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特開2022-133964半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体基板を有する電子機器
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022133964
(43)【公開日】2022-09-14
(54)【発明の名称】半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体基板を有する電子機器
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3205 20060101AFI20220907BHJP
H01L 21/768 20060101ALI20220907BHJP
H01L 21/8234 20060101ALI20220907BHJP
H01L 27/00 20060101ALI20220907BHJP
H01L 21/312 20060101ALI20220907BHJP
H01L 27/146 20060101ALI20220907BHJP
【ＦＩ】
H01L21/88 J
H01L21/90 M
H01L21/90 S
H01L21/90 B
H01L27/088 E
H01L27/00 301B
H01L21/312 D
H01L27/146 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021032939
(22)【出願日】2021-03-02
(71)【出願人】
【識別番号】000002185
【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100080160
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 憲一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100149205
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 泰央
(72)【発明者】
【氏名】竹内 幸一
【テーマコード（参考）】
4M118
5F033
5F048
5F058
【Ｆターム（参考）】
4M118AA10
4M118AB01
4M118BA10
4M118BA14
4M118CA02
4M118FA06
4M118GD03
4M118GD04
4M118HA02
4M118HA25
4M118HA33
5F033HH11
5F033JJ11
5F033JJ18
5F033MM30
5F033NN30
5F033NN31
5F033NN32
5F033PP15
5F033PP27
5F033PP28
5F033QQ07
5F033QQ09
5F033QQ16
5F033QQ18
5F033QQ22
5F033QQ31
5F033QQ47
5F033QQ54
5F033RR08
5F033RR09
5F033RR21
5F033RR22
5F033RR27
5F033SS11
5F033SS22
5F033TT02
5F033TT04
5F033TT07
5F033VV07
5F033WW01
5F033XX02
5F033XX21
5F048AB10
5F048AC01
5F048AC10
5F048BF02
5F048BF03
5F048BF07
5F048BF12
5F048CB01
5F048CB03
5F048CB04
5F058AA06
5F058AC07
5F058AD01
5F058AD02
5F058AH02
(57)【要約】
【課題】貫通孔の開口部の、空気の膨張によるレジストの発泡を防止でき、後工程であるメッキ不良を低減する半導体基板、半導体基板の製造方法及び当該半導体基板を有する電子機器を提供する。
【解決手段】本開示に係る半導体基板は、順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、上段孔部と下段孔部との境界に形成された段差と、を備えた貫通電極、若しくは順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、上段孔部と下段孔部との境界に形成された段差と、を備えた貫通電極、又は順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、上段孔部と下段孔部に形成された境界と、を備えた貫通電極のいずれかをシリコン又は層間膜に形成するよう構成した。
【選択図】図１１
【解決手段】本開示に係る半導体基板は、順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、上段孔部と下段孔部との境界に形成された段差と、を備えた貫通電極、若しくは順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、上段孔部と下段孔部との境界に形成された段差と、を備えた貫通電極、又は順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、上段孔部と下段孔部に形成された境界と、を備えた貫通電極のいずれかをシリコン又は層間膜に形成するよう構成した。
【選択図】図１１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
【請求項2】
順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
【請求項3】
順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
【請求項4】
前記貫通電極は、シリコンに穿設された請求項１に記載の半導体基板。
【請求項5】
前記貫通電極は、絶縁性の層間膜に穿設された請求項１に記載の半導体基板。
【請求項6】
前記貫通電極は、２以上の絶縁性の層間膜に穿設された請求項１に記載の半導体基板。
【請求項7】
前記上段孔部と前記下段孔部との前記境界又は前記段差は、前記貫通電極の深さに対して、前記開口面から２０％乃至５０％の深さ方向の位置に配設した請求項１に記載の半導体基板。
【請求項8】
絶縁性の前記層間膜は、感光性を有する有機材料又は無機材料の樹脂で形成した請求項５に記載の半導体基板。
【請求項9】
配線層上に基板を形成する工程と、
前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜に逆テーパ状の貫通孔を穿設する工程と、
前記貫通孔の上段を順テーパ状に形成する工程と、
前記貫通孔の内周面及び前記シリコン基板若しくは絶縁性の前記層間膜の上面に絶縁膜を形成する工程と、
前記貫通孔の底と前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の下方に配設された配線層の銅配線とを連通させる工程と、
前記絶縁膜の上面にシード層を形成する工程と、
前記貫通孔の開口部及び前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストをテンティング状態に塗布して乾燥させる工程と、
前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の上面に銅メッキによるパターンを形成する工程と、
を有する半導体基板の製造方法。
前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜に逆テーパ状の貫通孔を穿設する工程と、
前記貫通孔の上段を順テーパ状に形成する工程と、
前記貫通孔の内周面及び前記シリコン基板若しくは絶縁性の前記層間膜の上面に絶縁膜を形成する工程と、
前記貫通孔の底と前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の下方に配設された配線層の銅配線とを連通させる工程と、
前記絶縁膜の上面にシード層を形成する工程と、
前記貫通孔の開口部及び前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストをテンティング状態に塗布して乾燥させる工程と、
前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の上面に銅メッキによるパターンを形成する工程と、
を有する半導体基板の製造方法。
【請求項10】
順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
又は順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
のうちいずれか１つの半導体基板を有する電子機器。
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
又は順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
のうちいずれか１つの半導体基板を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置の実装パッケージに穿設されるＴＳＶ又は層間絶縁膜中ホールを段付き穴構造等に形成した半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体基板を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体デバイスの高機能化、高集積化に伴う３次元実装技術として、例えば、シリコン基板や樹脂などで形成された絶縁性の層間膜を、厚さ方向に垂直に貫通するシリコン貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ 以下「ＴＳＶ」という。）や層間絶縁膜中ホールが用いられている。
【0003】
ＴＳＶ又は層間絶縁膜中ホールは、シリコン基板や絶縁性の層間膜を貫通して接続対象電極のＩＯパッド又はバンプなどに到達する貫通孔を形成し、その貫通孔の周辺部及び内周面に絶縁膜を形成し、貫通孔を接続対象電極に向けて開口し、貫通孔の底を内部にバリアメタル膜、金属のシード層及び導電層を成膜して接続対象電極と電気的に接続するための貫通電極である。
【0004】
ＴＳＶ又は層間絶縁膜中ホールは、このように、半導体装置の微細化、高密度化を図るために３次元に積層された各種デバイスを電気的に接続する用途に使用されている。上記のようにしてＴＳＶ又は層間絶縁膜中ホールが形成されると、ＴＳＶ又は層間絶縁膜中ホールの周辺部のシリコン基板又は絶縁性の層間膜の表面にフォトリソグラフィにて配線パターンが形成される。この配線パターンを形成するためのレジストパターンを製膜する工程においてテンティングが行われる。
【0005】
具体的には、ＴＳＶ又は層間絶縁膜中ホールを形成するために貫通孔が穿設されたシリコン基板や層間膜の上面にシンナーをスピンコートして表面を濡らし、その後にレジストをスピンコートすることによって、シリコン基板や層間膜の上面にレジストを塗布する。この場合においてレジストを貫通孔の奥まで浸入させないよう、貫通孔の開口部に蓋をするように覆う状態にする。このようにレジストが貫通孔の開口部を覆う状態にすることをテンティング（Ｔｅｎｔｉｎｇ）と呼んでいる。
【0006】
レジストを貫通孔の奥まで浸入させてしまうと、ネガレジストの場合は、貫通孔の底に現像液が十分供給されずにレジストが残ることになる。また、ポジレジストの場合は、貫通孔の底まで光が届かないために、現像後にレジストが残ることになる。このようにレジストが残ってしまうと、フォトリソグラフィにて配線パターンを形成したあと、銅メッキで導電層を形成する際に、貫通孔の奥に導電層が成膜できないという問題が生じる。このために貫通孔の奥にレジストが浸入しないようにテンティングが行われる。
【0007】
レジストの塗布がされ貫通孔の開口部にテンティングがされると、次は、塗布したレジストを乾燥させるためにベークを行う。しかし、ベークを行うと加熱により貫通孔の内部の空気が膨張して発泡（破裂）するという問題点がある。
かかる発泡は、特にテンティングの膜厚が薄い場合に起こりやすい。そこで、貫通孔の開口部に形成されたテンティングの膜の発泡を防止するための先行技術として特許文献１及び特許文献２が開示されている。
かかる発泡は、特にテンティングの膜厚が薄い場合に起こりやすい。そこで、貫通孔の開口部に形成されたテンティングの膜の発泡を防止するための先行技術として特許文献１及び特許文献２が開示されている。
【0008】
特許文献１には、アルコキシ基（Ｓｉ－ＯＲ）を含んだポリマーを有する感光性樹脂に、カルバゾール骨格を有するオキシム系光重合開始剤を用いることにより、感光性樹脂組成物の内部硬化性や感度をより向上させることができる。これにより高硬化の膜を形成できる。この特性を利用して、テンティング後のベークによる空気の膨張による変形を抑制する技術が開示されている。
【0009】
特許文献２には、ドライフィルムレジストを２層（露光は２回）にすることにより強度を向上させる技術が開示されている。具体的には、貫通孔等を有する銅張積層基板の片面又は両面に、紫外線ネガ型感光性ドライフィルム（Ａ１）及び紫外線感光波長域を吸収する紫外線吸収剤を含む可視光ネガ型感光性ドライフィルム（Ｂ１）をラミネートさせてなる積層フィルム被覆銅張積層板のフィルム（Ｂ１）の表面から、所望のパターンが得られるように可視光線を１段目として照射する。そののち、フィルム（Ｂ１）の現像処理を行って非照射部分の被膜を除去し、残存したフィルム（Ｂ１）及び露出したフィルム（Ａ１）の表面に紫外線を２段目として照射して、露出したフィルム（Ａ１）を硬化させる。次いで余分なフィルム（Ａ１）及びフィルム（Ｂ１）を現像処理液により剥離することにより、銅張積層板の貫通孔等の表面上にフィルム（Ａ１）を形成することを特徴とするパターン形成方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
【特許文献1】特開２０１３－８４０１０号公報
【特許文献2】特開２０１０－１８１８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
しかしながら、特許文献１に開示された感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体及びパターン形成方法の技術は、レジスト材料の組成により強度向上を図るものである。しかし、溶剤を多く含む塗布後では流動性が高く、樹脂の構成だけではテンティング後の空気の膨張を十分抑制できないという問題がある。
【0012】
特許文献２に開示されたパターン形成方法の技術は、ドライフィルムレジストを２層（露光は２回）にすることにより強度を向上させるものである。しかし、ドライフィルムでは高い解像性が得られないという問題がある。また、液状のレジストを適用する場合、下層を塗布したあとにベークが必要であるため、テンティングされたＴＳＶの内部の空気が膨張することには変りがない。
【0013】
本開示は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、貫通孔の内周面に段差を形成することにより、段付き止まり穴を構成するものである。これにより貫通孔の開口部にテンティングを行ったときに、空気の膨張によるレジストの発泡を防止でき、後工程でのメッキ不良を低減する半導体基板、半導体基板の製造方法及び当該半導体基板を有する電子機器を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本開示は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の態様は、順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、を備えた貫通電極を有する半導体基板である。
【0015】
その第２の態様は、順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、を備えた貫通電極を有する半導体基板である。
【0016】
その第３の態様は、順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、を備えた貫通電極を有する半導体基板である。
【0017】
また、この第１から第３の態様において、前記貫通電極は、シリコン基板に穿設されてもよい。
【0018】
また、この第１から第３の態様において、前記貫通電極は、絶縁性の層間膜に穿設されてもよい。
【0019】
また、この第１から第３の態様において、前記貫通電極は、２以上の絶縁性の層間膜に穿設されてもよい。
【0020】
また、この第１から第３の態様において、前記上段孔部と前記下段孔部との前記境界又は前記段差は、前記貫通電極の深さに対して、前記開口面から２０％乃至５０％の深さ方向の位置に配設してもよい。
【0021】
また、この第１から第３の態様において、絶縁性の前記層間膜は、感光性を有する有機材料又は無機材料の樹脂で形成してもよい。
【0022】
その第４の態様は、配線層上に基板を形成する工程と、前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜に逆テーパ状の貫通孔を穿設する工程と、前記貫通孔の上段を順テーパ状に形成する工程と、前記貫通孔の内周面及び前記シリコン基板若しくは絶縁性の前記層間膜の上面に絶縁膜を形成する工程と、前記貫通孔の底と前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の下方に配設された配線層の銅配線とを連通させる工程と、前記絶縁膜の上面にシード層を形成する工程と、前記貫通孔の開口部及び前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストをテンティング状態に塗布して乾燥させる工程と、前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記シリコン基板又は絶縁性の前記層間膜の上面に銅メッキによるパターンを形成する工程と、を有する半導体基板の製造方法である。
【0023】
その第５の態様は、順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、を備えた貫通電極を有する半導体基板、
順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
又は順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、を備えた貫通電極を有する半導体基板、
のうちいずれか１つの半導体基板を有する電子機器である。
順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
又は順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、を備えた貫通電極を有する半導体基板、
のうちいずれか１つの半導体基板を有する電子機器である。
【0024】
上記の態様を取ることにより、液状のレジストを貫通孔の開口面に塗布したとき、レジストが段付き穴の段差の位置で留まり、所定の膜厚を維持してテンティングすることができる。
【0025】
本開示によれば、貫通孔のテンティングのレジストを従来よりも厚く形成することができ、これにより空気の膨張によるレジストの発泡を防止するとともに後工程であるメッキ不良を低減する半導体基板、半導体基板の製造方法及び当該半導体基板を備えた固体撮像装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】ＴＳＶが穿設された半導体基板を有する固体撮像装置の模式断面図である。
【図2】テンティングの工程の説明図である（その１）。
【図3】テンティングの工程の説明図である（その２）。
【図4】テンティングの工程におけるリソグラフィの説明図である。
【図5】テンティングの工程における発泡の説明図である。
【図6】テンティングの工程におけるパターン倒れの説明図である。
【図7】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の基本形のテンティング状態における断面図である。
【図8】貫通孔の内周面におけるテーパ角とレジストの落ち込み易さについての説明図である。
【図9】貫通孔に絶縁膜及びシード層を形成したときの寸法関係についての説明図である。
【図10】第１実施形態の基本形に係る半導体基板のテンティング状態における断面図である。
【図11】第１実施形態の基本形に係る半導体基板を有する固体撮像装置の断面図である。
【図12】第１実施形態の変形例１に係る半導体基板のテンティング状態における断面図である。
【図13】第１実施形態の変形例１に係る半導体基板を有する固体撮像装置の断面図である。
【図14】第１実施形態の変形例２に係る半導体基板のテンティング状態における断面図である。
【図15】第１実施形態の変形例２に係る半導体基板を有する固体撮像装置の断面図である。
【図16】第２実施形態の基本形に係る半導体基板のテンティング状態における断面図である。
【図17】第３実施形態の基本形に係る半導体基板のテンティング状態における断面図である。
【図18】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その１）である。
【図19】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その２）である。
【図20】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その３）である。
【図21】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その４）である。
【図22】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その５）である。
【図23】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その６）である。
【図24】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の変形例１の製造方法の工程説明図（その１）である。
【図25】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の変形例１の製造方法の工程説明図（その２）である。
【図26】本開示に係る半導体基板の第１実施形態の変形例２の製造方法の工程説明図である。
【図27】本開示に係る半導体基板の第２実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その１）である。
【図28】本開示に係る半導体基板の第２実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その２）である。
【図29】本開示に係る半導体基板の第２実施形態の変形例１の製造方法による半導体基板の断面図である。
【図30】本開示に係る半導体基板の第２実施形態の変形例２の製造方法による半導体基板の断面図である。
【図31】本開示に係る半導体基板の第３実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その１）である。
【図32】本開示に係る半導体基板の第３実施形態の基本形の製造方法の工程説明図（その２）である。
【図33】本開示に係る半導体基板の第３実施形態の変形例１の製造方法による半導体基板の断面図である。
【図34】本開示に係る半導体基板の第３実施形態の変形例２の製造方法による半導体基板の断面図である。
【図35】本開示に係る半導体基板を備えた固体撮像装置を有する電子機器の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
次に、図面を参照して、本開示を実施するための形態（以下、「実施形態」と称する。）を下記の順序で説明する。以下の図面において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は、模式的なものであり、各部の寸法の比率等は現実のものとは必ずしも一致しない。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることは勿論である。
１．テンティングの工程と課題
２．本開示に係る半導体基板の第１実施形態
３．本開示に係る半導体基板の第２実施形態
４．本開示に係る半導体基板の第３実施形態
５．本開示に係る半導体基板の第１実施形態の製造方法
６．本開示に係る半導体基板の第２実施形態の製造方法
７．本開示に係る半導体基板の第３実施形態の製造方法
８．本開示に係る半導体基板を備えた固体撮像装置を有する電子機器
１．テンティングの工程と課題
２．本開示に係る半導体基板の第１実施形態
３．本開示に係る半導体基板の第２実施形態
４．本開示に係る半導体基板の第３実施形態
５．本開示に係る半導体基板の第１実施形態の製造方法
６．本開示に係る半導体基板の第２実施形態の製造方法
７．本開示に係る半導体基板の第３実施形態の製造方法
８．本開示に係る半導体基板を備えた固体撮像装置を有する電子機器
【0028】
＜１．テンティングの工程と課題＞
図１は、ＴＳＶ１０Ａが穿設された半導体基板を有する固体撮像装置１００の模式断面図である。固体撮像装置１００の半導体基板１は、本図に示すように、シリコン基板１０と、シリコン基板１０に配設された受光部３を有するセンサ基板２とを有している。そして、センサ基板２の受光部３に対向してカバーガラス４が配設されている。固体撮像装置１００は、光学系（不図示）からの入射光を、カバーガラス４を介してセンサ基板２上の受光部３に結像させる（本図では、下方から上方に向かって被写体像が入光される。）。
受光部３は、受光部３上に結像された被写体像に対応した光信号を電気信号に変換する装置である。すなわち、被写体像からの入射光を、受光部３の画素領域で画素単位に受光し、それぞれの画素を光電変換することによって、被写体像の画素に対応した信号電荷を生成し、画素信号として外部に送出する。
図１は、ＴＳＶ１０Ａが穿設された半導体基板を有する固体撮像装置１００の模式断面図である。固体撮像装置１００の半導体基板１は、本図に示すように、シリコン基板１０と、シリコン基板１０に配設された受光部３を有するセンサ基板２とを有している。そして、センサ基板２の受光部３に対向してカバーガラス４が配設されている。固体撮像装置１００は、光学系（不図示）からの入射光を、カバーガラス４を介してセンサ基板２上の受光部３に結像させる（本図では、下方から上方に向かって被写体像が入光される。）。
受光部３は、受光部３上に結像された被写体像に対応した光信号を電気信号に変換する装置である。すなわち、被写体像からの入射光を、受光部３の画素領域で画素単位に受光し、それぞれの画素を光電変換することによって、被写体像の画素に対応した信号電荷を生成し、画素信号として外部に送出する。
【0029】
したがって、被写体の画像の解像度は、画素数によって決まり、画素数が多いほど画像の解像度は高くなる。画素は、センサ基板２に内設された光電変換素子（不図示）により電気信号に変換される。光電変換素子は、例えば、フォトダイオードであり、カバーガラス４を介して被写体像として入射する光を受光し、光電変換することで信号電荷を生成する。固体撮像装置１００には、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型イメージセンサチップ、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型イメージセンサチップ含む。
【0030】
半導体基板１には、センサ基板２で光電変換することによって、被写体像の画素に対応して生成された画素信号を外部に送出するための外部接続端子５が配設されている。そして、センサ基板２と外部接続端子５とを接続するために、半導体基板１がシリコン基板１０を有する場合には、ＴＳＶ１０Ａと呼ばれる貫通電極が穿設される。また、絶縁性の層間膜３０を有する場合には、層間絶縁膜中ホール１０Ｂが穿設される。したがって、センサ基板２の受光部３の裏面に配設された銅配線４６は、ＴＳＶ１０Ａ又は層間絶縁膜中ホール１０Ｂのシード層１２、銅メッキ層１３及びそこから外延された銅の配線パターン１４により外部接続端子５と電気的に接続されている。
【0031】
ＴＳＶ１０Ａは、本図に示すように、半導体基板１のシリコン基板１０に貫通孔１９を穿設し、その内周面を絶縁膜１１で被覆し、さらにその上面にシード層１２及び銅メッキ層１３をすることにより形成されている。そして、銅のメッキ層１３からは半導体基板１の上面に沿って銅の配線パターン１４が延設され、さらにその上面をソルダマスク１５で被覆している。これによりセンサ基板２の受光部３の裏面に配設された銅配線４６は、ＴＳＶ１０Ａの銅メッキ層１３及び配線パターン１４を介して外部接続端子５と電気的に接続される。
【0032】
ここで、ＴＳＶ１０Ａを形成する際に、テンティングの工程が必要となる。これについて、さらに詳しく説明する。図２、図３は、テンティングの工程を説明するための図である。ＴＳＶ１０Ａを形成するには、先述のように、シリコン基板１０に貫通孔１９を穿設し、その内周面を絶縁膜１１で被覆する。そして、さらにその上面にシード層１２をスパッタリング等により形成する。シード層１２を形成すると、次に、その上面に、図１に示すように、銅メッキ層１３及び銅の配線パターン１４を形成する。
【0033】
配線パターン１４を形成するには、半導体基板１の上面に配線パターン１４の形状をかたどったレジストパターン２２を生成する必要がある。そこで、シード層１２を形成したシリコン基板１０の上面に、図２Ａに示すように、液状のネガレジスト２０を滴下し、スピンコーティングにより貫通孔１９の開口部１９ｄの蓋をするように、しかも一様になるように塗布する。このとき貫通孔１９の中に空気が閉じ込められるようにする。この状態を「テンティング」と呼んでいる。
【0034】
テンティングをする理由は次のとおりである。すなわち、図４Ａに示すように、シリコン基板１０に貫通孔１９を穿設し、絶縁膜１１及びシード層１２を形成する。次に、図４Ａに示すようなレジストパターン２２を形成する際に、テンティングをしないで、貫通孔１９の中にレジストを充満した場合について説明する。
【0035】
貫通孔１９の底にネガレジスト２０が存在した場合には、図４Ｂに示すように、現像液が十分に供給されないために現像残りが発生する。また、ポジレジスト２１を用いた場合には、図４Ｃに示すように、貫通孔１９の底までフォトマスク２５を介した露光の光が届かず、同様に現像残りが発生する。かかる現像残りが発生すると、後工程での銅メッキ層１３を十分形成することができず、メッキ不良となる。また、ドライレジスト（フィルムレジスト）を用いた場合には、テンティング状態を形成できるものの、液状のレジストと比較して微細なパターンを形成できないという問題点がある。そこで、貫通孔１９の中にネガレジスト２０やポジレジスト２１を浸入させないよう「テンティング」が行われる。
【0036】
以下では、ネガレジスト２０を使用した例について説明する（以下、「ネガレジスト２０」を「レジスト２０」という。）。液状のレジスト２０をスピンコートした後は、図２Ｂに示すように、半導体基板１を高速回転させてレジスト２０中に残留している溶剤を乾燥させる。次に、図２Ｃに示すように、半導体基板１をベーク（ＰＡＢ：Ｐｏｓｔ Ａｐｐｌｌｅｄ Ｂａｋｅと呼ばれる。）をして溶剤をさらに乾燥させる。次に、図３Ｄに示すように、フォトマスク２５を介して露光し、図３Ｅに示すように、現像により貫通孔１９の周辺に外延する配線パターン１４を形成するためのレジストパターン２２が形成される。次に、図３Ｆに示すように、ベークを行い、その後冷却する。
【0037】
しかし、図５Ａに示すように、液状のレジスト２０をテンティング状に塗布したあと、溶剤を十分に乾燥させるために高い温度でベークすると、図５Ｂに示すように、貫通孔１９の中の空気が膨張して発泡（破裂）するという問題点がある。またレジストパターン２２を微細化するためにレジスト２０の塗布膜厚を薄くした場合（厚さＴ１）も発泡しやすくなる。
【0038】
そこで、図６Ａに示すように、発泡を抑制するためにレジスト２０の塗布膜厚を厚くする方法が考えられる（厚さＴ２）。しかし、レジスト２０の残留溶剤が多くなることとパターンのアスペクト比が大きくなるために、図６Ｂに示すように、露光、現像後にレジストパターン２２倒れが発生するという新たな問題が生じる。
【0039】
＜２．本開示に係る半導体基板の第１実施形態＞
［第１実施形態の基本形］
かかる問題に対し、本開示に係る第１実施形態の基本形は、図７に示すように、貫通孔１９の内周面に階段状の段差１９ａを形成するとともに、段差１９ａの上方である上段孔部１９ｂを順テーパ状に、段差１９ａの下方である下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成したものである。段差１９ａは、シリコン基板１０の貫通孔１９において、シリコン基板１０の板面に平行な水平状の段差面を形成する段差部である。すなわち、下段孔部１９ｃは、上段孔部１９ｂに対する縮径状の孔部であり、下段孔部１９ｃの内周面と上段孔部１９ｂの内周面との間に、段差１９ａによる段差面として、貫通孔１９の孔形状に沿う環状の水平面が形成されている。なお、「順テーパ状」とは、シリコン基板１０の板厚方向について、開口部１９ｄ側から段差１９ａ側の方向に貫通孔１９の内径を徐々に減少させた形状であり、「逆テーパ状」とは、順テーパ状とは逆方向に貫通孔１９の内径を徐々に減少させた形状である。
［第１実施形態の基本形］
かかる問題に対し、本開示に係る第１実施形態の基本形は、図７に示すように、貫通孔１９の内周面に階段状の段差１９ａを形成するとともに、段差１９ａの上方である上段孔部１９ｂを順テーパ状に、段差１９ａの下方である下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成したものである。段差１９ａは、シリコン基板１０の貫通孔１９において、シリコン基板１０の板面に平行な水平状の段差面を形成する段差部である。すなわち、下段孔部１９ｃは、上段孔部１９ｂに対する縮径状の孔部であり、下段孔部１９ｃの内周面と上段孔部１９ｂの内周面との間に、段差１９ａによる段差面として、貫通孔１９の孔形状に沿う環状の水平面が形成されている。なお、「順テーパ状」とは、シリコン基板１０の板厚方向について、開口部１９ｄ側から段差１９ａ側の方向に貫通孔１９の内径を徐々に減少させた形状であり、「逆テーパ状」とは、順テーパ状とは逆方向に貫通孔１９の内径を徐々に減少させた形状である。
【0040】
このように形成することにより、液状のレジスト２０を塗布したときに、レジスト２０を上段孔部１９ｂの段差１９ａで留めることができる。したがって、上段孔部１９ｂでテンティングさせることができる。また、貫通孔１９の開口部１９ｄ上のレジスト２０の厚みを従来よりも厚くすることができ、貫通孔１９の内部の空気の膨張によるレジスト２０の発泡を防止することができる。さらに段差１９ａを設けることによりレジスト２０が貫通孔１９の底に落ち込むことを抑制でき、後工程である銅メッキ不良を低減することができる。
【0041】
ここで貫通孔１９の内周面におけるテーパ角Φとレジスト２０の落ち込み易さについて図８により説明する。液状のレジスト２０と内周面との接触角θは、レジスト２０の材料と貫通孔１９を穿設する材料の種類で決まる。レジスト２０は、その表面張力により球体状になろうとする力が働く、この力は、レジスト２０の浸入の抑止力として働く。したがって、貫通孔１９内の空気とレジスト２０との界面は、球面の一部となる。一方、地球の重力の作用により、レジスト２０には貫通孔１９の中に落ち込もうとする力が働く。そこで、図９に示すように、内周面が順テーパであるほどレジストの落ち込み量が大きくなる。また、逆テーパになるほど落ち込み量が小さくなる。しかし、逆テーパ角Φが接触角θよりも大きくなると、レジスト２０は貫通孔２０の中へ落ち込まなくなる。
【0042】
したがって、貫通孔１９の上段孔部１９ｂを順テーパ状に形成することによりレジスト２０を落ち込みやすくすることができる。また、レジスト２０を段差１９ａで一旦受け止めた後、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成することにより段差１９ａより下方にはレジスト２０を落ち込まないようにすることができる。
【0043】
次に、貫通孔１９に絶縁膜１１及びシード層１２を形成したときの寸法関係について説明する。図９Ａの貫通孔１９の断面図において、貫通孔１９の開口径をａ、上段孔部１９ｂの下端と段差１９ａとの接合部の径をｂ、段差１９ａの径をｃ、下段孔部１９ｃの下端の径をｄとする。また、上段孔部１９ｂの深さをｈ、下段孔部１９ｃの深さをｇとする。
そうすると、上記の各々の寸法は、
ａ＞ｂ≧ｃ 又は ａ＞ｂ＞ｃ であり、かつ、
（ｈ＋ｇ）×０．２＜ｈ≦（ｈ＋ｇ）×０．５ であることが望ましい。
かかる根拠として、図９Ｂにテンティング発泡及び現像残りによる不良率と、上段孔部１９ｂの深さの割合ｈ／（ｈ＋ｇ）の関係を示す。本図に示すように、横軸にｈ／（ｈ＋ｇ）を、縦軸に不良率をとる。そうすると、ｈ／（ｈ＋ｇ）の値が０に近くなると、つまりｈが小さくなるとレジスト２０の厚さが薄くなるために発泡の不良率が増加する。また、ｈ／（ｈ＋ｇ）の値が大きくなると、レジスト２０の厚みが厚くなりすぎて、現像残りによる不良率が増加する。
そこで、上段孔部１９ｂの深さｈを、発泡と現像残りが発生しない範囲に設定する。例えば、本図によれば、段差１９ａを（ｈ＋ｇ）×０．２＜ｈ≦（ｈ＋ｇ）×０．５の範囲に設けることが望ましい。
そうすると、上記の各々の寸法は、
ａ＞ｂ≧ｃ 又は ａ＞ｂ＞ｃ であり、かつ、
（ｈ＋ｇ）×０．２＜ｈ≦（ｈ＋ｇ）×０．５ であることが望ましい。
かかる根拠として、図９Ｂにテンティング発泡及び現像残りによる不良率と、上段孔部１９ｂの深さの割合ｈ／（ｈ＋ｇ）の関係を示す。本図に示すように、横軸にｈ／（ｈ＋ｇ）を、縦軸に不良率をとる。そうすると、ｈ／（ｈ＋ｇ）の値が０に近くなると、つまりｈが小さくなるとレジスト２０の厚さが薄くなるために発泡の不良率が増加する。また、ｈ／（ｈ＋ｇ）の値が大きくなると、レジスト２０の厚みが厚くなりすぎて、現像残りによる不良率が増加する。
そこで、上段孔部１９ｂの深さｈを、発泡と現像残りが発生しない範囲に設定する。例えば、本図によれば、段差１９ａを（ｈ＋ｇ）×０．２＜ｈ≦（ｈ＋ｇ）×０．５の範囲に設けることが望ましい。
【0044】
図１０は、第１実施形態の基本形に係る半導体基板１のテンティング状態における断面図である。また、図１１は、当該半導体基板１を有する固体撮像装置１００の断面図である。図１０及び図１１の半導体基板１において、貫通孔１９を穿設する材料は、シリコン基板１０とするものである。そして、本図の左方には、貫通孔１９が穿設されて、ＴＳＶ１０Ａが形成されている。ＴＳＶ１０Ａの開口部周辺及びシリコン基板１０の上面は絶縁膜１１及びシード層１２で覆われ、さらにその上面には銅メッキ層１３が形成されている。また、銅メッキ層１３を延設して配線パターン１４が設けられている。ＴＳＶ１０Ａの底部は、配線層４０に配設された銅配線４６と銅メッキ層１３により電気的に接続されている。
【0045】
なお、本図において、シリコン基板１０の下方に配設された配線層４０には、何層かにわたって銅配線４６が形成されている。配線層４０の下方には受光部３が配設されている。受光部３には光電変換素子９が形成されている。光電変換素子９は、例えば発光ダイオードであり、画素ごとにマトリクス状に配設されている。それぞれの光電変換素子９には、それぞれに対応してマイクロレンズアレイ８配設されている。また、光電変換素子９に対向してカバーガラス４が配設されている。カバーガラス４は、光学系のレンズ（不図示）等を介して入射した被写体像を受光する（本図では、下方から上方に向かって被写体像が入光される。）。光電変換素子９は、カバーガラス４及びマイクロレンズアレイ８に入射した光を画素単位で電気信号に変換する。したがって、被写体の画像の解像度は、画素数、すなわち光電変換素子９の数によって決まり、画素数が多いほど画像の解像度は高くなる。
【0046】
［第１実施形態の変形例１］
本開示に係る第１実施形態の基本形は、以上のように半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０とするものである。一方、第１実施形態の変形例１は、図１２及び図１３に示すように、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料を樹脂などの絶縁物による層間膜３０とするものである。
本開示に係る第１実施形態の基本形は、以上のように半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０とするものである。一方、第１実施形態の変形例１は、図１２及び図１３に示すように、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料を樹脂などの絶縁物による層間膜３０とするものである。
【0047】
具体的には、図１２に示すように、配線層４０の上方に配設された絶縁物である層間膜３０に貫通孔１９が穿設されている。貫通孔１９の内周面はシード層１２で覆われており、シード層１２は配線層４０に形成された銅配線４６に電気的に接続されている。そして、レジスト２０は、貫通孔１９の開口部１９ｄをテンティングにより塞いでいる。本変形例１では、層間膜３０は、絶縁物で構成されているために、基本形に示すような絶縁膜１１は、そもそも設ける必要がない。
また、絶縁性の層間膜３０を、感光性を有する有機材料や無機材料の樹脂で形成してもよい。このような材料で層間膜３０を形成するとフォトマスク２５を介して露光させることで貫通孔１９を容易に穿設することができる。
上記以外の構成については、第１実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
また、絶縁性の層間膜３０を、感光性を有する有機材料や無機材料の樹脂で形成してもよい。このような材料で層間膜３０を形成するとフォトマスク２５を介して露光させることで貫通孔１９を容易に穿設することができる。
上記以外の構成については、第１実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
【0048】
［第１実施形態の変形例２］
本開示に係る第１実施形態の変形例２は、図１４及び図１５に示すように、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料を樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１と第２の層間膜３２とするものである。
本開示に係る第１実施形態の変形例２は、図１４及び図１５に示すように、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料を樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１と第２の層間膜３２とするものである。
【0049】
具体的には、図１４に示すように、配線層４０の上方に配設された絶縁物による第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２に貫通孔１９が穿設されている。より詳しくは、貫通孔１９の下段孔部１９ｃは、第１の層間膜３１に穿設され、貫通孔１９の上段孔部１９ｂは、第２の層間膜３２に穿設されている。そして、段差１９ａは、第１の層間膜３１と第２の層間膜３２との境界１９ｅに配設されている。この境界１９ｅは、上段孔部１９ｂの順テーパと下段孔部１９ｃの逆テーパとが交差する線でもある。
【0050】
また、貫通孔１９の内周面はシード層１２で覆われており、シード層１２は、配線層４０に配設された銅配線４６に電気的に接続されている。そして、レジスト２０は、貫通孔１９の開口部１９ｄをテンティングにより塞いでいる。本変形例２では、第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２は、絶縁物で構成されている。このために、基本形において形成されていた絶縁膜１１は、そもそも設ける必要がない。
また、絶縁性の第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２を、感光性を有する有機材料や無機材料の樹脂で形成してもよい。このような材料で層間膜３０を形成するとフォトマスク２５を介して露光させることで貫通孔１９を容易に穿設することができる。
また、第１の層間膜３１と第２の層間膜３２との境界１９ｅがあるために段差１９ａを形成することが容易になる。
上記以外の構成については、第１実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
また、絶縁性の第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２を、感光性を有する有機材料や無機材料の樹脂で形成してもよい。このような材料で層間膜３０を形成するとフォトマスク２５を介して露光させることで貫通孔１９を容易に穿設することができる。
また、第１の層間膜３１と第２の層間膜３２との境界１９ｅがあるために段差１９ａを形成することが容易になる。
上記以外の構成については、第１実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
【0051】
＜３．本開示に係る半導体基板の第２実施形態＞
［第２実施形態の基本形］
本開示に係る第２実施形態の基本形は、図１６に示すように、貫通孔１９の内周面を階段状に段差１９ａを形成するとともに、上段孔部１９ｂを順テーパ状に、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成し、さらに上段孔部１９ｂの開口部１９ｄの断面を、丸みを持たせた曲線状に形成したものである。
［第２実施形態の基本形］
本開示に係る第２実施形態の基本形は、図１６に示すように、貫通孔１９の内周面を階段状に段差１９ａを形成するとともに、上段孔部１９ｂを順テーパ状に、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成し、さらに上段孔部１９ｂの開口部１９ｄの断面を、丸みを持たせた曲線状に形成したものである。
【0052】
このように形成することにより、液状のレジスト２０を塗布したときに、開口部１９ｄの断面を、丸みを持たせた曲線状に形成し、上段孔部１９ｂを順テーパ状に形成しているためにレジスト２０が貫通孔１９に落ち込みやすくなる。さらに、段差１９ａを形成することによりレジスト２０を留めることができる。また、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成しているために境界１９ｅより下方にレジスト２０が落ち込まないようにすることができる。したがって、レジスト２０の厚みを従来よりも厚い状態でテンティングさせることができる。これにより、空気の膨張によるレジスト２０の発泡の防止をすることができる。さらに段差１９ａを設けているためにレジスト２０をそこに留めることができ、後工程である銅メッキ不良を低減することができる。
上記以外の構成については、第１実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
上記以外の構成については、第１実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
【0053】
［第２実施形態の変形例１］
本開示に係る第２実施形態の変形例１は、貫通孔１９の形状を図１６に示す第２実施形態の基本形と同様に形成したものである。また、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料は、第１実施形態の変形例１の図１２及び図１３において説明したのと同様に、樹脂などの絶縁物による層間膜３０により構成されるものである。
上記以外の構成については、第２実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
本開示に係る第２実施形態の変形例１は、貫通孔１９の形状を図１６に示す第２実施形態の基本形と同様に形成したものである。また、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料は、第１実施形態の変形例１の図１２及び図１３において説明したのと同様に、樹脂などの絶縁物による層間膜３０により構成されるものである。
上記以外の構成については、第２実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
【0054】
［第２実施形態の変形例２］
本開示に係る第２実施形態の変形例２は、貫通孔１９の形状については図１６に示す第２実施形態の基本形と同様である。また、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料は、第１実施形態の変形例２において説明した図１４及び図１５と同様に、樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１と第２の層間膜３２により構成されるものである。
上記以外の構成については、第２実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
本開示に係る第２実施形態の変形例２は、貫通孔１９の形状については図１６に示す第２実施形態の基本形と同様である。また、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料は、第１実施形態の変形例２において説明した図１４及び図１５と同様に、樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１と第２の層間膜３２により構成されるものである。
上記以外の構成については、第２実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
【0055】
＜４．本開示に係る半導体基板の第３実施形態＞
［第３実施形態の基本形］
本開示に係る第３実施形態の基本形は、図１７に示すように、貫通孔１９の段差１９ａをなくするとともに境界１９ｅよりも、上段孔部１９ｂを順テーパ状に、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成したものである。
［第３実施形態の基本形］
本開示に係る第３実施形態の基本形は、図１７に示すように、貫通孔１９の段差１９ａをなくするとともに境界１９ｅよりも、上段孔部１９ｂを順テーパ状に、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成したものである。
【0056】
このように形成することにより、液状のレジスト２０を塗布したときに、上段孔部１９ｂを順テーパ状に形成しているためにレジスト２０が貫通孔１９に落ち込みやすくなる。また、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成しているために、順テーパから逆テーパに変化する境界１９ｅのところで、レジストが落ち込みにくくなる。したがって、上段孔部１９ｂでのレジスト２０の厚みを他の実施形態よりもさらに厚い状態でテンティングさせることができる。これにより、空気の膨張によるレジスト２０の発泡の防止効果をより改善することができ、後工程である銅メッキ不良を低減することができる。また、段差１９ａを形成しないために、加工が容易となり、加工時間の短縮にもつながる。なお、わずかな段差１９ａを設けてもよい。これによりレジスト２０が貫通孔１９の底に落ち込む深さを調整することができるため、レジスト２０の厚みを調整することができる。
上記以外の構成については、第１実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
上記以外の構成については、第１実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
【0057】
［第３実施形態の変形例１］
本開示に係る第３実施形態の変形例１は、貫通孔１９の形状については図１７に示す第３実施形態の基本形と同様である。また、第１実施形態の変形例１において説明した図１２及び図１３と同様に、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料は、樹脂などの絶縁物による層間膜３０により構成されるものである。
上記以外の構成については、第３実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
本開示に係る第３実施形態の変形例１は、貫通孔１９の形状については図１７に示す第３実施形態の基本形と同様である。また、第１実施形態の変形例１において説明した図１２及び図１３と同様に、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料は、樹脂などの絶縁物による層間膜３０により構成されるものである。
上記以外の構成については、第３実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
【0058】
［第３実施形態の変形例２］
本開示に係る第３実施形態の変形例２は、貫通孔１９の形状については図１７に示す第３実施形態の基本形と同様である。また、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料は、第１実施形態の変形例２において説明した図１４及び図１５と同様に、樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１と第２の層間膜３２により構成されるものである。
上記以外の構成については、第３実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
本開示に係る第３実施形態の変形例２は、貫通孔１９の形状については図１７に示す第３実施形態の基本形と同様である。また、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料は、第１実施形態の変形例２において説明した図１４及び図１５と同様に、樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１と第２の層間膜３２により構成されるものである。
上記以外の構成については、第３実施形態の基本形と同様であるため説明を省略する。
【0059】
＜５．本開示に係る半導体基板の第１実施形態の製造方法＞
［第１実施形態の基本形の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第１実施形態の基本形の製造方法について説明する。
まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上にシリコン基板１０を貼り合わせ、所望の厚さになるようにシリコン基板１０を研磨、平坦化する。
そして、シリコン基板１０の面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターンを形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。なお、アライメントとは、位置決めを行う位置補正機能のことである。
［第１実施形態の基本形の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第１実施形態の基本形の製造方法について説明する。
まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上にシリコン基板１０を貼り合わせ、所望の厚さになるようにシリコン基板１０を研磨、平坦化する。
そして、シリコン基板１０の面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターンを形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。なお、アライメントとは、位置決めを行う位置補正機能のことである。
【0060】
次に、図１８Ａに示すように、レジスト２０をマスクにして、主として異方性エッチングにより銅配線４６のパッド上に逆テーパの貫通孔１９を穿設する。
【0061】
次に、図１８Ｂに示すように、レジスト開口部２０ａを等方性アッシングにより広げ、さらにレジスト２０をマスクにして、異方性エッチングと等方性アッシングのサイクル工程を繰り返す。これにより、貫通孔１９の下段孔部１９ｃと上段孔部１９ｂとの境界１９ｅに段差１９ａが形成され、上段孔部１９ｂは順テーパ状、下段孔部１９ｃは逆テーパ状となる。
【0062】
次に、図１８Ｃに示すように、ＣＶＤ（化学的気相成長：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＳｉＯＮからなる絶縁膜１１（シリコン酸窒化膜）を貫通孔１９の内周面及びシリコン基板１０の上面に形成する。また、貫通孔１９の底も薄く成膜される。
【0063】
次に、図１９Ｄに示すように、異方性エッチングにより絶縁膜１１をエッチバックし、貫通孔１９の底と銅配線４６のパッドが連通するように穴をあける。
【0064】
次に、図１９Ｅに示すように、スパッタリングによりチタン（Ｔｉ）層、銅（Ｃｕ）層の順にメッキ用のシード層１２を貫通孔１９の内周面及びシリコン基板１０の上面に形成する。その後、シリコン基板１０の上面にシンナーを滴下し、シンナーの量及び時間を調整しながらスピンコートにより段差１９ａより上方を濡らす。すなわち、段差１９ａより上方をシンナーによりプリウエットする。これにより、次工程のレジスト２０のスピンコートによる塗布の際、レジストが段差１９ａまで落ち込むことができるようにする。
【0065】
次に、図２０Ｆに示すように、シリコン基板１０上に液状のレジスト２０を滴下し、半導体基板１を低速で回転させてレジスト２０をシリコン基板１０の上面全体に塗布する。
このとき、レジスト２０は貫通孔１９の段差１９ａまで入り込むが、逆テーパ状に形成されている下段孔部１９ｃまでは入り込まず、貫通孔１９の下段孔部１９ｃに空気が閉じ込められて、テンティング状態となる。
このとき、レジスト２０は貫通孔１９の段差１９ａまで入り込むが、逆テーパ状に形成されている下段孔部１９ｃまでは入り込まず、貫通孔１９の下段孔部１９ｃに空気が閉じ込められて、テンティング状態となる。
【0066】
次に、図２０Ｇに示すように、半導体基板１を高速回転させて液状のレジスト２０を薄膜化するとともに、液状のレジスト２０の中に残留している溶剤を乾燥させる。これによりレジスト２０の厚みがやや減少して薄くなる。
【0067】
次に、図２１Ｈに示すように、半導体基板１を１００°Ｃ程度で加熱して液状のレジスト２０の中の溶剤をさらに乾燥させる。
【0068】
次に、図２１Ｊに示すように、貫通孔１９の周辺のパターンと同時に形成したアライメントマークによりマスクの位置合わせをして、貫通孔１９の周辺の銅メッキ層１３及び配線パターン１４を露光する。露光された領域のレジスト２０は架橋する。
【0069】
次に、図２２Ｋに示すように、架橋していないレジスト２０を現像液により除去する。
これによりレジストパターン２２が形成される。
これによりレジストパターン２２が形成される。
【0070】
次に、図２２Ｌに示すように、レジストパターン２２をマスクとして貫通孔１９の内周面及びシリコン基板１０の上面に銅メッキをする。これにより銅メッキ層１３が形成される。
【0071】
次に、図２３Ｍに示すように、レジストパターン２２を除去する。
【0072】
次に、図２３Ｎに示すように、銅メッキ層１３をマスクとして露出しているシード層１２を除去する。これにより、半導体基板１にＴＳＶ１０Ａ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
【0073】
［第１実施形態の変形例１の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第１実施形態の変形例１の製造方法について説明する。本変形例１は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による層間膜３０とするものである。
まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上に、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる有機系絶縁層間膜からなる層間膜３０を形成する。層間膜３０は高温でベーク又は紫外線でキュア（ｃｕｒｅ：素材内部の構造を安定化させるための加熱工程）して硬化させる。
そして、層間膜３０の面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターン２２を形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。
次に、本開示に係る半導体基板１の第１実施形態の変形例１の製造方法について説明する。本変形例１は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による層間膜３０とするものである。
まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上に、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる有機系絶縁層間膜からなる層間膜３０を形成する。層間膜３０は高温でベーク又は紫外線でキュア（ｃｕｒｅ：素材内部の構造を安定化させるための加熱工程）して硬化させる。
そして、層間膜３０の面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターン２２を形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。
【0074】
次に、図２４Ａに示すように、レジスト２０をマスクにして、主として異方性エッチングにより銅配線４６のパッド上に逆テーパの貫通孔１９を穿設する。
レジスト開口部２０ａを等方性アッシングにより広げ、さらにレジスト２０をマスクにして、異方性エッチングと等方性アッシングのサイクル工程を繰り返す。
レジスト開口部２０ａを等方性アッシングにより広げ、さらにレジスト２０をマスクにして、異方性エッチングと等方性アッシングのサイクル工程を繰り返す。
【0075】
次に、図２４Ｂに示すように、レジスト開口部２０ａを等方性アッシングにより広げ、さらにレジスト２０をマスクにして、異方性エッチングと等方性アッシングのサイクル工程を繰り返す。これにより、貫通孔１９の下段孔部１９ｃと上段孔部１９ｂとの境界１９ｅに段差１９ａが形成され、上段孔部１９ｂは順テーパ状、下段１９孔部ｃは逆テーパ状となる。
【0076】
次に、図２５Ｃに示すように、レジスト２０を除去する。
【0077】
次に、図２５Ｄに示すように、スパッタリングによりチタン（Ｔｉ）層、銅（Ｃｕ）層の順にメッキ用のシード層１２を貫通孔１９の内周面及び層間膜３０の上面に形成する。
これ以降の工程は、前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、層間絶縁膜中ホール１０Ｂ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
これ以降の工程は、前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、層間絶縁膜中ホール１０Ｂ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
【0078】
［第１実施形態の変形例２の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第１実施形態の変形例２の製造方法について説明する。本変形例２は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２とするものである。
まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上に、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる有機系絶縁層間膜からなる第１の層間膜３１を形成する。第１の層間膜３１は高温でベーク又は紫外線でキュアして硬化させる。
次に、図２６Ａに示すように、第１の層間膜３１とは異なる材質の第２の層間膜３２（例えばＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素））を形成する。
そして、第２の層間膜３２の面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターン２２を形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。
次に、本開示に係る半導体基板１の第１実施形態の変形例２の製造方法について説明する。本変形例２は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２とするものである。
まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上に、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる有機系絶縁層間膜からなる第１の層間膜３１を形成する。第１の層間膜３１は高温でベーク又は紫外線でキュアして硬化させる。
次に、図２６Ａに示すように、第１の層間膜３１とは異なる材質の第２の層間膜３２（例えばＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素））を形成する。
そして、第２の層間膜３２の面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターン２２を形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。
【0079】
次に、図２６Ｂに示すように、レジスト開口部２０ａを等方性アッシングにより広げ、さらにレジスト２０をマスクにして、異方性エッチングと等方性アッシングのサイクル工程を繰り返す。これにより、図２６Ｃに示すように、貫通孔１９の下段孔部１９ｃと上段孔部１９ｂとの境界１９ｅに段差１９ａが形成され、上段孔部１９ｂは順テーパ状、下段孔部１９ｃは逆テーパ状となる。
【0080】
さらに、第１の層間膜３１よりも第２の層間膜３２のエッチングレートを高くすることにより、図２６Ｃに示すように、下段孔部１９ｃの上部が削られることがなく、より安定した逆テーパ形状を形成することができる。
【0081】
次に、第２の層間膜３２上のレジスト２０を除去する。
これ以降の工程は、前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、層間絶縁膜中ホール１０Ｂ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
これ以降の工程は、前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、層間絶縁膜中ホール１０Ｂ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
【0082】
＜６．本開示に係る半導体基板の第２実施形態の製造方法＞
［第２実施形態の基本形の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第２実施形態の基本形の製造方法について説明する。
まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上にシリコン基板１０を貼り合わせ、所望の厚さになるようにシリコン基板１０を研磨、平坦化する。
そして、シリコン基板１０の面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターン２２を形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。
［第２実施形態の基本形の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第２実施形態の基本形の製造方法について説明する。
まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上にシリコン基板１０を貼り合わせ、所望の厚さになるようにシリコン基板１０を研磨、平坦化する。
そして、シリコン基板１０の面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターン２２を形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。
【0083】
次に、図２７Ａに示すように、レジスト２０をマスクにして、主として異方性エッチングにより銅配線４６のパッド上に逆テーパの貫通孔１９を穿設する。
【0084】
次に、図２７Ｂに示すように、レジスト開口部２０ａを等方性アッシングにより広げ、さらにレジスト２０をマスクにして、異方性エッチングと等方性アッシングのサイクル工程を繰り返す。これにより、貫通孔１９の下段孔部１９ｃと上段孔部１９ｂとの境界１９ｅに段差１９ａが形成され、上段孔部１９ｂは順テーパ状、下段孔部１９ｃは逆テーパ状となる。また、上段孔部１９ｂの開口部１９ｄの断面は、丸みを持たせた曲線状となる。
【0085】
次に、図２７Ｃに示すように、ＣＶＤ（化学的気相成長：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＳｉＯＮからなる絶縁膜１１を貫通孔１９の内周面及び半導体基板１の上面に形成する。また、貫通孔１９の底も薄く成膜される。このとき、本図に示すように、段差１９ａが下段孔部１９ｃ対してオーバーハングするように、又は下段孔部１９ｃが逆テーパ状になるようにＣＶＤの条件を調整する。ただし、上段孔部１９ｂの開口部１９ｄは大きく順テーパ状に形成するためにオーバーハングとはならない。
【0086】
次に、図２８Ｄに示すように、異方性エッチングにより絶縁膜１１をエッチバックし、貫通孔１９の底と銅配線４６のパッドが連通するように貫通孔１９の底に穴をあける。
【0087】
次に、図２８Ｅに示すように、スパッタリングによりチタン（Ｔｉ）層、銅（Ｃｕ）層の順にメッキ用のシード層１２を貫通孔１９の内周面及びシリコン基板１０の上面に形成する。
これ以降の工程は、前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、ＴＳＶ１０Ａ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
これ以降の工程は、前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、ＴＳＶ１０Ａ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
【0088】
［第２実施形態の変形例１の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第２実施形態の変形例１の製造方法について説明する。本変形例１は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による層間膜３０とするものである。
次に、本開示に係る半導体基板１の第２実施形態の変形例１の製造方法について説明する。本変形例１は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による層間膜３０とするものである。
【0089】
また、貫通孔１９の形状は、第２実施形態の基本形と同様に、図１６に示すように、貫通孔１９の内周面を階段状に段差１９ａを形成するとともに、上段孔部１９ｂを順テーパ状に、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成し、さらに上段孔部１９ｂの開口部１９ｄの断面を、丸みを持たせた曲線状に形成したものである。
【0090】
上記は相違点であるが、製造工程については、前記の図２４Ａ～図２５Ｄ及び前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、図２９に示すような層間絶縁膜中ホール１０Ｂ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
【0091】
［第２実施形態の変形例２の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第２実施形態の変形例２の製造方法について説明する。本変形例２は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２とするものである。
次に、本開示に係る半導体基板１の第２実施形態の変形例２の製造方法について説明する。本変形例２は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２とするものである。
【0092】
また、貫通孔１９の形状は、第２実施形態の基本形と同様に、図１６に示すように、貫通孔１９の内周面を階段状に段差１９ａを形成するとともに、上段孔部１９ｂを順テーパ状に、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成し、さらに上段孔部１９ｂの開口部１９ｄの断面を、丸みを持たせた曲線状に形成したものである。
【0093】
上記は相違点であるが、製造工程については、前記の図２４Ａ～図２５Ｄ及び前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、図３０に示すような層間絶縁膜中ホール１０Ｂ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
【0094】
＜７．本開示に係る半導体基板の第３実施形態の製造方法＞
［第３実施形態の基本形の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第３実施形態の基本形の製造方法について説明する。まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上にシリコン基板１０を貼り合わせ、所望の厚さになるようにシリコン基板１０を研磨、平坦化する。
そして、シリコン基板１０面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターンを形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。
［第３実施形態の基本形の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第３実施形態の基本形の製造方法について説明する。まず最初に、銅配線４６を有する配線層４０の上にシリコン基板１０を貼り合わせ、所望の厚さになるようにシリコン基板１０を研磨、平坦化する。
そして、シリコン基板１０面上にレジスト２０を塗布し、リソグラフィ工程により、貫通孔１９のレジストパターンを形成する。このとき、露光は配線構造に形成したマークにアライメントする。
【0095】
次に、図３１Ａに示すように、レジスト２０をマスクにして、主として異方性エッチングにより銅配線４６のパッド上に逆テーパの貫通孔１９を穿設する。
【0096】
次に、図３１Ｂに示すように、レジスト開口部２０ａを等方性アッシングにより広げ、さらにレジスト２０をマスクにして、異方性エッチングと等方性アッシングのサイクル工程を繰り返す。これにより、貫通孔１９の境界１９ｅと、その上方の上段孔部１９ｂと下方の下段孔部１９ｃとが形成され、上段孔部１９ｂは順テーパ状、下段孔部１９ｃは逆テーパ状となる。
【0097】
次に、図３１Ｃに示すように、ＣＶＤ法によりＳｉＯＮからなる絶縁膜１１を貫通孔１９の内周面及び半導体基板１の上面に形成する。また、貫通孔１９の底も薄く成膜される。
【0098】
次に、図３２Ｄに示すように、異方性エッチングにより絶縁膜１１をエッチバックし、貫通孔１９の底と銅配線４６のパッドが連通するように貫通孔１９の底に穴をあける。
【0099】
次に、図３２Ｅに示すように、スパッタリングによりチタン（Ｔｉ）層、銅（Ｃｕ）層の順にメッキ用のシード層１２を貫通孔１９の内周面及びシリコン基板１０の上面に形成する。
【0100】
【0101】
［第３実施形態の変形例１の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第３実施形態の変形例１の製造方法について説明する。本変形例１は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による層間膜３０とするものである。
次に、本開示に係る半導体基板１の第３実施形態の変形例１の製造方法について説明する。本変形例１は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による層間膜３０とするものである。
【0102】
また、貫通孔１９の形状は、第３実施形態の基本形と同様に、図１７に示すように、貫通孔１９の段差１９ａをなくするとともに、境界１９ｅを設け、その上段孔部１９ｂを順テーパ状に、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成したものである。
【0103】
上記の相違点はあるものの製造工程については、前記の図２４Ａ～図２５Ｄ及び前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、図３３に示すような層間絶縁膜中ホール１０Ｂ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
【0104】
［第３実施形態の変形例２の製造方法］
次に、本開示に係る半導体基板１の第３実施形態の変形例２の製造方法について説明する。本変形例２は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２とするものである。
次に、本開示に係る半導体基板１の第３実施形態の変形例２の製造方法について説明する。本変形例２は、半導体基板１の貫通電極１９を穿設する材料をシリコン基板１０に代えて樹脂などの絶縁物による第１の層間膜３１及び第２の層間膜３２とするものである。
【0105】
また、貫通孔１９の形状は、第３実施形態の基本形と同様に、図１７に示すように、貫通孔１９の段差１９ａをなくするとともに、境界１９ｅを設け、その上段孔部１９ｂを順テーパ状に、下段孔部１９ｃを逆テーパ状に形成したものである。
【0106】
上記は相違点であるが、製造工程については、前記の図２４Ａ～図２５Ｄ及び前記の図２０Ｆから図２３Ｎまでと同様である。これにより、図３４に示すような層間絶縁膜中ホール１０Ｂ、銅メッキ層１３及び配線パターン１４を形成することができる。
【0107】
以上のような工程により、メッキ不良を低減する半導体基板１及び半導体基板１の製造方法を提供することができる。
【0108】
＜８．本開示に係る半導体基板を備えた固体撮像装置を有する電子機器＞
上述した第１実施形態から第３実施形態に係る半導体基板１を備えた固体撮像装置１００を有する電子機器の構成例について、図３５により説明する。
上述した第１実施形態から第３実施形態に係る半導体基板１を備えた固体撮像装置１００を有する電子機器の構成例について、図３５により説明する。
【0109】
固体撮像装置１００は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置１００を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）を有する電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像装置１００は、ワンチップとして形成された形態のものであってもよいし、撮像部と信号処理部又は光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態のものであってもよい。
【0110】
図３５に示すように、電子機器としての撮像装置２００は、光学部２０２と、固体撮像装置１００と、カメラ信号処理回路であるＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）回路２０３と、フレームメモリ２０４と、表示部２０５と、記録部２０６と、操作部２０７と、電源部２０８とを備える。ＤＳＰ回路２０３、フレームメモリ２０４、表示部２０５、記録部２０６、操作部２０７及び電源部２０８は、バスライン２０９を介して相互に接続されている。
【0111】
光学部２０２は、複数のレンズを含み、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像装置１００の受光部３に結像する。固体撮像装置１００は、光学部２０２によって受光部３に結像された入射光の光量を受光部３の光電変換素子９において画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
【0112】
表示部２０５は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネル等のパネル型表示装置からなり、固体撮像装置１００で撮像された動画又は静止画を表示する。記録部２０６は、固体撮像装置１００で撮像された動画又は静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。
【0113】
操作部２０７は、ユーザによる操作の下に、撮像装置２００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部２０８は、ＤＳＰ回路２０３、フレームメモリ２０４、表示部２０５、記録部２０６及び操作部２０７の動作電源となる各種の電源を、これらの供給対象に対して適宜供給する。
【0114】
以上のように、本開示によれば、貫通孔１９の開口部１９ｄのテンティングを確実に行うことができるため不良率を改善することができる。これにより、本開示に係る半導体基板１を備えた固体撮像装置１００を有する撮像装置２００を高い品質で提供することができる。
【0115】
最後に、上述した各実施の形態の説明は本開示の一例であり、本開示は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、さらに他の効果があってもよい。
【0116】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
（２）
順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
（３）
順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
（４）
前記貫通電極は、シリコンに穿設された前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（５）
前記貫通電極は、絶縁性の層間膜に穿設された前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（６）
前記貫通電極は、２以上の絶縁性の層間膜に穿設された前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（７）
前記上段孔部と前記下段孔部との前記境界又は前記段差は、前記貫通電極の深さに対して、前記開口面から２０％乃至５０％の深さ方向の位置に配設した前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（８）
絶縁性の前記層間膜は、感光性を有する有機材料又は無機材料の樹脂で形成した前記（５）又は（６）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（９）
配線層上に基板を形成する工程と、
前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜に逆テーパ状の貫通孔を穿設する工程と、
前記貫通孔の上段を順テーパ状に形成する工程と、
前記貫通孔の内周面及び前記シリコン基板若しくは絶縁性の前記層間膜の上面に絶縁膜を形成する工程と、
前記貫通孔の底と前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜の下方に配設された配線層の銅配線とを連通させる工程と、
前記絶縁膜の上面にシード層を形成する工程と、
前記貫通孔の開口部及び前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストをテンティング状態に塗布して乾燥させる工程と、
前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜の上面に銅メッキによるパターンを形成する工程と、
を有する半導体基板の製造方法。
（１０）
順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
又は順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
のうちいずれか１つの半導体基板を有する電子機器。
（１）
順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
（２）
順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
（３）
順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板。
（４）
前記貫通電極は、シリコンに穿設された前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（５）
前記貫通電極は、絶縁性の層間膜に穿設された前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（６）
前記貫通電極は、２以上の絶縁性の層間膜に穿設された前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（７）
前記上段孔部と前記下段孔部との前記境界又は前記段差は、前記貫通電極の深さに対して、前記開口面から２０％乃至５０％の深さ方向の位置に配設した前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（８）
絶縁性の前記層間膜は、感光性を有する有機材料又は無機材料の樹脂で形成した前記（５）又は（６）のいずれか１つに記載の半導体基板。
（９）
配線層上に基板を形成する工程と、
前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜に逆テーパ状の貫通孔を穿設する工程と、
前記貫通孔の上段を順テーパ状に形成する工程と、
前記貫通孔の内周面及び前記シリコン基板若しくは絶縁性の前記層間膜の上面に絶縁膜を形成する工程と、
前記貫通孔の底と前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜の下方に配設された配線層の銅配線とを連通させる工程と、
前記絶縁膜の上面にシード層を形成する工程と、
前記貫通孔の開口部及び前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストをテンティング状態に塗布して乾燥させる工程と、
前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜の上面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記シリコン又は絶縁性の前記層間膜の上面に銅メッキによるパターンを形成する工程と、
を有する半導体基板の製造方法。
（１０）
順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部との境界に形成された段差と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
又は順テーパ状に形成された上段孔部と、
逆テーパ状に形成された下段孔部と、
前記上段孔部と前記下段孔部に形成された境界と、
を備えた貫通電極を有する半導体基板、
のうちいずれか１つの半導体基板を有する電子機器。
【符号の説明】
【0117】
１ 半導体基板
２ センサ基板
３ 受光部
４ カバーガラス
５ 外部接続端子
８ マイクロレンズアレイ
９ 光電変換素子
１０ シリコン基板
１０Ａ ＴＳＶ
１０Ｂ 層間絶縁膜中ホール
１１ 絶縁膜
１２ シード層
１３ 銅メッキ層
１４ 配線パターン
１５ ソルダマスク
１９ 貫通孔
１９ａ 段差
１９ｂ 上段孔部
１９ｃ 下段孔部
１９ｄ 開口部
１９ｅ 境界
２０ レジスト
２０ａ レジスト開口部
２１ ポジレジスト
２２ レジストパターン
２５ フォトマスク
３０ 層間膜
３１ 第１の層間膜
３２ 第２の層間膜
４０ 配線層
４６ 銅配線
１００ 固体撮像装置
２００ 撮像装置
２ センサ基板
３ 受光部
４ カバーガラス
５ 外部接続端子
８ マイクロレンズアレイ
９ 光電変換素子
１０ シリコン基板
１０Ａ ＴＳＶ
１０Ｂ 層間絶縁膜中ホール
１１ 絶縁膜
１２ シード層
１３ 銅メッキ層
１４ 配線パターン
１５ ソルダマスク
１９ 貫通孔
１９ａ 段差
１９ｂ 上段孔部
１９ｃ 下段孔部
１９ｄ 開口部
１９ｅ 境界
２０ レジスト
２０ａ レジスト開口部
２１ ポジレジスト
２２ レジストパターン
２５ フォトマスク
３０ 層間膜
３１ 第１の層間膜
３２ 第２の層間膜
４０ 配線層
４６ 銅配線
１００ 固体撮像装置
２００ 撮像装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】