚み方向に対する交差角が５度以上になるように形成されている。

【請求項3】

請求項２に記載の配線基板であって、
前記第２の内側面は、前記厚み方向に対する交差角が２５度以下になるように形成されている。

【請求項4】

請求項１から３の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティの底面のうち、前記第１と第２の内側面の対向方向で前記第１の内側面寄りの部分に形成され、電子部品を搭載するための電子部品搭載領域を有する。

【請求項5】

請求項１から４の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティの底面のうち、前記第１と第２の内側面の対向方向で前記第１の内側面寄りの位置に露出し、電子部品を実装するためのパッドを有する。

【請求項6】

請求項１から５の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティの開口縁のうち、前記第１と第２の内側面の対向方向で前記第１の内側面と隣り合う部分に露出し、電子部品を実装するためのパッドを有する。

【請求項7】

請求項１から６の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティの底面の外縁部において、前記第１の内側面と隣接する部分に延びる溝を有する。

【請求項8】

請求項１から７の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティは、平面視四角形状になっていて、
前記第１の内側面が、前記キャビティの４辺部のうち３辺部の内側面に設けられ、
前記第２の内側面が、前記キャビティの残りの１辺部の内側面に設けられている。

【請求項9】

請求項１から８の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティは、平面視四角形状になっていて、
前記第１の内側面が、前記キャビティの４辺部のうち１辺部の内側面に設けられ、
前記第２の内側面が、前記キャビティの残りの３辺部の内側面に設けられている。

【請求項10】

配線基板の表裏の一方の面である第１面の特定領域の周囲を前記配線基板の厚み方向の途中位置まで切断しかつその切断面より内側部分を除去して、前記切断面を内側面とするキャビティを形成する配線基板の製造方法であって、
前記特定領域の周囲を切断する工程には、
前記特定領域の周囲の一部を、前記切断面が前記キャビティの底面に対して起立する第１の内側面になるように切断する第１工程と、
前記特定領域の周囲の前記一部と少なくとも対向する部分を、前記切断面が前記キャビティの底面に近づくにつれて前記キャビティを狭めるように傾斜する第２の内側面になるように切断する第２工程と、が含まれる。

【請求項11】

請求項１０に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１工程の前記切断は、前記配線基板の厚み方向が回転軸方向となるドリルで行われ、
前記第２工程の前記切断は、前記厚み方向が光軸方向となるレーザーで行われる。

【請求項12】

請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１工程で、前記第１の内側面を、前記配線基板の厚み方向に対する交差角が５度未満になるように形成することと、
前記第２工程で、前記第２の内側面を、前記厚み方向に対する交差角が５度以上となるように形成することと、を含む。

【請求項13】

請求項１２に記載の配線基板であって、
前記第２工程で、前記第２の内側面を、前記厚み方向に対する交差角が２５度以下に収まるように形成することを含む。

【請求項14】

請求項１０から１３の何れか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記厚み方向の途中位置に配置され、前記厚み方向で前記特定領域に重なる剥離層を形成することと、
前記特定領域の周囲の切断を、前記剥離層に到達する深さまで行うことと、
前記切断面より内側部分の除去を、前記剥離層から前記第１面側の部分の剥離により行うことと、を含む。

【請求項15】

請求項１４に記載の配線基板の製造方法であって、
前記剥離層を、導電層の上に積層することと、
前記第２工程で、レーザーにより前記キャビティの底面に前記導電層を露出させることと、
前記第１工程で、ドリル加工を前記導電層よりも深い位置まで行うことと、を含む。

【請求項16】

請求項１０から１５の何れか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記キャビティを平面視四角形状に形成し、
前記第１工程で、ドリルにより、前記第１の内側面を、前記キャビティの４辺部のうち３辺部の内側面に形成することと、
前記第２工程で、レーザーにより、前記第２の内側面を、前記キャビティの残りの１辺部の内側面に形成することと、を含む。

【請求項17】

請求項１０から１５の何れか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記キャビティを平面視四角形状に形成し、
前記第１工程で、ドリルにより、前記第１の内側面を、前記キャビティの４辺部のうち１辺部の内側面に形成することと、
前記第２工程で、レーザーにより、前記第２の内側面を、前記キャビティの残りの３辺部の内側面に形成することと、を含む。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、電子部品が収容されるキャビティを有する配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。キャビティに収容された電子部品は、封止材で封止される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－２４５５３０号公報（段落［００５４］、図４Ｃ等）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述した従来の配線基板に対して、電子部品を封止し易くする配線基板の開発が求められている。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するためになされた配線基板は、配線基板の表裏の一方の面である第１面に開口するキャビティを有する配線基板であって、前記キャビティの内側面に含まれ、前記キャビティの底面に対して起立する第１の内側面と、前記キャビティの内側面に含まれ、前記第１の内側面と少なくとも一部が対向し、前記キャビティの底面から離れるにつれて前記キャビティを広げるように傾斜する第２の内側面と、を有する。

【0006】

また、上記課題を解決するためになされた配線基板の製造方法は、配線基板の表裏の一方の面である第１面の特定領域の周囲を前記配線基板の厚み方向の途中位置まで切断しかつその切断面より内側部分を除去して、前記切断面を内側面とするキャビティを形成する配線基板の製造方法であって、前記特定領域の周囲を切断する工程には、前記特定領域の周囲の一部を、前記切断面が前記キャビティの底面に対して起立する第１の内側面になるように切断する第１工程と、前記特定領域の周囲の前記一部と少なくとも対向する部分を、前記切断面が前記キャビティの底面に近づくにつれて前記キャビティを狭めるように傾斜する第２の内側面になるように切断する第２工程と、が含まれる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態の配線基板の平面図

【図2】配線基板の図１におけるＡ－Ａ線断面図

【図3】配線基板の図１におけるＢ－Ｂ線断面図

【図4】電子部品が搭載された配線基板の側断面図

【図5】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図6】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図7】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図8】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図9】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図10】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図11】配線基板の製造工程を示す平断面の端面図

【図12】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図13】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図14】第２実施形態の配線基板の平面図

【図15】配線基板の図１４におけるＣ－Ｃ線断面図

【図16】配線基板の図１４におけるＤ－Ｄ線断面図

【図17】配線基板の製造工程を示す平断面の端面図

【図18】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図19】配線基板の製造工程を示す側断面図

【発明を実施するための形態】

【0008】

［第１実施形態］
図１及び図２には、本開示の第１実施形態の配線基板１０が示されている。配線基板１０は、図２に示されるように、コア基板１１に第１ビルドアップ部１５Ａと第２ビルドアップ部１５Ｂが積層されている構造を有する。具体的には、第１ビルドアップ部１５Ａは、コア基板１１の表裏の一方の面である第１面１１Ｆ上に配置され、第２ビルドアップ部１５Ｂは、コア基板１１の表裏の他方の面である第２面１１Ｓ上に配置されている。

【0009】

コア基板１１は、絶縁性基材１１Ｋ上に、表裏の両側から（即ち、第１面１１Ｆ側と第２面１１Ｓ側とから）、導電層１２が積層されている構造になっている。第１面１１Ｆ側の導電層１２と、第２面１１Ｓ側の導電層１２とは、それぞれ所定パターンに形成され、絶縁性基材１１Ｋを貫通するスルーホール導体１４によって接続されている。

【0010】

第１ビルドアップ部１５Ａと第２ビルドアップ部１５Ｂは、それぞれコア基板１１側から層間絶縁層２１と導電層２２とが交互に積層されている構造を有する。層間絶縁層２１は、複数のビア導体２５に貫通されている。導電層２２は、所定パターンに形成され、ビア導体２５によって、隣り合う導電層２２同士が接続されている。また、ビア導体２５により、第１ビルドアップ部１５Ａ及び第２ビルドアップ部１５Ｂにおいて、最も内側の（即ち、コア基板１１に最も近い）導電層２２が、コア基板１１の各導電層１２に接続されている。ビア導体２５は、コア基板１１に近づくにつれて縮径されるテーパー状になっている。

【0011】

なお、層間絶縁層２１は、例えば、プリプレグ（ガラスクロス等の繊維からなる心材を樹脂含浸してなるＢステージのシート）又はビルドアップ基板用の絶縁フィルム（心材を有さず例えば無機フィラーを含む熱硬化性樹脂からなるフィルム）で構成されている。

【0012】

第１ビルドアップ部１５Ａ及び第２ビルドアップ部１５Ｂの導電層２２のうち最も外側（最もコア基板１１から離れた側）に配置される最外の導電層２２上には、ソルダーレジスト層２７が形成されている。ソルダーレジスト層２７は、第１ビルドアップ部１５Ａと第２ビルドアップ部１５Ｂの最外層を構成する。ソルダーレジスト層２７には、開口部２７Ａが形成され、上記最外の導電層２２のうち開口部２７Ａによってソルダーレジスト層２７から露出する部分により、電子部品を実装するためのパッド２８が形成されている。

【0013】

配線基板１０の表裏の面のうち、第１ビルドアップ部１５Ａ側の第１面１０Ｆには、キャビティ１９が開口している。本実施形態の例では、キャビティ１９は、第１ビルドアップ部１５Ａを貫通し、キャビティ１９の底面３０には、コア基板１１の第１面１１Ｆの導電層１２に形成されているパッド１８が露出する。

【0014】

図１及び図２に示されるように、キャビティ１９の内側面のうち周方向の一部には、キャビティ１９の底面３０に対して起立する第１の内側面５１が形成されている。また、キャビティ１９の内側面のうち周方向の他の一部には、キャビティ１９の底面３０から離れるにつれて（第１面１０Ｆに向かうにつれて）、キャビティ１９を広げるように傾斜する第２の内側面５２が形成されている。

【0015】

本実施形態の例では、配線基板１０の厚み方向に対する第１の内側面５１の交差角は、５度未満となっている。また、本実施形態の例では、配線基板１０の厚み方向に対する第２の内側面５２の交差角は、５度以上になっていて、例えば、２５度以下になっている。なお、配線基板１０の厚み方向は、配線基板１０の表裏の面である第１面１０Ｆと第２面１０Ｓに対して、垂直な方向である。本実施形態の例では、キャビティ１９の底面３０は、第１面１０Ｆと平行に形成されている。従って、キャビティ１９の第１の内側面５１と、底面３０とのなす角θ１は、８５度より大きくかつ９５度未満になっている。また、キャビティ１９の第２の内側面５２と、底面３０とのなす角θ２は、９５度以上１１５度以下になっている。

【0016】

本実施形態では、キャビティ１９は、平面視四角形状になっている。第１の内側面５１は、キャビティ１９の４辺部のうち３辺部の内側面に設けられている。第２の内側面５２は、キャビティ１９の４辺部のうち残りの１辺部の内側面に設けられている。具体的には、図１及び図２に示されるように、キャビティ１９の互いに対向する２辺部の内側面である第１壁面３１と第２壁面３２のうち、第１壁面３１の全体が第１の内側面５１になっていると共に、第２壁面３２の全体が第２の内側面５２になっている。また、図１及び図３に示されるように、キャビティ１９の互いに対向する残りの２辺部の内側面である第３壁面３３と第４壁面３４との全体が、第１の内側面５１になっている。

【0017】

図１～図３に示されるように、キャビティ１９の底面３０の外縁部のうち、第１の内側面５１と隣り合う部分には、溝３５が形成されている。本実施形態では、溝３５は、キャビティ１９の底面３０のうち、第１壁面３１、第３壁面３３、第４壁面３４に隣接する３辺部に延びている。なお、本実施形態の例では、溝３５は、その深さ方向でコア基板１１の第１面１１Ｆ側の導電層１２を貫通し、溝３５の溝底は、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋの途中に配置されている。なお、溝３５の溝底が、第２ビルドアップ部１５Ｂ側に配置されていてもよい。

【0018】

図２に示されるように、キャビティ１９の底面３０の外縁部のうち、第２の内側面５２と隣り合う部分（即ち、第２壁面３２と隣接する１辺部）には、溝３５が形成されておらず、本実施形態では、コア基板１１の第１面１１Ｆ側の導電層１２が露出した平坦面が設けられている。

【0019】

なお、後述するように、キャビティ１９の底面３０に対して起立する第１の内側面５１（第１壁面３１）は、ドリル加工により容易に形成することができる。また、キャビティ１９の底面３０に対して傾斜する第２の内側面５２（第２壁面３２、第３壁面３３及び第４壁面３４）は、レーザー加工により容易に形成することができる。

【0020】

図２に示されるように、キャビティ１９の底面３０のうち、第１と第２の内側面５１，５２の対向方向において第１の内側面５１寄りの位置（即ち、第１壁面３１寄りの位置）には、電子部品を実装するための上述のパッド１８が配置されている。また、図１に示されるように、キャビティ１９の底面３０には、電子部品を搭載するための部品搭載領域３０Ｅが設けられている。部品搭載領域３０Ｅは、パッド１８を含む平坦面になっていて、キャビティ１９の底面３０のうち上記対向方向で第１の内側面５１寄りの部分に設けられている。なお、本実施形態の例では、パッド１８は、上記対向方向において溝３５に隣接している。

【0021】

図２に示されるように、本実施形態の例では、配線基板１０の第１面１０Ｆのパッド２８として、キャビティ１９の開口縁に、第１パッド２８Ａが設けられている。第１パッド２８Ａは、キャビティ１９の開口縁のうち上記対向方向で第１壁面３１と隣り合う１辺部に配置されている。第１パッド２８Ａは、第１面１０Ｆのパッド２８の中でキャビティ１９に最も近い位置に設けられている。

【0022】

図４には、配線基板１０に実装される電子部品の例が示されている。この例では、配線基板１０のキャビティ１９には、第１の電子部品８１が収容される。例えば、第１の電子部品８１は、キャビティ１９の底面３０のパッド１８に、端子を第１面１０Ｆ側に向けて接着材８７を介して搭載される。また、第１の電子部品８１は、上述の部品搭載領域３０Ｅ上に搭載され、第１壁面３１側に寄った位置に配置される。このため、第１の電子部品８１と第１壁面３１との間隔は、第１の電子部品８１と第２壁面３２との間隔よりも狭くなる。

【0023】

本実施形態の配線基板１０は、例えば、以下のようにして製造される。
（１）図５（Ａ）に示されるコア基板１１が用意される。コア基板１１は、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に導電層１２が積層されてなり、絶縁性基材１１Ｋは、表裏の導電層１２同士を接続するスルーホール導体１４に貫通されている。絶縁性基材１１Ｋは、例えば、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂と、ガラスクロスとを含んでいる。

【0024】

（２）図５（Ｂ）に示されるように、コア基板１１の表裏の一方の面である第１面１１Ｆの一部の上に、剥離層１６が敷設される。剥離層１６は、例えば剥離フィルム等で構成される。剥離層１６は、コア基板１１の第１面１１Ｆにおいて、キャビティ１９の底面３０として露出する部分の上に積層される。なお、第１面１１Ｆの導電層１２は、剥離層１６の外縁部全体の下にも配置されるように形成しておく。

【0025】

（３）図５（Ｃ）に示されるように、コア基板１１の第１面１１Ｆの導電層１２と、第２面１１Ｓの導電層１２との上に、層間絶縁層２１としてのプリプレグと、銅箔２６と、が積層される。そして、その積層体が、加熱プレスされる。すると、コア基板１１の両面上に層間絶縁層２１が形成される。なお、上記加熱プレスの際、コア基板１１の表裏の両面において、導電層１２のパターンの非形成部分がプリプレグの樹脂により埋められる。また、コア基板１１の第１面１１Ｆ側の層間絶縁層２１により、剥離層１６の全体が覆われる。なお、層間絶縁層２１として、プリプレグの代わりにビルドアップ基板用の絶縁フィルムを用いてもよい。この場合は、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの上に、銅箔２６を積層することなく、直接、後述の（５）における無電解めっき処理により無電解めっき膜を形成することができる。

【0026】

（４）図６（Ａ）に示されるように、銅箔２６にレーザーが照射されて、銅箔２６及び層間絶縁層２１を貫通するテーパー状のビアホール２５Ｈが形成される。そして、過マンガン酸塩等の酸化剤でそれらビアホール２５Ｈ内が洗浄（デスミア処理）される。

【0027】

（５）無電解めっき処理が行われ、銅箔２６上とビアホール２５Ｈの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、この無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される（図６（Ｂ）参照）。この際、めっきレジスト４０は、剥離層１６の全体に外側から重ねられる。

【0028】

（６）電解めっき処理が行われ、電解めっきがビアホール２５Ｈ内に充填されてビア導体２５が形成されると共に、無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分の上に電解めっき膜２２Ｄが形成される（図７（Ａ）参照）。

【0029】

（７）めっきレジスト４０が除去されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔２６が除去される。そして、残された電解めっき膜２２Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔２６により、層間絶縁層２１上に導電層２２が形成される（図７（Ｂ）参照）。このとき、導電層２２と導電層１２とが、ビア導体２５によって接続される。

【0030】

（８）上記した（３）～（７）と同様の工程が繰り返され、コア基板１１上の導電層１２の上に、層間絶縁層２１と導電層２２とが交互に所定の層数ずつ積層される（図８参照）。また、積層方向で隣り合う導電層２２同士が、層間絶縁層２１を貫通するビア導体２５によって接続される。これにより、コア基板１１の第１面１１Ｆ上に、第１ビルドアップ部１５Ａが形成されると共に、コア基板１１の第２面１１Ｓ上に、第２ビルドアップ部１５Ｂが形成される。

【0031】

（９）図９に示されるように、コア基板１１から表裏の両側で最も離れている最外の導電層２２上に、それぞれソルダーレジスト層２７が積層される。

【0032】

（１０）次いで、図１０に示されるように、コア基板１１の表裏の両側のソルダーレジスト層２７の所定箇所に、例えば、レーザー加工やフォトレジスト処理等により、開口部２７Ａが形成される。そして、最外の導電層２２のうち開口部２７Ａによりソルダーレジスト層２７から露出した部分でパッド２８が形成される。

【0033】

（１１）第１面１０Ｆのソルダーレジスト層２７の上から、ドリル加工とレーザー加工とが行われる。具体的には、図１１（Ｂ）及び図１２に示されるように、第１面１０Ｆの特定領域Ｒ１の周囲が配線基板１０の厚み方向の途中位置まで切断され、枠状凹部１７が形成される。特定領域Ｒ１は、キャビティ１９が形成されるときに除去される四角形状の領域である。特定領域Ｒ１の全体が剥離層１６と配線基板１０の厚み方向で重なり、ドリル加工とレーザー加工は、剥離層１６の外縁部をなぞるように行われる。まず、図１１（Ａ）に示されるように、枠状凹部１７のうち３辺部１７Ａ，１７Ｃ及び１７Ｄが、ドリル加工により形成される（第１工程）。次いで、図１１（Ｂ）に示されるように、枠状凹部１７のうち残りの１辺部１７Ｂが、レーザー加工により形成される（第２工程）。枠状凹部１７は、第１ビルドアップ部１５Ａを貫通し、枠状凹部１７の底面には、コア基板１１が露出する。なお、ドリル加工が行われる第１工程が、レーザー加工が行われる第２工程の後に行われてもよい。

【0034】

図１２に示されるように、第１工程のドリル加工では、ドリル７１は、ドリル７１の回転軸の方向が配線基板１０の厚み方向となるように配置される。これにより、枠状凹部１７の３辺部１７Ａ，１７Ｃ及び１７Ｄの切断面である内壁面５１Ａが、枠状凹部１７の底面に対して起立する。また、ドリル加工は、コア基板１１の第１面１１Ｆの導電層１２よりも深い位置まで行われる。これにより、上記導電層１２よりも深くドリル加工された部分により、溝３５が形成される。

【0035】

図１３に示されるように、第２工程のレーザー加工では、レーザー（例えば、ＣＯ_２レーザー等）の光軸方向が配線基板１０の厚み方向となるようにレーザー照射装置７２が配置され、レーザーの照射位置が特定領域Ｒ１の外周に沿って所定間隔ずつずらされながら行われる。これにより、枠状凹部１７の１辺部１７Ｂの底面に、コア基板１１の第１面１１Ｆの導電層１２が露出する。このとき、枠状凹部１７の１辺部１７Ｂの切断面である内壁面５２Ａは、枠状凹部１７の底面に向かうにつれて枠状凹部１７の１辺部１７Ｂの幅を狭めるように第１面１０Ｆに対して傾斜する。

【0036】

（１２）第１ビルドアップ部１５Ａ（剥離層１６も含む。）における、枠状凹部１７より内側に配置される部分が剥離されることで除去されて、第１ビルドアップ部１５Ａを貫通するキャビティ１９（図１～図３参照）が形成される。このとき、コア基板１１の第１面１１Ｆのうち枠状凹部１７よりも内側に配置されていた部分が露出する。これにより、キャビティ１９の底面３０が形成され、第１面１１Ｆの導電層１２のパッド１８が露出する。また、枠状凹部１７の残された切断面である内壁面５１Ａと内壁面５２Ａとが、それぞれ第１の内側面５１（即ち、第１壁面３１、第３壁面３３及び第４壁面３４）と、第２の内側面５２（即ち、第２壁面３２）となる。

【0037】

（１３）パッド１８に、例えば、有機保護膜（ＯＳＰ）の形成やＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき等の表面処理がなされる。以上により、配線基板１０（図１～図３参照）が完成する。

【0038】

本実施形態の配線基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に配線基板１０の作用効果について説明する。本実施形態の配線基板１０では、キャビティ１９の第１の内側面５１がキャビティ１９の底面３０に対して起立する。一方、第２の内側面５２は、キャビティ１９の底面３０から離れるにつれてキャビティ１９を広げるように第１面１０Ｆに対して傾斜する。このように第２の内側面５２を有することで、キャビティ１９に収容された電子部品（例えば、第１の電子部品８１等）を封止する封止材を、キャビティに流し込み易くすることが可能となり、電子部品の封止を容易にすることが可能となる。また、第２の内側面５２がキャビティ１９の開口を広げるように傾斜していることで、キャビティ１９内に電子部品を入れ易くすることが可能となる。

【0039】

また、第１の内側面５１が、キャビティの底面に対して起立しているので、キャビティ１９の内側面が全周に亘って第２の内側面５２と同じように傾斜している場合に比べて、キャビティ１９の開口を小さくすることができる。これにより、キャビティ１９のコンパクト化を図ることが可能となると共に、キャビティ１９に収容された電子部品を封止する封止材の量を少なくすることが可能となる。また、キャビティ１９のコンパクト化が可能となることで、配線基板１０の回路の高密度化を図ることが可能となる。

【0040】

本実施形態の配線基板１０では、キャビティ１９の底面３０に対して起立した第１の内側面５１に寄った位置に、キャビティ１９の底面３０のパッド１８が設けられている。従って、キャビティ１９内に実装される第１の電子部品８１（図４参照）を、キャビティ１９の開口縁に寄せて配置することができる。

【0041】

本実施形態の配線基板１０の製造方法では、配線基板１０の厚み方向に延びる回転軸を有するドリル７１を用いることで、キャビティ１９の底面３０に対して起立する第１の内側面５１（例えば、厚み方向に対する交差角が５度未満のもの）を容易に形成することができる。また、配線基板１０の厚み方向に延びる光軸を有するレーザーを用いることで、キャビティ１９の底面３０に対して傾斜する第２の内側面５２（例えば、厚み方向に対する交差角が５度以上かつ２５度以下のもの）を容易に形成することができる。

【0042】

また、枠状凹部１７の内壁面５２Ａが、枠状凹部１７の１辺部１７Ｂの幅を第１面１０Ｆ側に広げるように傾斜するので、枠状凹部１７の内側部分を剥離するためのピンセット等の道具を挿入し易くなる。これにより、枠状凹部１７の内側部分の剥離を容易にすることが可能となる。

【0043】

［第２実施形態］
図１４～図１６には、第２実施形態の配線基板１０Ｖが示されている。配線基板１０Ｖは、上記第１実施形態の配線基板１０とは、キャビティ１９の第３壁面３３と第４壁面３４に、第２の内側面５２が設けられている点が異なる。具体的には、第３壁面３３と第４壁面３４の全体が、第２の内側面５２になっている。従って、キャビティ１９の４辺部のうち３辺部の内側面（第１壁面３１、第３壁面３３及び第４壁面３４）が第２の内側面５２となっていて、キャビティ１９の残りの１辺部の内側面（第２壁面３２）が第１の内側面５１となっている。溝３５は、キャビティ１９の底面３０の外縁部うち第２壁面３２と隣接する一辺部にのみ形成されている。また、キャビティ１９の底面３０の外縁部のうち残りの３辺部には、導電層１２が露出している。本実施形態の配線基板１０Ｖのその他の構成については、上記第１実施形態と同様である。

【0044】

本実施形態の配線基板１０Ｖの製造方法では、第１面１０Ｆの特定領域Ｒ１の周囲を配線基板１０の厚み方向の途中位置まで切断して枠状凹部１７を形成するにあたり（図１７（Ｂ）参照）、枠状凹部１７のうち第１壁面３１を構成する１辺部１７Ａが、ドリル加工により形成され（図１７（Ａ）及び図１８参照）、枠状凹部１７の他の３辺部１７Ｂ，１７Ｃ及び１７Ｄが、レーザー加工により形成される（図１８及び図１９参照）。なお、本実施形態においても、ドリル加工とレーザー加工の何れを先に行ってもよい。本実施形態の配線基板１０Ｖの製造方法のその他の点は、上記第１実施形態と同様である。

【0045】

本実施形態の配線基板１０Ｖによっても、第１実施形態の配線基板１０と同様の効果を奏することが可能となる。

【0046】

［他の実施形態］
（１）上記実施形態において、キャビティ１９は、１つのみ設けられていてもよいし、複数設けられていてもよい。後者の場合、キャビティ１９が、配線基板１０の表裏の一方側にのみ開口していてもよいし、配線基板１０の表裏の両側に開口していてもよい。また、キャビティ１９は、平面視四角形状に限定されるものではない。

【0047】

（２）第１の内側面５１と第２の内側面５２が、キャビティ１９の２辺部ずつに設けられていてもよい。例えば、キャビティ１９の隣り合う２辺部に、第１の内側面５１が設けられ、キャビティ１９の残りの隣り合う２辺部に、第２の内側面５２が設けられていてもよい。

【0048】

（３）キャビティ１９の底面３０の外縁部のうち、第１の内側面５１と隣接する部分に、溝３５が形成されていなくてもよく、例えば、この部分が平坦であってもよい。

【0049】

（４）上記実施形態では、キャビティ１９の底面３０を形成するにあたり、第１ビルドアップ部１５Ａのうち枠状凹部１７より内側になる部分が、コア基板１１から剥離されていたが、レーザー加工又はドリル加工により除去されてもよい。この場合、第１ビルドアップ部１５Ａのうち枠状凹部１７より内側となる部分を先に除去してから、特定領域Ｒ１の周囲を枠状凹部１７を形成するときと同様に除去してもよい。

【0050】

（５）上記実施形態では、キャビティ１９が第１ビルドアップ部１５Ａを貫通していたが、キャビティ１９の深さが、第１ビルドアップ部１５Ａの途中までであってもよいし、コア基板１１の途中までであってもよいし、第２ビルドアップ部１５Ｂの途中までであってもよい。

【0051】

（６）上記実施形態において、第２の内側面５２を形成するにあたり、レーザーの照射位置を所定間隔ずつずらしながら照射することで、第２の内側面５２を、キャビティ１９の外側に膨出する平面視円弧状の円弧面が所定ピッチで連なる形状としてもよい。

【0052】

（７）第１面１０Ｆにおけるキャビティ１９の開口縁に、パッド２８が配置されていなくてもよい。

【0053】

（８）キャビティ１９の底面３０において、パッド１８が、第１と第２の内側面５１，５２の対向方向で、第１の内側面５１寄りの位置にのみ配置されていてもよいし、第２の内側面５２寄りの位置にのみ配置されていてもよい。また、パッド１８が、キャビティ１９の底面３０の全体に設けられていてもよいし、底面３０のうち溝３５を除く部分全体に設けられていてもよい。

【0054】

（９）上記実施形態において、コア基板１１が設けられていなくてもよい。

【0055】

なお、本明細書及び図面には、特許請求の範囲に含まれる技術の具体例が開示されているが、特許請求の範囲に記載の技術は、これら具体例に限定されるものではなく、具体例を様々に変形、変更したものも含み、また、具体例から一部を単独で取り出したものも含む。

【符号の説明】

【0056】

１０，１０Ｖ 配線基板
１０Ｆ 第１面
１０Ｓ 第２面
１１ コア基板
１２ 導電層
１６ 剥離層
１７ 枠状凹部
１８ パッド
１９ キャビティ
２８ パッド
２８Ａ 第１パッド
３０ 底面
３０Ｅ 部品搭載領域
３１ 第１壁面
３２ 第２壁面
３３ 第３壁面
３４ 第４壁面
３５ 溝
５１ 第１の内側面
５２ 第２の内側面
７１ ドリル
８１ 第１の電子部品
Ｒ１ 特定領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】