(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022131776
(43)【公開日】2022-09-07
(54)【発明の名称】紫外線検知装置、紫外線センサの製造方法、紫外線センサ、紫外線検知方法、プログラム
(51)【国際特許分類】
G01J 1/02 20060101AFI20220831BHJP
G01J 1/58 20060101ALI20220831BHJP
A61L 2/26 20060101ALI20220831BHJP
A61L 2/10 20060101ALI20220831BHJP
【FI】
G01J1/02 G
G01J1/58
A61L2/26
A61L2/10
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2021030904
(22)【出願日】2021-02-26
(71)【出願人】
【識別番号】302069930
【氏名又は名称】NECエンベデッドプロダクツ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100106909
【弁理士】
【氏名又は名称】棚井 澄雄
(74)【代理人】
【識別番号】100134544
【弁理士】
【氏名又は名称】森 隆一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100162868
【弁理士】
【氏名又は名称】伊藤 英輔
(72)【発明者】
【氏名】長谷川 隆
(72)【発明者】
【氏名】松田 智美
【テーマコード(参考)】
2G065
4C058
【Fターム(参考)】
2G065AA04
2G065AB05
2G065BA02
2G065BA05
2G065BA29
2G065BB06
2G065BB24
2G065BB26
2G065BC14
2G065BC28
2G065BD06
2G065DA10
2G065DA18
4C058AA01
4C058BB06
4C058DD01
4C058KK02
4C058KK50
(57)【要約】
【課題】紫外線の照射を容易に検知する紫外線検知装置、紫外線センサの製造方法、紫外線センサ、紫外線検知方法、プログラムを提供する。
【解決手段】レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段とを備えた紫外線検知装置が、紫外線の前記レンズへの入光により変化する紫外線センサの状態に基づいて紫外線の照射を検知する。
【選択図】
図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
レンズの前面に装着された紫外線センサと、
前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、
紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段と、
を備える紫外線検知装置。
【請求項2】
前記紫外線センサは、酸化亜鉛と酸化ゲルマニウムを透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理した透明基材であり、
前記撮像手段は、前記当該透明基材と前記レンズとを通過する光を撮像し、
前記照射検知手段は、前記紫外線の入光により発光した前記透明基材の前記膜の色を前記撮像に基づいて生成された画像から検知して、当該色に基づいて照射源からの前記紫外線の照射を検知する
請求項1に記載の紫外線検知装置。
【請求項3】
前記紫外線センサは、前記紫外線を示す波長帯のうちの少なくとも1つの波長帯の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、当該センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させて前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路とを備え、
前記照射検知手段は、前記検出回路の出力に基づいて照射源からの前記紫外線の照射を検知する
請求項1に記載の紫外線検知装置。
【請求項4】
前記紫外線は、当該紫外線の波長帯をUV-A,UV-B,UV-Cの3つの波長帯に区分けした時の前記UV-Cと定義される波長帯である
請求項1から請求項3の何れか一項に記載の紫外線検知装置。
【請求項5】
前記照射検知手段は、前記色の濃度に応じて前記紫外線の照射強度を検出する
請求項2に記載の紫外線検知装置。
【請求項6】
酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成する膜形成工程と、
前記透明基材に前記膜が形成された後に加熱する加熱工程と、
を有する紫外線センサの製造方法。
【請求項7】
前記膜形成工程は、前記混合紛をスパッタリングすることで前記透明基材に前記膜を形成する
請求項6に記載の紫外線センサの製造方法。
【請求項8】
酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理された紫外線センサ。
【請求項9】
レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段とを備えた紫外線検知装置が、
紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する
紫外線検知方法。
【請求項10】
レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、を備えた紫外線検知装置のコンピュータを、
紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段、
としてさせるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、紫外線検知装置、紫外線センサの製造方法、紫外線センサ、紫外線検知方法、プログラムに関する。
【背景技術】
【0002】
紫外線を用いてウィルスの死滅、除菌、滅菌を行う紫外線照射装置が多く利用されている。このような紫外線照射装置の照射する紫外線を用意に検出する技術が求められている。
【0003】
特許文献1には、インジケータ要素および物品を100nm~280nmの波長を有する電磁エネルギーに暴露し、インジケータ要素に対して視覚的変化またはテクスチャ変化をもたらし、その変化を検出して物品の滅菌や消毒の程度を検出する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上述のような技術において、紫外線の照射を容易に検知できる技術が求められている。
【0006】
そこでこの発明は、上述の課題を解決する紫外線検知装置、紫外線センサの製造方法、紫外線センサ、紫外線検知方法、プログラムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の第1の態様によれば、紫外線検知装置は、レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段と、を備える。
【0008】
本発明の第2の態様によれば、紫外線センサの製造方法は、酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成する膜形成工程と、前記透明基材に前記膜が形成された後に加熱する加熱工程と、を有する。
【0009】
本発明の第3の態様によれば、紫外線センサは、酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理される。
【0010】
本発明の第4の態様によれば、紫外線検知方法は、レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段とを備えた紫外線検知装置が、紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する。
【0011】
本発明の第5の態様によれば、プログラムは、レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、を備えた紫外線検知装置のコンピュータを、紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段、として機能させる。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、紫外線の照射を容易に検知することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【
図1】第一実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す第一の図である。
【
図2】第一実施形態による制御モジュールの機能ブロック図である。
【
図3】第一実施形態による制御部の機能ブロック図である。
【
図4】第一実施形態による紫外線検知装置の処理フローを示す図である。
【
図5】第一実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す第二の図である。
【
図6】第二実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す図である。
【
図7】第二実施形態による紫外線センサの回路構成を示す図である。
【
図8】第二実施形態による処理装置の構成の一例を示す図である。
【
図9】第二実施形態による処理装置が行う処理を説明するための図である。
【
図10】第二実施形態による検出システムの処理フローの一例を示す図である。
【
図11】少なくとも1つの実施形態に係るコンピュータの構成を示す概略ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、本発明の第一実施形態による紫外線検知装置を図面を参照して説明する。
図1は第一実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す第一の図である。
紫外線検知装置1は、カメラのレンズの前面に紫外線センサ11を設けて構成される。そして紫外線検知装置1の一部を構成するカメラには、レンズ12、撮像部13、制御モジュール14、バッテリ15などが設けられる。撮像部13はCMOSセンサなどにより構成されて紫外線センサ11、レンズ12を介して入射した光を検知する。制御モジュール14は撮像部13から得た信号に基づいて、画像を生成する。バッテリ15は紫外線検知装置1に電力を供給する。なお紫外線センサ11は薄い円盤形状を成しており、紫外線検知装置1はレンズの前面に紫外線センサ11を装着できる構造を有している。
【0015】
図2は第一実施形態による制御モジュールの機能ブロック図である。
制御モジュール14は、制御部141、無線通信部142、加速度検知部143などを備える。制御部141は紫外線検知装置1の各機能部を制御する。無線通信部142は外部装置と無線通信により通信接続する。加速度検知部143は紫外線検知装置1に与えられた加速度を検知する。
【0016】
紫外線検知装置1に装着される紫外線センサ11は、酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理されたものである。なお透明基材は一例としては石英ガラスである。透明基材は透明な他のガラスを用いてもよい。酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成するために、一例としてスパッタリングの技術を用いる。またスパッタリングの後に膜を形成した透明基材をアニール処理して加熱する。これにより、紫外線の照射を受けた場合に緑色に光る紫外線センサ11を製造することができる。本実施形態においては、紫外線の波長帯をUV(ultraviolet)-A,UV-B,UV-Cの3つの波長帯に区分けした時の記UV-Cと定義される波長帯が照射された場合に光る紫外線センサ11を、紫外線検知装置1に用いる。なおUV-Cは一例としては、100nm~280nmの波長の紫外線である。UV-Aや315nm~400nmの波長、UV-Bは280nm~315nmの波長と定義されてよい。なおこれらの波長の定義は一例であり、UV-A、UV-B、UV-Cの波長がそれぞれ他の波長帯を示すよう定義されてよい。
【0017】
図3は第一実施形態による制御部の機能ブロック図である。
制御部141は、画像生成部411、照射検知部412、出力部413の各機能を発揮する。
画像生成部411は、撮像部13から得た信号に基づいて公知の技術により画像を生成する。
照射検知部412は紫外線のレンズへの入光により変化する紫外線センサの状態に基づいて紫外線の照射を検知する。
出力部413は、紫外線の照射の検知結果を出力する。
【0018】
図4は第一実施形態による紫外線検知装置の処理フローを示す図である。
以下、紫外線検知装置1の処理フローについて説明する。
紫外線が照射された環境において紫外線検知装置1起動する。すると撮像部13は紫外線センサ11、レンズ12を介して入射した紫外線を検知する(ステップS101)。紫外線センサ11は、紫外線が照射されることにより発光する。紫外線センサ11は紫外線の強度が大きいほど強く光る。つまり紫外線が弱い場合と、強い場合とで紫外線センサ11の発光による色の濃度が異なり、紫外線が強い場合にはより濃い緑で、紫外線が弱い場合には淡い緑で発行する。撮像部13は検知した光の信号を制御モジュール14へ出力する。
【0019】
制御モジュール14において画像生成部411は撮像部13から得た信号に基づいて画像を生成する(ステップS102)。紫外線が入射している場合、紫外線センサ11が緑色に発光しているため画像生成部411の生成した画像は被写体が写る画像であるものの全体的に紫外線センサ11の発光色に近似する色を帯びている。照射検知部412は画像生成部411の生成した画像を取得する。照射検知部412は、画像の各画素の色情報に基づいて、その色が紫外線センサ11の発光色に近似しているか否かを判定する。例えば照射検知部412は、紫外線の強度が強い場合と、弱い場合の各発光色の色情報をRGB値で記憶している。紫外線の強度が弱い場合の紫外線センサ11の発光色を第一発光色、紫外線の強度が強い場合の紫外線センサ11の発光色を第二発光色と呼ぶこととする。
【0020】
照射検知部412は、取得した画像の各画素のRGB値の平均値と第一発光色が示すRGB値とを比較して、取得した画像の各画素の平均のR,G,Bの値が、第一発光色が示すR,G,Bの各値を基準とする所定の誤差内であるかを判定する(ステップS103)。取得した画像の各画素のRGB値の平均値が、第一発光色が示すR,G,Bの各値を基準とする所定の誤差内である場合には、画像の色は、第一発光色が示す色に近い。照射検知部412は、取得した画像の各画素のRGB値の平均値が、第一発光色が示すR,G,Bの各値を基準とする所定の誤差内である場合には画像の色が第一発光色に近似していると判定する(ステップS104)。照射検知部412は、第一発光色であることを示す情報を出力部413へ出力する。また照射検知部412は、画像の色が第一発光色に近似していると判定した時刻からUV-Cの照射時間をカウントし、所定の間隔でその照射時間を出力部413へ出力する。
【0021】
出力部413は、第一発光色であることを示す情報取得すると、UV-Cを検出したことを示す情報、検出したUV-Cが第一発光色に対応する照射強度であることを示す情報、照射時間を含む検出情報を所定の送信先装置30へ送信する(ステップS105)。例えば、紫外線検知装置1は、サーバ装置やスマートフォンなどと通信接続されている場合には、それらサーバ装置やスマートフォンへ検出情報を送信してよい。サーバ装置やスマートフォンは検出情報を取得すると、所定の処理を行う。例えばサーバ装置やスマートフォンは、UV-Cの照射強度(弱)の情報と、その照射時間などを含む警告情報を表示装置へ出力してよい。
【0022】
照射検知部412は、取得した画像の各画素のRGB値の平均値と第二発光色が示すRGB値とを比較して、取得した画像の各画素のRGB値の平均値が、第二発光色が示すR,G,Bの各値を基準とする所定の誤差内であるかを判定する(ステップS106)。取得した画像の各画素のRGB値の平均値が、第二発光色が示すR,G,Bの各値を基準とする所定の誤差内である場合には、画像の色は、第二発光色が示す色に近い。照射検知部412は、取得した画像の各画素のRGB値の平均値が、第一発光色が示すR,G,Bの各値を基準とする所定の誤差内である場合には画像の色が第二発光色に近似していると判定する(ステップS107)。照射検知部412は、第二発光色であることを示す情報を出力部413へ出力する。なお第一発光色が示す緑色よりも、第二発光色が示す緑色は、濃い緑色であるとする。紫外線(UV-C)の照射強度によって色が濃くなるため、画像が第二発光色に近似している場合、より強いUV-Cが照射されていることを検知することができる。また照射検知部412は、画像の色が第二発光色に近似していると判定した時刻からUV-Cの照射時間をカウントし、所定の間隔でその照射時間を出力部413へ出力する。
【0023】
出力部413は、第二発光色であることを示す情報取得すると、UV-Cを検出したことを示す情報、検出したUV-Cが第二発光色に対応する照射強度であることを示す情報、照射時間を含む検出情報を所定の送信先装置30へ送信する(ステップS108)。例えば、紫外線検知装置1は、サーバ装置やスマートフォンなどと通信接続されている場合には、それらサーバ装置やスマートフォンへ検出情報を送信してよい。サーバ装置やスマートフォンは検出情報を取得すると、所定の処理を行う。例えばサーバ装置やスマートフォンは、UV-Cの照射強度(強)の情報と、その照射時間などを含む警告情報を表示装置へ出力してよい。
【0024】
照射検知部412は、取得した画像の各画素のRGB値の平均値と第一発光色や第二発光色が示すRGB値とを比較して、取得した画像の各画素のRGB値の平均値が、第一発光色や第二発光色が示すR,G,Bの各値を基準とする所定の誤差内でない場合には、UV-Cは照射されていないと判定する(ステップS109)。照射検知部412は、UV-Cが照射されていないことを出力部413へ出力してよい。この場合、出力部413はサーバ装置やスマートフォンなどの送信先装置30へUV-Cが照射されていないことを示す情報を含む検出情報を送信してよい。サーバ装置やスマートフォンは検出情報にUV-Cが照射されていないことを示す情報が含まれる場合には、UV-Cの照射無を示す情報を表示装置に表示してよい。照射検知部412は処理を終了するかを判定し(ステップS110)、終了しない場合には処理を繰り返す。
【0025】
なお制御部141は加速度検知部143から出力された加速度の値に基づいて、紫外線検知装置1が倒れたことを検知して、倒れたことを検知した場合に、その情報を送信先装置に送信する制御を行ってよい。
【0026】
紫外線の波長帯のうちUV-Cと定義される波長帯の紫外線は、UV-AやUV-Bと定義される波長帯の紫外線に比べ殺菌効果が非常に高いと言われ、消毒や殺菌装置として使用されている。例えば、理美容院に設置されている、はさみ等の器具を消毒する装置はUV-Cを使用した消毒器として昔から普及している。最近は新型コロナウイルスへの滅菌効果も期待されており、UV-Cに対する市場認知が急速に高まっており、パーソナルユースの紫外線UV-Cの照射装置(照射源)や、病院へのUV-C照射ロボットの導入が拡がっている状況である。人間がUV-Cを浴びると細胞のDNAが破壊される為、非常に危険であり、UV-Cを使用した装置を扱う際は注意が必要である。従って、UV-C照射時はそのエリアへの人間の侵入を防ぐ必要や、視界に入らない様に密閉した空間で照射する必要がある為、ユーザは紫外線の照射装置が正常にUV-Cを照射しているか容易に確認する術がない状況であり、ユーザは紫外線に照射装置がUV-Cを照射しているかどうかを正確に把握することが必要となる。
【0027】
上述の紫外線検知装置1の処理によれば、カメラ型の装置を用いるだけで、紫外線(特にUV-C)の照射を検知することができ、またその紫外線の強度の情報を画像として、また送信先装置30での受信情報として記録することができる。また上述の紫外線センサ11は、紫外線UV-Cが照射している場合にはその強度に応じて緑色に短時間で光り、紫外線UV-Cが照射されていた状況から照射されていない状況に変化した場合には短時間(1秒弱程度)で緑色の発光が停止する。これにより紫外線検知装置1は瞬時に紫外線(UV-C)の照射を検知することができる。
【0028】
また、上述の紫外線検知装置1の処理によれば、今迄はウィルスを殺菌する事が優先され、市場にUV-C照射製品が投入されてきたが、見えない(見てはいけない)光で、見えないウィルスを殺菌している現状で、UV-Cの出力低下や、紫外線照射装置の故障により出力が停止している事も容易に確認できず、照射装置の性能確認や、UV-C照射時の危険喚起がおざなりになっていたのが改善される。また上述の紫外線検知装置1によれば、UV-C照射されている事を知らずにUV-Cを曝露だけでなく、UV-Cの照射装置が故障している事を知らずに使用し続け、効果のない照射装置を使用し続けていることを検知することもできる。
【0029】
なお上述の紫外線センサ11は、紫外線の波長帯のうちUV-Cの波長帯の紫外線が照射されている場合に緑色に発光するものであって良いが、他の実施形態においては、UV-AやUV-Bの波長帯の紫外線が照射されている間に発光するものであってもよい。
【0030】
図5は第一実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す第二の図である。
図5で示すように紫外線検知装置1は紫外線センサ11の前に減衰レンズ18を備えてよい。これにより減衰レンズ18で減衰された強度の光が、紫外線センサ11、レンズ12、撮像部13へと順次入光する。紫外線の強度が大きい場合には、減衰レンズ18でその紫外線の強度を減衰することで、紫外線センサ11を紫外線の強度が大きい場合でも、第一発光色に発光させることができる。
【0031】
<第二実施形態>
図6は第二実施形態による紫外線センサを装着した紫外線検知装置を示す図である。
図7は第二実施形態による紫外線センサの回路構成を示す図である。
上述の紫外線センサ11は他の紫外線センサ21であってもよい。例えば紫外線センサ21は、
図6(a)で示すようなセンサ201をレンズ12の前に装着し、当該センサ201と制御モジュール14に含まれる回路とを含むものであってよい。紫外線検知装置1のセンサ201以外の構成は第一実施形態と同様である。なお
図6(b)で示すように、レンズ12の大きさに比べてセンサ201は小さい。そしてそのような小型のセンサ201がレンズ12近傍に装着されているため、紫外線検知装置1を構成するカメラで撮影した画像にはセンサ201がぼやけてほぼセンサ201が写らない状態の画像が生成される。
【0032】
紫外線センサ21は、紫外線の照射装置が照射するUV-Cを検出する。紫外線センサ21は、
図7に示すように、センサ201、検出回路202、処理装置203、D/A変換装置204、無線通信部142、コネクタ206を備える。なおセンサ201以外の、検出回路202、処理装置203、D/A変換装置204、無線通信部142、コネクタ206は上述した制御モジュール14の内部に、第一実施形態で示した制御部141に代えて、または制御部141と共に設けられてよい。
【0033】
センサ201は、UV-Cを検出する。具体的には、センサ201は、UV-Cが照射されると抵抗値が変化する。例えば、センサ201は、照射されるUV-Cの発光強度が高くなるにつれて抵抗値が低下する。センサ201の抵抗値は、照射されるUV-Cの発光強度に応じて、例えば、数10kオーム~数10Gオームの範囲で変化する。
【0034】
検出回路202は、センサ201の抵抗値を電圧として検出する回路である。検出回路202は、
図7に示すように、オペレーショナルアンプリファイア(以下、オペアンプと記載)2021、抵抗2022a、2022b、キャパシタ2023a、2023bを備える。
【0035】
オペアンプ2021は、反転端子(
図7においてマイナスの符号によって表される端子)、正転端子(
図7においてプラスの符号によって表される端子)、出力端子を備える。オペアンプ2021の反転端子には、センサ201の第1端子、抵抗2022aの第1端子、キャパシタ2023aの第1端子が接続される。オペアンプ2021の正転端子には、抵抗2022bの第1端子、キャパシタ2023bの第1端子が接続される。オペアンプ2021の出力端子には、抵抗2022aの第2端子、キャパシタ2023aの第2端子が接続される。センサ201の第2端子およびキャパシタ2023bの第2端子は、グラウンドに接続される。なお、キャパシタ2023aは、検出回路202の帰還量を調整し、検出回路202の周波数特性(位相余裕および利得余裕)を改善するためのキャパシタである。また、オペアンプ2021の出力端子は、処理装置203に接続され、オペアンプ2021の出力電圧が処理装置203に出力される。また、抵抗2022bの第2端子は、処理装置203に接続され、処理装置203からオペアンプ2021の正転端子にバイアス電圧が印加される。
【0036】
図8は第二実施形態による処理装置の構成の一例を示す図である。
図9は第二実施形態による処理装置が行う処理を説明するための図である。
処理装置203は、
図8に示すように、A/D(Analog to Digital)変換部2031、バイアス生成部2032、処理部2033、切替部2034、出力部2035a、2035b、リセット部2036を備える。処理装置203は、例えばコンピュータ(マイクロコンピュータを含む)である。
【0037】
A/D変換部2031は、オペアンプ2021から出力されるアナログの出力電圧をデジタルの出力電圧に変換する。A/D変換部2031は、例えば、A/D変換器である。なお、A/D変換部2031の分解能は、例えば10ビット(1024)である。
【0038】
バイアス生成部2032は、A/D変換部2031の出力(つまり、A/D変換部2031の読み取り値、または、その読み取り値が示す電圧値)に基づくアナログのバイアス電圧を生成する。バイアス生成部2032は、生成したバイアス電圧を抵抗2022bの第2端子に印加する。センサ201の抵抗値は、例えば、数10kオーム~数10Gオームの範囲で変化する。そのため、A/D変換部2031の分解能が10ビット程度の場合、抵抗変化に対する分解能が充分ではない。バイアス生成部2032は、予め定めた条件を満足した場合に設定を変更することにより、分解能の低い(例えば、10ビットの)A/D変換部2031を用いた場合でも、センサ201の抵抗値の変化に対応している。以下に、バイアス生成部2032の設定の変更例を示す。
【0039】
例えば、A/D変換部2031の分解能が10ビット、抵抗2022aが10Mオームであるものとする。そして、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧の初期値が4ボルトであるものとする。なお、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧の初期値は、センサ201の抵抗値が変化してもオペアンプ2021の入出力が安定して変化しない0ボルトとしなければ、動作可能な電圧範囲においてどのような初期値であってもよい。
【0040】
バイアス生成部2032の設定は、例えば、
図9に示す予め定めた条件であるレンジ変更条件を満足した場合、変更される。バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧(
図9におけるD/A出力電圧に相当)の初期値は4ボルトである。バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が4ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が958以下(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が4.02ボルト以下であり、センサ201の抵抗値に換算すると2980Mオーム以上)である場合、バイアス生成部2032の設定値を238(A/D変換部2031の設定値に換算した場合952)に設定する。また、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が4ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が1001以上(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が4.20ボルト以上であり、センサ201の抵抗値に換算すると206Mオーム以下)である場合、バイアス生成部2032の設定値を119(A/D変換部2031の設定値に換算した場合476)に設定を変更する。なお、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が4ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が959以上1000以下の場合、バイアス生成部2032の設定値238はそのままである。つまり、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が4ボルトである場合、A/D変換部2031の出力が4.20ボルト以上になった場合(センサ201の抵抗値が206Mオーム以下になった場合)のみ、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧を2ボルトに変更する。
【0041】
バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が2ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が500以下(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が2.10ボルト以下であり、センサ201の抵抗値に換算すると211Mオーム以上)である場合、バイアス生成部2032の設定値を238に設定を変更する。また、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が2ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が1001以上(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が4.20ボルト以上であり、センサ201の抵抗値に換算すると9.12Mオーム以下)である場合、バイアス生成部2032の設定値を24(A/D変換部2031の設定値に換算した場合96)に設定を変更する。なお、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が2ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が501以上1000以下の場合、バイアス生成部2032の設定値119はそのままである。つまり、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が2ボルトである場合、A/D変換部2031の出力が4.20ボルト以上(センサ201の抵抗値が9.12Mオーム以下)になった場合、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧を0.4ボルトに変更する。また、A/D変換部2031の出力が2.1ボルト以下(センサ201の抵抗値が211Mオーム以上)になった場合、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧を4ボルトに変更する。
【0042】
バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.4ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が200以下(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が0.84ボルト以下であり、センサ201の抵抗値に換算すると9.28Mオーム以上)である場合、バイアス生成部2032の設定値を119に設定を変更する。また、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.4ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が1001以上(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が4.20ボルト以上であり、センサ201の抵抗値に換算すると1.06Mオーム以下)である場合、バイアス生成部2032の設定値を12(A/D変換部2031の設定値に換算した場合48)に設定を変更する。なお、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.4ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が201以上1000以下の場合、バイアス生成部2032の設定値24はそのままである。つまり、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.4ボルトである場合、A/D変換部2031の出力が4.20ボルト以上(センサ201の抵抗値が1.06Mオーム以下)になった場合、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧を0.2ボルトに変更する。また、A/D変換部2031の出力が0.84ボルト以下(センサ201の抵抗値が9.28Mオーム以上)になった場合、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧を2ボルトに変更する。
【0043】
バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.2ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が200以下(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が0.84ボルト以下であり、センサ201の抵抗値に換算すると3.17Mオーム以上)である場合、バイアス生成部2032の設定値を24に設定を変更する。また、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.2ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が1001以上(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が4.20ボルト以上であり、センサ201の抵抗値に換算すると50.5kオーム以下)である場合、バイアス生成部2032の設定値を3(A/D変換部2031の設定値に換算した場合12)に設定を変更する。なお、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.2ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が201以上1000以下の場合、バイアス生成部2032の設定値12はそのままである。つまり、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.2ボルトである場合、A/D変換部2031の出力が4.20ボルト以上(センサ201の抵抗値が50.5kオーム以下)になった場合、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧を0.05ボルトに変更する。また、A/D変換部2031の出力が0.84ボルト以下(センサ201の抵抗値が3.17Mオーム以上)になった場合、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧を0.4ボルトに変更する。
【0044】
バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.05ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が200以下(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が0.84ボルト以下であり、センサ201の抵抗値に換算すると640kオーム以上)である場合、バイアス生成部2032の設定値を12に設定を変更する。また、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.05ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が1001以上(すなわち、オペアンプ2021の出力電圧が4.20ボルト以上であり、センサ201の抵抗値に換算すると122kオーム未満)である場合、バイアス生成部2032の設定値を3に設定する。なお、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.05ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が201以上1000以下の場合、バイアス生成部2032の設定値3はそのままである。つまり、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が0.05ボルトである場合、A/D変換部2031の出力が0.84ボルト以下になった場合のみ、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧を0.2ボルトに変更する。
【0045】
処理部2033は、A/D変換部2031の出力に基づいて、センサ201が設置された場所において照射装置からUV-Cが照射されているか否かを判定する。例えば、
図9で示す例の場合、処理部2033は、A/D変換部2031の出力が2980Mオーム以上である場合、すなわち、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧が4ボルトであり、A/D変換部2031の読み取り値が958以下である場合、UV-Cが照射されていないと判定する。また、バイアス生成部2032が出力するバイアス電圧4ボルト、2ボルト、0.4ボルト、0.2ボルト、0.05ボルトの何れかから変化しない場合、処理部2033は、そのバイアス電圧の場合にA/D変換部2031の読み取り値に対応するセンサ201の抵抗値に応じた発光強度のUV-Cが照射装置から照射されていると判定する。つまり、例えば、処理部2033は、センサ201の抵抗値が所定の抵抗値以上(
図9で示す例の場合、2980Mオーム以上)になった場合に、UV-Cの照射がされていないと判定する。そして、処理部2033は、UV-Cの照射がされていないことを示す報知信号を、例えば、送信先装置30に送信する。こうすることで、送信先装置30のユーザは、少なくともUV-Cが照射されている場所に立ち入ることを回避することが可能になる。
【0046】
また、処理部2033は、A/D変換部2031の出力に対応する照射の発光強度と、その照射の発光時間とに基づいて、センサ201が設置された場所に照射装置から所定の照射がされているか否かを判定する。この判定は、所定の短い時間間隔で(例えば、1秒ごとに)行われる。所定の照射とは、予め定めた殺菌、除菌、滅菌効果が得られるUV-Cの照射である。例えば、所定の照射を単位発光強度による累積時間として予め定めておき、処理部2033は、実際に検出された照射の発光強度と発光時間とにより表される単位発光強度による累積時間が、予め定めた単位発光強度による累積時間に達した場合、所定の照射がされたと判定する。また、処理部2033は、実際に検出された照射の発光強度と発光時間とにより表される単位発光強度による累積時間が、予め定めた単位発光強度による累積時間に達しない場合、所定の照射がされていないと判定する。
【0047】
処理部2033は、所定の照射がされたと判定する前に、例えば自身を示す固有の識別情報を、無線通信部142を介して照射装置に送信する。処理部2033は、所定の照射がされたと判定した場合、識別情報とともにUV-Cの照射を停止させる停止信号を、無線通信部142を介して照射装置に送信する。そして、照射装置は、停止信号に応じて照射を停止する。こうすることで、人間に影響を及ぼす可能性のあるUV-Cを必要以上に照射することを回避することができる。また、照射装置は、必要以上の電力を消費することを回避できる。なお、処理部2033は、所定の照射がされていないと判定した場合、所定の照射がされたと判定するまで、UV-Cの照射を停止させなければよい(つまり継続すればよい)。
【0048】
また、処理部2033は、A/D変換部2031の出力に基づいて、照射装置の発光部の経時劣化、照射の停止、および断線の何れであるかを判定するものであってもよい。例えば、発光部が経時劣化した場合、発光強度が低下する。そのため、処理部2033は、A/D変換部2031の出力が示す発光部の最大発光強度が所定の発光強度を示すしきい値以下である場合、発光部が経時劣化していると判定することができる。また、処理部2033は、A/D変換部2031の出力に対応する最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、照射装置からその変化を示したタイミングにおける制御信号を取得する。処理部2033は、取得した制御信号が照射の停止を示す場合、照射が停止されたと判定する。また、処理部2033は、取得した制御信号が照射の停止を示さない場合、断線が生じたと判定する。処理部2033は、これらの判定結果を報知信号として、例えば、送信先装置30や照射装置に送信する。こうすることで、送信先装置30のユーザや照射装置のユーザは、発光部の経時劣化や断線が生じたことを認識することができる。発光部の経時劣化や断線が生じたことを認識したユーザが、発光部の交換や断線の修理を行うまたは修理を依頼することにより、早急に発光部の経時劣化や断線に対応することができる。
【0049】
また、処理部2033は、A/D変換部2031の出力に対応する最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、その変化を示したタイミングをUV-Cの照射が停止されたタイミングとして、例えば、照射の対象物を制御する制御装置(不図示)に送信する。こうすることで、例えば、照射の対象物が水道水などである場合、照射の対象物を制御する制御装置は対象物(この例では、水の)の流れを止める蛇口を閉にすることができ、UV-Cが照射されていない対象物の増加や流出を防ぐことができる。なお、センサ201の抵抗値の変化は、最小の抵抗値から最大の抵抗値へ瞬間的に変化するものではなく、抵抗値が大きくなるにつれて単位時間当たりの抵抗値の変化が緩やかになる場合がある。そのような場合、処理部2033は、その緩やかな変化を示す信号の代わりに、単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングに瞬間的に最大の抵抗値まで変化する波形の信号を生成するものであってもよい。そして、照射の対象物を制御する制御装置は、処理部2033が生成した信号の瞬間的に最大の抵抗値まで変化する波形のタイミングをもって対象物(この例では、水)の流れを止めるものであってもよい。
【0050】
切替部2034は、GPIO端子を備える。切替部2034は、GPIO端子に抵抗Rが接続されるか否かに応じて、後述する出力部2035aが出力するデジタル信号をリニア(線形)として出力させるか、対数として出力させるかを切り替える。例えば、抵抗RによってGPIO端子がグラウンドにプルダウンされた場合、切替部2034は、A/D変換部2031の出力をそのまま出力部2035aに出力させることにより、出力部2035aが出力する値をリニアで出力させる。また、切替部2034は、GPIO端子がオープン状態である場合、A/D変換部2031の出力を対数変換する変換部(不図示)を介して出力部2035aに出力させることにより、出力部2035aが出力する値を対数で出力させる。
【0051】
出力部2035aは、A/D変換部2031の出力を第1の形式で出力する。第1の形式の例としては、SPI(Serial Peripheral Interface)が挙げられる。例えば、出力部2035aは、GPIO端子が抵抗Rによってグラウンドにプルダウンされている場合、A/D変換部2031の出力を、SPIによって規定される形式でリニアな信号として出力する。また、出力部2035aは、GPIO端子がオープン状態の場合、A/D変換部2031の出力を、SPIによって規定される形式で対数の信号として出力する。出力部2035aが出力する信号は、無線通信部142を介して、UV-Cの照射のログ情報を示すログ信号として、例えば、照射装置に送信される。
【0052】
出力部2035bは、A/D変換部2031の出力を第1の形式とは異なる第2の形式で出力する。第2の形式の例としては、UART(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter)が挙げられる。例えば、出力部2035bは、A/D変換部2031の出力を、UARTによって規定されるデジタル信号として出力する。出力部2035bが出力する信号は、無線通信部142を介して、UV-Cの照射のログ情報を示すログ信号として、例えば、照射装置に送信される。
【0053】
リセット部2036は、コネクタ206を介して入力されるリセット信号に応じて、処理装置203をリセットする。リセットとは、初期値を用いて処理装置203を再起動することである。
【0054】
D/A変換装置204は、出力部2035aが出力するデジタル信号をアナログ信号に変換する。D/A変換装置204は、例えば、D/A変換器である。
【0055】
無線通信部142は、照射装置および送信先装置30と通信を行う。例えば、無線通信部142は、D/A変換装置204が出力するアナログ信号、および出力部2035bが出力するデジタル信号をログ信号として、照射装置に送信する。また、無線通信部142は、処理部2033が生成した報知信号を照射装置や送信先装置30に送信する。
【0056】
コネクタ206は、紫外線センサ21の外部装置と接続を可能にする。例えば、コネクタ206には、紫外線センサ21における各構成に電力を供給する電源が接続される。また、例えば、コネクタ206には、処理装置203にリセット信号を入力するための装置(不図示)が接続される。なお、コネクタ206には、照射装置や送信先装置30が有線で接続されてもよい。
【0057】
送信先装置30は、UV-Cの照射に関連する情報をユーザに報知する。送信先装置30は、例えば、スマートフォンである。例えば、送信先装置30は、専用のアプリケーションプログラムを実行し、紫外線センサ21から送信された報知信号に含まれる情報を報知する。
【0058】
図10は第二実施形態による検出システムの処理フローの一例を示す図である。
次に、
図10を参照して紫外線検知装置1を有する検出システムの処理について説明する。なお、センサ201は、UV-Cが照射されていない場合2980Mオームの抵抗値を示すものとする。また、センサ201は、UV-Cが照射された場合に122kの抵抗値になるものと仮定する。また、処理装置203は、
図9に示すレンジ変更条件にしたがって処理を行うものとする。また、バイアス生成部2032が生成するバイアス電圧の初期値は、4ボルトであるものとする。
【0059】
照射装置は、自装置の発光部からUV-Cを照射させない制御を、駆動部に対して行う(ステップS301)。紫外線検知装置1のバイアス生成部2032は、バイアス電圧の初期値(この場合、4ボルト)を出力する(ステップS302)。UV-Cが照射されていない場合、センサ201は、最大の抵抗値(2980Mオームの抵抗値)となる(ステップS303)。処理部2033は、A/D変換部2031の出力に基づいて、センサ201が設置された場所において照射装置からUV-Cが照射されているか否かを判定している。この場合、処理部2033は、UV-Cの照射がされていないと判定する(ステップS304)。そして、処理部2033は、UV-Cの照射がされていないことを示す報知信号を送信先装置30に送信する。送信先装置30は、UV-Cの照射がされていないことを報知する(ステップS305)。
【0060】
ここで、照射装置は、駆動部に制御信号を送信することにより、発光部からUV-Cを照射させる制御を、駆動部に対して行う(ステップS306)。駆動部は、制御信号に基づいて、発光部を駆動する。発光部は、UV-Cを放射する。紫外線検知装置1において、センサ201は、最小の抵抗値(122kオームの抵抗値)をなる(ステップS307)。処理部2033は、A/D変換部2031の出力に基づいて、センサ201が設置された場所において照射装置からUV-Cが照射されているか否かを判定している。この場合、処理部2033は、UV-Cの照射がされていると判定する(ステップS308)。そして、処理部2033は、UV-Cの照射がされていることを示す報知信号を送信先装置30に送信する。送信先装置30は、UV-Cの照射がされていることを報知する(ステップS309)。バイアス生成部2032は、
図9に示すレンジ変更条件にしたがって、4ボルト、2ボルト、0.4ボルト、0.2ボルトのバイアス電圧を生成し出力する(ステップS310)。
【0061】
処理部2033は、A/D変換部2031の出力に対応する照射の発光強度と、その照射の発光時間とに基づいて、センサ201が設置された場所に照射装置から所定の照射がされているか否かを判定している。処理部2033は、所定の照射がされたと判定する前に、自身を示す固有の識別情報を無線通信部142を介して照射装置に送信する。やがて、処理部2033は、センサ201が設置された場所に照射装置から所定の照射がされたと判定する(ステップS311)。処理部2033は、所定の照射がされたと判定した場合、識別情報とともにUV-Cの照射を停止させる停止信号を、無線通信部142を介して照射装置に送信する。照射装置は、停止信号に応じて照射を停止する(ステップS312)。
【0062】
センサ201は、最大の抵抗値となる(ステップS313)。処理部2033は、A/D変換部2031の出力に基づいて、センサ201が設置された場所において照射装置からUV-Cが照射されているか否かを判定している。この場合、処理部2033は、UV-Cの照射がされていないと判定する(ステップS314)。そして、処理部2033は、UV-Cの照射がされていないことを示す報知信号を送信先装置30に送信する。送信先装置30は、UV-Cの照射がされていないことを報知する(ステップS315)。
【0063】
以上、本発明の一実施形態による紫外線検知装置1について説明した。
第二の実施形態による紫外線検知装置1において、センサ201は、UV-Cを示す波長帯のうちの少なくとも1つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化する。検出回路202は、センサ201の抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させ、センサ201の抵抗値を電圧値として検出する。こうすることにより、紫外線検知装置1において、紫外線センサ21は、簡易的な構成でUV-Cを検出することができる。
【0064】
なお、本発明の実施形態における処理は、適切な処理が行われる範囲において、処理の順番が入れ替わってもよい。
【0065】
本開示の実施形態における記憶部やその他の記憶装置(レジスタ、ラッチを含む)のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲においてどこに備えられていてもよい。また、記憶部やその他の記憶装置のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲において複数存在しデータを分散して記憶していてもよい。
【0066】
本発明の実施形態について説明したが、上述の照射装置、紫外線検知装置1、送信先装置30、その他の各装置は内部に、コンピュータ装置を有していてもよい。そして、上述した処理の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。コンピュータの具体例を以下に示す。
【0067】
図11は、少なくとも1つの実施形態に係るコンピュータの構成を示す概略ブロック図である。
コンピュータ5は、
図11に示すように、CPU6(ベクトルプロセッサを含む)、メインメモリ7、ストレージ8、インターフェース9を備える。
例えば、上述の照射装置、紫外線検知装置1、送信先装置30、その他の制御装置のそれぞれは、コンピュータ5に実装される。そして、上述した各処理部の動作は、プログラムの形式でストレージ8に記憶されている。CPU6は、プログラムをストレージ8から読み出してメインメモリ7に展開し、当該プログラムに従って上記処理を実行する。また、CPU6は、プログラムに従って、上述した各記憶部に対応する記憶領域をメインメモリ7に確保する。
【0068】
ストレージ8の例としては、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)、磁気ディスク、光磁気ディスク、CD-ROM(Compact Disc Read Only Memory)、DVD-ROM(Digital Versatile Disc Read Only Memory)、半導体メモリ等が挙げられる。ストレージ8は、コンピュータ5のバスに直接接続された内部メディアであってもよいし、インターフェース9または通信回線を介してコンピュータ5に接続される外部メディアであってもよい。また、このプログラムが通信回線によってコンピュータ5に配信される場合、配信を受けたコンピュータ5が当該プログラムをメインメモリ7に展開し、上記処理を実行してもよい。少なくとも1つの実施形態において、ストレージ8は、一時的でない有形の記憶媒体である。
【0069】
また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現してもよい。さらに、上記プログラムは、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるファイル、いわゆる差分ファイル(差分プログラム)であってもよい。
【0070】
本開示のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例であり、開示の範囲を限定しない。これらの実施形態は、開示の要旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、種々の省略、種々の置き換え、種々の変更を行ってよい。
【0071】
なお、上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
【0072】
(付記1)
レンズの前面に装着された紫外線センサと、
前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、
紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段と、
を備える紫外線検知装置。
【0073】
(付記2)
前記紫外線センサは、酸化亜鉛と酸化ゲルマニウムを透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理した透明基材であり、
前記撮像手段は、前記当該透明基材と前記レンズとを通過する光を撮像し、
前記照射検知手段は、前記紫外線の入光により発光した前記透明基材の前記膜の色を前記撮像に基づいて生成された画像から検知して、当該色に基づいて照射源からの前記紫外線の照射を検知する
付記1に記載の紫外線検知装置。
【0074】
(付記3)
前記紫外線センサは、前記紫外線を示す波長帯のうちの少なくとも1つの波長帯の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、当該センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させて前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路とを備え、
前記照射検知手段は、前記検出回路の出力に基づいて照射源からの前記紫外線の照射を検知する
付記1に記載の紫外線検知装置。
【0075】
(付記4)
前記紫外線は、当該紫外線の波長帯をUV-A,UV-B,UV-Cの3つの波長帯に区分けした時の前記UV-Cと定義される波長帯である
付記1から付記3の何れか一つに記載の紫外線検知装置。
【0076】
(付記5)
前記照射検知手段は、前記色の濃度に応じて前記紫外線の照射強度を検出する
付記2に記載の紫外線検知装置。
【0077】
(付記6)
酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成する膜形成工程と、
前記透明基材に前記膜が形成された後に加熱する加熱工程と、
を有する紫外線センサの製造方法。
【0078】
(付記7)
前記透明基材は石英ガラスである付記6に記載の紫外線センサの製造方法。
【0079】
(付記8)
前記膜形成工程は、前記混合紛をスパッタリングすることで前記透明基材に前記膜を形成する
付記6または付記7に記載の紫外線センサの製造方法。
【0080】
(付記9)
酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理された紫外線センサ。
【0081】
(付記10)
前記透明基材は石英ガラスである付記9に記載の紫外線センサ。
【0082】
(付記11)
レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段とを備えた紫外線検知装置が、
紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する
紫外線検知方法。
【0083】
(付記12)
レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、を備えた紫外線検知装置のコンピュータを、
紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段、
としてさせるプログラム。
【符号の説明】
【0084】
1・・・紫外線検知装置
11,21・・・紫外線センサ
12・・・レンズ
13・・・撮像部
14・・・制御モジュール
15・・・バッテリ
16・・・撮像部
18・・・減衰レンズ
201・・・センサ
411・・・画像生成部
412・・・照射検知部
413・・・出力部