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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022131775
(43)【公開日】2022-09-07
(54)【発明の名称】検出装置、検出方法及びプログラム
(51)【国際特許分類】
G01J 1/02 20060101AFI20220831BHJP
G01J 1/42 20060101ALI20220831BHJP
【ＦＩ】
G01J1/02 G
G01J1/42 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021030903
(22)【出願日】2021-02-26
(71)【出願人】
【識別番号】302069930
【氏名又は名称】ＮＥＣエンベデッドプロダクツ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100106909
【弁理士】
【氏名又は名称】棚井 澄雄
(74)【代理人】
【識別番号】100134544
【弁理士】
【氏名又は名称】森 隆一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100162868
【弁理士】
【氏名又は名称】伊藤 英輔
(72)【発明者】
【氏名】長谷川 隆
【テーマコード（参考）】
2G065
【Ｆターム（参考）】
2G065AA04
2G065AB05
2G065AB26
2G065BA12
2G065BC07
2G065DA03
2G065DA05
(57)【要約】
【課題】簡易的な構成でＵＶ－Ｃを検出することができる検出装置を提供する。
【解決手段】検出装置は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、前記センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させる、前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路と、を備える。
【選択図】図９
【解決手段】検出装置は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、前記センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させる、前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路と、を備える。
【選択図】図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、
前記センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させる、前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路と、
を備える検出装置。
前記センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させる、前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路と、
を備える検出装置。
【請求項2】
前記検出回路は、
差動アンプと、第１抵抗と、第２抵抗と、キャパシタと、
を備え、
前記差動アンプの第１端子は、前記センサの第１端子と、前記第１抵抗の第１端子と、に接続され、
前記差動アンプの第２端子は、前記第２抵抗の第１端子と、前記キャパシタの第１端子と、に接続され、
前記差動アンプの第３端子は、前記第１抵抗の第２端子に接続され、
前記センサの第２端子および前記キャパシタの第２端子は、基準電位に接続され、
前記バイアス電圧が前記第２抵抗の第２端子に印加される、
請求項１に記載の検出装置。
差動アンプと、第１抵抗と、第２抵抗と、キャパシタと、
を備え、
前記差動アンプの第１端子は、前記センサの第１端子と、前記第１抵抗の第１端子と、に接続され、
前記差動アンプの第２端子は、前記第２抵抗の第１端子と、前記キャパシタの第１端子と、に接続され、
前記差動アンプの第３端子は、前記第１抵抗の第２端子に接続され、
前記センサの第２端子および前記キャパシタの第２端子は、基準電位に接続され、
前記バイアス電圧が前記第２抵抗の第２端子に印加される、
請求項１に記載の検出装置。
【請求項3】
前記検出回路の出力に基づいて、前記紫外線を照射させる発光手段の経時劣化、照射の停止、および断線の何れかであるかを判定する第１処理手段、
を備える請求項１または請求項２に記載の検出装置。
を備える請求項１または請求項２に記載の検出装置。
【請求項4】
前記第１処理手段は、
前記発光手段の発光強度が所定の発光強度を示すしきい値以下である場合、前記発光手段が経時劣化していると判定する、
請求項３に記載の検出装置。
前記発光手段の発光強度が所定の発光強度を示すしきい値以下である場合、前記発光手段が経時劣化していると判定する、
請求項３に記載の検出装置。
【請求項5】
前記第１処理手段は、
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、前記照射の停止である、または、前記断線であると判定する、
請求項３または請求項４に記載の検出装置。
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、前記照射の停止である、または、前記断線であると判定する、
請求項３または請求項４に記載の検出装置。
【請求項6】
前記第１処理手段は、
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングにおいて、前記照射を制御する制御信号が照射の停止を示す場合、前記照射の停止であると判定し、前記タイミングにおいて、前記照射を制御する制御信号が照射の停止を示さない場合、前記断線が生じたと判定する、
請求項５に記載の検出装置。
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングにおいて、前記照射を制御する制御信号が照射の停止を示す場合、前記照射の停止であると判定し、前記タイミングにおいて、前記照射を制御する制御信号が照射の停止を示さない場合、前記断線が生じたと判定する、
請求項５に記載の検出装置。
【請求項7】
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングを、照射対象物への前記照射が停止されたタイミングと判定する第２処理手段、
を備える請求項３から請求項６の何れか一項に記載の検出装置。
を備える請求項３から請求項６の何れか一項に記載の検出装置。
【請求項8】
前記第２処理手段は、
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミング直後における、単位時間当たりの前記センサの抵抗値の緩やかな変化を、単位時間当たりの前記センサの抵抗値の緩やかな変化に補正する、
請求項７に記載の検出装置。
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミング直後における、単位時間当たりの前記センサの抵抗値の緩やかな変化を、単位時間当たりの前記センサの抵抗値の緩やかな変化に補正する、
請求項７に記載の検出装置。
【請求項9】
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させることと、
前記抵抗値を電圧値として検出することと、
を含む検出方法。
前記抵抗値を電圧値として検出することと、
を含む検出方法。
【請求項10】
コンピュータに、
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させることと、
前記抵抗値を電圧値として検出することと、
を実行させるプログラム。
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させることと、
前記抵抗値を電圧値として検出することと、
を実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、検出装置、検出方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【0002】
ウィルスや菌などを殺菌、除菌、滅菌することを目的にして、紫外線の中でも特に殺菌、除菌、滅菌に効果のあるＵＶ－Ｃと呼ばれる含む紫外線が使用されている。
特許文献１には、関連する技術として、紫外線の強度を計測する技術が開示されている。
特許文献１には、関連する技術として、紫外線の強度を計測する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００５－０６９８４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、ＵＶ－Ｃは、殺菌効果が大きい反面、人間がＵＶ－Ｃを浴びると細胞のＤＮＡが破壊される可能性がある。そのため、簡易的な構成の装置でＵＶ－Ｃを検出することのできる技術が求められている。
【0005】
本発明は、上記の課題を解決することのできる検出装置、検出方法及びプログラムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するために、本発明は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、前記センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させる、前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路と、を備える検出装置である。
【0007】
また、本発明は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させることと、前記抵抗値を電圧値として検出することと、を含む検出方法である。
【0008】
また、本発明は、コンピュータに、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させることと、前記抵抗値を電圧値として検出することと、を実行させるプログラムである。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、簡易的な構成でＵＶ－Ｃを検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の一実施形態による検出システムの構成の一例を示す図である。
【図2】本発明の一実施形態による照射装置の構成の一例を示す図である。
【図3】本発明の一実施形態による発光装置の構成の一例を示す図である。
【図4】本発明の一実施形態による制御装置の構成の一例を示す図である。
【図5】本発明の一実施形態による検出装置の構成の一例を示す図である。
【図6】本発明の一実施形態による処理装置の構成の一例を示す図である。
【図7】本発明の一実施形態による処理装置が行う処理を説明するための図である。
【図8】本発明の一実施形態による検出システムの処理フローの一例を示す図である。
【図9】本発明の最小構成の処理装置を示す図である。
【図10】本発明の最小構成の処理装置の処理フローを示す図である。
【図11】少なくとも１つの実施形態に係るコンピュータの構成を示す概略ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
＜実施形態＞
本発明の一実施形態による検出システム１について説明する。
本発明の一実施形態による検出システム１は、図１に示すように、照射装置１０、検出装置２０、報知装置３０を備える。検出システム１は、照射装置１０が照射したＵＶ－Ｃを検出装置２０が検出するシステムである。
本発明の一実施形態による検出システム１について説明する。
本発明の一実施形態による検出システム１は、図１に示すように、照射装置１０、検出装置２０、報知装置３０を備える。検出システム１は、照射装置１０が照射したＵＶ－Ｃを検出装置２０が検出するシステムである。
【0012】
照射装置１０は、ＵＶ（ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）－Ｃを照射する装置である。ＵＶ－Ｃの例としては、１００ｎｍ～２８０ｎｍの波長帯のうちの少なくとも１つを含む紫外線が挙げられる。照射装置１０は、図２に示すように、発光装置１０１、制御装置１０２を備える。
【0013】
発光装置１０１は、図３に示すように、発光部１０１１（発光手段の一例）、通信部１０１２、駆動部１０１３を備える。発光部１０１１は、例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）である。通信部１０１２は、制御装置１０２と通信する。駆動部１０１３は、通信部１０１２を介して制御装置１０２から受信する制御信号に基づいて、発光部１０１１を駆動する。発光部１０１１は、駆動部１０１３によって駆動されることにより、ＵＶ－Ｃを照射する。
【0014】
制御装置１０２は、発光装置１０１を制御する装置である。制御装置１０２は、例えば、サーバである。制御装置１０２は、図４に示すように、通信部１０２１、受付部１０２２、制御部１０２３、記憶部１０２４を備える。
【0015】
通信部１０２１は、発光装置１０１および検出装置２０と通信する。受付部１０２２は、発光部１０１１を発光させることを受け付けたか否かを判定する。例えば、受付部１０２２は、発光部１０１１を発光させるボタンをユーザが操作し、その操作に応じて生成される発光部１０１１を発光させることを示す信号を受けた場合に、発光部１０１１を発光させることを受け付けたと判定する。また、受付部１０２２は、その信号を受けない場合、発光部１０１１を発光させることを受け付けていないと判定する。
【0016】
制御部１０２３は、受付部１０２２の判定結果に基づいて、発光装置１０１を制御する。具体的には、制御部１０２３は、駆動部１０１３に制御信号を送信することにより、発光部１０１１からＵＶ－Ｃを照射させる制御、または、発光部１０１１からＵＶ－Ｃを照射させない制御を、駆動部１０１３に対して行う。制御部１０２３は、ＵＶ－Ｃを照射させる制御を開始した場合、通信部１０２１が検出装置２０から後述する識別情報を受信した検出装置２０のすべてから、識別情報とともに停止信号を受信するまでＵＶ－Ｃを照射させない制御を行わない。
【0017】
なお、ＵＶ－Ｃによる殺菌、除菌、滅菌効果は、ＵＶ－Ｃの発光強度と発光時間とにより決定される。具体的には、ＵＶ－Ｃの発光強度が高ければ高いほど殺菌、除菌、滅菌効果が増す。また、ＵＶ－Ｃの発光時間が長ければ長いほど殺菌、除菌、滅菌効果が増す。例えば、縦軸にＵＶ－Ｃの発光強度をとり、横軸に発光時間をとった場合、ＵＶ－Ｃによる殺菌、除菌、滅菌効果は、発光強度と発光時間とで囲まれる面積（すなわち、単位発光強度による累積時間）によって評価することができる。
【0018】
また、制御部１０２３は、検出装置２０から送信された後述する報知信号に基づいて、報知信号が示す情報を報知する。例えば、制御部１０２３は、専用のアプリケーションプログラムを実行し、ディスプレイ（不図示）に報知信号が示す発光部１０１１の経時劣化や断線が発生したことを報知する。
【0019】
記憶部１０２４は、制御装置１０２が行う種々の処理に必要な情報を記憶する。例えば、記憶部１０２４は、検出装置２０によるＵＶ－Ｃの検出結果を示すログ信号を記憶する。
【0020】
検出装置２０は、照射装置１０が照射するＵＶ－Ｃを検出する装置である。検出装置２０は、図５に示すように、センサ２０１、検出回路２０２、処理装置２０３、Ｄ／Ａ変換装置２０４、無線モジュール２０５、コネクタ２０６を備える。
【0021】
センサ２０１は、ＵＶ－Ｃを検出する。具体的には、センサ２０１は、ＵＶ－Ｃが照射されると抵抗値が変化する。例えば、センサ２０１は、照射されるＵＶ－Ｃの発光強度が高くなるにつれて抵抗値が低下する。センサ２０１の抵抗値は、照射されるＵＶ－Ｃの発光強度に応じて、例えば、数１０ｋオーム～数１０Ｇオームの範囲で変化する。
【0022】
検出回路２０２は、センサ２０１の抵抗値を電圧として検出する回路である。検出回路２０２は、図５に示すように、オペレーショナルアンプリファイア（以下、オペアンプと記載）２０２１、抵抗２０２２ａ、２０２２ｂ、キャパシタ２０２３ａ、２０２３ｂを備える。
【0023】
オペアンプ２０２１は、反転端子（図５においてマイナスの符号によって表される端子）、正転端子（図５においてプラスの符号によって表される端子）、出力端子を備える。オペアンプ２０２１の反転端子には、センサ２０１の第１端子、抵抗２０２２ａの第１端子、キャパシタ２０２３ａの第１端子が接続される。オペアンプ２０２１の正転端子には、抵抗２０２２ｂの第１端子、キャパシタ２０２３ｂの第１端子が接続される。オペアンプ２０２１の出力端子には、抵抗２０２２ａの第２端子、キャパシタ２０２３ａの第２端子が接続される。センサ２０１の第２端子およびキャパシタ２０２３ｂの第２端子は、グラウンドに接続される。なお、キャパシタ２０２３ａは、検出回路２０２の帰還量を調整し、検出回路２０２の周波数特性（位相余裕および利得余裕）を改善するためのキャパシタである。また、オペアンプ２０２１の出力端子は、処理装置２０３に接続され、オペアンプ２０２１の出力電圧が処理装置２０３に出力される。また、抵抗２０２２ｂの第２端子は、処理装置２０３に接続され、処理装置２０３からオペアンプ２０２１の正転端子にバイアス電圧が印加される。
【0024】
処理装置２０３は、図６に示すように、Ａ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ ｔｏ Ｄｉｇｉｔａｌ）変換部２０３１、バイアス生成部２０３２、処理部２０３３（第１処理手段の一例、第２処理手段の一例）、切替部２０３４、出力部２０３５ａ、２０３５ｂ、リセット部２０３６を備える。処理装置２０３は、例えばコンピュータ（マイクロコンピュータを含む）である。
【0025】
Ａ／Ｄ変換部２０３１は、オペアンプ２０２１から出力されるアナログの出力電圧をデジタルの出力電圧に変換する。Ａ／Ｄ変換部２０３１は、例えば、Ａ／Ｄ変換器である。なお、Ａ／Ｄ変換部２０３１の分解能は、例えば１０ビット（１０２４）である。
【0026】
バイアス生成部２０３２は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力（つまり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値、または、その読み取り値が示す電圧値）に基づくアナログのバイアス電圧を生成する。バイアス生成部２０３２は、生成したバイアス電圧を抵抗２０２２ｂの第２端子に印加する。センサ２０１の抵抗値は、例えば、数１０ｋオーム～数１０Ｇオームの範囲で変化する。そのため、Ａ／Ｄ変換部２０３１の分解能が１０ビット程度の場合、抵抗変化に対する分解能が充分ではない。バイアス生成部２０３２は、予め定めた条件を満足した場合に設定を変更することにより、分解能の低い（例えば、１０ビットの）Ａ／Ｄ変換部２０３１を用いた場合でも、センサ２０１の抵抗値の変化に対応している。以下に、バイアス生成部２０３２の設定の変更例を示す。
【0027】
例えば、Ａ／Ｄ変換部２０３１の分解能が１０ビット、抵抗２０２２ａが１０Ｍオームであるものとする。そして、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧の初期値が４ボルトであるものとする。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧の初期値は、センサ２０１の抵抗値が変化してもオペアンプ２０２１の入出力が安定して変化しない０ボルトとしなければ、動作可能な電圧範囲においてどのような初期値であってもよい。
【0028】
バイアス生成部２０３２の設定は、例えば、図７に示す予め定めた条件であるレンジ変更条件を満足した場合、変更される。バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧（図７におけるＤ／Ａ出力電圧に相当）の初期値は４ボルトである。バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が９５８以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．０２ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると２９８０Ｍオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を２３８（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合９５２）に設定する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると２０６Ｍオーム以下）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を１１９（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合４７６）に設定を変更する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が９５９以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値２３８はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が４．２０ボルト以上になった場合（センサ２０１の抵抗値が２０６Ｍオーム以下になった場合）のみ、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を２ボルトに変更する。
【0029】
バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が５００以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が２．１０ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると２１１Ｍオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を２３８に設定を変更する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると９．１２Ｍオーム以下）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を２４（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合９６）に設定を変更する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が５０１以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値１１９はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が２ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が４．２０ボルト以上（センサ２０１の抵抗値が９．１２Ｍオーム以下）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．４ボルトに変更する。また、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が２．１ボルト以下（センサ２０１の抵抗値が２１１Ｍオーム以上）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を４ボルトに変更する。
【0030】
バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２００以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が０．８４ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると９．２８Ｍオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を１１９に設定を変更する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると１．０６Ｍオーム以下）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を１２（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合４８）に設定を変更する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２０１以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値２４はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．４ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が４．２０ボルト以上（センサ２０１の抵抗値が１．０６Ｍオーム以下）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．２ボルトに変更する。また、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が０．８４ボルト以下（センサ２０１の抵抗値が９．２８Ｍオーム以上）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を２ボルトに変更する。
【0031】
バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２００以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が０．８４ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると３．１７Ｍオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を２４に設定を変更する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると５０．５ｋオーム以下）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を３（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合１２）に設定を変更する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２０１以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値１２はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．２ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が４．２０ボルト以上（センサ２０１の抵抗値が５０．５ｋオーム以下）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．０５ボルトに変更する。また、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が０．８４ボルト以下（センサ２０１の抵抗値が３．１７Ｍオーム以上）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．４ボルトに変更する。
【0032】
バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．０５ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２００以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が０．８４ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると６４０ｋオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を１２に設定を変更する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．０５ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると１２２ｋオーム未満）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を３に設定する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．０５ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２０１以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値３はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．０５ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が０．８４ボルト以下になった場合のみ、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．２ボルトに変更する。
【0033】
処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、センサ２０１が設置された場所において照射装置１０からＵＶ－Ｃが照射されているか否かを判定する。例えば、図７で示す例の場合、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が２９８０Ｍオーム以上である場合、すなわち、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が９５８以下である場合、ＵＶ－Ｃが照射されていないと判定する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧４ボルト、２ボルト、０．４ボルト、０．２ボルト、０．０５ボルトの何れかから変化しない場合、処理部２０３３は、そのバイアス電圧の場合にＡ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値に対応するセンサ２０１の抵抗値に応じた発光強度のＵＶ－Ｃが照射装置１０から照射されていると判定する。つまり、例えば、処理部２０３３は、センサ２０１の抵抗値が所定の抵抗値以上（図７で示す例の場合、２９８０Ｍオーム以上）になった場合に、ＵＶ－Ｃの照射がされていないと判定する。そして、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを示す報知信号を、例えば、報知装置３０に送信する。こうすることで、報知装置３０のユーザは、少なくともＵＶ－Ｃが照射されている場所に立ち入ることを回避することが可能になる。
【0034】
また、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に対応する照射の発光強度と、その照射の発光時間とに基づいて、センサ２０１が設置された場所に照射装置１０から所定の照射がされているか否かを判定する。この判定は、所定の短い時間間隔で（例えば、１秒ごとに）行われる。所定の照射とは、予め定めた殺菌、除菌、滅菌効果が得られるＵＶ－Ｃの照射である。例えば、所定の照射を単位発光強度による累積時間として予め定めておき、処理部２０３３は、実際に検出された照射の発光強度と発光時間とにより表される単位発光強度による累積時間が、予め定めた単位発光強度による累積時間に達した場合、所定の照射がされたと判定する。また、処理部２０３３は、実際に検出された照射の発光強度と発光時間とにより表される単位発光強度による累積時間が、予め定めた単位発光強度による累積時間に達しない場合、所定の照射がされていないと判定する。
【0035】
処理部２０３３は、所定の照射がされたと判定する前に、例えば自身を示す固有の識別情報を無線モジュール２０５を介して照射装置１０に送信する。処理部２０３３は、所定の照射がされたと判定した場合、識別情報とともにＵＶ－Ｃの照射を停止させる停止信号を、無線モジュール２０５を介して照射装置１０に送信する。そして、照射装置１０は、停止信号に応じて照射を停止する。こうすることで、人間に影響を及ぼす可能性のあるＵＶ－Ｃを必要以上に照射することを回避することができる。また、照射装置１０は、必要以上の電力を消費することを回避できる。なお、処理部２０３３は、所定の照射がされていないと判定した場合、所定の照射がされたと判定するまで、ＵＶ－Ｃの照射を停止させなければよい（つまり継続すればよい）。
【0036】
また、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、発光部１０１１の経時劣化、照射の停止、および断線の何れであるかを判定するものであってもよい。例えば、発光部１０１１が経時劣化した場合、発光強度が低下する。そのため、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が示す発光部１０１１の最大発光強度が所定の発光強度を示すしきい値以下である場合、発光部１０１１が経時劣化していると判定することができる。また、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に対応する最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、照射装置１０からその変化を示したタイミングにおける制御信号を取得する。処理部２０３３は、取得した制御信号が照射の停止を示す場合、照射が停止されたと判定する。また、処理部２０３３は、取得した制御信号が照射の停止を示さない場合、断線が生じたと判定する。処理部２０３３は、これらの判定結果を報知信号として、例えば、報知装置３０や照射装置１０に送信する。こうすることで、報知装置３０のユーザや照射装置１０のユーザは、発光部１０１１の経時劣化や断線が生じたことを認識することができる。発光部１０１１の経時劣化や断線が生じたことを認識したユーザが、発光部１０１１の交換や断線の修理を行うまたは修理を依頼することにより、早急に発光部１０１１の経時劣化や断線に対応することができる。
【0037】
また、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に対応する最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、その変化を示したタイミングをＵＶ－Ｃの照射が停止されたタイミングとして、例えば、照射の対象物を制御する制御装置（不図示）に送信する。こうすることで、例えば、照射の対象物が水道水などである場合、照射の対象物を制御する制御装置は対象物（この例では、水）を止めることができ、ＵＶ－Ｃが照射されていない対象物の増加や流出を防ぐことができる。なお、センサ２０１の抵抗値の変化は、最小の抵抗値から最大の抵抗値へ瞬間的に変化するものではなく、抵抗値が大きくなるにつれて単位時間当たりの抵抗値の変化が緩やかになる場合がある。そのような場合、処理部２０３３は、その緩やかな変化を示す信号の代わりに、単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングに瞬間的に最大の抵抗値まで変化する波形の信号を生成するものであってもよい。そして、照射の対象物を制御する制御装置は、処理部２０３３が生成した信号の瞬間的に最大の抵抗値まで変化する波形のタイミングをもって対象物（この例では、水）を止めるものであってもよい。
【0038】
切替部２０３４は、ＧＰＩＯ端子を備える。切替部２０３４は、ＧＰＩＯ端子に抵抗Ｒが接続されるか否かに応じて、後述する出力部２０３５ａが出力するデジタル信号をリニア（線形）として出力させるか、対数として出力させるかを切り替える。例えば、抵抗ＲによってＧＰＩＯ端子がグラウンドにプルダウンされた場合、切替部２０３４は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力をそのまま出力部２０３５ａに出力させることにより、出力部２０３５ａが出力する値をリニアで出力させる。また、切替部２０３４は、ＧＰＩＯ端子がオープン状態である場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を対数変換する変換部（不図示）を介して出力部２０３５ａに出力させることにより、出力部２０３５ａが出力する値を対数で出力させる。
【0039】
出力部２０３５ａは、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を第１の形式で出力する。第１の形式の例としては、ＳＰＩ（Ｓｅｒｉａｌ Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）が挙げられる。例えば、出力部２０３５ａは、ＧＰＩＯ端子が抵抗Ｒによってグラウンドにプルダウンされている場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を、ＳＰＩによって規定される形式でリニアな信号として出力する。また、出力部２０３５ａは、ＧＰＩＯ端子がオープン状態の場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を、ＳＰＩによって規定される形式で対数の信号として出力する。出力部２０３５ａが出力する信号は、無線モジュール２０５を介して、ＵＶ－Ｃの照射のログ情報を示すログ信号として、例えば、照射装置１０に送信される。
【0040】
出力部２０３５ｂは、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を第１の形式とは異なる第２の形式で出力する。第２の形式の例としては、ＵＡＲＴ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｒｅｃｅｉｖｅｒ／Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ）が挙げられる。例えば、出力部２０３５ｂは、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を、ＵＡＲＴによって規定されるデジタル信号として出力する。出力部２０３５ｂが出力する信号は、無線モジュール２０５を介して、ＵＶ－Ｃの照射のログ情報を示すログ信号として、例えば、照射装置１０に送信される。
【0041】
リセット部２０３６は、コネクタ２０６を介して入力されるリセット信号に応じて、処理装置２０３をリセットする。リセットとは、初期値を用いて処理装置２０３を再起動することである。
【0042】
Ｄ／Ａ変換装置２０４は、出力部２０３５ａが出力するデジタル信号をアナログ信号に変換する。Ｄ／Ａ変換装置２０４は、例えば、Ｄ／Ａ変換器である。
【0043】
無線モジュール２０５は、照射装置１０および報知装置３０と通信を行う。例えば、無線モジュール２０５は、Ｄ／Ａ変換装置２０４が出力するアナログ信号、および出力部２０３５ｂが出力するデジタル信号をログ信号として、照射装置１０に送信する。また、無線モジュール２０５は、処理部２０３３が生成した報知信号を照射装置１０や報知装置３０に送信する。
【0044】
コネクタ２０６は、検出装置２０の外部装置と接続を可能にする。例えば、コネクタ２０６には、検出装置２０における各構成に電力を供給する電源が接続される。また、例えば、コネクタ２０６には、処理装置２０３にリセット信号を入力するための装置（不図示）が接続される。なお、コネクタ２０６には、照射装置１０や報知装置３０が有線で接続されてもよい。
【0045】
報知装置３０は、ＵＶ－Ｃの照射に関連する情報をユーザに報知する。報知装置３０は、例えば、スマートフォンである。例えば、報知装置３０は、専用のアプリケーションプログラムを実行し、検出装置２０から送信された報知信号に含まれる情報を報知する。
【0046】
次に、図８を参照して検出システム１の処理について説明する。なお、センサ２０１は、ＵＶ－Ｃが照射されていない場合２９８０Ｍオームの抵抗値を示すものとする。また、センサ２０１は、ＵＶ－Ｃが照射された場合に１２２ｋの抵抗値になるものと仮定する。また、処理装置２０３は、図７に示すレンジ変更条件にしたがって処理を行うものとする。また、バイアス生成部２０３２が生成するバイアス電圧の初期値は、４ボルトであるものとする。
【0047】
制御部１０２３は、発光部１０１１からＵＶ－Ｃを照射させない制御を、駆動部１０１３に対して行う（ステップＳ１）。バイアス生成部２０３２は、バイアス電圧の初期値（この場合、４ボルト）を出力する（ステップＳ２）。ＵＶ－Ｃが照射されていない場合、センサ２０１は、最大の抵抗値（２９８０Ｍオームの抵抗値）となる（ステップＳ３）。処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、センサ２０１が設置された場所において照射装置１０からＵＶ－Ｃが照射されているか否かを判定している。この場合、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないと判定する（ステップＳ４）。そして、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを示す報知信号を報知装置３０に送信する。報知装置３０は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを報知する（ステップＳ５）。
【0048】
ここで、制御部１０２３は、駆動部１０１３に制御信号を送信することにより、発光部１０１１からＵＶ－Ｃを照射させる制御を、駆動部１０１３に対して行う（ステップＳ６）。駆動部１０１３は、制御信号に基づいて、発光部１０１１を駆動する。発光部１０１１は、ＵＶ－Ｃを放射する。センサ２０１は、最小の抵抗値（１２２ｋオームの抵抗値）をなる（ステップＳ７）。処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、センサ２０１が設置された場所において照射装置１０からＵＶ－Ｃが照射されているか否かを判定している。この場合、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていると判定する（ステップＳ８）。そして、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていることを示す報知信号を報知装置３０に送信する。報知装置３０は、ＵＶ－Ｃの照射がされていることを報知する（ステップＳ９）。バイアス生成部２０３２は、図７に示すレンジ変更条件にしたがって、４ボルト、２ボルト、０．４ボルト、０．２ボルトのバイアス電圧を生成し出力する（ステップＳ１０）。
【0049】
処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に対応する照射の発光強度と、その照射の発光時間とに基づいて、センサ２０１が設置された場所に照射装置１０から所定の照射がされているか否かを判定している。処理部２０３３は、所定の照射がされたと判定する前に、自身を示す固有の識別情報を無線モジュール２０５を介して照射装置１０に送信する。やがて、処理部２０３３は、センサ２０１が設置された場所に照射装置１０から所定の照射がされたと判定する（ステップＳ１１）。処理部２０３３は、所定の照射がされたと判定した場合、識別情報とともにＵＶ－Ｃの照射を停止させる停止信号を、無線モジュール２０５を介して照射装置１０に送信する。照射装置１０は、停止信号に応じて照射を停止する（ステップＳ１２）。
【0050】
センサ２０１は、最大の抵抗値となる（ステップＳ１３）。処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、センサ２０１が設置された場所において照射装置１０からＵＶ－Ｃが照射されているか否かを判定している。この場合、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないと判定する（ステップＳ１４）。そして、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを示す報知信号を報知装置３０に送信する。報知装置３０は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを報知する（ステップＳ１５）。
【0051】
以上、本発明の一実施形態による検出システム１について説明した。
検出システム１において、センサ２０１は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化する。検出回路２０２は、センサ２０１の抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させ、センサ２０１の抵抗値を電圧値として検出する。
こうすることにより、検出システム１において、検出装置２０は、簡易的な構成でＵＶ－Ｃを検出することができる。
検出システム１において、センサ２０１は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化する。検出回路２０２は、センサ２０１の抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させ、センサ２０１の抵抗値を電圧値として検出する。
こうすることにより、検出システム１において、検出装置２０は、簡易的な構成でＵＶ－Ｃを検出することができる。
【0052】
本発明の実施形態による最小構成の検出装置２０について説明する。
本発明の実施形態による最小構成の検出装置２０は、図９に示すように、センサ２０１、検出回路２０２を備える。
センサ２０１は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化する。
検出回路２０２は、センサ２０１の抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させ、抵抗値を電圧値として検出する。
本発明の実施形態による最小構成の検出装置２０は、図９に示すように、センサ２０１、検出回路２０２を備える。
センサ２０１は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化する。
検出回路２０２は、センサ２０１の抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させ、抵抗値を電圧値として検出する。
【0053】
次に、最小構成の検出装置２０の処理について図１０を参照して説明する。
センサ２０１は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化する（ステップＳ２１）。
検出回路２０２は、センサ２０１の抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させ、抵抗値を電圧値として検出する（ステップＳ２２）。
こうすることにより、検出装置２０は、簡易的な構成でＵＶ－Ｃを検出することができる。
センサ２０１は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化する（ステップＳ２１）。
検出回路２０２は、センサ２０１の抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させ、抵抗値を電圧値として検出する（ステップＳ２２）。
こうすることにより、検出装置２０は、簡易的な構成でＵＶ－Ｃを検出することができる。
【0054】
なお、本発明の実施形態における処理は、適切な処理が行われる範囲において、処理の順番が入れ替わってもよい。
【0055】
本開示の実施形態における記憶部１０２４やその他の記憶装置（レジスタ、ラッチを含む）のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲においてどこに備えられていてもよい。また、記憶部やその他の記憶装置のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲において複数存在しデータを分散して記憶していてもよい。
【0056】
本発明の実施形態について説明したが、上述の照射装置１０、検出装置２０、報知装置３０、その他の制御装置は内部に、コンピュータ装置を有していてもよい。そして、上述した処理の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。コンピュータの具体例を以下に示す。
図１１は、少なくとも１つの実施形態に係るコンピュータの構成を示す概略ブロック図である。
コンピュータ５は、図１１に示すように、ＣＰＵ６（ベクトルプロセッサを含む）、メインメモリ７、ストレージ８、インターフェース９を備える。
例えば、上述の照射装置１０、検出装置２０、報知装置３０、その他の制御装置のそれぞれは、コンピュータ５に実装される。そして、上述した各処理部の動作は、プログラムの形式でストレージ８に記憶されている。ＣＰＵ６は、プログラムをストレージ８から読み出してメインメモリ７に展開し、当該プログラムに従って上記処理を実行する。また、ＣＰＵ６は、プログラムに従って、上述した各記憶部に対応する記憶領域をメインメモリ７に確保する。
図１１は、少なくとも１つの実施形態に係るコンピュータの構成を示す概略ブロック図である。
コンピュータ５は、図１１に示すように、ＣＰＵ６（ベクトルプロセッサを含む）、メインメモリ７、ストレージ８、インターフェース９を備える。
例えば、上述の照射装置１０、検出装置２０、報知装置３０、その他の制御装置のそれぞれは、コンピュータ５に実装される。そして、上述した各処理部の動作は、プログラムの形式でストレージ８に記憶されている。ＣＰＵ６は、プログラムをストレージ８から読み出してメインメモリ７に展開し、当該プログラムに従って上記処理を実行する。また、ＣＰＵ６は、プログラムに従って、上述した各記憶部に対応する記憶領域をメインメモリ７に確保する。
【0057】
ストレージ８の例としては、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ－ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＶＤ－ＲＯＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、半導体メモリ等が挙げられる。ストレージ８は、コンピュータ５のバスに直接接続された内部メディアであってもよいし、インターフェース９または通信回線を介してコンピュータ５に接続される外部メディアであってもよい。また、このプログラムが通信回線によってコンピュータ５に配信される場合、配信を受けたコンピュータ５が当該プログラムをメインメモリ７に展開し、上記処理を実行してもよい。少なくとも１つの実施形態において、ストレージ８は、一時的でない有形の記憶媒体である。
【0058】
また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現してもよい。さらに、上記プログラムは、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるファイル、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。
【0059】
本開示のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例であり、開示の範囲を限定しない。これらの実施形態は、開示の要旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、種々の省略、種々の置き換え、種々の変更を行ってよい。
【0060】
なお、上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
【0061】
（付記１）
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、
前記センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させる、前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路と、
を備える検出装置。
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、
前記センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させる、前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路と、
を備える検出装置。
【0062】
（付記２）
前記検出回路は、
差動アンプと、第１抵抗と、第２抵抗と、キャパシタと、
を備え、
前記差動アンプの第１端子は、前記センサの第１端子と、前記第１抵抗の第１端子と、に接続され、
前記差動アンプの第２端子は、前記第２抵抗の第１端子と、前記キャパシタの第１端子と、に接続され、
前記差動アンプの第３端子は、前記第１抵抗の第２端子に接続され、
前記センサの第２端子および前記キャパシタの第２端子は、基準電位に接続され、
前記バイアス電圧が前記第２抵抗の第２端子に印加される、
付記１に記載の検出装置。
前記検出回路は、
差動アンプと、第１抵抗と、第２抵抗と、キャパシタと、
を備え、
前記差動アンプの第１端子は、前記センサの第１端子と、前記第１抵抗の第１端子と、に接続され、
前記差動アンプの第２端子は、前記第２抵抗の第１端子と、前記キャパシタの第１端子と、に接続され、
前記差動アンプの第３端子は、前記第１抵抗の第２端子に接続され、
前記センサの第２端子および前記キャパシタの第２端子は、基準電位に接続され、
前記バイアス電圧が前記第２抵抗の第２端子に印加される、
付記１に記載の検出装置。
【0063】
（付記３）
前記検出回路の出力に基づいて、前記紫外線を照射させる発光手段の経時劣化、照射の停止、および断線の何れかであるかを判定する第１処理手段、
を備える付記１または付記２に記載の検出装置。
前記検出回路の出力に基づいて、前記紫外線を照射させる発光手段の経時劣化、照射の停止、および断線の何れかであるかを判定する第１処理手段、
を備える付記１または付記２に記載の検出装置。
【0064】
（付記４）
前記第１処理手段は、
前記発光手段の発光強度が所定の発光強度を示すしきい値以下である場合、前記発光手段が経時劣化していると判定する、
付記３に記載の検出装置。
前記第１処理手段は、
前記発光手段の発光強度が所定の発光強度を示すしきい値以下である場合、前記発光手段が経時劣化していると判定する、
付記３に記載の検出装置。
【0065】
（付記５）
前記第１処理手段は、
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、前記照射の停止である、または、前記断線であると判定する、
付記３または付記４に記載の検出装置。
前記第１処理手段は、
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、前記照射の停止である、または、前記断線であると判定する、
付記３または付記４に記載の検出装置。
【0066】
（付記６）
前記第１処理手段は、
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングにおいて、前記照射を制御する制御信号が照射の停止を示す場合、前記照射の停止であると判定し、前記タイミングにおいて、前記照射を制御する制御信号が照射の停止を示さない場合、前記断線が生じたと判定する、
付記５に記載の検出装置。
前記第１処理手段は、
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングにおいて、前記照射を制御する制御信号が照射の停止を示す場合、前記照射の停止であると判定し、前記タイミングにおいて、前記照射を制御する制御信号が照射の停止を示さない場合、前記断線が生じたと判定する、
付記５に記載の検出装置。
【0067】
（付記７）
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングを、照射対象物への前記照射が停止されたタイミングと判定する第２処理手段、
を備える付記３から付記６の何れか一に記載の検出装置。
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングを、照射対象物への前記照射が停止されたタイミングと判定する第２処理手段、
を備える付記３から付記６の何れか一に記載の検出装置。
【0068】
（付記８）
前記第２処理手段は、
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミング直後における、単位時間当たりの前記センサの抵抗値の緩やかな変化を、単位時間当たりの前記センサの抵抗値の緩やかな変化に補正する、
付記７に記載の検出装置。
前記第２処理手段は、
前記検出回路の出力に対応する前記発光手段の最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミング直後における、単位時間当たりの前記センサの抵抗値の緩やかな変化を、単位時間当たりの前記センサの抵抗値の緩やかな変化に補正する、
付記７に記載の検出装置。
【0069】
（付記９）
付記１から付記８の何れか一に記載の検出装置と、
前記検出装置による検出結果に基づいて、前記紫外線が照射されているか否かに関連する情報を報知する報知装置と、
を備える検出システム。
付記１から付記８の何れか一に記載の検出装置と、
前記検出装置による検出結果に基づいて、前記紫外線が照射されているか否かに関連する情報を報知する報知装置と、
を備える検出システム。
【0070】
（付記１０）
付記１から付記８の何れか一に記載の検出装置と、
前記検出装置による検出結果に基づいて、前記紫外線の照射を停止する照射装置と、
を備える検出システム。
付記１から付記８の何れか一に記載の検出装置と、
前記検出装置による検出結果に基づいて、前記紫外線の照射を停止する照射装置と、
を備える検出システム。
【0071】
（付記１１）
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させることと、
前記抵抗値を電圧値として検出することと、
を含む検出方法。
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させることと、
前記抵抗値を電圧値として検出することと、
を含む検出方法。
【0072】
（付記１２）
コンピュータに、
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させることと、
前記抵抗値を電圧値として検出することと、
を実行させるプログラム。
コンピュータに、
ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させることと、
前記抵抗値を電圧値として検出することと、
を実行させるプログラム。
【符号の説明】
【0073】
１・・・検出システム
５・・・コンピュータ
６・・・ＣＰＵ
７・・・メインメモリ
８・・・ストレージ
９・・・インターフェース
１０・・・照射装置
２０・・・検出装置
３０・・・報知装置
１０１・・・発光装置
１０２・・・制御装置
２０１・・・センサ
２０２・・・検出回路
２０３・・・処理装置
２０４・・・Ｄ／Ａ変換装置
２０５・・・無線モジュール
２０６・・・コネクタ
１０１１・・・発光部
１０１２、１０２１・・・通信部
１０１３・・・駆動部
１０２２・・・受付部
１０２３・・・制御部
１０２４・・・記憶部
２０２１・・・オペレーショナルアンプリファイア
２０２２ａ、２０２２ｂ、Ｒ・・・抵抗
２０２３ａ、２０２３ｂ・・・キャパシタ
２０３１・・・Ａ／Ｄ変換部
２０３２・・・バイアス生成部
２０３３・・・処理部
２０３４・・・切替部
２０３５ａ、２０３５ｂ・・・出力部
２０３６・・・リセット部
５・・・コンピュータ
６・・・ＣＰＵ
７・・・メインメモリ
８・・・ストレージ
９・・・インターフェース
１０・・・照射装置
２０・・・検出装置
３０・・・報知装置
１０１・・・発光装置
１０２・・・制御装置
２０１・・・センサ
２０２・・・検出回路
２０３・・・処理装置
２０４・・・Ｄ／Ａ変換装置
２０５・・・無線モジュール
２０６・・・コネクタ
１０１１・・・発光部
１０１２、１０２１・・・通信部
１０１３・・・駆動部
１０２２・・・受付部
１０２３・・・制御部
１０２４・・・記憶部
２０２１・・・オペレーショナルアンプリファイア
２０２２ａ、２０２２ｂ、Ｒ・・・抵抗
２０２３ａ、２０２３ｂ・・・キャパシタ
２０３１・・・Ａ／Ｄ変換部
２０３２・・・バイアス生成部
２０３３・・・処理部
２０３４・・・切替部
２０３５ａ、２０３５ｂ・・・出力部
２０３６・・・リセット部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】