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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022132316
(43)【公開日】2022-09-08
(54)【発明の名称】導電材料
(51)【国際特許分類】
H01B 5/00 20060101AFI20220901BHJP
H01R 11/01 20060101ALI20220901BHJP
【ＦＩ】
H01B5/00 G
H01B5/00 C
H01R11/01 501A
H01R11/01 501E
【審査請求】有
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022105740
(22)【出願日】2022-06-30
(62)【分割の表示】P 2020100864の分割
【原出願日】2015-10-13
(31)【優先権主張番号】P 2014220448
(32)【優先日】2014-10-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000108410
【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100113424
【弁理士】
【氏名又は名称】野口 信博
(72)【発明者】
【氏名】平山 堅一
(72)【発明者】
【氏名】久保出 裕美
(72)【発明者】
【氏名】江島 康二
(57)【要約】
【課題】酸化物層に対して優れた導通信頼性が得られる導電材料を提供する。
【解決手段】導電材料は、樹脂コア粒子１０と、樹脂コア粒子１０の表面に複数配置され
、突起３０ａを形成する絶縁性粒子２０と、樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０の表面
に配置される導電層３０とを備え、絶縁性粒子２０のモース硬度が、７より大きい導電性
粒子を含有する。これにより、導電性粒子が電極表面の酸化物層を突き破って十分に食い
込み、優れた導通信頼性が得られる。
【選択図】図１
【解決手段】導電材料は、樹脂コア粒子１０と、樹脂コア粒子１０の表面に複数配置され
、突起３０ａを形成する絶縁性粒子２０と、樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０の表面
に配置される導電層３０とを備え、絶縁性粒子２０のモース硬度が、７より大きい導電性
粒子を含有する。これにより、導電性粒子が電極表面の酸化物層を突き破って十分に食い
込み、優れた導通信頼性が得られる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数配置され、突起を形成する絶縁性粒子
と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁
性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を含有する導電材料。
と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁
性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を含有する導電材料。
【請求項2】
前記導電性粒子の導電層が、ニッケル又はニッケル合金である請求項１記載の導電材料
。
。
【請求項3】
前記導電性粒子の絶縁性粒子が、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン、及びダイ
ヤモンドの内の少なくとも１種以上である請求項１又は２記載の導電材料。
ヤモンドの内の少なくとも１種以上である請求項１又は２記載の導電材料。
【請求項4】
前記導電性粒子の絶縁性粒子の平均粒子径が、５０～２５０ｎｍであり、
前記導電性粒子の樹脂コア粒子の表面に形成された突起の個数が、１～５００である請
求項１～３のいずれか１項に記載の導電材料。
前記導電性粒子の樹脂コア粒子の表面に形成された突起の個数が、１～５００である請
求項１～３のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項5】
前記導電性粒子の樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２０
０００Ｎ／ｍｍ２である請求項１～４のいずれか１項に記載の導電材料。
０００Ｎ／ｍｍ２である請求項１～４のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項6】
プラスチック基板上の酸化物層が設けられた端子を接続する請求項１～５のいずれか１
項に記載の導電材料。
項に記載の導電材料。
【請求項7】
樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数配置され、突起を形成する絶縁性粒子
と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁
性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子により第１の回路部材の端子と第２の回
路部材の端子とが接続されてなる接続構造体。
と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁
性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子により第１の回路部材の端子と第２の回
路部材の端子とが接続されてなる接続構造体。
【請求項8】
樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数配置され、突起を形成する絶縁性粒子
と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁
性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を含有する導電材料を介して、第１の回
路部材の端子と第２の回路部材の端子とを圧着する接続構造体の製造方法。
と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁
性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を含有する導電材料を介して、第１の回
路部材の端子と第２の回路部材の端子とを圧着する接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回路部材同士を電気的に接続する導電材料に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、回路部材の配線として、生産コストが高いＩＴＯ（Indium Tin Oxide）に代わっ
て、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）が用いられている。ＩＺＯ配線は、表面が平滑であり
、表面に酸化物層（不動態）が形成されている。また、例えばアルミニウム配線では、腐
食を防止するために表面にＴｉＯ２などの酸化物層の保護層が形成されることがある。
て、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）が用いられている。ＩＺＯ配線は、表面が平滑であり
、表面に酸化物層（不動態）が形成されている。また、例えばアルミニウム配線では、腐
食を防止するために表面にＴｉＯ２などの酸化物層の保護層が形成されることがある。
【0003】
しかしながら、酸化物層は硬いため、従来の導電材料では、導電性粒子が酸化物層を突
き破って十分に食い込まず、十分な導通信頼性が得られないことがあった。
き破って十分に食い込まず、十分な導通信頼性が得られないことがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１３－１４９６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、酸化物層に対して優
れた導通信頼性が得られる導電材料を提供する。
れた導通信頼性が得られる導電材料を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者は、鋭意検討を行った結果、導電性粒子の突起を形成する絶縁性粒子のモース
硬度を所定値よりも大きいものとすることにより、優れた導通抵抗が得られることを見出
した。
硬度を所定値よりも大きいものとすることにより、優れた導通抵抗が得られることを見出
した。
【0007】
すなわち、本発明に係る導電材料は、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数
配置され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に
配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を
含有することを特徴とする。
配置され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に
配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を
含有することを特徴とする。
【0008】
また、本発明に係る接続構造体は、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数配
置され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配
置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子によ
り第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とが接続されてなることを特徴とする。
置され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配
置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子によ
り第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とが接続されてなることを特徴とする。
【0009】
また、本発明に係る接続構造体の製造方法は、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表
面に複数配置され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子
の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電
性粒子を含有する導電材料を介して、第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを
圧着することを特徴とする。
面に複数配置され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子
の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電
性粒子を含有する導電材料を介して、第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを
圧着することを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、突起を形成する絶縁性粒子のモース硬度が大きいため、導電性粒子が
電極表面の酸化物層を突き破って十分に食い込み、優れた導通信頼性が得られる。
電極表面の酸化物層を突き破って十分に食い込み、優れた導通信頼性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する
。
１．導電性粒子
２．導電材料
３．接続構造体の製造方法
４．実施例
。
１．導電性粒子
２．導電材料
３．接続構造体の製造方法
４．実施例
【0013】
＜１．導電性粒子＞
本実施の形態に係る導電性粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数配置さ
れ、突起を形成する絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される
導電層とを備え、絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きいものである。これにより、導
電性粒子が電極表面の酸化物層を突き破って十分に食い込み、優れた導通信頼性が得られ
る。特に、被着体である回路部材が、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）基板など
の低弾性率のプラスチック基板である場合、圧着時の圧力を高くすることなく、基材変形
の影響を軽減して低抵抗を実現できるため、非常に有効である。
本実施の形態に係る導電性粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数配置さ
れ、突起を形成する絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される
導電層とを備え、絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きいものである。これにより、導
電性粒子が電極表面の酸化物層を突き破って十分に食い込み、優れた導通信頼性が得られ
る。特に、被着体である回路部材が、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）基板など
の低弾性率のプラスチック基板である場合、圧着時の圧力を高くすることなく、基材変形
の影響を軽減して低抵抗を実現できるため、非常に有効である。
【0014】
［第１の構成例］
図１は、導電性粒子の第１の構成例の概略を示す断面図である。第１の構成例の導電性
粒子は、樹脂コア粒子１０と、樹脂コア粒子１０の表面に複数付着され、突起３０ａの芯
材となる絶縁性粒子２０と、樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０を被覆する導電層３０
とを備える。
図１は、導電性粒子の第１の構成例の概略を示す断面図である。第１の構成例の導電性
粒子は、樹脂コア粒子１０と、樹脂コア粒子１０の表面に複数付着され、突起３０ａの芯
材となる絶縁性粒子２０と、樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０を被覆する導電層３０
とを備える。
【0015】
樹脂コア粒子１０としては、ベンゾグアナミン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、シ
リコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂などが挙げられ、また、これらの樹脂を構成するモノ
マーに基づく繰り返し単位の少なくとも２種以上を組み合わせた構造を有する共重合体が
挙げられる。これらの中でも、ジビニルベンゼン、テトラメチロールメタンテトラアクリ
レート、及びスチレンを組合せて得られる共重合体を用いることが好ましい。
リコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂などが挙げられ、また、これらの樹脂を構成するモノ
マーに基づく繰り返し単位の少なくとも２種以上を組み合わせた構造を有する共重合体が
挙げられる。これらの中でも、ジビニルベンゼン、テトラメチロールメタンテトラアクリ
レート、及びスチレンを組合せて得られる共重合体を用いることが好ましい。
【0016】
また、樹脂コア粒子１０は、２０％圧縮されたときの圧縮弾性率（２０％Ｋ値）が５０
０～２００００Ｎ／ｍｍ２であることが好ましい。樹脂コア粒子１０の２０％Ｋ値が上記
範囲内であることにより、結果的に突起が電極表面の酸化物層を突き破ることができる。
このため、電極と導電性粒子の導電層とが十分に接触し、電極間の接続抵抗を低下させる
ことができる。
０～２００００Ｎ／ｍｍ２であることが好ましい。樹脂コア粒子１０の２０％Ｋ値が上記
範囲内であることにより、結果的に突起が電極表面の酸化物層を突き破ることができる。
このため、電極と導電性粒子の導電層とが十分に接触し、電極間の接続抵抗を低下させる
ことができる。
【0017】
樹脂コア粒子１０の圧縮弾性率（２０％Ｋ値）は、次のように測定することできる。微
小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、圧縮
速度２．６ｍＮ／秒、及び最大試験荷重１０ｇｆの条件下で導電性粒子を圧縮する。この
ときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、圧縮弾性率
（２０％Ｋ値）を下記式により求めることができる。なお、微小圧縮試験機として、例え
ば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられる。
Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ－３／２・Ｒ－１／２
Ｆ：導電性粒子が２０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：導電性粒子が２０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：導電性粒子の半径（ｍｍ）
小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、圧縮
速度２．６ｍＮ／秒、及び最大試験荷重１０ｇｆの条件下で導電性粒子を圧縮する。この
ときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、圧縮弾性率
（２０％Ｋ値）を下記式により求めることができる。なお、微小圧縮試験機として、例え
ば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられる。
Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ－３／２・Ｒ－１／２
Ｆ：導電性粒子が２０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：導電性粒子が２０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：導電性粒子の半径（ｍｍ）
【0018】
樹脂コア粒子１０の平均粒子径は、２～１０μｍであることが好ましい。本明細書にお
いて、平均粒子径とは、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５
０％での粒径（Ｄ５０）を意味する。
いて、平均粒子径とは、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５
０％での粒径（Ｄ５０）を意味する。
【0019】
絶縁性粒子２０は、樹脂コア粒子１０の表面に複数付着され、電極表面の酸化物層を突
き破るための突起３０ａの芯材となる。絶縁性粒子２０は、モース硬度が７より大きく、
９以上であることが好ましい。絶縁性粒子２０の硬度が高いことにより、突起３０ａが電
極表面の酸化物を突き破ることができる。また、突起３０ａの芯材が絶縁性粒子２０であ
ることにより、導電性粒子を使用したときに比べマイグレーションの要因が少なくなる。
き破るための突起３０ａの芯材となる。絶縁性粒子２０は、モース硬度が７より大きく、
９以上であることが好ましい。絶縁性粒子２０の硬度が高いことにより、突起３０ａが電
極表面の酸化物を突き破ることができる。また、突起３０ａの芯材が絶縁性粒子２０であ
ることにより、導電性粒子を使用したときに比べマイグレーションの要因が少なくなる。
【0020】
絶縁性粒子２０としては、ジルコニア（モース硬度８～９）、アルミナ（モース硬度９
）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）などが挙げ
られ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの
中でも、経済性の観点からアルミナを用いることが好ましい。
）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）などが挙げ
られ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの
中でも、経済性の観点からアルミナを用いることが好ましい。
【0021】
また、絶縁性粒子２０の平均粒子径は、好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より
好ましくは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。また、樹脂コア粒子２０の表面に形成
された突起の個数は、好ましくは１～５００、より好ましくは３０～２００である。この
ような平均粒子径の絶縁性粒子２０を用いて、樹脂コア粒子２０の表面に所定数の突起３
０ａを形成することにより、突起３０ａが電極表面の酸化物を突き破り、電極間の接続抵
抗を効果的に低くすることができる。
好ましくは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。また、樹脂コア粒子２０の表面に形成
された突起の個数は、好ましくは１～５００、より好ましくは３０～２００である。この
ような平均粒子径の絶縁性粒子２０を用いて、樹脂コア粒子２０の表面に所定数の突起３
０ａを形成することにより、突起３０ａが電極表面の酸化物を突き破り、電極間の接続抵
抗を効果的に低くすることができる。
【0022】
導電層３０は、樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０を被覆し、複数の絶縁性粒子２０
により隆起された突起３０ａを有する。導電層３０は、ニッケル又はニッケル合金である
ことが好ましい。ニッケル合金としては、Ｎｉ－Ｗ－Ｂ、Ｎｉ－Ｗ－Ｐ、Ｎｉ－Ｗ、Ｎｉ
－Ｂ、Ｎｉ－Ｐなどが挙げられる。これらの中でも、低抵抗であるＮｉ－Ｗ－Ｂを用いる
ことが好ましい。
により隆起された突起３０ａを有する。導電層３０は、ニッケル又はニッケル合金である
ことが好ましい。ニッケル合金としては、Ｎｉ－Ｗ－Ｂ、Ｎｉ－Ｗ－Ｐ、Ｎｉ－Ｗ、Ｎｉ
－Ｂ、Ｎｉ－Ｐなどが挙げられる。これらの中でも、低抵抗であるＮｉ－Ｗ－Ｂを用いる
ことが好ましい。
【0023】
また、導電層３０の厚みは、好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ましくは
８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。導電層３０の厚みが小さすぎると導電性粒子として
機能させるのが困難となり、厚みが大きすぎると突起３０ａの高さがなくなってしまう。
８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。導電層３０の厚みが小さすぎると導電性粒子として
機能させるのが困難となり、厚みが大きすぎると突起３０ａの高さがなくなってしまう。
【0024】
第１の構成例の導電性粒子は、樹脂コア粒子１０の表面に絶縁性粒子２０を付着させた
後、導電層３０を形成する方法により得ることができる。また、樹脂コア粒子１０の表面
上に絶縁性粒子２０を付着させる方法としては、例えば、樹脂コア粒子１０の分散液中に
、絶縁性粒子２０を添加し、樹脂コア粒子１０の表面に絶縁性粒子２０を、例えば、ファ
ンデルワールス力により集積させ、付着させることなどが挙げられる。また、導電層を形
成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的
蒸着による方法などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である無電解めっ
きによる方法が好ましい。
後、導電層３０を形成する方法により得ることができる。また、樹脂コア粒子１０の表面
上に絶縁性粒子２０を付着させる方法としては、例えば、樹脂コア粒子１０の分散液中に
、絶縁性粒子２０を添加し、樹脂コア粒子１０の表面に絶縁性粒子２０を、例えば、ファ
ンデルワールス力により集積させ、付着させることなどが挙げられる。また、導電層を形
成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的
蒸着による方法などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である無電解めっ
きによる方法が好ましい。
【0025】
［第２の構成例］
図２は、導電性粒子の第２の構成例の概略を示す断面図である。第２の構成例の導電性
粒子は、樹脂コア粒子１０と、樹脂コア粒子１０の表面に複数付着され、突起３２ａの芯
材となる絶縁性粒子２０と、樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０の表面を被覆する第１
の導電層３１と、導電層３１を被覆する第２の導電層３２とを備える。すなわち、第２の
構成例は、第１の構成例の導電層３０を２層構造としたものである。導電層を２層構造と
することにより、最外殻を構成する第２の導電層３２の密着性を向上させ、導通抵抗を低
下させることができる。
図２は、導電性粒子の第２の構成例の概略を示す断面図である。第２の構成例の導電性
粒子は、樹脂コア粒子１０と、樹脂コア粒子１０の表面に複数付着され、突起３２ａの芯
材となる絶縁性粒子２０と、樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０の表面を被覆する第１
の導電層３１と、導電層３１を被覆する第２の導電層３２とを備える。すなわち、第２の
構成例は、第１の構成例の導電層３０を２層構造としたものである。導電層を２層構造と
することにより、最外殻を構成する第２の導電層３２の密着性を向上させ、導通抵抗を低
下させることができる。
【0026】
樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０は、第１の構成例と同様のため、ここでは説明を
省略する。
省略する。
【0027】
第１の導電層３１は、樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０の表面を被覆し、第２の導
電層３２の下地となる。第１の導電層３１としては、第２の導電層３２の密着性が向上さ
れれば特に限定されず、例えば、ニッケル、ニッケル合金、銅、銀などが挙げられる。
電層３２の下地となる。第１の導電層３１としては、第２の導電層３２の密着性が向上さ
れれば特に限定されず、例えば、ニッケル、ニッケル合金、銅、銀などが挙げられる。
【0028】
第２の導電層３２は、第１の導電層３１を被覆し、複数の絶縁性粒子２０により隆起さ
れた突起３２ａを有する。第２の導電層３２は、第１の構成例と同様、ニッケル又はニッ
ケル合金であることが好ましい。ニッケル合金としては、Ｎｉ－Ｗ－Ｂ、Ｎｉ－Ｗ－Ｐ、
Ｎｉ－Ｗ、Ｎｉ－Ｂ、Ｎｉ－Ｐなどが挙げられる。これらの中でも、低抵抗であるＮｉ－
Ｗ－Ｂを用いることが好ましい。
れた突起３２ａを有する。第２の導電層３２は、第１の構成例と同様、ニッケル又はニッ
ケル合金であることが好ましい。ニッケル合金としては、Ｎｉ－Ｗ－Ｂ、Ｎｉ－Ｗ－Ｐ、
Ｎｉ－Ｗ、Ｎｉ－Ｂ、Ｎｉ－Ｐなどが挙げられる。これらの中でも、低抵抗であるＮｉ－
Ｗ－Ｂを用いることが好ましい。
【0029】
また、第１の導電層３１及び第２の導電層３２の総厚みは、第１の構成例の導電層３０
と同様、好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以上１５０ｎ
ｍ以下である。総厚みが小さすぎると導電性粒子として機能させるのが困難となり、総厚
みが大きすぎると突起３２ａの高さがなくなってしまう。
と同様、好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以上１５０ｎ
ｍ以下である。総厚みが小さすぎると導電性粒子として機能させるのが困難となり、総厚
みが大きすぎると突起３２ａの高さがなくなってしまう。
【0030】
第２の構成例の導電性粒子は、樹脂コア粒子１０の表面に絶縁性粒子２０を付着させた
後、第１の導電層３１を形成した後、第２の導電層３２を形成する方法により得ることが
できる。また、樹脂コア粒子１０の表面上に絶縁性粒子２０を付着させる方法としては、
例えば、樹脂コア粒子１０の分散液中に、絶縁性粒子２０を添加し、樹脂コア粒子１０の
表面に絶縁性粒子２０を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させるこ
となどが挙げられる。また、第１の導電層３１及び第２の導電層３２を形成する方法とし
ては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法
などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である無電解めっきによる方法が
好ましい。
後、第１の導電層３１を形成した後、第２の導電層３２を形成する方法により得ることが
できる。また、樹脂コア粒子１０の表面上に絶縁性粒子２０を付着させる方法としては、
例えば、樹脂コア粒子１０の分散液中に、絶縁性粒子２０を添加し、樹脂コア粒子１０の
表面に絶縁性粒子２０を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させるこ
となどが挙げられる。また、第１の導電層３１及び第２の導電層３２を形成する方法とし
ては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法
などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である無電解めっきによる方法が
好ましい。
【0031】
［第３の構成例］
図３は、導電性粒子の第３の構成例の概略を示す断面図である。第３の構成例の導電性
粒子は、樹脂コア粒子１０と、樹脂コア粒子１０の表面を被覆する第１の導電層３３と、
第１の導電層３３の表面に複数付着され、突起３４ａの芯材となる絶縁性粒子２０と、第
１の導電層３３及び絶縁性粒子２０の表面を被覆する第２の導電層３４とを備える。すな
わち、第３の構成例は、第１の導電層３３の表面に絶縁性粒子２０を付着させ、さらに第
２の導電層３４を形成したものである。これにより、圧着時に絶縁性粒子２０が樹脂コア
粒子１０に食い込むのを防止し、突起が電極表面の酸化物層を容易に突き破ることができ
る。
図３は、導電性粒子の第３の構成例の概略を示す断面図である。第３の構成例の導電性
粒子は、樹脂コア粒子１０と、樹脂コア粒子１０の表面を被覆する第１の導電層３３と、
第１の導電層３３の表面に複数付着され、突起３４ａの芯材となる絶縁性粒子２０と、第
１の導電層３３及び絶縁性粒子２０の表面を被覆する第２の導電層３４とを備える。すな
わち、第３の構成例は、第１の導電層３３の表面に絶縁性粒子２０を付着させ、さらに第
２の導電層３４を形成したものである。これにより、圧着時に絶縁性粒子２０が樹脂コア
粒子１０に食い込むのを防止し、突起が電極表面の酸化物層を容易に突き破ることができ
る。
【0032】
樹脂コア粒子１０及び絶縁性粒子２０は、第１の構成例と同様のため、ここでは説明を
省略する。
省略する。
【0033】
第１の導電層３３は、樹脂コア粒子１０の表面を被覆し、絶縁性粒子２０の付着面及び
第２の導電層３４の下地となる。第１の導電層３３としては、第２の導電層３４の密着性
が向上されれば特に限定されず、例えば、ニッケル、ニッケル合金、銅、銀などが挙げら
れる。
第２の導電層３４の下地となる。第１の導電層３３としては、第２の導電層３４の密着性
が向上されれば特に限定されず、例えば、ニッケル、ニッケル合金、銅、銀などが挙げら
れる。
【0034】
また、第１の導電層３３の厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好ま
しくは５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。厚みが大きすぎると樹脂コア粒子１０の弾性
の効果が低下するため、導通信頼性が低下してしまう。
しくは５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。厚みが大きすぎると樹脂コア粒子１０の弾性
の効果が低下するため、導通信頼性が低下してしまう。
【0035】
第２の導電層３４は、絶縁性粒子２０及び第１の導電層３３を被覆し、複数の絶縁性粒
子２０により隆起された突起３４ａを有する。第２の導電層３４は、第１の構成例と同様
、ニッケル又はニッケル合金であることが好ましい。ニッケル合金としては、Ｎｉ－Ｗ－
Ｂ、Ｎｉ－Ｗ－Ｐ、Ｎｉ－Ｗ、Ｎｉ－Ｂ、Ｎｉ－Ｐなどが挙げられる。これらの中でも、
低抵抗であるＮｉ－Ｗ－Ｂを用いることが好ましい。
子２０により隆起された突起３４ａを有する。第２の導電層３４は、第１の構成例と同様
、ニッケル又はニッケル合金であることが好ましい。ニッケル合金としては、Ｎｉ－Ｗ－
Ｂ、Ｎｉ－Ｗ－Ｐ、Ｎｉ－Ｗ、Ｎｉ－Ｂ、Ｎｉ－Ｐなどが挙げられる。これらの中でも、
低抵抗であるＮｉ－Ｗ－Ｂを用いることが好ましい。
【0036】
また、第２の導電層３４の厚みは、第１の構成例の導電層３０と同様、好ましくは５０
ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。総厚みが
小さすぎると導電性粒子として機能させるのが困難となり、総厚みが大きすぎると突起３
４ａの高さがなくなってしまう。
ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。総厚みが
小さすぎると導電性粒子として機能させるのが困難となり、総厚みが大きすぎると突起３
４ａの高さがなくなってしまう。
【0037】
第３の構成例の導電性粒子は、樹脂コア粒子１０の表面に第１の導電層３３を形成した
後、絶縁性粒子２０を付着させ、第２の導電層３４を形成する方法により得ることができ
る。また、第１の導電層３３の表面上に絶縁性粒子２０を付着させる方法としては、例え
ば、第１の導電層３３が形成された樹脂コア粒子１０の分散液中に、絶縁性粒子２０を添
加し、第１の導電層３３の表面に絶縁性粒子２０を、例えば、ファンデルワールス力によ
り集積させ、付着させることなどが挙げられる。また、第１の導電層３３及び第２の導電
層３４を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方
法、物理的蒸着による方法などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である
無電解めっきによる方法が好ましい。
後、絶縁性粒子２０を付着させ、第２の導電層３４を形成する方法により得ることができ
る。また、第１の導電層３３の表面上に絶縁性粒子２０を付着させる方法としては、例え
ば、第１の導電層３３が形成された樹脂コア粒子１０の分散液中に、絶縁性粒子２０を添
加し、第１の導電層３３の表面に絶縁性粒子２０を、例えば、ファンデルワールス力によ
り集積させ、付着させることなどが挙げられる。また、第１の導電層３３及び第２の導電
層３４を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方
法、物理的蒸着による方法などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である
無電解めっきによる方法が好ましい。
【0038】
＜２．導電材料＞
本実施の形態に係る導電材料は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数配置され
、突起を形成する絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子の表面に配置される導電層
とを備え、絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を含有する。導電材料と
しては、フィルム状、ペースト状などの形状が挙げられ、例えば、異方性導電フィルム（
ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Anisotropic C
onductive Paste）などが挙げられる。また、導電材料の硬化型としては、熱硬化型、光
硬化型、光熱併用硬化型などが挙げられる。
本実施の形態に係る導電材料は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数配置され
、突起を形成する絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子の表面に配置される導電層
とを備え、絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を含有する。導電材料と
しては、フィルム状、ペースト状などの形状が挙げられ、例えば、異方性導電フィルム（
ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Anisotropic C
onductive Paste）などが挙げられる。また、導電材料の硬化型としては、熱硬化型、光
硬化型、光熱併用硬化型などが挙げられる。
【0039】
以下では、導電性粒子を含有するＡＣＦ層と導電性粒子を含有しないＮＣＦ（Non Cond
uctive Film）層とが積層された２層構造の熱硬化型の異方性導電フィルムを例に挙げて
説明する。また、熱硬化型の異方性導電フィルムとしては、例えば、カチオン硬化型、ア
ニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用することができるが、ここでは、アニ
オン硬化型の異方性導電フィルムについて説明する。
uctive Film）層とが積層された２層構造の熱硬化型の異方性導電フィルムを例に挙げて
説明する。また、熱硬化型の異方性導電フィルムとしては、例えば、カチオン硬化型、ア
ニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用することができるが、ここでは、アニ
オン硬化型の異方性導電フィルムについて説明する。
【0040】
アニオン硬化型の異方性導電フィルムは、ＡＣＦ層及びＮＣＦ層は、バインダーとして
、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、アニオン重合開始剤とを含有する。
、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、アニオン重合開始剤とを含有する。
【0041】
膜形成樹脂は、例えば平均分子量が１００００以上の高分子量樹脂に相当し、フィルム
形成性の観点から、１００００～８００００程度の平均分子量であることが好ましい。膜
形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げ
られ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの
中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を好適に用いることが好ま
しい。
形成性の観点から、１００００～８００００程度の平均分子量であることが好ましい。膜
形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げ
られ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの
中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を好適に用いることが好ま
しい。
【0042】
エポキシ樹脂は、３次元網目構造を形成し、良好な耐熱性、接着性を付与するものであ
り、固形エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを併用することが好ましい。ここで、固形エ
ポキシ樹脂とは、常温で固体であるエポキシ樹脂を意味する。また、液状エポキシ樹脂と
は、常温で液状であるエポキシ樹脂を意味する。また、常温とは、ＪＩＳ Ｚ ８７０３で
規定される５～３５℃の温度範囲を意味する。
り、固形エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを併用することが好ましい。ここで、固形エ
ポキシ樹脂とは、常温で固体であるエポキシ樹脂を意味する。また、液状エポキシ樹脂と
は、常温で液状であるエポキシ樹脂を意味する。また、常温とは、ＪＩＳ Ｚ ８７０３で
規定される５～３５℃の温度範囲を意味する。
【0043】
固形エポキシ樹脂としては、液状エポキシ樹脂と相溶し、常温で固体状であれば特に限
定されず、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、多官能
型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙られ、これらの
中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも
、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例と
しては、新日鉄住金化学（株）の商品名「ＹＤ－０１４」などを挙げることができる。
定されず、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、多官能
型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙られ、これらの
中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも
、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例と
しては、新日鉄住金化学（株）の商品名「ＹＤ－０１４」などを挙げることができる。
【0044】
液状エポキシ樹脂としては、常温で液状であれば特に限定されず、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂
、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの中から１種を単独で、又は２種以
上を組み合わせて用いることができる。特に、フィルムのタック性、柔軟性などの観点か
ら、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例
としては、三菱化学（株）の商品名「ＥＰ８２８」などを挙げることができる。
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂
、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの中から１種を単独で、又は２種以
上を組み合わせて用いることができる。特に、フィルムのタック性、柔軟性などの観点か
ら、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例
としては、三菱化学（株）の商品名「ＥＰ８２８」などを挙げることができる。
【0045】
アニオン重合開始剤としては、通常用いられる公知の硬化剤を使用することができる。
例えば、有機酸ジヒドラジド、ジシアンジアミド、アミン化合物、ポリアミドアミン化合
物、シアナートエステル化合物、フェノール樹脂、酸無水物、カルボン酸、三級アミン化
合物、イミダゾール、ルイス酸、ブレンステッド酸塩、ポリメルカプタン系硬化剤、ユリ
ア樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート化合物、ブロックイソシアネート化合物などが挙
げられ、これらの中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる
。これらの中でも、イミダゾール変性体を核としその表面をポリウレタンで被覆してなる
マイクロカプセル型潜在性硬化剤を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例とし
ては、旭化成イーマテリアルズ（株）の商品名「ノバキュア３９４１ＨＰ」などを挙げる
ことができる。
例えば、有機酸ジヒドラジド、ジシアンジアミド、アミン化合物、ポリアミドアミン化合
物、シアナートエステル化合物、フェノール樹脂、酸無水物、カルボン酸、三級アミン化
合物、イミダゾール、ルイス酸、ブレンステッド酸塩、ポリメルカプタン系硬化剤、ユリ
ア樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート化合物、ブロックイソシアネート化合物などが挙
げられ、これらの中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる
。これらの中でも、イミダゾール変性体を核としその表面をポリウレタンで被覆してなる
マイクロカプセル型潜在性硬化剤を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例とし
ては、旭化成イーマテリアルズ（株）の商品名「ノバキュア３９４１ＨＰ」などを挙げる
ことができる。
【0046】
また、バインダーとして、必要に応じて、応力緩和剤、シランカップリング剤、無機フ
ィラー等を配合してもよい。応力緩和剤としては、水添スチレン－ブタジエンブロック共
重合体、水添スチレン－イソプレンブロック共重合体等を挙げることができる。また、シ
ランカップリング剤としては、エポキシ系、メタクリロキシ系、アミノ系、ビニル系、メ
ルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。また、無機フィラーとし
ては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等を挙げること
ができる。
ィラー等を配合してもよい。応力緩和剤としては、水添スチレン－ブタジエンブロック共
重合体、水添スチレン－イソプレンブロック共重合体等を挙げることができる。また、シ
ランカップリング剤としては、エポキシ系、メタクリロキシ系、アミノ系、ビニル系、メ
ルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。また、無機フィラーとし
ては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等を挙げること
ができる。
【0047】
＜３．接続構造体の製造方法＞
本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に
複数配置され、突起を形成する絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子の表面に配置
される導電層とを備え、絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を含有する
導電材料を介して、第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを圧着する。これに
より前述の導電性粒子により第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とが接続され
てなる接続構造体を得ることができる。
本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に
複数配置され、突起を形成する絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子の表面に配置
される導電層とを備え、絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きい導電性粒子を含有する
導電材料を介して、第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを圧着する。これに
より前述の導電性粒子により第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とが接続され
てなる接続構造体を得ることができる。
【0048】
第１の回路部材及び第２の回路部材は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択するこ
とができる。第１の回路部材としては、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネ
ル用途、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用途などのプラスチック基板、ガラス基
板、プリント配線板（ＰＷＢ）などが挙げられる。また、第２の回路部材としては、例え
ば、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＣＯＦ（Chip On Film）などのフレキシブル基板（Ｆ
ＰＣ：Flexible Printed Circuits）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）基板などを
挙げることができる。
とができる。第１の回路部材としては、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネ
ル用途、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用途などのプラスチック基板、ガラス基
板、プリント配線板（ＰＷＢ）などが挙げられる。また、第２の回路部材としては、例え
ば、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＣＯＦ（Chip On Film）などのフレキシブル基板（Ｆ
ＰＣ：Flexible Printed Circuits）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）基板などを
挙げることができる。
【0049】
図４は、圧着時の導電性粒子の概略を示す断面図である。図４において導電層は省略す
る。導電性粒子４０は、突起を形成する絶縁性粒子４２が樹脂コア粒子４１の表面に複数
配置されているため、第１の回路部材５０の端子５１上に形成された酸化物層５２を突き
破ることが可能となる。酸化物層５２は、配線の腐食を防止する保護層として機能し、例
えばＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＳｉＯ２などが挙げられる。
る。導電性粒子４０は、突起を形成する絶縁性粒子４２が樹脂コア粒子４１の表面に複数
配置されているため、第１の回路部材５０の端子５１上に形成された酸化物層５２を突き
破ることが可能となる。酸化物層５２は、配線の腐食を防止する保護層として機能し、例
えばＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＳｉＯ２などが挙げられる。
【0050】
本実施の形態では、絶縁性粒子４１のモース硬度が、７より大きいため、圧着時の圧力
を高くすることなく、酸化物層５２を突き破ることができ、配線クラックの発生を抑制す
ることができる。特に、第１の回路部材５０が、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate
）基板などの低弾性率のプラスチック基板である場合、圧着時の圧力を高くすることなく
、基材変形の影響を軽減して低抵抗を実現できるため、非常に有効である。なお、プラス
チック基板の弾性率は、接続体に求められるフレキシビリティや、屈曲性と後述する駆動
回路素子３等の電子部品との接続強度との関係等の要素を考慮して求められるが、一般に
２０００ＭＰａ～４１００ＭＰａとされる。
を高くすることなく、酸化物層５２を突き破ることができ、配線クラックの発生を抑制す
ることができる。特に、第１の回路部材５０が、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate
）基板などの低弾性率のプラスチック基板である場合、圧着時の圧力を高くすることなく
、基材変形の影響を軽減して低抵抗を実現できるため、非常に有効である。なお、プラス
チック基板の弾性率は、接続体に求められるフレキシビリティや、屈曲性と後述する駆動
回路素子３等の電子部品との接続強度との関係等の要素を考慮して求められるが、一般に
２０００ＭＰａ～４１００ＭＰａとされる。
【0051】
第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子との圧着では、第２の回路部材上から、
所定温度に加温された圧着ツールによって、所定の圧力及び所定の時間、熱加圧され、本
圧着される。ここで、所定の圧力は、回路部材の配線クラックを防止する観点から、１０
ＭＰａ以上８０ＭＰａ以下であることが好ましい。また、所定温度は、圧着時における異
方性導電フィルムの温度であり、８０℃以上２３０℃以下であることが好ましい。
所定温度に加温された圧着ツールによって、所定の圧力及び所定の時間、熱加圧され、本
圧着される。ここで、所定の圧力は、回路部材の配線クラックを防止する観点から、１０
ＭＰａ以上８０ＭＰａ以下であることが好ましい。また、所定温度は、圧着時における異
方性導電フィルムの温度であり、８０℃以上２３０℃以下であることが好ましい。
【0052】
圧着ツールとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、押圧対
象よりも大面積である押圧部材を用いて押圧を１回で行ってもよく、また、押圧対象より
も小面積である押圧部材を用いて押圧を数回に分けて行ってもよい。圧着ツールの先端形
状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、平面状、
曲面状などが挙げられる。なお、先端形状が曲面状である場合、曲面状に沿って押圧する
ことが好ましい。
象よりも大面積である押圧部材を用いて押圧を１回で行ってもよく、また、押圧対象より
も小面積である押圧部材を用いて押圧を数回に分けて行ってもよい。圧着ツールの先端形
状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、平面状、
曲面状などが挙げられる。なお、先端形状が曲面状である場合、曲面状に沿って押圧する
ことが好ましい。
【0053】
また、圧着ツールと第２の回路部材との間に緩衝材を介装して熱圧着してもよい。緩衝
材を介装することにより、押圧ばらつきを低減できると共に、圧着ツールが汚れるのを防
止することができる。緩衝材は、シート状の弾性材又は塑性体からなり、例えばシリコン
ラバーやポリ４フッ化エチレンが用いられる。
材を介装することにより、押圧ばらつきを低減できると共に、圧着ツールが汚れるのを防
止することができる。緩衝材は、シート状の弾性材又は塑性体からなり、例えばシリコン
ラバーやポリ４フッ化エチレンが用いられる。
【0054】
このような接続構造体の製造方法によれば、絶縁性粒子のモース硬度が大きいため、圧
着時の圧力を高くすることなく、酸化物層を突き破ることができ、配線クラックの発生を
抑制することができる。また、導電層をＮｉ－Ｗ－Ｂなどの硬度が大きいものとすること
により、圧着時の圧力を高くすることなく、酸化物層を容易に突き破ることができ、配線
クラックの発生をさらに抑制することができる。
着時の圧力を高くすることなく、酸化物層を突き破ることができ、配線クラックの発生を
抑制することができる。また、導電層をＮｉ－Ｗ－Ｂなどの硬度が大きいものとすること
により、圧着時の圧力を高くすることなく、酸化物層を容易に突き破ることができ、配線
クラックの発生をさらに抑制することができる。
【実施例0055】
＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、突起を有する導電性粒子を作
製し、これを含有する異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製した。そして、接続
構造体の導通抵抗、及び配線クラックの発生率について評価した。なお、本発明はこれら
の実施例に限定されるものではない。
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、突起を有する導電性粒子を作
製し、これを含有する異方性導電フィルムを用いて接続構造体を作製した。そして、接続
構造体の導通抵抗、及び配線クラックの発生率について評価した。なお、本発明はこれら
の実施例に限定されるものではない。
【0056】
異方性導電フィルムの作製、接続構造体の作製、導通抵抗の測定、及び配線クラックの
発生率の算出は、次のように行った。
発生率の算出は、次のように行った。
【0057】
［異方性導電フィルムの作製］
ＡＣＦ層とＮＣＦ層とが積層された２層構造の異方性導電フィルムを作製した。先ず、
フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学（株））２０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８
２８、三菱化学（株））３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ－０１４、新日鐵化学（株
））１０質量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１Ｈ、旭化成イー
マテリアルズ）３０質量部、導電性粒子１０質量部を配合して、厚み６μｍのＡＣＦ層を
得た。次に、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学（株））２０質量部、液状エポキシ
樹脂（ＥＰ８２８、三菱化学（株））３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ－０１４、新
日鐵化学（株））１０質量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１Ｈ
、旭化成イーマテリアルズ）３０質量部を配合して、厚み１２μｍのＮＣＦ層を得た。そ
して、ＡＣＦ層とＮＣＦ層とを貼り合わせて、厚み１８μｍの２層構造の異方性導電フィ
ルムを得た。
ＡＣＦ層とＮＣＦ層とが積層された２層構造の異方性導電フィルムを作製した。先ず、
フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学（株））２０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８
２８、三菱化学（株））３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ－０１４、新日鐵化学（株
））１０質量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１Ｈ、旭化成イー
マテリアルズ）３０質量部、導電性粒子１０質量部を配合して、厚み６μｍのＡＣＦ層を
得た。次に、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学（株））２０質量部、液状エポキシ
樹脂（ＥＰ８２８、三菱化学（株））３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ－０１４、新
日鐵化学（株））１０質量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１Ｈ
、旭化成イーマテリアルズ）３０質量部を配合して、厚み１２μｍのＮＣＦ層を得た。そ
して、ＡＣＦ層とＮＣＦ層とを貼り合わせて、厚み１８μｍの２層構造の異方性導電フィ
ルムを得た。
【0058】
［接続構造体の作製］
評価基材として、ＴｉＯ２／Ａｌコーティングガラス基板（０．３ｍｍｔ、ＴｉＯ２厚
み：５０ｎｍ、Ａｌ厚み：３００ｎｍ）、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ（Poly Eth
ylene Terephthalate）基板（０．３ｍｍｔ、ＴｉＯ２厚み：５０ｎｍ、Ａｌ厚み：３０
０ｎｍ）、及び、ＩＣ（１．８ｍｍ×２０ｍｍ、Ｔ：０．３ｍｍ、Au-plated bump：３０
μｍ×８５μｍ、ｈ＝１５μｍ）を準備した。また、圧着条件は、１９０℃－６０ＭＰａ
－５ｓｅｃ、又は１９０℃－１００ＭＰａ－５ｓｅｃとした。
評価基材として、ＴｉＯ２／Ａｌコーティングガラス基板（０．３ｍｍｔ、ＴｉＯ２厚
み：５０ｎｍ、Ａｌ厚み：３００ｎｍ）、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ（Poly Eth
ylene Terephthalate）基板（０．３ｍｍｔ、ＴｉＯ２厚み：５０ｎｍ、Ａｌ厚み：３０
０ｎｍ）、及び、ＩＣ（１．８ｍｍ×２０ｍｍ、Ｔ：０．３ｍｍ、Au-plated bump：３０
μｍ×８５μｍ、ｈ＝１５μｍ）を準備した。また、圧着条件は、１９０℃－６０ＭＰａ
－５ｓｅｃ、又は１９０℃－１００ＭＰａ－５ｓｅｃとした。
【0059】
先ず、ＴｉＯ２／Ａｌコーティングガラス基板上又はＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥ
Ｔ基板上に、１．５ｍｍ幅にスリットされた異方性導電フィルムを、圧着機を用いて仮貼
りし、剥離ＰＥＴフィルムを剥がした後、ＩＣを、圧着機を用いて、所定の圧着条件で圧
着し、接続構造体を得た。
Ｔ基板上に、１．５ｍｍ幅にスリットされた異方性導電フィルムを、圧着機を用いて仮貼
りし、剥離ＰＥＴフィルムを剥がした後、ＩＣを、圧着機を用いて、所定の圧着条件で圧
着し、接続構造体を得た。
【0060】
［導通抵抗の測定］
デジタルマルチメーター（商品名：デジタルマルチメーター７５６１、横河電機社製）
を用いて、初期の接続構造体の導通抵抗（Ω）の測定を行った。また、接続構造体を、８
５℃、８５％ＲＨの高温高湿環境下に５００ｈ放置して信頼性試験を行った後、接続構造
体の導通抵抗（Ω）の測定を行った。
デジタルマルチメーター（商品名：デジタルマルチメーター７５６１、横河電機社製）
を用いて、初期の接続構造体の導通抵抗（Ω）の測定を行った。また、接続構造体を、８
５℃、８５％ＲＨの高温高湿環境下に５００ｈ放置して信頼性試験を行った後、接続構造
体の導通抵抗（Ω）の測定を行った。
【0061】
［配線クラックの発生率］
接続構造体の基板側の配線の任意の２０箇所を金属顕微鏡にて観察し、配線クラックを
カウントして発生率を算出した。
接続構造体の基板側の配線の任意の２０箇所を金属顕微鏡にて観察し、配線クラックを
カウントして発生率を算出した。
【0062】
［総合判定］
初期の導通抵抗と信頼性試験後の導通抵抗との差が０．３Ω以下、且つ配線クラックの
発生率が０％の場合を「ＯＫ」を評価し、それ以外を「ＮＧ」と評価した。
初期の導通抵抗と信頼性試験後の導通抵抗との差が０．３Ω以下、且つ配線クラックの
発生率が０％の場合を「ＯＫ」を評価し、それ以外を「ＮＧ」と評価した。
【0063】
＜実施例１＞
樹脂コア粒子として、次のようにジビニルベンゼン系樹脂粒子を作製した。ジビニルベ
ンゼン、スチレン、ブチルメタクリレートの混合比を調整した溶液に重合開始剤としてベ
ンゾイルパーオキサイドを投入して高速で均一攪拌しながら加熱を行い、重合反応を行う
ことにより微粒子分散液を得た。微粒子分散液をろ過し、減圧乾燥することにより微粒子
の凝集体であるブロック体を得た。そして、ブロック体を粉砕することにより、平均粒子
径３．０μｍのジビニルベンゼン系樹脂粒子を得た。この樹脂コア粒子の２０％圧縮され
たときの圧縮弾性率（２０％Ｋ値）は、１２０００Ｎ／ｍｍ２であった。
樹脂コア粒子として、次のようにジビニルベンゼン系樹脂粒子を作製した。ジビニルベ
ンゼン、スチレン、ブチルメタクリレートの混合比を調整した溶液に重合開始剤としてベ
ンゾイルパーオキサイドを投入して高速で均一攪拌しながら加熱を行い、重合反応を行う
ことにより微粒子分散液を得た。微粒子分散液をろ過し、減圧乾燥することにより微粒子
の凝集体であるブロック体を得た。そして、ブロック体を粉砕することにより、平均粒子
径３．０μｍのジビニルベンゼン系樹脂粒子を得た。この樹脂コア粒子の２０％圧縮され
たときの圧縮弾性率（２０％Ｋ値）は、１２０００Ｎ／ｍｍ２であった。
【0064】
また、絶縁性粒子として、平均粒子径が１５０ｎｍであるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を使
用した。また、導電層用のメッキ液として、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチル
アミンボラン０．２５ｍｏｌ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌを含むニッ
ケルめっき液（ｐＨ８．５）を含むニッケルメッキ液を使用した。
用した。また、導電層用のメッキ液として、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチル
アミンボラン０．２５ｍｏｌ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌを含むニッ
ケルめっき液（ｐＨ８．５）を含むニッケルメッキ液を使用した。
【0065】
先ず、パラジウム触媒液を５ｗｔ％含むアルカリ溶液１００質量部に対し、樹脂コア粒
子１０質量部を超音波分散器で分散させた後、溶液をろ過し、樹脂コア粒子を取り出した
。次いで、樹脂コア粒子１０質量部をジメチルアミンボラン１ｗｔ％溶液１００質量部に
添加し、樹脂コア粒子の表面を活性化させた。そして、樹脂コア粒子を十分に水洗した後
、蒸留水５００質量部に加え、分散させることにより、パラジウムが付着された樹脂コア
粒子を含む分散液を得た。
子１０質量部を超音波分散器で分散させた後、溶液をろ過し、樹脂コア粒子を取り出した
。次いで、樹脂コア粒子１０質量部をジメチルアミンボラン１ｗｔ％溶液１００質量部に
添加し、樹脂コア粒子の表面を活性化させた。そして、樹脂コア粒子を十分に水洗した後
、蒸留水５００質量部に加え、分散させることにより、パラジウムが付着された樹脂コア
粒子を含む分散液を得た。
【0066】
次に、絶縁性粒子１ｇを３分間かけて分散液に添加し、絶縁性粒子が付着された粒子を
含むスラリーを得た。そして、スラリーを６０℃で撹拌しながら、スラリー中にニッケル
メッキ液を徐々に滴下し、無電解ニッケルメッキを行った。水素の発泡が停止するのを確
認した後、粒子をろ過し、水洗し、アルコール置換した後に真空乾燥し、アルミナで形成
された突起と、Ｎｉ－Ｂメッキの導電層とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察したところ、平均粒子径は３～４μｍであり、粒子
１個当たりの突起の数は約７０であり、また、導電層の厚みは約１００ｎｍであった。
含むスラリーを得た。そして、スラリーを６０℃で撹拌しながら、スラリー中にニッケル
メッキ液を徐々に滴下し、無電解ニッケルメッキを行った。水素の発泡が停止するのを確
認した後、粒子をろ過し、水洗し、アルコール置換した後に真空乾燥し、アルミナで形成
された突起と、Ｎｉ－Ｂメッキの導電層とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察したところ、平均粒子径は３～４μｍであり、粒子
１個当たりの突起の数は約７０であり、また、導電層の厚みは約１００ｎｍであった。
【0067】
表１に示すように、この導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用いて、ＴｉＯ２
／Ａｌコーティングガラス基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃの圧着条件で
圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．６Ω、信頼性試験後の抵抗
値は０．９Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＯＫであった。
／Ａｌコーティングガラス基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃの圧着条件で
圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．６Ω、信頼性試験後の抵抗
値は０．９Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＯＫであった。
【0068】
＜実施例２＞
表１に示すように、実施例１と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃ
の圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．７Ω、信頼性
試験後の抵抗値は１．０Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＯＫであっ
た。
表１に示すように、実施例１と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃ
の圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．７Ω、信頼性
試験後の抵抗値は１．０Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＯＫであっ
た。
【0069】
＜実施例３＞
導電層用のメッキ液として、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン
０．２５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリウ
ム０．３５ｍｏｌ／Ｌを含むＮｉ－Ｗ－Ｂめっき液（ｐＨ８．５）を使用した。これ以外
は、実施例１と同様にして、アルミナで形成された突起と、Ｎｉ－Ｗ－Ｂメッキの導電層
とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を金属顕微鏡にて観察したところ、平均粒
子径は３～４μｍであり、粒子１個当たりの突起の数は約７０であり、また、導電層の厚
みは約１００ｎｍであった。
導電層用のメッキ液として、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン
０．２５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリウ
ム０．３５ｍｏｌ／Ｌを含むＮｉ－Ｗ－Ｂめっき液（ｐＨ８．５）を使用した。これ以外
は、実施例１と同様にして、アルミナで形成された突起と、Ｎｉ－Ｗ－Ｂメッキの導電層
とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を金属顕微鏡にて観察したところ、平均粒
子径は３～４μｍであり、粒子１個当たりの突起の数は約７０であり、また、導電層の厚
みは約１００ｎｍであった。
【0070】
表１に示すように、この導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用いて、ＴｉＯ２
／Ａｌコーティングガラス基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃの圧着条件で
圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．３Ω、信頼性試験後の抵抗
値は０．５Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＯＫであった。
／Ａｌコーティングガラス基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃの圧着条件で
圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．３Ω、信頼性試験後の抵抗
値は０．５Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＯＫであった。
【0071】
＜実施例４＞
表１に示すように、実施例３と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃ
の圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．６Ω、信頼性
試験後の抵抗値は０．８Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＯＫであっ
た。
表１に示すように、実施例３と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃ
の圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．６Ω、信頼性
試験後の抵抗値は０．８Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＯＫであっ
た。
【0072】
＜比較例１＞
絶縁性粒子として、平均粒子径が１５０ｎｍであるシリカ（ＳｉＯ２）を使用した。こ
れ以外は、実施例１と同様にして、シリカで形成された突起と、Ｎｉ－Ｂメッキの導電層
とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を金属顕微鏡にて観察したところ、平均粒
子径は３～４μｍであり、粒子１個当たりの突起の数は約７０であり、また、導電層の厚
みは約１００ｎｍであった。
絶縁性粒子として、平均粒子径が１５０ｎｍであるシリカ（ＳｉＯ２）を使用した。こ
れ以外は、実施例１と同様にして、シリカで形成された突起と、Ｎｉ－Ｂメッキの導電層
とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を金属顕微鏡にて観察したところ、平均粒
子径は３～４μｍであり、粒子１個当たりの突起の数は約７０であり、また、導電層の厚
みは約１００ｎｍであった。
【0073】
表１に示すように、この導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用いて、ＴｉＯ２
／Ａｌコーティングガラス基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃの圧着条件で
圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は１．５Ω、信頼性試験後の抵抗
値は３．０Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＮＧであった。
／Ａｌコーティングガラス基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃの圧着条件で
圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は１．５Ω、信頼性試験後の抵抗
値は３．０Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＮＧであった。
【0074】
＜比較例２＞
表１に示すように、比較例１と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃ
の圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は３．０Ω、信頼性
試験後の抵抗値は６．０Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＮＧであっ
た。
表１に示すように、比較例１と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃ
の圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は３．０Ω、信頼性
試験後の抵抗値は６．０Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＮＧであっ
た。
【0075】
＜比較例３＞
絶縁性粒子として、平均粒子径が１５０ｎｍであるシリカ（ＳｉＯ２）を使用した。ま
た、導電層用のメッキ液として、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラ
ン０．２５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリ
ウム０．３５ｍｏｌ／Ｌを含むＮｉ－Ｗ－Ｂめっき液（ｐＨ８．５）を使用した。これ以
外は、実施例１と同様にして、シリカで形成された突起と、Ｎｉ－Ｗ－Ｂメッキの導電層
とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し
たところ、平均粒子径は３～４μｍであり、粒子１個当たりの突起の数は約７０であり、
また、導電層の厚みは約１００ｎｍであった。
絶縁性粒子として、平均粒子径が１５０ｎｍであるシリカ（ＳｉＯ２）を使用した。ま
た、導電層用のメッキ液として、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラ
ン０．２５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリ
ウム０．３５ｍｏｌ／Ｌを含むＮｉ－Ｗ－Ｂめっき液（ｐＨ８．５）を使用した。これ以
外は、実施例１と同様にして、シリカで形成された突起と、Ｎｉ－Ｗ－Ｂメッキの導電層
とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し
たところ、平均粒子径は３～４μｍであり、粒子１個当たりの突起の数は約７０であり、
また、導電層の厚みは約１００ｎｍであった。
【0076】
表１に示すように、この導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用いて、ＴｉＯ２
／Ａｌコーティングガラス基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃの圧着条件で
圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．７Ω、信頼性試験後の抵抗
値は１．１Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＮＧであった。
／Ａｌコーティングガラス基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃの圧着条件で
圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．７Ω、信頼性試験後の抵抗
値は１．１Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＮＧであった。
【0077】
＜比較例４＞
表１に示すように、比較例３と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃ
の圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は１．８Ω、信頼性
試験後の抵抗値は３．６Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＮＧであっ
た。
表１に示すように、比較例３と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－６０ＭＰａ－５ｓｅｃ
の圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は１．８Ω、信頼性
試験後の抵抗値は３．６Ω、配線クラックの発生率は０％であり、総合判定はＮＧであっ
た。
【0078】
＜比較例５＞
表１に示すように、比較例３と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－１００ＭＰａ－５ｓｅ
ｃの圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．７Ω、信頼
性試験後の抵抗値は１．０Ω、配線クラックの発生率は２５％であり、総合判定はＮＧで
あった。
表１に示すように、比較例３と同一の導電性粒子を添加した異方性導電フィルムを用い
て、ＴｉＯ２／ＡｌコーティングＰＥＴ基板とＩＣとを１９０℃－１００ＭＰａ－５ｓｅ
ｃの圧着条件で圧着し、接続構造体を得た。接続構造体の初期の抵抗値は０．７Ω、信頼
性試験後の抵抗値は１．０Ω、配線クラックの発生率は２５％であり、総合判定はＮＧで
あった。
【0079】
【表1】
【0080】
比較例１のように、導電層としてＮｉ－Ｂを形成し、絶縁性粒子としてモース硬度が７
であるシリカを用いた場合、信頼性試験後の抵抗が上昇した。また、比較例２のように比
較例１の導電性粒子を用いてＰＥＴ基板を接続させた場合、信頼性試験後の抵抗が大きく
上昇した。また、比較例３のように、導電層としてＮｉ－Ｗ－Ｂを形成し、絶縁性粒子と
してモース硬度が７であるシリカを用いた場合も、信頼性試験後の抵抗が上昇した。また
、また、比較例４のように比較例２の導電性粒子を用いてＰＥＴ基板を接続させた場合、
信頼性試験後の抵抗が大きく上昇した。また、比較例５のように圧着時の圧力を高くして
ＰＥＴ基板を接続させた場合、信頼性試験後の抵抗の上昇を抑制することができたが、ク
ラックが発生してしまった。
であるシリカを用いた場合、信頼性試験後の抵抗が上昇した。また、比較例２のように比
較例１の導電性粒子を用いてＰＥＴ基板を接続させた場合、信頼性試験後の抵抗が大きく
上昇した。また、比較例３のように、導電層としてＮｉ－Ｗ－Ｂを形成し、絶縁性粒子と
してモース硬度が７であるシリカを用いた場合も、信頼性試験後の抵抗が上昇した。また
、また、比較例４のように比較例２の導電性粒子を用いてＰＥＴ基板を接続させた場合、
信頼性試験後の抵抗が大きく上昇した。また、比較例５のように圧着時の圧力を高くして
ＰＥＴ基板を接続させた場合、信頼性試験後の抵抗の上昇を抑制することができたが、ク
ラックが発生してしまった。
【0081】
一方、実施例１～４のように、絶縁性粒子としてモース硬度が９であるアルミナを用い
た場合、圧着時の圧力を高くすることなく、信頼性試験後の抵抗の上昇を抑制することが
でき、クラックの発生を防止することができた。また、実施例２，４のように、ＰＥＴ基
板の接続でも低抵抗を実現することができた。また、実施例４のように、導電層としてＮ
ｉ－Ｗ－Ｂを形成することにより、ＰＥＴ基板の接続においてさらに低抵抗を実現するこ
とができた。これらは、絶縁性粒子の硬度が大きいため、圧着時の圧力を高くしなくても
、配線表面の酸化物層を突き破り、配線と導電性粒子との接点が増加したからであると考
えられる。
た場合、圧着時の圧力を高くすることなく、信頼性試験後の抵抗の上昇を抑制することが
でき、クラックの発生を防止することができた。また、実施例２，４のように、ＰＥＴ基
板の接続でも低抵抗を実現することができた。また、実施例４のように、導電層としてＮ
ｉ－Ｗ－Ｂを形成することにより、ＰＥＴ基板の接続においてさらに低抵抗を実現するこ
とができた。これらは、絶縁性粒子の硬度が大きいため、圧着時の圧力を高くしなくても
、配線表面の酸化物層を突き破り、配線と導電性粒子との接点が増加したからであると考
えられる。
【符号の説明】
【0082】
１０ 樹脂コア粒子、２０ 絶縁性粒子、３０，３１，３２，３３，３４ 導電層、４
０ 導電性粒子、４１ 樹脂コア粒子、４２ 絶縁性粒子、５０ 第１の回路部材、５１
端子、５２ 酸化物層
０ 導電性粒子、４１ 樹脂コア粒子、４２ 絶縁性粒子、５０ 第１の回路部材、５１
端子、５２ 酸化物層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【手続補正書】
【提出日】2022-08-26
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムを介して、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを圧着し、
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、平均分子量が１００００以上である膜形成樹脂を含有する接続構造体の製造方法。
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、平均分子量が１００００以上である膜形成樹脂を含有する接続構造体の製造方法。
【請求項2】
樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムを介して、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを圧着し、
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである接続構造体の製造方法。
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである接続構造体の製造方法。
【請求項3】
前記バインダーが、エポキシ樹脂と、アニオン重合開始剤とを含有する請求項１又は２に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項4】
前記導電性粒子の絶縁性粒子の平均粒子径が、１００～２００ｎｍであり、
前記導電性粒子の樹脂コア粒子の表面に形成された突起の個数が、１～５００であり、
前記導電性粒子の導電層の厚みが、８０～１５０ｎｍである請求項１乃至３のいずれいか１項に記載の接続構造体の製造方法。
前記導電性粒子の樹脂コア粒子の表面に形成された突起の個数が、１～５００であり、
前記導電性粒子の導電層の厚みが、８０～１５０ｎｍである請求項１乃至３のいずれいか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項5】
前記第１の回路部材の端子と前記第２の回路部材の端子とを１０～８０ＭＰａの圧力にて圧着する請求項１乃至４のいずれいか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項6】
前記第１の部材の端子上にＴｉＯ２層が形成されてなる請求項１～３のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項7】
樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムにより、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とが接続されてなり、
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、平均分子量が１００００以上である膜形成樹脂を含有する接続構造体。
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、平均分子量が１００００以上である膜形成樹脂を含有する接続構造体。
【請求項8】
樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムにより、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とが接続されてなり、
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである接続構造体。
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである接続構造体。
【請求項9】
樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有し、
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、平均分子量が１００００以上である膜形成樹脂を含有する導電フィルム。
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、平均分子量が１００００以上である膜形成樹脂を含有する導電フィルム。
【請求項10】
樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有し、
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである導電フィルム。
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである導電フィルム。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0007】
すなわち、本発明に係る導電フィルムは、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有し、前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、前記バインダーが、平均分子量が１００００以上である膜形成樹脂を含有する。
また、本発明に係る導電フィルムは、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ ２ である導電性粒子と、バインダーとを含有し、前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである。
また、本発明に係る導電フィルムは、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ ２ である導電性粒子と、バインダーとを含有し、前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0008】
また、本発明に係る接続構造体は、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムにより、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とが接続されてなり、前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、前記バインダーが、平均分子量が１００００以上である膜形成樹脂を含有する。
また、本発明に係る接続構造体は、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムにより、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とが接続されてなり、前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである。
また、本発明に係る接続構造体は、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムにより、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とが接続されてなり、前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0009】
また、本発明に係る接続構造体の製造方法は、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ２である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムを介して、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを圧着し、前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、前記バインダーが、平均分子量が１００００以上である膜形成樹脂を含有する。
また、本発明に係る接続構造体の製造方法は、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ ２ である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムを介して、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを圧着し、
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである。
また、本発明に係る接続構造体の製造方法は、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起を形成する絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備え、前記絶縁性粒子のモース硬度が、７より大きく、前記樹脂コア粒子の２０％圧縮されたときの圧縮弾性率が、５００～２００００Ｎ／ｍｍ ２ である導電性粒子と、バインダーとを含有する導電フィルムを介して、端子上に酸化物層が形成されてなる第１の回路部材の端子と第２の回路部材の端子とを圧着し、
前記絶縁性粒子の平均粒子径が、前記導電層の厚みよりも大きく、
前記バインダーが、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用したものである。