特開 2022-132247 発光素子搭載用基板、及び、それを用いた発光モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022132247

(43)【公開日】2022-09-07

(54)【発明の名称】発光素子搭載用基板、及び、それを用いた発光モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/60 20100101AFI20220831BHJP

【ＦＩ】

H01L33/60

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

【公開請求】

(21)【出願番号】P 2022086372

(22)【出願日】2022-05-26

(71)【出願人】

【識別番号】000131430

【氏名又は名称】シチズン電子株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】000001960

【氏名又は名称】シチズン時計株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100114018

【弁理士】

【氏名又は名称】南山 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100180806

【弁理士】

【氏名又は名称】三浦 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100160716

【弁理士】

【氏名又は名称】遠藤 力

(72)【発明者】

【氏名】関口 金孝

(72)【発明者】

【氏名】今井 貞人

(57)【要約】

【課題】長期間使用した場合であっても反射率の低下を抑制する、反射層にＡｇを利用した発光素子搭載用基板を提供すること、及び、そのような基板を利用した発光モジュールを提供する。
【解決手段】金属基材(11)と、金属基材上に形成され且つＡｇを含んで構成される反射層(14)と、反射層上に形成された第１低屈折率層(16)と、第１低屈折率層上に形成され且つ第１低屈折率層より屈折率の高い第１高屈折率層(17)と、第１高屈折率層上に形成され且つ第１高屈折率層より屈折率の小さい第２低屈折率層(18)と、第２低屈折率層上に形成され且つ第２低屈折率層より屈折率の高い第２高屈折率層(19)と、を有する発光素子搭載用基板(10)、及び、発光モジュール(1)。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属基材と、
前記金属基材上に形成され、且つ、Ａｇを含んで構成される反射層と、
前記反射層上に形成された第１低屈折率層と、
前記第１低屈折率層上に形成され、且つ、前記第１低屈折率層より屈折率の高い第１高屈折率層と、
前記第１高屈折率層上に形成され、且つ、前記第１高屈折率層より屈折率の小さい第２低屈折率層と、
前記第２低屈折率層上に形成され、且つ、前記第２低屈折率層より屈折率の高い第２高屈折率層と、
を有することを特徴とする発光素子搭載用基板。

【請求項2】

前記第１高屈折率層のバンドギャップは、前記第２高屈折率層のバンドギャップより大きい、請求項１に記載の発光素子搭載用基板。

【請求項3】

前記第１高屈折率層の膜厚は、前記第２高屈折率層の膜厚より薄い、請求項１又は２に記載の発光素子搭載用基板。

【請求項4】

前記第１高屈折率層は酸化ハフニウムを含んで構成され、前記第２高屈折率層は酸化チタンを含んで構成される、請求項１～３の何れか一項に記載の発光素子搭載用基板。

【請求項5】

前記第１低屈折率層の膜厚は、前記第２低屈折率層の膜厚より厚い、請求項１～４の何れか一項に記載の発光素子搭載用基板。

【請求項6】

前記第１低屈折率層は、ＳｉＯｘ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＦ₂、ＡｌＦ₃、ＣｅＦ₃、ＹＦ₃、ＢａＦ₂、ＬａＦ₃、ＳｉＡｌＯｘ、ＴｉＡｌＯｘ、及び、ホウケイ酸ガラスの内の１つを含んで構成される、請求項１～５の何れか一項に記載の発光素子搭載用基板。

【請求項7】

請求項１～６の何れか一項に記載の発光素子搭載用基板と、
前記発光素子搭載用基板上に直接実装された発光素子と、
前記発光素子の周囲に配置された保持材料と、
前記発光素子を覆い、且つ、前記保持材料の内側に保持されている封止材と、
を有することを特徴とする発光モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光素子搭載用基板、及び、それを用いた発光モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

発光素子であるＬＥＤ素子は、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く鮮やかな発光色を有することから、近年、照明などに広く利用されている。また、ＬＥＤ素子は、基板上に複数個が直接実装された発光モジュールとして利用される場合がある。さらに、発光モジュールでは、ＬＥＤ素子から出射された光を効率良く利用するために、反射特性の優れた金属基板を利用するのが一般的である。

【0003】

アルミニウム基板の上面に、Ａｇから構成される反射層を設け、反射層の上面に接着層を設け、接着層の上にＡｇ原子の外部への拡散を防止するための拡散防止層を設け、拡散防止層の上面に、低屈折層、酸化チタンから構成される高屈折層、及び、保護層をこの順番で設けた発光素子を搭載するための基板が知られている（例えば、特許文献１を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特表２０１７－５３３８４２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

発光モジュールが所定期間利用されると、反射層のＡｇ原子が発光素子からの熱と光により、高屈折層にまで拡散し、高屈折層の透過率が低下することで、金属基板の反射率が下がってしまうという現象が生じる場合があった。

【0006】

本発明は、長期間使用した場合であっても反射率の低下を抑制する、反射層にＡｇを利用した発光素子搭載用基板を提供すること、及び、そのような基板を利用した発光モジュールを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

発光素子搭載用基板は、金属基材と、金属基材上に形成され且つＡｇを含んで構成される反射層と、反射層上に形成された第１低屈折率層と、第１低屈折率層上に形成され且つ第１低屈折率層より屈折率の高い第１高屈折率層と、第１高屈折率層上に形成され且つ第１高屈折率層より屈折率の小さい第２低屈折率層と、第２低屈折率層上に形成され且つ第２低屈折率層より屈折率の高い第２高屈折率層とを有する。

【0008】

発光素子搭載用基板では、第１高屈折率層のバンドギャップは、第２高屈折率層のバンドギャップより大きいことが好ましい。

【0009】

発光素子搭載用基板では、第１高屈折率層の膜厚は、第２高屈折率層の膜厚より薄いことが好ましい。

【0010】

発光素子搭載用基板では、第１高屈折率層は酸化ハフニウムを含んで構成され、第２高屈折率層は酸化チタンを含んで構成されることが好ましい。

【0011】

発光素子搭載用基板では、第１低屈折率層の膜厚は、第２低屈折率層の膜厚より厚いことが好ましい。

【0012】

発光素子搭載用基板では、第１低屈折率層は、ＳｉＯｘ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＦ₂、ＡｌＦ₃、ＣｅＦ₃、ＹＦ₃、ＢａＦ₂、ＬａＦ₃、ＳｉＡｌＯｘ、ＴｉＡｌＯｘ、及び、ホウケイ酸ガラスの内の１つを含んで構成されることが好ましい。

【0013】

発光モジュールは、上記の発光素子搭載用基板と、発光素子搭載用基板上に直接実装された発光素子と、発光素子の周囲に配置された保持材料と、発光素子を覆い且つ保持材料の内側に保持されている封止材と、を有する。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、長期間使用した場合であっても反射率の低下を抑制する、反射層にＡｇを利用した発光素子搭載用基板を提供すること、及び、そのような基板を利用した発光モジュールを提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】発光モジュール１の平面図および断面図である。

【図2】発光モジュール１の平面図である。

【図3】発光モジュール１の発光スペクトルの一例を示す図である。

【図4】実装基板１０の層構成を示した図である。

【図5】実装基板１０において酸化ハフニウムから構成される第１高屈折率層１７の厚さを変化させたときの反射率の変化を示すシミュレーション結果を示す図である。

【図6】長期耐久試験を実施した後の実施例と比較例による反射率の測定結果を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、図面を参照しつつ、発光素子搭載用基板、及び、それを用いた発光モジュールについて説明する。ただし、本発明は図面または以下に記載される実施形態には限定されないことを理解されたい。

【0017】

図１（ａ）は発光モジュール１の上方視した平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）においてＡＡ´で示した位置における断面図である。

【0018】

発光モジュール１は、主要な構成要素として、実装基板１０、回路基板２０、複数のＬＥＤ素子３０、ダム材４０および封止材５０を有する。発光モジュール１は、例えば、投光器、高天井照明、スタジアムの照明・イルミネーションなどの光源装置のＬＥＤ光源として使用され、白色光を出射する。ただし、発光モジュール１の発光色は、白色以外であっても良い。

【0019】

なお、図１の断面図では、断面部分における要素のみを示し、断面部分よりも奥にある要素は、図示を分かり易くするために表示を省略している。また、発光モジュール１の最上層には蛍光体粒子を含有する不透明な封止材５０が存在するが、便宜上下層の部分は観察可能であるものとして、図１の平面図では下層の部分を実線で示している。また、ダム材４０も不透明であるが、図１では透明であるものとして図示している。なお、図２は、不透明なダム材４０及び封止材５０をそのまま表示するようにした、発光モジュール１の平面図である。

【0020】

図１に示す様に、実装基板１０は、その上面に複数のＬＥＤ素子３０が実装される平坦なアルミニウム製の基板であり、一例として正方形の形状を有する。実装基板１０の詳細については後述する。

【0021】

実装基板１０の上面には、円形の開口部２８を有する回路基板２０が接着剤により付着している。回路基板２０は、ガラスエポキシ素材で形成された絶縁性の基板である。回路基板２０の上面には、配線パターンが形成されている。配線パターンは、円弧形状の第１電極２１、第１電極２１と電気的に接続されている第１端子電極２２、円弧形状の第２電極２３、及び、第２電極２３と電気的に接続されている第２端子電極２４を含んでいる。配線パターンは、例えば、金メッキ層である。

【0022】

第１端子電極２２及び第２端子電極２４は、実装基板１０の対角線上で向かい合う２つの頂点付近に形成されている。第１端子電極２２はアノード（正）電極であり、第２端子電極２４はカソード（負）電極であり、これらに外部電源から電圧が印加されることによって、ＬＥＤ素子３０に通電されて、発光モジュール１は発光する。なお、第１端子電極２２及び第２端子電極２４付近の参照符号２５及び２６は、第１端子電極２２及び第２端子電極２４の極性を示すパターンであり、配線パターンではないが、配線パターンと同じ金メッキ層で形成されている。

【0023】

回路基板２０の上面は、第１端子電極２２、第２端子電極２４、及び、極性パターン２５、２６の表面以外は、第１端子電極２２及び第２端子電極２４間の短絡防止等の為に、不図示のソルダーマスクによって被膜されている。なお、第１端子電極２２及び第２端子電極２４が設けられている対角線上の２つの頂点とは異なる対角線上の２つの角部付近に、発光モジュール１を固定するための貫通穴を設けても良い。

【0024】

実装基板１０上に実装された複数のＬＥＤ素子３０は金線のボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）３２で相互に接続され、更にワイヤで第１電極２１及び第２電極２３とも接続されている。図１の例では、ＬＥＤ素子３０は、５個ずつ５列並列に、第１電極２１及び第２電極２３間に接続されているが、ＬＥＤ素子の直列の個数、並列の列数は任意であって、他の数であっても良い。

【0025】

ＬＥＤ素子３０は、発光素子の一例であり、例えば発光波長帯域が４５０～４６０ｎｍ程度の青色光を発光する青色ＬＥＤである。前述した様に、発光モジュール１では、複数（５×５＝２５個）のＬＥＤ素子３０が実装基板１０上に実装されており、これらは同じ波長の青色光を発光する。ただし、ＬＥＤ素子３０は、青色ＬＥＤに限らず、例えば紫色ＬＥＤまたは近紫外ＬＥＤであっても良く、その発光波長帯域は、紫外域を含む２００～４６０ｎｍ程度の範囲内であっても良い。

【0026】

ＬＥＤ素子３０は上面に一対の素子電極を有する。図１に示すように、隣接するＬＥＤ素子３０の素子電極は、ワイヤ３２により直列に接続され、さらに、両端のＬＥＤ素子３０の素子電極は、第１電極２１又は第２電極２３にワイヤ３２により接続されている。ＬＥＤ素子３０の下面は、例えば透明な絶縁性の接着剤（ダイボンド）などにより、回路基板２０の開口部２８の内側で、実装基板１０の上面に直接固定され実装される。ＬＥＤ素子３０は、後述するように、高機能な実装基板１０上に直接実装されているため、発光モジュールは、高出力の発光を行うことが可能である。

【0027】

参照符号３１で示す部品は、第１電極２１と第２電極２３の間に過電圧が印加されたときにＬＥＤ素子３０を保護するツェナーダイオード素子である。

【0028】

ダム材４０は、実装基板１０上に充填された封止材５０の流出を防ぐ円環状の枠体であり、回路基板２０上の第１電極２１、第２電極２３、及び、ツェナーダイオード素子３１と重なる位置に、それらを覆い複数のＬＥＤ素子３０を取り囲むように形成されている。ダム材４０は、シリコーン樹脂に酸化チタン（又はシリカ）を混合した反射性の白色樹脂で構成されており、複数のＬＥＤ素子３０から側方に出射された光を、発光モジュール１の上方（複数のＬＥＤ素子３０から見て実装基板１０とは反対側）に反射させる。発光モジュール１では、複数のＬＥＤ素子３０からの出射光が実装基板１０およびダム材４０によって上方に反射するので、出射効率が高くなる。なお、ダム材４０は、図１に示す様に、平面視で、円形に配置されているが、楕円形に配置されていても良い。また、ダム材４０の内側を、発光モジュール１の発光エリアと称し、回路基板２０の開口部２８の内側をＬＥＤ素子の実装エリアと称する場合がある。

【0029】

封止材５０は、回路基板２０上に配置されたダム材４０で囲まれる部分に注入（充填）されて略円板状に硬化され、複数のＬＥＤ素子３０を一体に被覆し保護（封止）する。封止材５０としてシリコーン樹脂が用いられるが、無色かつ透明で、２５０℃程度の耐熱性がある他の樹脂を利用することができる。

【0030】

封止材５０には、各ＬＥＤ素子３０からの出射光の波長を変換する蛍光体が混入されている。封止材５０は、こうした蛍光体として、ＹＡＧ（yttrium aluminum garnet）などの黄色蛍光体を含有する。発光モジュール１は、青色ＬＥＤであるＬＥＤ素子３０からの青色光と、それによって黄色蛍光体を励起させて得られる黄色光とを混合させることで得られる白色光を出射する。

【0031】

前述した黄色蛍光体は一例であって、封止材５０は、他の蛍光体を含有することもできる。例えば、封止材５０は、緑色蛍光体と赤色蛍光体の２種類を含有してもよい。この場合、発光モジュール１は、青色ＬＥＤであるＬＥＤ素子３０からの青色光と、それによって緑色蛍光体および赤色蛍光体を励起させて得られる緑色光および赤色光とを混合させることで得られる白色光を出射する。緑色蛍光体としては、ＬＥＤ素子３０が出射した青色光を吸収して緑色光に波長変換する、（ＢａＳｒ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺などの粒子状の蛍光体材料を用いることができる。赤色蛍光体としては、ＬＥＤ素子３０が出射した青色光を吸収して赤色光に波長変換する、ＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺などの粒子状の蛍光体材料を用いることができる。

【0032】

前述した緑色蛍光体及び赤色蛍光体は一例であって、封止材５０は、前述した黄色蛍光体に少量の緑色蛍光体や少量の赤色蛍光体を添加しても良い。この場合、発光モジュール１は、青色ＬＥＤであるＬＥＤ素子３０からの青色光と、それによって黄色蛍光体を励起させて得られる黄色光とを混合させることで得られる白色光を基本とし、同じく励起された緑色光や赤色光も混合されることで、前述の組み合わせほどではないが、演色性を高めた白色光を出射することができる。

【0033】

図３は、発光モジュール１の発光スペクトルの一例を示す図である。

【0034】

図３の縦軸は相対放射強度を示し、横軸は波長を示している。図３は、発光モジュール１が、青色ＬＥＤであるＬＥＤ素子３０とＹＡＧ系の黄色蛍光体とにより白色光を出力する場合の発光スペクトルの一例を示している。なお、発光スペクトルは、青色ＬＥＤによる４５０ｎｍの放射強度が１．０となる様に調整されている。図中で、約５８０ｎｍの部分のピークは、ＹＡＧ系の黄色蛍光体による光出射である。

【0035】

図４は、実装基板１０の層構成を示す図である。

【0036】

金属基材１１は、コア１１ａ、コア１１ａの表面及び裏面上に設けられたロールクラッド１１ｂ、およびロールクラッド１１ｂ上に設けられた陽極酸化層１１ｃを有している。コア１１ａは、アルミニウム、アルミニウム合金等から構成される。ロールクラッド１１ｂは、高純度アルミニウム（例えば、純度９９．５％以上）から構成されているが、必ずしも設けなくとも良い。陽極酸化層１１ｃはアルミニウム表面の陽極酸化によって製造された層であって、Ａｌ₂Ｏ₃から構成されている。金属基材１１は、０．３～２．０ｍｍの層厚を有することが好ましいが、製品に応じて様々な厚さとすることが可能である。

【0037】

金属基材１１において、ＬＥＤ素子３０が実装される側の表面には、接着・拡散バリア層１２が設けられている。接着・拡散バリア層１２は、金属基材１１に対する接着性を改善し、拡散バリアとして機能する層であって、チタン、ジルコニウム、モリブデン、プラチナ、クロム、及び、それらの酸化物の内の１つを含んで構成されるが、ＴｉＯｘが好ましく、更に２～５０ｎｍの層厚を有することが好ましい。

【0038】

接着・拡散バリア層１２上には拡散バリア層１３が設けられている。拡散バリア層１３は、後述する反射層に含まれる金属原子の拡散を防止し、反射層の接着性を高めるための層である。拡散バリア層１３としては、ＮｉＶ、Ｃｕ、ステンレス鋼の内の１つを含んで構成されるが、ＮｉＶであることが好ましく、更に５～５０ｎｍの層厚を有することが好ましい。

【0039】

拡散バリア層１３上には、高純度（９９．９％以上）の銀から構成される反射層１４が設けられている。反射層１４は、５０ｎｍ～３００ｎｍの層厚を有することが好ましい。

【0040】

反射層１４上には、接着・拡散バリア層１５が設けられている。接着・拡散バリア層１５は、反射層１４に対する接着性を改善し、拡散バリアとして機能する層であって、チタン、ジルコニウム、モリブデン、プラチナ、クロム、及び、それらの酸化物の内の１つを含んで構成されるが、ＣｒＯｘであることが好ましく、更に２～２０ｎｍの層厚を有することが好ましい。

【0041】

接着・拡散バリア層１５上には、後述する第１高屈折率層１７に対して低い屈折率を有する第１低屈折率層１６が設けられている。第１低屈折率層１６は、ＳｉＯｘ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＦ₂、ＡｌＦ₃、ＣｅＦ₃、ＹＦ₃、ＢａＦ₂、ＬａＦ₃、ＳｉＡｌＯｘ、ＴｉＡｌＯｘ、及び、ホウケイ酸ガラスの内の１つを含んで構成されるが、ＳｉＯ₂であることが好ましく、更に１０～２００ｎｍの層厚を有することが好ましい。

【0042】

第１低屈折率層１６上には、第１低屈折率層１６に対して高い屈折率を有する第１高屈折率層１７が設けられている。第１高屈折率層１７は、屈折率が１．９０であり且つバンドギャップが５～６ｅＶであるＨｆＯｘから構成され、１０～２００ｎｍの層厚を有することが好ましい。

【0043】

第１高屈折率層１７上には、後述する第２高屈折率層１９に対して低い屈折率を有する第２低屈折率層１８が設けられている。第２低屈折率層１８は、ＳｉＯｘ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＦ₂、ＡｌＦ₃、ＣｅＦ₃、ＹＦ₃、ＢａＦ₂、ＬａＦ₃、ＳｉＡｌＯｘ、ＴｉＡｌＯｘ、及び、ホウケイ酸ガラスの内の１つを含んで構成されるが、ＳｉＯ₂であることが好ましく、更に１０～２００ｎｍの層厚を有することが好ましい。

【0044】

第２低屈折率層１８上には、第２低屈折率層１８に対して高い屈折率を有する第２高屈折率層１９が設けられている。第２高屈折率層１９は、屈折率が２．７２であり且つバンドギャップが３．０ｅＶ又は３．２ｅＶであるＴｉＯｘから構成され、１０～２００ｎｍの層厚を有することが好ましい。

【0045】

第２高屈折率層１９上には、図４には示していないが、所定の保護層を設けても良い。

【0046】

実装基板１０では、第２高屈折層１９を構成するＴｉＯ₂よりもバンドギャップが大きいＨｆＯｘから構成される第１高屈折率層１７が銀から構成される反射層１４と第２高屈折層１９との間に配置される。第１高屈折率層１７を構成するＨｆＯｘは、バンドギャップが大きいため、ＨｆＯｘに拡散した銀イオンが光触媒効果により銀の粒子として析出する量を抑制することができる。実装基板１０では、第１高屈折率層１７を構成するＨｆＯｘが析出する銀の量を抑制することで、反射層１４の反射率の低下を抑制することができる。

【0047】

実装基板１０において第１高屈折率層１７を構成するＨｆＯｘは、第２高屈折率層１９を構成するＴｉＯｘよりもバンドギャップが大きいが、第２高屈折率層１９を構成するＴｉＯｘよりも屈折率が低い。実装基板１０では、屈折率が高い第２高屈折率層１９の膜厚を屈折率が低い第１高屈折率層１７の膜厚よりも厚くすることで、透過率の低下による実装基板１０の反射率の低下を抑制することができる。

【0048】

なお、実装基板１０では、第１高屈折率層１７はＨｆＯｘから構成されるが、実施形態に係る実装基板では、第１高屈折率層は、第２高屈折率層１９を構成するＴｉＯｘよりもバンドギャップが大きければよい。例えば、第１高屈折率層は、バンドギャップが３．４ｅＶである酸化ニオブから構成されてもよく、バンドギャップが５ｅＶである酸化ジルコニアから構成されてもよく、バンドギャップが３．８～５．３ｅＶである五酸化タンタルから構成されてもよい。

【0049】

図５は、図４に示した層構成の実装基板１０において酸化ハフニウムから構成される第１高屈折率層１７の厚さを変化させたときの反射率の変化を示すシミュレーション結果を示す図である。図５において横軸は実装基板１０に入射する光の波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示す。図５において、曲線５１は第１高屈折率層１７の厚さが１０ｎｍであるときの反射率を示し、曲線５２は第１高屈折率層１７の厚さが２０ｎｍであるときの反射率を示し、曲線５３は第１高屈折率層１７の厚さが３０ｎｍであるときの反射率を示す。

【0050】

青色の光に対応する波長である４６０ｎｍでは、第１高屈折率層１７の厚さが１０ｎｍ２０ｎｍ及び３０ｎｍであるときの反射率はそれぞれ９６．３％、９６．０％及び９５．３％である。青色の光に対応する波長領域では、第１高屈折率層１７の厚さが厚くなるに従って反射率は低下する。

【0051】

緑色の光に対応する波長である５２０ｎｍでは、第１高屈折率層１７の厚さが１０ｎｍ２０ｎｍ及び３０ｎｍであるときの反射率は何れも９７．３である。緑色の光に対応する波長領域では、第１高屈折率層１７の厚さが変化しても反射率はほぼ変化しない。

【0052】

赤色の光に対応する波長である６５０ｎｍでは、第１高屈折率層１７の厚さが１０ｎｍ２０ｎｍ及び３０ｎｍであるときの反射率はそれぞれ９６．９％、９７．６％及び９７．８％である。赤色の光に対応する波長領域では、第１高屈折率層１７の厚さが厚くなるに従って反射率は上昇する。

【0053】

（実施例）
実施例１として、以下に示すような、図４に示した層構成の実装基板１０を製造した。
金属基材１１：アルミニウムコア
反射層１４：Ａｇ、層厚１００ｎｍ
接着・拡散バリア層１５：ＣｒＯｘ、層厚５ｎｍ
第１低屈折率層１６：ＳｉＯ₂、層厚５０ｎｍ
第１高屈折率層１７：ＨｆＯｘ、層厚２５ｎｍ
第２低屈折率層１８：ＳｉＯ₂、層厚２０ｎｍ
第２高屈折率層１９：ＴｉＯ₂、層厚４０ｎｍ

【0054】

実施例１として製造した実装基板を用い、長期耐久試験を行った後に、反射率を測定した測定結果を図６の６０として示す。

【0055】

（比較例）
比較例１として、以下に示すような、図４に示した層構成の実装基板１０を製造した。なお、比較例では、第２低屈折率層及び第２高屈折率層は設けていない。
金属基材１１：アルミニウムコア
反射層１４：Ａｇ、層厚１００ｎｍ
接着・拡散バリア層１５：ＣｒＯｘ、層厚５ｎｍ
第１低屈折率層１６：ＳｉＯ₂、層厚５０ｎｍ
第１高屈折率層１７：ＴｉＯ₂、層厚２０ｎｍ

【0056】

比較例１として製造した実装基板を用い、長期耐久試験を行った後に、反射率を測定した測定結果を図６の６１として示す。また、長期耐久試験を行う前に、実施例１及び比較例に係る実装基板の反射率の測定結果を図５の６２として示す。

【0057】

図６は、実施例と比較例による反射率の測定結果を示す図である。

【0058】

図６では、縦軸に反射率（％）を横軸に波長を示している。実装基板１０の性能を判断する場合、図３に示す様に、発光モジュール１の発光スペクトルは、ほぼ４００ｎｍ～８００ｎｍの範囲に入るので、この間の反射率を考慮すればよい。

【0059】

図６に示す様に、第１低屈折率層１６及び第１高屈折率層１７と、第２低屈折率層１８及び第２高屈折率層１９とを有する実施例１に係る実装基板の方が、第２低屈折率層１８及び第２屈折率層１９を有しない比較例１に係る実装基板よりも、４００ｎｍ～８００ｎｍのほぼ全ての波長において反射率が高いことが判明した。

【符号の説明】

【0060】

１ 発光モジュール
１０ 実装基板
２０ 回路基板
２１ 第１電極
２２ 第１端子電極
２３ 第２電極
２４ 第２端子電極
３０ ＬＥＤ素子
３２ ボンディングワイヤ
４０ ダム材
５０ 封止材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】